KR20140113330A - 기판 세정 건조 방법 및 기판 현상 방법 - Google Patents

Abstract

기판 세정 건조 방법은, 현상 후의 기판에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정 공정과, 기판 상에 세정액을 축적하는 액 축적 공정과, 기판 상에 축적된 세정액의 막 두께를 얇게 하는 박막화 공정과, 기판을 회전시켜, 기판의 상방을 덮는 외기류를 형성하고, 기판 상의 세정액을 이동시키기 위한 내기류를 외기류와 기판 사이에 형성하는 건조 공정을 구비한다.

Description

기판 세정 건조 방법 및 기판 현상 방법{SUBSTRATE CLEANING AND DRYING METHOD AND SUBSTRATE DEVELOPING METHOD}

본 발명은, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정표시장치용 유리 기판, 광디스크용 기판 등(이하, 단순히 기판이라 칭함)을 세정하고, 건조하는 기판 세정 건조 방법과, 이 기판 세정 건조 방법을 포함하는 기판 현상 방법에 관한 것이다.

포토리소그래피 기술은, 기판 상에 레지스트막을 형성하고, 이 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하고, 노광된 레지스트막을 현상한다. 현상에서는, 기판에 현상액을 공급하여 레지스트막의 가용성 부위를 용해한다. 계속해서, 기판에 세정액을 공급하여 현상액이나 용해에 의해서 생성된 용해 생성물 등을 씻어낸다. 가용성 부위가 기판으로부터 제거되면, 기판 상에 레지스트 패턴이 나타난다. 또한, 이 기판으로부터 세정액을 제거하여, 기판을 건조한다.

여기서, 기판을 세정하고, 건조하는 한 방법이, 예를 들면, 일본국 특허 공개 2012-165000호 공보에 개시되어 있다. 이 방법에서는, 세정액을 토출하는 세정액 노즐과 가스를 토출하는 가스 노즐을 서로 근접시켜 기판의 상방에 배치한다. 그리고, 두 노즐을 이동시키면서, 각 노즐로부터 세정액/가스를 기판에 동시에 토출시킨다.

그러나, 이러한 구성을 갖는 종래예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.

즉, 종래 기술에서는, 가스 노즐이 1의 위치에 있을 때, 기판이 건조되는 건조 영역은, 가스 노즐의 직하를 중심으로 한, 기판 상의 국소적인 영역으로 한정되어 있다. 가스 노즐이 기판의 상방을 빠짐없이 이동함으로써, 기판의 전체가 건조된다. 따라서, 기판 전체를 건조시키는 시간이 비교적 길다.

또, 세정액 노즐과 가스 노즐이 근접하고 있으므로, 가스의 흐름에 의해서 세정액의 흐름이 흐트러져, 미스트나 액적이 생겨버릴 우려가 있다. 이 때문에, 가스의 토출량을 증대시키는 것이 곤란하고, 건조 시간을 단축하는 것이 곤란하다.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 기판을 단시간에 건조할 수 있는 기판 세정 건조 방법 및 기판 현상 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서 다음과 같은 구성을 취한다.

즉, 본 발명은, 기판 세정 건조 방법으로서, 상기 방법은 이하의 요소를 포함한다:

현상 후의 기판에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정 공정;

기판 상에 세정액을 축적하는 액 축적 공정;

기판 상에 축적된 세정액의 막 두께를 얇게 하는 박막화 공정;

기판을 회전시켜, 기판의 상방을 덮는 외기류를 형성하고, 기판 상의 세정액을 이동시키기 위한 내기류를 외기류와 기판 사이에 형성하는 건조 공정.

본 발명에 따른 기판 세정 건조 방법에 의하면, 세정 공정과 액 축적 공정과 박막화 공정과 건조 공정을 구비하고 있다. 세정 공정에서는, 기판 상의 현상액이나 용해 생성물 등을 씻어낸다. 이 결과, 기판의 상면에는 레지스트 패턴이 나타난다.

액 축적 공정에서는, 기판의 상면이 발수성이어도, 기판의 상면 전체에 세정액의 액막을 형성할 수 있다. 레지스트 패턴의 전체는, 이 액막(세정액) 중에 잠긴다.

박막화 공정에서는, 기판 상에 액막이 형성된 상태를 유지한 채로, 그 액막의 막 두께를 얇게 한다. 이에 의해, 레지스트 패턴의 전체를 액막(세정액) 내에 침지한 채로, 기판 상의 세정액의 양이 줄어든다.

건조 공정에서는, 기판을 회전시켜, 외기류를 형성하고, 또한, 내기류를 형성한다. 내기류의 힘과 기판의 회전에 의해서 발생하는 원심력에 의해서 기판 상의 세정액을 이동시킨다. 외기류는, 내기류의 상방에 형성되어 있다. 이 외기류에 의해서, 내기류의 힘이 세정액에 효과적으로 작용한다. 따라서, 세정액은 신속하게 기판 상으로부터 제거된다(즉, 기판은 신속하게 건조된다). 또, 건조 공정 전에 박막화 공정을 미리 행하고 있으므로, 건조 공정에 있어서 이동시키는 세정액의 양은 적다. 따라서, 한층 짧은 시간에 기판을 건조할 수 있다.

그런데, 레지스트 패턴은 세정액에 의해서 도괴되는 경우가 있다. 여기서, 세정액에 기인하여 발생하여, 레지스트 패턴을 도괴시키는 힘을 적절히 「도괴력」이라고 부른다. 이 도괴력은, 레지스트 패턴의 전부가 세정액 중에 가라앉아 있을 때는 발생하지 않고, 레지스트 패턴의 일부만이 세정액에 잠겨 있을 때(즉, 레지스트 패턴의 일부가 건조되고 있을 때)에 발생한다. 본 발명의 경우, 액 축적 공정 및 박막화 공정을 실행하고 있을 때는, 레지스트 패턴 전체가 세정액 내에 잠겨 있으므로, 도괴력이 발생하지 않는다. 유일하게 도괴력이 발생할 가능성이 있는 것은, 건조 공정을 행하고 있을 때이다. 이 건조 공정은, 상술한 바와 같이 단시간에 완료된다. 이와 같이, 본 발명에서는, 건조 공정을 개시할 때까지 도괴력을 발생시키지 않고, 건조 공정을 개시한 후에는 단시간에 건조 공정을 종료한다. 이 때문에, 도괴력이 발생하는 시간을 짧게 할 수 있어, 레지스트 패턴이 흐트러지는 것을 적절하게 억제할 수 있다.

