TWI454857B - 處理裝置之異常判定系統及其異常判定方法 - Google Patents

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Description

處理裝置之異常判定系統及其異常判定方法
本發明係關於一種處理裝置之異常判定系統及其異常判定方法。
一般而言，半導體晶圓等之製程中，為於半導體晶圓或LCD基板等之被處理基板的表面形成光阻圖案，使用光微影技術。此一光微影技術，依序施行：於被處理基板之表面塗布光阻液的光阻塗布步驟、於所形成之光阻膜將圖案曝光的曝光處理步驟、以及將顯影液供給予曝光處理後之基板的顯影處理步驟等一系列之處理，可於被處理基板之表面形成既定的光阻圖案。此等之步驟，係於搭載有處理被處理基板之各種處理單元、搬運被處理基板之搬運單元等的光阻塗布．顯影處理裝置施行。
然而，光阻塗布．顯影處理裝置中，複數的被處理基板係被連續地搬運並處理，故例如在構成光阻塗布．顯影處理裝置之1個處理單元發生異常的情況，必須趁早察覺此一異常。此外，若將經過異常處理之被處理基板繼續進行之後的處理，則造成處理液等的浪費。此一情況，作為判定異常之發生的裝置之一，已知有具備如下元件之監控裝置(例如，參考專利文獻1)：資料收集部，於各種處理單元設置感測器，自感測器收集資料；資料取出部，自此一資料收集部收集到之資料取出有用的資料；異常資料抽出部，自此一資料取出部所取出之有用的資料抽出異常資料；以及異常判定部，將此一異常資料抽出部所抽出之異常資料與故障資訊加以連結。
此一監控裝置之異常資料抽出部，自此一資料取出部所取出 之有用的資料抽出異常資料時，使用預先設定上限與下限之固定閾值進行異常資料的抽出。而異常判定部，判斷被異常資料抽出部判斷為異常之資料的變動，其判斷為異常的變動是否與之後以檢查步驟獲得的故障資訊相關。
[習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1 日本特開2000-243678號公報
然則，專利文獻1記載之監控裝置中，於異常資料抽出部自資料抽出異常資料時，以上限與下限之固定閾值進行異常的抽出及判定。因此，在上限與下限之固定閾值範圍內處理產生異常的情況，例如處理時機發生異常情況，仍無法進行異常的抽出及判定，具有異常判定之精度低等問題。
鑑於上述問題，本發明之目的在於提供一種，可提高異常判定之精度的處理裝置之異常判定系統及其異常判定方法。
為解決上述課題，本發明的處理裝置之異常判定系統，特徵為具備：資料收集部，自藉由設置於處理被處理體之處理裝置的感測器所輸出的訊號，收集與時間一同變動的時間序列資料；資料選擇部，自該資料收集部收集到之時間序列資料，僅選出作為有用時間序列資料之模式資料；閾值設定部，自該資料選擇部選出之該模式資料，計算與時間一同變動的變動閾值資料；以及判定部，藉由將該資料收集部收集到之監視對象的時間序列資料，與該變動閾值資料進行比較，以判定異常之發生。
此一情況，該資料收集部，宜收集該處理裝置之各個處理單位的時間序列資料。此處，處理單位係包含，複數個處理裝置之各處理裝置施行的處理步驟、及一個處理裝置中的處理步驟。
此外，該被處理體，係藉由構成該處理裝置之複數處理部進行複數處理；該資料收集部，可自藉由設置於該處理部的感測器所輸出的訊號，收集該處理部之各個處理單位的時間序列資料。
本發明中，該閾值設定部，可計算該處理單位的至少一部分之時間序列區間的變動閾值資料。
此一情況，該資料選擇部更具備平均資料計算部，選擇複數模式資料，自此等複數模式資料計算平均資料；該閾值設定部，宜自該平均資料，計算該變動閾值資料；進一步，該閾值設定部，宜計算上限與下限之變動閾值資料。
此外，該閾值設定部，宜將該變動閾值資料之容許範圍，設定為可於至少一部分之時間序列區間變更。
此處，變動閾值資料之容許範圍係指，判定部將監視對象的時間序列資料與變動閾值資料進行比較時，未判定為異常的範圍。
本發明中，該上限之變動閾值資料宜為，於各個時間序列的平均資料值，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差乘上係數的值而算出；該下限之變動閾值資料宜為，於該平均資料值，減去對該標準差乘上該係數的值而算出。
此外，本發明中，該上限之變動閾值資料宜為，於各個時間序列的平均資料值，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資 料值之標準差乘上係數的值，更加上對該平均資料值乘上修正值的值而算出；該下限之變動閾值資料宜為，於該平均資料值，減去對該標準差乘上該係數的值，更減去對該平均資料值乘上修正值的值而算出。
本發明中，該資料選擇部，可在該處理裝置將該被處理體進行處理後，依據以該處理裝置中評價該被處理體之處理的檢查裝置之評價結果，選擇該模式資料。
本發明之異常判定方法，特徵為包含如下步驟：資料收集步驟，自藉由設置於處理被處理體之處理裝置的感測器所輸出的訊號，收集與時間一同變動的時間序列資料；資料選擇步驟，自藉由該資料收集步驟所收集到之時間序列資料，僅選出作為有用時間序列資料之模式資料；閾值設定步驟，自藉由該資料選擇步驟選出之該模式資料，計算與時間一同變動的變動閾值資料；以及判定步驟，藉由將該資料收集步驟收集到之監視對象的時間序列資料，與該變動閾值資料進行比較，判定異常之發生。
此一情況，該資料收集步驟，宜收集該處理裝置之各個處理單位的時間序列資料。此處，處理單位係包含，複數個處理裝置之各處理裝置施行的處理步驟、及一個處理裝置中的處理步驟。
此外，該被處理體，係藉由構成該處理裝置之複數處理部進行複數處理；該資料收集步驟，可自藉由設置於該處理部的感測器所輸出的訊號，收集該處理部之各個處理單位的時間序列資料。
本發明中，該閾值設定步驟，可計算該處理單位的至少一部分之時間序列區間的變動閾值資料。
此一情況，該資料選擇步驟更具備平均資料計算步驟，選擇 複數模式資料，自此等複數模式資料計算平均資料；該閾值設定步驟，宜自該平均資料，計算該變動閾值資料；進一步，該閾值設定步驟，宜計算上限與下限之變動閾值資料。
此外，該閾值設定步驟，宜將該變動閾值資料之容許範圍，設定為可於至少一部分之時間序列區間變更。
