TWI545645B - Substrate processing method and substrate processing device - Google Patents

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TWI545645B
TWI545645B TW103128774A TW103128774A TWI545645B TW I545645 B TWI545645 B TW I545645B TW 103128774 A TW103128774 A TW 103128774A TW 103128774 A TW103128774 A TW 103128774A TW I545645 B TWI545645 B TW I545645B
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Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種用以對基板進行處理之基板處理方法及基板處理裝置。於成為處理對象之基板中，例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟中，為了對半導體晶圓或液晶顯示面板用玻璃基板等基板之主表面實施處理液處理，可使用逐片地對基板進行處理之單片式基板處理裝置。單片式基板處理裝置係例如具備：旋轉夾頭，其一方面將基板保持為大致水平姿勢，一方面使其旋轉；及中心軸噴嘴，其向保持於旋轉夾頭之基板之下表面供給處理液。
例如，下述專利文獻1係於圖7及圖8中，揭示具備下表面處理配管及圓板狀之對向板之基板處理裝置，該下表面處理配管係具有用以向保持於旋轉夾頭之基板之下表面供給處理液之下表面吐出口，該圓板狀之對向板係與基板之下表面對向配置。於對向板配置於接近基板之下表面之接近位置之狀態下，自下表面吐出口吐出處理液。藉此，於基板之下表面與對向板之基板對向面之間，處理液保持為液密狀態。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-238781號公報
然而，專利文獻1存在如下問題：於經過對基板之處理時間後，亦於基板之下表面保持處理液之液膜，由此導致基板之下表面之處理液處理持續進行。即，存在如下情形：為了去除保持於基板之下表面之液膜而需要既定之時間，因此存在基板之下表面被處理超過所期望之處理量之虞，其結果，無法對基板之下表面實施良好之處理液處理。
因此，本發明之目的在於提供一種可一方面謀求處理液之消耗量之減少，一方面對基板之下表面良好地實施處理液處理之基板處理方法及基板處理裝置。
本發明之第1態樣提供一種基板處理方法，其包含有：基板旋轉步驟(step)，其使基板以第1旋轉速度繞著既定之鉛垂軸線進行旋轉；液密步驟，其以與上述基板旋轉步驟併行之方式加以執行，且一方面使第1對向面以隔開既定之第1間隔之方式對向於旋轉中之上述基板之下表面，一方面自與上述基板之下表面呈對向之下表面噴嘴之處理液吐出口而加以吐出處理液，而利用處理液將上述基板的下表面與上述第1對向面之間之空間加以設定為液密狀態；及液密解除步驟，其在上述液密步驟之後，使上述基板之 下表面與上述第1對向面產生背離，藉此解除上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間的液密狀態。
根據該方法，於液密步驟中，向基板之下表面與第1對向面之間供給處理液。藉此，基板之下表面與第1對向面之間之空間呈液密狀態。上述空間之液密狀態係可藉由小流量之處理液而實現。其結果，可謀求處理液之消耗量之減少。
又，於液密解除步驟中，使基板之下表面與第1對向面彼此背離，藉此可瞬時地解除上述空間之液密狀態。藉此，於液密解除步驟後，不使處理液接液至基板之下表面，其結果，可阻止基板之下表面之處理液處理之持續進行。藉此，可將處理液處理保持為所期望之處理量。因此，可提供一種可一方面謀求處理液之消耗量之減少，一方面對基板之下表面良好地實施處理液處理之基板處理方法。
於本發明之一實施形態中，上述第1對向面係呈圓板狀，且其外周端係位在較上述基板之下表面之基板周端為更外側。
根據該方法，第1對向面之外周端係位於較基板之下表面周端更外側，因此可於基板之下表面之整個區域，形成基板之下表面與第1對向面之間之處理液之液密狀態。因此，可使處理液接液至基板之下表面之整個區域，因此可使用處理液而良好且均勻地對基板之下表面進行處理。
在上述液密步驟中，上述第1對向面、及具有上述處理液吐出口之上述下表面噴嘴之第2對向面係亦可配置在同一平面上。
根據該方法，於液密步驟中，下表面噴嘴之第2對向 面係與基板之下表面對向配置，且自形成於第2對向面之處理液吐出口吐出處理液。因此，於下表面噴嘴之第2對向面與基板之下表面之間，形成外廓筒狀之處理液之液柱。而且，第1對向面與第2對向面係配置於同一平面上，故第2對向面與基板之下表面之間之液柱係一方面於基板之下表面及第1對向面傳遞，一方面於基板之下表面及第1對向面之間之空間擴大。藉此，可於基板之下表面與第1對向面之間之空間，相對容易地形成處理液之液密狀態。
上述液密步驟係亦可具有：液柱形成步驟，其在使上 述下表面噴嘴對向於上述基板之下表面之中心附近之狀態下，自上述處理液吐出口將處理液加以吐出，而在該第1對向面與上述基板之下表面之間形成液柱；及液柱擴大步驟，其對於在該液柱形成步驟中所形成之上述液柱而更進一步加以吐出處理液，而使該液柱於上述基板之圓周方向上加以擴大。
上述基板處理方法亦可更進一步包含有上表面處理 步驟，該上表面處理步驟係向上述基板之上表面供給處理液，而利用處理液對該基板之上表面進行處理，且以與上述上表面處理步驟併行之方式執行上述液密步驟。
根據該方法，同時進行對基板之上表面之處理液處理、及對基板之下表面之處理液處理，因此可縮短各個個別地對基板之上表面及下表面之兩者實施處理液處理之情形時的處理時間。
又，於供給至基板之上表面之處理液被加熱成高溫之情形時，在剛剛供給至基板之上表面後為高溫，但於朝向基板之周緣部流動之過程中，其液溫下降。因此，於基板上，在其中央部，處理液之溫度相對變高，於周緣部，處理液之溫度相對變低。其結 果，存在產生基板上表面之處理速率之不均之虞，即，於基板之上表面之中央部，迅速地推進處理液處理，於基板之上表面之周緣部，相對較緩慢地推進處理液處理。
又，於在基板之下表面與第1對向面之間形成處理液 之液密狀態的情形時，若供給至基板之下表面之處理液亦被加熱成高溫，則可使高溫之處理液遍及基板之下表面之廣範圍(整個區域)而接液。因此，可將基板設為高溫且均勻之溫度分佈。藉此，於向基板之上表面供給高溫之處理液之情形時，亦可防止所供給之處理液之溫度於基板之周緣部下降。其結果，能夠以均勻之處理速率對基板之上表面進行處理。
上述基板處理方法亦可更進一步包含有高速旋轉處 理步驟，該高速旋轉處理步驟係在上述液密步驟之前而被加以執行，且一方面以快於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度使上述基板進行旋轉，一方面向該基板之下表面供給處理液，且上述液密步驟係以連續於上述高速旋轉步驟之結束的方式而開始加以執行。
根據該方法，於高速旋轉處理步驟中，對基板之下表面實施處理液處理，接著，於液密步驟中，對基板之下表面實施處理液處理。因此，可更進一步良好地對基板之下表面進行處理。
在自上述高速旋轉處理步驟移行至上述液密步驟之時序，亦可使被供給至上述基板之處理液的流量產生減少。
根據該方法，若於高速旋轉處理步驟中，相對大流量之處理液被供給至基板之下表面，則於結束高速旋轉處理步驟時，相對多量之處理液存在於基板之下表面。接著，於開始液密步驟時，使第1對向面隔開第1間隔而與基板之下表面對向，且使基板 之旋轉速度較至此為止旋轉速度減速。於該狀態下，在基板之下表面存在相對多量之處理液，因此可於第1對向面與基板之下表面之間之空間，良好地形成處理液之液密狀態。藉此，可順利地進行自高速旋轉處理步驟向液密步驟之移行。
上述基板處理方法亦可更進一步包含有清洗步驟，該 清洗步驟係在上述液密步驟之前而被加以執行，使上述第1對向面以隔開大於上述第1間隔之第2間隔之方式對向於上述基板之下表面，且一方面使上述基板以快於上述第1旋轉速度且慢於上述第2旋轉速度之第3旋轉速度進行旋轉，一方面使清洗液自上述處理液吐出口而供給至上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間，而對上述第1對向面進行清洗。
根據該方法，於使第1對向面隔開第2間隔而與基板 之下表面對向之狀態下，一方面使基板以第3旋轉速度旋轉，一方面向基板之下表面供給清洗液。供給於基板之下表面之清洗液係於在基板之下表面向周緣部擴散後，受到重力而自周緣部向下方滴落，從而供給至第1對向面。藉此，可藉由在第1對向面傳遞流動之清洗液而對第1對向面進行清洗。
又，用以對第1對向面進行清洗之清洗步驟係先於液 密步驟而執行，因此能夠以處理液未附著於基板之狀態開始液密步驟。因此，於在高速旋轉處理步驟中使用之處理液、與於液密步驟中使用之處理液為彼此不同之種類者之情形時，可防止不同之種類之處理液之混觸。
上述清洗液係包含上述處理液，上述液密步驟係為以 連續於上述清洗步驟之結束的方式而開始加以執行者，且與自上述 清洗步驟而朝向上述液密步驟之移行產生同步，而亦可使供給至上述基板之處理液的流量較至此為止更為減少。
根據該方法，若設為於清洗步驟中，相對大流量之清 洗液被供給至基板之下表面，則於結束清洗步驟時，相對多量之清洗液存在於基板之下表面。於該狀態下，一方面較至此為止之清洗液之流量更減少供給至基板之清洗液之流量，一方面連續於清洗步驟之結束而開始執行液密步驟。於該情形時，在基板之下表面存在相對多量之清洗液，因此可於第1對向面與基板之下表面之間之空間，良好地形成清洗液之液密狀態。藉此，可順利地進行自清洗步驟向液密步驟之移行。
上述處理液亦可為蝕刻液。
於使用蝕刻液而對基板進行處理之情形時，存在於經過所期望之蝕刻處理時間後，處理液之液膜亦保持於基板之下表面之情形，從而存在產生基板之下表面之蝕刻處理持續進行之問題。
然而，上述基板處理方法於液密解除步驟中，使基板之下表面與第1對向面背離，藉此於液密解除步驟後，蝕刻液不接液至基板之下表面。其結果，可阻止基板之下表面之蝕刻處理之持續進行。
