TW201933478A - 電漿處理裝置之零件之清潔方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種電漿處理裝置之零件之清潔方法。
於一實施形態之清潔方法中被清潔之零件係配置於由電漿處理裝置之處理腔室提供之內部空間中之零件。於清潔方法中，在零件之表面上形成有被膜。構成被膜之化合物係藉由第1氣體所含之第1化合物與第2氣體所含之第2化合物之聚合而形成。第1化合物係異氰酸酯，第2化合物係具有胺基或羥基之化合物。於在內部空間中執行基板處理後，使零件自處理腔室移動至加熱腔室。並且，以構成被膜之化合物產生解聚合之方式，於加熱腔室中對零件進行加熱。

Description

電漿處理裝置之零件之清潔方法
本發明之實施形態係關於一種電漿處理裝置之零件之清潔方法。
於電子裝置之製造中進行基板處理。基板處理係於電漿處理裝置之腔室內之內部空間中執行。若執行基板處理，則會於配置於電漿處理裝置之內部空間之中的零件之表面上形成堆積物。應將形成於零件之表面上之堆積物去除。
於專利文獻1中，記載有將作為因基板處理產生之堆積物之一種之氟碳膜藉由電漿清潔而去除之技術。於電漿清潔時，產生清潔氣體之電漿，藉由來自該電漿之離子及/或自由基等活性種，而將氟碳膜去除。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-175797號公報
[發明所欲解決之問題]
存在堆積物由電漿清潔難以去除之物質(例如含有金屬之物質)形成之情形。又，存在堆積物形成於劃分形成清潔氣體之電漿難以到達之空間之表面上的情形。因此，需要不同於電漿清潔之電漿處理裝置之零件之清潔方法。
[解決問題之技術手段]
於一態樣中，提供一種電漿處理裝置之零件之清潔方法。零件係配置於藉由電漿處理裝置之處理腔室所提供之內部空間中之零件。清潔方法包含：(i)於零件之表面上形成被膜之步驟，其係藉由第1氣體所含之第1化合物與第2氣體所含之第2化合物之聚合，形成構成被膜之化合物，且第1化合物為異氰酸酯，第2化合物為具有胺基或羥基之化合物；(ii)於在內部空間中執行基板處理之後，使零件自處理腔室移動至加熱腔室之步驟；以及(iii)以構成被膜之化合物產生解聚合之方式，於加熱腔室中對零件進行加熱之步驟。
於一態樣之清潔方法中，於在處理腔室中執行基板處理之前，在零件之表面上形成被膜。構成被膜之化合物係藉由異氰酸酯與胺基之聚合或異氰酸酯與具有羥基之化合物之聚合而產生。於該清潔方法中，為了將因基板處理而介隔被膜形成於零件之表面上之堆積物去除，以構成被膜之化合物產生解聚合之方式，於加熱腔室中對零件進行加熱。其結果為，因基板處理而形成於被膜上之堆積物係與被膜一併自零件之表面去除。因此，根據該清潔方法，可藉由不同於電漿清潔之處理而去除堆積物。又，由於能夠藉由被膜之加熱而去除堆積物，故而能夠抑制因清潔導致之零件之損傷。進而，能夠減少零件之更換頻率。
於一實施形態中，清潔方法進而包含將零件配置於處理腔室以外之其他成膜腔室中之步驟。於在零件之表面上形成被膜之步驟中，係於成膜腔室中在零件之表面上形成被膜。清潔方法進而包含以下步驟：於執行在零件之表面上形成被膜之步驟後，且執行基板處理之前，將零件配置於內部空間中之特定位置。
於一實施形態中，處理腔室與成膜腔室係經由可減壓之搬送腔室而連接。於將零件配置於成膜腔室中之步驟及將零件配置於內部空間中之特定位置之步驟中，藉由搬送機構而經由搬送腔室於處理腔室與成膜腔室之間搬送零件。根據該實施形態，零件不暴露於大氣環境地於處理腔室與成膜腔室之間搬送。
於一實施形態中，加熱腔室連接於搬送腔室。於移動零件之步驟中，藉由搬送機構而經由搬送腔室於處理腔室與加熱腔室之間搬送零件。根據該實施形態，零件不暴露於大氣環境地於處理腔室與加熱腔室之間搬送。
於一實施形態中，清潔方法進而包含於執行加熱零件之步驟之後，將零件搬送至成膜腔室中之步驟。根據該實施形態，可於零件之表面上再次形成被膜。
於一實施形態中，加熱腔室亦可為成膜腔室。
於一實施形態中，基板處理包含成膜處理及蝕刻中之至少一方。基板處理亦可包含利用化學氣相沈積法之成膜處理、利用電漿強化CVD法之成膜處理、利用原子層沈積法之成膜處理、或利用電漿強化ALD法之成膜處理。
於一實施形態中，基板處理亦可包含上述蒸汽成膜處理、及於該成膜處理之後執行的蝕刻即電漿蝕刻。於一實施形態中，在基板處理中被處理之基板具有基底膜及遮罩。遮罩係設於基底膜上，提供開口。成膜處理係利用原子層沈積法之成膜處理。成膜處理包含以下步驟：向內部空間供給前驅體氣體；執行內部空間之沖洗；向內部空間供給與前驅體氣體所含之前驅體反應之反應性氣體；以及執行內部空間之沖洗。利用成膜處理形成於基板上之膜包含第1區域及第2區域。第1區域係沿著劃分形成開口之遮罩之側壁面延伸，第2區域係於基底膜上延伸。電漿蝕刻係為了保留第1區域且去除第2區域而執行。根據該實施形態，調整遮罩之開口寬度。於供給反應性氣體之步驟之一實施形態中，反應性氣體之電漿係於內部空間中產生。
於一實施形態中，內部空間包含於其中執行基板處理之第1空間及不同於該第1空間之第2空間。電漿處理裝置進而具備間隔壁、支持台、氣體供給系統、及排氣裝置。間隔壁於第1空間與第2空間之交界上延伸。於間隔壁形成有使第1空間與第2空間相互連通之複數個貫通孔。支持台以於第1空間內對載置於其上之基板進行支持之方式構成。氣體供給系統連接於第1空間。排氣裝置連接於第2空間。
於一實施形態中，劃分形成內部空間之表面包含第1表面及第2表面，該第1表面劃分形成第1空間，第2表面劃分形成第2空間。零件之表面包含作為第2表面之一部分之區域。清潔氣體之電漿難以到達第2空間。根據該實施形態，可不依賴電漿清潔而將介隔被膜形成於劃分形成第2空間之第2表面上之堆積物去除。
[發明之效果]
如以上說明般，提供不同於電漿清潔之電漿處理裝置之零件之清潔方法。
以下，參照圖式對各種實施形態進行詳細說明。再者，各圖式中對相同或相當部分附加相同符號。
圖1係表示一實施形態之清潔方法之流程圖。圖1所示之清潔方法(以下稱為「方法MT」)係為了清潔電漿處理裝置之零件而執行。圖2係概略表示可應用圖1所示之清潔方法之電漿處理裝置之一例之圖。圖2所示之電漿處理裝置10係電容耦合型之電漿處理裝置。
電漿處理裝置10具備處理腔室11。於處理腔室11中提供內部空間S。內部空間S包含第1空間S1及第2空間S2。處理腔室11包含腔室本體12。腔室本體12具有大致圓筒形狀。於腔室本體12中提供內部空間S。腔室本體12係由例如鋁構成。腔室本體12連接於接地電位。於腔室本體12之內壁面、即劃分形成內部空間S之腔室本體12之表面，形成有具有耐腐蝕性之膜。該膜可為藉由陽極氧化處理形成之膜、或利用氧化釔形成之膜等陶瓷製之膜。
於腔室本體12之側壁形成有通路12p。基板W於在內部空間S與處理腔室11之外部之間被搬送時，通過通路12p。通路12p可藉由閘閥12g而開閉。閘閥12g沿著腔室本體12之側壁而設置。
於內部空間S中設置有間隔壁14。間隔壁14係於方法MT中被清潔之零件之一例。於方法MT中被清潔之零件於內部空間S之中可配置於特定位置，且取出至內部空間S之外部。作為此種零件之一例之間隔壁14係於第1空間S1與第2空間S2之交界上延伸。於間隔壁14形成有複數個貫通孔，以使第1空間S1與第2空間S2相互連通。間隔壁14可藉由於由鋁等材料形成之母材之表面形成具有耐腐蝕性之膜而構成。具有耐腐蝕性之膜可為藉由陽極氧化處理形成之膜、或利用氧化釔形成之膜等陶瓷製之膜。
於一實施形態中，間隔壁14包含屏蔽部14a及擋板14b。屏蔽部14a具有大致筒形狀。屏蔽部14a於內部空間S中沿著腔室本體12之側壁而朝鉛垂方向延伸。屏蔽部14a係與腔室本體12之側壁隔開。屏蔽部14a之上端延伸至處理腔室11之上部，且固定於該上部。於電漿處理裝置10中，在第1空間S1內執行基板處理。於基板處理中產生反應產物等副產物。藉由屏蔽部14a，減少附著於腔室本體12之表面之副產物之量。
擋板14b係於與屏蔽部14a交叉之方向延伸。擋板14b係於屏蔽部14a與後述之支持台之間延伸。間隔壁14之上述複數個貫通孔係形成於擋板14b。再者，屏蔽部14a及擋板14b可一體地形成，亦可為能夠相互分離。
於內部空間S中，支持部15自腔室本體12之底部朝上方延伸。支持部15具有大致圓筒形狀，利用石英等絕緣材料形成。於支持部15上搭載有支持台16。支持台16係藉由支持部15而被支持。支持台16以於第1空間S1內支持基板W之方式構成。支持台16包含下部電極18及靜電吸盤20。支持台16亦可進而包含電極板21。電極板21係利用鋁等導電性材料形成，且具有大致圓盤形狀。下部電極18係設置於電極板21上。下部電極18係利用鋁等導電性材料形成，且具有大致圓盤形狀。下部電極18電性連接於電極板21。
於下部電極18內設置有流路18f。流路18f係熱交換介質用之流路。作為熱交換介質，例如使用液狀之冷媒、或藉由其氣化而冷卻下部電極18之冷媒(例如氟氯碳化物)。於流路18f，自設於腔室本體12之外部之冷卻器單元而經由配管22a被供給熱交換介質。供給至流路18f之熱交換介質經由配管22b而返回至冷卻器單元。即，熱交換介質係以於流路18f與冷卻器單元之間循環之方式被供給。
靜電吸盤20設置於下部電極18上。靜電吸盤20具有本體及電極。靜電吸盤20之本體係利用介電體形成，且具有大致圓盤形狀。靜電吸盤20之電極係膜狀之電極，設置於靜電吸盤20之本體內。於靜電吸盤20之電極，經由開關24而電性連接有直流電源23。若自直流電源23對靜電吸盤20之電極施加電壓，則載置於靜電吸盤20上之基板W與靜電吸盤20之間產生靜電引力。藉由產生之靜電引力，基板W被靜電吸盤20吸引，並被該靜電吸盤20保持。
於電漿處理裝置10設置有氣體供給管線25。氣體供給管線25將來自氣體供給機構之傳熱氣體、例如He氣體供給至靜電吸盤20之上表面與基板W之背面(下表面)之間。
於靜電吸盤20中，亦可設置一個以上之加熱器(例如電阻發熱體)。自加熱器控制器HC20對一個以上之加熱器賦予電力。於靜電吸盤20中之一個以上之加熱器與加熱器控制器HC20之間，為了防止高頻流入加熱器控制器HC20，亦可設置高頻濾波器FT20。於複數個加熱器設置於靜電吸盤20中之情形時，藉由調整自加熱器控制器HC20對複數個加熱器賦予之電力，可個別地調整靜電吸盤20之複數個區域之各者之溫度，從而調整靜電吸盤20之面內(即基板W之面內)之溫度分佈。
於靜電吸盤20之外周區域上，配置有聚焦環FR。聚焦環FR具有大致環狀板形狀。聚焦環FR係利用矽、石英、或碳化矽等含矽材料形成。聚焦環FR係以包圍基板W之邊緣之方式配置。
筒狀部26自腔室本體12之底部朝上方延伸。筒狀部26沿著支持部15之外周延伸。筒狀部26係利用導電性材料形成，且具有大致圓筒形狀。筒狀部26連接於接地電位。筒狀部26之表面亦可利用具有耐腐蝕性之膜形成。具有耐腐蝕性之膜可為藉由陽極氧化處理形成之膜、或利用氧化釔形成之膜等陶瓷製之膜。
於筒狀部26上設置有絕緣部28。絕緣部28具有絕緣性，且係利用石英等陶瓷形成。絕緣部28具有大致圓筒形狀，且沿著電極板21之外周、下部電極18之外周、及靜電吸盤20之外周延伸。再者，上述擋板14b之緣部亦可設置於筒狀部26與絕緣部28之間，由筒狀部26與絕緣部28夾持。
支持部15、支持台16、筒狀部26、及絕緣部28構成支持組件SA。支持組件SA自第1空間S1遍及第2空間S2而延伸。
電漿處理裝置10進而具備上部電極30。上部電極30設置於支持台16之上方。上部電極30係與構件32一併將腔室本體12之上部開口閉合。構件32具有絕緣性。上部電極30經由該構件32而被支持於腔室本體12之上部。
上部電極30包含頂板34及支持體36。頂板34之下表面劃分形成內部空間S(或第1空間S1)。於頂板34設置有複數個氣體吐出孔34a。複數個氣體吐出孔34a之各者於板厚方向(鉛垂方向)貫通頂板34。該頂板34並無限定，例如由矽形成。或者，頂板34可具有於鋁製之母材之表面設置具有耐腐蝕性之膜之構造。該膜可為藉由陽極氧化處理形成之膜、或利用氧化釔形成之膜等陶瓷製之膜。
