CN105518831A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的基板处理方法包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在作为处理对象的基板中，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmissionDisplay：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板和太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置的制造工序中，为了对半导体晶片或液晶显示面板用玻璃基板等基板的主面实施处理液处理，使用对基板一张张进行处理的单张式基板处理装置。单张式的基板处理装置例如具有将基板保持为大致水平姿势且使基板旋转的旋转卡盘和被旋转卡盘保持的向基板的下表面供给处理液的中心轴喷嘴。
例如，下述专利文献1在图7以及图8中公开了一种基板处理装置，其具有下表面处理配管和与基板的下表面相向配置的圆板状的相向板，该下表面处理配管具有用于向被旋转卡盘保持的基板的下表面供给处理液的下表面喷出口。在相向板配置在与基板的下表面接近的接近位置的状态下，从下表面喷出口喷出处理液。由此，在基板的下表面与相向板的基板相向面之间以液密状态(liquidtightstate)保持处理液。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2010-238781号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在专利文献1中，在经过对基板的处理时间后，还在基板的下表面保持有处理液的液膜，由此，存在基板的下表面上的处理液处理继续进行的问题。即，为了除去在基板的下表面保持的液膜需要规定的时间，因此基板的下表面可能被处理而超过所希望的处理量，结果，有时不能够对基板的下表面实施良好的处理液处理。
因此，本发明的目的在于提供一种能够降低处理液的消耗量且对基板的下表面良好地实施处理液处理的基板处理方法以及基板处理装置。
用于解决问题的手段
本发明的第一方面提供一种基板处理方法，包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔地与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。
根据该方法，在液密状态形成步骤中，向基板的下表面与第一相向面之间供给处理液。由此，基板的下表面与第一相向面之间的空间形成液密状态。所述空间的液密状态能够通过小流的处理液实现。结果，能够降低处理液的消耗量。
另外，在液密状态解除步骤中，通过使基板的下表面与第一相向面彼此远离，能够瞬间解除所述空间的液密状态。由此，在液密状态解除步骤后，处理液不与基板的下表面接触，结果，能够阻止处理液处理在基板的下表面进行。由此，能够将处理液处理保持为所期望的处理量。由此，提供一种能够降低处理液的消耗量且良好地对基板的下表面实施处理液处理的基板处理方法。
在本发明的一个实施方式中，所述第一相向面呈圆板状，所述第一相向面的外周端位于所述基板的下表面的基板周端的外侧。
根据本方法，由于第一相向面的外周端位于基板的下表面周端的外侧，所以能够在基板的下表面整个区域形成基板的下表面与第一相向面之间的处理液的液密状态。因此，由于能够使处理液与基板的下表面整个区域接触，所以能够利用处理液对基板的下表面良好且均匀地进行处理。
在所述液密状态形成步骤中，所述第一相向面以及具有所述处理液喷出口的所述下表面喷嘴的第二相向面可以配置在同一平面上。
