JP2000321755A - ガラスレティクルの加熱方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】化学増幅系レジストを表面に塗布したガラスレ
ティクルを高速かつ均一に加熱することを可能にし、半
導体装置の配線パターン等の原画となるレティクルパタ
ーンの高い寸法精度を確保すること。 【解決手段】ガラスレティクル４を上下方向から加熱プ
レート１５，１６で挟み込んで近接加熱を行なう構成に
おいて、ガラスレティクル４と加熱プレート１５，１６
との対向面間間隙１８，１９の間隙長をガラスレティク
ル４の厚みの１／１０以下に設定する。また、加熱プレ
ート１５，１６はそれぞれの内部に複数の加熱ヒータ２
１，２２を埋め込んで構成し、これら複数の加熱ヒータ
を互いに異なる条件で加熱制御する。 【効果】ガラスレティクルを高速かつ均一に加熱するこ
とができるため、配線パターンの原画となるレティクル
パターンの高い寸法精度を確保できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高感度レジストを
塗布したガラスレティクル上に電子線描画により高精度
のレティクルパターンを描画するプロセスの後工程であ
る加熱工程，現像工程や前工程である塗布工程等におい
て使用するのに好適なガラスレティクルの加熱方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年半導体装置の微細構造化が急速に進
み、昨今では最小線幅が０．１μｍ台に入ってきた。か
かる最小線幅での微細加工を行なうために使用される露
光装置における露光光の波長は必然的に短くなり、それ
に対応して加工パターンの原画となるレティクルパター
ンの微細化も行なわれてきている。このレティクル上で
のパターンサイズは、通常シリコンウェハ上に描くべき
所望のパターンサイズの５倍程度であり、このレティク
ルパターンを縮小投影レンズ系によってシリコンウェハ
上に縮小投影することにより、シリコンウェハ上に所望
サイズのパターンを転写（露光）している。

【０００３】このように、露光パターンの微細化に際し
ては、レティクルパターンの微細化も併せて必要とな
る。微細化パターンをシリコンウェハ上に露光するに
は、露光用マスクとなるレティクル上への微細化パター
ンの形成作業が必須となる。このレティクル上への微細
化パターンの形成には、通常電子線描画装置が使用され
ている。

【０００４】この電子線描画装置は、通常、図２に示す
ような構成となっている。鏡筒部１内には、電子線を発
生するための電子銃２と発生電子線を絞り込むための電
子線光学系３とが配置されている。ガラスレティクル４
はＸＹステージ５の上に搭載されており、電子線６に対
して移動可能な構造となっている。これらの構成要素は
真空チャンバ７内の真空環境下に置かれている。ガラス
レティクル４は、真空チャンバ７の側面に配置されたロ
ードロック室９内の搬送ロボット１０によってステージ
５上からロードロック室９内に搬出され、そこから装置
外（真空外）に取り出される。また、真空チャンバ７の
側面には、ＸＹステージの駆動系１１がＸ，Ｙの２方向
から取り付けられており、また、真空チャンバ７の下部
には真空排気系１２が取り付けられている。

【０００５】上記構成の電子線描画装置でガラスレティ
クル４上にパターンを描画する方法について説明する。
電子線６を複数個のレンズ１３で絞り、これを偏向器１
４でＸＹ方向に走査してガラスレティクル４上に所望の
パターンを描く。電子線６の走査範囲は数ｍｍと小さい
ため、この走査範囲を越えるパターンサイズの描画に際
しては、ＸＹステージ５によりガラスレティクル４を移
動させて、走査範囲の移動（描画範囲の拡張）を行な
う。これにより、ガラスレティクル４の全表面にわたり
所望のパターン描画を行なう。このパターン描画には、
数１０ｎｍオーダの高精度が要求される。

【０００６】電子線描画するガラスレティクル４上面に
は、レジストと呼ばれる電子線６の照射を受けて感光す
る材料が薄く塗布されている。このレジストは、電子線
照射された部分のみが変質する性質を有しており、描画
後の現像処理によって所望のレジストパターンをガラス
レティクル４表面上に残す。次のエッチング工程で、こ
の残ったレジストパターンに対応した下地材料（通常ク
ロム薄膜）のパターンをガラス基板上に形成することが
可能となる。

【０００７】上記レジスト材料には、高速描画を狙って
高い露光感度のものが用いられる。この高露光感度レジ
ストとしては化学増幅系の材料が用いられるが、化学増
幅系レジスト材料は非常に温度に敏感な性質を有してい
る。化学増幅系の高感度レジスト材を用いたガラスレテ
ィクルは、描画後の化学反応を停止させるために９０〜
１２０℃の範囲内の一定温度でベーキングをする必要が
ある。このベーキング温度の均一性が良い程パターンの
精度が良くなる。温度感度２０ｎｍ／℃のレジストを用
いた場合、ベーキング処理温度の均一性を０．５℃とし
た時、パターンの均一性は１０ｎｍになる。

【０００８】このような高い温度均一性を保持してベー
キングを行なうための処理炉としては、例えば特開平０
７−２８１４５３号公報に示されるように、上下方向に
対向配置された２個のヒータ間にガラスレティクルを挟
み込んで加熱する方式のものが一般的である。上記公報
記載の従来技術では、上側ヒータの下面を円錐形状に形
成し、レティクル中央部よりも周辺部に対して上側ヒー
タ下面がより近接するようにして、レティクル全面にわ
たっての加熱温度の均一性を向上させている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、電子
線によるレティクルパターン描画の高速化を狙って使用
される化学増幅系の高感度レジストは、電子線描画後の
温度に対して非常に敏感な性質を有しているため、それ
による温度不安定性を解消するため、描画後所定温度で
のベーキング処理が施される。このベーキング処理で
は、加熱温度の高い均一性が要求される。加熱温度の不
均一性がそのまま描画パターン精度の不均一性を招くか
らである。また、このレジストのベーキング処理は、１
００℃前後の一定加熱温度で行なわれるが、目的加熱温
度に到達した後の定常加熱状態と目的加熱温度に到達す
るまでの非定常加熱状態との双方において、上記した均
一加熱の条件が満足されなければならない。ところが、
非定常加熱状態はいわゆる過渡状態であるため、この状
態においても均一加熱の条件を十分に満足させることは
技術的に極めて難しい。

【００１０】従って、本発明の目的は、上記したような
非定常加熱状態における加熱温度の不均一性がパターン
精度に及ぼす影響を効果的に低減させることのできるガ
ラスレティクルの加熱方法を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】高い温度均一性の保持が
困難な非定常加熱状態（過渡状態）では、できるだけレ
ジストの化学反応が進行しないようにするために、この
過渡状態をできるだけ短時間で終わらせる必要がある。
本発明によれば、この昇温時間を短縮することのできる
加熱方法が提供される。

【００１２】また、ガラスレティクル表面に傷やゴミの
付着等がある場合、これがパターン欠陥となって、この
レティクルを用いてパターン転写した素子の不良発生の
原因となる。すなわち、ガラスレティクルの加熱に際し
ては、クリーン加熱が不可欠である。本発明によれば、
このクリーン加熱を実現することのできる加熱方法が提
供される。

【００１３】すなわち、本発明においては、ガラスレテ
ィクルをその上下面に対し狭間隙をおいて対向配置した
一対のヒータプレートで挟み込んで近接加熱を行なう。
その際、少なくともレジストが塗布されているレティク
ル上面とこのレティクル上面に対向配置した上側ヒータ
プレートとの間の間隙長は、熱を通過しやすくするため
に、レティクルの厚みの１／１０以下の狭間隙に設定す
る。レジスト材が塗布されているレティクル上面の迅速
かつ均一な加熱が特に重要であるからである。なお、レ
ティクル下面とこのレティクル下面に対向配置した下側
ヒータプレートとの間の間隙長もレティクルの厚みの１
／１０以下の狭間隙に設定するのがより望ましい。ま
た、上下のヒータプレートの少なくとも一方の内部に
は、複数個の加熱ヒータを埋め込んで、それぞれの加熱
ヒータの加熱条件を個別に制御する。この複数個の加熱
ヒータの個別制御に当っては、各加熱ヒータの加熱条件
の設定作業を別途に行なって各加熱ヒータの発熱量を決
める。この加熱条件の設定作業には、実際のプロセスで
使用されるガラスレティクルと同形状のガラス基板内に
温度モニタを埋め込んでなる計測用プレートを使用す
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例を挙げ、図面を参照して詳細に説明する。