상술한 발명에 있어서, 내기류는 기판의 상면을 향해 흐르고, 외기류는 기판의 상방을 대략 수평 방향으로 흐르는 것이 바람직하다. 외기류는, 대략 수평 자세로 유지되는 기판의 상방을 적절하게 덮을 수 있다. 내기류는, 기판의 상면에 닿으므로(충돌하므로), 기판 상의 세정액을 적극적으로 이동시킬 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 내기류는 기판의 상면에 닿아 주위로 확산되고, 외기류는 주위로 확산되는 내기류의 높이 위치를 낮게 하는 것이 바람직하다. 내기류는, 그 방향에 따라서, 기판에 닿을 때까지의 기류와, 기판에 닿은 후의 기류로 나눌 수 있다. 기판에 닿은 후의 기류는 주위로 확산된다. 외기류는, 주로 주위로 확산되는 내기류를 안내한다. 이에 의해, 주위로 확산되는 내기류는 기판의 상면 근처를 흐르고, 세정액을 적절하게 이동시킨다. 따라서, 세정액을 기판 상으로부터 효율적으로 제거할 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 외기류는 평면에서 봤을 때 기판의 중앙부로부터 주연부를 향해서 흐르고, 내기류는 기판의 중앙부에 닿아 기판의 주연부로 확산되는 것이 바람직하다. 기판의 상면 중, 기판의 중앙부가 우선 건조된다. 즉, 기판의 중앙부가 다른 부분보다도 먼저 건조 영역이 된다. 건조 영역은 기판의 중앙부로부터 주연부를 향해 확대된다. 곧 기판 전체가 건조된다. 여기서, 외기류의 방향은, 주연부로 확산되는 내기류의 방향과 대략 평행이다. 따라서, 외기류는 주연부로 확산되는 내기류를 원활하게 안내할 수 있다. 주연부로 확산되는 내기류는 세정액을 적절하게 이동시킬 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 외기류는, 기판의 중앙부의 상방으로부터 대략 수평 방향으로 기체를 토출함으로써 생성되고, 내기류는, 기판의 중앙부의 상방으로부터 대략 연직 하방으로 기체를 토출함으로써 생성되는 것이 바람직하다. 적절한 위치에서 적절한 방향으로 기체를 토출함으로써 외기류 및 내기류를 생성한다. 따라서, 기체를 특정 방향으로 흘리기 위한 안내 부재나 정류 부재를 별도로 구비하지 않고, 외기류 및 내기류를 적절하게 형성할 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 외기류 및 내기류를, 단일의 기체 노즐에 의해서 동시에 생성하는 것이 바람직하다. 이에 의하면, 부품 점수를 줄일 수 있다. 특히, 외기류를 생성하기 위한 기체의 토출 위치와, 내기류를 생성하기 위한 기체의 토출 위치가 같은 경우, 이 기체 노즐을 적절하게 소형화할 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 외기류는, 기체 노즐의 측면으로부터 기체를 주위에 토출함으로써 생성되고, 내기류는, 기체 노즐의 하면으로부터 기체를 하방으로 토출함으로써 생성되는 것이 바람직하다. 기체 노즐의 측면으로부터 기체를 토출함으로써, 기판의 상방을 덮는 외기류를 적절하게 형성할 수 있다. 또, 기체 노즐의 바닥면으로부터 기체를 토출함으로써, 기판과 외기류 사이에 내기류를 적절하게 형성할 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 기체 노즐은 평면에서 봤을 때 기판보다도 작은 것이 바람직하다. 장치의 대형화를 방지할 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 건조 공정에서는, 기체 노즐에 의해서 외기류 및 내기류를 생성시키면서, 기체 노즐을 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터 대략 수평 방향으로 이동시키는 것이 바람직하다. 기체 노즐이 기판의 중앙부의 상방의 위치에 있을 때, 기체 노즐은 기판의 중앙부를 향해서 내기류를 토출한다. 그 후, 기체 노즐이 대략 수평 방향으로 이동하면, 기체 노즐은 기판의 중앙부 이외의 영역을 향해서 내기류를 토출한다. 이에 의해, 기판 상의 세정액을 한층 효율적으로 이동시킬 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 건조 공정에서는 기판에 세정액을 공급하지 않는 것이 바람직하다. 외기류 및 내기류의 각 유량을 용이하게 증대할 수 있다. 따라서, 기판을 보다 짧은 시간에 건조할 수 있다.

또, 상술한 발명에 있어서, 건조 공정에서는, 기판의 회전수를 소정의 상한치 이하로 하여 기판의 주연단(端)을 그 내측보다도 먼저 건조시키지 않는 것이 바람직하다. 기판의 회전수를 상한치 이하로 제한함으로써, 기판의 주연단이 그 내측보다도 조기에 건조되는 것을 억제한다. 이에 의해, 세정액을 기판의 주연단으로 원활하게 이동시킬 수 있다. 이에 의해, 세정 공정 및 건조 공정을 포함하는 기판 처리의 품질이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또, 본 발명은, 기판 현상 방법으로서, 상기 방법은 이하의 요소를 포함한다:

기판에 현상액을 공급하여 기판을 현상하는 현상 공정;

현상 후의 기판에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정 공정;

기판 상에 세정액을 축적하는 액 축적 공정;

기판 상에 축적된 세정액의 막 두께를 얇게 하는 박막화 공정;

기판을 회전시켜, 기판의 상방을 덮는 외기류를 형성하고, 기판 상의 세정액을 이동시키기 위한 내기류를 외기류와 기판 사이에 형성하는 건조 공정.

본 발명에 따른 기판 현상 방법에 의하면, 기판을 단시간에 건조할 수 있다. 따라서, 레지스트 패턴이 흐트러지는 것을 적절하게 억제할 수 있다. 즉, 현상 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등을 포함하는 일련의 기판 처리의 품질이 저하하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 명세서는, 다음과 같은 기판 세정 건조 방법 및 기판 현상 방법에 따른 발명도 개시하고 있다.

(1) 상술한 발명에 있어서, 주위로 확산되는 내기류가 기판의 상면을 따라서 흐르도록, 외기류가 내기류를 안내하는 것이 바람직하다.

상기 (1)에 기재된 발명에 의하면, 주위로 확산되는 내기류가, 세정액을 적절하게 이동시킬 수 있다.