根据本方法，在液密状态形成步骤中，下表面喷嘴的第二相向面与基板的下表面相向配置，且从形成在第二相向面上的处理液喷出口喷出处理液。因此，在下表面喷嘴的第二相向面与基板的下表面之间形成外轮廓为筒状的处理液的液柱。另外，由于第一相向面和第二相向面配置在同一平面上，所以第二相向面与基板的下表面之间的液柱一边在基板的下表面以及第一相向面上蔓延，一边在基板的下表面以及第一相向面之间的空间中扩展。由此，在基板的下表面与第一相向面之间的空间中，能够比较容易形成处理液的液密状态。
所述液密状态形成步骤可以具有：液柱形成步骤，在使所述下表面喷嘴与所述基板的下表面的中心附近相向的状态下，从所述处理液喷出口喷出处理液，在该第一相向面与所述基板的下表面之间形成液柱；以及液柱扩大步骤，对该液柱形成步骤中形成的所述液柱进一步喷出处理液，使该液柱向所述基板的周向扩大。
所述基板处理方法可以还包括上表面处理步骤，在该上表面处理步骤中，向所述基板的上表面供给处理液，利用处理液对该基板的上表面进行处理，与所述上表面处理步骤并行执行所述液密状态形成步骤。
根据本方法，由于对基板的上表面的处理液处理和对基板的下表面的处理液处理并行进行，所以能够缩短对基板的上表面以及下表面双方分别单独实施处理液处理时的处理时间。
另外，在向基板的上表面供给的处理液被加热为高温的情况下，刚供给至基板的上表面时是高温，但是，在向基板的周缘部流动的过程中，其液温降低。因此，在基板上，在其中央部，处理液的温度相对高，在周缘部，处理液的温度相对低。结果，可能产生如下的基板上表面上的处理率不均匀的情况，即，在基板的上表面的中央部，处理液处理快速进行，在基板的上表面的周缘部，处理液处理相对较慢进行。
另外，在基板的下表面与第一相向面之间形成处理液的液密状态的情况下，只要向基板的下表面供给的处理液被加热为高温，就能够使高温的处理液与基板的下表面的大范围(整个区域)接触。因此，能够使基板形成高温且均匀的温度分布。由此，即使向基板的上表面供给高温的处理液的情况下，与能够防止被供给的处理液在基板的周缘部温度降低。结果，能够以均匀的处理率对基板的上表面进行处理。
所述基板处理方法可以还包括高速旋转处理步骤，该高速旋转处理步骤在所述液密状态形成步骤之前执行，在该高速旋转处理步骤中，一边以比所述第一旋转速度快的第二旋转速度使所述基板旋转一边向该基板的下表面供给处理液，所述液密状态形成步骤在所述高速旋转步骤结束后与所述高速旋转步骤连续地开始执行。
根据本方法，在高速旋转处理步骤中，对基板的下表面实施处理液处理，接着，在液密状态形成步骤中，对基板的下表面实施处理液处理。因此，能够更良好地对基板的下表面进行处理。
可以在从所述高速旋转处理步骤进入所述液密状态形成步骤转移的时刻，降低向所述基板供给的处理液的流量。
根据本方法，若在高速旋转处理步骤中，比较大流量的处理液供给至基板的下表面，则在高速旋转处理步骤结束时，比较大量的处理液存在于基板的下表面。另外，在液密状态形成步骤开始时，使第一相向面隔开第一间隔与基板的下表面相向，且使基板的旋转速度降低至比到此为止的速度低的速度。在此状态下，由于在基板的下表面存在比较大量的处理液，所以在第一相向面与基板的下表面之间的空间中，能够良好地形成处理液的液密状态。由此，能够顺畅地从高速旋转处理步骤进入液密状态形成步骤。
所述基板处理方法可以还包括清洗步骤，该清洗步骤在所述液密状态形成步骤之前执行，在该清洗步骤中，使所述第一相向面隔开比所述第一间隔大的第二间隔地与所述基板的下表面相向，一边使所述基板以比所述第一旋转速度快且比所述第二旋转速度慢的第三旋转速度旋转，一边从所述处理液喷出口向所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间供给清洗液，来对所述第一相向面进行清洗。
根据本方法，在使第一相向面隔开第二间隔地与基板的下表面相向的状态下，一边使基板以第三旋转速度旋转一边向基板的下表面供给清洗液。向基板的下表面供给的清洗液在基板的下表面向周缘部扩展后，从周缘部受到重力向下方滴落，供给至第一相向面。由此，通过在第一相向面蔓延流动的清洗液清洗第一相向面。
