JP2011091274A - 現像装置、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
現像装置、現像方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011091274A JP2011091274A JP2009244820A JP2009244820A JP2011091274A JP 2011091274 A JP2011091274 A JP 2011091274A JP 2009244820 A JP2009244820 A JP 2009244820A JP 2009244820 A JP2009244820 A JP 2009244820A JP 2011091274 A JP2011091274 A JP 2011091274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- developer
- wafer
- developing
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 72
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000003892 spreading Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007480 spreading Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 35
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 22
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
【解決手段】ウエハWの現像処理を行う前に、前工程として現像液をウエハWの表面に拡げやすくするための拡散補助液である純水を純水ノズル40よりウエハWの中央部に吐出して液溜りを形成する。次にウエハWを高速回転させながら、ウエハWの中央部にプリウェットのための現像液を吐出し、当該現像液を広げる。この現像液によりレジストが溶解され、溶解物6が溶出するが、当該溶解物6が溶出している間例えば7秒以内にウエハWの回転を逆回転とし、溶解物6をウエハWの表面の全体に亘って広げ、ウエハWの撥水性を低下させる。その後、回転しているウエハWに現像液を吐出し、現像液をウエハWの表面に広げる。
【選択図】図5
Description
レジスト膜が形成され、露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転機構と、
前記レジスト膜に対して現像作用が無く、現像液の拡散を補助するための拡散補助液を基板に供給する拡散補助液ノズルと、
現像液を基板に供給する現像液ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の中央部に前記拡散補助液の液溜まりを形成するために基板の中心部に前記拡散補助液ノズルから拡散補助液を吐出するステップと、次いで基板の表面全体に現像液を広げてレジスト膜から溶解物を発生させるために前記回転機構により基板を正回転させながら現像液ノズルから基板の中心部に現像液を吐出するステップと、その後前記回転機構により基板を逆回転させるステップと、しかる後現像液ノズルから基板に現像液を吐出してレジスト膜を現像するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
1.前記拡散補助液は、純水である。
2.前記基板を逆回転させるステップは、基板を正回転させながら基板の中心部に現像液の吐出を開始した時点から7秒以内である。
3.前記現像するステップは、基板を回転させた状態で現像液ノズルから現像液を吐出させながら現像液の吐出位置を基板の周縁部から基板の中心部に移動させることにより行われる。
レジスト膜が形成され、露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像方法において、
基板を基板保持部に水平に保持させるステップと、
前記基板保持部に保持された基板の中心部に、拡散補助液ノズルから前記レジスト膜に対して現像作用の無い拡散補助液を吐出して、基板の中央部に、現像液の拡散を補助するための拡散補助液の液溜りを形成するステップと、
次いで基板の表面全体に現像液を広げてレジスト膜から溶解物を発生させるために前記回転機構により基板を正回転させながら現像液ノズルから基板の中心部に現像液を吐出するステップと、
その後前記回転機構により基板を逆回転させながら現像液ノズルから基板の中心部に現像液を吐出するステップと、
しかる後現像ノズルから基板に現像液を吐出してレジスト膜を現像するステップと、を備えたことを特徴とする
現像液ノズル30は現像液供給管30aを介して現像液供給源31や液供給制御機器(バルブ、ポンプ等)を含む現像液供給系32に接続されている。また、図2に示すように現像液ノズル30は支持部材であるノズルアーム33の一端に支持されており、このノズルアーム33の他端は図示しない昇降機構を介して移動基体34に接続されている。この移動基体34は、X方向に伸びるガイドレール35沿って移動することが可能である。また、図中36は現像液ノズル30の待機部であり、この待機部36にて現像液ノズル30の先端部の洗浄等が行われる。
プリウェット時に液溜りを形成するための、現像作用が無い拡散補助液としては、既述のように純水が好適であるが、例えば極く希薄な現像液を用いた場合であっても、現像後の基板の仕上がりに影響がない場合には、実質的に現像作用が無い拡散補助液ということができ、この場合においても特許請求の範囲の技術的範囲に含まれる。
上述の実施形態では、現像液ノズル30を前工程(プリウェット工程)用のノズル及び現像工程用のノズルとして共有化しているが、両ノズルを専用化(別々のノズルとすること)してもよい。この場合、前工程用のノズルの形状は、例えば円柱状であり、吐出口の形状は、口径が例えば1mm〜5mmの円形とされる。現像工程用のノズルは、既述の現像液ノズル30が用いられる。
また、前述の実施形態に係る現像方法の他に以下の手法を用いても良い。この手法は、既述の前工程(プリウェット工程)の一部を変更したものであり、その他の部分は前述の実施形態に係る現像方法と同じであるため、相違する部分を中心に説明する。
このようにプリウェット工程を行うことにより、溶解物6が現像液によって必要以上に溶解されるの抑制し、溶解物6をウエハWの表面に均一に広げることができる。従って、ウエハWの表面の接触角が小さくなり、現像時における現像液がウエハWの全面に均一に広がりやすくなり、この結果露光後のウエハWの表面の撥水性が高くてもウエハWの表面の全体を高い均一性で現像処理することができ、現像欠陥を低減することができる。
20 カップ体
21 外カップ
22 内カップ
24 昇降機構
26 ガイド部材
27 液受け部
28 廃液管
30 現像液ノズル
32 現像液供給源
32 現像液供給系
40 洗浄液ノズル
41 洗浄液供給源
42 洗浄液供給系
50 制御部
6 溶解物
61 未露光部位
62 露光部位
Claims (12)
- レジスト膜が形成され、露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転機構と、
前記レジスト膜に対して現像作用が無く、現像液の拡散を補助するための拡散補助液を基板に供給する拡散補助液ノズルと、
現像液を基板に供給する現像液ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の中央部に前記拡散補助液の液溜まりを形成するために基板の中心部に前記拡散補助液ノズルから拡散補助液を吐出するステップと、次いで基板の表面全体に現像液を広げてレジスト膜から溶解物を発生させるために前記回転機構により基板を正回転させながら現像液ノズルから基板の中心部に現像液を吐出するステップと、その後前記回転機構により基板を逆回転させるステップと、しかる後現像液ノズルから基板に現像液を吐出してレジスト膜を現像するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする現像装置。 - 前記拡散補助液は、純水であることを特徴とする請求項1記載の現像装置。
- 前記基板を逆回転させるステップは、基板を正回転させながら基板の中心部に現像液の吐出を開始した時点から7秒以内に行われることを特徴とする請求項1または2記載の現像装置。
- 基板を逆回転するときには、現像液ノズルから基板の中心部に現像液を吐出することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の現像装置。
- 基板を正回転から逆回転に移行するときには現像液の吐出を停止することを特徴とする請求項4に記載の現像装置。
- 前記現像するステップは、基板を回転させた状態で現像液ノズルから現像液を吐出させながら、現像液の吐出位置を基板の周縁部から基板の中心部に移動させることにより行われることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の現像装置。
- レジスト膜が形成され、露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像方法において、
基板を基板保持部に水平に保持させる工程と、
前記基板保持部に保持された基板の中心部に、拡散補助液ノズルから前記レジスト膜に対して現像作用が無い拡散補助液を吐出して、基板の中央部に、現像液の拡散を補助するための拡散補助液の液溜りを形成するステップと、
次いで基板の表面全体に現像液を広げてレジスト膜から溶解物を発生させるために前記回転機構により基板を正回転させながら現像液ノズルから基板の中心部に現像液を吐出するステップと、
その後前記回転機構により基板を逆回転させるステップと、
しかる後現像ノズルから基板に現像液を吐出してレジスト膜を現像するステップと、を備えたことを特徴とする現像方法。 - 前記拡散補助液は、純水であることを特徴とする請求項5記載の現像方法。
