JPH08130182A - 基板加熱装置 - Google Patents

基板加熱装置

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Publication number
JPH08130182A
JPH08130182A JP29038394A JP29038394A JPH08130182A JP H08130182 A JPH08130182 A JP H08130182A JP 29038394 A JP29038394 A JP 29038394A JP 29038394 A JP29038394 A JP 29038394A JP H08130182 A JPH08130182 A JP H08130182A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
upper cover
substrate
air supply
ring
mask
Prior art date
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Pending
Application number
JP29038394A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Akasaki
恒雄 赤崎
Michiaki Takano
径朗 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SIGMA MERUTETSUKU KK
Original Assignee
SIGMA MERUTETSUKU KK
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Publication date
Application filed by SIGMA MERUTETSUKU KK filed Critical SIGMA MERUTETSUKU KK
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Publication of JPH08130182A publication Critical patent/JPH08130182A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板を均一に加熱しゴミが付着しない品質が
高く高精度なパターンを実現する基板加熱装置を提供す
る。 【構成】 ヒータを備えた下部熱板と排気口を備えた上
部カバーと排気量調節手段と前記上部カバーを上下に駆
動する手段とからなり、前記下部熱板または前記上部カ
バーにリング状通気溝と給気口を備えたことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、液晶パネルお
よびそのホトマスク等の基板を加熱する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体用のマスクを例にとり説明する。
最新の半導体用のマスクは、152mm正方で厚み6.
3mmの石英基板上に約1000オングストロームのク
ロム膜をスパッタし、その上にレジストを塗布して電子
線描画装置でパターンを描画した後、露光後ベーク、レ
ジスト現像処理、続いてクロム膜のエッチング処理とレ
ジスト剥離を行って完成する。
【0003】LSIの集積度が上がり回路パターンが微
細化するに伴い、露光後ベークの果す役割は大きく、マ
スクを均一な温度で、かつ、ゴミを付着させることなく
ベークすることが必要である。
【0004】本発明者等は前にガス導入管を配設した基
板加熱装置を提案した(特願平5−326106)。
【0005】しかし、ガス導入管の吐出口より極所的に
ガスが導入されるためガスが基板に対し不均一に流れ、
ゴミが基板に付着し易くなり、次工程のレジスト現像処
理において回路パターン不良が発生するという欠陥があ
ることが判明した。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱板
内部にクリーンな気体を均一に給気して基板を均一に加
熱し、ゴミ付着のない回路パターンを得ることを可能と
した基板加熱装置を提供することである。
【0007】
【問題を解決するための手段】本発明は、ヒータを備え
た下部熱板と排気口を備えた上部カバーと排気量調節手
段と前記上部カバーを上下に駆動する手段とからなり、
前記下部熱板または前記上部カバーにリング状通気溝と
給気口を備えたことを特徴とする。
【0008】
【実施例】以下本発明を図面を参照して説明する。図1
aは本発明の実施例の縦断面図、図1bはそのAA矢視
図である。
【0009】下部熱板1をヒータ2で加熱し、また上部
カバー3をヒータ4で加熱して、温度センサ7、8と温
調器9、11で例えば110℃に温度調整する。補助熱
板5でマスク10の側面を加熱する。モータ12を駆動
してボールネジ13により上部カバー3を上方に移動
し、マスク10を下部熱板1の上に載置する。
【0010】次に、モータを逆回転して上部カバー3を
下降し、上部カバー3の下面6と補助熱板5の上面の間
隙18が0.5〜5mmとなるような位置で停止する。
フィルタを通したクリーンな窒素を4個の気体給気口1