【００１５】〈実施例１〉図１に、本発明によるガラス
レティクルの加熱方法の一実施例を示す。図示の如く、
本実施例で使用した加熱炉は、被加熱体であるガラスレ
ティクル４の上側に上部加熱プレート１５を、下側に下
部加熱プレート１６をそれぞれ間隙１８，１９をおいて
配置して構成されてなる。両加熱プレート１５，１６内
には、それぞれ加熱用のヒータ１７が埋め込まれてい
る。

【００１６】本実施例においては、上部加熱プレート１
５とガラスレティクル４との間に設けられる上部間隙１
８の大きさ（間隙長）は上部加熱プレート１５の位置制
御により決められ、下部加熱プレート１６とガラスレテ
ィクル４との間に設けられる下部間隙１９の大きさ（間
隙長）は下部加熱プレート１６上に配置したスペーサ２
０の厚みによって決定される。このスペーサ２０は、ガ
ラスレティクル４との接触面積を低減するために、矩形
形状ガラスレティクル４の４隅部分だけに配置され、ガ
ラスレティクル４を点接触支持している。間隙１８，１
９の間隙長は、ガラスレティクル４の昇温時間の短縮を
図るために、双方とも０．１ｍｍと狭く設定されてい
る。ガラスレティクル４の上表面には電子線レジストが
塗布されている。

【００１７】図３に、上記した配置構成において、ガラ
スレティクル４を室温から加熱した時のレティクル４上
表面の昇温特性を示す。図の縦軸に上表面温度、横軸に
加熱時間を示す。レティクル４の大きさは１５２ｍｍ×
１５２ｍｍ，厚みは６．３５ｍｍであり、加熱目標温度
は１００℃である。曲線(ａ)は、レティクル４と加熱プ
レート１５，１６間の間隙長が０．１ｍｍの場合を、曲
線(ｂ)は１ｍｍの場合を示している。レティクル４の上
表面温度を９９．５℃まで昇温するのに要した時間は、
曲線(ａ)の場合で１６０秒、曲線(ｂ)の場合で５００秒
であった。このように、本発明に従ってレティクル／加
熱プレート間の間隙長を０．１ｍｍと小さく設定した場
合には、従来技術に従って間隙長を１ｍｍと大きく設定
した場合に比べ昇温所要時間が約１／３に短縮された。

【００１８】〈実施例２〉図４に、ガラスレティクル４
の加熱温度の均一性をさらに改善するための加熱方法を
示す。本実施例では、上部加熱プレート１５と下部加熱
プレート１６内に埋め込む加熱用のヒータを、内周部ヒ
ータ２１と外周部ヒータ２２との２部分に分割し、それ
ぞれの加熱用入力パワーを独立に制御して、ガラスレテ
ィクル４の加熱温度の均一性を改善する。レティクル／
加熱プレート間の間隙長は、実施例１の場合と同様、
０．１ｍｍの狭間隙に設定している。

【００１９】均一加熱の要求を満たすための、この加熱
ヒータの制御方法について具体的に説明する。図５に、
被加熱材であるガラスレティクル２３を、図４に示した
構成の加熱炉で加熱する場合の温度制御系を示す。上，
下の加熱プレート１５，１６内に埋め込まれた内周部ヒ
ータ２１と外周部ヒータ２２とにそれぞれ制御器２５が
取り付けられている。ガラスレティクル２３内には温度
計測のための測温抵抗体２４が複数個埋め込まれてお
り、これによりガラスレティクル２３内部の温度分布が
モニタされる。制御器２５は、この計測温度分布が均一
となるよう内周部ヒータ２１及び外周部ヒータ２２への
加熱用入力パワーを制御する。