本發明之第2態樣係提供一種基板處理裝置，其包含有：基板保持旋轉單元，其一方面將基板以水平姿勢加以保持，一方面使其繞著既定之鉛垂軸線進行旋轉；基板對向板，其具有第1對向面，該第1對向面係對向於藉由上述基板保持旋轉單元所旋轉之上述基板之下表面；對向板升降單元，其使上述基板對向板進行升降；下表面噴嘴，其具有與上述基板之下表面呈對向之處理液吐 出口，用於將處理液供給至上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間；處理液供給單元，其向上述下表面噴嘴供給處理液；液密控制單元，其對上述基板保持旋轉單元、上述對向板升降單元、及上述處理液供給單元進行控制，使上述基板以既定之第1旋轉速度旋轉執行液密步驟，該液密步驟係使上述第1對向面以隔開既定之第1間隔之方式對向於上述基板之下表面，且使處理液自上述處理液吐出口加以吐出，而利用處理液將上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間加以設定為液密狀態；及液密解除控制單元，其在上述液密步驟之執行結束之後，對上述對向板升降單元進行控制，而自執行上述液密步驟之狀態，使上述基板之下表面與上述第1對向面產生背離，而加以解除上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間的液密狀態。
根據該構成，於液密步驟中，向基板之下表面與第1 對向面之間供給處理液。藉此，基板之下表面與第1對向面之間之空間呈液密狀態。上述空間之液密狀態係可藉由小流量之處理液而實現。其結果，可謀求處理液之消耗量之減少。
又，於液密解除步驟中，使基板之下表面與第1對向 面背離，藉此可瞬時地解除上述空間之液密狀態。藉此，於液密解除步驟後，不使處理液接液至基板之下表面，其結果，可阻止基板之下表面之處理液處理之產生。藉此，可將處理液處理保持為所期望之處理量。因此，可提供一種可一方面謀求處理液之消耗量之減少，一方面對基板之下表面良好地實施處理液處理之基板處理裝置。
於本發明之一實施形態中，上述第1對向面係呈圓板 狀，且其外周端係位在較上述基板之下表面之基板周端為更外側，且上述基板保持旋轉單元係具有能夠以上述鉛垂軸線為中心而進行旋轉之基台、及立設在上述基台而將上述基板加以保持之複數個保持構件，且於上述基板對向板，於該基板對向板之厚度方向上，亦可以貫通之方式形成有用於供上述保持構件插通之複數個插通用凹部。
根據該構成，第1對向面之外周端位於較基板之下表 面周端更外側，因此可於基板之下表面之整個區域，形成基板之下表面與第1對向面之間之處理液之液密狀態。因此，可使處理液接液至基板之下表面之整個區域，因此可使用處理液而良好且均勻地對基板之下表面進行處理。
又，於基板對向板，形成有用以插通保持構件之複數 個插通用凹部，因此不會阻礙基板對向板之升降。因此，可於基板之下表面與基板對向板之間，順利地形成處理液之液密狀態。
各插通用凹部亦可為插通孔。於該情形時，基板對向 板之周緣部係自各插通孔向外側突出，於各插通孔與基板對向板之外周端之間，設置有厚壁。藉由該厚壁部分，可於基板之下表面之整個區域，確實地形成處理液之液密狀態。
又，上述下表面噴嘴亦可具有第2對向面，該第2對 向面係以隔開間隔之方式對向於上述基板之下表面，且具有上述處理液吐出口。
根據該構成，於液密步驟中，下表面噴嘴之第2對向 面係與基板之下表面對向配置，且自形成於第2對向面之處理液吐出口吐出處理液。因此，於下表面噴嘴之第2對向面與基板之下表 面之間，形成外廓筒狀之處理液之液柱。而且，第1對向面與第2對向面係配置於同一平面上，故第2對向面與基板之下表面之間之液柱係一方面於基板之下表面及第1對向面傳遞，一方面於基板之下表面及第1對向面之間之空間擴大。藉此，於基板之下表面與第1對向面之間之空間，可相對容易地形成處理液之液密狀態。
上述基板處理裝置亦可進而包含有使上述下表面噴嘴進行升降之噴嘴升降機構。
根據該構成，於使下表面噴嘴上升之情形時，可使處理液之吐出位置接近基板之下表面，因此可促進基板之下表面與第1對向面之間之空間之液密狀態的形成。又，於液密步驟之執行結束時，可使用噴嘴升降機構而容易地使下表面噴嘴與基板對向板一併自基板之下表面背離。
上述第2對向面係與包含有藉由上述基板保持旋轉單元所產生之上述基板之旋轉中心的區域呈對向，上述第1對向面亦可成為在俯視時包圍上述第2對向面之周圍的環狀。
上述第1對向面亦可包含有親水面。於該情形時，若第1對向面之表面為親水性，則易於使基板之下表面與第1對向面之間之空間呈液密狀態。
作為包含親水面之第1對向面之例，可列舉於第1對向面形成有多個凹部者、或使用既定之表面粗糙度而提高可濕性(wettability)者。
本發明之上述、或進而其他目的、特徵及效果係藉由參照隨附圖式而於以下敍述之實施形態之說明變得更明確。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理室
3‧‧‧旋轉夾頭
4‧‧‧旋轉基台
5‧‧‧保持構件
6‧‧‧旋轉軸
7‧‧‧旋轉驅動機構
8、81、82、83‧‧‧第1基板對向板
8a、82a、83a‧‧‧第1基板對向面
9‧‧‧基板保持構件可動機構
10‧‧‧旋轉軸線
13‧‧‧處理液供給管
14‧‧‧惰性氣體供給管
15‧‧‧下表面噴嘴
16‧‧‧第2基板對向板
16a‧‧‧第2基板對向面
17‧‧‧處理液吐出口
18、32‧‧‧凸緣
19‧‧‧階差部
20‧‧‧插通用凹部
20a‧‧‧切口部
21‧‧‧開口
24‧‧‧磁懸浮機構
25‧‧‧引導機構
26‧‧‧磁鐵保持構件
27‧‧‧對向板側永久磁鐵
28‧‧‧升降用永久磁鐵
29‧‧‧升降致動器
30‧‧‧導引軸
31‧‧‧線性軸承
33‧‧‧貫通孔
34‧‧‧作動軸
35‧‧‧升降用磁鐵保持構件
38‧‧‧空間
39、40、73、74‧‧‧液柱
42‧‧‧上表面藥液供給機構
43‧‧‧上表面淋洗液供給機構
44‧‧‧上表面藥液噴嘴
45‧‧‧上表面藥液供給配管
46‧‧‧上表面藥液閥
49‧‧‧上表面淋洗液噴嘴
50‧‧‧上表面淋洗液供給配管
51‧‧‧上表面淋洗液閥
54‧‧‧下表面藥液供給機構
55‧‧‧下表面淋洗液供給機構
57‧‧‧下表面藥液供給配管
58‧‧‧下表面藥液閥
59‧‧‧藥液流量調節閥
60‧‧‧處理液供給配管
61‧‧‧下表面淋洗液供給配管
62‧‧‧下表面淋洗液閥
63‧‧‧淋洗液流量調節閥
64‧‧‧惰性氣體供給機構
65‧‧‧惰性氣體供給配管
66‧‧‧惰性氣體閥
67‧‧‧惰性氣體流量調節閥
69‧‧‧控制裝置
71‧‧‧基板處理裝置
72‧‧‧下表面噴嘴升降機構
82b‧‧‧切口
S1~S20‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
ω1、ω2、ω3、ω4、ω5‧‧‧旋轉速度
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之概略構成的圖。
圖2係表示圖1所示之基板處理裝置之概略構成之俯視圖。
圖3係用以說明圖1所示之基板處理裝置之處理例之流程圖。
圖4係用以說明圖1所示之基板處理裝置之處理例之時序圖。
圖5A至5C係用以說明圖3及圖4之處理例之圖。
圖5D至5F係用以說明繼圖5C之後之步驟之圖。
圖5G至5I係用以說明繼圖5F之後之步驟之圖。
圖5J係用以說明繼圖5I之後之步驟之圖。
圖6係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之概略構成的圖。
圖7係表示圖6所示之基板處理裝置之概略構成之俯視圖。
圖8係用以說明圖6所示之基板處理裝置之處理例之流程圖。
圖9係用以說明圖6所示之基板處理裝置之處理例之時序圖。
圖10A至10C係用以說明圖8及圖9之處理例之圖。
圖10D至10F係用以說明繼圖10C之後之步驟之圖。
圖10G至10I係用以說明繼圖10F之後之步驟之圖。
圖10J至10L係用以說明繼圖10I之後之步驟之圖。
圖11A至11C係表示第1基板對向板之其他構成例之俯視圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之概略構成的圖。圖2係表示圖1之基板處理裝置1之概略構成之俯視圖。再者，圖1係表示自圖2所示之箭頭I之方向上觀察之切 斷線的剖面。
基板處理裝置1係逐片地對基板W進行處理之單片 式裝置。以下，將採用半導體基板作為基板W之情形列舉為例而進行說明。基板處理裝置1具備：處理室2，其以間隔壁劃分；及旋轉夾頭(基板保持旋轉單元)3，其於處理室2內，水平地保持基板W而使其旋轉。
旋轉夾頭3具備：圓板狀之旋轉基台(基台)4，其可 圍繞沿鉛垂方向之旋轉軸線10旋轉；保持構件5，其設置於旋轉基台4上；筒狀之旋轉軸6，其自旋轉基台4向鉛垂下方延伸；旋轉驅動機構7，其使旋轉基台4及旋轉軸6圍繞旋轉軸線10旋轉；及第1基板對向板8，其配置於旋轉基台4之上表面與保持構件5之基板保持高度之間。
旋轉夾頭3係藉由複數個保持構件5於水平方向上夾 持著基板W而將該基板W保持為水平姿勢之夾持式夾頭。於旋轉驅動機構7中，採用電動馬達，來自旋轉驅動機構7之旋轉驅動力輸入至旋轉軸6，藉此藉由保持構件5而保持之基板W係與旋轉基台4一體地圍繞旋轉軸線10旋轉。
如圖2所示，保持構件5係於旋轉基台4之上表面之周緣部，沿圓周方向隔開間隔而設置數根(於該實施形態中，例如為6根)。各保持構件5係以如下方式構成：於自旋轉基台4之上表面隔開固定之間隔之上方的基板保持高度，水平地保持基板W。於保持構件5，安裝有收容配置於旋轉基台4內之基板保持構件可動機構9。藉此，保持構件5係相對於旋轉基台4而成為可動。基板保持構件可動機構9係例如為與旋轉軸6之旋轉對應而使保持構 件5可動之公知之連桿機構。
以下，於保持於複數個保持構件5之狀態下，將與旋 轉基台4之上表面對向之基板W之表面稱為基板W的下表面，將與該下表面相反側之面稱為基板W之上表面。
旋轉軸6係圓筒狀之中空軸。於旋轉軸6之內部，插 通有自基板W之下表面側供給處理液之處理液供給管13、及自基板W之下表面側供給惰性氣體之惰性氣體供給管14。惰性氣體供給管14係包圍處理液供給管13之外周。
處理液供給管13之鉛垂方向之上端係經由設置於旋 轉基台4之中央部的貫通孔而突出於旋轉基台4之上表面上。即，處理液供給管13之鉛垂方向之上端係位於旋轉基台4之上表面與基板W的下表面之間。於處理液供給管13之上端，結合有下表面噴嘴15。
下表面噴嘴15具備第2基板對向板16，該第2基板對向板16係配置於旋轉基台4之上表面與基板W之下表面之間。第2基板對向板16具有第2基板對向面(第2對向面)16a，該第2基板對向面16a係形成為大致圓板狀，且與基板W之下表面對向。於第2基板對向板16之中央部，形成有用以使處理液供給管13之上端露出之開口。該開口係於基板W之下表面側吐出處理液之處理液吐出口17。處理液吐出口17係與配置於旋轉基台4上之基板W之下表面之旋轉中心對向。於第2基板對向板16之周緣部，向外形成有凸緣18。
第1基板對向板8係具有大於基板W之直徑之外徑之圓板狀的構件，於其上表面，具有與基板W之下表面對向之第1 基板對向面(第1對向面)8a。即，第1基板對向板8之外周端係位於較基板W之下表面之基板W的周端更外側。
於第1基板對向板8之周緣部，在與保持構件5對應 之位置，形成有複數個插通用凹部20。插通用凹部20係於第1基板對向板8之厚度方向上貫通之插通孔。於各插通用凹部20，插通有對應之保持構件5。於第1基板對向板8之中央部，以包圍處理液供給管13之外周面及惰性氣體供給管14之方式，形成有開口21。即，第1基板對向面8a係呈俯視時包圍第2基板對向板16之第2基板對向面(第2對向面)16a之周圍之環狀。於第1基板對向板8之開口21，形成有階差部19。階差部19係以如下方式設置：關於第1基板對向板8之直徑方向(圖1之左右方向)，與第2基板對向板16之凸緣18對準。
