JP2001332486A - ウエハ現像装置 - Google Patents
ウエハ現像装置Info
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- JP2001332486A JP2001332486A JP2000154942A JP2000154942A JP2001332486A JP 2001332486 A JP2001332486 A JP 2001332486A JP 2000154942 A JP2000154942 A JP 2000154942A JP 2000154942 A JP2000154942 A JP 2000154942A JP 2001332486 A JP2001332486 A JP 2001332486A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像処理中のウエハの裏面に現像液が回り込
むことを防止する。 【解決手段】 ウエハ２の裏面側にスピンチャック１の
回転軸と同心状に設置されて上下駆動機構ならびに回転
駆動機構を有する可動式回り込み防止リング４ａを設
け、可動式回り込み防止リング４ａを上昇させてウエハ
２の裏面外周部に接触させ、かつスピンチャック１と同
期回転させて現像処理中はウエハ２の裏面への現像液３
の回り込みを防止し、現像処理終了後は可動式回り込み
防止リング４ａを下降させてウエハ２の裏面から離間さ
せ、同期回転を停止させてバックリンスノズル８からリ
ンス液を吐出してバックリンス処理を行なう。可動式回
り込み防止リング４ａの上下駆動は永久磁石５と電磁石
７で行ない、回転駆動はキー部９ａとキー溝９とのスラ
イド嵌合により行なう。
むことを防止する。 【解決手段】 ウエハ２の裏面側にスピンチャック１の
回転軸と同心状に設置されて上下駆動機構ならびに回転
駆動機構を有する可動式回り込み防止リング４ａを設
け、可動式回り込み防止リング４ａを上昇させてウエハ
２の裏面外周部に接触させ、かつスピンチャック１と同
期回転させて現像処理中はウエハ２の裏面への現像液３
の回り込みを防止し、現像処理終了後は可動式回り込み
防止リング４ａを下降させてウエハ２の裏面から離間さ
せ、同期回転を停止させてバックリンスノズル８からリ
ンス液を吐出してバックリンス処理を行なう。可動式回
り込み防止リング４ａの上下駆動は永久磁石５と電磁石
７で行ない、回転駆動はキー部９ａとキー溝９とのスラ
イド嵌合により行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣなどの半導体
デバイスの製造工程において、半導体ウエハの表面にフ
ォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを形成す
る際に使用するウエハ現像装置に関するもので、特に現
像処理の際に、半導体ウエハの裏面側に現像液が回り込
むのを防止する手段を備えたウエハ現像装置に関する。
デバイスの製造工程において、半導体ウエハの表面にフ
ォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを形成す
る際に使用するウエハ現像装置に関するもので、特に現
像処理の際に、半導体ウエハの裏面側に現像液が回り込
むのを防止する手段を備えたウエハ現像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトリソグラフィー技術を用い
て半導体ウエハ（以下、単にウエハと称する）に回路パ
ターンを形成する際、ウエハに塗布したフォトレジスト
を現像処理するためにウエハ現像装置が用いられてい
る。この装置は、ウエハをスピンチャックに水平に吸着
保持し、このスピンチャックを回転させながらウエハ表
面に現像液を滴下し、現像処理を行うようになってい
る。
て半導体ウエハ（以下、単にウエハと称する）に回路パ
ターンを形成する際、ウエハに塗布したフォトレジスト
を現像処理するためにウエハ現像装置が用いられてい
る。この装置は、ウエハをスピンチャックに水平に吸着
保持し、このスピンチャックを回転させながらウエハ表
面に現像液を滴下し、現像処理を行うようになってい
る。
【０００３】しかし、現像液を滴下する際に、回転によ
って振り切ってはいるもののウエハ表面からあふれた現
像液がウエハ裏面に回り込むという現象が発生し、この
回り込んだ現像液の付着によって汚染されたウエハが次
工程に流れると、回路パターンの形成に悪影響を及ぼす
ことになる。そこで、従来は、この現像液のウエハ裏面
への回り込みを防止するために各種手段が用いられてい
る。
って振り切ってはいるもののウエハ表面からあふれた現
像液がウエハ裏面に回り込むという現象が発生し、この
回り込んだ現像液の付着によって汚染されたウエハが次
工程に流れると、回路パターンの形成に悪影響を及ぼす
ことになる。そこで、従来は、この現像液のウエハ裏面
への回り込みを防止するために各種手段が用いられてい
る。
【０００４】たとえば、従来の裏面回りこみ防止機能の
一例について、図４に示すウエハ現像装置の概略断面図
を用いて説明すると、まず、スピンチャック１上に吸着
保持されたウエハ２上に現像液供給ノズル３ａから現像
液３を滴下する。このとき、ウエハ２の表面からあふれ
た現像液３は、ウエハ２の裏面に回り込む。回り込んだ
現像液３は、表面張力により回り込み防止リング４とウ
エハ２との隙間に液膜を形成する。この回り込み防止リ
ング４は、ウエハ２の外径よりもわずかに小さい外径を
有し円筒状に形成されてカップ６に固定され、その上端
は回転するウエハ２と接触しない程度にわずかに隙間を
