JP2001102276A - 基板加熱装置及び基板加熱方法 - Google Patents
基板加熱装置及び基板加熱方法Info
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- JP2001102276A JP2001102276A JP27321399A JP27321399A JP2001102276A JP 2001102276 A JP2001102276 A JP 2001102276A JP 27321399 A JP27321399 A JP 27321399A JP 27321399 A JP27321399 A JP 27321399A JP 2001102276 A JP2001102276 A JP 2001102276A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被加熱薄膜を選択的に加熱することが可能な
基板加熱装置において、精度のよい温度制御を行うこと
を可能にする。 【解決手段】 ベース基板１ｂ上に薄膜１ａが形成され
た被処理基板１を加熱する基板加熱装置であって、被処
理基板の薄膜を選択的に加熱可能な加熱部３と、薄膜の
温度Ｔ1及びベース基板の温度Ｔ2に関連する温度情報を
検出する温度検出部２ａ、２ｂと、薄膜の処理温度
Ｔs、温度検出部で検出された温度情報から得られる薄
膜の温度Ｔ1及びベース基板のＴ2に基づいて加熱部を制
御する制御部７とを備える。
基板加熱装置において、精度のよい温度制御を行うこと
を可能にする。 【解決手段】 ベース基板１ｂ上に薄膜１ａが形成され
た被処理基板１を加熱する基板加熱装置であって、被処
理基板の薄膜を選択的に加熱可能な加熱部３と、薄膜の
温度Ｔ1及びベース基板の温度Ｔ2に関連する温度情報を
検出する温度検出部２ａ、２ｂと、薄膜の処理温度
Ｔs、温度検出部で検出された温度情報から得られる薄
膜の温度Ｔ1及びベース基板のＴ2に基づいて加熱部を制
御する制御部７とを備える。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板加熱装置及び
基板加熱方法、特にレジスト等の薄膜が形成された被処
理基板の加熱技術に関する。
基板加熱方法、特にレジスト等の薄膜が形成された被処
理基板の加熱技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置や液晶装置の製造において、
ベース基板上にレジスト等の薄膜が形成された被処理基
板を加熱或いは冷却する際に、レジストやベース基板の
温度のばらつきがパターンの寸法のばらつきに反映す
る。そのため、パターンが微細化されるにしたがって、
より高精度な温度管理が求められている。
ベース基板上にレジスト等の薄膜が形成された被処理基
板を加熱或いは冷却する際に、レジストやベース基板の
温度のばらつきがパターンの寸法のばらつきに反映す
る。そのため、パターンが微細化されるにしたがって、
より高精度な温度管理が求められている。
【０００３】例えば、マスク製作工程の一つであるＰＥ
Ｂ（Ｐｏｓｔ ＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｉｎｇ）では、
マスク面内での温度の均一性が非常に重要であるが、従
来はヒーター加熱を用いた加熱方法が一般的であった。
ヒーター加熱方式では、マスク面内での温度の均一性を
高めるために、熱伝導率の高いプレートにマスク基板
（被処理基板）を埋め込むとともに、被処理基板の上方
にも所望の温度に設定されたプレートを設けている。ま
た、上方プレートと被処理基板との間の空気について
も、気流及び温度を制御するようにしている。
Ｂ（Ｐｏｓｔ ＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｉｎｇ）では、
マスク面内での温度の均一性が非常に重要であるが、従
来はヒーター加熱を用いた加熱方法が一般的であった。
ヒーター加熱方式では、マスク面内での温度の均一性を
高めるために、熱伝導率の高いプレートにマスク基板
（被処理基板）を埋め込むとともに、被処理基板の上方
にも所望の温度に設定されたプレートを設けている。ま
た、上方プレートと被処理基板との間の空気について
も、気流及び温度を制御するようにしている。
【０００４】しかし、上記のヒーター加熱方式では、定
常状態ではマスク面内において良好な温度均一性を示す
が、マスクが加熱されつつある過渡期においては、ベー
ス基板となる石英基板の熱伝導の低さと熱容量が大きい
ことに起因して、マスク面内に温度分布が生じる。その
ため、マスク面内でのパターン寸法の均一性が悪化する
という問題があった。
常状態ではマスク面内において良好な温度均一性を示す
が、マスクが加熱されつつある過渡期においては、ベー
ス基板となる石英基板の熱伝導の低さと熱容量が大きい
ことに起因して、マスク面内に温度分布が生じる。その
ため、マスク面内でのパターン寸法の均一性が悪化する
という問題があった。
【０００５】このような問題に対し、ランプによる加熱
方式が検討されている。このランプ加熱方式では、ラン
プの波長を適当に選ぶことにより、石英基板を直接加熱
せずに、レジストや遮光膜等の被加熱薄膜を選択的に加
熱することが可能である。そのため、被加熱薄膜の温度
を短時間で目標温度に到達させることができるととも
に、マスク面内の温度分布のばらつきも低減させること
が可能と考えられている。
方式が検討されている。このランプ加熱方式では、ラン
プの波長を適当に選ぶことにより、石英基板を直接加熱
せずに、レジストや遮光膜等の被加熱薄膜を選択的に加
熱することが可能である。そのため、被加熱薄膜の温度
を短時間で目標温度に到達させることができるととも
に、マスク面内の温度分布のばらつきも低減させること
が可能と考えられている。
【０００６】しかしながら、従来のランプ加熱方式で
は、以下に示すような問題を有している。
は、以下に示すような問題を有している。
【０００７】従来のヒーター加熱方式では、石英基板を
介した熱伝導によって被加熱薄膜を加熱しているため、
石英基板と被加熱薄膜との間で大きな温度差が生じるこ
とはなかった。そのため、熱の移動は非常に小さく、被
加熱薄膜の温度応答性はそれほど敏感ではなかった。し
たがって、被処理基板の測定温度に基づいて加熱を行う
場合、一通りの制御関数及び制御定数を用いて温度制御