第1基板對向板8係以可於下位置(於圖1中以實線 表示之位置)與第1接近位置(於圖1中以虛線表示之位置)之間升降之方式設置，該下位置係接近旋轉基台4之上表面，該第1接近位置係於較該下位置更上方，隔開微小間隔而接近保持於保持構件5之基板W之下表面。於第1基板對向板8位於第1接近位置時，第1基板對向板8之階差部19與第2基板對向板16之凸緣18結合而第1基板對向板8之第1基板對向面8a與第2基板對向板16的第2基板對向面16a位於同一平面上。第1基板對向板8之升降係藉由安裝於第1基板對向板8之下表面之磁懸浮機構24而控制。
磁懸浮機構24具備引導機構25、磁鐵保持構件26、對向板側永久磁鐵27、升降用永久磁鐵28、及升降致動器29。
引導機構25具備：導引軸30，其安裝於第1基板對 向板8之下表面，與旋轉軸線10平行地於鉛垂方向上延伸；及線性軸承31，其與導引軸30結合。導引軸30係配置於旋轉軸6與保持構件5之間之位置。更具體而言，如圖2所示，導引軸30係配置於在第1基板對向板8之圓周方向上隔開等間隔之3個部位。導引軸30係結合於設置於旋轉基台4之對應部位之線性軸承31，可一方面藉由線性軸承31而引導，一方面於鉛垂方向上升降。藉此，第1基板對向板8係藉由導引軸30及線性軸承31而沿平行於旋轉軸線10之上下方向被引導。
導引軸30係貫通線性軸承31，且於其下端，具備向 外突出之凸緣32。藉由凸緣32抵接至線性軸承31之下端，而限制導引軸30之朝向上方之移動、即第1基板對向板8之朝向上方之移動。即，凸緣32係限制第1基板對向板8之朝向上方之移動之限制構件。
磁鐵保持構件26係將磁極方向朝向上下方向而保持 對向板側永久磁鐵27。磁鐵保持構件26係於較導引軸30更遠離旋轉軸線10之外方且較保持構件5更接近旋轉軸線10之內方之位置，固定於第1基板對向板8之下表面。
例如，如圖2所示，磁鐵保持構件26係於第1基板 對向板8之圓周方向上隔開等間隔而設置於6個部位。更具體而言，於自旋轉軸線10觀察時，於與鄰接之保持構件5之間(於該實施形態中為中間)對應之角度位置，配置有各磁鐵保持構件26。進而，於自旋轉軸線10觀察時，在藉由6個磁鐵保持構件26而分割(於該實施形態中為等分)之6個角度區域中之每隔一個角度區域之角度區域內(於該實施形態中為該角度區域之中央位置)，配置有3 根導引軸30。
於旋轉基台4，在與6個磁鐵保持構件26對應之6 個部位，形成有貫通孔33。各貫通孔33係以如下方式形成：可使對應之磁鐵保持構件26各個插通至與旋轉軸線10平行之鉛垂方向。如圖1所示，於第1基板對向板8位於下位置時，磁鐵保持構件26係插通貫通孔33而突出至較旋轉基台4之下表面更下方，對向板側永久磁鐵27係位於較旋轉基台4之下表面更下方。對向板側永久磁鐵27係例如亦能夠以於下側具有S極，於上側具有N極之方式，固定於磁鐵保持構件26。
升降用永久磁鐵28係例如為以旋轉軸線10為中心而 沿水平面配置之圓環狀之永久磁鐵片，具有相對於對向板側永久磁鐵27而自下方對向之圓環狀之磁極。升降用永久磁鐵28之磁極之極性係與對向板側永久磁鐵27之下側之磁極為相同之極性。因此，升降用永久磁鐵28係相對於對向板側永久磁鐵27作用向上之斥磁力。升降用永久磁鐵28係內置保持於圓環狀之升降用磁鐵保持構件35。於升降用磁鐵保持構件35，結合有升降致動器29之作動軸34。
升降致動器29係以如下方式構成：例如包含氣缸， 且使作動軸34於平行於旋轉軸線10之方向上上下移動。升降致動器29係可使升降用永久磁鐵28於上位置與下位置之間升降。下位置係以如下方式設定：升降用永久磁鐵28係距旋轉基台4充分地位於下方，於升降用永久磁鐵28與對向板側永久磁鐵27之間，確保如其等之間之磁性斥力變得小於作用於第1基板對向板8之重力之充分的距離。上位置係較下位置靠上方之位置，且設定為如下之 位置：藉由升降用永久磁鐵28與對向板側永久磁鐵27之間之磁性斥力，而結合於磁鐵保持構件26之第1基板對向板8上升至第1接近位置為止。
因此，若使升降致動器29作動而使升降用永久磁鐵 28自下位置上升至上位置為止，則於該過程中，升降用永久磁鐵28與對向板側永久磁鐵27之間之磁性斥力超過作用於第1基板對向板8之重力及其他上升阻力(摩擦力等)。藉此，第1基板對向板8自旋轉基台4之上表面懸浮而上升至第1接近位置為止。第1基板對向板8之上升係藉由設置於導引軸30之下端之凸緣32抵接至線性軸承31的下端而受到限制。
另一方面，若使升降致動器29作動而使升降用永久 磁鐵28自上位置下降至下位置為止，則於該過程中，作用於第1基板對向板8之重力超過升降用永久磁鐵28與對向板側永久磁鐵27之間之磁性斥力及其他下降阻力(摩擦力等)。藉此，第1基板對向板8自第1接近位置下降而到達旋轉基台4。
基板處理裝置1進而具備：上表面藥液供給機構42， 其向基板W之上表面供給藥液(處理液)；上表面淋洗液供給機構43，其向基板W之上表面供給淋洗液(處理液、清洗液)；下表面藥液供給機構54，其向基板W之下表面供給藥液；下表面淋洗液供給機構55，其向基板W之下表面供給淋洗液；及惰性氣體供給機構64，其向基板W之下表面側供給惰性氣體。
上表面藥液供給機構42具備上表面藥液噴嘴44、上 表面藥液供給配管45、及上表面藥液閥46。上表面藥液供給配管45係連接於上表面藥液噴嘴44。上表面藥液閥46係介裝於上表面 藥液供給配管45。若打開上表面藥液閥46，則自上表面藥液供給管45向上表面藥液噴嘴44供給藥液，從而自上表面藥液噴嘴44吐出藥液。又，若關閉上表面藥液閥46，則停止藥液自上表面藥液供給配管45向上表面藥液噴嘴44之供給。自上表面藥液噴嘴44吐出之藥液係供給至保持於旋轉夾頭3之基板W之上表面中央部。
上表面淋洗液供給機構43具備上表面淋洗液噴嘴 49、上表面淋洗液供給配管50、及上表面淋洗液閥51。上表面淋洗液供給配管50係連接於上表面淋洗液噴嘴49。上表面淋洗液閥51係介裝於上表面淋洗液供給配管50。若打開上表面淋洗液閥51，則自上表面淋洗液供給配管50向上表面淋洗液噴嘴49供給淋洗液，從而自上表面淋洗液噴嘴49吐出淋洗液。又，若關閉上表面淋洗液閥51，則停止淋洗液自上表面淋洗液供給配管50朝向上表面淋洗液噴嘴49之供給。自上表面淋洗液噴嘴49吐出之淋洗液係供給至保持於旋轉夾頭3之基板W之上表面中央部。
再者，上表面藥液噴嘴44係無需相對於旋轉夾頭3 而固定地配置，例如亦可採用所謂之掃描噴嘴之形態，該所謂之掃描噴嘴之形態係安裝於在旋轉夾頭3之上方，可於水平面內振盪之臂，藉由該臂之振盪而掃描基板W之表面之藥液之著液位置。又，對於上表面淋洗液噴嘴49，亦無需相對於旋轉夾頭3而固定地配置，亦可採用所謂之掃描噴嘴之形態。
下表面藥液供給機構54具備下表面藥液供給配管 57、下表面藥液閥58、及藥液流量調節閥59。下表面藥液供給配管57係連接於處理液供給配管60。處理液供給配管60係進而連接於插通於旋轉軸6之處理液供給管13。下表面藥液閥58及藥液流 量調節閥59係介裝於下表面藥液供給配管57。若一方面關閉以下敍述之下表面淋洗液閥62，一方面打開下表面藥液閥58，則經由下表面藥液供給配管57及處理液供給配管60而向處理液供給管13供給藥液。又，若關閉下表面藥液閥58，則停止藥液朝向處理液供給管13之供給。供給於處理液供給管13之藥液係自下表面噴嘴15之處理液吐出口17向保持於旋轉夾頭3之基板W的下表面中央部吐出。藥液流量調節閥59係藉由調節下表面藥液供給配管57之開度，而調整自下表面噴嘴15吐出之藥液之吐出流量。
下表面淋洗液供給機構55具備下表面淋洗液供給配 管61、下表面淋洗液閥62、及淋洗液流量調節閥63。下表面淋洗液供給配管61係與下表面藥液供給配管57同樣地，連接於處理液供給配管60。下表面淋洗液閥62及淋洗液流量調節閥63係介裝於下表面淋洗液供給配管61。若一方面關閉下表面藥液閥58，一方面打開下表面淋洗液閥62，則經由下表面淋洗液供給配管61及處理液供給配管60而向處理液供給管13供給淋洗液。又，若關閉下表面淋洗液閥62，則停止淋洗液朝向處理液供給管13之供給。供給於處理液供給管13之淋洗液係自下表面噴嘴15之處理液吐出口17向保持於旋轉夾頭3之基板W的下表面中央部吐出。淋洗液流量調節閥63係藉由調節下表面淋洗液供給配管61之開度，而調整自下表面噴嘴15吐出之淋洗液之吐出流量。
再者，該實施形態係經由作為共通配管之處理液供給 配管60而使下表面藥液供給配管57及下表面淋洗液供給配管61連接於處理液供給管13，但亦可使下表面藥液供給配管57及下表面淋洗液供給配管61直接連接於處理液供給管13。
惰性氣體供給機構64具備惰性氣體供給配管65、惰 性氣體閥66、及惰性氣體流量調節閥67。惰性氣體供給配管65係連接於插通於旋轉軸6之惰性氣體供給管14。惰性氣體閥66及惰性氣體流量調節閥67係介裝於惰性氣體供給配管65。若打開惰性氣體閥66，則自惰性氣體供給配管65向惰性氣體供給管14供給惰性氣體。又，若關閉惰性氣體閥66，則停止惰性氣體自惰性氣體供給配管65朝向惰性氣體供給管14之供給。惰性氣體流量調節閥67係藉由調節惰性氣體供給配管65之開度，而調整自惰性氣體供給管14之上端吐出之淋洗液之吐出流量。
自惰性氣體供給管14之鉛垂方向之上端吐出之惰性 氣體係於第1基板對向板8位於下位置時，通過第2基板對向板16之凸緣18之下部分，且通過基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間之空間而被引導至基板W的旋轉範圍外。又，於第1基板對向板8位於第1接近位置時，惰性氣體係通過第2基板對向板16之凸緣18之下部分，且通過旋轉基台4之上表面與第1基板對向板8之下表面之間之空間而被引導至基板W的旋轉範圍外。
作為供給至上表面藥液噴嘴44及下表面噴嘴15之藥 液，例如可例示HF(氟化氫)、TMAH(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，氫氧化四甲基銨)、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨過氧化氫水混合液)等蝕刻液。又，作為供給至上表面淋洗液噴嘴49及下表面噴嘴15之淋洗液，例如可例示純水(deionized water：去離子水)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、或稀釋鹽酸水(例如，稀釋濃度為10~100ppm左右)等。又，供給 至惰性氣體供給管14之惰性氣體係例如為氮氣。
基板處理裝置1係為了控制該基板處理裝置1之各部 而具備控制裝置69。控制裝置69係以對旋轉驅動機構7、基板保持構件可動機構9、升降致動器29等進行控制之方式構成。又，基板處理裝置1係對上表面藥液閥46、上表面淋洗液閥51、下表面藥液閥58、下表面淋洗液閥62、惰性氣體閥66等之開閉進行控制，且對藥液流量調節閥59、淋洗液流量調節閥63、惰性氣體流量調節閥67等之開度進行控制。
