JPH09199459A

JPH09199459A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH09199459A
Application number: JP2848796A
Authority: JP
Inventors: Koji Kizaki; 幸治木▲崎▼
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-01-22
Filing date: 1996-01-22
Publication date: 1997-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の裏面を予め親水化しておくことによ
り、乾燥後の基板の裏面における洗浄液の残存を防止す
ることのできる基板処理装置を提供することを目的とす
る。【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを収納したカセ
ット１を前工程から受け取るインデクサー部３と、基板
Ｗに各種の処理を施すための複数の処理ユニットを備え
た基板処理部５と、基板処理部５における各処理ユニッ
ト間で基板Ｗを搬送する基板搬送部７と、露光機との間
で基板Ｗを受け渡しするインターフェース部９とから構
成されている。基板Ｗは、インデクサー部３の搬送装置
１４により基板処理部５の受け渡し部１５に搬送され、
紫外線照射装置４０の誘電体バリア放電ランプ４１によ
りその裏面中央部に紫外線を照射される。紫外線を照射
された基板Ｗは、基板搬送部７の主搬送装置２９により
受け渡し部１５より搬出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
や液晶表示パネル製造装置などにおいて、半導体ウエハ
や液晶用ガラス基板（以下「基板」と総称する）に対し
て各種の処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板に対し、洗浄、フォトレジスト塗
布、現像、エッチング等の各種の処理を行う基板処理装
置においては、基板が搬入されるインデクサー部の後段
に基板の処理を行うための複数の処理ユニットを配設
し、基板搬送装置により基板を個々の処理ユニットに順
次搬送してその処理を行っている。そして、インデクサ
ー部に搬入された基板は、通常、洗浄処理を行うための
処理ユニットである回転式洗浄装置（以下「スピンスク
ラバ」という）に最初に搬送される。スピンスクラバに
おいては、基板の表面に洗浄液を供給して基板の表面を
洗浄するとともに、基板の裏面に洗浄液を供給して、基
板表面を洗浄して汚染された洗浄液の裏面への回り込み
を防止している。そして、洗浄液による洗浄の終了後
に、基板を高速で回転させることにより基板を乾燥して
いる。

【０００３】また、処理される基板の種類によっては、
スピンスクラバにより洗浄処理を行うに先立って、紫外
線照射処理を行う場合もある。この紫外線照射処理は、
基板表面に対して紫外線を照射してオゾンを発生させ、
基板表面の有機物を分解して基板表面を親水化させるこ
とにより、後段のスピンスクラバによる洗浄効果を高め
る工程である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような基板処理装
置において、基板をスピンスクラバにより洗浄し乾燥さ
せた場合に、基板の裏面の中央部に洗浄液の水滴が残存
するという現象が発生する。これは、以下の理由による
ものと考えられる。

【０００５】すなわち、スピンスクラバにおいて基板を
乾燥させる工程においては、基板を高速で回転させるこ
とにより、回転に伴う遠心力と回転により基板に沿って
発生する風の流れとによって基板に付着した水滴を除去
しているが、基板の中心部付近においては、基板の回転
に伴う遠心力はきわめて弱く、また、基板に沿って発生
する風の流れも基板の中心部付近では基板に対して垂直
な方向に発生することから、基板の中央部においては洗
浄液の除去機能が十分には働かない。また、スピンスク
ラバにおいては、基板の裏面はスピンチャックとわずか
な距離を離して対向しているため、基板裏面には十分な
風の流れが発生しにくいことから、基板の裏面の中央部
では洗浄液の水滴が残存しやすい状況にある。

【０００６】このとき、基板の表面は清浄な状態に保た
れているため、一般に親水性となっている。このため、
基板の表面に洗浄液が残存しても、その洗浄液は薄い膜
状となっており、その後にすぐに乾燥し水滴は残らな
い。また、その表面が疎水性となっている基板を処理す
る場合には、上述した紫外線照射処理を施すことによ
り、その表面を予め親水性としておくことが可能であ
る。

【０００７】しかしながら、基板の裏面は、スピンスク
ラバに搬入される前に各種の搬送装置や処理装置と接触
して支持されていることから、有機物等により汚染され
疎水性となっている。従って、基板裏面に付着する洗浄
液は、膜状とならず水滴状となり、その乾燥性はきわめ
て悪い。このため、スピンスクラバにより洗浄、乾燥さ
れた基板の裏面中央部付近に水滴が残存するものと考え
られる。

【０００８】このような基板の裏面における水滴の残存
は、スピンスクラバを使用した場合に限らず、他の装置
を使用して基板を洗浄、乾燥した場合にも発生する現象
である。基板に残存した洗浄液の水滴は、その後の処理
におけるパーティクル発生の原因となる。

【０００９】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたもので、基板の裏面を予め親水化しておくことに
より、乾燥後の基板の裏面における洗浄液の残存を防止
することのできる基板処理装置を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板の受け渡し部と、前記受け渡し部に基板を搬送
する第１の搬送装置と、前記第１の搬送装置により前記
受け渡し部に搬送された基板を後段の処理ユニットに搬
送する第２の搬送装置とを備えた基板処理装置におい
て、前記受け渡し部に搬送された基板の裏面に紫外線を
照射する紫外線ランプを前記受け渡し部に配設したこと
を特徴とする。