あけて設置されている。そして、この液膜によって、ウ
エハ２の裏面に回り込んだ現像液がウエハ中心方向へ侵
入して行くのを防止している（特開平８−１２４８４６
号公報）。
一例について、図４に示すウエハ現像装置の概略断面図
を用いて説明すると、まず、スピンチャック１上に吸着
保持されたウエハ２上に現像液供給ノズル３ａから現像
液３を滴下する。このとき、ウエハ２の表面からあふれ
た現像液３は、ウエハ２の裏面に回り込む。回り込んだ
現像液３は、表面張力により回り込み防止リング４とウ
エハ２との隙間に液膜を形成する。この回り込み防止リ
ング４は、ウエハ２の外径よりもわずかに小さい外径を
有し円筒状に形成されてカップ６に固定され、その上端
は回転するウエハ２と接触しない程度にわずかに隙間を
あけて設置されている。そして、この液膜によって、ウ
エハ２の裏面に回り込んだ現像液がウエハ中心方向へ侵
入して行くのを防止している（特開平８−１２４８４６
号公報）。
【０００５】しかしながら、ウエハ２の裏面状態や現像
処理条件等によっては、ウエハ２と回り込み防止リング
４との隙間に液膜の形成が十分にできないことがある。
このような場合には、現像液３は回り込み防止リング４
を越えてウエハ２の中心方向へ侵入してしまう。この現
像液３が、回り込み防止リング４よりもさらに内側に設
けられているバックリンスノズル８を越えて侵入してし
まうと、バックリンスノズル８からリンス液（洗浄液）
を吐出しても現像液３を洗い流すことができなくなる。
その結果、現像処理の終了後も、現像液３がウエハ２の
裏面に残留することになる。この状態のウエハ２が次工
程に流れると、ウエハ２の裏面に残った現像液３が汚染
等の原因となる。
処理条件等によっては、ウエハ２と回り込み防止リング
４との隙間に液膜の形成が十分にできないことがある。
このような場合には、現像液３は回り込み防止リング４
を越えてウエハ２の中心方向へ侵入してしまう。この現
像液３が、回り込み防止リング４よりもさらに内側に設
けられているバックリンスノズル８を越えて侵入してし
まうと、バックリンスノズル８からリンス液（洗浄液）
を吐出しても現像液３を洗い流すことができなくなる。
その結果、現像処理の終了後も、現像液３がウエハ２の
裏面に残留することになる。この状態のウエハ２が次工
程に流れると、ウエハ２の裏面に残った現像液３が汚染
等の原因となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のウ
エハ現像装置は、ウエハ上に滴下する現像液を遠心力で
振り切ってはいるものの、ウエハ裏面への回り込みを完
全に押さえることは不可能であり、さらに、この回り込
んだ現像液の侵入を防止するために回り込み防止リング
を設けてみても、ウエハが回転することから隙間間隔が
必ずしも一定しないため、隙間に形成される液膜状態は
不安定であり、回り込み防止リングを越えて現像液がウ
エハ中心方向へ侵入するのを完全に防止することはやは
り不可能である。
エハ現像装置は、ウエハ上に滴下する現像液を遠心力で
振り切ってはいるものの、ウエハ裏面への回り込みを完
全に押さえることは不可能であり、さらに、この回り込
んだ現像液の侵入を防止するために回り込み防止リング
を設けてみても、ウエハが回転することから隙間間隔が
必ずしも一定しないため、隙間に形成される液膜状態は
不安定であり、回り込み防止リングを越えて現像液がウ
エハ中心方向へ侵入するのを完全に防止することはやは
り不可能である。
【０００７】本発明は、ウエハ現像処理におけるこれら
の問題点を解決し、半導体デバイスの製造工程において
汚染のないウエハを供給することによって製品歩留まり
の向上を図ることを目的としたウエハ現像装置を提供す
るものである。
の問題点を解決し、半導体デバイスの製造工程において
汚染のないウエハを供給することによって製品歩留まり
の向上を図ることを目的としたウエハ現像装置を提供す
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハを吸着
保持するスピンチャックと、回転するウエハ上に現像液
を滴下する現像液供給ノズルと、ウエハの裏面に洗浄液
を吐出するバックリンスノズルと、液の飛散を防止する
カップとを有し、ウエハ表面に現像液膜を形成するウエ
ハ現像装置において、ウエハの裏面側にスピンチャック
の回転軸と同心状に設置されて上下駆動機構ならびに回
転駆動機構を有する可動式回り込み防止リングを設け、
この可動式回り込み防止リングを上昇させてウエハの裏
面外周部に接触させ、かつスピンチャックと同期回転さ
せて現像処理中はウエハ裏面への現像液の回り込みを防
止し、現像処理終了後は可動式回り込み防止リングを下
降させてウエハ裏面から離間させ、スピンチャックとの
同期回転を停止してバックリンス処理を行なうことを特
徴とするウエハ現像装置である。
保持するスピンチャックと、回転するウエハ上に現像液
を滴下する現像液供給ノズルと、ウエハの裏面に洗浄液
を吐出するバックリンスノズルと、液の飛散を防止する
カップとを有し、ウエハ表面に現像液膜を形成するウエ
ハ現像装置において、ウエハの裏面側にスピンチャック
の回転軸と同心状に設置されて上下駆動機構ならびに回
転駆動機構を有する可動式回り込み防止リングを設け、
この可動式回り込み防止リングを上昇させてウエハの裏
面外周部に接触させ、かつスピンチャックと同期回転さ
せて現像処理中はウエハ裏面への現像液の回り込みを防
止し、現像処理終了後は可動式回り込み防止リングを下
降させてウエハ裏面から離間させ、スピンチャックとの
同期回転を停止してバックリンス処理を行なうことを特
徴とするウエハ現像装置である。
【０００９】また、前記可動式回り込み防止リングの上