を行うことが可能であった。
介した熱伝導によって被加熱薄膜を加熱しているため、
石英基板と被加熱薄膜との間で大きな温度差が生じるこ
とはなかった。そのため、熱の移動は非常に小さく、被
加熱薄膜の温度応答性はそれほど敏感ではなかった。し
たがって、被処理基板の測定温度に基づいて加熱を行う
場合、一通りの制御関数及び制御定数を用いて温度制御
を行うことが可能であった。
【０００８】これに対して、ランプによって被加熱薄膜
を直接加熱する場合は、加熱直後において被加熱薄膜と
石英基板との間に非常に大きな温度差が生じ、時間の経
過とともに両者の温度差は徐々に小さくなる。両者の温
度差によって被処理基板表面での温度応答速度が大きく
変化するため、一通りの制御関数を用いて被処理基板表
面の温度制御を行うことは非常に困難である。また、制
御分野で一般的に用いられているＰＩＤ制御法を適用す
る場合にも、目標値に対する応答性をよくすると被処理
基板表面で温度変化が生じたときの制御応答が悪くな
り、基板表面で温度変化が生じたときの制御応答をよく
すると、目標値に対する応答性が悪くなるという問題が
ある。
を直接加熱する場合は、加熱直後において被加熱薄膜と
石英基板との間に非常に大きな温度差が生じ、時間の経
過とともに両者の温度差は徐々に小さくなる。両者の温
度差によって被処理基板表面での温度応答速度が大きく
変化するため、一通りの制御関数を用いて被処理基板表
面の温度制御を行うことは非常に困難である。また、制
御分野で一般的に用いられているＰＩＤ制御法を適用す
る場合にも、目標値に対する応答性をよくすると被処理
基板表面で温度変化が生じたときの制御応答が悪くな
り、基板表面で温度変化が生じたときの制御応答をよく
すると、目標値に対する応答性が悪くなるという問題が
ある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、レジスト
等の被加熱薄膜が形成された被処理基板を加熱する場
合、従来のヒーター加熱方式に代わって、被加熱薄膜を
選択的に加熱することが可能なランプ加熱方式が提案さ
れている。しかしながら、被加熱薄膜を選択的に加熱す
ることから、被加熱薄膜と石英基板等のベース基板との
間に大きな温度差が生じ、精度のよい温度制御を行うこ
とが困難であった。
等の被加熱薄膜が形成された被処理基板を加熱する場
合、従来のヒーター加熱方式に代わって、被加熱薄膜を
選択的に加熱することが可能なランプ加熱方式が提案さ
れている。しかしながら、被加熱薄膜を選択的に加熱す
ることから、被加熱薄膜と石英基板等のベース基板との
間に大きな温度差が生じ、精度のよい温度制御を行うこ
とが困難であった。
【００１０】本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものであり、被加熱薄膜を選択的に加熱することが可能
な基板加熱装置及び基板加熱方法において、精度のよい
温度制御を行うことを可能にすることを目的としてい
る。
ものであり、被加熱薄膜を選択的に加熱することが可能
な基板加熱装置及び基板加熱方法において、精度のよい
温度制御を行うことを可能にすることを目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ベース基板上
に薄膜が形成された被処理基板を加熱する基板加熱装置
であって、前記被処理基板の前記薄膜を選択的に加熱可
能な加熱部と、前記薄膜の温度Ｔ1及び前記ベース基板
の温度Ｔ2に関連する温度情報を検出する温度検出部
と、前記薄膜の処理温度Ｔs、前記温度検出部で検出さ
れた温度情報から得られる前記薄膜の温度Ｔ1及び前記
ベース基板の温度Ｔ2に基づいて前記加熱部を制御する
制御部と、を備えたことを特徴とする。
に薄膜が形成された被処理基板を加熱する基板加熱装置
であって、前記被処理基板の前記薄膜を選択的に加熱可
能な加熱部と、前記薄膜の温度Ｔ1及び前記ベース基板
の温度Ｔ2に関連する温度情報を検出する温度検出部
と、前記薄膜の処理温度Ｔs、前記温度検出部で検出さ
れた温度情報から得られる前記薄膜の温度Ｔ1及び前記
ベース基板の温度Ｔ2に基づいて前記加熱部を制御する
制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】ベース基板上に形成された薄膜を選択的に
加熱する場合、薄膜とベース基板との間に大きな温度差
が生じるおそれがあるが、本発明では、薄膜の処理温度
Ｔs及び薄膜の温度Ｔ1の他に、ベース基板の温度Ｔ2も
考慮して加熱部を制御するので、薄膜とベース基板との
間に大きな温度差が生じていても、精度のよい温度制御
を行うことが可能となる。
加熱する場合、薄膜とベース基板との間に大きな温度差
が生じるおそれがあるが、本発明では、薄膜の処理温度
Ｔs及び薄膜の温度Ｔ1の他に、ベース基板の温度Ｔ2も
考慮して加熱部を制御するので、薄膜とベース基板との
間に大きな温度差が生じていても、精度のよい温度制御
を行うことが可能となる。
【００１３】前記制御部は、複数の期間において前記加
熱部に対する制御特性を互いに異ならせるものであるこ
とが好ましい。このように、複数の期間それぞれで制御
特性を異ならせることにより、ハンチング等を抑制した
より的確な温度制御を行うことが可能となる。具体的に
は、以下の態様があげられる。
熱部に対する制御特性を互いに異ならせるものであるこ
とが好ましい。このように、複数の期間それぞれで制御
特性を異ならせることにより、ハンチング等を抑制した
より的確な温度制御を行うことが可能となる。具体的に
は、以下の態様があげられる。
【００１４】（１）前記制御特性は、少なくとも一の期
間において薄膜の温度Ｔ1及びベース基板の温度Ｔ2を含
む関数によって表される。
間において薄膜の温度Ｔ1及びベース基板の温度Ｔ2を含
む関数によって表される。
【００１５】（２）前記制御部は、薄膜の温度Ｔ1が薄
膜の処理温度Ｔsに達する時点又はそれよりも前の時点
である所定時点ｔaを境にして制御特性を異ならせるも
のである。
膜の処理温度Ｔsに達する時点又はそれよりも前の時点
である所定時点ｔaを境にして制御特性を異ならせるも
のである。
【００１６】（３）前記制御部は、薄膜の温度Ｔ1及び
該温度Ｔ1の上昇率に基づいて薄膜の温度Ｔ1が薄膜の処
理温度Ｔsに達する時点を予測し、その予測結果に基づ
いて所定時点ｔaを決定するものである。
該温度Ｔ1の上昇率に基づいて薄膜の温度Ｔ1が薄膜の処