【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、受け渡し部に搬送された基板の裏面に
臨む開口部を有しその内部に紫外線ランプを収納する排
気カバーと、前記排気カバーの内部から気体を排出する
排出口とを備えている。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいてこの発明の
実施の形態を説明する。

【００１３】図１はこの発明に係る基板処理装置の第１
実施形態を示す平面図であり、図２はその正面図であ
る。

【００１４】この基板処理装置は、角形の液晶表示パネ
ル用ガラス基板Ｗに対して各種の処理を行うものであ
り、複数枚の基板Ｗを収納したカセット１を前工程から
受け取るインデクサー部３と、基板Ｗに各種の処理を施
すための複数の処理ユニットを備えた基板処理部５と、
基板処理部５における各処理ユニット間で基板Ｗを搬送
する基板搬送部７と、図示しない露光機との間で基板Ｗ
を受け渡しするインターフェース部９とから構成されて
いる。

【００１５】インデクサー部３は、複数のカセット１を
載置するテーブル１１と、搬送路１３に沿って移動する
搬送装置１４とを備える。搬送装置１４は、基板Ｗを、
カセット１と基板処理部５に配設された受け渡し部１５
との間で受け渡しする。

【００１６】基板処理部５は、上下方向に多段に構成さ
れており、その下段部には、前述した受け渡し部１５
と、基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射部１６
と、スピンスクラバ１７と、回転式塗布装置（以下「ス
ピンコータ」という）１９と、複数の回転式現像装置
（以下「スピンデベロッパ」という）２１、２３と、排
出側の受け渡し部２４とが配設されている。また、その
上段部には、ホットプレートやクールプレート等の熱処
理装置２５と、基板搬送部７の各主搬送装置２９、３
１、３３間で基板Ｗを受け渡すための主搬送装置用の受
け渡し部２７とが、各々複数配設されている。

【００１７】基板搬送部７は、搬送路３５、３７、３９
に沿って移動する主搬送装置２９、３１、３３を備え
る。各主搬送装置２９、３１、３３は３軸方向に移動可
能な搬送アームを備え、基板Ｗを、受け渡し部１５、紫
外線照射部１６、スピンスクラバ１７、スピンコータ１
９、スピンデベロッパ２１、２３、熱処理装置２５およ
び受け渡し部２４の間で搬送する。

【００１８】インターフェース部９は、基板Ｗを、受け
渡し部２４と図示しない後段の露光機との間で受け渡し
する。

【００１９】このような基板製造装置においては、カセ
ット１に収納されて基板製造装置に搬入された基板Ｗ
は、搬送装置１４により受け渡し部１５に載置される。
受け渡し部１５に載置された基板Ｗは、主搬送装置２９
により受け取られ、各主搬送装置２９、３１、３３によ
り、紫外線照射部１６、スピンスクラバ１７、スピンコ
ータ１９および熱処理装置２５の間に任意の順序で搬送
され、必要な処理を施される。処理の終了した基板Ｗ
は、主搬送装置３３により受け渡し部２４に搬送され
る。そして、この基板Ｗは、図示しないインターフェー
ス部９の搬送装置により後段の露光機に搬送されて露光
処理される。露光の終了した基板Ｗは、インターフェー
ス部９の搬送装置により受け渡し部２４に搬送された
後、各主搬送装置２９、３１、３３によりスピンデベロ
ッパ２１、２３および熱処理装置２５に搬送されて必要
な処理を施された後、受け渡し部１５に載置される。そ
して、この基板Ｗは、搬送装置１４によりカセット１に
収納される。

【００２０】このような基板処理装置においては、前工
程からインデクサー部３に供給された基板Ｗは、必ず受
け渡し部１５を通過する。このため、この実施形態にお
いては、この受け渡し部１５に、基板Ｗの裏面に対し紫
外線を照射する紫外線ランプを備えた紫外線照射装置４
０を配設している。

【００２１】すなわち、基板Ｗの表面は、そこに形成さ
れた膜の種類により紫外線を照射すべきものと照射すべ
きでないものとが存在することから、紫外線照射部１６
による基板Ｗの表面への紫外線の照射は基板Ｗの種類に
応じて選択的に行われるが、基板Ｗの裏面への紫外線の
照射は、全ての基板Ｗに対して行う必要がある。このた
め、全ての基板Ｗが通過する受け渡し部１５に紫外線照
射装置４０を配設することにより、効率的に基板Ｗの裏
面への紫外線照射処理を行うことが可能となる。

【００２２】次に、紫外線照射装置４０の構成について
説明する。図３は紫外線照射装置４０の断面図であり、
図４はその平面図である。

【００２３】この紫外線照射装置４０は、基板Ｗの裏面
中央部に対し紫外線を照射してオゾンを発生させ、基板
Ｗの裏面の有機物を分解して基板Ｗの裏面を親水化させ
ることにより、後段のスピンスクラバ１７における洗
浄、乾燥処理後の基板Ｗの裏面への水滴の残存を防止す
るものである。

【００２４】この紫外線照射装置４０においては、紫外
線ランプとして、その波長が２００ｎｍ以下の真空紫外
線を出射する誘電体バリア放電ランプ４１を使用してい
る。この誘電体バリア放電ランプ４１は、誘電体バリア
放電によってエキシマ分子を形成し、このエキシマ分子
から放射される光を出射するランプであり、この実施形
態においては、放電ガスとしてキセノンガスを使用し中
心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を照射するものを採用
している。

【００２５】なお、紫外線ランプとしては、特に、その
波長が２００ｎｍ以下の真空紫外線を照射するランプを
使用することが好ましい。すなわち、真空紫外線は空気
雰囲気下で減衰しその到達距離はきわめて短い。例え
ば、この実施の形態のようにキセノンガスを使用した誘
電体バリア放電ランプ４１の場合、放射される紫外線の
中心波長は１７２ｎｍであり、その空気雰囲気下での到
達距離は約１０ｍｍである。同様に、真空紫外線を中心
波長として照射する他の紫外線ランプにおいても、その
空気雰囲気下での到達距離はきわめて短い。このような
真空紫外線の減衰は、当該真空紫外線が酸素を含む空気
中を通過する際に真空紫外線の連続吸収帯を有する酸素
により吸収されることから生ずる現象である。このた
め、紫外線ランプとして真空紫外線を出射するものを利
用すれば、紫外線照射装置４０を外部への紫外線の漏洩
を阻止できるような構成としない場合であっても、真空
紫外線の到達距離がきわめて短いことから、この紫外線
が人体に影響を及ぼすことや装置外部でオゾンを発生さ
せるという現象を防止することが可能となる。

【００２６】この誘電体バリア放電ランプ４１は、ラン
プカバー４３と石英板４５から成るランプボックス４７
内に収納されている。また、ランプカバー４３と誘電体
バリア放電ランプ４１との間には反射板４８が設けられ
ており、誘電体バリア放電ランプ４１からの紫外線は効
率よく基板Ｗ側に導かれる。

【００２７】この誘電体バリア放電ランプ４１からの紫
外線は、石英板４５を介して後述する排気カバー５５に
支持された基板Ｗに照射される。このため、石英板４５
としては、紫外線をできるだけ減衰させずに透過するも
のを採用することが必要となる。このような材質として
は、例えば無水合成石英等を利用することができる。但
し、紫外線を減衰させない材質であれば、石英以外のも
のを使用してもよい。

【００２８】ランプカバー４３の左側部には窒素ガスの
導入口４９が設けられており、図示しない窒素ガス供給
源から供給された窒素ガスがこの導入口４９からランプ
ボックス４７内に導入される。一方、ランプカバー４３
の右側部には、図示しない排出部に接続された窒素ガス
の排出口５１が設けられている。導入口４９から導入さ
れランプボックス４７内を通過した窒素ガスは、この排
出口５１より排出される。

【００２９】なお、ランプボックス４７内に窒素ガスを
供給する理由は次の通りである。すなわち、紫外線ラン
プとしてその波長が２００ｎｍ以下の真空紫外線を含む
紫外線を照射するランプを使用した場合、前述したよう
に、真空紫外線は空気雰囲気下で減衰しその到達距離は
きわめて短いことから、紫外線ランプより出射された紫
外線のうちの真空紫外線が基板Ｗに到達しないという現
象が発生する。この実施の形態のようにキセノンガスを
使用した誘電体バリア放電ランプ４１の場合、真空紫外
線の空気雰囲気下での到達距離は約１０ｍｍであること
から、誘電体バリア放電ランプ４１と基板Ｗと間に存在
する空気層の厚みが１０ｍｍ以上であれば、誘電体バリ
ア放電ランプ４１から照射された紫外線は実質的に基板
Ｗに全く到達しないこととなる。このため、ランプボッ
クス４７内に基板Ｗの処理に寄与する紫外線の吸収帯が
ない気体を連続的に供給することでランプボックス４７
内を当該気体によりパージし、ランプボックス４７内か
ら酸素分子を除去することにより、ランプボックス４７
内での真空紫外線の減衰を防止している。

【００３０】ランプボックス４７の外側には、上方に開
口部５３を有する排気カバー５５が配設されている。こ
の排気カバー５５の上部は、凸部５７と凹部５９が交互
に形成された凹凸形状となっている。そして、この排気
カバー５５の凸部５７により基板Ｗの裏面中央部が支持
される。なお、排気カバー５５の凸部５７により基板Ｗ
を支持するかわりに、排気カバー５５とは別に設けた支
持手段により基板Ｗを支持するようにしてもよい。