下駆動機構は、この可動式回り込み防止リングに取り付
けられた永久磁石と、カップに固定された電磁石とで構
成され、電磁石の磁界を制御することによって発生する
永久磁石と電磁石との間の反発力または吸引力によっ
て、可動式回り込み防止リングを上昇または下降させる
ことを特徴とする。
下駆動機構は、この可動式回り込み防止リングに取り付
けられた永久磁石と、カップに固定された電磁石とで構
成され、電磁石の磁界を制御することによって発生する
永久磁石と電磁石との間の反発力または吸引力によっ
て、可動式回り込み防止リングを上昇または下降させる
ことを特徴とする。
【００１０】また、前記可動式回り込み防止リングの回
転駆動機構は、この可動式回り込み防止リングに設けら
れたキー溝と、このキー溝にスライド可能に嵌合できる
スピンチャックの回転軸に設けられたキー部とで構成さ
れ、可動式回り込み防止リングが上昇位置にあるときは
スピンチャックと同期して回転し、下降位置にあるとき
は同期回転を停止することを特徴とする。
転駆動機構は、この可動式回り込み防止リングに設けら
れたキー溝と、このキー溝にスライド可能に嵌合できる
スピンチャックの回転軸に設けられたキー部とで構成さ
れ、可動式回り込み防止リングが上昇位置にあるときは
スピンチャックと同期して回転し、下降位置にあるとき
は同期回転を停止することを特徴とする。
【００１１】また、前記可動式回り込み防止リングをウ
エハ裏面に接触させる際は、永久磁石と電磁石との間の
反発力がスピンチャックのウエハ吸着力よりも弱くなる
ように電磁石の磁界を制御することを特徴とする。
エハ裏面に接触させる際は、永久磁石と電磁石との間の
反発力がスピンチャックのウエハ吸着力よりも弱くなる
ように電磁石の磁界を制御することを特徴とする。
【００１２】また、前記可動式回り込み防止リングのウ
エハ裏面と接触する部分には、Ｏリングが設けられてい
ることを特徴とする。
エハ裏面と接触する部分には、Ｏリングが設けられてい
ることを特徴とする。
【００１３】また、前記可動式回り込み防止リングの外
径は、ウエハの外径よりもわずかに小さい寸法に形成さ
れていることを特徴とする。
径は、ウエハの外径よりもわずかに小さい寸法に形成さ
れていることを特徴とする。
【００１４】また、前記可動式回り込み防止リングがウ
エハ裏面と接触しているときに、この可動式回り込み防
止リングとウエハとで囲まれる空間内に温度調節された
不活性ガスを送り込み、この空間内を大気圧に対し陽圧
とすることによって現像液の侵入を防止することを特徴
とする。
エハ裏面と接触しているときに、この可動式回り込み防
止リングとウエハとで囲まれる空間内に温度調節された
不活性ガスを送り込み、この空間内を大気圧に対し陽圧
とすることによって現像液の侵入を防止することを特徴
とする。
【００１５】また、前記不活性ガスを温度調節すること
によって、現像処理中のウエハの温度調節を行なうこと
を特徴とする。
によって、現像処理中のウエハの温度調節を行なうこと
を特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明のウ
エハ現像装置における第１の実施の形態を示す図で、同
図（ａ）は概略断面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。
て、図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明のウ
エハ現像装置における第１の実施の形態を示す図で、同
図（ａ）は概略断面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図
である。
【００１７】図１に示すように、本発明のウエハ現像装
置は、被現像処理体となるウエハ２を吸着保持し水平に
回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方
に設置されウエハ2上に現像液3を滴下する現像液供給ノ
ズル３ａと、ウエハ2の裏面側にウエハ２と同心円状に
設置され、ウエハ2の直径よりもわずかに小さい外径を
有して上下動作および回転動作が可能な可動式回り込み
防止リング4ａと、ウエハ２の裏面を洗浄するためのバ
ックリンスノズル８と、これらの機構を取り囲み回転処
理時の現像液および洗浄液の飛散を防止するためのカッ
プ6とから構成されている。
置は、被現像処理体となるウエハ２を吸着保持し水平に
回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方
に設置されウエハ2上に現像液3を滴下する現像液供給ノ
ズル３ａと、ウエハ2の裏面側にウエハ２と同心円状に
設置され、ウエハ2の直径よりもわずかに小さい外径を
有して上下動作および回転動作が可能な可動式回り込み
防止リング4ａと、ウエハ２の裏面を洗浄するためのバ
ックリンスノズル８と、これらの機構を取り囲み回転処
理時の現像液および洗浄液の飛散を防止するためのカッ
プ6とから構成されている。
【００１８】可動式回り込み防止リング４ａは塩化ビニ
ールなどの樹脂材から構成され、円筒状の壁部４ｂとこ
の壁部４ｂを取り付けた底板４ｃとからなり、底板４ｃ
の裏面側には永久磁石５が取り付けられている。さら
に、底板４ｃの中央部にはキー溝9が形成され、スピン
チャック1の回転軸に設けられたキー部９ａにスライド
可能に嵌合できるようになっている。また、カップ6の
底部には、可動式回り込み防止リング4ａに取り付けら
れた永久磁石５と対向する位置に、電磁石７が取り付け
られている。
ールなどの樹脂材から構成され、円筒状の壁部４ｂとこ
の壁部４ｂを取り付けた底板４ｃとからなり、底板４ｃ