理温度Ｔsに達する時点を予測し、その予測結果に基づ
いて所定時点ｔaを決定するものである。
【００１７】また、前記温度検出部は、以下のように構
成されていることが好ましい。
成されていることが好ましい。
【００１８】（１）前記被処理基板の前記薄膜が形成さ
れた側にそれぞれ設けられた第１の温度検出部と第２の
温度検出部とからなり、前記第１の温度検出部は前記薄
膜の温度情報を選択的に取得可能な波長域（波長域Ａ
１）の光を検出するものであり、前記第２の温度検出部
は少なくとも前記ベース基板の温度情報を取得可能な波
長域（波長域Ｂ１）の光を検出するものである。この場
合、具体的には、第１の温度検出部は薄膜を透過しない
波長域の光を検出するものであり、第２の温度検出部は
薄膜をある程度透過し且つベース基板をある程度透過す
る波長域の光を検出するものであることが好ましい。
れた側にそれぞれ設けられた第１の温度検出部と第２の
温度検出部とからなり、前記第１の温度検出部は前記薄
膜の温度情報を選択的に取得可能な波長域（波長域Ａ
１）の光を検出するものであり、前記第２の温度検出部
は少なくとも前記ベース基板の温度情報を取得可能な波
長域（波長域Ｂ１）の光を検出するものである。この場
合、具体的には、第１の温度検出部は薄膜を透過しない
波長域の光を検出するものであり、第２の温度検出部は
薄膜をある程度透過し且つベース基板をある程度透過す
る波長域の光を検出するものであることが好ましい。
【００１９】（２）前記被処理基板の前記薄膜が形成さ
れた側に設けられた第１の温度検出部と、前記被処理基
板の前記薄膜が形成された側と逆側に設けられた第２の
温度検出部とからなり、前記第１の温度検出部は前記薄
膜の温度情報を選択的に取得可能な波長域（波長域Ａ
２）の光を検出するものであり、前記第２の温度検出部
は少なくとも前記ベース基板の温度情報を取得可能な波
長域（波長域Ｂ２）の光を検出するものである。この場
合、具体的には、第１の温度検出部は前記薄膜を透過し
ない波長域の光を検出するものであり、第２の温度検出
部はベース基板をある程度透過する波長域の光を検出す
るものであることが好ましい。
れた側に設けられた第１の温度検出部と、前記被処理基
板の前記薄膜が形成された側と逆側に設けられた第２の
温度検出部とからなり、前記第１の温度検出部は前記薄
膜の温度情報を選択的に取得可能な波長域（波長域Ａ
２）の光を検出するものであり、前記第２の温度検出部
は少なくとも前記ベース基板の温度情報を取得可能な波
長域（波長域Ｂ２）の光を検出するものである。この場
合、具体的には、第１の温度検出部は前記薄膜を透過し
ない波長域の光を検出するものであり、第２の温度検出
部はベース基板をある程度透過する波長域の光を検出す
るものであることが好ましい。
【００２０】例えば、ベース基板が石英基板であり、薄
膜がクロム等の遮光膜上にレジスト等の感光性膜を形成
したものである場合を想定する。
膜がクロム等の遮光膜上にレジスト等の感光性膜を形成
したものである場合を想定する。
【００２１】この場合、上記構成（１）及び（２）とも
に、第１の温度検出部は被処理基板の薄膜が形成された
側に設けられているため、上記波長域Ａ１或いはＡ２を
適当な範囲に設定することにより、薄膜の温度情報のみ
を取得することが可能となる。また、上記構成（１）で
は、第２の温度検出部は被処理基板の薄膜が形成された
側に設けられているため、第２の温度検出部とベース基
板との間には薄膜が介在することになるが、上記波長域
Ｂ１を適当な範囲に設定することにより、ベース基板の
温度情報を取得することが可能となる。また、上記構成
（２）では、第２の温度検出部は被処理基板の薄膜が形
成された側と逆側に設けられているため、第２の温度検
出部とベース基板との間には薄膜が介在しておらず、上
記波長域Ｂ２を適当な範囲に設定することにより、ベー
ス基板の温度情報のみを取得することも可能となる。
に、第１の温度検出部は被処理基板の薄膜が形成された
側に設けられているため、上記波長域Ａ１或いはＡ２を
適当な範囲に設定することにより、薄膜の温度情報のみ
を取得することが可能となる。また、上記構成（１）で
は、第２の温度検出部は被処理基板の薄膜が形成された
側に設けられているため、第２の温度検出部とベース基
板との間には薄膜が介在することになるが、上記波長域
Ｂ１を適当な範囲に設定することにより、ベース基板の
温度情報を取得することが可能となる。また、上記構成
（２）では、第２の温度検出部は被処理基板の薄膜が形
成された側と逆側に設けられているため、第２の温度検
出部とベース基板との間には薄膜が介在しておらず、上
記波長域Ｂ２を適当な範囲に設定することにより、ベー
ス基板の温度情報のみを取得することも可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２３】（実施形態１）本発明の第１の実施形態に
ついて、半導体装置の製造工程に使用されるクロムマス
クの試作を例に、図１を参照して説明する。
ついて、半導体装置の製造工程に使用されるクロムマス
クの試作を例に、図１を参照して説明する。
【００２４】被処理基板１は、６インチサイズ、厚さ
０．２５インチのレジスト付きクロムマスクブランクス
であり、石英基板１ｂ上にクロム膜及びレジスト膜から
なる被加熱薄膜１ａが形成されている。
０．２５インチのレジスト付きクロムマスクブランクス
であり、石英基板１ｂ上にクロム膜及びレジスト膜から
なる被加熱薄膜１ａが形成されている。
【００２５】被処理基板１の上方には、放射温度計２ａ
及び２ｂが設けられている。放射温度計２ａは主として
被加熱薄膜１ａに関連する温度情報を検出するためのも
のであり、温度計２ｂは主として石英基板１ｂに関連す
る温度情報を検出するためのものである。これらの放射
温度計２ａ及び２ｂは、それぞれランプの個数に対応し
た個数（９個）ずつ設けられている。このように、被処
理基板１の上方に放射温度計２ａ及び２ｂを設けること
により、装置構成を単純化することが可能となる。
及び２ｂが設けられている。放射温度計２ａは主として
被加熱薄膜１ａに関連する温度情報を検出するためのも
のであり、温度計２ｂは主として石英基板１ｂに関連す
る温度情報を検出するためのものである。これらの放射
温度計２ａ及び２ｂは、それぞれランプの個数に対応し
た個数（９個）ずつ設けられている。このように、被処
理基板１の上方に放射温度計２ａ及び２ｂを設けること