此處，變動閾值資料之容許範圍係指，判定步驟將監視對象的時間序列資料與變動閾值資料進行比較時，未判定為異常的範圍。
本發明中，該上限之變動閾值資料宜為，於各個時間序列的平均資料值，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差乘上係數的值而算出；該下限之變動閾值資料宜為，於該平均資料值，減去對該標準差乘上該係數的值而算出。
此外，本發明中，該上限之變動閾值資料宜為，於各個時間序列的平均資料值，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差乘上係數的值，更加上對該平均資料值乘上修正值的值而算出；該下限之變動閾值資料宜為，於該平均資料值，減去對該標準差乘上該係數的值，更減去對該平均資料值乘上修正值的值而算出。
本發明中，該資料選擇步驟，可在該處理裝置將該被處理體進行處理後，依據以該處理裝置中評價該被處理體之處理的檢查裝置之評價結果，選擇該模式資料。
依本發明之異常判定系統及異常判定方法，因藉著自藉由設置於處理裝置的感測器所輸出的訊號取得之時間序列資料，僅選 出作為有關已於處理裝置正常地處理過之被處理體的時間序列資料之模式資料，自此等模式資料計算變動閾值資料，將監視對象的時間序列資料與此等變動閾值資料比較以判定異常之發生，而可判定時間序列資料的變動或變動時機發生異常的情形，故可提高異常判定之精度。
此外，由於變動閾值資料，可依據最新取得之時間序列資料加以計算，故即便例如以新配方處理，仍可即時地計算最佳變動閾值資料。
 [實施本發明之最佳形態]
以下，依據附圖對本發明之實施形態加以詳細說明。此處，係就將本發明之異常判定系統(方法)，應用於被處理體為晶圓W之光阻塗布‧顯影處理裝置的情況進行說明。
光阻塗布‧顯影處理裝置，如圖1及圖2所示，主要由以下四個區塊構成：用於將收納晶圓W之晶圓匣盒CB搬出入的載具區塊1、將自此一載具區塊1其晶圓匣盒CB內取出之晶圓W進行光阻塗布‧顯影處理的處理區塊2、以及於此一處理區塊2介由介面區塊3連設的曝光區塊4。
載具區塊1設有：晶圓匣盒裝卸站6，具備可載置複數個密閉收納有1批，例如25枚之晶圓W的晶圓匣盒CB之載置部5；開閉部7，設置於此一晶圓匣盒裝卸站6間所配置的壁面；以及傳遞手段A1，用於介由此一開閉部7自晶圓匣盒CB取出晶圓W。
於上述處理區塊2，將加熱‧冷卻系統之單元多段化的棚架單元U1、U2、U3，以及於包含後述塗布‧顯影單元之各處理單元 間進行晶圓W之傳遞的主搬運機構A2、A3，自前方側起依序交互配列地設置。亦即，自載具區塊1側觀察棚架單元U1、U2、U3及主搬運機構A2、A3為配列成前後一列，且各自之連接部位形成未圖示之晶圓搬運用的開口部，晶圓W可於處理區塊2內自由地自一端側之棚架單元U1移動往另一端側之棚架單元U3為止。此外主搬運機構A2、A3，係置於區隔壁8所包圍之空間內，該區隔壁8，由自載具區塊1觀察時配置為前後方向之棚架單元U1、U2、U3側其一面部、後述之例如右側的液處理單元U4、U5側其一面部、以及成為左側之一面的背面部所構成。另，圖中，符號12、13為溫濕度調節單元，具備各單元使用之處理液的溫度調節裝置與溫濕度調節用的導管等。
液處理單元U4、U5，例如如圖1所示，在成為塗布液(光阻液)或顯影液等藥液供給用之空間的收納部14之上，將塗布單元COT、具備顯影裝置之顯影單元DEV及反射防止膜形成單元BARC等堆疊複數段，例如5段地構成。此外，上述之棚架單元U1、U2、U3，將用於施行液處理單元U4、U5所進行的處理其前處理及後處理之各種單元堆疊複數段，例如10段地構成，具有加熱(烘烤)晶圓W之加熱單元、冷卻晶圓W之冷卻單元、評價晶圓W的處理狀態之檢查裝置37等。
處理區塊2中的棚架單元U3之後側，介由介面區塊3與曝光區塊4相連接。此一介面區塊3，由前後地設置於處理區塊2與曝光區塊4間，各自以例如筐體包圍之搬運室15及搬運室16所構成。於搬運室15之中央部設置搬運機構A4，可於X軸、Y軸及鉛直(Z軸)方向自由移動，且可將臂部圍繞鉛直軸地旋轉；此一搬運機構A4，構成為可接觸傳遞單元(TRS)17、高精度溫度調節單元(未圖示)、周邊曝光單元19、緩衝晶圓匣盒(未圖示)及該處理區塊2所具備之棚架單元U3，與此等之各單元進行晶圓W之傳遞。
對如同上述地構成之光阻塗布‧顯影處理裝置中的晶圓之移動過程其一例加以例示：首先，自外部將收納有晶圓W的晶圓匣盒CB載置於載具區塊1之載置部5，與開閉部7一同地除去晶圓匣盒CB之蓋體而藉由傳遞手段A1取出晶圓W。之後，將晶圓W介由成為棚架單元U1之一段的傳遞單元(未圖示)傳遞往主搬運機構A2，於棚架單元U1、U2內之一個棚架，施行作為塗布處理之前處理的例如疏水化處理、冷卻處理後，於塗布單元COT塗布光阻液。接著將晶圓W以成為棚架單元U1~U3之一個棚架的加熱單元加熱(烘烤處理)，進一步冷卻後，經由棚架單元U3之傳遞單元往介面區塊3搬入。被搬入往介面區塊3之晶圓W，藉由搬運機構A4搬入至搬運室15內之周邊曝光單元19而接受周邊曝光處理。接受過周邊曝光處理之晶圓W藉由搬運機構A4被搬運至高精度溫度調節單元，於此一高精度溫度調節單元內，將晶圓W表面之溫度高精度地溫度調節至對應於曝光區塊4內之溫度的設定溫度。搬運機構A4將此一調節過溫度之晶圓W，介由傳遞單元17傳遞至搬運機構A5，將晶圓W搬運至搬運室16。所搬運之晶圓W，藉由搬運機構A5搬運往曝光區塊4，進行曝光。曝光後，將晶圓W以相反的路徑搬運至主搬運機構A3為止，於顯影單元DEV進行顯影處理，以顯影液去除不要的光阻。將晶圓W以成為棚架單元U1~U3之一個棚架的加熱單元加熱(後烘烤處理)，接著以冷卻單元冷卻後，以檢查裝置37評價其表面之處理狀態，再使其回到載具區塊1之載置台上原本的晶圓匣盒CB。
其次，對本發明之異常判定系統20加以說明。異常判定系統20，於光阻塗布‧顯影處理裝置中，判定是否發生異常。如圖2、圖3及圖4所示，異常判定系統20，介由收發部36，與分別設置於構成光阻塗布‧顯影處理裝置之複數處理部(處理單元)的感測器30以配線相連接。感測器30，將作為與時間一同變動的時間序列資料41之訊號輸出至異常判定系統20，設置例如壓力感測 器、溫度感測器、流量感測器、液面感測器、位置感測器、扭力感測器、速度感測器等之感測器30。另，可於一個處理部設置相同或相異之複數個感測器30。