の裏面側には永久磁石５が取り付けられている。さら
に、底板４ｃの中央部にはキー溝9が形成され、スピン
チャック1の回転軸に設けられたキー部９ａにスライド
可能に嵌合できるようになっている。また、カップ6の
底部には、可動式回り込み防止リング4ａに取り付けら
れた永久磁石５と対向する位置に、電磁石７が取り付け
られている。
【００１９】このように構成された本発明のウエハ現像
装置は、可動式回り込み防止リング４ａを備えたことを
特徴としている。この可動式回り込み防止リング4ａの
機能について説明すると、可動式回り込み防止リング4
ａの底板４ｃに取り付けられた永久磁石5と、カップ6に
取り付けられた電磁石7との間に反発力または吸引力を
発生させ、反発力が働いたときは両磁石が遠ざかる方
向、すなわち、位置が固定されている電磁石7に対し永
久磁石5は上方向に動作し、その結果、永久磁石５を有
する可動式回り込み防止リング4ａは上昇することにな
る。一方、吸引力が働いたときには、両磁石は接近する
方向に動作し、その結果、上昇していた可動式回り込み
防止リング４ａは下降することになる。
装置は、可動式回り込み防止リング４ａを備えたことを
特徴としている。この可動式回り込み防止リング4ａの
機能について説明すると、可動式回り込み防止リング4
ａの底板４ｃに取り付けられた永久磁石5と、カップ6に
取り付けられた電磁石7との間に反発力または吸引力を
発生させ、反発力が働いたときは両磁石が遠ざかる方
向、すなわち、位置が固定されている電磁石7に対し永
久磁石5は上方向に動作し、その結果、永久磁石５を有
する可動式回り込み防止リング4ａは上昇することにな
る。一方、吸引力が働いたときには、両磁石は接近する
方向に動作し、その結果、上昇していた可動式回り込み
防止リング４ａは下降することになる。
【００２０】この両磁石の間に反発力または吸引力を発
生させるには、電磁石7の磁界の向きを制御することに
よって行い、また、電磁石７の磁界強度を制御すること
によって可動式回り込み防止リング４ａの上昇および下
降速度を調整することができる。
生させるには、電磁石7の磁界の向きを制御することに
よって行い、また、電磁石７の磁界強度を制御すること
によって可動式回り込み防止リング４ａの上昇および下
降速度を調整することができる。
【００２１】また、可動式回り込み防止リング４ａは、
上昇を開始すると同時に底板４ｃに開けられたキー溝９
がスピンチャック１のキー部９ａにスライドしながら嵌
合するようになっているため、可動式回り込み防止リン
グ４ａはスピンチャック１に連結され、その結果、可動
式回り込み防止リング４ａは上昇位置においてスピンチ
ャック１と同期して回転することが可能となる。
上昇を開始すると同時に底板４ｃに開けられたキー溝９
がスピンチャック１のキー部９ａにスライドしながら嵌
合するようになっているため、可動式回り込み防止リン
グ４ａはスピンチャック１に連結され、その結果、可動
式回り込み防止リング４ａは上昇位置においてスピンチ
ャック１と同期して回転することが可能となる。
【００２２】また、両磁石の間の吸引力によって可動式
回り込み防止リング4ａが下降すると、キー部９ａとキ
ー溝９の嵌合が外れるため、下降位置においては可動式
回り込み防止リング4ａはスピンチャック1との連結が外
れ、回転が停止する構造となっている。さらに、可動式
回り込み防止リング４ａには、下降位置においてバック
リンスノズル８と干渉しないように底板４ｃにバックリ
ンスノズル用開口１０が開けられている。このバックリ
ンスノズル８は、可動式回り込み防止リング４ａの壁部
４ｂより内側になるように設置されている。
回り込み防止リング4ａが下降すると、キー部９ａとキ
ー溝９の嵌合が外れるため、下降位置においては可動式
回り込み防止リング4ａはスピンチャック1との連結が外
れ、回転が停止する構造となっている。さらに、可動式
回り込み防止リング４ａには、下降位置においてバック
リンスノズル８と干渉しないように底板４ｃにバックリ
ンスノズル用開口１０が開けられている。このバックリ
ンスノズル８は、可動式回り込み防止リング４ａの壁部
４ｂより内側になるように設置されている。
【００２３】次に、本発明のウエハ現像装置の動作につ
いて、図1を参照して詳細に説明する。まず、フォトレ
ジストが塗布され回路パターンが露光されたウエハ2を
スピンチャック1上に吸着保持する。ついで、電磁石７
に磁界を発生させて永久磁石５との間の反発力により可
動式回り込み防止リング４ａを上昇させる。このとき、
永久磁石５と電磁石７との反発力を、スピンチャック１
がウエハ２を真空吸着する力よりも弱く調整することに
よって、可動式回り込み防止リング４ａはウエハ２に衝
撃を与えたり破損したりすることなく、可動式回り込み
防止リング４ａの壁部４ｂの先端をウエハ２の裏面に軽
く接触させることが可能となる。
いて、図1を参照して詳細に説明する。まず、フォトレ
ジストが塗布され回路パターンが露光されたウエハ2を
スピンチャック1上に吸着保持する。ついで、電磁石７
に磁界を発生させて永久磁石５との間の反発力により可
動式回り込み防止リング４ａを上昇させる。このとき、
永久磁石５と電磁石７との反発力を、スピンチャック１
がウエハ２を真空吸着する力よりも弱く調整することに
よって、可動式回り込み防止リング４ａはウエハ２に衝
撃を与えたり破損したりすることなく、可動式回り込み
防止リング４ａの壁部４ｂの先端をウエハ２の裏面に軽
く接触させることが可能となる。
【００２４】また、可動式回り込み防止リング４ａの上
昇時には、キー溝９がスピンチャック１のキー部９ａと
嵌り合って連結されるため、スピンチャック１の回転と