另外，由于用于清洗第一相向面的清洗步骤在液密状态形成步骤之前执行，所以能够在处理液没有附着在基板上的状态开始液密状态形成步骤。因此，在高速旋转处理步骤中使用的处理液和在液密状态形成步骤中使用的处理液为相互不同的种类的处理液的情况下，能够防止不同种类的处理液混合接触。
所述清洗液可以包括所述处理液，所述液密状态形成步骤在所述清洗步骤结束后与所述清洗步骤连续地开始执行，以与从所述清洗步骤进入所述液密状态形成步骤同步的方式使向所述基板供给的处理液的流量降低至比到此为止的流量更低的流量。
根据本方法，若在清洗步骤，比较大流量的清洗液供给至基板的下表面，则在清洗步骤结束时，比较大量的清洗液存在于基板的下表面。在此状态下，一边使向基板供给的清洗液的流量降低至比到此为止的流量更低的流量，一边在清洗步骤结束后与清洗步骤连续地开始进行液密状态形成步骤。此时，由于在基板的下表面存在比较大量的清洗液，所以在第一相向面与基板的下表面之间的空间，能够良好地形成清洗液的液密状态。由此，能够顺畅地从清洗步骤进入液密状态形成步骤。
所述处理液可以为蚀刻液。
在利用蚀刻液对基板进行处理的情况下，存在即使经过了所期望的蚀刻处理时间后，在基板的下表面也保持处理液的液膜，对基板的下表面进行蚀刻处理的问题。
但是，在所述基板处理方法中，通过在液密状态解除步骤中使基板的下表面与第一相向面彼此远离，在液密状态解除步骤后，蚀刻液不与基板的下表面接触。结果，能够阻止对基板的下表面的蚀刻处理继续进行。
本发明的第二方面提供一种基板处理装置，具有：基板保持旋转单元，其一边以水平姿势保持基板，一边使基板围绕规定的铅垂轴线旋转；基板相向板，其具有与借助所述基板保持旋转单元进行旋转的所述基板的下表面相向的第一相向面；相向板升降单元，其使所述基板相向板升降；下表面喷嘴，其具有与所述基板的下表面相向的处理液喷出口，用于向所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间供给处理液；处理液供给单元，其向所述下表面喷嘴供给处理液；液密控制单元，其执行液密状态形成步骤，在该液密状态形成步骤中，该液密控制单元控制所述基板保持旋转单元、所述相向板升降单元以及所述处理液供给单元，使所述基板以规定的第一旋转速度旋转，使所述第一相向面隔开规定的第一间隔与所述基板的下表面相向，且从所述处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及液密解除控制单元，其在所述液密状态形成步骤执行结束后，控制所述相向板升降单元，从正在执行所述液密状态形成步骤的状态使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。
根据本结构，在液密状态形成步骤中，向基板的下表面与第一相向面之间供给处理液。由此，基板的下表面与第一相向面之间的空间成为液密状态。所述空间的液密状态能够由小流量的处理液实现。结果，能够降低处理液的消耗量。
另外，在液密状态解除步骤中，通过使基板的下表面与第一相向面彼此远离，能够瞬间解除所述空间的液密状态。由此，在液密状态解除步骤后，处理液不与基板的下表面接触，结果，能够阻止对基板的下表面的处理液处理继续进行。由此，能够将处理液处理保持为所期望的处理量。由此，提供一种能够降低处理液的消耗量，且良好地对基板的下表面实施处理液处理的基板处理装置。
在本发明的一个实施方式中，所述基板相向板可以呈圆板状，所述基板相向板的外周端位于所述基板的下表面的基板周端的外侧，所述基板保持旋转单元具有能够以所述铅垂轴线为中心旋转的基座和立设在所述基座上且保持所述基板的多个保持构件，在所述基板相向板上，以在该基板相向板的厚度方向上贯通的方式形成有用于使所述保持构件贯穿的多个贯穿用凹处。
根据本结构，由于第一相向面的外周端位于基板的下表面周端的外侧，所以能够在基板的下表面整个区域形成基板的下表面与第一相向面之间的处理液的液密状态。因此，由于能够使处理液与基板的下表面整个区域接触，所以能够利用处理液良好且均匀地处理基板的下表面。