- 前記基板を逆回転させるステップは、現像液ノズルから基板の中心部に現像液の吐出を開始した時点から7秒以内に行われることを特徴とする請求項7または8記載の現像方法。
- 基板を逆回転するときには、現像液ノズルから基板の中心部に現像液を吐出することを特徴とする請求項7ないし9のいずれか一項に記載の現像方法。
- 基板を正回転から逆回転に移行するときには現像液の吐出を停止することを特徴とする請求項10に記載の現像方法。
- 回転する基板に現像液を供給する現像装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし11のいずれか一項に記載の現像方法を実施するためのステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009244820A JP4893799B2 (ja) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
US12/904,458 US8956694B2 (en) | 2009-10-23 | 2010-10-14 | Developing apparatus, developing method and storage medium |
CN 201010513518 CN102043354B (zh) | 2009-10-23 | 2010-10-15 | 显影装置和显影方法 |
KR1020100103185A KR101184820B1 (ko) | 2009-10-23 | 2010-10-22 | 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체 |
TW99136131A TWI474379B (zh) | 2009-10-23 | 2010-10-22 | A developing device, a developing method, and a memory medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009244820A JP4893799B2 (ja) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011091274A true JP2011091274A (ja) | 2011-05-06 |
JP4893799B2 JP4893799B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=43898171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009244820A Active JP4893799B2 (ja) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8956694B2 (ja) |
JP (1) | JP4893799B2 (ja) |
KR (1) | KR101184820B1 (ja) |
CN (1) | CN102043354B (ja) |
TW (1) | TWI474379B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160012925A (ko) | 2014-07-25 | 2016-02-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 방법, 현상 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
JP2016058712A (ja) * | 2014-09-04 | 2016-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2016111345A (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
JP2017063132A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
KR20170113147A (ko) | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 |
JP2018186259A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4788785B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
CN102768984B (zh) * | 2012-07-03 | 2015-04-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种修复晶圆钨连接层表面亚稳态化学键的方法 |
JP6221954B2 (ja) | 2013-08-05 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP6390732B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
JP5994749B2 (ja) | 2013-08-05 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP6148210B2 (ja) | 2014-06-17 | 2017-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US10376888B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-08-13 | Centrillion Technology Holdings Corporation | Device for storage and dispensing of reagents |
JP6447354B2 (ja) | 2014-07-23 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置 |
JP6384200B2 (ja) | 2014-08-28 | 2018-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置、及び記憶媒体 |
CN105404102B (zh) * | 2014-09-04 | 2018-09-21 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法和显影装置 |
JP6289318B2 (ja) | 2014-09-08 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
US10459340B2 (en) | 2014-12-01 | 2019-10-29 | Tokyo Electron Limited | Developing method, computer-readable storage medium and developing apparatus |
EP3112018A1 (en) * | 2015-07-02 | 2017-01-04 | Centrillion Technology Holdings Corporation | Systems and methods to dispense and mix reagents |
CN106356316B (zh) * | 2015-07-14 | 2018-10-09 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种工艺单元排废积液检测装置 |
CN107168020A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-09-15 | 信丰迅捷兴电路科技有限公司 | 一种线路板阻焊用自动显影生产系统 |
JP6994346B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
CN110908252B (zh) * | 2019-12-10 | 2023-09-12 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 显影方法和显影装置 |
CN112965347B (zh) * | 2020-11-12 | 2023-11-03 | 重庆康佳光电科技有限公司 | 晶圆显影装置、方法和晶圆 |
CN113608417A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-11-05 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 消除光刻显影残留的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002075854A (ja) * | 2000-06-13 | 2002-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2006060084A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP2009033053A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303106A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 現像処理装置およびその処理方法 |
JP3673704B2 (ja) * | 1999-07-28 | 2005-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその方法 |
US6248175B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-06-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Nozzle arm movement for resist development |