同期して回転することが可能となる。このような機構を
備えたことによって、ウエハ２を回転させて現像液３を
滴下する以前に、可動式回り込み防止リング４ａとウエ
ハ２の裏面とを接触させておくことができる。
昇時には、キー溝９がスピンチャック１のキー部９ａと
嵌り合って連結されるため、スピンチャック１の回転と
同期して回転することが可能となる。このような機構を
備えたことによって、ウエハ２を回転させて現像液３を
滴下する以前に、可動式回り込み防止リング４ａとウエ
ハ２の裏面とを接触させておくことができる。
【００２５】次いで、ウエハ２の裏面に可動式回り込み
防止リング４ａを接触させた状態でスピンチャック１を
回転させ、現像液供給ノズル３ａから現像液３を滴下し
て遠心力によりウエハ２の表面に広げ、ウエハ２の表面
に現像液膜を形成する。ここで、ウエハ２の裏面周辺部
には可動式回り込み防止リング４ａが接触しているた
め、ウエハ２の表面に広がった現像液３のウエハ裏面へ
の回り込みは裏面周辺部で阻止され、裏面中心部にまで
達することは無くなる。
防止リング４ａを接触させた状態でスピンチャック１を
回転させ、現像液供給ノズル３ａから現像液３を滴下し
て遠心力によりウエハ２の表面に広げ、ウエハ２の表面
に現像液膜を形成する。ここで、ウエハ２の裏面周辺部
には可動式回り込み防止リング４ａが接触しているた
め、ウエハ２の表面に広がった現像液３のウエハ裏面へ
の回り込みは裏面周辺部で阻止され、裏面中心部にまで
達することは無くなる。
【００２６】次いで、ウエハ２の回転を停止して静止現
像処理（パドル）を一定時間行うが、このときも可動式
回り込み防止リング４ａによって現像液３のウエハ裏面
への回り込みは完全に阻止されている。パドル終了後、
バックリンスノズル８の位置に可動式回り込み防止リン
グ４ａの底板４ｃに開けられたバックリンスノズル用開
口１０を合わせ、可動式回り込み防止リング４ａを下降
できる状態にする。バックリンスノズル用開口１０の位
置は、スピンモータの原点位置が決まっていることから
自動的に決まる。そして、永久磁石５と電磁石７との間
に磁界による吸引力を作用させて可動式回り込み防止リ
ング４ａを下降させ、ウエハ裏面から離間させる。この
とき、バックリンスノズル８の先端は、バックリンスノ
ズル用開口１０から突き出した状態となる。
像処理（パドル）を一定時間行うが、このときも可動式
回り込み防止リング４ａによって現像液３のウエハ裏面
への回り込みは完全に阻止されている。パドル終了後、
バックリンスノズル８の位置に可動式回り込み防止リン
グ４ａの底板４ｃに開けられたバックリンスノズル用開
口１０を合わせ、可動式回り込み防止リング４ａを下降
できる状態にする。バックリンスノズル用開口１０の位
置は、スピンモータの原点位置が決まっていることから
自動的に決まる。そして、永久磁石５と電磁石７との間
に磁界による吸引力を作用させて可動式回り込み防止リ
ング４ａを下降させ、ウエハ裏面から離間させる。この
とき、バックリンスノズル８の先端は、バックリンスノ
ズル用開口１０から突き出した状態となる。
【００２７】可動式回り込み防止リング４ａが下降する
と、可動式回り込み防止リング４ａとスピンチャック１
との連結はキー同士の嵌合が外れることによって解除さ
れ、可動式回り込み防止リング４ａは静止した状態で、
ウエハ２は次の工程である高速回転処理（リンス処理お
よびスピン乾燥処理）に入る。
と、可動式回り込み防止リング４ａとスピンチャック１
との連結はキー同士の嵌合が外れることによって解除さ
れ、可動式回り込み防止リング４ａは静止した状態で、
ウエハ２は次の工程である高速回転処理（リンス処理お
よびスピン乾燥処理）に入る。
【００２８】リンス処理ではウエハ２を高速回転させ、
バックリンスノズル８から吐出されるリンス液によっ
て、ウエハ２の裏面の最外周部から可動式回り込み防止
リング４ａの壁部４ｂとの接触部までの間に付着してい
る現像液３を遠心力により洗い流す。現像液ならびに洗
浄液の廃液は、カップ６の底部に設けられた排液口１３
から排出され、発生した廃ガスは排気口１４から吸引除
去される。裏面洗浄の終了したウエハ２は、引き続き高
速回転させてスピン乾燥処理を行い、一連のウエハ現像
処理を終了する。
バックリンスノズル８から吐出されるリンス液によっ
て、ウエハ２の裏面の最外周部から可動式回り込み防止
リング４ａの壁部４ｂとの接触部までの間に付着してい
る現像液３を遠心力により洗い流す。現像液ならびに洗
浄液の廃液は、カップ６の底部に設けられた排液口１３
から排出され、発生した廃ガスは排気口１４から吸引除
去される。裏面洗浄の終了したウエハ２は、引き続き高
速回転させてスピン乾燥処理を行い、一連のウエハ現像
処理を終了する。
【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図２は第２の実施の形態
のウエハ現像装置を示す概略断面図である。図２に示す
ように、本実施の形態は、可動式回り込み防止リング４
ａのウエハ２の裏面と接触する壁部４ｂの上端部分にＯ
リング１１を嵌め込み、可動式回り込み防止リング４ａ
が上昇位置に来たときにＯリング１１とウエハ２の裏面
が直接接触するようにしたものである。
て、図面を参照して説明する。図２は第２の実施の形態
のウエハ現像装置を示す概略断面図である。図２に示す
ように、本実施の形態は、可動式回り込み防止リング４
ａのウエハ２の裏面と接触する壁部４ｂの上端部分にＯ
リング１１を嵌め込み、可動式回り込み防止リング４ａ
が上昇位置に来たときにＯリング１１とウエハ２の裏面
が直接接触するようにしたものである。
【００３０】このように、Ｏリングを設けたことによっ
て、ウエハ２と可動式回り込み防止リング４ａとの間に
