JP4397836B2 - フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法,フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置,プログラム及びプログラムを読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
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Description
なお,光源の0次光のみを透過させるマスクを用いて露光が行われる場合,0次光と1次光以上との干渉により生じる光のフォーカス成分を除いて,基板上の膜を露光することができる。その露光とその後の現像により減少された膜の膜厚を測定し,当該膜厚を線幅に換算するので,フォーカスに起因しない分の線幅を算出し,その線幅に基づいて,処理条件の設定を行うことができる。したがって,制御可能な線幅成分から,処理条件を設定できるので,より正確な設定を行うことができる。また,膜厚を測定して,その膜厚を線幅に換算するので,従来のようにCD−SEMを用いずに膜厚測定装置を用いて線幅を検出できる。膜厚測定装置を用いることにより,レジストパターンを損傷することがなく正確な測定を行うことができ,また測定の所要時間を短縮することができる。
84 PEB装置
190 熱板
192 温度制御装置
250 温度設定装置
R1〜R5 熱板領域
W1〜W5 ウェハ領域
H 相関関数
M 算出モデル
W ウェハ
Claims (10)
- 基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法であって,
既存の処理条件の設定のフォトリソグラフィー工程において,光源の0次光を透過させる領域と,前記光源の光を透過させない領域を有するマスクを用いて基板上の膜を露光し,その後現像して,基板上の膜を減少させる工程と,
前記減少した膜の膜厚を測定する工程と,
前記二つの領域に対応した基板上の膜の相互間の膜厚差を算出することにより膜厚減少量を求め,予め求められている膜厚減少量と線幅との相関により,前記求められた膜厚減少量をレジストパターンの線幅に換算する工程と,
前記換算された線幅に基づいて,新たな処理条件を設定する工程と,を有することを特徴とする,フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法。 - 前記換算された線幅に基づいて,フォトリソグラフィー工程における露光後,現像前の加熱時の加熱温度を設定することを特徴とする,請求項1に記載のフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法。
- 前記換算された線幅に基づいて,フォトリソグラフィー工程における露光時の露光量を設定することを特徴とする,請求項1に記載のフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法。
- 前記マスクには,0次光を透過させ,なおかつ透過率が異なる複数の領域が形成されていることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法。
- 基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置であって,
既存の処理条件の設定のフォトリソグラフィー工程において,光源の0次光を透過させる領域と,前記光源の光を透過させない領域が形成されたマスクを用いて基板上の膜を露光し,その後現像して基板上の膜を減少させたときの基板上の膜厚を測定する膜厚測定部と,
前記マスクの二つの領域に対応した基板上の膜の相互間の膜厚差を算出することにより膜厚減少量を求め,予め求められている膜厚減少量と線幅との相関により,前記求められた膜厚減少量をレジストパターンの線幅に換算し,前記換算された線幅に基づいて,新たな処理条件を設定する設定部と,を有することを特徴とする,フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置。 - 前記設定部は,前記換算された線幅に基づいて,フォトリソグラフィー工程における露光後,現像前の加熱時の加熱温度を設定することを特徴とする,請求項5に記載のフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置。
- 前記設定部は,前記換算された線幅に基づいて,フォトリソグラフィー工程における露光時の露光量を設定することを特徴とする,請求項5に記載のフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置。
- 前記マスクには,0次光を透過させ,なおかつ透過率が異なる複数の領域が形成されることを特徴とする,請求項5〜7のいずれかに記載のフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置。
- 請求項5〜8のいずれかに記載のフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置における設定部の機能をコンピュータに実現させるためのプログラム。
- 請求項5〜8のいずれかに記載のフォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置における設定部の機能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005057892A JP4397836B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法,フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置,プログラム及びプログラムを読み取り可能な記録媒体 |
US11/362,087 US7420650B2 (en) | 2005-03-02 | 2006-02-27 | Method of setting processing condition in photolithography process, apparatus for setting processing condition in photolithography process, program, and computer readable recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005057892A JP4397836B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法,フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置,プログラム及びプログラムを読み取り可能な記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006245233A JP2006245233A (ja) | 2006-09-14 |
JP4397836B2 true JP4397836B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=36944220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005057892A Active JP4397836B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法,フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置,プログラム及びプログラムを読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7420650B2 (ja) |
JP (1) | JP4397836B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4734376B2 (ja) * | 1998-07-02 | 2011-07-27 | 株式会社東芝 | 加熱装置の評価方法とパターン形成方法及び加熱装置の制御方法 |
JP4839702B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-12-21 | オムロン株式会社 | 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および熱処理装置 |
JP4519037B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び塗布、現像装置 |
JP4850664B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理板の温度設定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置 |
JP2008300777A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、基板の処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP5107372B2 (ja) * | 2010-02-04 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6410194B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Resist film forming method and resist coating apparatus |
KR20020060282A (ko) * | 2001-01-10 | 2002-07-18 | 윤종용 | 리소그래피 시스템에서 노광 제어방법 및 노광 제어장치 |
-
2005
- 2005-03-02 JP JP2005057892A patent/JP4397836B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-27 US US11/362,087 patent/US7420650B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060198633A1 (en) | 2006-09-07 |
JP2006245233A (ja) | 2006-09-14 |
US7420650B2 (en) | 2008-09-02 |
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