JP2001332486A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Nec Yamaguchi Ltd | ウエハ現像装置 |
US6706321B2 (en) * | 2000-06-13 | 2004-03-16 | Tokyo Electron Limited | Developing treatment method and developing treatment unit |
JP2003272988A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | 被処理体の処理方法および被処理体処理装置 |
JP4414753B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像処理方法 |
JP4343025B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像方法 |
JP4043455B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2008-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
CN101286015B (zh) * | 2007-04-12 | 2011-01-19 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 改善临界尺寸均匀度的显影方法 |
JP5305331B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP4788785B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
JP2010186974A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP4853537B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
-
2009
- 2009-10-23 JP JP2009244820A patent/JP4893799B2/ja active Active
-
2010
- 2010-10-14 US US12/904,458 patent/US8956694B2/en active Active
- 2010-10-15 CN CN 201010513518 patent/CN102043354B/zh active Active
- 2010-10-22 KR KR1020100103185A patent/KR101184820B1/ko active IP Right Grant
- 2010-10-22 TW TW99136131A patent/TWI474379B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002075854A (ja) * | 2000-06-13 | 2002-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2006060084A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2009033054A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP2009033053A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160012925A (ko) | 2014-07-25 | 2016-02-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 방법, 현상 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
US10120286B2 (en) | 2014-07-25 | 2018-11-06 | Tokyo Electron Limited | Developing method, developing apparatus, and computer-readable recording medium |
US10901320B2 (en) | 2014-07-25 | 2021-01-26 | Tokyo Electron Limited | Developing method, developing apparatus, and computer-readable recording medium |
JP2016058712A (ja) * | 2014-09-04 | 2016-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP2016111345A (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
JP2017063132A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
KR20170113147A (ko) | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 |
US10203605B2 (en) | 2016-04-01 | 2019-02-12 | Tokyo Electron Limited | Development method, development device, and non-transitory computer-readable storage medium |
JP2018186259A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP7025872B2 (ja) | 2016-12-02 | 2022-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI474379B (zh) | 2015-02-21 |
US20110096304A1 (en) | 2011-04-28 |
KR20110044707A (ko) | 2011-04-29 |
JP4893799B2 (ja) | 2012-03-07 |
CN102043354A (zh) | 2011-05-04 |
KR101184820B1 (ko) | 2012-09-24 |
CN102043354B (zh) | 2013-04-17 |
TW201133550A (en) | 2011-10-01 |
US8956694B2 (en) | 2015-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4893799B2 (ja) | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
TWI601201B (zh) | 顯影方法、顯影裝置以及記憶媒體 | |
JP5315320B2 (ja) | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 | |
JP2007311439A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6384200B2 (ja) | 現像方法、現像装置、及び記憶媒体 | |
JP2007318087A (ja) | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2008091751A (ja) | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 | |
JP4730787B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN109560017B (zh) | 基片处理方法、基片处理装置和存储介质 | |
JP5323374B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
JP5317504B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
KR102186415B1 (ko) | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 | |
JP5183562B2 (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 | |
JP5262829B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
KR101935073B1 (ko) | 네거티브 현상 처리 방법 및 네거티브 현상 처리 장치 | |
JP2012142396A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6515827B2 (ja) | 基板処理方法、記憶媒体及び現像装置 | |
US10042262B2 (en) | Negative developing method and negative developing apparatus | |
JP6521126B2 (ja) | 現像装置 | |
JP2018022915A (ja) | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 | |
JP2010135674A (ja) | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 | |
KR20060077570A (ko) | 웨이퍼 이면 세정 노즐 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4893799 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |