JP3433363B2 - 基板の加熱方法および装置 - Google Patents

基板の加熱方法および装置

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heated
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体および液晶パネ
ル用のホトマスク等の基板を加熱する方法と装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体用のホトマスクを例にとり説明す
る。最新の半導体用のホトマスクは、１５２ｍｍ正方で
厚み６．３ｍｍのガラス基板上に約１０００オングスト
ロームのクロム膜をスパッタし、その上にレジストを塗
布して電子線描画装置でパターンを描画した後レジスト
現像処理、続いてクロム膜のエッチング処理とレジスト
剥離を行って完成する。
【０００３】ＬＳＩの集積度が上がりパターンの微細化
に伴い耐ドライエッチング性が高く、高精度なレジスト
パターンが得られるレジストとして化学増幅型レジスト
が開発され実用化が進んでいる。代表的な商品は、シプ
レー社のＳＡＬ６０１である。
【０００４】化学増幅型レジストは電子線描画した後、
約１１０℃でベーキングを行いレジストの感度増幅を行
うので、ベーキング時の温度の均一性によりパータン寸
法が大きく変化する。
【０００５】ホトマスクのように厚形の角基板において
は、基板の側面から熱が放出されるため中央部の温度と
比較すると、基板の辺部で１〜２℃、コーナー部で２〜
３℃低くなる。この結果パターン寸法は辺部で約０．５
μｍ、コーナー部で約１μｍ変化し均一性が悪くなると
いう欠陥がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
を均一に加熱し面内均一性の良いパターン寸法を得るこ
とを可能とした基板の加熱方法と装置を提供することで
ある。
【０００７】
【問題を解決するための手段】本発明は、ヒータを備え
た下部熱板に被加熱基板を載置し、リング板を備えた上
部熱板の下面を被加熱基板の外周に近接させて被加熱基
板を加熱する方法を特徴とする。また、ヒータを備えた
下部熱板と、ヒータとリング板を備えた上部熱板とから
なることを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下本発明を図面を参照して説明する。図１
ａは本発明の第１実施例の縦断面図、図１ｂは平面図で
ある。
【０００９】下部熱板１をヒータ２で加熱し、また上部
熱板３をヒータ４で加熱して、温度センサ７、８と温調
器９、１１で例えば１１０℃に温度調整する。上部熱板
３を駆動機構（図示されず）で上方に持ち上げてホトマ
スク１０を下部熱板１の上に載置する。
【００１０】次に、上部熱板３を下降し、リング板５が
ホトマスク１０の上面と１〜５ｍｍとなるような位置で
停止する。
【００１１】リング板５はホトマスク１０の辺部１０ａ
とコーナ部１０ｂを加熱するので、中央部との温度差は
０．５℃となった。その結果、コーナ部と中央部の寸法
差は０．１５μｍとなり、均一性が改善された。
【００１２】なお、上部熱板３とリング板５は一体物で
も分離していてもよいことは云うまでもない。また、ホ
トマスク１０の外周から流入した気体は排気口６から排
気される。
【００１３】図２は本発明の第２の実施例の縦断面図で
ある。ヒータ１４を内包したリング１３を基板１０に近
接させることによっても全く同様に基板側面からの熱の
放散を補い、均熱性を高めることができる。
【００１４】上記説明では、レジストが化学増幅型レジ
ストの場合について述べたが、本発明はこれに限定され
るものではなくベーキング温度の均一性が要求されるレ
ジストについては全く同様に適用できることは明らかで
ある。
【００１５】上記説明では、ホトマスクを例にとり述べ
たが、基板側面からの熱放散が大きい厚形基板であれば
全く同様に実現できることは明らかである。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次のよう
な効果を奏するものである。基板を均一に加熱し面内均
一性の良いパターン寸法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】本発明の第１の実施例の縦断面図。
【図１ｂ】本発明の第１の実施の平面図。
【図２】本発明の第２の実施例の縦断面図。
【符号の説明】
１…下部熱板、２、４、１４…ヒータ、３…上部熱板、
４…ヒータ、５…リング板、６…排気口、７、８…温度
センサ、９、１１…温調器、１０…ホトマスク、１３…
近接リング。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｂ 3/62 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ (56)参考文献 特開 平４−342115（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−69111（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−37006（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−56130（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/00 G03F 1/08 G03F 7/38 H05B 3/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板を加熱する方法において、ヒータを備
    えた下部熱板に被加熱基板を載置し、ヒータを備えた上
    部熱板の被加熱基板近接部分がリング板状であることを
    特徴とした基板加熱方法。
  2. 【請求項２】基板を加熱する加熱装置において、ヒータ
    を備えた下部熱板と、ヒータを備え下面がリング板状で
    ある上部熱板とからなることを特徴とした基板加熱装
    置。
  3. 【請求項３】前記上部熱板のリング板状下面と被加熱基
    板の間隔が５ｍｍ以下であることを特徴とした請求項２
    記載の基板加熱装置。
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JPH09171953A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Sony Corp 基板加熱装置、基板加熱方法および半導体集積回路装置、フォトマスクならびに液晶表示装置
US6222161B1 (en) 1998-01-12 2001-04-24 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
US6399926B2 (en) 2000-04-03 2002-06-04 Sigmameltec Ltd. Heat-treating apparatus capable of high temperature uniformity
JP5812609B2 (ja) * 2011-01-13 2015-11-17 株式会社東光高岳 加熱装置

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