により、装置構成を単純化することが可能となる。
【００２６】図２は、被処理基板１（レジスト付きクロ
ムマスクブランクス）の透過強度の波長依存性を示した
図である。２．６８〜２．８４μｍの波長域及び４．３
１μｍ以上の波長域では、被加熱薄膜１ａの影響によっ
て透過強度はほぼゼロとなっている。２．８４μｍ〜
４．３１μの波長域では、被加熱薄膜１ａ及び石英基板
１ｂをある程度光が透過する。そこで、放射温度計２ａ
の検出波長を８〜１４μｍとし、放射温度計２ｂの検出
波長を２．８〜４．３μｍとなるようにした。なお、
２．６８μｍ以下の波長域でも被加熱薄膜１ａ及び石英
基板１ｂをある程度光が透過するため、放射温度計２ｂ
の検出波長を例えば２〜２．７μｍとなるようにしても
よい。
ムマスクブランクス）の透過強度の波長依存性を示した
図である。２．６８〜２．８４μｍの波長域及び４．３
１μｍ以上の波長域では、被加熱薄膜１ａの影響によっ
て透過強度はほぼゼロとなっている。２．８４μｍ〜
４．３１μの波長域では、被加熱薄膜１ａ及び石英基板
１ｂをある程度光が透過する。そこで、放射温度計２ａ
の検出波長を８〜１４μｍとし、放射温度計２ｂの検出
波長を２．８〜４．３μｍとなるようにした。なお、
２．６８μｍ以下の波長域でも被加熱薄膜１ａ及び石英
基板１ｂをある程度光が透過するため、放射温度計２ｂ
の検出波長を例えば２〜２．７μｍとなるようにしても
よい。
【００２７】被処理基板１の下方には、格子状に３×３
＝９個のハロゲンランプ３が等間隔に配置されている。
ハロゲンランプ３の最大出力は１５０Ｗであり、波長の
ピーク（最大出力）は１１００ｎｍである。
＝９個のハロゲンランプ３が等間隔に配置されている。
ハロゲンランプ３の最大出力は１５０Ｗであり、波長の
ピーク（最大出力）は１１００ｎｍである。
【００２８】ハロゲンランプ３の上部には、フィルター
４が設けられ、その上部にはライトガイド５が設けられ
ている。フィルター３は、石英基板１ｂの吸収波長であ
る１．４μｍ付近の波長及び２．２μｍ以上の波長をカ
ットする二つのフィルターにより、バンドパスフィルタ
ー構成となっている。したがって、ハロゲンランプ３か
らフィルター４及びライトガイド５を通して被処理基板
１に照射される光は、石英基板１ｂをほとんど加熱する
ことなく、選択的に被加熱薄膜１ａを加熱することにな
る。
４が設けられ、その上部にはライトガイド５が設けられ
ている。フィルター３は、石英基板１ｂの吸収波長であ
る１．４μｍ付近の波長及び２．２μｍ以上の波長をカ
ットする二つのフィルターにより、バンドパスフィルタ
ー構成となっている。したがって、ハロゲンランプ３か
らフィルター４及びライトガイド５を通して被処理基板
１に照射される光は、石英基板１ｂをほとんど加熱する
ことなく、選択的に被加熱薄膜１ａを加熱することにな
る。
【００２９】被処理基板１はマスク支持体６によって指
示されている。マスク支持体６の本体はステンレスで、
マスク支持部分（端部４点支持）はテフロンで構成され
ている。このマスク支持体６の内部には、温度調節が可
能なように温調水が流れるようになっている。
示されている。マスク支持体６の本体はステンレスで、
マスク支持部分（端部４点支持）はテフロンで構成され
ている。このマスク支持体６の内部には、温度調節が可
能なように温調水が流れるようになっている。
【００３０】放射温度計２ａ及び２ｂとハロゲンランプ
３は、制御部７によって制御されるようになっている。
すなわち、放射温度計２ａ及び２ｂよって得られた温度
情報（９組の放射温度計それぞれの温度情報）が制御部
７に取り込まれ、これらの温度情報に基づいてハロゲン
ランプ３への印加電圧或いは電力が制御される（９個の
ハロゲンランプそれぞれが独立に制御される）。
３は、制御部７によって制御されるようになっている。
すなわち、放射温度計２ａ及び２ｂよって得られた温度
情報（９組の放射温度計それぞれの温度情報）が制御部
７に取り込まれ、これらの温度情報に基づいてハロゲン
ランプ３への印加電圧或いは電力が制御される（９個の
ハロゲンランプそれぞれが独立に制御される）。
【００３１】制御部７では、放射温度計２ａ及び２ｂよ
って得られた温度情報に基づき、以下の演算が行われ
る。
って得られた温度情報に基づき、以下の演算が行われ
る。
【００３２】被加熱部１ａの処理温度（目標温度、本例
では１００℃とする）をＴsとし、温度検出部２ａで検
出された温度情報に基づいて得られる時刻ｔ（加熱処理
開始時刻を起点とした時刻）における被加熱部１ａの温
度をＴ1（ｔ）、温度検出部２ｂで検出された温度情報
に基づいて得られる時刻ｔにおける石英基板１ｂの温度
をＴ2（ｔ）とする。
では１００℃とする）をＴsとし、温度検出部２ａで検
出された温度情報に基づいて得られる時刻ｔ（加熱処理
開始時刻を起点とした時刻）における被加熱部１ａの温
度をＴ1（ｔ）、温度検出部２ｂで検出された温度情報
に基づいて得られる時刻ｔにおける石英基板１ｂの温度
をＴ2（ｔ）とする。
【００３３】時刻ｔ≦ｔa（ｔa＝Ｃ×ｔ1（０＜Ｃ≦
１））において、被加熱部１ａの温度Ｔ1及び被加熱部
１ａの温度上昇率δＴ1／δｔに基づいて、Ｔ1＝Ｔsと
なる時刻ｔ1を予測する。Ｃは任意の値を設定可能であ
るが、ここではＣ＝０．９８５とする。なお、δ2Ｔ1／
δｔ2をさらに考慮して時刻ｔ1を予測するようにしても
よい。
１））において、被加熱部１ａの温度Ｔ1及び被加熱部
１ａの温度上昇率δＴ1／δｔに基づいて、Ｔ1＝Ｔsと
なる時刻ｔ1を予測する。Ｃは任意の値を設定可能であ
るが、ここではＣ＝０．９８５とする。なお、δ2Ｔ1／
δｔ2をさらに考慮して時刻ｔ1を予測するようにしても
よい。
【００３４】また、時刻ｔ≦ｔaにおいては、ハロゲン
ランプ３への出力Ｒ（ｔ）を、 Ｒ（ｔ）＝Ｆ（Ｔs−Ｔ1，δＴ1／δｔ） を用いて決定する。
ランプ３への出力Ｒ（ｔ）を、 Ｒ（ｔ）＝Ｆ（Ｔs−Ｔ1，δＴ1／δｔ） を用いて決定する。
【００３５】また、時刻ｔ＞ｔa においては、ハロゲン
ランプ３への出力Ｒ（ｔ）を、 Ｇ（Ｔ1−Ｔ2）×Ｈ（δＴ1／δｔ，δＴ2／δｔ） を用いて決定する。変数としては、これ以外にも、δ2
Ｔ1／δｔ2及びδ2Ｔ2／δｔ2を用いてもよい。
ランプ３への出力Ｒ（ｔ）を、 Ｇ（Ｔ1−Ｔ2）×Ｈ（δＴ1／δｔ，δＴ2／δｔ） を用いて決定する。変数としては、これ以外にも、δ2
Ｔ1／δｔ2及びδ2Ｔ2／δｔ2を用いてもよい。