(2) 상술한 발명에 있어서, 주위로 확산되는 내기류가 기판의 상면에 접하면서 흐르도록, 외기류가 내기류를 안내하는 것이 바람직하다.

상기 (2)에 기재된 발명에 의하면, 주위로 확산되는 내기류가, 세정액을 적절하게 이동시킬 수 있다.

(3) 상술한 발명에 있어서, 액 축적 공정, 박막화 공정 및 건조 공정은 각각, 그 상면에 레지스트 패턴이 나타나 있는 기판을 처리하고, 액 축적 공정 및 박막화 공정을 행하고 있을 때, 기판 상에 축적된 세정액 중에 레지스트 패턴의 전체가 잠겨 있는 것이 바람직하다.

상기 (3)에 기재된 발명에 의하면, 액 축적 공정 및 박막화 공정이 실행되고 있을 때에는 도괴력이 발생하지 않기 때문에, 레지스트 패턴을 적절하게 보호할 수 있다.

(4) 상술한 발명에 있어서, 세정 공정, 액 축적 공정 및 박막화 공정이 모두 완료된 후에 건조 공정을 개시하는 것이 바람직하다.

상기 (4)에 기재된 발명에 의하면, 세정 공정, 액 축적 공정 및 박막화 공정 어느 것도 동시에 건조 공정을 행하지 않기 때문에, 건조 공정에 필요로 하는 건조 시간을 한층 단축할 수 있다.

발명을 설명하기 위해서 현재 적절하다고 생각되는 몇 가지 형태가 도시되어 있는데, 발명이 도시된 바와 같은 구성 및 방책으로 한정되는 것은 아님을 이해하길 바란다.
도 1은, 실시예 1에 따른 현상 장치의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 2a는 기체 노즐 및 세정액 노즐의 측면도이며, 도 2b는 기체 노즐의 평면도이다.
도 3은, 기체 노즐의 내부 구조를 나타내는 도면이다.
도 4는, 기판 현상 방법의 순서를 나타내는 플로차트이다.
도 5는, 기판 현상 방법의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 6a 내지 도 6h는 각각 기판에 대한 처리를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은, 선행 건조의 설명도이다.
도 8은, 실시예 2에 따른 현상 장치의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 9는, 기판 현상 방법의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 10a 내지 10d는, 건조 공정에 있어서의 처리를 모식적으로 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명의 적절한 실시예를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.

제1 실시예

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1을 설명한다.

1. 현상 장치의 구성

도 1은, 실시예 1에 따른 현상 장치의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다. 현상 장치(1)는, 노광이 끝난 레지스트막이 표면에 형성된 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼)(W)을 처리한다. 구체적으로는, 현상 장치(1)는 이 기판(W)을 현상하고, 세정하고, 건조한다. 본 명세서에서는, 이들의 전체 처리를 「기판 현상 방법」이라고 부르고, 세정 및 건조를 특히 「기판 세정 건조 방법」이라고 부른다.

현상 장치(1)는, 기판(W)을 대략 수평 자세로 유지하는 스핀 척(3)을 구비하고 있다. 스핀 척(3)은 기판(W)의 하면을 흡착한다. 스핀 척(3)은 회전축(5)을 통해 모터(7)에 연결되어 있다. 모터(7)는 회전축(5)을 회전 구동한다. 이에 의해, 기판(W)은 그 중심을 통과하는 대략 연직축(VA) 둘레로 회전한다.

스핀 척(3)의 주위에는 비산 방지 컵(11)이 배치되어 있다. 비산 방지 컵(11)은 기판(W)으로부터 비산하는 현상액 등을 회수하고, 하방으로 안내한다. 비산 방지 컵(11)의 하부에는 배액관(12)과 배기관(13)이 접속되어 있다. 배액관(12)은 회수된 현상액 등을 비산 방지 컵(11)의 외부로 배출한다. 배기관(13)은 비산 방지 컵(11) 내의 기체(미스트나 파티클을 포함함)를 외부로 배출한다.

또한, 본 장치(1)는, 현상액 노즐(15)과 세정액 노즐(17)과 기체 노즐(19)을 구비하고 있다. 각 노즐(15, 17, 19)은, 각각 현상액, 세정액, 기체를 토출한다. 세정액 노즐(17)과 기체 노즐(19)은 일체로 구성되어 있다. 세정액은 예를 들면 순수이다. 기체는 예를 들면 질소 가스이다.

현상액 노즐(15)은 현상액 배관(21)을 통해 현상액 공급원(22)에 연통 접속되어 있다. 현상액 배관(21)의 도중에는 개폐 밸브(23)가 설치되어 있다. 현상액 노즐(15)은 현상액 노즐 이동 기구(24)에 지지되어 있다. 현상액 노즐 이동 기구(24)는, 처리 위치와 대기 위치에 걸쳐서 현상액 노즐(15)을 이동시킨다. 처리 위치는, 예를 들면, 기판(W)의 중앙부의 상방에 닿는 위치이다. 대기 위치는, 기판(W)의 상방으로부터 벗어난 위치이다. 도 1에서, 대기 위치에 있는 현상액 노즐을 실선으로 나타낸다.

세정액 노즐(17)은 세정액 배관(25)을 통해 세정액 공급원(26)에 연통 접속되어 있다. 세정액 배관(25)의 도중에는 개폐 밸브(27)가 설치되어 있다.

기체 노즐(19)은 기체 공급관(31a, 31b)을 통해 기체 공급원(32a, 32b)에 각각 연통 접속되어 있다. 기체 공급원(32a, 32b)은 동종의 기체(예를 들면 질소 가스)를 공급한다. 기체 공급관(31a)의 도중에는 개폐 밸브(33a)가 설치되어 있다. 기체 공급관(31b)의 도중에는 개폐 밸브(33b)가 설치되어 있다.

세정액 노즐(17) 및 기체 노즐(19)은, 기체 노즐 이동 기구(이하, 적절히 「이동 기구」라고 약기함)(34)에 지지되어 있다. 이동 기구(34)는 세정액 노즐(17) 및 기체 노즐(19)을 이동시킨다. 세정액 노즐(17) 및 기체 노즐(19)은 일체로 이동한다.

구체적으로는, 이동 기구(34)는 세정액 노즐(17) 및 기체 노즐(19)을 처리 위치와 대기 위치에 걸쳐서 이동시킨다. 처리 위치는, 예를 들면, 기판(W)의 중앙부의 상방에 닿는 위치이다. 도 1에서, 처리 위치에 있는 세정액 노즐(17) 및 기체 노즐(19)을 점선으로 나타낸다. 대기 위치는, 기판(W)의 상방으로부터 벗어난 위치이다. 도 1에서, 대기 위치에 있는 세정액 노즐(17) 및 기체 노즐(19)을 실선으로 나타낸다.

또한, 이동 기구(34)는, 처리 위치에 있는 세정액 노즐(17) 및 기체 노즐(19)을 상하 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 이동 기구(34)는, 기체 노즐(19)과 기판(W)의 간격(이격 거리)을 조정한다.

도 2a, 도 2b는, 기체 노즐 및 세정액 노즐의 측면도 및 평면도이다. 도 3은, 기체 노즐의 내부 구조를 나타내는 도면이다.

도 2a, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 기체 노즐(19)의 외형은 대략 원통 형상이다. 기체 노즐(19)의 중심축(CA)이 대략 수직이 되는 자세로 기체 노즐(19)은 유지되어 있다. 평면에서 봤을 때 기체 노즐(19)은 기판(W)보다도 작다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 기체 노즐(19)은 하부 토출구(19a)를 갖는다. 하부 토출구(19a)에는 기체 공급관(31a)이 연통 접속되어 있다.

도 2a에 나타낸 바와 같이, 기체 노즐(19)은 측부 토출구(19b)를 갖는다. 측부 토출구(19b)에는 기체 공급관(31b)이 연통 접속되어 있다.

도 3을 참조한다. 하부 토출구(19a)는 기체 노즐(19)의 하면에 형성되어 있다. 하부 토출구(19a)는 원형 형상이다. 하부 토출구(19a)의 직경은 수십 mm이며, 하부 토출구(19a)는 비교적 크다. 하부 토출구(19a)는 기체를 대략 연직 하방으로 토출한다. 각 도면에서는, 하부 토출구(19a)로부터 토출되는 기체의 흐름을 실선으로 모식적으로 나타낸다.

하부 토출구(19a)의 상방에는 내부 공간(SI)이 형성되어 있다. 내부 공간(SI)에 세정액 노즐(17)이 배치되어 있다. 세정액 노즐(17)은 직관형(소위, 스트레이트 노즐)이다. 세정액 노즐(17)의 선단(하단)의 높이 위치는 하부 토출구(19a)보다도 높다. 세정액 노즐(17)의 선단에는, 세정액을 토출하는 토출구(17a)가 형성되어 있다.

도 2a를 참조한다. 측부 토출구(19b)는 기체 노즐(19)의 측면(측부 외주면)에 형성되어 있다. 측부 토출구(19b)는 둘레 방향으로 가늘고 길게 연장되는 슬릿이다. 측부 토출구(19b)의 폭은 하부 토출구(19a)의 직경에 비해 작다. 여기서, 측부 토출구(19b)의 폭은, 중심축(CA) 방향에 있어서의 측부 토출구(19b)의 길이이다. 측부 토출구(19b)의 폭은 예를 들면 4mm이다. 측부 토출구(19b)는 외주면의 전체 둘레에 걸쳐서 연속되어 있다. 즉, 측부 토출구(19b)는 환상이다. 측부 토출구(19b)는 기체 노즐(19)의 하단면에서 약간 높은 위치에 배치되어 있다.

각 도면에서는, 측부 토출구(19b)로부터 토출된 기체의 흐름을 점선으로 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 측부 토출구(19b)는 기체를 대략 수평 방향으로 토출한다. 대략 수평 방향은, 수평 방향 또는 비스듬한 하방향을 포함한다. 도 2a에서는, 측부 토출구(19b)가 비스듬한 하방향으로 기체를 토출하고 있는 경우를 나타낸다. 비스듬한 하방향은, 예를 들면 수평 방향에 대해 하향으로 약 5도 기운 방향이다. 또, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 측부 토출구(19b)는, 평면에서 봤을 때 기체 노즐(19)의 측부 외주면을 둘러싸는 전체 주위(360도에 걸치는 전체 방향)로 기체를 방출한다.

기체 노즐(19)은 처리 위치에서 기체를 토출한다. 여기서, 하부 토출구(19a)로부터 토출된 기체의 흐름을 적절히 「내기류」라고 부른다. 측부 토출구(19b)로부터 토출된 기체의 흐름을 적절히 「외기류」라고 부른다. 내기류, 외기류 및 기판(W)의 위치 관계는 이하와 같이 된다.

외기류는 기판(W)의 상방을 대략 수평 방향으로 흐르고, 기판(W)의 상방을 덮는다. 외기류는, 평면에서 봤을 때 기판(W)의 중앙부로부터 주연부를 향해서 흐른다. 평면에서 봤을 때, 외기류의 방향은 기판(W)의 반경 방향 외방과 대략 일치한다.

내기류는 외기류와 기판(W) 사이를 흐른다. 구체적으로는, 내기류는 기판(W)의 상면의 중앙부를 향해 흘러, 중앙부에 닿는다. 내기류가 기판(W)의 중앙부에 닿은 후, 내기류는 주위로 확산되어, 기판(W)의 주연부의 전체 둘레에 도달한다.

또한, 본 장치(1)는, 상술한 각 구성을 조작하는 제어부(37)를 구비하고 있다. 구체적으로는, 제어부(37)는, 모터(7)를 구동하여 기판(W)의 회전을 제어한다. 제어부(37)는, 이동 기구(24, 34)를 구동하여 각 노즐(15, 17, 19)의 위치를 제어한다. 제어부(37)는, 개폐 밸브(23, 27, 33a, 33b)를 개방·닫아 현상액, 세정액 및 기체의 공급과 정지를 전환한다.

제어부(37)는 기판(W)의 처리에 관한 처리 레시피(처리 프로그램) 등을 미리 기억하고 있으며, 외부로부터 기판(W)의 처리에 관한 명령 등을 받아들일 수 있다. 그리고, 처리 레시피 등이나 명령 등에 의거하여 각 구성을 통괄적으로 제어한다. 제어부(37)는, 각종 처리를 실행하는 중앙 연산 처리 장치(CPU)나, 연산 처리의 작업 영역이 되는 RAM(Random-Access Memory)나, 각종 정보를 기억하는 고정 디스크 등의 기억 매체 등에 의해서 실현되고 있다.

2. 동작

다음에, 실시예에 따른 현상 장치(1)의 동작에 대해서 설명한다.

도 4는, 기판 현상 방법의 순서를 나타내는 플로차트이다. 도 5는 기판 현상 방법의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 6a 내지 도 6h는, 기판에 대한 처리를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 5의 상단에서는, 기판 회전수의 시간적인 변화를 나타내고 있다. 도 5의 하단에서는, 현상액, 세정액 및 기체가 공급되고 있는 기간을 나타내고 있다.

도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이, 기판 현상 방법은 5개의 공정으로 이루어지고, 1개의 공정이 완료되면, 다음 공정으로 진행된다. 본 실시예에서는, 하나의 공정이 완료됨과 동시에 다음 공정이 개시된다.

이하의 설명에서는, 이미, 기판(W)이, 그 표면을 위로 하여 스핀 척(3)에 유지되어 있는 것으로 한다. 기판(W)의 표면에는, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 노광이 끝난 레지스트막(R)이 피착되어 있다. 또, 각 부재의 동작은 기본적으로 제어부(37)의 제어에 의한다.

<단계 S1> 현상 공정

현상액 노즐 이동 기구(24)는 현상액 노즐(15)을 처리 위치까지 이동시킨다. 모터(7)는 기판(W)을 회전시킨다. 개폐 밸브(23)가 개방되고, 현상액 노즐(15)은 현상액(D)을 기판(W)에 토출한다. 기판(W)에 공급된 현상액(D)은, 기판(W)의 전체면으로 확산된다(도 6b 참조). 소정의 기간이 경과하면, 기판(W)의 회전수를 소정의 회전수(예를 들면, 0rpm 또는 수십rpm)로 저하시켜, 기판(W) 상에 현상액(D)을 축적한다. 개폐 밸브(23)가 닫히고, 현상액 노즐(15)은 현상액(D)의 토출을 정지한다. 그리고, 현상액 노즐(15)은, 대기 위치로 이동한다. 현상액(D)이 기판(W) 상에 축적된 상태를, 소정의 시간이 경과할 때까지 유지한다. 현상액(D)은 레지스트막(R)의 가용성 부위를 용해한다. 용해에 의해 용해 생성물이 생성된다.

<단계 S2> 세정 공정

노즐(17, 19)이 대기 위치에서 처리 위치로 이동한다. 기판(W)의 회전수를, 예를 들면 1000rpm까지 상승시킨다. 개폐 밸브(27)가 개방되고, 세정액 노즐(17)은 세정액(C)을 기판(W)에 토출한다. 기판(W)에 공급된 세정액(C)은, 기판(W) 상의 현상액(D)이나 용해 생성물 등을 씻어낸다. 기판(W) 상으로부터 현상액(D)이나 용해 생성물이 제거된다. 레지스트막(R)의 가용성 부위도 기판(W) 상으로부터 제거되고, 기판(W) 상에 레지스트 패턴 P1 내지 P4가 나타난다(도 6C 참조).

<단계 S3> 액 축적 공정

기판(W)의 회전수를 저하시켜, 기판(W) 상에 세정액(C)을 축적한다. 본 공정에 있어서의 기판(W)의 회전수는, 예를 들면 0rpm 또는 수십 rpm이다. 개폐 밸브(27)는 닫고, 세정액 노즐(17)은 세정액(C)의 공급을 정지한다. 기판(W) 상의 세정액(C)은, 분리한 복수의 덩어리(액립 등)가 아니라, 단일의 덩어리(액막)이며, 이 액막이 기판(W)의 상면 전체를 덮고 있다. 이하에서는, 세정액(C)의 액막을 적절히 「액막(C)」이라고 기재한다. 액막(C)의 두께(높이)는 예를 들면 약 2mm~약 3mm이며, 각 레지스트 패턴 P1 내지 P4의 높이에 비해 충분히 크다. 각 레지스트 패턴 P1 내지 P4 전체는 세정액(C) 중에 잠긴다(도 6D 참조).

<단계 S4> 박막화 공정

기판(W)의 회전수를 약간 상승시킨다. 본 공정에 있어서의 기판(W)의 회전수는 예를 들면 약 400rpm이며, 회전 시간은 예를 들면 약 3초 이하이다. 이에 의해, 기판(W) 상에 액막(C)이 형성된 상태를 유지하면서, 기판(W) 상의 세정액(C)의 일부를 버리고, 액막(C)의 두께를 얇게 한다. 박막화 공정은, 예를 들면 막 두께를 약 반분 정도로 감소시킨다. 또, 예를 들면 막 두께를 약 1mm 정도로 감소시킨다. 박막화 공정을 행한 후에도, 액막(C)의 두께는 각 레지스트 패턴 P1 내지 P4의 높이에 비해 충분히 크다. 따라서, 각 레지스트 패턴 P1 내지 P4의 전체는 여전히 세정액(C) 중에 잠겨 있다(도 6E 참조).

<단계 S5> 건조 공정

기체 노즐(19)이 하강하고, 기판(W)에 근접한다. 이에 의해, 예를 들면, 기체 노즐(19)과 기판(W)의 이격 거리가 약 4mm가 된다. 기판(W)의 회전수를 더 상승시킨다. 개폐 밸브(33a, 33b)가 열리고, 기체 노즐(19)은 하부 토출구(19a) 및 측부 토출구(19b)로부터 동시에 기체를 토출한다.

측부 토출구(19b)는 기판(W)의 중앙부의 상방으로부터 대략 수평 방향으로 기체를 토출하고, 외기류를 생성한다. 외기류는 기판(W)의 상방을 덮는다. 하부 토출구(19a)는, 기판(W)의 중앙부의 상방으로부터 대략 연직 하방으로 기체를 토출하고, 내기류를 생성한다. 내기류는, 기판(W)의 중앙부에 대략 수직으로 입사한다.

기판(W)의 중앙부에 있어서의 세정액(C)은, 내기류의 충돌에 의한 힘과 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 주위로 이동하기 시작한다. 기판(W)의 중앙부에 있어서의 레지스트 패턴 P2, P3의 일부가 노출된다(도 6F 참조).

레지스트 패턴 P2, P3의 일부가 세정액(C)으로부터 노출되면, 레지스트 패턴 P2, P3을 도괴시키려고 하는 힘이 발생한다. 이 힘은 세정액(C)의 표면장력 등에 기인하는 힘이며, 「응력」이라고도 불린다. 이하의 설명에서는, 이 힘을 편의상 「도괴력」이라고 부른다. 도 6F의 경우, 레지스트 패턴 P2, P3에 대해서만 도괴력이 발생하고, 레지스트 패턴 P1, P4에 대해 도괴력은 발생하지 않았다.

이윽고, 도 6G에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 중앙부로부터 세정액(C)이 제거되고, 중앙부가 건조 영역이 된다. 레지스트 패턴 P2, P3의 전부가 노출되면, 레지스트 패턴 P2, P3에 작용하는 도괴력도 소멸한다.

내기류는, 기판(W)의 중앙부에 닿은 후, 주위로 확산된다. 주위로 확산되는 내기류의 상방에 있어서는 외기류가 대략 수평 방향으로 흐르고 있다. 외기류는, 주위로 확산되는 내기류의 높이 위치가 낮아지도록 안내한다. 예를 들면, 외기류는, 주위로 확산되는 내기류를 기판(W)의 상면에 누르도록 작용한다. 이에 의해, 내기류는 기판(W)의 표면을 따라서 기판(W)의 표면의 근방을 흐르고, 기판(W)의 주연단에 도달한다. 이 주위로 확산되는 내기류가, 기판(W) 상의 세정액(C)을 주연부로 더 이동시킨다. 기판(W)의 회전에 의한 원심력은, 이 내기류의 힘을 보충하여, 세정액(C)의 이동을 촉진한다.

세정액(C)의 이동에 따라, 건조 영역은 기판(W)의 중앙부로부터 동심원형상으로 확대된다. 그리고, 기판(W)의 주연단까지 이동한 세정액(C)이 기판(W) 밖으로 버려짐으로써, 기판(W) 상으로부터 세정액(C)이 제거되고, 기판(W)의 전체면이 건조된다(도 6F 내지 도 6H 참조).

여기서, 외기류와 기판(W)의 주연단 사이에는 일정한 클리어런스가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의하면, 내기류와 외기류가 서로 간섭하지 않고, 내기류는 원활하게 기판(W)의 주연단에 도달할 수 있다.

주연단까지 도달한 내기류 및 외기류는, 배기관(13)에 흡인됨으로써 각각 하방으로 방향을 바꾼다. 그리고, 내기류 및 외기류는, 기판(W)보다도 하방을 향해 나아간다.

건조 공정에 있어서의 기판(W)의 회전수에 대해서는, 소정의 상한치 이하로서, 기판(W)의 주연단을 그 내측보다도 먼저 건조시키지 않는 것이 바람직하다.

도 7을 참조한다. 도 7은, 선행 건조를 설명하는 도면이다. 도시한 바와 같이, 기판(W) 상에 세정액(C)이 아직 존재하고 있음에도 불구하고, 기판(W)의 주연단이 먼저 건조되어 있다. 이러한 선행 건조는, 기판(W)의 회전수가 너무 높으면 일어난다. 선행 건조가 일어나면, 세정액(C)이 원활하게 주연단으로 이동할 수 없게 된다. 그 결과, 워터 마크 등이 발생해, 기판 처리의 품질이 저하된다.

상술한 상한치는, 기판(W)의 크기가 커짐에 따라 작아지도록 설정되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, 기판(W)의 크기는, 예를 들면 기판(W)의 직경이다. 이에 의해, 선행 건조를 적절하게 방지할 수 있어, 기판 처리의 품질이 저하되는 것을 적절하게 방지할 수 있다. 기판(W)의 직경이 300mm인 원형 기판인 경우, 기판(W)의 회전수는 예를 들면 약 2000rpm 이하인 것이 바람직하다.

3. 효과

이와 같이, 본 실시예 1에 의하면, 건조 공정은, 내기류의 힘과 원심력에 의해서 세정액(C)을 이동시킨다. 또한, 기판(W)을 덮는 외기류를 형성하고, 이 외기류와 기판(W) 사이에 내기류가 흐름으로써, 내기류는 세정액(C)을 효과적으로 이동시킬 수 있다. 따라서, 기판(W)으로부터 세정액(C)을 신속하게 제거할 수 있어, 기판(W)을 단시간에 건조할 수 있다.

외기류는 대략 수평 방향으로 흐르므로, 외기류는 대략 수평 자세의 기판(W)을 적절하게 덮을 수 있다.

내기류는 기판(W)의 상면을 향해 흐르고, 기판(W) 상의 세정액(C)에 닿으므로, 내기류는 세정액(C)을 적극적으로 이동할 수 있다. 또, 내기류는 기판(W)의 중앙부에 닿으므로, 기판(W)의 중앙부를 최초로 건조할 수 있다. 또한, 내기류는, 중앙부에 수직으로 입사하므로, 세정액(C)을 기판(W)의 중앙부로부터 주연부의 전체 둘레를 향해서 균일하게 이동시킬 수 있다.

그리고, 내기류는, 기판(W)에 닿은 후, 주위에 균일하게(동심원형상으로) 확산된다. 외기류는, 주위로 확산되는 내기류가 기판(W)의 상면 부근을 흐르도록 안내한다. 주위로 확산되는 내기류는, 기판(W) 상의 세정액(C)의 근방을 흐르거나, 혹은, 기판(W) 상의 세정액(C)에 접하면서 흐른다. 따라서, 주위로 확산되는 내기류도 세정액(C)을 주연부로 이동시킬 수 있다.

또한, 외기류는 평면에서 봤을 때 기판(W)의 중앙부로부터 주연부로 향한다. 외기류의 방향은 주위로 확산되는 내기류의 방향과 대략 같다. 이 때문에, 외기류는 내기류를 원활하게 안내할 수 있다. 따라서, 세정액(C)을 주연부로 한층 적절하게 이동시킬 수 있다.

이러한 결과, 건조 영역은 기판(W)의 중앙부로부터 전체에 균일하게 확대되고, 기판(W)의 전체면을 균일하게 건조할 수 있다.

또, 외기류는, 또한 미스트나 파티클 등을 차단한다. 따라서, 외기류의 상방을 부유하는 미스트나 파티클 등이 기판(W)에 부착되는 것을 억제할 수 있다.

상술한 외기류를, 기판(W)의 중앙부의 상방으로부터 대략 수평 방향으로 기체를 토출함으로써 생성한다. 이와 같이, 적절한 위치에서 적절한 방향으로 기체를 토출함으로써, 외기류를 적절하게 형성할 수 있다. 마찬가지로, 내기류를, 기판(W)의 중앙부의 상방으로부터 대략 연직 하방으로 기체를 토출함으로써 생성한다. 이와 같이, 적절한 위치에서 적절한 방향으로 기체를 토출함으로써, 내기류를 적합하게 형성할 수 있다. 또, 기체를 토출하는 위치와 기체를 토출하는 방향을, 기류마다 개별적으로 설정하고 있으므로, 외기류 및 내기류를 둘 다 적절하게 형성할 수 있다.