另外，由于在基板相向板上形成用于使保持构件贯穿的多个贯穿用凹处，所以不妨碍基板相向板的升降。因此，能够在基板的下表面与基板相向板之间顺利地形成处理液的液密状态。
各贯穿用凹处可以为贯穿孔。此时，基板相向板的周缘部从各贯穿孔向外侧伸出，在各贯穿孔与基板相向板的外周端之间设置厚壁。通过该厚壁部分，能够可靠地通过处理液使基板的下表面整个区域成为液密状态。
另外，所述下表面喷嘴可以具有第二相向面，该第二相向面与所述基板的下表面隔开间隔地相向，具有所述处理液喷出口。
根据本结构，在液密状态形成步骤中，下表面喷嘴的第二相向面与基板的下表面相向配置，且从形成在第二相向面上的处理液喷出口喷出处理液。因此，在下表面喷嘴的第二相向面与基板的下表面之间形成有外轮廓为筒状的处理液的液柱。另外，由于第一相向面和第二相向面配置在同一平面上，所以第二相向面和基板的下表面之间的液柱一边在基板的下表面以及第一相向面蔓延，一般在基板的下表面以及第一相向面之间的空间中扩展。由此，在基板的下表面和第一相向面之间的空间中，能够比较容易地形成处理液的液密状态。
所述基板处理装置可以还包括使所述下表面喷嘴升降的喷嘴升降机构。
根据本结构，由于在使下表面喷嘴上升的情况下，能够使处理液的喷出位置接近基板的下表面，所以能够促进在基板的下表面与第一相向面之间的空间中形成液密状态。另外，在液密状态形成步骤执行结束时，能够利用喷嘴升降机构，易于使基板相向板与下表面喷嘴一起远离基板的下表面。
所述第二相向面可以与包括被所述基板保持旋转单元保持的所述基板的旋转中心的区域相向，俯视观察，所述第一相向面形成包围所述第二相向面的周围的环状。
所述第一相向面可以包括亲水面。此时，若第一相向面的表面具有亲水性，易于使基板的下表面与第一相向面之间的空间成为液密状态。
作为包括亲水面的第一相向面的例子，能够列举在第一相向面具有多个凹处的第一相向面，或利用规定的表面粗糙度提高润湿性的第一相向面。
本发明的上述的或其它的目的、特征以及效果通过参照附图如下描述的实施方式的说明变得明确。
附图说明
图1是表示本发明的第一个实施方式的基板处理装置的概略结构的图。
图2是表示图1所示的基板处理装置的概略结构的俯视图。
图3是用于说明图1所示的基板处理装置的处理例子的流程图。
图4是用于说明图1所示的基板处理装置的处理例子的时序图。
图5A-图5C是用于说明图3以及图4的处理例子的图。
图5D-图5F是用于说明图5C后续的工序的图。
图5G-图5I是用于说明图5F后续的工序的图。
图5J是用于说明图5I后续的工序的图。
图6是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的概略结构的图。
图7是表示图6所示的基板处理装置的概略结构的俯视图。
图8是用于说明图6所示的基板处理装置的处理例子的流程图。
图9是用于说明图6所示的基板处理装置的处理例子的时序图。
图10A-图10C是用于说明图8以及图9的处理例子的图。
图10D-图10F是用于说明图10C后续的工序的图。
图10G-图10I是用于说明图10F后续的工序的图。
图10J-图10L是用于说明图10I后续的工序的图。
图11A-图11C是表示第一基板相向板的其它的结构例子的俯视图。
具体实施方式
图1是表示本发明的第一个实施方式的基板处理装置1的概略结构的图。图2是表示图1的基板处理装置1的概略结构的俯视图。此外，图1表示向图2所示的箭头I的方向观察的沿着剖切线的截面。
基板处理装置1是对基板W一张张进行处理的单张式的装置。以下，举例说明作为基板W采用半导体基板的情况。基板处理装置1具有被分隔壁划分形成的处理室2和在处理室2内将基板W保持为水平且使基板W旋转的旋转卡盘(基板保持旋转单元)3。