【００３６】被処理基板１は、搬送アーム８によって搬
送が行われるようになっている。また、精密な温度測定
をするために気流の乱れ等が起きないようにするため、
装置外枠９によって測定系は外乱から隔離されるように
なっている。また、図には示していないが、加熱処理時
に発生するガス等を外部に排出する排気ダクトを設けて
あり、有機物等の蒸気が壁に付着しないようにしてあ
る。さらに、装置内のダスト及び雰囲気を管理するため
に、ダストフィルター１０及びケミカルフィルター１１
が設けられている。
送が行われるようになっている。また、精密な温度測定
をするために気流の乱れ等が起きないようにするため、
装置外枠９によって測定系は外乱から隔離されるように
なっている。また、図には示していないが、加熱処理時
に発生するガス等を外部に排出する排気ダクトを設けて
あり、有機物等の蒸気が壁に付着しないようにしてあ
る。さらに、装置内のダスト及び雰囲気を管理するため
に、ダストフィルター１０及びケミカルフィルター１１
が設けられている。
【００３７】次に、図１に示した装置を用いた加熱処理
の一例を説明する。
の一例を説明する。
【００３８】まず、Ｃｒ膜付き石英基板上にポジ型化学
増幅レジストを塗布（レジスト膜厚５００ｎｍ）し、電
子線描画装置（５０ｋｅＶ、７μＣ／ｃｍ2）で露光を
行った被処理基板１を用意した。図示していない位置決
めユニットで位置決めを行った後、搬送アーム８により
被処理基板１を搬送し、マスク支持体６に載置した。被
処理基板１がマスク支持体６に載置された瞬間から放射
温度計２ａ及び２ｂによる温度の計測が開始されるよ
う、制御部７にトリガがかけられようになっている。
増幅レジストを塗布（レジスト膜厚５００ｎｍ）し、電
子線描画装置（５０ｋｅＶ、７μＣ／ｃｍ2）で露光を
行った被処理基板１を用意した。図示していない位置決
めユニットで位置決めを行った後、搬送アーム８により
被処理基板１を搬送し、マスク支持体６に載置した。被
処理基板１がマスク支持体６に載置された瞬間から放射
温度計２ａ及び２ｂによる温度の計測が開始されるよ
う、制御部７にトリガがかけられようになっている。
【００３９】温度データの取り込み周期は１０ｍｓｅｃ
に、処理時間は４０ｓｅｃに設定した。被処理基板１を
マスク支持体６に載置し、放射温度計２ａ及び２ｂによ
る温度データを制御部７に取り込みつつ、ハロゲンラン
プ３による加熱処理を開始した。
に、処理時間は４０ｓｅｃに設定した。被処理基板１を
マスク支持体６に載置し、放射温度計２ａ及び２ｂによ
る温度データを制御部７に取り込みつつ、ハロゲンラン
プ３による加熱処理を開始した。
【００４０】処理期間中において、時刻ｔにおける被加
熱薄膜１ａの到達温度Ｔ（ｔ）を、 Ｔ（ｔ）＝Ｔ1＋（δＴ1／δｔ）×Δｔ） なる式を用いて算出し、Ｔ（ｔ）が予め設定した処理温
度（目標温度）Ｔsになる時刻ｔ1を算出する。本例にお
いては、ｔ1＝１０．００秒が目標温度到達前に算出さ
れた。また、予め制御部７に設定した数値Ｃ（＝０．９
８５）から、印加電圧を変更する時刻ｔa（＝９．８５
秒）が計算された。
熱薄膜１ａの到達温度Ｔ（ｔ）を、 Ｔ（ｔ）＝Ｔ1＋（δＴ1／δｔ）×Δｔ） なる式を用いて算出し、Ｔ（ｔ）が予め設定した処理温
度（目標温度）Ｔsになる時刻ｔ1を算出する。本例にお
いては、ｔ1＝１０．００秒が目標温度到達前に算出さ
れた。また、予め制御部７に設定した数値Ｃ（＝０．９
８５）から、印加電圧を変更する時刻ｔa（＝９．８５
秒）が計算された。
【００４１】図３は、被加熱薄膜１ａの温度変化
（ａ）、石英基板１ｂの温度変化（ｂ）及び両者の差
（ｃ）を示したものである。電圧印加後９．８５秒間は
出力が１００％（１００Ｖ，１５０Ｗ）の状態で加熱処
理を行い、被加熱薄膜１ａの温度は約１０．００秒後に
１００℃に到達した。
（ａ）、石英基板１ｂの温度変化（ｂ）及び両者の差
（ｃ）を示したものである。電圧印加後９．８５秒間は
出力が１００％（１００Ｖ，１５０Ｗ）の状態で加熱処
理を行い、被加熱薄膜１ａの温度は約１０．００秒後に
１００℃に到達した。
【００４２】時刻ｔa（＝９．８５秒）以降は、ハロゲ
ンランプ３への印加出力は、 Ｖ＝Ｄ×（Ｔ1−Ｔ2）＋Ｅ×｛（δＴ1／δｔ）−（δ
Ｔ2／δｔ）｝Δｔ なる関数を用いた。Ｄ、Ｅは比例定数である。上式を用
いて随時印加電圧の計算を行い、ハロゲンランプ３に電
圧を印加した。その結果を図４に示す。なお、このよう
な関数を用いた理由は、基板表面にある遮光膜（Ｃｒ
膜）及び感光性膜（レジスト膜）の温度と石英（なるべ
く遮光膜に近いところ）の温度の差に比例した熱流が生
じ、ハロゲンランプで常に遮光膜及び感光性膜にエネル
ギーが加えられている状態においては、基板の表面温度
はその熱流に比例する関係にあろうことが推察されるか
らである。
ンランプ３への印加出力は、 Ｖ＝Ｄ×（Ｔ1−Ｔ2）＋Ｅ×｛（δＴ1／δｔ）−（δ
Ｔ2／δｔ）｝Δｔ なる関数を用いた。Ｄ、Ｅは比例定数である。上式を用
いて随時印加電圧の計算を行い、ハロゲンランプ３に電
圧を印加した。その結果を図４に示す。なお、このよう
な関数を用いた理由は、基板表面にある遮光膜（Ｃｒ
膜）及び感光性膜（レジスト膜）の温度と石英（なるべ
く遮光膜に近いところ）の温度の差に比例した熱流が生
じ、ハロゲンランプで常に遮光膜及び感光性膜にエネル
ギーが加えられている状態においては、基板の表面温度
はその熱流に比例する関係にあろうことが推察されるか
らである。
【００４３】以上のように、基板表面の遮光膜及び感光
性膜の温度情報だけでなく、石英基板の温度情報も考慮
に入れて被処理基板の加熱を行うことにより、応答速度
が非常に早い光照射による感光性膜の加熱も、ハンチン
グ等を生じることなく、昇温状態（Ｔ1，Ｔ2＜Ｔs）、
準定常状態（Ｔ1＝Ｔs，Ｔ2＜Ｔs）の両方において、設
定温度Ｔs±０．２℃の非常に高精度な加熱処理が可能
となった。また、ハロゲンランプの照射領域毎に独立に
温度制御を行うことにより、より高精度の温度制御を行
うことができた。
性膜の温度情報だけでなく、石英基板の温度情報も考慮
に入れて被処理基板の加熱を行うことにより、応答速度
が非常に早い光照射による感光性膜の加熱も、ハンチン
グ等を生じることなく、昇温状態（Ｔ1，Ｔ2＜Ｔs）、
準定常状態（Ｔ1＝Ｔs，Ｔ2＜Ｔs）の両方において、設
定温度Ｔs±０．２℃の非常に高精度な加熱処理が可能
となった。また、ハロゲンランプの照射領域毎に独立に