또, 상술한 외기류 및 내기류를 동시에 생성하는 단일의 기체 노즐(19)을 구비하고 있으므로, 부품 점수를 삭감할 수 있다. 기체 노즐(19)은, 하부 토출구(19a) 및 측부 토출구(19b)를 가지므로, 2종의 기류를 각각 적절하게 생성할 수 있다.

또, 건조 공정에서는, 도 5의 하단에 명시하는 바와 같이, 세정액(C)이나 현상액(D) 등을 토출하지 않고, 기체만을 토출한다. 따라서, 세정액(C)이나 현상액(D)과 동시에 기체를 토출하는 경우에 비해, 기체의 토출량(각 기류의 유량)을 용이하게 증대할 수 있다. 따라서, 건조 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.

또, 액 축적 공정을 구비하고 있으므로, 레지스트막(R)이 발수성이어도, 각 레지스트 패턴 P1 내지 P4를 세정액(C) 내에 확실하게 가라앉게 할 수 있다. 이에 의해, 건조 공정 직전까지 레지스트 패턴 P1 내지 P4를 도괴력으로부터 보호할 수 있다. 또한, 건조 공정은 상술한 바와 같이 단시간에 기판(W)을 건조할 수 있으므로, 도괴력이 발생하는 기간을 짧게 할 수 있다. 따라서, 레지스트 패턴 P1 내지 P4가 흐트러지는 것을 적절하게 방지할 수 있다.

또, 박막화 공정을 구비하고 있으므로, 도괴력을 발생시키지 않고 기판(W) 상에 축적된 세정액(액막)(C)의 양을 저감할 수 있다. 이에 의해, 건조 공정에 필요로 하는 건조 기간을 한층 단축할 수 있다.

또, 박막화 공정에서는 기체 노즐(19)로부터 기체를 공급하지 않는다. 즉, 원심력에 의해서만 기판(W)에 축적된 세정액(C)의 일부를 제거한다. 따라서, 세정액(C)의 물보라의 발생량을 억제할 수 있다.

제2 실시예

다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 2를 설명한다.

도 8은, 실시예 2에 따른 현상 장치의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다. 또한, 실시예 1과 같은 구성에 대해서는 같은 부호를 부여함으로써 상세한 설명을 생략한다.

세정액 노즐(17)은, 2종류의 세정액을 선택적으로 토출한다. 한쪽의 세정액의 표면장력과 다른쪽의 세정액의 표면장력은, 상이하다. 이하에서는, 표면장력이 비교적 높은 한쪽의 세정액을 「세정액(Ca)」이라 부르고, 다른쪽의 세정액을 「세정액(Cb)」이라 부른다. 세정액(Ca)은 예를 들면 순수이다. 세정액(Cb)은 예를 들면 순수와 계면활성제를 혼합한 용액(「계면활성제 용액」이라 함)이다. 또한, 세정액(Ca, Cb)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 단순히 「세정액(C)」이라고 기재한다.

세정액 배관(25)은 2개의 분기관(25a, 25b)으로 분기되어 있다. 각 분기관(25a, 25b)은 각각 세정액 공급원(26a, 26b)에 연통 접속되어 있다. 세정액 공급원(26a)은 세정액(Ca)을 공급한다. 세정액 공급원(26b)은 세정액(Cb)을 공급한다. 각 분기관(25a, 25b)의 도중에는 개폐 밸브(27a, 27b)가 각각 설치되어 있다.

2. 동작

다음에, 실시예 2에 따른 현상 장치(1)의 동작에 대해서 설명한다.

도 9는, 현상 장치(1)에 의한 처리의 순서를 나타내는 플로차트이다. 이하의 설명에서는, 이미, 기판(W)이, 그 표면을 위로 하여 스핀 척(3)에 유지되어 있는 것으로 한다. 기판(W)의 표면에는, 노광 처리가 실시된 레지스트막(R)이 피착되어 있다. 또, 각 부재의 동작은 기본적으로 제어부(37)의 제어에 의한다.

<단계 S11> 현상 공정

기판(W)에 현상액을 공급하여 기판(W)을 현상한다.

<단계 S12> 세정 공정

현상 후의 기판(W)에 세정액(Ca)을 공급하여 기판(W)을 세정한다. 기판(W) 상으로부터 현상액 등이 제거된다.

<단계 S13> 치환 공정

기판(W)에 세정액(Cb)을 공급하여 기판(W) 상의 세정액(Ca)을 세정액(Cb)으로 치환한다. 기판(W) 상으로부터 세정액(Ca)이 제거된다.

<단계 S14> 액 축적 공정

기판(W)의 회전수를 저하시킨다. 이에 의해, 세정액(Cb)을 기판(W) 상에 축적한다.

<단계 S15> 박막화 공정

기판(W) 상에 축적된 세정액(Cb)의 막 두께를 얇게 한다.

<단계 S16> 건조 공정

기판(W)을 회전시켜, 외기류와 내기류를 형성한다. 본 실시예 2에서는, 또한 기체 노즐(19)을 기판(W)의 중앙부의 상방의 위치로부터 이동시킨다.

도 10a 내지 10d를 참조한다. 도 10a 내지 10d는, 건조 공정에 있어서의 처리를 모식적으로 나타내는 도면이다.

건조 공정의 초기에서는, 기체 노즐(19)은 기판(W)의 중앙부의 상방의 위치에 배치된다. 내기류는 기판(W)의 중앙부에 닿는다(도 10a 참조). 이에 의해, 기판(W)의 중앙부가 최초로 건조 영역이 된다(도 10b 참조).

계속해서, 기체 노즐(19)은 기체를 토출하면서, 처리 위치로부터 대략 수평 방향(예를 들면 기판(W)의 반경 방향)으로 이동한다. 내기류는 중앙부와는 상이한 영역에 닿아, 이 영역의 세정액(Cb)을 적극적으로 이동시킨다(도 10c 참조). 따라서, 중앙부와 상이한 영역의 건조가 한층 촉진된다. 또한, 기체 노즐(19)이 이동한 후에도, 외기류는 기판(W)의 상방을 덮고 있다. 이에 의해, 기판(W)의 전체가 보다 단시간에 건조된다(도 10d 참조). 또, 도 10a, 10b에 나타낸 기체 노즐(17)의 위치, 및, 도 10c, 10d에 나타낸 기체 노즐(17)의 위치는, 모두 처리 위치이다.