圖3係用以說明基板處理裝置1之處理例之流程圖。 圖4係用以說明基板處理裝置1之處理例之時序圖。圖5A~圖5J係用以說明圖3及圖4之處理例之圖。參照圖1、圖3、圖4、及圖5A~圖5J，對基板處理裝置1之處理例進行說明。
於圖3之處理例時，首先藉由未圖示之基板搬送機器 人而向處理室2內搬入未處理之基板W，從而如圖5A所示，基板W以將其元件形成面朝向上方之狀態保持於旋轉夾頭3(S1：基板搬入步驟)。於搬入基板W時，第1基板對向板8係如圖5A所示般配置於下位置。
接著，如圖5B所示，控制裝置69係對旋轉驅動機構 7進行控制而使基板W自靜止狀態以旋轉速度(第2旋轉速度)ω3(例如500rpm)圍繞旋轉軸線10高速旋轉。又，控制裝置69係打開上表面藥液閥46而向基板W之上表面供給藥液，並且打開下表面藥液閥58而向基板W之下表面供給藥液(S2：高速旋轉藥液處理步驟)。藥液自上表面藥液噴嘴44及下表面噴嘴15之吐出流量係各個例如為1.0L/min。
於步驟S2之高速旋轉藥液處理步驟中，自上表面藥 液噴嘴44吐出之藥液係於著液至基板W之上表面中央部後，因基板W之旋轉離心力而擴散至基板W之上表面周緣部為止。藉此，基板W之上表面之整個區域受到藥液處理。又，自下表面噴嘴15吐出之藥液係於著液至基板W之下表面中央部後，受到基板W之旋轉離心力而於基板W之下表面傳遞，從而擴散至下表面周緣部為止。藉此，基板W之下表面之整個區域受到藥液處理。
若自藥液之吐出開始經過預定之時間(例如，5sec)， 則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而如圖5C所示般使基板W之旋轉自旋轉速度ω3減速至更低速之旋轉速度ω1(第1旋轉速度，例如10rpm)。又，控制裝置69係對藥液流量調節閥59進行控制而使藥液自下表面噴嘴15之吐出流量例如自1.0L/min減少至0.4L/min。又，控制裝置69係對升降致動器29進行控制而使第1基板對向板8自下位置(參照圖5B)上升至第1接近位置(參照圖5C)為止。藉此，於基板W之下表面與處於第1接近位置之第1基板對向面8a之間之空間38，藥液呈液密狀態。藉由呈液密狀態之藥液而基板W之下表面受到藥液處理(S3：藥液液密步驟)。
具體而言，如圖5C所示，步驟S3之藥液液密步驟 係第1基板對向板8之第1基板對向面8a、與下表面噴嘴15之第2基板對向面16a配置於同一平面上。而且，於第1基板對向板8配置於第1接近位置之狀態下，藉由基板W之減速而於基板W之下表面與第2基板對向板16之第2基板對向面16a之間，形成外廓筒狀之藥液之液柱39。
為了維持藥液之液柱39，藥液之吐出流量係較理想 為較少，但於形成藥液之液柱39時，需要既定量之藥液。該處理例係於步驟S2之高速旋轉藥液處理步驟中，相對大流量之藥液被供給至基板W之下表面，因此於開始步驟S3之藥液液密步驟時，相對多量之藥液存在於基板W之下表面。因此，可良好地形成藥液之液柱39。
接著，進而對藥液之液柱39進行藥液之供給，藉此 使藥液之液柱39於基板W之圓周方向上擴大。基板W之下表面與第2基板對向板16之第2基板對向面16a之間之藥液的液柱39係一方面於基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間傳遞，一方面於基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38，向基板W之周緣部擴大(參照圖5C之箭頭)。藉此，於該空間38之整個區域，實現藥液之液密狀態。該空間38之液密狀態係可藉由小流量之藥液而實現，故藉此可謀求藥液之消耗量之減少。
又，用以插通各保持構件5之插通用凹部20形成於 第1基板對向板8，因此於使第1基板對向板8自下位置上升至第1接近位置時，保持構件5與第1基板對向板8不會干涉。藉此，可良好地進行第1基板對向板8之升降。
若自第1基板對向板8之朝向第1接近位置之上升經 過預定之時間(例如，5sec)，則控制裝置69係如圖3、圖4、及圖5D所示般對藥液流量調節閥59進行控制而使藥液自下表面噴嘴15之吐出流量例如自0.4L/min增大至1.0L/min。
其結果，增大供給至空間38之藥液之流量，藉此可於基板W之下表面之整個區域，將空間38設為藥液之液密狀態。 該狀態係藥液接液至基板W之下表面之整個區域，因此可良好且均勻地對基板W之下表面之整個區域進行藥液處理。又，同時執行對基板W之上表面之藥液處理及對基板W之下表面之藥液處理，因此可縮短各個個別地對基板W之上表面及基板W之下表面之兩者實施藥液處理之情形時的處理時間。
又，如圖5D所示，第1基板對向板8之周緣部係自 各插通用凹部20向外側突出，於各插通用凹部20與第1基板對向板8之外周端之間，設置有厚壁。藉由該厚壁部分，於步驟S3之藥液液密步驟中，亦可將包含保持於保持構件5之部分之基板W之周緣部設為液密狀態。其結果，可於基板W之下表面之整個區域，確實且良好地形成藥液之液密狀態。
如上所述，於對基板W進行藥液處理時，在步驟S2 之高速旋轉藥液處理步驟中，對基板W之下表面實施藥液處理，接著，於步驟S3之藥液液密步驟中，對基板W之下表面實施藥液處理。因此，可更進一步良好地對基板W之下表面進行藥液處理。
接著，若自增大藥液自下表面噴嘴15之吐出流量經 過預定之時間(例如，20sec)，則控制裝置69係關閉上表面藥液閥46及下表面藥液閥58，從而如圖5E所示，停止藥液朝向基板W之供給。又，控制裝置69係對升降致動器29進行控制而使第1基板對向板8自第1接近拉置(參照圖5D)下降至下位置(參照圖5E)。 藉此，第1基板對向板8之第1基板對向面8a自基板W之下表面背離，從而瞬時地解除基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間之藥液的液密狀態(S4：藥液液密解除步驟)。
又，控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而使 基板W之旋轉自旋轉速度ω1加速至旋轉速度ω3。又，控制裝置69係打開上表面淋洗液閥51而向基板W之上表面供給淋洗液，並且打開下表面淋洗液閥62而向基板W之下表面供給淋洗液(S5：高速旋轉淋洗液處理步驟)。自上表面淋洗液噴嘴49及下表面噴嘴15吐出之淋洗液之吐出流量係各個例如為4.0L/min。進而，控制裝置69係打開惰性氣體閥66而向基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38供給惰性氣體。惰性氣體之吐出流量係例如為50L/min。
於步驟S5之高速旋轉淋洗液處理步驟中，自上表面淋洗液噴嘴49吐出之淋洗液係於著液至基板W之上表面中央部後，因基板W之旋轉離心力而擴散至基板W之上表面周緣部為止。藉此，於基板W之上表面之整個區域，藉由淋洗液而沖除附著於基板W之上表面之藥液。又，自惰性氣體供給管14之鉛垂方向之上端吐出之惰性氣體係通過第2基板對向板16的凸緣18之下部分而按照以旋轉軸線10為中心之放射狀吹出。該惰性氣體係通過基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間之空間而向基板W的旋轉範圍外排出。藉此，可防止淋洗液及藉由淋洗液而沖除之藥液之液滴進入至惰性氣體供給管14內及下表面噴嘴15之處理液吐出口17內。
若自淋洗液之吐出開始經過預定之時間(例如，1sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而如圖5F所示般使基板W之旋轉自旋轉速度ω3進而加速至高速之旋轉速度ω4(第2旋轉速度，例如1000rpm)。藉此，自下表面噴嘴15吐出之淋洗液係於著液至基板W之下表面中央部後，受到基板W之旋 轉離心力而於基板W之下表面傳遞，從而擴散至基板W之下表面周緣部為止。其結果，於基板W之下表面之整個區域，藉由淋洗液而沖除附著於基板W之下表面之藥液。又，於此狀態中，自上表面淋洗液噴嘴49吐出之淋洗液亦持續供給至基板W之上表面之整個區域，因此於基板W之上下表面之整個區域，良好地進行淋洗處理。
接著，若自基板W之加速經過預定之時間(例如，10 sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而如圖5G所示般使基板W之旋轉減速至低於旋轉速度ω3但高於旋轉速度ω1之旋轉速度ω2(第3旋轉速度，例如100rpm)。又，控制裝置69係對淋洗液流量調節閥63進行控制而使淋洗液自下表面噴嘴15之吐出流量例如自4.0L/min減少至1.0L/min。
此時，供給於基板W之下表面中央部之淋洗液係於 基板W之下表面朝向周緣部擴散後，受到重力而朝向下方滴落，從而供給至第1基板對向板8之第1基板對向面8a而於第1基板對向板8之第1基板對向面8a傳遞流動。藉由在第1基板對向面8a流動之淋洗液，而清洗包含第1基板對向面8a之第1基板對向板8之外表面之整個區域(S6：第1基板對向板清洗步驟)。
接著，若自基板W之減速經過預定之時間(例如，10 sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而如圖5H所示般使基板W之旋轉自旋轉速度ω2減速至旋轉速度ω1。又，控制裝置69係對淋洗液流量調節閥63進行控制而使淋洗液自下表面噴嘴15之吐出流量例如自1.0L/min減少至0.4L/min。
又，控制裝置69係對升降致動器29進行控制而使第 1基板對向板8自下位置(參照圖5G)上升至第1接近位置(參照圖5H)為止。藉此，於基板W之下表面與處於第1接近位置之第1基板對向面8a之間之空間38，淋洗液呈液密狀態。藉由呈液密狀態之淋洗液而基板W之下表面受到淋洗液處理(S7：淋洗液液密步驟)。
具體而言，如圖5H所示，步驟S7之淋洗液液密步 驟係第1基板對向板8之第1基板對向面8a、與下表面噴嘴15之第2基板對向面16a配置於同一平面上。而且，於第1基板對向板8配置於第1接近位置之狀態下，藉由基板W之減速而於基板W之下表面與第2基板對向板16之第2基板對向面16a之間，形成外廓筒狀之淋洗液之液柱40。
為了維持淋洗液之液柱40，淋洗液之吐出流量係較理想為較少，但於形成淋洗液之液柱40時，需要既定量之淋洗液。該處理例係於步驟S5之高速旋轉淋洗液處理步驟中，相對大流量之淋洗液被供給至基板W之下表面，因此於開始步驟S7之淋洗液液密步驟時，相對多量之淋洗液存在於基板W之下表面。因此，可良好地形成淋洗液之液柱40。
接著，進而對淋洗液之液柱40進行淋洗液供給，藉此使淋洗液之液柱40於基板W之圓周方向上擴大。基板W之下表面與第2基板對向板16之第2基板對向面16a之間之淋洗液的液柱40係一方面於基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間傳遞，一方面於基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38，向基板W之周緣部擴大(參照圖5H之箭頭)。藉此，於該空間38之整個區域，實現淋洗液之液密狀態。該空間38 之液密狀態係可藉由小流量之淋洗液而實現，故藉此可謀求淋洗液之消耗量之減少。