旋转卡盘3具有：圆板状的旋转基座(基座)4，其能够围绕沿着铅垂方向延伸的旋转轴线10旋转；保持构件5，其设置在旋转基座4上；筒状的旋转轴6，其从旋转基座4向铅垂下方延伸；旋转驱动机构7，其使旋转基座4以及旋转轴6围绕旋转轴线10旋转；以及第一基板相向板8，其配置在旋转基座4的上表面与保持构件5的基板保持高度之间。
旋转卡盘3是通过多个保持构件5在水平方向上夹持基板W将该基板W保持为水平姿势的夹持式的卡盘。旋转驱动机构7采用电动马达，通过使来自旋转驱动机构7的旋转驱动力输入旋转轴6，使被保持构件5保持的基板W与旋转基座4一体围绕旋转轴线10旋转。
如图2所示，在旋转基座4的上表面的周缘部，沿着周向隔开间隔设置多个(在本实施方式中，例如为6个)保持构件5。各保持构件5在距离旋转基座4的上表面规定间隔的上方的基板保持高度将基板W保持为水平。在保持构件5上安装有在旋转基座4内容纳配置的基板保持构件可动机构9。由此，保持构件5能够相对旋转基座4移动。基板保持构件可动机构9例如为根据旋转轴6的旋转使保持构件5移动的公知的连杆机构。
以下，将在被多个保持构件5保持的状态下与旋转基座4的上表面相向的基板W的表面称为基板W的下表面，将该下表面的相反侧的面称为基板W的上表面。
旋转轴6为圆筒状的中空轴。在旋转轴6的内部贯穿有从基板W的下表面侧供给处理液的处理液供给管13和从基板W的下表面侧供给非活性气体的非活性气体供给管14。非活性气体供给管14包围处理液供给管13的外周。
处理液供给管13的铅垂方向的上端经由设置在旋转基座4的中央部的贯通孔突出至旋转基座4的上表面的上方。即，处理液供给管13的铅垂方向的上端位于旋转基座4的上表面和基板W的下表面之间。在处理液供给管13的上端结合有下表面喷嘴15。
下表面喷嘴15具有配置在旋转基座4的上表面与基板W的下表面之间的第二基板相向板16。第二基板相向板16大致形成为圆板状，具有与基板W的下表面相向的第二基板相向面(第二相向面)16a。在第二基板相向板16的中央部形成用于使处理液供给管13的上端露出的开口。该开口是向基板W的下表面侧喷出处理液的处理液喷出口17。处理液喷出口17与配置在旋转基座4上的基板W的下表面的旋转中心相向。在第二基板相向板16的周缘部朝外形成有凸缘18。
第一基板相向板8是具有比基板W的直径大的外径的圆板状的构件，在其上表面具有与基板W的下表面相向的第一基板相向面(第一相向面)8a。即，第一基板相向板8的外周端在基板W的下表面比基板W的周端更靠外侧。
在第一基板相向板8的周缘部，在与保持构件5对应的位置，形成有多个贯穿用凹处20。贯穿用凹处20是在第一基板相向板8的厚度方向上贯通的贯穿孔。在各贯穿用凹处20贯穿有对应的保持构件5。在第一基板相向板8的中央部，以包围处理液供给管13的外周面以及非活性气体供给管14的方式，形成有开口21。即，俯视观察，第一基板相向面8a形成为对第二基板相向板16的第二基板相向面(第二相向面)16a的周围进行包围的环状。在第一基板相向板8的开口21形成有阶梯部19。阶梯部19在第一基板相向板8的径向(图1的左右方向)上与第二基板相向板16的凸缘18匹配。
第一基板相向板8能够在接近旋转基座4的上表面的下位置(图1中实线所示的位置)和在该下位置的上方隔开微小间隔地与被保持构件5保持的基板W的下表面接近的第一接近位置(图1中虚线所示的位置)之间升降。在第一基板相向板8位于第一接近位置时，第一基板相向板8的阶梯部19与第二基板相向板16的凸缘18匹配，第一基板相向板8的第一基板相向面8a和第二基板相向板16的第二基板相向面16a位于同一平面上。第一基板相向板8的升降被安装在第一基板相向板8的下表面上的磁悬浮机构24控制。
磁悬浮机构24具有引导机构25、磁铁保持构件26、相向板侧永久磁铁27、升降用永久磁铁28和升降促动器29。
引导机构25具有安装在第一基板相向板8的下表面且与旋转轴线10平行地沿着铅垂方向延伸的引导轴30和与引导轴30结合的直线轴承31。引导轴30配置在旋转轴6和保持构件5之间的位置。更具体地说，如图2所示，引导轴30隔开等间隔地在第一基板相向板8的周向上配置有3处。引导轴30与在旋转基座4的对应处设置的直线轴承31结合，能够一边被直线轴承31引导，一边在铅垂方向上升降。由此，第一基板相向板8被引导轴30以及直线轴承31沿着与旋转轴线10平行的上下方向引导。