温度制御を行うことにより、より高精度の温度制御を行
うことができた。
【００４４】被加熱薄膜１ａの温度を石英基板１ｂの温
度によらずほぼ１００℃に保ち、加熱処理を開始してか
ら４０秒経過したときにハロゲンランプ３に印加する電
圧を微少電圧にし、基板の加熱処理を停止した。図３か
らわかるように、基板の加熱処理を停止したときの石英
基板１ｂの温度は、７０℃程度であった。従って、ハロ
ゲンランプに印加していた電圧を微小にした瞬間に、基
板表面のレジスト膜及びＣｒ膜の温度も７０℃まで即座
に低下した。
度によらずほぼ１００℃に保ち、加熱処理を開始してか
ら４０秒経過したときにハロゲンランプ３に印加する電
圧を微少電圧にし、基板の加熱処理を停止した。図３か
らわかるように、基板の加熱処理を停止したときの石英
基板１ｂの温度は、７０℃程度であった。従って、ハロ
ゲンランプに印加していた電圧を微小にした瞬間に、基
板表面のレジスト膜及びＣｒ膜の温度も７０℃まで即座
に低下した。
【００４５】基板加熱停止後、搬送アーム８を用いてク
ーリングユニットに被処理基板１を搬送し、基板の冷却
を行った。
ーリングユニットに被処理基板１を搬送し、基板の冷却
を行った。
【００４６】その後、ＡＤ−１０（多摩化学）でディッ
プ現像を行い、さらにクロム膜をドライエッチングし
た。さらに、レジスト剥離、洗浄を行った後、ＳＥＭに
てクロムパターンの寸法をマスク面内（１３０ｍｍ□）
で測定した。その結果、マスク上のクロムパターンの寸
法の面内均一性は９．８ｎｍ（３σ）であり、均一性に
優れたクロムパターンを得ることができた。
プ現像を行い、さらにクロム膜をドライエッチングし
た。さらに、レジスト剥離、洗浄を行った後、ＳＥＭに
てクロムパターンの寸法をマスク面内（１３０ｍｍ□）
で測定した。その結果、マスク上のクロムパターンの寸
法の面内均一性は９．８ｎｍ（３σ）であり、均一性に
優れたクロムパターンを得ることができた。
【００４７】（実施形態２）本発明の第２の実施形態に
ついて、半導体装置の製造工程に使用されるクロムマス
クの試作を例に、図５を参照して説明する。
ついて、半導体装置の製造工程に使用されるクロムマス
クの試作を例に、図５を参照して説明する。
【００４８】基本的な構成は、図１に示したものと同様
であるが、本実施形態では、主として石英基板１ｂに関
連する温度情報を検出するための放射温度計２ｂを被処
理基板１の下方に設けている。
であるが、本実施形態では、主として石英基板１ｂに関
連する温度情報を検出するための放射温度計２ｂを被処
理基板１の下方に設けている。
【００４９】放射温度計２ｂの検出波長は２〜４．３μ
ｍとした。当該波長域は石英基板１ｂに対して半透明で
あるため、石英基板の内部（遮光膜近傍）の温度が計測
可能である。なお、放射温度計２ａの検出波長は、第１
の実施形態と同様、８〜１４μｍとした。このように、
放射温度計２ｂを被処理基板１の下方側に設け、放射温
度計２ｂの検出波長を適当な範囲に設定することによ
り、石英基板の温度情報のみを選択的に検出することが
可能である。
ｍとした。当該波長域は石英基板１ｂに対して半透明で
あるため、石英基板の内部（遮光膜近傍）の温度が計測
可能である。なお、放射温度計２ａの検出波長は、第１
の実施形態と同様、８〜１４μｍとした。このように、
放射温度計２ｂを被処理基板１の下方側に設け、放射温
度計２ｂの検出波長を適当な範囲に設定することによ
り、石英基板の温度情報のみを選択的に検出することが
可能である。
【００５０】制御にはＰＩＤ制御を用いた。制御部７で
は、温度検出部２ａで検出された温度情報に基づいて得
られる時刻ｔにおける被加熱部１ａの温度Ｔ1（ｔ）、
温度検出部２ｂで検出された温度情報に基づいて得られ
る時刻ｔにおける石英基板１ｂの温度Ｔ2（ｔ）とか
ら、ハロゲンランプ３への出力Ｒ（ｔ）を決定するＰＩ
Ｄ定数を算出する機能を有する。なお、基板処理温度Ｔ
sは、第１の実施形態と同様、１００℃に設定した。
は、温度検出部２ａで検出された温度情報に基づいて得
られる時刻ｔにおける被加熱部１ａの温度Ｔ1（ｔ）、
温度検出部２ｂで検出された温度情報に基づいて得られ
る時刻ｔにおける石英基板１ｂの温度Ｔ2（ｔ）とか
ら、ハロゲンランプ３への出力Ｒ（ｔ）を決定するＰＩ
Ｄ定数を算出する機能を有する。なお、基板処理温度Ｔ
sは、第１の実施形態と同様、１００℃に設定した。
【００５１】初期設定時には、経験的に得られた最も良
いと思われるＰＩＤ定数を入力しておく。その後、実際
の加熱が開始されると、時刻ｔにおける被加熱部１ａの
温度Ｔ1(t)と石英基板１ｂの温度Ｔ2(t)に基づき、｛Ｔ
1(t)−Ｔ2(t)｝、｛δＴ1(t)／δｔ｝−｛δＴ2(t)／δ
ｔ｝、｛δ2Ｔ1 (t)／δｔ2｝、｛δ2Ｔ2(t)／δｔ2｝か
ら、被加熱部１ａ及び石英基板１ｂの温度の時間変化を
予測し、予測結果として得られる振動の周期と振り幅か
ら、最適と思われるＰＩＤ定数を決定する。この作業は
加熱処理中随時行われ、被加熱部１ａ及び石英基板１ｂ
の温度変化に応じて最適なＰＩＤ定数で常に制御が行わ
れる。
いと思われるＰＩＤ定数を入力しておく。その後、実際
の加熱が開始されると、時刻ｔにおける被加熱部１ａの
温度Ｔ1(t)と石英基板１ｂの温度Ｔ2(t)に基づき、｛Ｔ
1(t)−Ｔ2(t)｝、｛δＴ1(t)／δｔ｝−｛δＴ2(t)／δ
ｔ｝、｛δ2Ｔ1 (t)／δｔ2｝、｛δ2Ｔ2(t)／δｔ2｝か
ら、被加熱部１ａ及び石英基板１ｂの温度の時間変化を
予測し、予測結果として得られる振動の周期と振り幅か
ら、最適と思われるＰＩＤ定数を決定する。この作業は
加熱処理中随時行われ、被加熱部１ａ及び石英基板１ｂ
の温度変化に応じて最適なＰＩＤ定数で常に制御が行わ
れる。
【００５２】Ｃｒ膜付き石英基板上にポジ型化学増幅レ
ジストを塗布（レジスト膜厚４００ｎｍ）し、電子線描
画装置（５０ｋｅＶ、７μＣ／ｃｍ2）で露光を行った
被処理基板１を用意した。図示していない位置決めユニ
ットで位置決めを行った後、搬送アーム８により被処理
基板１を搬送し、マスク支持体６に載置した。被処理基
板１がマスク支持体６に載置された瞬間から放射温度計
２ａ及び２ｂによる温度の計測が開始されるよう、制御
部７にトリガがかけられようになっている。
ジストを塗布（レジスト膜厚４００ｎｍ）し、電子線描
画装置（５０ｋｅＶ、７μＣ／ｃｍ2）で露光を行った
被処理基板１を用意した。図示していない位置決めユニ