此外，如圖3及圖4所示，異常判定系統20，藉由收發部36，接收來自檢查裝置37其未圖示之輸出部的訊號。檢查裝置37，檢測晶圓W上之宏觀缺陷並評價處理的狀態，可評價在上述光阻塗布‧顯影處理裝置之晶圓W的製程處理結束，回到晶圓匣盒CB之前，晶圓W的處理狀態為正常或異常。將晶圓W的處理狀態為正常或異常之評價結果，輸出至異常判定系統20。
如圖3所示，異常判定系統20之理論構成，係由資料收集部22、資料選擇部23、平均資料計算部24、閾值設定部25、判定部26、顯示處理部27、顯示裝置28、資料保持部29等所構成。資料保持部29記憶有：時間序列資料41、模式資料43、平均資料44、上下變動閾值資料45、係數資料46及修正值資料47。
資料收集部22，自藉由分別設置於處理部之感測器30所輸出的訊號，收集與時間一同變動的時間序列資料41，於資料保持部29記憶時間序列資料41。時間序列資料41，有例如：與時間一同變動的壓力、溫度、流量、液位、位置、扭力、速度等。
資料選擇部23，自資料收集部22收集到之時間序列資料41，僅選出作為有用時間序列資料41之模式資料43，於資料保持部29記憶模式資料43。此時，資料選擇部23可選擇複數模式資料43。另，資料選擇部23，可在藉由光阻塗布‧顯影處理裝置處理晶圓W後，依據以光阻塗布‧顯影處理裝置中評價晶圓之處理的檢查裝置37之評價結果，選擇模式資料43。亦即，藉由檢查裝置37，被評價為處理狀態異常之晶圓W的時間序列資料41，不被選為模式資料43。
此一情況，檢查裝置37，施行例如各批之處理狀態的評價，可將不包含被評價為處理狀態異常之晶圓W的一批評價為正常批，將包含被評價為處理狀態異常之晶圓W的一批評價為異常批。之後，資料選擇部23，可將被評價為正常批之一批的時間序列資料41全體選為模式資料43。
如此，資料選擇部23，藉由在光阻塗布‧顯影處理裝置處理晶圓W後，依據光阻塗布‧顯影處理裝置中評價晶圓之處理的檢查裝置37之評價結果選擇模式資料43，而使用已於該光阻塗布‧顯影處理裝置正常地處理過之晶圓W的時間序列資料41，故可與新配方即時地對應，且可不必考慮因裝置間之個體差而產生的對數值變動之影響。
平均資料計算部24，自複數模式資料43計算平均資料44，於資料保持部29記憶平均資料44。
閾值設定部25，自平均資料計算部24計算出之平均資料44、與預先輸入之係數資料46及修正值資料47，計算與時間一同變動的上下變動閾值資料45。此處，上下變動閾值資料45係指，上限與下限之變動閾值資料。關於上下變動閾值資料45之計算方法如同後述。
判定部26，將資料收集部22收集到之監視對象的時間序列資料41，與上下變動閾值資料45進行比較，於監視對象的時間序列資料41位於該閾值範圍外時，判定為異常發生的情況。此一情況，監視對象的時間序列資料41係指，例如收集用於計算上下變動閾值資料45的時間序列資料41後之時間序列資料41，例如指對一批收集時間序列資料41後，於下一批的晶圓W之處理中收集到的時間序列資料41。
顯示處理部27，例如，將各個處理部之異常判定結果顯示於顯示裝置28。此外，顯示處理部27，可將圖表化之時間序列資料41、上下變動閾值資料45等一同顯示。判斷為異常時，可於顯示裝置28使警報訊息明滅、或鳴警報。
如圖4所示，異常判定系統20之概略構成，係由控制部31、主記憶部32、外部記憶部33、記憶媒體34、操作部35、顯示裝置28及收發部36所構成。控制部31、主記憶部32、外部記憶部33、操作部35、顯示裝置28及收發部36皆介由內部匯流排38與控制部31相連接。
控制部31，例如，由CPU等之微處理器構成，依照外部記憶部33所記憶之程式與處理條件資料等的配方，實行資料收集部22、資料選擇部23、平均資料計算部24、閾值設定部25、判定部26及顯示處理部27之處理。資料收集部22、資料選擇部23、平均資料計算部24、閾值設定部25、判定部26及顯示處理部27，係以控制部31與實行於其上之程式加以實現。
主記憶部32由RAM等構成，作為控制部31之作業區域使用。資料保持部29，於主記憶部32之一部分作為記憶區域之構造體記憶保持。
外部記憶部33，由硬碟、快閃記憶體等構成，預先記憶用於在控制部31施行前述處理之程式與處理條件資料等的配方，此外，依照控制部31之指示，將此一程式之資料供給子控制部31，並記憶自控制部31供給之資料。
記憶媒體34為電腦可讀取之記憶媒體，收納有在電腦上動作之程式。用於在控制部31施行前述處理之程式與處理條件資料等 的配方，被收納於記憶媒體34，可藉由將此一程式等安裝於外部記憶部33而預先記憶。作為記憶媒體34，可使用DVD、CD-ROM、軟性磁碟等。
操作部35，為使作業者對異常判定系統20給予指令，具備鍵盤及滑鼠等之設備等、以及將其等與內部匯流排38連接之介面。介由操作部35，輸入該配方的選擇、異常判定的開始等之指令，供給子控制部31。此外，作業者可自操作部35輸入例如係數資料46，修正值資料47等，以進行設定‧變更。
顯示裝置28，由CRT或LCD等之顯示器構成，藉控制部31之命令，顯示圖表化的時間序列資料41、異常判定結果等。此外，顯示裝置28可具備，依來自控制部31的命令而鳴警報之揚聲器等的輸出設備。
收發部36具備：可將與設置於各處理部之感測器30相連接的配線、及與檢查裝置37其未圖示之輸出部相連接的配線進行連接之介面機能。控制部31，介由收發部36，自各感測器30接收時間序列資料41。時間序列資料，有收納於未圖示之其他伺服器等的情形。此一情況，控制部31介由收發部36，自伺服器等接收時間序列資料41。
接著，對閾值設定部25之上下變動閾值資料45的計算方法加以說明。閾值設定部25之上下變動閾值資料45的計算方法，可以下式(1)表現。
M=N±k×σ±N×H......(1)
此處各記號表示：
M：上下變動閾值資料值
N：各個時間序列的平均資料值
k：係數
σ：此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差
H：修正值。