支持體36係將頂板34裝卸自如地地予以支持之零件。支持體36例如可利用鋁等導電性材料形成。於支持體36之內部設置有氣體擴散室36a。複數個氣體孔36b自氣體擴散室36a朝下方延伸。複數個氣體孔36b分別連通於複數個氣體吐出孔34a。於支持體36形成有將氣體導入氣體擴散室36a之氣體導入口36c，且於該氣體導入口36c連接有氣體供給管38。
於氣體供給管38連接有氣體供給部40。氣體供給部40構成氣體供給系統。氣體供給系統連接於第1空間S1。氣體供給部40具有氣體源群40s、閥群40a、流量控制器群40b、及閥群40c。氣體源群40s包含複數個氣體源。複數個氣體源包含方法MT中使用之複數個氣體之源。閥群40a及閥群40c之各者包含複數個閥。流量控制器群40b包含複數個流量控制器。流量控制器群40b之複數個流量控制器之各者係質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。氣體源群40s之複數個氣體源之各者經由閥群40a之對應閥、流量控制器群40b之對應流量控制器、及閥群40c之對應閥而連接於氣體供給管38。來自氣體供給部40之氣體經由氣體供給管38、氣體擴散室36a、複數個氣體孔36b、及複數個氣體吐出孔34a而被供給至第1空間S1。
如後述般，於方法MT之步驟ST1中，可於處理腔室11中在零件之表面上形成被膜，亦可於其他成膜腔室中在零件之表面上形成被膜。於前者之情形時、即方法MT之步驟ST1中於處理腔室11中在零件之表面上形成被膜之情形時，氣體源群40s之複數個氣體源包含後述第1氣體及第2氣體中之一氣體之源。又，於該情形時，電漿處理裝置10之氣體供給系統進而具有氣體供給部42。氣體供給部42具有氣體源42s、閥42a、流量控制器42b、及閥42c。氣體源42s係第1氣體及第2氣體中之另一氣體之源。流量控制器42b係質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。氣體源42s經由閥42a、流量控制器42b、及閥42c而連接於第1空間S1。來自氣體供給部42之氣體被供給至第1空間S1。
於電漿處理裝置10之腔室本體12之底部連接有排氣管50。於排氣管50連接有排氣裝置52。排氣裝置52經由排氣管50連接於第2空間S2。又，排氣裝置52經由第2空間S2及間隔壁14之複數個貫通孔而連接於第1空間S1。排氣裝置52包含壓力調整閥及減壓泵。減壓泵經由壓力調整閥而連接於第2空間S2。減壓泵可為渦輪分子泵及/或乾式真空泵。
電漿處理裝置10可於第1空間S1內產生供給至第1空間S1之氣體之電漿。電漿處理裝置10進而具備第1高頻電源61。第1高頻電源61係產生電漿產生用之第1高頻之電源。第1高頻具有例如27～100 MHz之範圍內之頻率。第1高頻電源61經由整合器63而連接於上部電極30。整合器63具有用於使第1高頻電源61之輸出阻抗與負荷側(上部電極30側)之阻抗整合之匹配電路。再者，第1高頻電源61亦可經由整合器63而連接於下部電極18。於該情形時，上部電極30電性接地。
電漿處理裝置10可進而具備第2高頻電源62。第2高頻電源62係產生用於將離子拉入基板W之偏壓用之第2高頻之電源。第2高頻之頻率低於第1高頻之頻率。第2高頻之頻率例如為400 kHz～13.56 MHz之範圍內之頻率。第2高頻電源62經由整合器64而連接於下部電極18。整合器64具有用於使第2高頻電源62之輸出阻抗與負荷側(下部電極18側)之阻抗整合之匹配電路。
於電漿處理裝置10中，若於向第1空間S1供給氣體之狀態下供給第1高頻，則該氣體被激發，於第1空間S1內產生電漿。又，若向下部電極18供給第2高頻，則電漿中之離子朝向基板W加速。
電漿處理裝置10進而具備直流電源70。直流電源70連接於上部電極30。直流電源70以將負極性之直流電壓施加於上部電極30之方式構成。若對上部電極30施加負極性之直流電壓，則於第1空間S1內產生之電漿中之正離子碰撞上部電極30之頂板34。若正離子碰撞頂板34，則自頂板34釋出二次電子。於頂板34由矽形成之情形時，若正離子碰撞頂板34，則會自頂板34釋出矽。
於電漿處理裝置10中，劃分形成內部空間S之表面包含第1表面F1及第2表面F2。第1表面F1係劃分形成第1空間S1之表面。第1表面F1包含作為間隔壁14之表面之一部分的區域14e及支持組件SA之表面之一部分SAe。於圖2所示之例中，支持組件SA之表面之一部分SAe係由絕緣部28提供。第1表面F1亦包含構件32之表面之一部分32e及上部電極30之表面之一部分30e。於圖2所示之例中，上部電極30之表面之一部分30e係頂板34之下表面。
第2表面F2係劃分形成第2空間S2之表面。第2表面F2包含腔室本體12之表面之一部分12f。於圖2所示之例中，腔室本體12之表面之一部分12f係由腔室本體12之側壁及底部提供。又，第2表面F2亦包含支持組件SA之表面之一部分SAf。於圖2所示之例中，支持組件SA之表面之一部分SAf係由筒狀部26提供。方法MT中被清潔之零件可包含作為第2表面F2之一部分之區域。作為此種零件之一例之間隔壁14之表面之區域14f構成第2表面F2之一部分。
於一實施形態中，電漿處理裝置10具有加熱器72。加熱器72配置於處理腔室11之外側。自加熱器控制器HC72對加熱器72賦予電力。若自加熱器控制器HC72對加熱器72賦予電力，則加熱器72以將腔室本體12及腔室本體12內存在之物質加熱之方式產生熱。
於一實施形態中，電漿處理裝置10可進而具備控制部80。控制部80以控制電漿處理裝置10之各部之方式構成。控制部80可為具備處理器、記憶體等記憶裝置、輸入裝置、顯示裝置等之電腦。控制部80執行記憶裝置中記憶之控制程式，並基於該記憶裝置中記憶之配方資料，控制電漿處理裝置10之各部。藉此，電漿處理裝置10執行由配方資料指定之製程。例如，控制部80於方法MT之執行中控制電漿處理裝置10之各部。
再次參照圖1，對方法MT進行說明。方法MT包含步驟ST1、步驟ST2、及步驟ST3。於步驟ST1中，於電漿處理裝置10之零件之表面上形成被膜。步驟ST1係於步驟SP之基板處理之前執行。步驟ST2係於步驟SP之基板處理之後執行。於步驟ST2中，將電漿處理裝置10之零件配置於加熱腔室中。於步驟ST3中，於加熱腔室中加熱零件，將因基板處理所形成之堆積物與被膜一併去除。方法MT亦可進而包含步驟STa、步驟STb、步驟STc、及步驟STe中之至少一個步驟。
以下，以為了清潔作為電漿處理裝置10之零件之一例之間隔壁14而執行方法MT之情形為例，對方法MT進行說明。又，於以下之說明中，一併參照圖1、以及圖3～圖11。圖3、圖4、圖10、及圖11表示方法MT之步驟STa、步驟ST1、步驟ST2、及步驟ST3各自執行後之電漿處理裝置之零件之狀態。圖5～圖9表示方法MT之步驟STb、步驟STc、步驟STd、步驟SP、步驟STe各自執行後之電漿處理裝置之狀態。
如上述般，於方法MT之步驟ST1中，在電漿處理裝置10之零件之表面上形成被膜。於步驟ST1中，可於處理腔室11中在零件之表面上形成被膜，亦可於處理腔室11以外之其他成膜腔室中在零件之表面上形成被膜。於前者之情形時、即於處理腔室11中在零件之表面上形成被膜之情形時，無需步驟STa。於後者之情形時、即於其他成膜腔室中在零件之表面上形成被膜之情形時，執行步驟STa。於步驟STa中，將電漿處理裝置10之零件配置於由成膜模組100之成膜腔室102所提供之內部空間102s中。於一例中，如圖3所示，間隔壁14配置於內部空間102s中。如圖3所示，成膜模組100具備成膜腔室102、排氣裝置104、氣體供給部106、氣體供給部108、及加熱器110。
排氣裝置104包含壓力調整閥及減壓泵。減壓泵經由壓力調整閥而連接於內部空間102s。減壓泵可為渦輪分子泵及/或乾式真空泵。
氣體供給部106具有氣體源106s、閥106a、流量控制器106b、及閥106c。氣體源106s係第1氣體及第2氣體中之一氣體之源。流量控制器106b係質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。氣體源106s經由閥106a、流量控制器106b、及閥106c而連接於內部空間102s。將來自氣體供給部106之氣體供給至內部空間102s。
氣體供給部108具有氣體源108s、閥108a、流量控制器108b、及閥108c。氣體源108s係第1氣體及第2氣體中之另一氣體之源。流量控制器108b係質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。氣體源108s經由閥108a、流量控制器108b、及閥108c而連接於內部空間102s。將來自氣體供給部108之氣體供給至內部空間102s。
自加熱器控制器112對加熱器110賦予電力。若自加熱器控制器112賦予電力，則加熱器110以對成膜腔室102及成膜腔室102內存在之物質進行加熱之方式產生熱。加熱器110係配置於成膜腔室102之外側。
於方法MT中，繼而執行步驟ST1。於步驟ST1中，在電漿處理裝置10之零件之表面上形成被膜CF。於一例中，被膜CF形成於間隔壁14之表面上。於在處理腔室11之內部空間S中形成被膜CF之情形時，自氣體供給部40將第1氣體及第2氣體中之一氣體供給至內部空間S，自氣體供給部42將第1氣體及第2氣體中之另一氣體供給至內部空間S。如圖4所示，於在成膜腔室102中形成被膜CF之情形時，將第1氣體及第2氣體中之一氣體自氣體供給部106供給至內部空間102s，將第1氣體及第2氣體中之另一氣體自氣體供給部108供給至內部空間102s。
第1氣體包含第1化合物。第2氣體包含第2化合物。第1化合物係原料單體，為異氰酸酯。第2化合物係原料單體，為具有胺基或羥基之化合物。於步驟ST1中，產生第1化合物與第2化合物之聚合。藉由第1化合物與第2化合物之聚合，而形成構成被膜CF之化合物。於第2化合物為胺之情形時，構成被膜CF之化合物可為具有脲鍵之聚合物或低聚物。於第2化合物為具有羥基之化合物之情形時，構成被膜CF之化合物可為具有胺基甲酸酯鍵之聚合物或低聚物。
第1化合物與第2化合物之聚合係於較構成被膜CF之化合物產生解聚合之溫度低的溫度下產生。第1化合物與第2化合物之聚合例如於0℃以上、150℃以下之溫度範圍內產生。於步驟ST2中，將其中配置有零件之空間之溫度設定為該溫度範圍內之溫度。於成膜腔室102內形成被膜CF之情形時，在步驟ST2中為了設定溫度，可使用加熱器110。或者，於步驟ST2中為了設定溫度，可使用加熱器110、成膜腔室102之內部空間102s內設置之載台內之加熱器、內部空間102s內設置之非接觸加熱器(例如燈加熱器)、及嵌埋於成膜腔室102中之加熱器中之一個以上之加熱器。於在處理腔室11內形成被膜CF之情形時，在步驟ST2中為了設定溫度，可使用加熱器72、靜電吸盤20內之一個以上之加熱器、內部空間S內設置之非接觸加熱器(例如燈加熱器)、嵌埋於腔室本體12內之加熱器、及嵌埋於上部電極30內之加熱器中之一個以上之加熱器。
以下，例示第1化合物、第2化合物、及構成被膜CF之化合物。作為第1化合物，例示以下之式(1)所示之一官能性異氰酸酯及式(2)所示之二官能性異氰酸酯。式(1)及式(2)中，R為烷基(直鏈狀烷基或環狀烷基)等飽和烴基、芳基等不飽和烴基、或包含N、O、S、F、或Si等雜原子之基。包含雜原子之基包含其一部分元素由N、O、S、F、或Si等取代之飽和烴基或不飽和烴基。式(1)及式(2)中以R表示之原子團中所含之C-H鍵中之氫亦可由其他取代基取代。作為第1化合物之異氰酸酯，例如可使用脂肪族化合物或芳香族化合物。作為脂肪族化合物可使用脂肪族鏈式化合物或脂肪族環式化合物。作為脂肪族化合物例如列舉六亞甲基二異氰酸酯。又，作為脂肪族環式化合物，例如列舉1,3-雙(甲基異氰酸酯)環己烷(H6XDI)。
[化1]