3. 효과

이와 같이, 본 실시예 2에 의해서, 기판(W)을 단시간에 건조할 수 있는 등과 같은 실시예 1과 동일한 효과를 발휘한다.

또, 건조 공정에서는, 기체 노즐(19)이 이동함으로써, 기판(W)의 중앙부 이외의 영역을 한층 신속하게 건조할 수 있다. 이 결과, 기판(W)의 전체를 보다 단시간에 건조할 수 있다.

또, 치환 공정을 구비하고 있으므로, 세정 공정에서 사용하는 세정액과 액 축적 공정 이후에 사용하는 세정액을 바꿀 수 있다. 따라서, 세정 공정에서는 세정 공정에 적합한 세정액(Ca)을 사용할 수 있다. 예를 들면, 세정 공정에서는 세정액(Ca)으로서 순수를 사용하므로, 세정 처리의 품질을 높일 수 있다. 마찬가지로, 액 축적 공정 이후에서는, 액 축적 공정 등에 적절한 세정액(Cb)을 사용할 수 있다. 예를 들면, 액 축적 공정 이후에서는 세정액(Cb)으로서 계면활성제 용액을 사용하므로, 도괴력의 크기 자체를 작게 할 수 있다. 또, 보다 작은 힘으로 세정액(Cb)을 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 기판(W)으로부터 세정액(Cb)을 보다 신속하게 제거할 수 있어, 기판(W)을 보다 단시간에 건조할 수 있다. 따라서, 레지스트 패턴 P1 내지 P4의 도괴를 한층 억제할 수 있다.

본 발명은, 상기 실시형태에 한정되지 않고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.

(1) 상술한 각 실시예 1, 2에서는, 현상 공정은, 기판(W)에 현상액을 축적했는데, 이에 한정되지 않는다. 현상 공정은 다양한 방법으로 변경할 수 있다. 예를 들면, 현상 공정이 종료될 때까지 현상액을 계속 토출해도 된다. 또, 현상액 노즐(15)을 기판(W)의 직경과 대략 동등한 길이를 갖는 슬릿 노즐로 변경해도 된다.

(2) 상술한 각 실시예 1, 2에서는, 단일의 기체 노즐(19)이 외기류 및 내기류를 생성했는데, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 오로지 외기류를 생성하는 외기류용 노즐과, 오로지 내기류를 생성하는 내기류용 노즐을 별개로 구비해도 된다.

(3) 상술한 실시예 1에서는 1종류의 세정액을 사용하고, 실시예 2에서는 2종류의 세정액을 사용했는데, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 3종류의 세정액을 사용해도 된다.

(4) 상술한 각 실시예 1, 2 및 상기 (1)~(3)에서 설명한 각 변형 실시예에 대해서는, 또한 각 구성을 다른 실시예의 구성으로 치환 또는 조합하는 등 적절히 변경해도 된다.

※ 본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있으며, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 부가된 클레임을 참조해야 한다.

Claims (12)

1. 기판 세정 건조 방법으로서,
   현상 후의 기판에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정 공정;
   기판 상에 세정액을 축적하는 액 축적 공정;
   기판 상에 축적된 세정액의 막 두께를 얇게 하는 박막화 공정; 및
   기판을 회전시켜, 기판의 상방을 덮는 외기류를 형성하고, 기판 상의 세정액을 이동시키기 위한 내기류를 외기류와 기판 사이에 형성하는 건조 공정
   을 포함하는 기판 세정 건조 방법.
2. 청구항 1에 있어서,
   내기류는 기판의 상면을 향해 흐르고,
   외기류는 기판의 상방을 대략 수평 방향으로 흐르는, 기판 세정 건조 방법.
3. 청구항 2에 있어서,
   내기류는 기판의 상면에 닿아 주위로 확산되고,
   외기류는 주위로 확산되는 내기류의 높이 위치를 낮게 하는, 기판 세정 건조 방법.
4. 청구항 1에 있어서,
   외기류는 평면에서 봤을 때 기판의 중앙부로부터 주연부를 향해 흐르고,
   내기류는 기판의 중앙부에 닿아 기판의 주연부로 확산되는, 기판 세정 건조 방법.
5. 청구항 4에 있어서,
   외기류는, 기판의 중앙부의 상방으로부터 대략 수평 방향으로 기체를 토출함으로써 생성되고,
   내기류는, 기판의 중앙부의 상방으로부터 대략 연직 하방으로 기체를 토출함으로써 생성되는, 기판 세정 건조 방법.
6. 청구항 1에 있어서,
   외기류 및 내기류를, 단일의 기체 노즐에 의해서 동시에 생성하는, 기판 세정 건조 방법.
7. 청구항 6에 있어서,
   외기류는, 기체 노즐의 측면으로부터 기체를 주위로 토출함으로써 생성되고,
   내기류는, 기체 노즐의 하면으로부터 기체를 하방으로 토출함으로써 생성되는, 기판 세정 건조 방법.
8. 청구항 6에 있어서,
   기체 노즐은 평면에서 봤을 때 기판보다도 작은, 기판 세정 건조 방법.
9. 청구항 1에 있어서,
   건조 공정에서는, 기체 노즐에 의해서 외기류 및 내기류를 생성시키면서, 기체 노즐을 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터 대략 수평 방향으로 이동시키는, 기판 세정 건조 방법.
10. 청구항 1에 있어서,
    건조 공정에서는 기판에 세정액을 공급하지 않는, 기판 세정 건조 방법.
11. 청구항 1에 있어서,
    건조 공정에서는, 기판의 회전수를 소정의 상한치 이하로 하여, 기판의 주연단(端)을 그 내측보다도 먼저 건조시키지 않는, 기판 세정 건조 방법.
12. 기판 현상 방법으로서,
    기판에 현상액을 공급하여 기판을 현상하는 현상 공정;
    현상 후의 기판에 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 세정 공정;
    기판 상에 세정액을 축적하는 액 축적 공정;
    기판 상에 축적된 세정액의 막 두께를 얇게 하는 박막화 공정; 및
    기판을 회전시켜, 기판의 상방을 덮는 외기류를 형성하고, 기판 상의 세정액을 이동시키기 위한 내기류를 외기류와 기판 사이에 형성하는 건조 공정
    을 포함하는 기판 현상 방법.

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