若自第1基板對向板8之向第1接近位置之上升經過 預定之時間(例如，5sec)，則控制裝置69係對淋洗液流量調節閥63進行控制而使淋洗液自下表面噴嘴15之吐出流量例如自0.4L/min增大至1.0L/min。
其結果，供給至空間38之淋洗液之流量增大，因此 可於基板W之下表面之整個區域，將空間38設為淋洗液之液密狀態。藉此，可使淋洗液接液至基板W之下表面之整個區域，因此可良好且均勻地對基板W之下表面之整個區域進行淋洗液處理。 又，同時執行對基板W之上表面之淋洗液處理及對基板W之下表面之淋洗液處理，因此可縮短各個個別地對基板W之上表面及基板W之下表面之兩者實施淋洗液處理之情形時的處理時間。
又，如圖5I所示，第1基板對向板8之周緣部係自 各插通用凹部20向外側突出，於各插通用凹部20與第1基板對向板8之外周端之間設置有厚壁。藉由該厚壁部分，於步驟S7之淋洗液液密步驟中，亦可將包含保持於保持構件5之部分之基板W之周緣部設為液密狀態。其結果，可於基板W之下表面之整個區域，確實且良好地形成淋洗液之液密狀態。
如上所述，於對基板W進行淋洗液處理時，在步驟 S5之高速旋轉淋洗液處理步驟中，對基板W之下表面實施淋洗液處理，接著，經過步驟S6之第1基板對向板清洗步驟而於步驟S7之淋洗液液密步驟中，對基板W之下表面實施淋洗液處理。因此，可更進一步良好地對基板W之下表面進行淋洗液處理。
接著，若自增大淋洗液自下表面噴嘴15之吐出流量 經過預定之時間(例如，15sec)，則控制裝置69係關閉上表面淋洗液閥51及下表面淋洗液閥62而如圖5J所示般停止淋洗液向基板W之供給。又，控制裝置69係對升降致動器29進行控制而使第1基板對向板8自第1接近位置(參照圖5I)下降至下位置(參照圖5J)。藉此，第1基板對向板8之第1基板對向面8a自基板W之下表面背離，從而瞬時地解除基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間之淋洗液的液密狀態(S8：淋洗液液密解除步驟)。
此後，控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而 對基板W進行加速，從而甩乾基板W(S9：乾燥步驟)。基板W之加速係階段性地進行。具體而言，控制裝置69係首先使基板W之旋轉自旋轉速度ω1加速至旋轉速度ω3。又，控制裝置69係對惰性氣體流量調節閥67進行控制而使惰性氣體之流量自至此為止之50L/min增大至例如100L/min。
接著，若自基板W之加速經過預定之時間(例如，1 sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而使基板W之旋轉自旋轉速度ω4加速至進而高速之旋轉速度ω5(例如1500rpm)。藉此，可藉由基板W之旋轉離心力而確實地甩除附著於基板W之淋洗液。
步驟S9之乾燥步驟係向第1基板對向板8之第1基 板對向面8a與基板之下表面之間的空間供給大流量之惰性氣體，因此可於該空間形成惰性氣體之氣流。藉此，可一方面謀求基板W之下表面之乾燥之促進，一方面有效地抑制於基板W之下表面產 生水漬。
若自基板W之加速經過預定之乾燥時間(例如，2 sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而使基板W之旋轉停止。其後，藉由基板搬送機器人而自處理室2內搬出處理完畢之基板W(S10：基板搬出步驟)。
如上所述，根據第1實施形態，於步驟S4之藥液液 密解除步驟中，使基板W之下表面與第1基板對向板8背離，藉此可瞬時地解除基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38之液密狀態。藉此，於步驟S4之藥液液密解除步驟後，不使藥液(於第1實施形態中為蝕刻液)接液至基板W之下表面，其結果，可阻止藥液液密解除步驟後之藥液處理於基板W之下表面之持續進行。藉此，可將基板W之下表面之處理速率(蝕刻速率)保持為所期望之處理速率。因此，可提供一種可良好地對基板W之下表面實施藥液處理之基板處理方法。
又，於步驟S8之淋洗液液密解除步驟中，使基板W 之下表面與第1基板對向板8背離，藉此可瞬時地解除基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38之液密狀態。藉此，於步驟S8之淋洗液液密解除步驟後，不使淋洗液接液至基板W之下表面，其結果，可阻止淋洗液處理於基板W之下表面之持續進行。
圖6係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置 71之概略構成的圖。圖7係表示圖6所示之基板處理裝置71之概略構成之俯視圖。再者，圖6係表示沿於圖7所示之箭頭VI之方向上觀察之切斷線的剖面之圖。
第2實施形態之基板處理裝置71與上述第1實施形 態之基板處理裝置1不同點係具備下表面噴嘴升降機構72之點。其他構成係與上述第1實施形態之基板處理裝置1同樣之構成。於圖6、圖7、及圖10A~圖10L中，對與上述第1實施形態所示之各部對應之部分標示相同之參照符號而省略說明。
下表面噴嘴升降機構72係例如由氣缸構成，連結於處理液供給管13之下端。若下表面噴嘴升降機構72之驅動力輸入至處理液供給管13，則處理液供給管13於鉛垂方向上升降，從而第2基板對向板16與該處理液供給管13一體地升降。由於設置有下表面噴嘴升降機構72，故於第2實施形態中，第2基板對向板16係呈如下構成：可於第1接近位置、與自第1接近位置進而接近基板W之下表面之第2接近位置(圖10C所示之第2基板對向板16之位置)之間升降。
又，於第2實施形態中，第1基板對向板8係以可於接近旋轉基台4之上表面之下位置與第2接近拉置之間升降之方式設置。此種第1基板對向板8之升降範圍之調節係可藉由對向板側永久磁鐵27與升降用永久磁鐵28之間之距離、引導機構25之導引軸30之長度、凸緣32之位置等之調整而實現。再者，處於第1接近位置之第1基板對向板8之第1基板對向面8a係與處於第1接近位置之第2基板對向板16的第2基板對向面16a處於同一平面上，因此第2基板對向板16之第1接近位置係可視為第1基板對向板8之第1接近位置。又，處於第2接近位置之第1基板對向板8之第1基板對向面8a係與處於第2接近位置之第2基板對向板16的第2基板對向面16a處於同一平面上，因此第2基板對向板16之第2接近位置係可視為第1基板對向板8之第2接近位置。
基板處理裝置71係為了控制該基板處理裝置71之各 部而具備控制裝置69。控制裝置69係以對旋轉驅動機構7、基板保持構件可動機構9、升降致動器29、下表面噴嘴升降機構72等進行控制之方式構成。又，基板處理裝置71係對上表面藥液閥46、上表面淋洗液閥51、下表面藥液閥58、下表面淋洗液閥62、惰性氣體閥66等之開閉進行控制，且對藥液流量調節閥59、淋洗液流量調節閥63、惰性氣體流量調節閥67等之開度進行控制。
圖8係用以說明基板處理裝置71之處理例之流程 圖。圖9係用以說明基板處理裝置71之處理例之時序圖。圖10A~圖10L係用以說明圖8及圖9之處理例之圖。參照圖6、圖8、圖9、及圖10A~圖10L，對基板處理裝置71之處理例進行說明。
於圖8之處理例時，首先藉由未圖示之基板搬送機器 人而向處理室2內搬入未處理之基板W，從而如圖10A所示般基板W以將其元件形成面朝向上方之狀態保持於旋轉夾頭3(S11：基板搬入步驟)。於搬入基板W時，第1基板對向板8係如圖10A所示般配置於下位置。又，第2基板對向板16係配置於第1接近位置。
接著，控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而 如圖10B所示般使基板W自靜止狀態以旋轉速度ω3(例如500rpm)圍繞旋轉軸線10高速旋轉，並且對升降致動器29進行控制而使第1基板對向板8自下位置(參照圖10A)上升至第1接近位置(參照圖10B)為止。此時，第1基板對向板8之第1基板對向面8a、與第2基板對向板16之第2基板對向面16a係配置於同一平面上。
進而，控制裝置69係打開上表面藥液閥46而向基板 W之上表面供給藥液，並且打開下表面藥液閥58而向基板W之下表面供給藥液(S12：高速旋轉藥液處理步驟)。此時，藥液自上表面藥液噴嘴44及下表面噴嘴15之吐出流量係各個例如為1.0L/min。
於步驟S12之高速旋轉藥液處理步驟中，自上表面藥 液噴嘴44吐出之藥液係於著液至基板W之上表面中央部後，因基板W之旋轉離心力而擴散至基板W之上表面周緣部為止。藉此，基板W之上表面之整個區域受到藥液處理。又，自下表面噴嘴15吐出之藥液係於著液至基板W之下表面中央部後，受到基板W之旋轉離心力而於基板W之下表面傳遞，從而擴散至下表面周緣部為止。藉此，基板W之下表面之整個區域受到藥液處理。
若自藥液之吐出開始經過預定之時間(例如，5sec)， 則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而如圖10C所示般使基板W之旋轉自旋轉速度ω3減速至低速之旋轉速度ω1(例如10rpm)。又，控制裝置69係對下表面噴嘴升降機構72進行控制而使第2基板對向板16自第1接近位置(參照圖10B)上升至第2接近位置(參照圖10C)為止。進而，控制裝置69係對升降致動器29進行控制而使第1基板對向板8自下位置(參照圖10B)上升至接近基板W之下表面之第2接近位置(參照圖10C)為止。藉此，於基板W之下表面、與處於第2接近位置之第1基板對向面8a之間之空間38，藥液呈液密狀態。藉由呈液密狀態之藥液而基板W之下表面受到藥液處理(S13：藥液液密步驟)。
具體而言，步驟S13之藥液液密步驟係若第1基板對 向板8與第2基板對向板16到達第2接近位置，則第1基板對向板8之第1基板對向面8a、與下表面噴嘴15之第2基板對向面16a 配置於同一平面上。而且，於第1基板對向板8配置於第2接近位置之狀態下，藉由基板W之減速而於基板W之下表面與第2基板對向板16之第2基板對向面16a之間，形成外廓筒狀之藥液之液柱73。
為了維持藥液之液柱73，藥液之吐出流量係較理想 為較少，但於形成藥液之液柱73時，需要既定量之藥液。該處理例係於步驟S12之高速旋轉藥液處理步驟中，相對大流量之藥液被供給至基板W之下表面，因此於開始步驟S13之藥液液密步驟時，相對多量之藥液存在於基板W之下表面。因此，可良好地形成藥液之液柱73。
接著，進而對藥液之液柱73進行藥液之供給，藉此 可使藥液之液柱73於基板W之圓周方向上擴大。基板W之下表面與第2基板對向板16之第2基板對向面16a之間之藥液的液柱73係一方面於基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間傳遞，一方面於基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38，向基板W之周緣部擴大(參照圖10C之箭頭)。藉此，如圖10D所示，於該空間38之整個區域，實現藥液之液密狀態。該空間38之液密狀態係可藉由小流量之藥液而實現，藉此可謀求藥液之消耗量之減少。