【００３１】なお、上記のように誘電体バリア放電ラン
プ４１から出射される波長１７２ｎｍの紫外線の空気雰
囲気下での到達距離は約１０ｍｍであることから、石英
板４５の上面と排気カバー５５の凸部５７に支持された
基板Ｗの裏面との距離が５ｍｍ程度となるように排気カ
バー５５等の寸法を設定している。

【００３２】排気カバー５５の底部には、排気カバー５
５内の気体を外部に排出するための排気口６１が設けら
れている。この排気カバー５５は、真空紫外線の照射工
程において発生するオゾンガスの周囲への拡散を防止す
るためのものである。排気カバー５５の排気口６１から
排気を行うことにより、排気カバー５５と基板Ｗの裏面
とにより形成される空間内のオゾンを含むガスが吸引さ
れ、排気カバー５５の外部へのオゾンガスの拡散が防止
される。

【００３３】なお、この紫外線照射装置４０は、紫外線
照射により空気中の酸素から発生するオゾンガスを利用
して基板Ｗ裏面の有機物を分解するものであることか
ら、基板Ｗの裏面に一定濃度のオゾンガスが存在する必
要がある。このため、排気カバー５５と基板Ｗとにより
形成される空間が気密状態となると、排気口６１から排
気を行った場合にこの空間が負圧となり、処理に必要な
オゾンの濃度が不足することになる。これを防止するた
め、前述したように、排気カバー５５の上部を凸部５７
と凹部５９が交互に形成された凹凸形状とし、凹部５９
より排気カバー５５の外部から空気を取り入れ可能な構
成とすることにより、オゾンの発生を促進し、処理に必
要なオゾン濃度を維持している。

【００３４】上記の説明においては、排気カバー５５の
上部を凸部５７と凹部５９が交互に形成された凹凸形状
とし、凸部５７により基板Ｗを支持しているが、図５に
示すように、基板Ｗを複数の支持ピン６３で支持すると
ともに、排気カバー５５の開口部５３の外周に沿って、
上方に向かって清浄な空気を噴出するエアーカーテンノ
ズル６５を配設することにより、オゾンガスの周囲への
拡散を防止する構成としてもよい。

【００３５】また、この場合においては、空気に換えて
窒素ガス等の不活性ガスを噴出することもできる。但
し、紫外線照射により空気中の酸素から発生するオゾン
ガスを利用して基板Ｗ表面の有機物を分解する処理にお
いては、前述したように、排気カバー５５内に一定濃度
の酸素が存在することが要求されることから、排気カバ
ー５５内に外部の空気を取り入れることが可能なよう
に、排気口６１からの排気量と不活性ガスの噴出量とを
設定する必要がある。

【００３６】次に、本発明に係る基板処理装置におい
て、紫外線照射装置４０により基板Ｗの裏面に紫外線を
照射する工程について説明する。

【００３７】処理を行うべき基板Ｗは、カセット１に収
納された状態で基板処理装置のインデクサー部３におけ
るテーブル１１上に載置される。そして、インデクサー
部３の搬送装置１４における搬送アーム７１が基板Ｗを
下方から支持し、図６に示すように、その基板Ｗを紫外
線照射装置４０の排気カバー５５上に載置する。なお、
これに先立ち、導入口４９から窒素ガスを導入するとと
もに排出口５１よりこの窒素ガスを排出することでラン
プボックス４７内に窒素ガスを循環させ、ランプボック
ス４７内を予め窒素ガスでパージしておく。

【００３８】次に、誘電体バリア放電ランプ４１を点灯
させるとともに、排気口６１から排気を行う。これによ
り、基板Ｗの裏面における排気カバー５５に囲まれた中
央部が、誘電体バリア放電ランプ４１から照射される真
空紫外線により処理され、親水化される。

【００３９】この紫外線の照射工程においては、ランプ
ボックス４７内は窒素ガスでパージされていることか
ら、誘電体バリア放電ランプ４１から出射された真空紫
外線は、ランプボックス４７内で減衰することなく石英
板４５から出射され、基板Ｗに到達する。また、排気カ
バー５５内においては、真空紫外線により空気中の酸素
から変換したオゾンガスが発生するが、このオゾンガス
は排気口６１より外部に排出される。このため、基板処
理装置の内部にオゾンガスが拡散することはない。

【００４０】なお、紫外線照射処理中における排気口６
１からの排気は、排気カバー５５と基板Ｗとにより形成
される空間から、紫外線により発生するオゾンガスが漏
洩しない程度の強さとすれば十分である。

【００４１】基板Ｗの裏面における紫外線照射処理に必
要な時間が経過すれば、誘電体バリア放電ランプ４１を
消灯する。そして、排気口６１からの排気を最大とし排
気カバー５５内に残存するオゾンガスを完全に排出す
る。

【００４２】そして、図６に示すように、基板搬送部７
の主搬送装置２９における搬送アーム７３が基板Ｗを下
方から支持し、基板処理部５におけるスピンスクラバ１
７に搬送する。

【００４３】なお、基板Ｗに対する紫外線照射処理の終
了後においても誘電体バリア放電ランプ４１を消灯しな
い場合には、紫外線により空気中の酸素がオゾンガスに
変換し、当該オゾンガスが基板Ｗが取り除かれた排気カ
バー５５の上方の開口部５３より基板処理装置の内部に
拡散することになるが、上記のように、点灯後短時間で
安定化する誘電体バリア放電ランプ４１を使用し、この
誘電体バリア放電ランプ４１を紫外線照射処理終了後に
消灯する構成とすることにより、このような不要なオゾ
ンガスの発生を防止することができる。なお、紫外線ラ
ンプとして、低圧水銀ランプ等の点灯後短時間では安定
しないランプを使用する場合には、シャッターにより紫
外線を遮断して、オゾンガスの発生を防止する構成とす
ることが好ましい。

【００４４】次に、紫外線照射装置４０の変形例につい
て説明する。図７は、変形例に係る紫外線照射装置４０
の断面図であり、図８はその平面図である。なお、これ
らの図において、図３および図４に示す紫外線照射装置
４０と同一の部材については、同一の符号を付して詳細
な説明を省略する。

【００４５】この紫外線照射装置４０は、基板Ｗの裏面
に紫外線を照射するための２本の誘電体バリア放電ラン
プ４１を備える。そして、これらの誘電体バリア放電ラ
ンプ４１は、各々、半円形のランプカバー４３ａ、４３
ｂと石英板４５ａ、４５ｂからなるランプボックス４７
ａ、４７ｂ内に収納されている。また、各ランプボック
ス４７ａ、４７ｂには、ランプボックス４７ａ、４７ｂ
内に窒素ガスを供給する導入口４９と、ランプボックス
４７ａ、４７ｂ内の窒素ガスを排出する排出口５１とが
設けられている。

【００４６】ランプボックス４７ａ、４７ｂの外側に
は、上方に開口部５３を有し、下方に排気口６１を有す
る排気カバー５５が配設されている。また、排気カバー
５５の中央部には、排気カバー５５に支持される基板Ｗ
の裏面に空気を供給する供給管７５が配設されている。

【００４７】この紫外線照射装置４０において、排気カ
バー５５の上部に設けられた凸部５７上に載置した基板
Ｗに誘電体バリア放電ランプ４１からの紫外線を照射す
る際には、排気口６１から排気を行うとともに、供給管
７５より基板Ｗの裏面に空気を供給する。すると、排気
カバー５５の凹部５９から排気カバー５５内に進入した
空気と供給管７５から排気カバー５５内に進入した空気
とが、排気カバー５５内における基板Ｗの裏面に均一に
供給される。そして、この空気中の酸素が真空紫外線に
よりオゾンに変換し、基板Ｗの裏面における排気カバー
５５に囲まれた中央部を親水化する。基板Ｗの処理に利
用されたオゾンガスは、排気カバー５５の下方に設けら
れた排気口６１より排出される。

【００４８】なお、上述した紫外線照射装置４０におい
ては、いずれも、基板Ｗの中央部を排気カバー５５で覆
い、中央部のみに紫外線を照射して処理する場合につい
て説明したが、図９に示すように、排気カバー５５を基
板Ｗの裏面のほぼ全域を覆う形状とし、基板Ｗの裏面の
ほぼ全域に紫外線を照射して処理するようにしてもよ
い。

【００４９】上述した第１実施形態においては、空気雰
囲気下での到達距離が短い真空紫外線を照射する誘電体
バリア放電ランプ４１を窒素ガスでパージされたランプ
ボックス４７内に設置し、誘電体バリア放電ランプ４１
からの真空紫外線を基板Ｗの裏面に近接して配置された
石英板４５を介して基板Ｗに照射している。このため、
誘電体バリア放電ランプ４１からの真空紫外線は、基板
Ｗの裏面には照射されるが、紫外線照射装置４０の外部
まで到達することはない。また、ランプボックス４７の
外周を囲む排気カバー５５を設け、この排気カバー５５
内の気体を排気口６１から排気する構成としているた
め、真空紫外線により発生するオゾンガスが紫外線照射
装置４０の外部に漏洩することはない。

【００５０】次に、この発明に係る紫外線照射装置の第
２実施形態について説明する。図１０はこの発明に係る
基板処理装置の第２実施形態を示す平面図であり、図１
１は紫外線照射装置８０を備えた受け渡し部８５の概要
を示す断面図である。

【００５１】この基板処理装置は、複数枚の基板Ｗを収
納したカセット１を前工程から受け取るインデクサー部
８３と、スピンスクラバを含む複数の処理ユニット８４
を備えた基板処理部８６と、インデクサー部８３と基板
処理部８６との間に設けられた受け渡し部８５と、基板
処理部８６における各処理ユニット８４間で基板Ｗを搬
送する基板搬送部８７とから構成されている。

【００５２】インデクサー部３は、複数のカセット１を
載置するテーブル８９と、搬送路９１に沿って移動する
搬送装置９３とを備える。搬送装置９３は基板Ｗの下面
を吸着保持する搬送アーム９４を有し、基板Ｗをカセッ
ト１と受け渡し部８５との間で受け渡しする。

【００５３】受け渡し部８５は、搬送アーム９４に吸着
保持された基板Ｗを受け取る４本の支持ピン９９と、支
持ピン９９に支持された基板Ｗを保持して昇降する紫外
線照射装置８０とを備える。

【００５４】この紫外線照射装置８０は、第１実施形態
に係る紫外線照射装置４０と同様の構成を備えるもので
あり、ランプカバー４３と石英板４５から成るランプボ
ックス４７内に収納された誘電体バリア放電ランプ４１
を有する。また、ランプカバー４３の左側部には窒素ガ
スの導入口４９が設けられており、ランプカバー４３の
右側部には、窒素ガスの排出口５１が設けられている。
導入口４９から導入されランプボックス４７内を通過し
た窒素ガスは、この排出口５１より排出される。ランプ
ボックス４７の外側には、上方に開口部５３を有する排
気カバー５５が配設されており、この排気カバー５５の
上部は、凸部５７と凹部５９が交互に形成された凹凸形
状となっている。そして、この排気カバー５５の凸部５
７により基板Ｗの裏面中央部が支持される。また、排気
カバー５５の底部には、排気カバー５５内の気体を外部
に排出するための排気口６１が設けられている。さら
に、この紫外線照射装置８０は、図示しない駆動源に連
結されており、図１１において実線で示す待機位置と二
点鎖線で示す紫外線の照射位置との間を昇降する。

【００５５】基板処理部８６は、基板搬送部８７の両側
に対向して配置した複数の処理ユニット８４を備える。
この処理ユニット８４の内の一つは、基板Ｗに洗浄液を
供給して洗浄するとともに基板Ｗを高速回転して乾燥す
る機能を有するスピンスクラバとなっている。

【００５６】基板搬送部８７は、搬送路９５に沿って移
動する主搬送装置９７を備える。主搬送装置９７は、基
板Ｗの下面を保持する搬送アーム９８を備え、受け渡し
部８５から受け取った基板Ｗを、各処理ユニット８４の
間で搬送するとともに、処理の終了した基板Ｗを受け渡
し部８５に搬出する。

【００５７】このような基板処理装置においては、カセ
ット１に収納されて前工程よりインデクサー部８３に搬
入された基板Ｗは、搬送装置９３の搬送アーム９４によ
りその下面を吸着保持されて搬送され、受け渡し部８５
の支持ピン９９上に載置される。このときには、紫外線
照射装置８０は、図１１に実線で示す待機位置まで下降
している。

【００５８】そして、搬送アーム９４が受け渡し部８５
より退出すれば、紫外線照射装置８０が図１１において
二点鎖線で示す紫外線の照射位置まで上昇する。これに
伴い、支持ピン９９上に載置されている基板Ｗは、紫外
線照射装置８０における排気カバー５５の凸部５７に支
持されて上昇する。

【００５９】この状態において、誘電体バリア放電ラン
プ４１を点灯して、基板Ｗの下面中央部に紫外線を照射
する。このとき、ランプボックス４７内を窒素ガスによ
り予めパージしておき、誘電体バリア放電ランプ４１よ
り出射される真空紫外線の減衰を防止する。また、排気
カバー５５の排気口６１から排気を行うことにより、排
気カバー５５と基板Ｗの裏面とにより形成される空間内
のオゾンを含むガスを吸引し、排気カバー５５の外部へ
のオゾンガスの拡散を防止する。基板Ｗの裏面における
紫外線照射処理に必要な時間が経過すれば、誘電体バリ
ア放電ランプ４１を消灯する。そして、排気口６１から
の排気を最大とし排気カバー５５内に残存するオゾンガ
スを完全に排出する。

【００６０】そして、基板搬送部８７の主搬送装置９７
における搬送アーム９８が基板Ｗを下方から支持し、基
板処理部５における処理ユニット８４に搬送する。ま
た、紫外線照射装置８０は、待機位置まで下降する。

【００６１】なお、図１０に示す基板処理装置において
は、基板搬送路８７の両側に対向して配置した４個の処
理ユニット８４を備えているが、搬送路８７の片側に処
理ユニットを配置してもよい。図１２は、このような基
板処理装置を示す平面図である。なお、図１０に示す基
板処理装置と同一の部材には同一の符号を付して詳細な
説明を省略する。

【００６２】この基板処理装置は、基板搬送路８７の片
側にスピンスクラバ１８４と縦型基板乾燥機１８５とを
配設した点が図１０に示す基板処理装置と異なる。な
お、縦型基板乾燥機１８５は、温純水を貯留した処理槽
中に浸漬した基板Ｗを低速で温順水中より引き上げるこ
とにより、温純水の表面張力を利用して基板Ｗの表面の
乾燥を行う装置である。このような縦型基板乾燥装置１
８５において基板Ｗを乾燥する場合においても、基板Ｗ
の裏面が疎水性となっている場合には、基板Ｗを温純水
中から引き上げた後にも基板Ｗの裏面に水滴が残存する
という現象が発生する。このため、この基板処理装置に
おいても、図１０に示す基板処理装置と同様、受け渡し
部８５に図１１に示す紫外線照射装置８０を配置してい
る。