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又，作為第2化合物，例示以下之式(3)所示之一官能性胺及式(4)所示之二官能性胺。於式(3)及式(4)中，R係烷基(直鏈狀烷基或環狀烷基)等飽和烴基、芳基等不飽和烴基、或包含N、O、S、F、或Si等雜原子之基。包含雜原子之基包含其一部分元素由N、O、S、F、或Si等取代之飽和烴基或不飽和烴基。於式(3)及式(4)中以R表示之原子團中所含之C-H鍵中的氫亦可由其他取代基取代。再者，於式(1)及式(2)中以R表示之於步驟ST1中聚合之第1化合物之原子團與式(3)及式(4)中以R表示之於步驟ST1中聚合之第2化合物之原子團既可相同，亦可不同。作為第2化合物之胺基可使用例如脂肪族化合物或芳香族化合物。作為脂肪族化合物，可使用脂肪族鏈式化合物或脂肪族環式化合物。作為脂肪族化合物例如列舉1,12-二胺基十二烷(DAD)。作為脂肪族環式化合物，列舉1,3-雙(胺基甲基)環己烷(H6XDA)。再者，作為第2化合物之胺亦可為二級胺。
[化3]

[化4]
又，作為第2化合物，例示以下之式(5)所示之具有羥基之一官能性化合物及式(6)所示之具有羥基之二官能性化合物。於式(5)及式(6)中，R係烷基(直鏈狀烷基或環狀烷基)等飽和烴基、芳基等不飽和烴基、或包含N、O、S、F、或Si等雜原子之基。包含雜原子之基包含其一部分元素由N、O、S、F、或Si等取代後之飽和烴基或不飽和烴基。於式(5)及式(6)中以R表示之原子團中所含之C-H鍵中之氫亦可由其他取代基取代。再者，於式(1)及式(2)中以R表示之於步驟ST1中聚合之第1化合物之原子團與式(5)及式(6)中以R表示之於步驟ST1中聚合之第2化合物之原子團既可相同，亦可不同。具有羥基之化合物為醇或苯酚。作為第2化合物之醇例如列舉二乙二醇、1,2-環己二醇。又，作為第2化合物之苯酚例如列舉對苯二酚、1,2,4-三羥基苯。
[化5]

[化6]
作為構成被膜CF之化合物，列舉以下之式(7)～式(10)所示之具有脲鍵之化合物。式(7)所示之化合物係藉由式(1)所示之化合物與式(3)所示之化合物之聚合而產生。式(8)所示之化合物係藉由式(1)所示之化合物與式(4)所示之化合物之聚合而產生。或者，式(8)所示之化合物係藉由式(2)所示之化合物與式(3)所示之化合物之聚合而產生。式(9)所示之化合物係藉由式(2)所示之化合物與式(4)所示之化合物之聚合而產生。又，式(10)所示之化合物具有使式(9)所示之聚合物之兩末端以具有異氰酸酯基之單體(例如式(1)所示之化合物)、具有胺基之單體(例如式(3)所示之化合物)終結的構造。再者，於式(9)及式(10)中，n為2以上之整數。
[化7]

[化8]

[化9]

[化10]
又，作為構成被膜CF之其他化合物，列舉以下之式(11)～式(15)所示之具有胺基甲酸酯鍵之化合物。式(11)所示之化合物係藉由式(1)所示之化合物與式(5)所示之化合物之聚合而產生。式(12)所示之化合物係藉由式(1)所示之化合物與式(6)所示之化合物之聚合而產生。式(13)所示之化合物係藉由式(2)所示之化合物與式(5)所示之化合物之聚合而產生。式(14)所示之化合物係藉由式(2)所示之化合物與式(6)所示之化合物之聚合而產生。又，式(15)所示之化合物具有使式(14)所示之聚合物之兩末端分別以具有異氰酸酯基之單體(例如式(1)所示之化合物)、具有羥基之單體(例如式(5)所示之化合物)終結的構造。再者，於式(14)及式(15)中，n為2以上之整數。
[化11]

[化12]

[化13]

[化14]

[化15]
以下之式(16)～(26)係例示式(2)、式(4)、及式(6)中以R表示之原子團之構造。於式(16)～(26)中，R1 係異氰酸酯基、胺基、或羥基。如式(16)～式(22)所示，第1化合物及第2化合物之各者亦可具有苯環作為R表示之原子團。式(16)～式(19)所示之化合物之各者於異氰酸酯基、胺基、或羥基與苯環之間不具有碳。式(20)～式(22)所示之化合物之各者於異氰酸酯基、胺基、或羥基與苯環之間具有碳。如式(23)及式(24)所示，第1化合物及第2化合物之各者亦可具有脂環烴作為R表示之原子團。又，如式(25)及式(26)所示，於第1化合物及第2化合物之各者中，R表示之原子團亦可由脂肪族構成。
[化16]

[化17]

[化18]

[化19]

[化20]

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

[化25]