【００２０】図６に、図５の温度制御系を用いて得られ
たガラスレティクル２３の温度分布を示す。図は、測温
抵抗体２４による計測温度を基にして等温線２６を計算
して求めた結果である。等温線２６の間隔は０．１℃で
あり、レティクル２３の全面にわたっての温度分布幅は
０．７〜０．８℃であった。分布状態は、中央部温度が
高く、外周部温度が低いほぼ軸対象の温度分布になって
いる。このような温度分布の場合は、図５に示した外周
部ヒータ２２への入力パワーを上げて、上，下の加熱プ
レート１５，１６の外周部温度を高め、もってレティク
ル２３の外周部加熱温度を上昇させて中央部温度に近づ
けることにより、加熱温度の分布幅を狭めて、加熱温度
の均一性を上げる。

【００２１】〈実施例３〉図７に、図１に示した構成の
加熱システムに温度モニタ２７を付加し、ガラスレティ
クル４の温度を常時モニタするようにした構成例を示
す。温度モニタ２７は、上部加熱プレート１５を貫通し
てレティクル４表面に達し、レティクル４の表面温度を
モニタしている。使用した温度モニタは輻射温度計であ
り、波長が８〜１０μｍの石英ガラスを透過し得ない長
波長の光を用いてモニタしている。

【００２２】〈実施例４〉図８には、温度モニタ２７を
２個用いた構成例を示す。本実施例では、内周部加熱ヒ
ータ２１と外周部加熱ヒータ２２とを内蔵した上部加熱
プレート１５及び下部加熱プレート１６を用い、上部加
熱プレート１５内のそれぞれのヒータ位置に対応した場
所に温度モニタ２７がそれぞれ挿入配置されている。こ
れら複数の温度モニタ２７による計測温度値から得られ
る温度分布に基づいて、内周部加熱ヒータ２１及び外周
部加熱ヒータ２２への加熱用入力パワーをコントロール
することにより、レティクル４の加熱温度の均一性を向
上させ得る。例えば、レティクル４の外周部温度が内周
部温度に比べて高くなった場合には、制御温度（定常加
熱温度）を考慮した上で、外周部ヒータ２２への入力パ
ワーを下げて、上，下加熱プレート１５，１６の外周部
温度を低下させ、もって、レティクル４の加熱温度分布
の均一化を図ることができる。

【００２３】〈実施例５〉図９に、ガラスレティクル４
を加熱炉内に搬入・搬出するための搬送機構を含めた構
成例を示す。ヒータ１７を埋め込んだ上部加熱プレート
１５を上下方向に移動させるための駆動系２８が加熱炉
上方に設けられており、この駆動系２８で上部加熱プレ
ート１５とガラスレティクル４との間の間隙１８の間隙
長を決めるよう構成されている。すなわち、駆動系２８
で上部加熱プレート１５を上下方向に移動させて、間隙
１８の間隙長が所定値に達したら駆動系２８を停止させ
て、上部加熱プレート１５の移動を停止させる。ガラス
レティクル４はスペーサ２０上に載置されており、下部
加熱プレート１６とガラスレティクル４との間には、ス
ペーサ２０の厚みに等しい間隙長を有する間隙１９が確
保されている。

【００２４】一方、加熱炉の下方には、下部加熱プレー
ト１６を上下方向に移動させるための駆動系３１が設け
られている。この駆動系３１には、下部加熱プレート１
６に設けられた貫通孔３０を通ってレティクル４の下面
に向かって伸びるピン２９が取り付けられており、この
ピン２９を駆動系３１により上方向に移動させることに
よって、レティクル４を上方に押し上げることができる
よう構成されている。

【００２５】次に、図１０を用いて、レティクル４を加
熱炉内部から外部へ搬出する場合の動作手順を説明す
る。図１０において、(ａ)はガラスレティクル４のベー
キングが終了した直後の状態を示している。レティクル
４の上方には上部加熱プレート１５が、下方には下部加
熱プレート１６がそれぞれ配置されている。また加熱炉
の右側方には、ハンド３２を持った搬送機３３が配置さ
れている。(ｂ)はレティクル４の搬出動作が開始され、
上部加熱プレート１５が駆動系２８によって上方向に移
動された状態を示している。(ｃ)はレティクル４をピン
２９を介して駆動系３１により押し上げた状態を示して
いる。

【００２６】図１０の(ｄ)は、搬送機３３のハンド３２
をガラスレティクル４の下方に挿入移動させた状態を示
している。(ｅ)は、駆動系３１によるピン２９の下方向
移動でレティクル４がハンド３２上に載置された状態を
示している。(ｆ)は、搬送機３３によりレティクル４を
載せたハンド３２が右側方に移動された状態を示してい
る。最後に、(ｇ)は、駆動系２８により上部加熱プレー
ト１５が下方向に移動されて加熱炉が閉じられ、レティ
クル４が搬送機３３のハンド３２上に載置された状態
で、加熱炉外に取り出された状態を示している。

【００２７】上記と逆に、ガラスレティクル４を加熱炉
内に搬入する場合には、搬送機３３でハンド３２上に載
置されたレティクル４を左方向に移動し、上方に移動さ
れている上部加熱プレート１５と下部加熱プレート１６
との間に挿入して所定位置で停止させたら、駆動系３１
でピン２９を上昇させてレティクル４をハンド３２上か
らピン２９上へと載せかえる。続いて、ハンド３２を右
側方に退避移動させてから、ピン２９を下降させて、下
部加熱プレート１６上に設けられたスペーサ上にレティ
クル４を載置する。最後に、上部加熱プレート１５を所
定位置まで下降させてから、加熱プロセスが開始され
る。

【００２８】〈実施例６〉図１１に本発明のさらに別の
実施例を示す。図は、搬送機３３のハンド３２上に載置
されたガラスレティクル４の厚みを、厚み計３４で計測
している状態を示している。この厚み計３４によるレテ
ィクル４の厚み計測値を基にして、駆動系２８による上
部加熱プレート１５の下降位置を制御し、レティクル４
と上部加熱プレート１５との間の間隙長を決める。この
ように、厚み計３４を搬送機３３によるレティクル４の
搬送路上に設置することで、厚み測定による時間ロスを
低減することができる。

【００２９】〈実施例７〉図１２に、ガラスレティクル
４と上部加熱プレート１５との間の間隙長を計測するた
めの測定器３５を上部加熱プレート１５内に設置してな
る加熱炉の構成例を示す。ここでは、上部加熱プレート
１５の下降を駆動系２８で行ない、その際の上部加熱プ
レート１５とレティクル４との間の間隙長を常時測定器
３５でモニタし、両者間が所定の間隙長になったところ
で駆動系２８を停止させ、その時の上部加熱プレート１
５の位置を保持する。この加熱炉の右側方には搬送機３
３が配置されており、レティクル４の搬入・搬出が可能
な構成となっている。また、下部加熱プレート１６の下
方には、ピン２９を上下方向に駆動させるための駆動系
３１が配置され、レティクル４を上昇，下降させ得る構
成となっている。

【００３０】〈実施例８〉図１３に均一加熱を行なうた
めのさらに別の構成例を示す。ガラスレティクル４は上
部加熱プレート３６と下部加熱プレート３７との間に挟
まれている。上部加熱プレート３６及び下部加熱プレー
ト３７の少なくとも一方（本例では、上部加熱プレート
３６）のガラスレティクル４と向かい合う加熱面は、そ
の中央部が凹面構造となっている。凹面の最大深さは、
数ｍｍ程度である。平らな加熱面で加熱した場合レティ
クル４中央部の加熱温度が高くなる。このため、レティ
クル４と加熱プレート３６との対向面間距離をレティク
ル４中央部で大きくしてレティクル４中央部への熱流入
量を減じ、レティクル４中央部の温度上昇を抑える。か
かる構造により均一加熱がより効果的に行なえる。

【００３１】〈実施例９〉図１４に、均一加熱を行なう
ためのさらに別の構成例を示す。本例では、上部加熱プ
レート３６および下部加熱プレート３７の双方のガラス
レティクル４との対向面をそれぞれ中央部で間隙長が大
きくなるように凹面形状とし、それぞれの加熱プレート
内部に配置したヒータを内周部加熱ヒータ２１と外周部
加熱ヒータ２２との２分割構成とすることによって、さ
らに均一加熱効果を高めている。

【００３２】なお、以上の実施例では、ガラスレティク
ルと上，下の加熱プレートとの間の間隙長を、両間隙共
にガラスレティクルの厚みの１／１０以下としたが、何
れか一方の間隙長をガラスレティクルの厚みの１／１０
以下とすることによっても、類似の効果が得られる。ま
た、加熱プレート内に設けるヒータの分割も、上，下い
ずれかの加熱プレートについて採用しただけでも、それ
なりの均一加熱効果が得られる。

【００３３】

【発明の効果】本発明の加熱方法及び加熱炉構成を採用
することによって、従来方式で約５分間を要していた６
インチ径のガラスレティクルの昇温時間を、その１／３
に短縮することができた。さらに、加熱温度の均一性を
１．０℃から０．４℃に高性能化できた。この結果、化
学増幅系レジストを使用したマスクの寸法精度を従来比
約２倍に高めることが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例になるガラスレティクルの加
熱方法において使用した加熱炉の概略構成図。

【図２】ガラスレティクル上にパターン描画を行なうた
めに使用される電子線描画装置の概略構成図。

【図３】図１の加熱炉構成によるガラスレティクルの昇
温特性を示す曲線図。

【図４】本発明の他の一実施例になるガラスレティクル
の加熱方法において使用した加熱炉の概略構成図。

【図５】図４の加熱炉構成に温度制御系を付加した場合
の概略構成図。

【図６】図５の加熱炉構成によるガラスレティクルの加
熱温度分布の一例を示す図。

【図７】本発明のさらに他の一実施例になるガラスレテ
ィクルの加熱方法において使用した加熱炉の概略構成
図。

【図８】本発明のさらに他の一実施例になるガラスレテ
ィクルの加熱方法において使用した加熱炉の概略構成
図。

【図９】本発明のさらに他の一実施例になるガラスレテ
ィクルの加熱方法において使用したガラスレティクルの
搬送機構を備えた加熱炉の概略構成図。

【図１０】図９の加熱炉構成におけるガラスレティクル
の搬送方法の説明図。

【図１１】本発明のさらに他の一実施例になるガラスレ
ティクルの加熱方法において使用したガラスレティクル
の厚み計測器を備えた加熱炉の概略構成図。

【図１２】本発明のさらに他の一実施例になるガラスレ
ティクルの加熱方法において使用したガラスレティクル
の間隙長測定器を備えた加熱炉の概略構成図。

【図１３】本発明のさらに他の一実施例になるガラスレ
ティクルの加熱方法において使用した均一加熱効果を高
めるための方策を採用してなる加熱炉の概略構成図。

【図１４】本発明のさらに他の一実施例になるガラスレ
ティクルの加熱方法において使用した均一加熱効果を高
めるための別の方策を採用してなる加熱炉の概略構成
図。

【符号の説明】

１…鏡筒部， ２…電子銃，３
…光学系， ４…ガラスレティ
クル，５…ＸＹステージ， ６…電子
線，７…真空チャンバ， ９…ロード
ロック室，１０…搬送ロボット， １１
…ステージ駆動系，１２…真空排気系，
１３…レンズ，１４…偏向器，
１５…上部加熱プレート，１６…下部加熱プレー
ト， １７…ヒータ，１８…間隙，
１９…間隙，２０…スペーサ，
２１…内周部加熱ヒータ，２２…外周部
加熱ヒータ， ２３…ガラスレティクル，２
４…測温抵抗体， ２５…制御器，２
６…等温線， ２７…温度モニ
タ，２８…駆動系， ２９…ピ
ン，３０…貫通孔， ３１…駆動
系，３２…ハンド， ３３…搬送
機，３４…厚み計， ３５…測定
器，３６…上部加熱プレート， ３７…下部
加熱プレート。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 立春 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 斉藤 秀隆 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB01 BB10 BB14 BB18 BB38 2H096 AA25 EA06 FA01 GB03 5F046 AA09 AA25 DB02 DC03 KA04