ットで位置決めを行った後、搬送アーム８により被処理
基板１を搬送し、マスク支持体６に載置した。被処理基
板１がマスク支持体６に載置された瞬間から放射温度計
２ａ及び２ｂによる温度の計測が開始されるよう、制御
部７にトリガがかけられようになっている。
【００５３】温度データの取り込み周期は１０ｍｓｅｃ
に、処理時間は６０ｓｅｃに設定した。被処理基板１を
マスク支持体６に載置し、放射温度計２ａ及び２ｂによ
る温度データを制御部７に取り込みつつ、ハロゲンラン
プ３による加熱処理を開始した。図６に、被加熱薄膜１
ａの温度変化（ａ）、石英基板１ｂの温度変化（ｂ）及
び両者の差（ｃ）を示した。
に、処理時間は６０ｓｅｃに設定した。被処理基板１を
マスク支持体６に載置し、放射温度計２ａ及び２ｂによ
る温度データを制御部７に取り込みつつ、ハロゲンラン
プ３による加熱処理を開始した。図６に、被加熱薄膜１
ａの温度変化（ａ）、石英基板１ｂの温度変化（ｂ）及
び両者の差（ｃ）を示した。
【００５４】ランプ点灯直後、被加熱部１ａ及び石英基
板１ｂの温度が共に設定温度Ｔsよりも低い（Ｔ1，Ｔ2
＜Ｔs ）時には、ＰＩＤ制御の制御定数の組み合せとし
て、Ｐ＝５（％）、Ｉ＝４（ｓｅｃ）、Ｄ＝１（ｓｅ
ｃ）をデフォルト値として入力した。
板１ｂの温度が共に設定温度Ｔsよりも低い（Ｔ1，Ｔ2
＜Ｔs ）時には、ＰＩＤ制御の制御定数の組み合せとし
て、Ｐ＝５（％）、Ｉ＝４（ｓｅｃ）、Ｄ＝１（ｓｅ
ｃ）をデフォルト値として入力した。
【００５５】ランプ点灯後、約１０．００秒後に被加熱
部１ａの温度Ｔ1が設定値になった瞬間（Ｔ1＝Ｔs）
に、ＰＩＤの制御定数をＴ1及びＴ2の温度データに応じ
て変化させ、ハロゲンランプの出力の制御を行った。
部１ａの温度Ｔ1が設定値になった瞬間（Ｔ1＝Ｔs）
に、ＰＩＤの制御定数をＴ1及びＴ2の温度データに応じ
て変化させ、ハロゲンランプの出力の制御を行った。
【００５６】その結果、表面温度の応答速度が随時変化
するような系であっても、ハンチングやオフセットエラ
ーを生じることなく、昇温状態（Ｔ1，Ｔ2＜Ｔs）及び
準定常状態（Ｔ1＝Ｔs，Ｔ2＜Ｔs）の両方において、設
定温度Ｔs±０．２℃の非常に高精度な加熱処理が可能
となった。また、ハロゲンランプの照射領域毎に独立に
温度制御を行うことにより、より高精度の温度制御を行
うことができた。
するような系であっても、ハンチングやオフセットエラ
ーを生じることなく、昇温状態（Ｔ1，Ｔ2＜Ｔs）及び
準定常状態（Ｔ1＝Ｔs，Ｔ2＜Ｔs）の両方において、設
定温度Ｔs±０．２℃の非常に高精度な加熱処理が可能
となった。また、ハロゲンランプの照射領域毎に独立に
温度制御を行うことにより、より高精度の温度制御を行
うことができた。
【００５７】基板加熱停止後、搬送アーム８を用いてク
ーリングユニットに被処理基板１を搬送し、基板の冷却
を行った。
ーリングユニットに被処理基板１を搬送し、基板の冷却
を行った。
【００５８】その後、ＡＤ−１０（多摩化学）でディッ
プ現像を行い、さらにクロム膜をドライエッチングし
た。さらに、レジスト剥離、洗浄を行った後、ＳＥＭに
てクロムパターンの寸法をマスク面内（１３０ｍｍ□）
で測定した。その結果、マスク上のクロムパターンの寸
法の面内均一性は９．８ｎｍ（３σ）であり、均一性に
優れたクロムパターンを得ることができた。
プ現像を行い、さらにクロム膜をドライエッチングし
た。さらに、レジスト剥離、洗浄を行った後、ＳＥＭに
てクロムパターンの寸法をマスク面内（１３０ｍｍ□）
で測定した。その結果、マスク上のクロムパターンの寸
法の面内均一性は９．８ｎｍ（３σ）であり、均一性に
優れたクロムパターンを得ることができた。
【００５９】なお、本実施形態では、予め温度を予測し
てＰＩＤ定数を算出するようにしたが、被加熱部と石英
基板の温度差に応じて予め最適と思われるＰＩＤ定数を
入力するようにしてもよい。
てＰＩＤ定数を算出するようにしたが、被加熱部と石英
基板の温度差に応じて予め最適と思われるＰＩＤ定数を
入力するようにしてもよい。
【００６０】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣
旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施するこ
とが可能である。
発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣
旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施するこ
とが可能である。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、薄膜の処理温度Ｔs及
び薄膜の温度Ｔ1の他に、ベース基板の温度Ｔ2も考慮し
て加熱部を制御することにより、精度のよい温度制御を
行うことが可能となり、薄膜に対して精度のよい加熱を
行うことが可能となる。
び薄膜の温度Ｔ1の他に、ベース基板の温度Ｔ2も考慮し
て加熱部を制御することにより、精度のよい温度制御を
行うことが可能となり、薄膜に対して精度のよい加熱を
行うことが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る装置構成例を模
式的に示した図。
式的に示した図。
【図２】レジスト付きクロムマスクブランクスの透過強
度の波長依存性を示した図。
度の波長依存性を示した図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る図であり、被加
熱薄膜及び石英基板の温度変化並びに両者の温度差を示
した図。
熱薄膜及び石英基板の温度変化並びに両者の温度差を示
した図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る図であり、ハロ
ゲンランプに印加する電圧について示した図。
ゲンランプに印加する電圧について示した図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る装置構成例を模
式的に示した図。
式的に示した図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る図であり、被加
熱薄膜及び石英基板の温度変化並びに両者の温度差を示
した図。
熱薄膜及び石英基板の温度変化並びに両者の温度差を示
した図。