[化26]
於成膜腔室102內進行被膜CF之形成之情形時，繼而執行步驟STb。於步驟STb中，將表面形成有被膜CF之零件配置於腔室本體12之內部空間S中之特定位置。於一例中，將表面形成有被膜CF之間隔壁14如圖5所示配置於腔室本體12之內部空間S中之特定位置。所謂將間隔壁14配置於其中之內部空間S中之特定位置，如參照圖2所說明般，係指第1空間S1與第2空間S2之間之交界上之位置。
於方法MT中，亦可繼而執行步驟STc。步驟STc可於因步驟SP之基板處理形成於第1表面F1上之堆積物可藉由步驟STe之電漿清潔去除之情形時執行。於步驟STc中，將第1表面F1上之被膜CF或作為第1表面F1之一部分之零件之區域上之被膜CF去除。於一例中，將形成於間隔壁14之區域14e上之被膜CF去除。於步驟STc中，在第1空間S1內產生第3氣體之電漿。第3氣體係可藉由來自該第3氣體之電漿之活性種蝕刻被膜CF之氣體。第3氣體可包含氧氣、一氧化碳氣體、二氧化碳氣體等含氧氣體。或者，第3氣體可為包含氫氣與氮氣之混合氣體。於步驟STc中，將第3氣體自氣體供給部40供給至第1空間S1，將第1高頻供給至上部電極30。又，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式，控制排氣裝置52。於步驟STc中，將第1表面F1上之被膜CF或作為第1表面F1之一部分之零件之區域上之被膜CF藉由來自第3氣體之電漿之活性種而蝕刻。於一例中，蝕刻間隔壁14之區域14e上之被膜CF。其結果為，如圖6所示，將劃分形成第1空間S1之第1表面F1上之被膜CF去除。再者，步驟STc亦可於支持台16(靜電吸盤20)上未載置物體之狀態下執行。或者，步驟STc亦可於支持台16(靜電吸盤20)上載置保護構件(例如虛設基板DW)之狀態下執行。
於一實施形態中，繼而執行步驟STd。於步驟STd中，執行與後述之步驟SP之基板處理相同之處理。於步驟STd中，亦可僅執行與步驟SP之基板處理所含之成膜處理相同之處理。步驟STd係於保護構件(例如虛設基板DW)載置於支持台16(靜電吸盤20)上之狀態下執行。步驟STd亦可執行複數次。有關步驟STd之處理參照步驟SP之基板處理(或成膜處理)。若執行步驟STd，如圖7所示，堆積物DS形成於被膜CF上。堆積物DS於第1表面F1露出之情形時，亦形成於露出之第1表面F1上。堆積物DS於第2表面F2露出之情形時，亦形成於露出之第2表面F2上。堆積物DS係因成膜處理形成之膜及/或蝕刻副產物。
於方法MT中，接著執行步驟SP。於步驟SP中，於基板W載置於支持台16(靜電吸盤20)上之狀態下執行基板處理。步驟SP之基板處理包含成膜處理及蝕刻中之至少一方。步驟SP之基板處理亦可包含成膜處理、及該成膜處理之後執行之蝕刻。成膜處理可為利用化學氣相沈積法(CVD法)之成膜處理、利用電漿強化CVD法(PECVD法)之成膜處理、利用原子層沈積法(ALD法)之成膜處理、或利用電漿強化ALD法(PEALD法)之成膜處理。步驟SP之基板處理所含之蝕刻包含電漿蝕刻。藉由電漿蝕刻而被蝕刻之基板W內之膜可為任意膜。藉由電漿蝕刻而被蝕刻之基板W內之膜可為含矽膜或含金屬之膜。
於步驟SP中執行之基板處理係於構成被膜CF之化合物不產生解聚合之溫度下執行。再者，構成被膜CF之化合物係藉由被膜CF(或電漿處理裝置10之零件)被加熱而解聚合。解聚合係與上述聚合逆向之反應，其係構成被膜CF之化合物分解為第1化合物及第2化合物之反應。構成被膜CF之化合物產生解聚合之溫度例如為200℃以上、350℃以下之範圍內之溫度。
藉由執行步驟SP，如圖8所示，堆積物DS形成於被膜CF上。堆積物DS於第1表面F1露出之情形時亦形成於露出之第1表面F1上。堆積物DS於第2表面F2露出之情形時，亦形成於露出之第2表面F2上。堆積物DS係因成膜處理形成之膜及/或蝕刻副產物。堆積物DS可由任意物質形成。堆積物DS係由例如氧化矽或鎢形成。再者，步驟SP亦可對複數個基板W依序執行。於該步驟SP之執行後，自內部空間S搬出基板W。
於方法MT中，繼而亦可執行步驟STe。於步驟STe中，去除第1表面F1上之堆積物DS。於步驟STe中，於第1空間S1內產生第4氣體之電漿。第4氣體可為能藉由該第4氣體之電漿之活性種蝕刻堆積物DS之任意氣體。於堆積物DS由氧化矽或鎢形成之情形時，第4氣體例如包含氟碳氣體。於步驟STe中，自氣體供給部40向第1空間S1供給第4氣體，且將第1高頻供給至上部電極30。又，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。於步驟STe中，藉由第4氣體之電漿之活性種而蝕刻形成於第1表面F1上之堆積物DS。其結果為，如圖9所示，去除第1表面F1上之堆積物DS。再者，步驟STe亦可於支持台16(靜電吸盤20)上未載置物體之狀態下執行。或者，步驟STe亦可於支持台16(靜電吸盤20)上載置有保護構件(例如虛設基板DW)之狀態下執行。
於方法MT中，繼而執行步驟ST2。於步驟ST2中，如圖10所示，應清潔之電漿處理裝置10之零件配置於加熱模組200之加熱腔室202之內部空間202s中。於一例中，將間隔壁14配置於加熱腔室202之內部空間202s中。如圖10所示，加熱模組200具備加熱腔室202、排氣裝置204、及加熱器210。
排氣裝置204包含壓力調整閥及減壓泵。減壓泵經由壓力調整閥連接於內部空間202s。減壓泵可為渦輪分子泵及/或乾式真空泵。
自加熱器控制器212對加熱器210賦予電力。若自加熱器控制器212賦予電力，則加熱器210以對加熱腔室202及加熱腔室202內存在之物質進行加熱之方式產生熱。加熱器210配置於加熱腔室202之外側。再者，成膜模組100亦可作為加熱模組200使用。即，加熱腔室202亦可為成膜腔室102。於該情形時，在步驟ST2中，將應清潔之電漿處理裝置10之零件配置於成膜腔室102之內部空間102s中。
於方法MT中，繼而執行步驟ST3。於步驟ST3中，與形成於零件上之被膜CF一併去除被膜CF上之堆積物DS。於步驟ST3中，以構成被膜CF之化合物產生解聚合之方式對零件進行加熱。如上述般，構成被膜CF之化合物產生解聚合之溫度例如為200℃以上、350℃以下之溫度。於步驟ST3之加熱中，使用加熱器210、加熱腔室202之內部空間202s中設置之載台中嵌埋的加熱器、嵌埋於加熱腔室202中之加熱器、及加熱腔室202之內部空間202s中設置之非接觸加熱器(例如燈加熱器)中之一個以上之加熱器。再者，於使用成膜模組100作為加熱模組200之情形時，於步驟ST3之加熱中，使用加熱器110、成膜腔室102之內部空間102s中設置之載台中嵌埋的加熱器、嵌埋於成膜腔室102中之加熱器、及成膜腔室102之內部空間102s中設置之非接觸加熱器(例如燈加熱器)中之一個以上之加熱器。
於步驟ST3中，與因被膜CF之解聚合產生之化合物一併自零件去除堆積物DS，並進行排氣。於一例中，如圖11所示，自間隔壁14去除堆積物DS，與因被膜CF之解聚合產生之化合物一併被排氣。於執行該步驟ST3之後，亦可再次執行步驟STa。即，亦可將零件再次配置於成膜腔室102內。藉此，可於零件之表面上再次形成被膜CF，並於步驟SP之基板處理中使用該零件。
於方法MT中，於處理腔室中執行基板處理前，於電漿處理裝置10之零件(例如間隔壁14)之表面上形成被膜CF。構成被膜CF之化合物係藉由異氰酸酯與胺基之聚合或異氰酸酯與具有羥基之化合物之聚合而產生。於方法MT中，為了將介隔被膜CF而形成於零件之表面上之堆積物DS去除，以構成被膜CF之化合物產生解聚合之方式，於加熱腔室中對零件進行加熱。其結果為，形成於被膜CF上之堆積物DS係自零件之表面與被膜CF一併被去除。因此，根據方法MT，可藉由不同於電漿清潔之處理而去除堆積物。
於一實施形態之方法MT之步驟STc中，如上述般，將於第1表面F1上延伸之被膜CF去除。即便於可藉由電漿清潔將形成於劃分形成第1空間S1之第1表面F1上之堆積物DS去除的情形時，劃分形成電漿之活性種難以到達之空間、即第2空間S2之第2表面F2上所形成的堆積物DS亦難以藉由電漿清潔去除。根據該實施形態，藉由保留第2表面F2上之被膜CF，可不依賴電漿清潔而將介隔被膜CF形成於第2表面F2上之堆積物DS去除。
再者，若無法應用電漿清潔，堆積物DS亦能藉由使用化學品之濕式清潔去除。於濕式清潔中，形成於應去除之堆積物DS上之電漿處理裝置之零件會產生損傷，故而該零件之更換頻率變高。另一方面，於方法MT中，可藉由加熱而去除堆積物DS，故而可抑制電漿處理裝置之零件之損傷，降低該零件之更換頻率。
於一實施形態中，如上述般，在執行步驟SP之基板處理前，執行步驟STd。於步驟STd中，藉由與步驟SP之基板處理相同之處理而形成堆積物DS，內部空間S由該堆積物DS包圍。因此，抑制執行步驟SP之過程中包圍內部空間S之表面之材質發生變化。其結果為，即便對複數個基板W依序執行步驟SP之基板處理，亦抑制相對於複數個基板W之基板處理之變動。
以下，對步驟SP中執行之基板處理之一例進行說明。圖12係表示圖1所示之清潔方法中之步驟SP之基板處理之一例的流程圖。圖12所示之基板處理SP包含步驟ST61～步驟ST66及步驟STR。步驟STR係調整遮罩之開口寬度之步驟。步驟STR係為了對用於步驟ST62、步驟ST63、步驟ST64、及步驟ST66中之至少一個步驟中之電漿蝕刻之遮罩之開口寬度進行調整而執行。
圖13係能夠應用圖12所示之基板處理之一例之基板之部分放大剖視圖。圖13所示之基板W可為大致圓盤形狀。於一實施形態中，基板W具有含矽膜SF、有機膜OF、抗反射膜BF、及抗蝕劑遮罩RM。含矽膜SF設置於基底層BL上。含矽膜SF於一實施形態中，包含第1膜SFa及第2膜SFb。第1膜SFa設置於基底層BL上，第2膜SFb設置於第1膜SFa上。第1膜SFa與第2膜SFb含有矽、且由相互不同之材料形成。第1膜SFa例如由矽形成。第1膜SFa可為多晶矽膜或非晶矽膜。第2膜SFb例如由氧化矽形成。
有機膜OF設置於含矽膜SF上。抗反射膜BF設置於有機膜OF上。抗反射膜BF含有矽。抗蝕劑遮罩RM設置於抗反射膜BF上。抗蝕劑遮罩RM具有藉由電漿蝕刻而應轉印於抗反射膜BF之圖案。即，抗蝕劑遮罩RM提供開口ORM。開口ORM係槽或孔，使抗反射膜BF之表面部分露出。抗蝕劑遮罩RM可藉由利用光微影技術之抗蝕劑膜之圖案化而形成。
以下、一併參照圖12、以及圖14(a)、圖14(b)、圖14(c)、圖14(d)、及圖14(e)。圖14(a)、圖14(b)、圖14(c)、及圖14(d)係步驟SP之基板處理之一例之執行中獲得之基板之部分放大剖視圖，圖14(e)係步驟SP之基板處理之一例之執行後之狀態之基板之部分放大剖視圖。
如圖12所示，於步驟SP之基板處理之於一例中，執行步驟ST61。於步驟ST61中，抗蝕劑遮罩RM被改質。具體而言，於步驟ST61中，於將圖13所示之基板W載置於支持台16上(靜電吸盤20上)之狀態下，將處理氣體供給至第1空間S1。步驟ST61中使用之處理氣體例如可為氫氣與稀有氣體之混合氣體。又，於步驟ST61中，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。又，於步驟ST61中，將來自第1高頻電源61之第1高頻供給至上部電極30。進而，於步驟ST61中，將來自直流電源70之電壓施加至上部電極30。再者，於步驟ST61中，來自第2高頻電源62之第2高頻可供給至下部電極18，亦可不供給。藉由執行步驟ST61，於第1空間S1中產生處理氣體之電漿。電漿中之正離子碰撞上部電極30之頂板34。其結果為，自頂板34釋出二次電子。藉由釋出之二次電子，將抗蝕劑遮罩RM改質。
於步驟SP之基板處理之於一例中，執行步驟ST61之後執行步驟ST62。於步驟ST62中，為了將遮罩MK1之圖案轉印至抗反射膜BF，執行電漿蝕刻。遮罩MK1係抗蝕劑遮罩RM、或藉由於步驟STR調整抗蝕劑遮罩RM之開口寬度而獲得之遮罩。
於步驟ST62中，於將具有遮罩MK1之基板W載置於支持台16上(靜電吸盤20上)之狀態下，將處理氣體供給至第1空間S1。於步驟ST62中使用之處理氣體例如可包含氟碳氣體。又，於步驟ST62中，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。又，於步驟ST62中，將來自第1高頻電源61之第1高頻供給至上部電極30。又，於步驟ST62中，將來自第2高頻電源62之第2高頻供給至下部電極18。藉由執行步驟ST62，於第1空間S1中產生處理氣體之電漿。並且，藉由電漿中之離子及/或自由基等活性種，蝕刻抗反射膜BF。其結果為，如圖14(a)所示，將遮罩MK1之圖案轉印至抗反射膜BF。亦可於執行步驟ST62之後，將遮罩MK1去除。
於步驟SP之基板處理之於一例中，執行步驟ST62之後執行步驟ST63。於步驟ST63中，為了將遮罩MK2之圖案轉印至有機膜OF，執行電漿蝕刻。遮罩MK2係藉由步驟ST62之電漿蝕刻而自抗反射膜BF獲得之遮罩、或者藉由於步驟STR中調整自抗反射膜BF獲得之該遮罩之開口寬度而獲得的遮罩。
於步驟ST63中，於將具有遮罩MK2之基板W載置於支持台16上(靜電吸盤20上)之狀態，將處理氣體供給至第1空間S1。步驟ST63中使用之處理氣體包含含氧氣體(例如氧氣)。或者，步驟ST63中使用之處理氣體包含氫氣及氮氣。又，於步驟ST63中，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。又，於步驟ST63中，將來自第1高頻電源61之第1高頻供給至上部電極30。又，於步驟ST63中，將來自第2高頻電源62之第2高頻供給至下部電極18。藉由執行步驟ST63，於第1空間S1中產生處理氣體之電漿。並且，藉由電漿中之離子及/或自由基等活性種而蝕刻有機膜OF。其結果為，如圖14(b)所示，將遮罩MK2之圖案轉印至有機膜OF，自有機膜OF獲得有機遮罩OFM。亦可於執行步驟ST63之後，將遮罩MK2去除。
於步驟SP之基板處理之於一例中，在執行步驟ST63之後執行步驟ST64。於步驟ST64中，為了將遮罩MK3之圖案轉印至第2膜SFb，而執行電漿蝕刻。遮罩MK3係有機遮罩OFM、或藉由於步驟STR中調整有機遮罩OFM之開口寬度而得到之遮罩。
於步驟ST64中，於將具有遮罩MK3之基板W載置於支持台16上(靜電吸盤20上)之狀態下，將處理氣體供給至第1空間S1。步驟ST64中使用之處理氣體可包含氟碳氣體。又，於步驟ST64中，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。又，於步驟ST64中，將來自第1高頻電源61之第1高頻供給至上部電極30。又，於步驟ST64中，將來自第2高頻電源62之第2高頻供給至下部電極18。藉由執行步驟ST64，於第1空間S1中產生處理氣體之電漿。並且，藉由電漿中之離子及/或自由基等活性種而蝕刻第2膜SFb。其結果為，如圖14(c)所示，將遮罩MK3之圖案轉印至第2膜SFb。
於步驟SP之基板處理之於一例中，繼而執行步驟ST65。於步驟ST65中，將遮罩MK3去除。於步驟ST65中，於圖14(c)所示之基板W載置於支持台16上(靜電吸盤20上)之狀態下，將處理氣體供給至第1空間S1。步驟ST65中使用之處理氣體包含含氧氣體(例如氧氣)。或者，步驟ST65中使用之處理氣體包含氫氣及氮氣。又，於步驟ST65中，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。又，於步驟ST65中，將來自第1高頻電源61之第1高頻供給至上部電極30。再者，於步驟ST65中，來自第2高頻電源62之第2高頻可供給至下部電極18，亦可不供給。藉由執行步驟ST65，於第1空間S1中產生處理氣體之電漿。並且，藉由電漿中之離子及/或自由基等活性種將遮罩MK3、即有機遮罩OFM自身或包含該有機遮罩OFM之遮罩去除。其結果為，獲得圖14(d)所示之基板W。
於步驟SP之基板處理之於一例中，執行步驟ST65之後執行步驟ST66。於步驟ST66中，為了將遮罩MK4之圖案轉印至第1膜SFa，而執行電漿蝕刻。遮罩MK4係藉由步驟ST64之電漿蝕刻而自第2膜SFb獲得之遮罩、或藉由於步驟STR中調整自第2膜SFb獲得之該遮罩之開口寬度而獲得之遮罩。
於步驟ST66中，於具有遮罩MK4之基板W載置於支持台16上(靜電吸盤20上)之狀態下，將處理氣體供給至第1空間S1。步驟ST66中使用之處理氣體可包含鹵素系之氣體。步驟ST66中使用之處理氣體例如可包含氯氣及溴化氫氣體中之一種以上之氣體。又，於步驟ST66中，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。又，於步驟ST66中，將來自第1高頻電源61之第1高頻供給至上部電極30。又，於步驟ST66中，將來自第2高頻電源62之第2高頻供給至下部電極18。藉由執行步驟ST66，於第1空間S1中產生處理氣體之電漿。並且，藉由電漿中之離子及/或自由基等活性種而蝕刻第1膜SFa。其結果為，如圖14(e)所示，將遮罩MK4之圖案轉印至第1膜SFa。再者，於執行步驟ST66之前，為了將形成於第1膜SFa之表面上之氧化膜去除，亦可執行電漿蝕刻。於用於去除氧化膜之電漿蝕刻中，可使用氟碳氣體。
以下，參照圖15、圖16(a)、及圖16(b)對步驟STR進行說明。圖15係表示圖12所示之步驟STR之一實施形態之流程圖。圖16(a)係步驟STR中之成膜處理後之狀態之基板之部分放大剖視圖，圖16(b)係步驟STR中之膜之蝕刻後之狀態之基板之部分放大剖視圖。
步驟STR包含成膜處理DP。成膜處理DP係步驟SP之基板處理所含之成膜處理之一例，其係利用PEALD法之成膜處理。藉由執行成膜處理DP，如圖16(a)所示，於基板W之表面、即、遮罩MK之表面及基底膜UF之表面上形成膜DF。遮罩MK係抗蝕劑遮罩RM、藉由執行步驟ST62而自抗反射膜BF形成之遮罩、有機遮罩OFM、或藉由執行步驟ST64而自第2膜SFb形成之遮罩。於遮罩MK為抗蝕劑遮罩RM之情形時，基底膜UF係抗反射膜BF，於遮罩MK係藉由執行步驟ST62而自抗反射膜BF形成之遮罩之情形時，基底膜UF係有機膜OF，於遮罩MK為有機遮罩OFM之情形時，基底膜UF係第2膜SFb，於遮罩MK為藉由執行步驟ST64而自第2膜SFb形成之遮罩之情形時，基底膜UF係第1膜SFa。
於成膜處理DP中，為了形成膜DF，將循環CY執行一次以上。各循環CY包含步驟ST11～步驟ST16。於步驟ST11中，為了於基板W上堆積前驅體，向其中配置有基板W之第1空間S1自氣體供給部40供給前驅體氣體。即，向基板W供給前驅體氣體。前驅體氣體經由第1空間S1而亦向第2空間S2供給。
於膜DF為氧化矽膜之情形時，前驅體氣體例如為胺基矽烷系氣體。胺基矽烷系氣體可為含有有機基的胺基矽烷系氣體。作為胺基矽烷系氣體，可使用具有胺基數相對較少之分子構造之氣體，例如使用單胺基矽烷(H3 -Si-R(R係含有有機基且可被取代之胺基))。又，胺基矽烷系氣體可包含具有1～3個矽原子之胺基矽烷，或包含具有1～3個胺基之胺基矽烷。具有1～3個矽原子之胺基矽烷可為具有1～3個胺基之甲矽烷(單胺基矽烷)、具有1～3個胺基之乙矽烷、或具有1～3個胺基之丙矽烷。進而，上述胺基矽烷可具有可被取代之胺基。進而，上述胺基可由甲基、乙基、丙基、及丁基之任一者取代。進而，上述甲基、乙基、丙基、或丁基可由鹵素取代。
於膜DF為鎢膜之情形時，前驅體氣體含有鎢。前驅體氣體可為鹵化鎢氣體。一例之前驅體氣體為六氟化鎢(WF6 )氣體。前驅體氣體亦可為六氯化鎢氣體等其他鹵化鎢氣體、或其他含鎢氣體。
於步驟ST11中，在第1空間S1內不產生電漿。即，於步驟ST11中，停止第1高頻及第2高頻之供給。於步驟ST11中，以將第1空間S1內之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。於步驟ST11中，亦可將載氣與前驅體氣體一併自氣體供給部40供給至第1空間S1。載氣亦經由第1空間S1被供給至第2空間S2。載氣可為He氣體、Ne氣體、Ar氣體、Xe氣體、Kr氣體等稀有氣體。於一實施形態中，載氣亦可遍及成膜處理DP之執行期間而供給至第1空間S1及第2空間S2。若執行該步驟ST11，則前驅體吸附於基板W。又，前驅體吸附於被膜CF。前驅體於第1表面F1露出之情形時，亦吸附於露出之第1表面F1。前驅體於第2表面F2露出之情形時，亦吸附於露出之第2表面F2。
繼而於步驟ST12中，執行內部空間S之沖洗。具體而言，於步驟ST12中，執行內部空間S之排氣。於步驟ST12中，亦可將載氣作為沖洗氣體供給至第1空間S1及第2空間S2。藉由執行步驟ST12，排出內部空間S中之前驅體氣體，從而將基板W上過剩堆積之前驅體去除。
繼而於步驟ST13中，將與前驅體反應之反應性氣體自氣體供給部40供給至第1空間S1。於膜DF為氧化矽膜之情形時，反應性氣體為含氧氣體。含氧氣體為氧氣(O2 氣體)、一氧化碳氣體、或二氧化碳氣體。於膜DF為鎢膜之情形時，反應性氣體為氫氣(H2 氣體)。
於步驟ST13中，於第1空間S1內產生反應性氣體之電漿。於步驟ST13中，在向第1空間S1供給反應性氣體之狀態下，將第1高頻供給至上部電極30。藉此，於第1空間S1中產生反應性氣體之電漿。於步驟ST13中，亦可將第2高頻供給至下部電極18。於步驟ST13中，以將第1空間S1內之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。於步驟ST13中，來自電漿之活性種與前驅體反應。於膜DF為氧化矽膜之情形時，前驅體藉由氧之活性種與前驅體之反應而氧化。於膜DF為鎢膜之情形時，藉由氫之活性種與前驅體之反應而去除前驅體中之雜質。於前驅體氣體為鹵化鎢氣體之情形時，藉由前驅體中之鹵素元素與氫之反應而自前驅體去除鹵素元素。來自電漿之活性種、主要是自由基自第1空間S1到達第2空間S2。因此，於第2表面F2及/或於第2表面F2上延伸之被膜CF上亦產生前驅體與活性種之反應。
繼而於步驟ST14中，執行內部空間S之沖洗。具體而言，於步驟ST14中，執行內部空間S之排氣。於步驟ST14中，亦可將載氣作為沖洗氣體供給至第1空間S1及第2空間S2。藉由執行步驟ST14，排出內部空間S中之反應性氣體。
繼而於步驟ST15中，判定是否滿足停止條件。於循環CY之執行次數達到特定次數之情形時判定滿足停止條件。特定次數係1次以上之次數。若於步驟ST15中判定不滿足停止條件，則再次執行循環CY。另一方面，若於步驟ST15判定滿足停止條件，則停止成膜處理DP之執行。藉由執行成膜處理DP，如圖16(a)所示，於基板W之表面上形成膜DF。形成於基板W之表面上之膜DF包含第1區域R1及第2區域R2。第1區域R1沿著劃分形成開口OMK之遮罩MK之側壁面SW而延伸。第2區域R2於基底膜UF上延伸。再者，藉由執行成膜處理DP，由與構成膜DF之物質相同之物質形成的堆積物DS亦形成於被膜CF上。堆積物DS可亦形成於第1表面F1及/或第2表面F2上。
如圖15所示，於步驟STR中，繼而執行步驟ST16。於步驟ST16中，以保留第1區域R1且去除第2區域R2之方式進行膜DF之電漿蝕刻。於步驟ST16中，於圖16(a)所示之狀態之基板W載置於支持台16上(靜電吸盤20上)之狀態下，將處理氣體供給至第1空間S1。步驟ST16中使用之處理氣體可包含氟碳氣體。又，於步驟ST16中，以將第1空間S1之壓力設定為指定壓力之方式控制排氣裝置52。又，於步驟ST16中，將來自第1高頻電源61之第1高頻供給至上部電極30。於步驟ST16中，為了相對於第1區域R1選擇性去除第2區域R2，執行各向異性之電漿蝕刻。因此，於步驟ST16中，將來自第2高頻電源62之第2高頻供給至下部電極18。藉由執行步驟ST16，於第1空間S1中產生處理氣體之電漿。並且，電漿中之離子被拉入基板W，蝕刻第2區域R2。其結果為，如圖16(b)所示，保留膜DF之第1區域R1，蝕刻第2區域R2。再者，於遮罩MK之上表面之上延伸之膜DF被去除、或者其膜厚變小。
於步驟STR中，藉由執行前驅體之堆積(步驟ST11)、及來自電漿之活性種與前驅體之反應(步驟ST13)，而於基板W之表面上形成膜DF。並且，於步驟ST16中，以保留第1區域R1之方式蝕刻膜DF。其結果為，調整遮罩MK之開口OMK之寬度。
於上述步驟STa中，於步驟STb、步驟ST2中，亦可經由可減壓之搬送腔室而藉由搬送機構搬送零件。以下，對具備搬送腔室之處理系統進行說明。圖17係表示處理系統之一例之圖。圖17所示之處理系統具備一個以上之容器302、加載器模組304、加載互鎖模組306、處理模組308a～308f、搬送模組310、及模組312。
一個以上之容器302沿著加載器模組304之一緣配置。一個以上之容器302之各者以其中收容基板之方式構成。一個以上之容器302之各者例如為FOUP(Front-Opening Unified Pod)。加載器模組304以於大氣壓環境下搬送基板之方式構成。加載器模組304具有腔室及搬送機構。加載互鎖模組306經由閘閥連接於加載器模組304。加載器模組304之搬送機構經由加載器模組304之腔室中之空間而於一個以上之容器302中之任一者與加載互鎖模組306之間搬送基板。加載互鎖模組306提供預備減壓室。
搬送模組310具有搬送腔室310c及搬送機構310t。搬送腔室310c係可減壓之腔室。搬送腔室310c經由閘閥而連接於加載互鎖模組306。搬送腔室310c經由閘閥連接於處理模組308a～308f之各者之處理腔室。搬送腔室310c經由閘閥連接於模組312之腔室。搬送機構310t例如包含機械臂。搬送機構310t於加載互鎖模組306與處理模組308a～308f中之任意處理模組之處理腔室之間、及處理模組308a～308f中之任意兩個處理模組之處理腔室之間搬送基板。
處理模組308a～308f之各者係以執行專用基板處理之方式構成之基板處理裝置。處理模組308a～308f中之一個以上之處理模組係上述電漿處理裝置10。搬送機構310t於作為電漿處理裝置10之處理模組之處理腔室與模組312之腔室之間搬送電漿處理裝置10之零件。模組312係上述成膜模組100，亦為加熱模組200。即，搬送模組310可將電漿處理裝置10之零件不暴露於大氣環境地於電漿處理裝置10之處理腔室與成膜模組100之成膜腔室之間、電漿處理裝置10之處理腔室與加熱模組200加熱腔室之間搬送。再者，處理系統300亦可進而具備作為成膜模組之模組312以外之其他加熱模組。於該情形時，加熱模組之加熱腔室經由閘閥連接於搬送腔室310c。
根據處理系統300，於步驟STa中，可藉由搬送機構310t將電漿處理裝置10之零件不暴露於大氣環境地自處理腔室11經由搬送腔室310c而搬送至成膜腔室102。又，根據處理系統300，於步驟STb中，可藉由搬送機構310t將電漿處理裝置10之零件不暴露於大氣環境地自成膜腔室102經由搬送腔室310c而搬送至處理腔室11。又，根據處理系統300，於步驟ST2中，可藉由搬送機構310t將電漿處理裝置10之零件不暴露於大氣環境地自處理腔室11經由搬送腔室310c搬送至加熱腔室202。
於間隔壁14為應清潔之零件之情形時，處理系統300中採用之電漿處理裝置10具有圖18及圖19所示之構成。圖18及圖19係概略表示圖17所示之處理系統中可採用之電漿處理裝置之圖。圖19中表示支持組件SA向下方移動之狀態。再者，圖18及圖19所示之電漿處理裝置10係與圖2所示之電漿處理裝置10同樣地具備直流電源23、開關24、氣體供給部40、氣體供給部42、第1高頻電源61、整合器63、第2高頻電源62、整合器64、加熱器72、加熱器控制器HC20、加熱器控制器HC72、控制部80等。以下，有關圖18及圖19所示之電漿處理裝置10，僅說明與圖2所示之電漿處理裝置10不同之方面。
圖18及圖19所示之電漿處理裝置10進而具備下部腔室82。於處理腔室11之腔室本體12之底部設置有開口。下部腔室82設置有腔室本體12之底部之下方，且連接於腔室本體12之底部。下部腔室82中之空間可藉由排氣裝置84而減壓。
於圖18及圖19所示之電漿處理裝置10中，支持組件SA之支持部15具有大致圓盤形狀。於支持部15連接有升降機構86。升降機構86以使支持組件SA上下移動之方式構成。升降機構86例如包含含有滾珠螺桿之滑動機構86a、及使滾珠螺桿旋轉之驅動裝置86b。滑動機構86a之滾珠螺桿穿過下部腔室82之底部而延伸至下部腔室82之下方為止。驅動裝置86b設置於下部腔室82之下方。於支持組件SA(例如支持部15)與下部腔室82之底部之間，以包圍滑動機構86a之方式設置有波紋管88。筒狀部90以包圍波紋管88之方式自支持組件SA向下方延伸。筒狀部92自下部腔室82之底部向上方延伸。筒狀部92設置於波紋管88與筒狀部90之間。
於自圖18及圖19所示之電漿處理裝置10卸除間隔壁14之情形時，如圖19所示，使支持組件SA相對於間隔壁14向下方移動。支持組件SA係藉由升降機構86而向下方移動。並且，搬送機構310t之機械臂向間隔壁14之下方移動，對間隔壁14進行支持。並且，間隔壁14相對於處理腔室11之固定被解除。其後，自內部空間S搬出間隔壁14。
於將間隔壁14返回至內部空間S中之特定位置之情形時亦同樣地，使支持組件SA向下方移動。支持組件SA係藉由升降機構86而向下方移動。並且，藉由搬送機構310t之機械臂將間隔壁14搬送至內部空間S中之特定位置。然後，相對於處理腔室11將間隔壁14固定。並且，搬送機構310t之機械臂自內部空間S退避。然後，使支持組件SA向上方移動(參照圖18)。支持組件SA藉由升降機構86向上方移動。
以上，對各種實施形態進行了說明，但並不限定於上述實施形態而可構成各種變化態樣。例如，具備應用方法MT之清潔之零件之電漿處理裝置亦可為感應耦合型之電漿處理裝置、或使用微波等表面波激發氣體之電漿處理裝置。又，藉由方法MT清潔之零件只要為配置於內部空間S中之零件，則並不限定於間隔壁14。該零件亦可為例如筒狀部26或聚焦環FR。
10‧‧‧電漿處理裝置
11‧‧‧腔室
12‧‧‧腔室本體
12f‧‧‧腔室本體12之表面之一部分
12g‧‧‧閘閥
12p‧‧‧通路
14‧‧‧間隔壁
14a‧‧‧屏蔽部
14b‧‧‧擋板
14e‧‧‧間隔壁14之表面之一部分
14f‧‧‧間隔壁14之表面之另一部分
15‧‧‧支持部
16‧‧‧支持台
18‧‧‧下部電極
18f‧‧‧流路
20‧‧‧靜電吸盤
21‧‧‧電極板
22a‧‧‧配管
22b‧‧‧配管
23‧‧‧直流電源
24‧‧‧開關
25‧‧‧氣體供給管線
26‧‧‧筒狀部
28‧‧‧絕緣部
30‧‧‧上部電極
30e‧‧‧上部電極30之表面之一部分
32‧‧‧構件
34‧‧‧頂板
34a‧‧‧氣體吐出孔
36‧‧‧支持體
36a‧‧‧氣體擴散室
36b‧‧‧氣體孔
36c‧‧‧氣體導入口
38‧‧‧氣體供給管
40‧‧‧氣體供給部
40a‧‧‧閥群
40b‧‧‧流量控制器群
40c‧‧‧閥群
40s‧‧‧氣體源群
42‧‧‧氣體供給部
42a‧‧‧閥
42b‧‧‧流量控制器
42c‧‧‧閥
42s‧‧‧氣體源
52‧‧‧排氣裝置
61‧‧‧第1高頻電源
62‧‧‧第2高頻電源
64‧‧‧整合器
70‧‧‧直流電源
80‧‧‧控制部
82‧‧‧下部腔室
84‧‧‧排氣裝置
86‧‧‧升降機構
86a‧‧‧滑動機構
86b‧‧‧驅動裝置
88‧‧‧波紋管
90‧‧‧筒狀部
92‧‧‧筒狀部
200‧‧‧加熱模組
202‧‧‧加熱腔室
202s‧‧‧內部空間
204‧‧‧排氣裝置
210‧‧‧加熱器
212‧‧‧加熱器控制器
300‧‧‧處理系統
302‧‧‧容器
304‧‧‧加載器模組
306‧‧‧加載互鎖模組
308a‧‧‧處理模組
308b‧‧‧處理模組
308c‧‧‧處理模組
308d‧‧‧處理模組
308e‧‧‧處理模組
308f‧‧‧處理模組
310‧‧‧搬送模組
310c‧‧‧搬送腔室
310t‧‧‧搬送機構
312‧‧‧模組
BF‧‧‧抗反射膜
BL‧‧‧基底層
CF‧‧‧被膜
CY‧‧‧循環
DF‧‧‧膜
DP‧‧‧成膜處理
DS‧‧‧堆積物
DW‧‧‧虛設基板
F1‧‧‧第1表面
F2‧‧‧第2表面
FR‧‧‧聚焦環
FT20‧‧‧高頻濾波器
HC20‧‧‧加熱器控制器
HC72‧‧‧加熱器控制器
MK‧‧‧遮罩
MK1‧‧‧遮罩
MK2‧‧‧遮罩
MK3‧‧‧遮罩
MK4‧‧‧遮罩
MT‧‧‧方法
OF‧‧‧有機膜
OMK‧‧‧開口
ORM‧‧‧開口
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
RM‧‧‧抗蝕劑遮罩
S‧‧‧內部空間
S1‧‧‧第1空間
S2‧‧‧第2空間
SAf‧‧‧支持組件SA之表面之一部分
SF‧‧‧含矽膜
SFa‧‧‧第1膜
SFb‧‧‧第2膜
SP‧‧‧步驟
ST1‧‧‧步驟
ST2‧‧‧步驟
ST3‧‧‧步驟
STa‧‧‧步驟
STb‧‧‧步驟
STc‧‧‧步驟
STd‧‧‧步驟
STe‧‧‧步驟
SW‧‧‧側壁面
UF‧‧‧基底膜
W‧‧‧基板
圖1係表示一實施形態之清潔方法之流程圖。
圖2係概略表示可應用圖1所示之清潔方法之電漿處理裝置之一例之圖。
圖3係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟STa後之電漿處理裝置之零件之狀態的圖。
圖4係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟ST1後之電漿處理裝置之零件之狀態的圖。
圖5係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟STb後之電漿處理裝置之狀態的圖。
圖6係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟STc後之電漿處理裝置之狀態的圖。
圖7係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟STd後之電漿處理裝置之狀態的圖。
圖8係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟SP後之電漿處理裝置之狀態的圖。
圖9係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟STe後之電漿處理裝置之狀態的圖。
圖10係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟ST2後之電漿處理裝置之零件之狀態的圖。
圖11係表示執行圖1所示之清潔方法之步驟ST3後之電漿處理裝置之零件之狀態的圖。
圖12係表示圖1所示之清潔方法中之步驟SP之基板處理之一例的流程圖。
圖13係可應用圖12所示之基板處理之一例之基板之部分放大剖視圖。
圖14(a)、圖14(b)、圖14(c)、及圖14(d)係步驟SP之基板處理之一例之執行中獲得之基板之部分放大剖視圖，圖14(e)係步驟SP之基板處理之一例之執行後之狀態之基板之部分放大剖視圖。
圖15係表示圖12所示之步驟STR之一實施形態之流程圖。
圖16(a)係步驟STR中之成膜處理後之狀態之基板之部分放大剖視圖，圖16(b)係步驟STR中之膜之蝕刻後之狀態之基板之部分放大剖視圖。
圖17係表示處理系統之一例之圖。
圖18係概略表示圖17所示之處理系統中可採用的電漿處理裝置之圖。
圖19係概略表示圖17所示之處理系統中可採用的電漿處理裝置之圖。

Claims (13)

  1. 一種清潔方法，其係電漿處理裝置之零件之清潔方法，上述零件係配置於由上述電漿處理裝置之處理腔室提供之內部空間中之零件，該清潔方法包含： 於上述零件之表面上形成被膜之步驟，其係藉由第1氣體所含之第1化合物與第2氣體所含之第2化合物之聚合，形成構成該被膜之化合物，且上述第1化合物係異氰酸酯，上述第2化合物係具有胺基或羥基之化合物； 於在上述內部空間中執行基板處理後，使上述零件自上述處理腔室移動至加熱腔室之步驟；以及 以構成上述被膜之上述化合物產生解聚合之方式，於上述加熱腔室中對上述零件進行加熱。
  2. 如請求項1之清潔方法，其中進而包含於上述處理腔室以外之其他成膜腔室中配置上述零件之步驟， 於在上述零件之表面上形成被膜之上述步驟中，於上述成膜腔室中在上述零件之表面上形成上述被膜， 該清潔方法進而包含於執行在上述零件之表面上形成被膜之上述步驟之後、且於執行上述基板處理之前，將上述零件配置於上述內部空間中之特定位置的步驟。
  3. 如請求項2之清潔方法，其中上述處理腔室與上述成膜腔室經由可減壓之搬送腔室而連接， 於將上述零件配置於成膜腔室中之上述步驟及將上述零件配置於上述內部空間中之特定位置之上述步驟中，藉由搬送機構而經由上述搬送腔室於上述處理腔室與上述成膜腔室之間搬送上述零件。
  4. 如請求項3之清潔方法，其中上述加熱腔室連接於上述搬送腔室， 於使上述零件移動之上述步驟中，藉由上述搬送機構而經由上述搬送腔室於上述處理腔室與上述加熱腔室之間搬送上述零件。
  5. 如請求項2至4中任一項之清潔方法，其中進而包含於執行加熱上述零件之上述步驟之後，將上述零件搬送至上述成膜腔室中之步驟。
  6. 如請求項2至4中任一項之清潔方法，其中上述加熱腔室係上述成膜腔室。
  7. 如請求項1至4中任一項之清潔方法，其中上述基板處理包含成膜處理及蝕刻中之至少一方。
  8. 如請求項7之清潔方法，其中上述基板處理包含利用化學氣相沈積法之成膜處理、利用電漿強化CVD法之成膜處理、利用原子層沈積法之成膜處理、或利用電漿強化ALD法之成膜處理。
  9. 如請求項7之清潔方法，其中上述基板處理包含上述成膜處理、及於該成膜處理之後執行的上述蝕刻即電漿蝕刻。
  10. 如請求項9之清潔方法，其中於上述基板處理中被處理之基板具有基底膜及遮罩，該遮罩設置於該基底膜上且提供開口， 上述成膜處理係利用原子層沈積法之成膜處理，且包含以下步驟： 向上述內部空間供給前驅體氣體； 執行上述內部空間之沖洗； 向上述內部空間供給與上述前驅體氣體所含之前驅體反應之反應性氣體；及 執行上述內部空間之沖洗；且 藉由上述成膜處理而形成於上述基板上之膜包含第1區域及第2區域，該第1區域沿著劃分形成上述開口之上述遮罩之側壁面延伸，該第2區域於上述基底膜上延伸， 上述電漿蝕刻係為了保留上述第1區域且去除上述第2區域而執行。
  11. 如請求項10之清潔方法，其中於供給反應性氣體之上述步驟中，該反應性氣體之電漿係於上述內部空間中產生。
  12. 如請求項1至4中任一項之清潔方法，其中上述內部空間包含於其中進行基板處理之第1空間及該第1空間以外之其他第2空間， 上述電漿處理裝置進而具備： 間隔壁，其於上述第1空間與上述第2空間之交界上延伸，且形成有使上述第1空間與上述第2空間相互連通之複數個貫通孔； 支持台，其於上述第1空間內對載置於其上之基板進行支持； 氣體供給系統，其連接於上述第1空間；及 排氣裝置，其連接於上述第2空間。
  13. 如請求項12之清潔方法，其中劃分形成上述內部空間之表面包含第1表面及第2表面，該第1表面劃分形成上述第1空間，該第2表面劃分形成上述第2空間， 上述零件之表面包含作為上述第2表面之一部分之區域。
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