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面にレジスト材を塗布してなるガラスレ
   ティクルの上側に上部加熱プレートを上記ガラスレティ
   クルの下側に下部加熱プレートをそれぞれ間隙をおいて
   配置し、上記両加熱プレートを加熱することにより上記
   ガラスレティクルを加熱する方法において、上記上部加
   熱プレートと上記ガラスレティクルとの間の間隙長を上
   記ガラスレティクルの厚みの１／１０以下に設定してな
   ることを特徴とするガラスレティクルの加熱方法。
2. 【請求項２】上記下部加熱プレートと上記ガラスレティ
   クルとの間の間隙長を上記ガラスレティクルの厚みの１
   ／１０以下に設定してなることを特徴とする請求項１に
   記載のガラスレティクルの加熱方法。
3. 【請求項３】上記上部加熱プレート及び上記下部加熱プ
   レートの少なくとも一方または双方の内部に複数個の加
   熱ヒータを配置し、これら複数の加熱ヒータのそれぞれ
   への加熱用入力パワーを個別に制御することを特徴とす
   る請求項１または２に記載のガラスレティクルの加熱方
   法。
4. 【請求項４】上記ガラスレティクルの加熱温度を計測す
   る測温手段を付設し、この測温手段による加熱温度計測
   値に基づき、上記した複数の加熱ヒータのそれぞれヘの
   加熱用入力パワーを個別に制御することを特徴とする請
   求項３に記載のガラスレティクルの加熱方法。
5. 【請求項５】上記ガラスレティクルの加熱温度を測定す
   る測温計を複数個付設し、これら複数個の測温計による
   複数の加熱温度計測値に基づき、上記複数の加熱ヒータ
   のそれぞれヘの加熱用入力パワーを個別に制御すること
   を特徴とする請求項３に記載のガラスレティクルの加熱
   方法。
6. 【請求項６】上記上部加熱プレートおよび上記下部加熱
   プレートのうちの少なくとも一方の上記ガラスレティク
   ルとの対向面が凹面形状に形成されていることを特徴と
   する請求項１から５までのいずれかに記載のガラスレテ
   ィクルの加熱方法。
7. 【請求項７】上記ガラスレティクルは、上記下部加熱プ
   レート上に、スペーサを介して載置されていることを特
   徴とする請求項１から６までのいずれかに記載のガラス
   レティクルの加熱方法。
8. 【請求項８】上記上部加熱プレートが、上記ガラスレテ
   ィクルに対して上下方向に移動可能に構成されているこ
   とを特徴とする請求項１から７までのいずれかに記載の
   ガラスレティクルの加熱方法。
9. 【請求項９】上記ガラスレティクルが、上記下部加熱プ
   レートに対して上下方向に移動可能に構成されているこ
   とを特徴とする請求項１から８までのいずれかに記載の
   ガラスレティクルの加熱方法。
10. 【請求項１０】上記ガラスレティクルの厚みを測定する
    厚み計を付設し、この厚み計による厚み計測値に基づい
    て、上記上部加熱プレートの上記ガラスレティクルに対
    する上下方向移動量を決定することを特徴とする請求項
    ８に記載のガラスレティクルの加熱方法。
11. 【請求項１１】上記ガラスレティクルを上記上部加熱プ
    レート及び上記下部加熱プレート間に搬入／搬出するた
    めの搬送機構が付設されていることを特徴とする請求項
    １から１０までのいずれかに記載のガラスレティクルの
    加熱方法。
12. 【請求項１２】温度計測用のプレートを上記上部加熱プ
    レート及び上記下部加熱プレート間に挿入配置し、この
    温度計測用プレートによる温度計測値に基づいて、上記
    複数の加熱ヒータのそれぞれヘの加熱用入力パワーを個
    別に決定することを特徴とする請求項３に記載のガラス
    レティクルの加熱方法。
13. 【請求項１３】上記温度計測用プレートは、温度モニタ
    を内部に埋め込んだ上記ガラスレティクルと同一形状を
    有するガラス製のプレートであることを特徴とする請求
    項１２に記載のガラスレティクルの加熱方法。
14. 【請求項１４】上記の温度モニタは、測温抵抗体である
    ことを特徴とする請求項１３に記載のガラスレティクル
    の加熱方法。
15. 【請求項１５】請求項１から１４までのいずれかに記載
    のガラスレティクルの加熱方法を適用して作製されてな
    ることを特徴とするパターン露光用のガラスレティク
    ル。
16. 【請求項１６】請求項１５に記載のパターン露光用のガ
    ラスレティクルを用いた縮小投影露光法によるパターン
    形成工程を経て製造されてなる半導体装置。