弾力性が生じて密着性が向上するため、可動式回り込み
防止リング４ａを上昇させるときの駆動力の調整がやり
易くなる。なお、本実施の形態は、Ｏリングを設けた以
外は第１の実施の形態と構成および動作が同じであるの
で、その他の説明は省略する。
て、ウエハ２と可動式回り込み防止リング４ａとの間に
弾力性が生じて密着性が向上するため、可動式回り込み
防止リング４ａを上昇させるときの駆動力の調整がやり
易くなる。なお、本実施の形態は、Ｏリングを設けた以
外は第１の実施の形態と構成および動作が同じであるの
で、その他の説明は省略する。
【００３１】次に、本発明の第３の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図３は第３の実施の形態
のウエハ現像装置を示す概略断面図である。図３に示す
ように、本実施の形態は、温度調節された不活性ガス１
２を、スピンチャック１の外周部からウエハ２の裏面外
周方向に向けて吐出させる機能を付加したものである。
て、図面を参照して説明する。図３は第３の実施の形態
のウエハ現像装置を示す概略断面図である。図３に示す
ように、本実施の形態は、温度調節された不活性ガス１
２を、スピンチャック１の外周部からウエハ２の裏面外
周方向に向けて吐出させる機能を付加したものである。
【００３２】すなわち、可動式回り込み防止リング４ａ
が上昇位置にあるときに、温度調節機構（図示せず）に
よって温度調節された不活性ガス１２をスピンチャック
１の回転軸を通して送りこみ、スピンチャック１の外周
部からウエハ２の裏面に沿って吹き出させ、可動式回り
込み防止リング４ａの壁部４ｂに達した不活性ガス１２
は排気孔１４から排出するようになっている。なお、本
実施の形態は、不活性ガス供給機能を付加した以外は、
第１の実施の形態と構成および動作が同じであるので、
その他の説明は省略する。
が上昇位置にあるときに、温度調節機構（図示せず）に
よって温度調節された不活性ガス１２をスピンチャック
１の回転軸を通して送りこみ、スピンチャック１の外周
部からウエハ２の裏面に沿って吹き出させ、可動式回り
込み防止リング４ａの壁部４ｂに達した不活性ガス１２
は排気孔１４から排出するようになっている。なお、本
実施の形態は、不活性ガス供給機能を付加した以外は、
第１の実施の形態と構成および動作が同じであるので、
その他の説明は省略する。
【００３３】この不活性ガスを供給する機能を付加した
ことによって、可動式回り込み防止リング４ａとウエハ
２とで囲まれた内部空間を大気圧に対し陽圧にすること
ができるので、たとえ可動式回り込み防止リング４ａと
ウエハ２との接触部分の平坦度が悪くて多少隙間ができ
たとしても、不活性ガス１２の圧力によって現像液の回
り込みによる侵入を阻止することができる。また、不活
性ガス１２を温度調節することにより、間接的にウエハ
２の温度をコントロールすることができ、現像中の現像
レートを均一に保つことができる。
ことによって、可動式回り込み防止リング４ａとウエハ
２とで囲まれた内部空間を大気圧に対し陽圧にすること
ができるので、たとえ可動式回り込み防止リング４ａと
ウエハ２との接触部分の平坦度が悪くて多少隙間ができ
たとしても、不活性ガス１２の圧力によって現像液の回
り込みによる侵入を阻止することができる。また、不活
性ガス１２を温度調節することにより、間接的にウエハ
２の温度をコントロールすることができ、現像中の現像
レートを均一に保つことができる。
【００３４】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明のウエハ
現像装置によれば、現像液を滴下する前からパドル終了
までの間、可動式回り込み防止リングを上昇させてウエ
ハ裏面に接触させておくことによって、現像液が可動式
回り込み防止リングを越えて内側に回り込むことを完全
に防止することができる。
現像装置によれば、現像液を滴下する前からパドル終了
までの間、可動式回り込み防止リングを上昇させてウエ
ハ裏面に接触させておくことによって、現像液が可動式
回り込み防止リングを越えて内側に回り込むことを完全
に防止することができる。
【００３５】また、パドル終了後、可動式回り込み防止
リングを降下させウエハ裏面から離間させることによっ
て、ウエハ裏面の最外周部から可動式回り込み防止リン
グとの接触部までの間に付着している現像液も、リンス
液で洗い流すことが可能であるため、現像液がウエハの
裏面に残留するという不具合を完全に防止することがで
きる。その結果、半導体デバイスの製造工程において汚
染のないウエハを供給することが可能となり、製品の歩
留まり向上を図ることができる。
リングを降下させウエハ裏面から離間させることによっ
て、ウエハ裏面の最外周部から可動式回り込み防止リン
グとの接触部までの間に付着している現像液も、リンス
液で洗い流すことが可能であるため、現像液がウエハの
裏面に残留するという不具合を完全に防止することがで
きる。その結果、半導体デバイスの製造工程において汚
染のないウエハを供給することが可能となり、製品の歩
留まり向上を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図で、図
（ａ）は概略断面図、図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ断面
図である。
（ａ）は概略断面図、図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ断面
図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図４】従来のウエハ現像装置の概略断面図である。