【００６３】この基板処理装置においては、図１０に示
す基板処理装置と同様に、カセット１に収納されて前行
程よりインデクサー部８３に搬入された基板Ｗは、搬送
装置９３の搬送アーム９４により受け渡し部８５に搬送
され、紫外線照射装置８０により紫外線の照射を受け
る。そして、この基板Ｗは、主搬送装置９７によりスピ
ンスクラバー１８４に搬送され、洗浄処理された後、縦
型基板乾燥機１８５に搬送される。縦型基板乾燥機１８
５においては、基板Ｗは、図示しない基板把持アームに
よりその表面が鉛直方向を向く位置まで変位され、温純
水中に浸漬された後引き上げられることにより乾燥処理
される。乾燥の終了した基板Ｗは、主搬送装置９７およ
び搬送装置９３により、搬出用のカセット１に収納され
る。

【００６４】上述した第２実施形態においても、空気雰
囲気下での到達距離が短い真空紫外線を照射する誘電体
バリア放電ランプ４１を窒素ガスでパージされたランプ
ボックス４７内に設置し、誘電体バリア放電ランプ４１
からの真空紫外線を基板Ｗの裏面に近接して配置された
石英板４５を介して基板Ｗに照射している。このため、
誘電体バリア放電ランプ４１からの真空紫外線は、基板
Ｗの裏面には照射されるが、紫外線照射装置８０の外部
まで到達することはない。また、ランプボックス４７の
外周を囲む排気カバー５５を設け、この排気カバー５５
内の気体を排気口６１から排気する構成としているた
め、真空紫外線により発生するオゾンガスが紫外線照射
装置８０の外部に漏洩することはない。

【００６５】次に、この発明に係る基板処理装置の第３
実施形態について説明する。図１３はこの発明に係る基
板処理装置の第３実施形態を示す平面図であり、図１４
は紫外線照射装置１００を備えた受け渡し部１０５の概
要を示す断面図である。

【００６６】この基板処理装置は、基板Ｗを前工程から
搬送する複数の搬送ローラ１０１を有する搬送部１０３
と、スピンスクラバ１０６と、搬送部１０３とスピンス
クラバ１０６との間で基板Ｗを挟持して搬送する搬送装
置１０７とを備える。この基板処理装置においては、基
板Ｗは、搬送部１０３の後端において、搬送部１０３か
ら搬送装置１０７に受け渡される。従って、この搬送装
置１０３の後端部が基板Ｗの受け渡し部１０５として機
能する。

【００６７】搬送部１０３における受け渡し部１０５に
おいては、搬送ローラ１０１として、その長さが短いも
のが使用され、それらの搬送ローラ１０１間に空間が形
成されている。そして、この空間内に紫外線照射装置１
００が配設されている。

【００６８】この紫外線照射装置１００は、上記第１、
第２実施形態に係る紫外線照射装置４０、８０とほぼ同
様の構成を備えるものであり、ランプカバー４３と石英
板４５から成るランプボックス４７内に収納された誘電
体バリア放電ランプ４１を有する。また、ランプカバー
４３の左側部には窒素ガスの導入口４９が設けられてお
り、ランプカバー４３の右側部には、窒素ガスの排出口
５１が設けられている。導入口４９から導入されランプ
ボックス４７内を通過した窒素ガスは、この排出口５１
より排出される。

【００６９】また、ランプボックス４７の外側には、上
方に開口部５３を有する排気カバー５５が配設されてい
る。但し、この排気カバー５５の上部は、第１、第２実
施例とは異なり、平坦な形状となっている。そして、こ
の排気カバー５５の上端は、搬送ローラ１０１により搬
送される基板Ｗの下面と１ｍｍ程度まで近接する位置に
設置されている。排気カバー５５の底部には、排気カバ
ー５５内の気体を外部に排出するための排気口６１が設
けられている。

【００７０】このような基板処理装置においては、搬送
ローラ１０１により前工程より搬送されてきた基板Ｗ
は、搬送部１０３の後端の基板受け渡し部１０５におい
て停止する。このとき、基板Ｗの裏面は紫外線照射装置
１００と対向している。

【００７１】この状態において、誘電体バリア放電ラン
プ４１を点灯して、基板Ｗの下面中央部に紫外線を照射
する。このとき、ランプボックス４７内を予め窒素ガス
によりパージしておき、誘電体バリア放電ランプ４１よ
り出射される真空紫外線の減衰を防止する。また、排気
カバー５５の排気口６１から排気を行うことにより、排
気カバー５５の外部へのオゾンガスの拡散を防止する。
このとき、基板Ｗの裏面と排気カバー５５の上端とは近
接して位置しているため、排気カバー５５と基板Ｗの裏
面とにより形成される空間内のオゾンを含むガスが有効
に吸引される。

【００７２】基板Ｗの裏面における紫外線照射処理に必
要な時間が経過すれば、誘電体バリア放電ランプ４１を
消灯する。そして、排気口６１からの排気を最大とし排
気カバー５５内に残存するオゾンガスを完全に排出す
る。そして、搬送装置１０７が基板Ｗを挟持して、基板
Ｗをスピンスクラバ１０６に搬送する。

【００７３】上述した第３実施形態においても、空気雰
囲気下での到達距離が短い真空紫外線を照射する誘電体
バリア放電ランプ４１を窒素ガスでパージされたランプ
ボックス４７内に設置し、誘電体バリア放電ランプ４１
からの真空紫外線を基板Ｗの裏面に近接して配置された
石英板４５を介して基板Ｗに照射している。このため、
誘電体バリア放電ランプ４１からの真空紫外線は、基板
Ｗの裏面には照射されるが、紫外線照射装置１００の外
部まで到達することはない。また、ランプボックス４７
の外周を囲む排気カバー５５を設け、この排気カバー５
５内の気体を排気口６１から排気する構成としているた
め、真空紫外線により発生するオゾンガスが紫外線照射
装置１００の外部に漏洩することはない。

【００７４】以上の第１、第２、第３実施形態において
は、短時間で安定することから点灯と消灯とを繰り返す
ことができる誘電体バリア放電ランプ４１を紫外線ラン
プとして使用した場合について説明したが、低圧水銀ラ
ンプ等のその他の紫外線ランプを使用することも可能で
ある。

【００７５】また、第１、第２、第３実施形態において
は、基板Ｗをスピンスクラバにより洗浄する基板処理装
置にこの発明を適用した場合について述べたが、その他
の洗浄装置により基板Ｗを洗浄する基板処理装置にこの
発明を適用することも可能である。

【００７６】また、第１、第２、第３実施形態において
は、角形の液晶パネル用ガラス基板Ｗに対して処理を行
う基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明
したが、この発明は半導体ウエハに対して処理を行う基
板処理装置に対しても同様に適用することが可能であ
る。

【００７７】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、基板の
裏面に紫外線を照射する紫外線ランプを備えていること
から、基板の裏面の有機物等を分解して基板の裏面を親
水化することが可能となる。このため、後工程において
基板の裏面に洗浄液が残存することによるパーティクル
の発生を防止できる。

【００７８】また、紫外線ランプを、特に、基板処理装
置に搬入された全ての基板が通過する基板の受け渡し部
に配設していることから、基板裏面への紫外線照射のた
めに特別な搬送工程を生ずることなく、全ての基板に対
して効率的に紫外線照射処理を行うことが可能となる。
さらに、基板処理装置に本来設置されている基板の受け
渡し部に紫外線ランプを配設していることから、基板に
対して紫外線の照射処理を行うための特別なスペースは
不要となり、基板処理装置全体の占有面積を小型化する
ことができる。

【００７９】請求項２に記載の発明によれば、排気カバ
ーとこの排気カバーの内部から気体を排出する排気口と
をさらに備えているため、紫外線照射により排気カバー
内で発生するオゾンガスの外部への拡散を防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を
示す平面図である。

【図２】この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を
示す正面図である。

【図３】紫外線照射装置４０の断面図である。

【図４】紫外線照射装置４０の平面図である。

【図５】紫外線照射装置４０の変形例を示す断面図であ
る。

【図６】基板の受け渡し状態を示す概要図である。

【図７】紫外線照射装置４０の変形例を示す断面図であ
る。

【図８】紫外線照射装置４０の変形例を示す平面図であ
る。

【図９】紫外線照射装置４０の変形例を示す平面図であ
る。

【図１０】この発明に係る基板処理装置の第２の実施形
態を示す平面図である。

【図１１】受け渡し部８５の概要を示す断面図である。

【図１２】この発明に係る基板処理装置の第２の実施形
態の変形例を示す平面図である。

【図１３】この発明に係る基板処理装置の第３の実施形
態を示す平面図である。

【図１４】受け渡し部１０５の概要を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１４搬送装置１５受け渡し部２９主搬送装置４０紫外線照射装置４１誘電体バリア放電ランプ５３開口部５５排気カバー６１排気口８０紫外線照射装置８５受け渡し部９３搬送装置９７主搬送装置１００紫外線照射装置１０１搬送ローラ１０５受け渡し部１０７搬送装置Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の受け渡し部と、前記受け渡し部に
基板を搬送する第１の搬送装置と、前記第１の搬送装置
により前記受け渡し部に搬送された基板を後段の処理ユ
ニットに搬送する第２の搬送装置とを備えた基板処理装
置において、前記受け渡し部に搬送された基板の裏面に紫外線を照射
する紫外線ランプを前記受け渡し部に配設したことを特
徴とする基板処理装置。
【請求項２】受け渡し部に搬送された基板の裏面に臨
む開口部を有しその内部に紫外線ランプを収納する排気
カバーと、前記排気カバーの内部から気体を排出する排出口と、をさらに備えた請求項１に記載の基板処理装置。