１…被処理基板 １ａ…被加熱薄膜 １ｂ…石英基板 ２ａ、２ｂ…放射温度計 ３…ハロゲンランプ ４…フィルター ５…ライトガイド ６…マスク支持体 ７…制御部 ８…搬送アーム ９…装置外枠 １０…ダストフィルター １１…ケミカルフィルター
Claims (8)
- 【請求項１】ベース基板上に薄膜が形成された被処理基
板を加熱する基板加熱装置であって、 前記被処理基板の前記薄膜を選択的に加熱可能な加熱部
と、 前記薄膜の温度Ｔ1及び前記ベース基板の温度Ｔ2に関連
する温度情報を検出する温度検出部と、 前記薄膜の処理温度Ｔs、前記温度検出部で検出された
温度情報から得られる前記薄膜の温度Ｔ1及び前記ベー
ス基板の温度Ｔ2に基づいて前記加熱部を制御する制御
部と、 を備えたことを特徴とする基板加熱装置。 - 【請求項２】前記制御部は、複数の期間において前記加
熱部に対する制御特性を互いに異ならせるものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。 - 【請求項３】前記制御特性は、少なくとも一の期間にお
いて前記薄膜の温度Ｔ1及び前記ベース基板の温度Ｔ2を
含む関数によって表されることを特徴とする請求項２に
記載の基板加熱装置。 - 【請求項４】前記制御部は、前記薄膜の温度Ｔ1が前記
薄膜の処理温度Ｔsに達する時点又はそれよりも前の時
点である所定時点ｔaを境にして前記制御特性を異なら
せるものであることを特徴とする請求項２に記載の基板
加熱装置。 - 【請求項５】前記制御部は、前記薄膜の温度Ｔ1及び該
温度Ｔ1の上昇率に基づいて前記薄膜の温度Ｔ1が前記薄
膜の処理温度Ｔsに達する時点を予測し、その予測結果
に基づいて前記所定時点ｔaを決定するものであること
を特徴とする請求項４に記載の基板加熱装置。 - 【請求項６】前記温度検出部は、前記被処理基板の前記
薄膜が形成された側にそれぞれ設けられた第１の温度検
出部と第２の温度検出部とからなり、前記第１の温度検
出部は前記薄膜の温度情報を選択的に取得可能な波長域
の光を検出するものであり、前記第２の温度検出部は少
なくとも前記ベース基板の温度情報を取得可能な波長域
の光を検出するものであることを特徴とする請求項１に
記載の基板加熱装置。 - 【請求項７】前記温度検出部は、前記被処理基板の前記
薄膜が形成された側に設けられた第１の温度検出部と、
前記被処理基板の前記薄膜が形成された側と逆側に設け
られた第２の温度検出部とからなり、前記第１の温度検
出部は前記薄膜の温度情報を選択的に取得可能な波長域
の光を検出するものであり、前記第２の温度検出部は少
なくとも前記ベース基板の温度情報を取得可能な波長域
の光を検出するものであることを特徴とする請求項１に
記載の基板加熱装置。 - 【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載の基板加熱
装置を用いて、ベース基板上に薄膜が形成された被処理
基板を加熱することを特徴とする基板加熱方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27321399A JP3895893B2 (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
| US09/666,108 US6333493B1 (en) | 1999-09-21 | 2000-09-20 | Heat treating method and heat treating apparatus |
| US09/983,667 US6495807B2 (en) | 1999-09-21 | 2001-10-25 | Heat treating method and heat treating apparatus |
| US10/282,114 US6680462B2 (en) | 1999-09-21 | 2002-10-29 | Heat treating method and heat treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27321399A JP3895893B2 (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102276A true JP2001102276A (ja) | 2001-04-13 |
| JP3895893B2 JP3895893B2 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=17524687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27321399A Expired - Fee Related JP3895893B2 (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-27 | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3895893B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008518472A (ja) * | 2004-10-26 | 2008-05-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シリコンウエハを熱処理するのに有用な低温型パイロメトリーのための方法及び装置 |
| WO2008102596A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 半導体表面温度測定方法及びその装置 |
| JP2008235858A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体表面温度測定方法及びその装置 |
| JP2014140003A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
-
1999
- 1999-09-27 JP JP27321399A patent/JP3895893B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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