又，用以使各保持構件5插通之插通用凹部20形成於第1基板對向板8，因此於使第1基板對向板8自下位置上升至第2接近位置時，保持構件5與第1基板對向板8不會干涉。藉此，可良好地進行第1基板對向板8之升降。
接著，若自第2基板對向板16配置於第2接近位置 經過預定之時間(例如，5Sec)，則控制裝置69係對升降致動器29及下表面噴嘴升降機構72進行控制而如圖10E所示般使第1基板對向板8及第2基板對向板16一體地自第2接近位置(參照圖10D)下降至第1接近位置(參照圖10E)為止。第1基板對向板8及第2基板對向板16係維持液密狀態而直接自第2接近位置下降至第1接近位置為止。
此時，如圖10E所示，第1基板對向板8之周緣部係 自各插通用凹部20向外側突出，於各插通用凹部20與第1基板對向板8之外周端之間設置厚壁。藉由該厚壁部分，於步驟S13之藥液液密步驟中，亦可將包含保持於保持構件5之部分之基板W之周緣部設為液密狀態。該狀態係藥液接液至基板W之下表面之整個區域，因此可良好且均勻地對基板W之下表面之整個區域進行藥液處理。又，同時執行對基板W之上表面之藥液處理及對基板W之下表面的藥液處理，因此可縮短各個個別地對基板W之上表面及基板W之下表面之兩者實施藥液處理的情形時之處理時間。
如上所述，於對基板W進行藥液處理時，在步驟S12 之高速旋轉藥液處理步驟中，對基板W之下表面實施藥液處理，接著，於步驟S13之藥液液密步驟中，對基板W之下表面實施藥液處理。因此，可更進一步良好地對基板W之下表面進行藥液處理。
接著，若於第1接近位置經過預定之藥液液密時間(例 如，20sec)，則控制裝置69係關閉上表面藥液閥46及下表面藥液閥58而如圖10F所示般使藥液向基板W之供給停止。又，控制裝置69係對升降致動器29進行控制而使第1基板對向板8自第1接 近位置(參照圖10E)下降至下位置(參照圖10F)。藉此，第1基板對向板8之第1基板對向面8a自基板W之下表面背離，從而瞬時地解除基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間之藥液的液密狀態(S14：藥液液密解除步驟)。
又，控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而使 基板W之旋轉自旋轉速度ω1加速至旋轉速度ω3。又，控制裝置69係打開上表面淋洗液閥51而向基板W之上表面供給淋洗液，並且打開下表面淋洗液閥62(參照圖6)而向基板W之下表面供給淋洗液(S15：高速旋轉淋洗液處理步驟)。自上表面淋洗液噴嘴49及下表面噴嘴15吐出之淋洗液之吐出流量係例如為4.0L/min。進而，控制裝置69係打開惰性氣體閥66(參照圖6)而向基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38供給惰性氣體。惰性氣體之吐出流量係例如為50L/min。
於步驟S15之高速旋轉淋洗液處理步驟中，自上表面 淋洗液噴嘴49吐出之淋洗液係於著液至基板W之上表面中央部後，因基板W之旋轉離心力而擴散至基板W之上表面周緣部為止。 藉此，於基板W之上表面之整個區域，藉由淋洗液而沖除附著於基板W之上表面之藥液。又，自惰性氣體供給管14之鉛垂方向之上端吐出之惰性氣體係通過第2基板對向板16的凸緣18之下部分而按照以旋轉軸線10為中心之放射狀吹出。該惰性氣體係通過基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間之空間而向基板W的旋轉範圍外排出。藉此，可防止淋洗液、及藉由淋洗液而沖除之藥液之液滴進入至惰性氣體供給管14內及下表面噴嘴15之處理液吐出口17內。
若自淋洗液之吐出開始經過預定之時間(例如，1 sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而如圖10G所示般使基板W之旋轉自旋轉速度ω3加速至更高速之旋轉速度ω4(例如1000rpm)。藉此，自下表面噴嘴15吐出之淋洗液係於著液至基板W之下表面中央部後，受到基板W之旋轉離心力而於基板W之下表面傳遞，從而擴散至基板W之下表面周緣部為止。其結果，於基板W之下表面之整個區域，藉由淋洗液而沖除附著於基板W之下表面之藥液。又，於該狀態中，亦向基板W之上表面之整個區域持續供給自上表面淋洗液噴嘴49吐出之淋洗液，因此於基板W之上下表面之整個區域，良好地進行淋洗處理。
接著，若自基板W之加速經過預定之時間(例如，10 sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而如圖10H所示般使基板W之旋轉減速至低於旋轉速度ω3但高於旋轉速度ω1之旋轉速度ω2(例如100rpm)。又，控制裝置69係對淋洗液流量調節閥63進行控制而使淋洗液自下表面噴嘴15之吐出流量例如自4.0L/min減少至1.0L/min。
此時，供給於基板W之下表面中央部之淋洗液係於 在基板W之下表面向周緣部擴散後，受到重力而向下方滴落，從而供給至第1基板對向板8之第1基板對向面8a而於第1基板對向板8之第1基板對向面8a傳遞流動。藉由在第1基板對向面8a流動之淋洗液，而清洗包含第1基板對向面8a之第1基板對向板8之外表面之整個區域(S16：第1基板對向板清洗步驟)。
接著，若自基板W之減速經過預定之時間(例如，5 sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而如圖10I所示 般使基板W之旋轉自旋轉速度ω2減速至旋轉速度ω1。又，控制裝置69係對下表面噴嘴升降機構72進行控制而使第2基板對向板16自第1接近位置(參照圖10H)上升至第2接近位置(參照圖10I)為止。進而，控制裝置69係對升降致動器29進行控制而使第1基板對向板8自下位置(參照圖10H)上升至第2接近位置(參照圖10I)。藉此，於基板W之下表面、與處於第2接近位置之第1基板對向面8a之間之空間38中，淋洗液呈液密狀態。藉由呈液密狀態之淋洗液而基板W之下表面受到淋洗液處理(S17：淋洗液液密步驟)。
具體而言，於步驟S17之淋洗液液密步驟中，若第1 基板對向板8與第2基板對向板16到達第2接近位置，則第1基板對向板8之第1基板對向面8a、與下表面噴嘴15之第2基板對向面16a配置於同一平面上。而且，於第1基板對向板8配置於第2接近位置之狀態下，藉由基板W之減速而於基板W之下表面與第2基板對向板16之第2基板對向面16a之間形成外廓筒狀的淋洗液之液柱74。
為了維持淋洗液之液柱74，淋洗液之吐出流量係較理想為較少，但於形成淋洗液之液柱74時，需要既定量之淋洗液。此處理例係於步驟S15之高速旋轉淋洗液處理步驟中，相對大流量之淋洗液被供給至基板W之下表面，因此於開始步驟S17之淋洗液液密步驟時，相對多量之淋洗液存在於基板W之下表面。因此，可良好地形成淋洗液之液柱74。
然後，進而對淋洗液之液柱74進行淋洗液供給，藉此使淋洗液之液柱74於基板W之圓周方向上擴大。基板W之下表 面與第2基板對向板16之第2基板對向面16a之間之淋洗液的液柱74係一方面於基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間傳遞，一方面於基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38，向基板W之周緣部擴大(參照圖10I之箭頭)。 藉此，如圖10J所示，於該空間38之整個區域，實現淋洗液之液密狀態。該空間38之液密狀態係可藉由小流量之淋洗液而實現，藉此可謀求淋洗液之消耗量之減少。
接著，若於第2接近位置經過預定之時間(例如，5 sec)，則控制裝置69係對升降致動器29及下表面噴嘴升降機構72進行控制而如圖10K所示般使第1基板對向板8與第2基板對向板16一體地自第2接近位置(參照圖10J)下降至第1接近位置(參照圖10K)。第1基板對向板8及第2基板對向板16係維持液密狀態而直接自第2接近位置下降至第1接近位置為止。
此時，如圖10K所示，第1基板對向板8之周緣部 係自各插通用凹部20向外側突出，於各插通用凹部20與第1基板對向板8之外周端之間設置有厚壁。藉由該厚壁部分，於步驟S17之淋洗液液密步驟中，亦可將包含保持於保持構件5之部分之基板W之周緣部設為液密狀態。其結果，可於基板W之下表面之整個區域，確實且良好地形成淋洗液之液密狀態。又，同時執行對基板W之上表面之淋洗液處理及對基板W之下表面的淋洗液處理，因此可縮短各個個別地對基板W之上表面及基板W之下表面之兩者實施淋洗液處理的情形時之處理時間。
如上所述，於對基板W進行淋洗液處理時，在步驟 S15之高速旋轉淋洗液處理步驟中，對基板W之下表面實施淋洗液 處理，接著，經過步驟S16之第1基板對向板清洗步驟而於步驟S17之淋洗液液密步驟中，對基板W之下表面實施淋洗液處理。因此，可更進一步良好地對基板W之下表面進行淋洗液處理。
接著，若於第1接近位置經過預定之時間(例如，15 sec)，則控制裝置69係關閉上表面淋洗液閥51及下表面淋洗液閥62而如圖10L所示般使淋洗液朝向基板W之供給停止。又，控制裝置69係對升降致動器29進行控制而使第1基板對向板8自第1接近位置(參照圖10K)下降至下位置(參照圖10L)。藉此，第1基板對向板8之第1基板對向面8a自基板W之下表面背離，從而瞬時地解除基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間之淋洗液的液密狀態(S18：淋洗液液密解除步驟)。
其後，控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而 對基板W進行加速，從而甩乾基板W(S19：乾燥步驟)。基板W之加速係階段性地進行。具體而言，控制裝置69係首先使基板W之旋轉自旋轉速度ω1加速至旋轉速度ω3。又，控制裝置69係對惰性氣體流量調節閥67進行控制而使惰性氣體之流量自至此為止之50L/min增大至例如100L/min。
接著，若自基板W之加速經過預定之時間(例如，1 sec)，則控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而使基板W之旋轉自旋轉速度ω4加速至更高速之旋轉速度ω5(例如1500rpm)。 藉此，可藉由基板W之旋轉離心力而確實地甩除附著於基板W之淋洗液。
在步驟S19之乾燥步驟中，向第1基板對向板8之第 1基板對向面8a與基板之下表面之間的空間供給大流量之惰性氣 體，因此可於該空間形成惰性氣體之氣流。藉此，可一方面謀求基板W之下表面之乾燥之促進，一方面有效地抑制於基板W之下表面產生水漬。
若自基板W之加速經過預定之時間(例如，2sec)，則 控制裝置69係對旋轉驅動機構7進行控制而使基板W之旋轉停止。其後，藉由基板搬送機器人而自處理室2內搬出處理完畢之基板W(S20：基板搬出步驟)。
如上所述，亦可藉由第2實施形態之基板處理方法， 而發揮與對上述第1實施形態之基板處理方法所敍述之效果相同之效果。
以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明亦可藉由進而其他形態而實施。
例如，上述實施形態係對具有第1基板對向面8a之第1基板對向板8進行了說明，但亦可採用圖11A至圖11C所示之第1基板對向板81、82、83之構成例來取代第1基板對向板8。
圖11A至圖11C係表示第1基板對向板之其他構成例之俯視圖。
圖11A係表示第1基板對向板81。第1基板對向板81與第1基板對向板8之不同點係形成有作為插通用凹部20之切口部20a來取代作為插通用凹部20之插通孔之點。切口部20a係與上述第1及第2實施形態同樣地，形成於與保持構件5對應之位置。切口部20a係自基板W之外周端向旋轉軸線10側形成為凹狀，故與上述實施形態不同地，未於插通用凹部20與基板W之外周端之間設置厚壁部。
根據此種構成，亦可發揮與於上述實施形態中敍述之 效果大致相同之效果，但於該情形時，較佳為如上述實施形態般作為形成厚壁部之插通用凹部20而形成有插通孔。
又，圖11B係表示第1基板對向板82。第1基板對 向板82與第1基板對向板8之不同點係第1基板對向板82之第1基板對向面82a包含親水面之點。
於自第1基板對向板82之開口21觀察時，在第1基 板對向面82a，按照同心圓狀形成有複數個切口82b。藉由該複數個切口82b，而於第1基板對向板82之第1基板對向面82a上，形成有多個凹部。藉此，第1基板對向面82a成為親水面。
如上所述，於第1基板對向面82a包含親水面之情形 時，在步驟S3、S13之藥液液密步驟中，基板W之下表面與第1基板對向面82a之間之距離係因由複數個切口82b形成之凹部而局部地接近或離間。藉此，可提高供給於基板W之下表面與第1基板對向面82a之間之空間38之藥液的可濕性。其結果，變得易於藉由藥液而將基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38設為液密狀態。又，步驟S7、S17之淋洗液液密步驟係相同地，亦可提高供給於基板W之下表面與第1基板對向面82a之間之空間38之淋洗液的可濕性。其結果，變得易於藉由淋洗液而將基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38設為液密狀態。
又，圖11C所示之第1基板對向板83係與上述圖11B 之第1基板對向板82同樣地，具有包含親水面之第1基板對向面83a。圖11C所示之第1基板對向板83與第1基板對向板82之不同點係第1基板對向面83a具有既定之表面粗糙度之點。如上所 述，亦可藉由具有既定之表面粗糙度之第1基板對向面83a，而發揮與於上述圖11B中敍述之效果相同之效果。
又，圖11A~圖11C所示之第1基板對向板81、82、 83係可與上述實施形態之第1基板對向板8之構成組合使用。又，除上述圖11A~圖11C所示之第1基板對向板81、82、83外，亦可採用具有平滑之凹面狀之第1基板對向面之碗型的第1基板對向板。若為此種構成，則易於製作儲液，從而易於將基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38設為液密狀態。
又，上述各實施形態係例示了藉由磁力而使第1基板 對向板8升降之引導機構25之例，但亦可採用使升降致動器29之驅動力直接輸入至第1基板對向板8之機構。
又，於上述各實施形態中，未提及供給至基板W之 上表面及基板W之下表面之藥液之藥液溫度，但亦可向基板W之上表面及基板W之下表面供給被加熱成高溫之藥液(蝕刻液)。
於藥液被加熱成高溫之情形時，在剛剛供給至基板W 之上表面後為高溫，但於向基板W之周緣部流動之過程中，其液溫下降。因此，於基板W上，在其中央部，藥液之溫度相對變高，於周緣部，藥液之溫度相對變低。其結果，存在產生基板W之上表面之處理速率(蝕刻速率)之不均之虞，即，於基板W之表面之中央部，迅速地推進藥液處理，於基板W之上表面之周緣部，相對較緩慢地推進藥液處理。
然而，根據上述各實施形態，如步驟S3、S13之藥液 液密步驟所示(參照圖5D、圖10E等)，於基板W之下表面與第1基板對向面8a之間之空間38，形成藥液之液密狀態，因此若供給 至基板W之下表面之藥液亦被加熱成高溫，則可使高溫之藥液跨及基板W之下表面之整個區域而接液。因此，可將基板W設為高溫且均勻之溫度分佈。藉此，即使於向基板W之上表面供給高溫之藥液之情形時，亦可防止所供給之藥液之溫度於基板W之周緣部下降。其結果，能夠以均勻之處理速率(蝕刻速率)對基板W之上表面進行處理。
又，上述第2實施形態係對使第2基板對向板16於 第1接近位置與第2接近位置之間升降之例進行了說明，但亦可使第2基板對向板16於下位置與第2接近位置之間升降。
於該情形時，控制裝置69係於上述步驟S14之藥液 液密解除步驟(參照圖10E及圖10F)中，對升降致動器29及下表面噴嘴升降機構72進行控制而使第1基板對向板8與第2基板對向板16同時自第1接近位置下降至下位置。藉此，第1基板對向板8之第1基板對向面8a及第2基板對向板16之第2基板對向面16a自基板W之下表面背離，從而不僅可瞬時地解除基板W之下表面與第1基板對向板8之第1基板對向面8a之間之藥液的液密狀態，而且可瞬時地解除第2基板對向板16之第2基板對向面16a之藥液之液密狀態。又，亦可於步驟S18之淋洗液液密解除步驟(參照圖10K及圖10L)中發揮同樣之效果。
又，上述各實施形態係對基板處理裝置1、71為對圓 板狀之基板W進行處理之裝置之情形進行了說明，但基板處理裝置1、71亦可為對液晶顯示裝置用基板等多邊形之基板進行處理之裝置。
詳細地對本發明之實施形態進行了說明，但該等實施 形態僅係為了使本發明之技術內容變得明確而使用之具體例，本發明不應限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍係僅藉由隨附之申請專利範圍而限定。
本申請案係與於2013年8月20日向日本專利廳提出之日本專利特願2013-170612號對應，該申請案之所有揭示藉由引用而併入本文。
3‧‧‧旋轉夾頭
4‧‧‧旋轉基台
5‧‧‧保持構件
6‧‧‧旋轉軸
8‧‧‧第1基板對向板
8a‧‧‧第1基板對向面
10‧‧‧旋轉軸線
15‧‧‧下表面噴嘴
16‧‧‧第2基板對向板
16a‧‧‧第2基板對向面
17‧‧‧處理液吐出口
18‧‧‧凸緣
19‧‧‧階差部
20‧‧‧插通用凹部
21‧‧‧開口
38‧‧‧空間
44‧‧‧上表面藥液噴嘴
49‧‧‧上表面淋洗液噴嘴
W‧‧‧基板
ω1、ω4‧‧‧旋轉速度

Claims (16)

  1. 一種基板處理方法，其包含有：基板旋轉步驟，其使基板以第1旋轉速度繞著既定之鉛垂軸線進行旋轉；液密步驟，其以與上述基板旋轉步驟併行之方式加以執行，且一方面使第1對向面以隔開既定之第1間隔之方式對向於旋轉中之上述基板之下表面，一方面自與上述基板之下表面呈對向之下表面噴嘴之處理液吐出口而加以吐出處理液，而利用處理液將上述基板的下表面與上述第1對向面之間之空間加以設定為液密狀態；及液密解除步驟，其在上述液密步驟之後，使上述基板之下表面與上述第1對向面產生背離，藉此解除上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間的液密狀態；及高速旋轉處理步驟，其在上述液密步驟之前而被加以執行，且一方面以快於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度使上述基板進行旋轉，一方面向該基板之下表面供給處理液；而上述液密步驟係以連續於上述高速旋轉步驟之結束的方式而開始加以執行。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，在自上述高速旋轉處理步驟移行至上述液密步驟之時序，使被供給至上述基板之處理液的流量產生減少。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，更進一步包含有清洗步驟，該清洗步驟係在上述液密步驟之前而被加以執行，使上述第1對向面以隔開大於上述第1間隔之第2間隔之方式對向於上述基板之下表面，且一方面使上述基板以快於上述第1旋轉速度 且慢於上述第2旋轉速度之第3旋轉速度進行旋轉，一方面使清洗液自上述處理液吐出口而供給至上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間，而對上述第1對向面進行清洗。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，上述清洗液係包含上述處理液，上述液密步驟係為以連續於上述清洗步驟之結束的方式而開始加以執行者，且與自上述清洗步驟而朝向上述液密步驟之移行產生同步，而使供給至上述基板之處理液的流量較至此為止更為減少。
  5. 一種基板處理方法，其包含有：基板旋轉步驟，其使基板以第1旋轉速度繞著既定之鉛垂軸線進行旋轉；液密步驟，其以與上述基板旋轉步驟併行之方式加以執行，且一方面使第1對向面以隔開既定之第1間隔之方式對向於旋轉中之上述基板之下表面，一方面自與上述基板之下表面呈對向之下表面噴嘴之處理液吐出口而加以吐出處理液，而利用藥液將上述基板的下表面與上述第1對向面之間之空間加以設定為液密狀態；液密解除步驟，其在上述液密步驟之後，使上述基板之下表面與上述第1對向面產生背離，藉此解除上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間的液密狀態；及對向面清洗步驟，其在上述液密解除步驟之後，用於清洗上述第1對向面，一方面使上述基板與上述第1對向面進行相對旋轉，一方面將淋洗液供給至上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間。
  6. 一種基板處理方法，其包含有： 基板旋轉步驟，其使基板以第1旋轉速度繞著既定之鉛垂軸線進行旋轉；液密步驟，其以與上述基板旋轉步驟併行之方式加以執行，且一方面使第1對向面以隔開既定之第1間隔之方式對向於旋轉中之上述基板之下表面，一方面自與上述基板之下表面呈對向之下表面噴嘴之處理液吐出口而加以吐出淋洗液，而利用淋洗液將上述基板的下表面與上述第1對向面之間之空間加以設定為液密狀態；液密解除步驟，其在上述液密步驟之後，使上述基板之下表面與上述第1對向面產生背離，藉此解除上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間的液密狀態；及對向面清洗步驟，其在上述液密步驟之前而被加以執行，用於清洗上述第1對向面，一方面使上述基板與上述第1對向面進行相對旋轉，一方面將淋洗液供給至上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間。
  7. 如申請專利範圍第1、5及6項中任一項之基板處理方法，其中，上述第1對向面係呈圓板狀，且其外周端係位在較上述基板之下表面之基板周端為更外側。
  8. 如申請專利範圍第1、5及6項中任一項之基板處理方法，其中，在上述液密步驟中，上述第1對向面、及具有上述處理液吐出口之上述下表面噴嘴之第2對向面係配置在同一平面上。
  9. 如申請專利範圍第1、5及6項中任一項之基板處理方法，其中，上述液密步驟係具有：液柱形成步驟，其在使上述下表面噴嘴對向於上述基板之下表面之中心附近之狀態下，自上述處理液吐出口將處理液加以吐出，而 在該第1對向面與上述基板之下表面之間形成液柱；及液柱擴大步驟，其對於在該液柱形成步驟中所形成之上述液柱而更進一步加以吐出處理液，而使該液柱於上述基板之圓周方向上加以擴大。
  10. 如申請專利範圍第1、5及6項中任一項之基板處理方法，其中，更進一步包含有上表面處理步驟，該上表面處理步驟係向上述基板之上表面供給處理液，而利用處理液對該基板之上表面進行處理，且以與上述上表面處理步驟併行之方式執行上述液密步驟。
  11. 如申請專利範圍第1或5項之基板處理方法，其中，上述處理液係為蝕刻液。
  12. 一種基板處理裝置，其包含有：基板保持旋轉單元，其具有能夠以上述鉛垂軸線為中心進行旋轉的基台、及立設在上述基台而將上述基板加以保持的複數個保持構件，一方面將基板以水平姿勢加以保持，一方面使其繞著既定之鉛垂軸線進行旋轉；基板對向板，其具有第1對向面，該第1對向面係對向於藉由上述基板保持旋轉單元所旋轉之上述基板之下表面，而為其外周端位在較上述基板之下表面之基板周端為更外側的圓板狀之基板對向板，在該基板對向板之厚度方向上，以貫通之方式形成有用於供上述保持構件插通之複數個插通孔；對向板升降單元，其使上述基板對向板進行升降；下表面噴嘴，其具有與上述基板之下表面呈對向之處理液吐出口，用於將處理液供給至上述基板之下表面與上述第1對向面之間 之空間；處理液供給單元，其向上述下表面噴嘴供給處理液；液密控制單元，其對上述基板保持旋轉單元、上述對向板升降單元、及上述處理液供給單元進行控制，使上述基板以既定之第1旋轉速度旋轉而執行液密步驟，該液密步驟係使上述第1對向面以隔開既定之第1間隔之方式對向於上述基板之下表面，且使處理液自上述處理液吐出口加以吐出，而利用處理液將上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間加以設定為液密狀態；及液密解除控制單元，其在上述液密步驟之執行結束之後，對上述對向板升降單元進行控制，而自執行上述液密步驟之狀態，使上述基板之下表面與上述第1對向面產生背離，而加以解除上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間的液密狀態。
  13. 一種基板處理裝置，其包含有：基板保持旋轉單元，其一方面將基板以水平姿勢加以保持，一方面使其繞著既定之鉛垂軸線進行旋轉；基板對向板，其具有包含有親水面的第1對向面，該第1對向面係對向於藉由上述基板保持旋轉單元所旋轉之上述基板之下表面；對向板升降單元，其使上述基板對向板進行升降；下表面噴嘴，其具有與上述基板之下表面呈對向之處理液吐出口，用於將處理液供給至上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間；處理液供給單元，其向上述下表面噴嘴供給處理液；液密控制單元，其對上述基板保持旋轉單元、上述對向板升降單元、及上述處理液供給單元進行控制，使上述基板以既定之第1旋 轉速度旋轉而執行液密步驟，該液密步驟係使上述第1對向面以隔開既定之第1間隔之方式對向於上述基板之下表面，且使處理液自上述處理液吐出口加以吐出，而利用處理液將上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間加以設定為液密狀態；及液密解除控制單元，其在上述液密步驟之執行結束之後，對上述對向板升降單元進行控制，而自執行上述液密步驟之狀態，使上述基板之下表面與上述第1對向面產生背離，而加以解除上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間的液密狀態。
  14. 一種基板處理裝置，其包含有：基板保持旋轉單元，其一方面將基板以水平姿勢加以保持，一方面使其繞著既定之鉛垂軸線進行旋轉；基板對向板，其具有第1對向面，該第1對向面係對向於藉由上述基板保持旋轉單元所旋轉之上述基板之下表面；對向板升降單元，其使上述基板對向板進行升降；下表面噴嘴，其具有以隔開間隔之方式對向於上述基板之下表面的第2對向面、及形成在上述第2對向面的處理液吐出口，用於將處理液供給至上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間；處理液供給單元，其向上述下表面噴嘴供給處理液；液密控制單元，其對上述基板保持旋轉單元、上述對向板升降單元、及上述處理液供給單元進行控制，使上述基板以既定之第1旋轉速度旋轉而執行液密步驟，該液密步驟係使上述第1對向面以隔開既定之第1間隔之方式對向於上述基板之下表面，使上述第1對向面及上述第2對向面配置在同一平面上，且使處理液自上述處理液吐出口加以吐出，而利用處理液將上述基板之下表面與上述第1 對向面之間之空間加以設定為液密狀態；及液密解除控制單元，其在上述液密步驟之執行結束之後，對上述對向板升降單元進行控制，而自執行上述液密步驟之狀態，使上述基板之下表面與上述第2對向面不產生背離，而使上述基板之下表面與上述第1對向面產生背離，而加以解除上述基板之下表面與上述第1對向面之間之空間的液密狀態。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，上述第2對向面係與包含有藉由上述基板保持旋轉單元所產生之上述基板之旋轉中心的區域呈對向，上述第1對向面係成為在俯視時包圍上述第2對向面之周圍的環狀。
  16. 如申請專利範圍第12至14項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步包含有使上述下表面噴嘴進行升降之噴嘴升降機構。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6494480B2 (ja) * 2015-09-25 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理装置の基板乾燥方法
JP6722551B2 (ja) 2016-08-31 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6869093B2 (ja) * 2017-04-27 2021-05-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6887912B2 (ja) * 2017-08-07 2021-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102162189B1 (ko) * 2018-09-07 2020-10-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN109212793A (zh) * 2018-09-30 2019-01-15 惠科股份有限公司 一种用于显示面板的制造设备和清洗方法
JP6837116B1 (ja) * 2019-10-03 2021-03-03 株式会社プレテック 基板処理ノズル
CN112792036B (zh) * 2020-12-31 2022-12-20 至微半导体(上海)有限公司 一种半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统及方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4788994A (en) * 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
JP3340701B2 (ja) * 1999-07-02 2002-11-05 株式会社半導体先端テクノロジーズ 枚葉式洗浄装置および枚葉式洗浄方法
US6899111B2 (en) * 2001-06-15 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner
JP4053800B2 (ja) * 2002-03-25 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TWI261875B (en) * 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
US7524771B2 (en) * 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
KR101061945B1 (ko) * 2005-11-24 2011-09-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 이를 행하는 제어프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP4675772B2 (ja) * 2005-12-16 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7914626B2 (en) * 2005-11-24 2011-03-29 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus
JP5355180B2 (ja) 2009-03-30 2013-11-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101067608B1 (ko) 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2010267690A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5270607B2 (ja) * 2010-03-30 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5698487B2 (ja) * 2010-09-29 2015-04-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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