１ スピンチャック ２ ウエハ ３ 現像液 ３ａ 現像液供給ノズル ４ 回り込み防止リング ４ａ 可動式回り込み防止リング ４ｂ 壁部 ４ｃ 底板 ５ 永久磁石 ６ カップ ７ 電磁石 ８ バックリンスノズル ９ キー溝 ９ａ キー部 １０ バックリンスノズル用開口 １１ Ｏリング １２ 不活性ガス １３ 排液口 １４ 排気口
Claims (8)
- 【請求項１】 ウエハを吸着保持するスピンチャック
と、回転するウエハ上に現像液を滴下する現像液供給ノ
ズルと、ウエハ裏面に洗浄液を吐出するバックリンスノ
ズルと、液の飛散を防止するカップとを有し、ウエハ表
面に現像液膜を形成するウエハ現像装置において、ウエ
ハの裏面側にスピンチャックの回転軸と同心状に設置さ
れて上下駆動機構ならびに回転駆動機構を有する可動式
回り込み防止リングを設け、この可動式回り込み防止リ
ングを上昇させてウエハの裏面外周部に接触させ、かつ
スピンチャックと同期回転させて現像処理中はウエハ裏
面への現像液の回り込みを防止し、現像処理終了後は可
動式回り込み防止リングを下降させてウエハ裏面から離
間させ、スピンチャックとの同期回転を停止してバック
リンス処理を行なうことを特徴とするウエハ現像装置。 - 【請求項２】 前記可動式回り込み防止リングの上下駆
動機構は、この可動式回り込み防止リングに取り付けら
れた永久磁石と、カップに固定された電磁石とで構成さ
れ、電磁石の磁界を制御することによって発生する永久
磁石と電磁石との間の反発力または吸引力によって、可
動式回り込み防止リングを上昇または下降させることを
特徴とする請求項１記載のウエハ現像装置。 - 【請求項３】 前記可動式回り込み防止リングの回転駆
動機構は、この可動式回り込み防止リングに設けられた
キー溝と、このキー溝にスライド可能に嵌合できるスピ
ンチャックの回転軸に設けられたキー部とで構成され、
可動式回り込み防止リングが上昇位置にあるときはスピ
ンチャックと同期して回転し、下降位置にあるときは同
期回転を停止することを特徴とする請求項１記載のウエ
ハ現像装置。 - 【請求項４】 前記可動式回り込み防止リングをウエハ
裏面に接触させる際は、永久磁石と電磁石との間の反発
力がスピンチャックのウエハ吸着力よりも弱くなるよう
に電磁石の磁界を制御することを特徴とする請求項１記
載のウエハ現像装置。 - 【請求項５】 前記可動式回り込み防止リングのウエハ
裏面と接触する部分には、Ｏリングが設けられているこ
とを特徴とする請求項１記載のウエハ現像装置。 - 【請求項６】 前記可動式回り込み防止リングの外径
は、ウエハの外径よりもわずかに小さい寸法に形成され
ていることを特徴とする請求項１記載のウエハ現像装
置。 - 【請求項７】 前記可動式回り込み防止リングがウエハ
裏面と接触しているときに、この可動式回り込み防止リ
ングとウエハとで囲まれる空間内に温度調節された不活
性ガスを送り込み、この空間内を大気圧に対し陽圧とす
ることによって現像液の侵入を防止することを特徴とす
る請求項１記載のウエハ現像装置。 - 【請求項８】 前記不活性ガスを温度調節することによ
って、現像処理中のウエハの温度調節を行なうことを特
徴とする請求項７記載のウエハ現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000154942A JP2001332486A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | ウエハ現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000154942A JP2001332486A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | ウエハ現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332486A true JP2001332486A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18659959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000154942A Pending JP2001332486A (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | ウエハ現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001332486A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100855737B1 (ko) | 2007-04-18 | 2008-09-03 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 스핀 척 |
| US7866058B2 (en) * | 2006-08-30 | 2011-01-11 | Semes Co., Ltd. | Spin head and substrate treating method using the same |
| CN102043354A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 东京毅力科创株式会社 | 显影装置和显影方法 |
| WO2013142030A1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-09-26 | Veeco Instruments Inc. | Keyed wafer carrier |
| JP2013229552A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-11-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
| USD744967S1 (en) | 2012-03-20 | 2015-12-08 | Veeco Instruments Inc. | Spindle key |
| CN109494174A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-03-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质 |
-
2000
- 2000-05-25 JP JP2000154942A patent/JP2001332486A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7866058B2 (en) * | 2006-08-30 | 2011-01-11 | Semes Co., Ltd. | Spin head and substrate treating method using the same |
| KR100855737B1 (ko) | 2007-04-18 | 2008-09-03 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 스핀 척 |
| CN102043354A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 东京毅力科创株式会社 | 显影装置和显影方法 |
| CN102043354B (zh) * | 2009-10-23 | 2013-04-17 | 东京毅力科创株式会社 | 显影装置和显影方法 |
| US9385020B2 (en) | 2011-12-19 | 2016-07-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method |
| JP2013229552A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-11-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
| KR101582909B1 (ko) * | 2012-03-20 | 2016-01-19 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 키형 웨이퍼 캐리어 |
| USD744967S1 (en) | 2012-03-20 | 2015-12-08 | Veeco Instruments Inc. | Spindle key |
| CN104321859A (zh) * | 2012-03-20 | 2015-01-28 | 维易科仪器公司 | 键控晶片载体 |
| WO2013142030A1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-09-26 | Veeco Instruments Inc. | Keyed wafer carrier |
| CN104321859B (zh) * | 2012-03-20 | 2016-08-24 | 维易科仪器公司 | 键控晶片载体 |
| US9816184B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-11-14 | Veeco Instruments Inc. | Keyed wafer carrier |
| KR101946432B1 (ko) | 2012-03-20 | 2019-02-11 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 키형 웨이퍼 캐리어 |
| CN109494174A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-03-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质 |
| KR20190029439A (ko) * | 2017-09-11 | 2019-03-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 |
| JP2019050287A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP7001400B2 (ja) | 2017-09-11 | 2022-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| KR102593787B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2023-10-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 |
| CN109494174B (zh) * | 2017-09-11 | 2024-05-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质 |
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