係數k及修正值H為，作業者可透過操作部35設定之任意數值，藉由變更係數k及修正值H之數值，可將上下變動閾值資料45之容許範圍，設定為可於至少一部分之時間序列區間變更。此處，上下變動閾值資料45之容許範圍係指，判定部26將監視對象的時間序列資料41與上下變動閾值資料45進行比較時，未判定為異常的範圍。
例如欲將處理單位其一部分之時間序列區間的上下變動閾值資料45之容許範圍廣泛地設定時，將係數k設定為大的數值即可。另一方面，由於上下變動閾值資料45係為，加上或減去對複數模式資料值之標準差σ乘上係數k的值而算出，故若複數模式資料值的差異小而標準差σ小，則產生上下變動閾值資料45之容許範圍變的非常狹小的問題。此一情況，若使上下變動閾值資料45之上限為，於各個時間序列的平均資料值N，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差σ乘上係數k的值，更加上對平均資料值N乘上修正值H的值而算出；使上下變動閾值資料45之下限為，於各個時間序列的平均資料值N，減去對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差σ乘上係數k的值，更減去對平均資料值N乘上修正值H的值而算出，則可使上下變動閾值資料45之容許範圍適當。
接著，對異常判定系統20之異常判定方法，參考圖5、圖6、圖7及圖8加以說明。圖5為，顯示異常判定方法的程序之流程圖，朝著箭頭的方向進行步驟。首先，自藉由設置於光阻塗布‧顯影處理裝置其一個處理部的感測器30所輸出的訊號，收集與時間一同變動的時間序列資料41(步驟S1)。此一情況，如圖6(a)所示，步驟S1包含：自該訊號，收集(分割)各個處理單位之時 間序列資料41的步驟。此處，處理單位包含，例如自將晶圓W搬入至各處理裝置後，至將其搬出為止的1個循環，或自停止處理液之供給至下次之停止供給為止的1個循環。
其次，自步驟S1收集到之複數時間序列資料41，選出作為有用時間序列資料41之複數模式資料43(步驟S2)。模式資料43的選擇中，被檢查裝置37判定為異常之晶圓W的時間序列資料41，不被選為模式資料43。例如，如圖6(a)、(b)所示，由於第2個進行過處理之時間序列資料41，以檢查裝置37評價為晶圓W的處理狀態異常，故不被選為模式資料43。
接著，自選出之複數模式資料43計算平均資料44及標準差(步驟S3)。圖7(a)，將計算過之平均資料44圖表化。
之後，以前述式(1)計算上下變動閾值資料45(步驟S4)。此一情況，如圖7(b)所示，上下變動閾值資料45之任意時間序列時間點tn中的值S，可藉該式(1)至式(2)表示。
S=A±k×σ±A×H......(2)
此處各記號表示：
S：上下變動閾值資料45之時間序列時間點tn中的值(參考圖7(b)。圖中，將上限之變動閾值資料值以Sa表示，將下限之變動閾值資料值以Sb表示。)
A：平均資料44之時間序列時間點tn中的值(參考圖7(a))
k：係數
σ：複數模式資料43之時間序列時間點tn中的值(a1、a2...ax)之標準差(參考圖6(b))
H：修正值。
此外，可以下列計算式計算上下變動閾值資料之上限值Sa及上下變動閾值資料之下限值Sb。
Sa=Ma+(Ma-Mi)×k' ......(3)
Sb=Mi-(Ma-Mi)×k' ......(4)
此處各記號表示：
Ma：複數模式資料43之時間序列時間點tn中的最大值
Mi：複數模式資料43之時間序列時間點tn中的最小值
k' ：係數
圖7(b)，將計算過之上下變動閾值資料45圖表化。另，圖7(b)中，虛線表示平均資料44，實線表示上下變動閾值資料45。
接著，藉由將監視對象的時間序列資料41，與步驟S4計算出之上下變動閾值資料45進行比較，判定異常之發生(步驟S5)。圖8，將監視對象的時間序列資料41與上下變動閾值資料45的比較圖表化。另，圖8中，實線表示監視對象的時間序列資料41，虛線表示上下變動閾值資料45。
步驟S5中，時間序列資料41被判斷為位於上下變動閾值資料45之範圍內時，判定為正常情況(步驟S6)。如圖8所示，判定為第2個及第X個經過處理之晶圓W被正常處理的情況。另一方面，時間序列資料41被判斷為位於上下變動閾值資料45之範圍外時，判定為異常處理的情況(步驟S7)。如圖8所示，判定為第1個及第3個經過處理之晶圓W經異常處理的情況。判定為經異常處理的情況之結果，於顯示裝置28使錯誤訊息明滅、或鳴警報(步驟S8)。
如此地，由於上下變動閾值資料45，可依據取得之時間序列資料41加以計算，故即便例如以新配方處理，仍可即時地計算最佳上下變動閾值資料45。此外，藉由最新取得之時間序列資料41，可計算並更新最新上下變動閾值資料45。具體之更新，例如將最新取得之時間序列資料41，加上計算出上下變動閾值資料45之模式資料43，可自增加之母體計算平均資料44以提高平均資料44 的正確性，故可計算正確且最新之上下變動閾值資料45。
依本實施形態之異常判定系統及異常判定方法，因藉著自藉由設置於處理裝置(處理部)的感測器30所輸出的訊號取得之時間序列資料41，僅選出作為有用時間序列資料41之模式資料43，自此等模式資料43計算上下變動閾值資料45，將監視對象的時間序列資料41與其上下變動閾值資料45進行比較以判定異常之發生，可判定時間序列資料41的變動或變動時機發生異常的情形，故可提高異常判定之精度。
此外，上下變動閾值資料45，藉由於各個時間序列的平均資料值，加上或減去對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差乘上係數k的值而算出，可提高上下變動閾值資料45的正確性，故可進一步提高異常判定之精度。
進一步，藉由在計算上下變動閾值資料45時，加上或減去對平均資料值乘上修正值H的值而算出，可更提高上下變動閾值資料45的正確性，故可進一步提高異常判定之精度。
此外，在以處理裝置處理晶圓W後，藉著於檢查裝置37中評價晶圓W之處理狀態，並依據此一評價結果選出模式資料43，可僅使用施行過正常處理之晶圓W的模式資料43而計算上下變動閾值資料45，故可進一步提高異常判定之精度。
另，上述異常判定方法中，雖設定為於全部時間序列區間(T1、T2、T3、T4)計算上下變動閾值資料45，但亦可僅於至少一部分之時間序列區間例如T2、T3計算上下變動閾值資料45。依圖7(a)所示之平均資料44，感測器30之檢測對象於1個處理單位中有如下傾向：以一定值推移並超過時間序列區間T1，進入T2則數值以大幅度的斜率上升，之後，至T3結束為止數值以 小幅度的斜率下降，最後T4為以一定值推移。此一情況，僅於一部分之時間序列區間例如T2、T3計算上下變動閾值資料45而加以設定，與監視對象的時間序列資料41之時間序列區間T2、T3進行比較。如此地構成，可監視時間序列資料41大幅變動的時間序列區間T2、T3，可判定時間序列資料41的變動或變動時機發生異常，故可提高異常判定之精度。
進一步，可於前述之各個時間序列區間T1、T2、T3、T4設定相異之係數k及修正值H。
接著，對將上述異常判定系統20，應用於作為構成光阻塗布‧顯影處理裝置的複數處理部之一個的熱處理裝置70之情況進行說明。此一熱處理裝置70，係配置於例如棚架單元U2所配置之加熱單元內，於塗布單元COT將塗布有光阻液之晶圓W進行加熱(烘烤處理)。
熱處理裝置70如圖9所示，主要具備：熱板71，載置表面形成有作為塗布膜之光阻膜的晶圓W並加熱之；固持台72，包圍熱板71之外周及下部側；蓋體73，覆蓋上方開口部；升降機構73a，使蓋體73開閉；支持銷76a，藉由配設於熱板71下方之升降驅動機構76而升降。
於熱板71埋設溫度加熱器75，依來自溫度控制器74之輸出控制設定為既定溫度。此外，於熱板71安裝溫度感測器30a，以作為檢測此一熱板71之溫度的溫度檢測手段。將藉此一溫度感測器30a檢測出的熱板71之溫度其檢測訊號，傳達至溫度控制器74，並傳達至異常判定系統20。
此處使用以圖10之實線表示的熱處理裝置70之時間序列資料41，對晶圓W之加熱處理時的熱板71之溫度變動進行說明。 首先，在搬入晶圓W前以由溫度控制器74將熱板71保持於既定溫度例如100℃的方式進行控制。另一方面，晶圓W為例如設置有光阻塗布‧顯影處理裝置之無塵室的溫度，例如23℃左右。之後，將晶圓W搬入至熱處理裝置70並將晶圓W載置於熱板71，則晶圓W吸收熱而熱板71的溫度降低，相對地晶圓W的溫度上升。另一方面，溫度控制器74切換為加熱控制，將電力供給予溫度加熱器75進行加熱。因此熱板71的溫度朝著向下而停止之曲線段落開始描繪上升曲線，超過目標溫度之100℃而過衝。之後，將對溫度加熱器75之供給電力設定為0，因而熱板71的溫度開始下降。載置熱板71後經過既定時間，則以將溫度感測器30a之檢測值保持於既定溫度例如100℃的方式進行控制。
圖10中的虛線表示上下變動閾值資料45。圖10所示之上下變動閾值資料45，係自4批例如100枚之晶圓W，即100個的時間序列資料41計算出。係數k及修正值H，可於各個時間序列區間P1、P2、P3設定。
接著，對將上述異常判定系統20，應用於作為構成光阻塗布‧顯影處理裝置的複數處理部之一的處理液供給部50之情況進行說明。此一處理液供給部50，例如對施行過反射防止膜形成處理、冷卻處理之晶圓W，塗布光阻液。
處理液供給部50，如圖11所示，載置於液處理單元U4之收納部14，主要由以下元件構成：光阻容器51，儲存有光阻液；加壓源53，介由加壓管路53a加壓此一光阻容器51以將光阻液壓送往儲藏槽52；隔膜型泵54，介由過濾器61自儲藏槽52抽吸光阻液，並介由處理液供給管路55a往噴嘴55噴吐；加壓源56，用於將隔膜型泵54介由加壓管路56a進行加壓；減壓源57，用於將隔膜型泵54介由減壓管路57a進行減壓；開閉閥59a與回吸閥59b，插設於處理液供給管路55a；電子氣動調節器EV，插設於加壓管 路56a以調整泵內之壓力；可變孔58，插設於減壓管路57a以限制氣體之流通；以及旋轉夾盤60，將由噴嘴55噴吐光阻液之晶圓W水平地保持，配置於塗布單元COT內。
於加壓管路53a，在加壓源53與光阻容器51之間設置壓力感測器30b；於加壓管路56a，在加壓源56與電子氣動調節器EV之間設置壓力感測器30c；於減壓管路57a，在隔膜型泵54與可變孔58之間設置壓力感測器30d。此外，於處理液供給管路55a，在隔膜型泵54與開閉閥59a之間設置流量感測器30e。以此等感測器30b、30c、30d、30e檢測出的壓力或流量之檢測訊號，被傳達至異常判定系統20。亦即，處理液供給部50，藉由4個感測器30b、30c、30d、30e監視異常之發生。
圖12顯示，該4個感測器30b、30c、30d、30e之中，使用自設於處理液供給管路55a的流量感測器30e收集到之時間序列資料41所計算出的，上下變動閾值資料45之圖表。另，圖12中，虛線表示上下變動閾值資料45，實線表示處理液供給部50之時間序列資料41。圖12所示之上下變動閾值資料45，係自4批例如100枚之晶圓W，即100個的時間序列資料41計算出。係數k及修正值H，可於各個時間序列區間D1、D2、D3、D4、D5設定。
以上之實施形態，雖對將異常判定系統20，應用於作為構成光阻塗布‧顯影處理裝置之處理部的熱處理裝置70及處理液供給部50之情況進行說明，但對於構成光阻塗布‧顯影處理裝置之其他處理部或機構，亦仍可藉由異常判定系統20判定異常之發生。例如，亦可將本發明應用在將晶圓W搬運至各處理部之搬運機構。
如圖2所示，搬運機構A4設於搬運室15之中央部，可於X軸、Y軸及鉛直(Z軸)方向自由移動，且可將臂部圍繞鉛直軸地旋轉；此一搬運機構A4，可接觸傳遞單元(TRS)17、高精度溫 度調節單元(未圖示)、周邊曝光單元19、緩衝晶圓匣盒(未圖示)及該處理區塊2所具備之棚架單元U3，與此等之各單元進行晶圓W之傳遞。
於搬運機構A4設置：位置感測器(未圖示)，檢測X軸方向、Y軸方向及Z軸方向之各自位置；位置感測器(未圖示)，檢測臂部之旋轉角度θ；速度感測器(未圖示)，檢測搬運機構A4之速度；以及扭力感測器(未圖示)，檢測使搬運機構A4動作之扭力等。將自此等感測器所檢測出之位置、速度及扭力的檢測訊號傳達至異常判定系統20，可取得與時間一同變動的時間序列資料41。自此等時間序列資料41，可計算上下變動閾值資料45，判定異常處理之發生。
以上，雖對本發明之實施形態的一例進行說明，但本發明並不限為此一形態而可採用各種態樣。例如，上述檢查裝置37，雖係組裝於塗布‧顯影處理裝置內，但本發明並不限定於此，可構成為例如作為獨立於塗布‧顯影處理裝置之裝置而進行晶圓W的檢查。此外，上述實施形態中，資料選擇部23之模式資料43的選擇，雖係依據藉檢查裝置37對接受通常之處理的晶圓W進行評價之結果，例如，僅選出將檢查晶圓於塗布‧顯影處理裝置進行處理而處理狀態正常之時間序列資料41作為模式資料43，此外亦可依據其他塗布‧顯影處理裝置中收集到之模式資料43計算上下變動閾值資料45。
此外，上述實施形態中，雖對將本發明之異常判定系統，應用於作為設置於塗布‧顯影處理裝置的感測器之溫度感測器、壓力感測器等的情況進行說明，但亦可應用於例如電力感測器、電磁波感測器、振動感測器等其他感測器。
此外，前述實施形態，雖對將本發明之異常判定系統應用於 半導體晶圓之塗布‧顯影處理裝置的情況進行說明，但亦可應用於半導體晶圓以外之被處理體，例如，FPD基板等之塗布‧顯影處理裝置。此外，本發明之異常判定系統，不僅可應用於施行複數處理之塗布‧顯影處理裝置，亦可應用於僅施行1個處理之處理裝置。
1‧‧‧載具區塊
12、13‧‧‧溫濕度調節單元
14‧‧‧收納部
15、16‧‧‧搬運室
17‧‧‧傳遞單元
19‧‧‧周邊曝光單元
2‧‧‧處理區塊
20‧‧‧異常判定系統
22‧‧‧資料收集部
23‧‧‧資料選擇部
24‧‧‧平均資料計算部
25‧‧‧閾值設定部
26‧‧‧判定部
27‧‧‧顯示處理部
28‧‧‧顯示裝置
29‧‧‧資料保持部
3‧‧‧介面區塊
30‧‧‧感測器
30a‧‧‧溫度感測器
30b、30c、30d‧‧‧壓力感測器
30e‧‧‧流量感測器
31‧‧‧控制部
32‧‧‧主記憶部
33‧‧‧外部記憶部
34‧‧‧記憶媒體
35‧‧‧操作部
36‧‧‧收發部
37‧‧‧檢查裝置
38‧‧‧內部匯流排
4‧‧‧曝光區塊
41‧‧‧時間序列資料
43‧‧‧模式資料
44‧‧‧平均資料
45‧‧‧上下變動閾值資料
46‧‧‧係數資料(係數)
47‧‧‧修正值資料(修正值)
5‧‧‧載置部
50‧‧‧處理液供給部(處理部)
51‧‧‧光阻容器
52‧‧‧儲藏槽
53、56‧‧‧加壓源
53a、56a‧‧‧加壓管路
54‧‧‧隔膜型泵
55‧‧‧噴嘴
55a‧‧‧處理液供給管路
57‧‧‧減壓源
57a‧‧‧減壓管路
58‧‧‧可變孔
59a‧‧‧開閉閥
59b‧‧‧回吸閥
6‧‧‧晶圓匣盒裝卸站
60‧‧‧旋轉夾盤
61‧‧‧過濾器
7‧‧‧開閉部
70‧‧‧熱處理裝置(處理部)
71‧‧‧熱板
72‧‧‧固持台
73‧‧‧蓋體
73a‧‧‧升降機構
74‧‧‧溫度控制器
75‧‧‧溫度加熱器
76‧‧‧升降驅動機構
76a‧‧‧支持銷
8‧‧‧區隔壁
A1‧‧‧傳遞手段
A2、A3‧‧‧主搬運機構
A4、A5‧‧‧搬運機構
BARC‧‧‧反射防止膜形成單元
CB‧‧‧晶圓匣盒
COT‧‧‧塗布單元
DEV‧‧‧顯影單元
EV‧‧‧電子氣動調節器
S1~S8‧‧‧步驟
T1~T4、P1~P3、D1~D5‧‧‧時間序列區間
U1~U3‧‧‧棚架單元
U4、U5‧‧‧液處理單元
W‧‧‧晶圓(被處理體)
圖1 顯示應用本發明之異常判定系統的光阻塗布‧顯影處理裝置之概略立體圖。
圖2 顯示該光阻塗布‧顯影處理裝置之概略平面圖。
圖3 顯示本發明之異常判定系統的理論構成之方塊圖。
圖4 顯示本發明之異常判定系統的概略構成之方塊圖。
圖5 顯示本發明之異常判定方法的程序之流程圖。
圖6 顯示本發明中之時間序列資料的一例之圖表(a)；顯示複數模式資料的一例之圖表(b)。
圖7 顯示本發明中之平均資料的一例之圖表(a)；顯示上限與下限之變動閾值資料的一例之圖表(b)。
圖8 顯示比較上下變動閾值資料與監視對象的時間序列資料之一例的圖表。
圖9 顯示構成該光阻塗布‧顯影處理裝置之加熱單元與異常判定系統的概略構成之剖面圖。
圖10 顯示比較該加熱單元的上下變動閾值資料與時間序列資料之一例的圖表。
圖11 顯示構成該光阻塗布‧顯影處理裝置之處理液供給部與異常判定系統的構成之概略剖面圖。
圖12 顯示比較該處理液供給部的上下變動閾值資料與時間序列資料之一例的圖表。
20‧‧‧異常判定系統
22‧‧‧資料收集部
23‧‧‧資料選擇部
24‧‧‧平均資料計算部
25‧‧‧閾值設定部
26‧‧‧判定部
27‧‧‧顯示處理部
28‧‧‧顯示裝置
29‧‧‧資料保持部
30‧‧‧感測器
36‧‧‧收發部
37‧‧‧檢查裝置
41‧‧‧時間序列資料
43‧‧‧模式資料
44‧‧‧平均資料
45‧‧‧上下變動閾值資料
46‧‧‧係數資料(係數)
47‧‧‧修正值資料(修正值)

Claims (20)

  1. 一種處理裝置之異常判定系統，具備：資料收集部，自設置於處理被處理體之處理裝置的感測器所輸出的訊號，收集與時間一同變動的時間序列資料；資料選擇部，自該資料收集部收集到之時間序列資料，僅選出係有關已於該處理裝置正常地處理過之被處理體的時間序列資料之模式資料；閾值設定部，自該資料選擇部選出之該模式資料，計算與時間一同變動的變動閾值資料；以及判定部，藉由將該資料收集部收集到以後的時間序列資料，與該變動閾值資料進行比較，以判定異常之發生。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理裝置之異常判定系統，其中，該資料收集部，收集該處理裝置之各個處理單位的時間序列資料。
  3. 如申請專利範圍第1項之處理裝置之異常判定系統，其中，該被處理體，係藉由構成該處理裝置之複數處理部進行複數處理；該資料收集部，自設置於該處理部的感測器所輸出的訊號，收集該處理部之各個處理單位的時間序列資料。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之處理裝置之異常判定系統，其中，該閾值設定部，計算該處理單位的至少一部分之時間序列區間的變動閾值資料。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之處理裝置之異常判定系統，其中，該資料選擇部更具備平均資料計算部，選擇複數模式資料，自此等複數模式資料計算平均資料；該閾值設定部，自該平均資料，計算該變動閾值資料。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之處理裝置之異常判定系統，其中，該閾值設定部，計算上限與下限之變動閾值資料。
  7. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之處理裝置之異常判定系統，其中，該閾值設定部，將該變動閾值資料之容許範圍，設定為可於至少一部分之時間序列區間變更。
  8. 如申請專利範圍第6項之處理裝置之異常判定系統，其中，該上限之變動閾值資料為，於各個時間序列的平均資料值，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差乘上係數的值而算出；該下限之變動閾值資料為，於該平均資料值，減去對該標準差乘上該係數的值而算出。
  9. 如申請專利範圍第6項之處理裝置之異常判定系統，其中，該上限之變動閾值資料為，於各個時間序列的平均資料值，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差乘上係數的值，更加上對該平均資料值乘上修正值的值而算出；該下限之變動閾值資料為，於該平均資料值，減去對該標準差乘上該係數的值，更減去對該平均資料值乘上修正值的值而算出。
  10. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之處理裝置之異常判定系統，其中，該資料選擇部，在該處理裝置將該被處理體進行處理後，依據以該處理裝置中評價該被處理體之處理狀態正常或異常的檢查裝置之評價結果，選擇該模式資料。
  11. 一種處理裝置之異常判定方法，包含如下步驟：資料收集步驟，自設置於處理被處理體之處理裝置的感測器所輸出的訊號，收集與時間一同變動的時間序列資料；資料選擇步驟，自該資料收集步驟所收集到之時間序列資料，僅選出係有關已於該處理裝置正常地處理過之被處理體的時間序列資料之模式資料；閾值設定步驟，自該資料選擇步驟選出之該模式資料，計算與時間一同變動的變動閾值資料；以及判定步驟，將該資料收集步驟收集到以後的時間序列資料，與該變動閾值資料進行比較，藉而判定異常之發生。
  12. 如申請專利範圍第11項之處理裝置之異常判定方法，其中，該資料收集步驟，收集該處理裝置之各個處理單位的時間序列資料。
  13. 如申請專利範圍第12項之處理裝置之異常判定方法，其中，該被處理體，係藉由構成該處理裝置之複數處理部進行複數處理；該資料收集步驟，自設置於該處理部的感測器所輸出的訊號，收集該處理部之各個處理單位的時間序列資料。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之處理裝置之異常判定方法，其中，該閾值設定步驟，計算該處理單位的至少一部分之時間序列區間的變動閾值資料。
  15. 如申請專利範圍第11~13項中任一項之處理裝置之異常判定方法，其中，該資料選擇步驟更具備平均資料計算步驟，選擇複數模式資料，自此等複數模式資料計算平均資料；該閾值設定步驟，自該平均資料，計算該變動閾值資料。
  16. 如申請專利範圍第11~13項中任一項之處理裝置之異常判定方法，其中，該閾值設定步驟，計算上限與下限之變動閾值資料。
  17. 如申請專利範圍第11~13項中任一項之處理裝置之異常判定方法，其中，該閾值設定步驟，將該變動閾值資料之容許範圍，設定為可於至少一部分之時間序列區間變更。
  18. 如申請專利範圍第16項之處理裝置之異常判定方法，其中，該上限之變動閾值資料為，於各個時間序列的平均資料值，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差乘上係數的值而算出；該下限之變動閾值資料為，於該平均資料值，減 去對該標準差乘上該係數的值而算出。
  19. 如申請專利範圍第16項之處理裝置之異常判定方法，其中，該上限之變動閾值資料為，於各個時間序列的平均資料值，加上對此一時間序列時間點中的複數模式資料值之標準差乘上係數的值，更加上對該平均資料值乘上修正值的值而算出；該下限之變動閾值資料為，於該平均資料值，減去對該標準差乘上該係數的值，更減去對該平均資料值乘上修正值的值而算出。
  20. 如申請專利範圍第11~13項中任一項之處理裝置之異常判定方法，其中，該資料選擇步驟，在該處理裝置將該被處理體進行處理後，依據以該處理裝置中評價該被處理體之處理狀態正常或異常的檢查裝置之評價結果，選擇該模式資料。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887203A (zh) * 2014-03-24 2014-06-25 上海华力微电子有限公司 一种扫描机台程式使用浮动阈值进行晶圆检测的方法
JP5791756B1 (ja) * 2014-05-01 2015-10-07 三菱電機株式会社 閾値波形作成装置
JP6530182B2 (ja) * 2014-12-08 2019-06-12 株式会社東芝 プラント監視装置、プラント監視方法、およびプログラム
US9741230B2 (en) * 2014-12-08 2017-08-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Plant monitoring system, plant monitoring method, and program storage medium
SG11201710646TA (en) * 2015-08-06 2018-01-30 Ns Solutions Corp Information processing apparatus, information processing system, information processing method and program
KR101817212B1 (ko) * 2016-04-29 2018-02-21 세메스 주식회사 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
KR101964208B1 (ko) * 2016-12-23 2019-04-02 무진전자 주식회사 웨이퍼 고정 장치의 상태를 검출하는 방법
JP6804029B2 (ja) 2017-12-21 2020-12-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN109950176B (zh) * 2017-12-21 2023-07-21 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质
JP6977597B2 (ja) 2018-02-09 2021-12-08 オムロン株式会社 記録装置及び記録方法
JP7188950B2 (ja) 2018-09-20 2022-12-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス データ処理方法およびデータ処理プログラム
JP7188949B2 (ja) * 2018-09-20 2022-12-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス データ処理方法およびデータ処理プログラム
JP6638788B1 (ja) * 2018-09-28 2020-01-29 ダイキン工業株式会社 輸送用冷凍装置の異常判定装置、この異常判定装置を備えた輸送用冷凍装置、及び輸送用冷凍装置の異常判定方法
CN112602188B (zh) 2019-02-12 2023-10-24 Spp科技股份有限公司 基板升降异常检测装置
JP7345353B2 (ja) * 2019-10-25 2023-09-15 東京エレクトロン株式会社 故障検知システム及び故障検知方法
JP6979094B2 (ja) * 2020-02-19 2021-12-08 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 コンピュータプログラム、半導体製造装置、基板昇降装置及び半導体製造方法
KR102486463B1 (ko) * 2020-08-31 2023-01-09 (주)브릭 열화에 따른 시계열 데이터를 이용한 실시간 이상 감지 방법 및 그를 위한 장치
JP7267986B2 (ja) * 2020-12-08 2023-05-02 キヤノン株式会社 情報処理装置、判定方法、算出方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法
CN112849647B (zh) * 2020-12-31 2023-01-24 重庆国际复合材料股份有限公司 一种智能托盘监控系统及方法
KR102546071B1 (ko) * 2021-05-18 2023-06-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 데이터 변화 판단 방법
CN115834642B (zh) * 2023-02-14 2023-04-21 成都主干智慧云信息技术有限公司 基于物联网技术的智慧小蚕共育室数据传输方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009123817A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Sokudo:Kk 熱処理装置および熱処理方法
JP2009200450A (ja) * 2007-02-27 2009-09-03 Canon Inc 情報処理装置、情報処理方法及びプログラム
JP2009200208A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Fujifilm Corp 製造設備の診断装置及び方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000243678A (ja) 1998-12-24 2000-09-08 Toshiba Corp モニタリング装置とその方法
JP2005136102A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Toshiba Corp 半導体装置の歩留予測システムおよびその予測方法
JP4693464B2 (ja) * 2005-04-05 2011-06-01 株式会社東芝 品質管理システム、品質管理方法及びロット単位のウェハ処理方法
US7406644B2 (en) 2006-03-30 2008-07-29 Tokyo Electron Limited Monitoring a thermal processing system
JP2008177534A (ja) * 2006-12-19 2008-07-31 Toshiba Corp 半導体製造装置の管理方法、および半導体製造装置の管理システム
US7979154B2 (en) 2006-12-19 2011-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and system for managing semiconductor manufacturing device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200450A (ja) * 2007-02-27 2009-09-03 Canon Inc 情報処理装置、情報処理方法及びプログラム
JP2009123817A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Sokudo:Kk 熱処理装置および熱処理方法
JP2009200208A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Fujifilm Corp 製造設備の診断装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
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