4から導入すると、窒素はリング状の通気溝15に沿っ
て拡散し、上部カバー3の排気口16に向かって流れ
る。
【0011】間隙18が5mmより大きくなると窒素は
リング状通気溝15に沿って拡散しにくくなり、中途で
溝から漏れるようになる。給気口14から供給される流
量よりも排気量が少なくなるように調節弁17を調整す
る。
【0012】従って、給気口14から供給されたクリー
ンな窒素は間隙18から外部へ排気され、マスク周辺は
常にクリーンな窒素で満たされるのでマスク上にゴミが
付着することがない。また、リング状通気溝15によっ
てマスクの全外周から均一に給気されるので基板を均一
に加熱することができる。
【0013】上記説明では、リング状通気溝15を補助
熱板5につけた場合について述べたが、上部カバー3の
下面6につけることによっても全く同様に本発明を実現
することができる。また、給気口14はリング状溝15
に対向していれば、互いに上下に分離していても全く同
様に本発明を実現することができる。また、上記説明で
は、リング状溝15が角形である場合について述べた
が、円形であっても全く同様に本発明を実現することが
できる。
【0014】上記説明では、基板が厚いマスクである場
合を例にとり述べたが、半導体ウェハー等2mm以下の
薄い基板の場合、補助熱板5を削除して、熱板にリング
状通気溝15を付加することによっても全く同様に本発
明を実現できることは明らかである。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次のよう
な効果を奏するものである。基板を均一に加熱し、ゴミ
が付着しない品質が高く高精度の回路パターンを実現す
る基板加熱装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1a】本発明の実施例の縦断面図。
【図1b】本発明の実施例のAA矢視図。
【符号の説明】 1…下部熱板、2、4、…ヒータ、3…上部カバー、5
…補助熱板、6…上部カバーの下面、7、8…温度セン
サ、9、11…温調器、10…マスク、12…モータ、
13…ボールネジ、14…給気口、15…リング状溝、
16…排気口、17…調節弁、18…間隙。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成7年3月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施例の縦断面図。(b)は
本発明の実施例のAA矢視図。
【符号の説明】 1…下部熱板、2、4…ヒータ、3…上部カバー、5…
補助熱板、6…上部カバーの下面、7、8…温度セン
サ、9、11…温調器、10…マスク、12…モータ、
13…ボールネジ、14…給気口、15…リング状溝、
16…排気口、17…調節弁、18…間隙。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を加熱する装置において、ヒータを
    備えた下部熱板と排気口を備えた上部カバーと排気量調
    節手段と前記上部カバーを上下に駆動する手段とからな
    り、前記下部熱板または前記上部カバーにリング状通気
    溝と給気口を備えたことを特徴とする基板加熱装置。
  2. 【請求項2】 基板を加熱する装置において、ヒータを
    備えた下部熱板と排気口を備えた上部カバーと排気量調
    節手段と前記下部熱板上に固着した補助熱板と前記上部
    カバーを上下に駆動する手段とからなり、前記補助熱板
    または前記上部カバーにリング状通気溝と給気口を備え
    たことを特徴とする基板加熱装置。
  3. 【請求項3】 前記上部カバー内面が円錐状に傾斜して
    いることを特徴とする請求項1または請求項2記載の基
    板加熱装置。
  4. 【請求項4】 前記上部カバーにヒータを備えたことを
    特徴とする請求項1または請求項2記載の基板加熱装
    置。
  5. 【請求項5】 前記上部カバーと前記下部熱板または前
    記補助熱板の間隔が0.5〜5mmであることを特徴と
    する請求項1または請求項2記載の基板加熱装置。
JP29038394A 1994-10-31 1994-10-31 基板加熱装置 Pending JPH08130182A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323375A (ja) * 1999-05-07 2000-11-24 Mtc:Kk 基板加熱装置及び基板加熱方法
JP2008028177A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Nippon Dennetsu Co Ltd 基板加熱装置
CN117075451A (zh) * 2023-09-14 2023-11-17 南方华创半导体(无锡)有限公司 一种涂胶显影机的加热装置及其加热方法

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CN117075451B (zh) * 2023-09-14 2024-02-20 南方华创半导体(无锡)有限公司 一种涂胶显影机的加热装置及其加热方法

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