引导轴30贯通直线轴承31，在其下端具有向外突出的凸缘32。凸缘32与直线轴承31的下端抵接，由此限制引导轴30向上方移动，即限制第一基板相向板8向上方移动。即，凸缘32是限制第一基板相向板8向上方移动的限制构件。
磁铁保持构件26以使相向板侧永久磁铁27的磁极方向朝向上下方向的方式保持相向板侧永久磁铁27。磁铁保持构件26在与引导轴30相比远离旋转轴线10的外侧且与保持构件5相比靠近旋转轴线10的内侧的位置，固定在第一基板相向板8的下表面。
例如，如图2所示，磁铁保持构件26在第一基板相向板8的周向隔开等间隔设置有6处。更具体地说，在从旋转轴线10观察，在与相邻的保持构件5之间的位置(在本实施方式中的中间位置)对应的角度位置，配置各磁铁保持构件26。而且，在从旋转轴线10观察，3个引导轴30分别配置在被6个磁铁保持构件26分割(在本实施方式中等分)的6个角度区域中的每隔1个角度区域内(在本实施方式中，该角度区域的中央位置)。
在旋转基座4上，在与6个磁铁保持构件26对应的6处，形成有贯通孔33。各贯通孔33形成为，能够分别使对应的磁铁保持构件26在与旋转轴线10平行的铅垂方向上贯穿。在第一基板相向板8位于下位置时，如图1所示，磁铁保持构件26贯穿贯通孔33突出到旋转基座4的下表面的下方，相向板侧永久磁铁27位于旋转基座4的下表面的下方。相向板侧永久磁铁27例如可以以S极处于下侧且N极处于上侧的方式固定在磁铁保持构件26上。
升降用永久磁铁28例如是以旋转轴线10为中心沿着水平面配置的圆环状的永久磁铁片，具有从下方与相向板侧永久磁铁27相向的圆环状的磁极。升降用永久磁铁28的磁极的极性与相向板侧永久磁铁27的下侧的磁极的极性相同。因此，升降用永久磁铁28对相向板侧永久磁铁27作用向上的排斥磁力。升降用永久磁铁28内置保持在圆环状的升降用磁铁保持构件35中。在升降用磁铁保持构件35上结合有升降促动器29的动作轴34。
升降促动器29例如由气缸构成，使动作轴34沿着与旋转轴线10平行的方向上下移动。升降促动器29能够使升降用永久磁铁28在上位置和下位置之间升降。下位置被设置为，升降用永久磁铁28位于充分远离旋转基座4的下方，在升降用永久磁铁28与相向板侧永久磁铁27之间保持有升降用永久磁铁28与相向板侧永久磁铁27之间的磁排斥力比作用在第一基板相向板8的重力小的足够的距离。上位置是下位置的上方的位置，设置在借助升降用永久磁铁28与相向板侧永久磁铁27之间的磁排斥力使与磁铁保持构件26结合的第一基板相向板8上升至第一接近位置的位置。
因此，若使升降促动器29动作，使升降用永久磁铁28从下位置上升至上位置，则在此过程中，升降用永久磁铁28与相向板侧永久磁铁27之间的磁排斥力超过作用于第一基板相向板8的重力以及其它上升阻力(摩擦力等)。由此，第一基板相向板8从旋转基座4的上表面上浮，上升至第一接近位置。通过设置在引导轴30的下端的凸缘32与直线轴承31的下端抵接，来限制第一基板相向板8上升。
另一方面，若使升降促动器29动作，使升降用永久磁铁28从上位置下降至下位置，则在此过程中，作用于第一基板相向板8的重力超过升降用永久磁铁28与相向板侧永久磁铁27之间的磁排斥力以及其它下降阻力(摩擦力等)。由此，第一基板相向板8从第一接近位置下降，到达旋转基座4。
基板处理装置1还具有：上表面药液供给机构42，其向基板W的上表面供给药液(处理液)；上表面冲洗液供给机构43，其向基板W的上表面供给冲洗液(处理液、清洗液)；下表面药液供给机构54，其向基板W的下表面供给药液；下表面冲洗液供给机构55，其向基板W的下表面供给冲洗液；以及非活性气体供给机构64，其向基板W的下表面侧供给非活性气体。
上表面药液供给机构42具有上表面药液喷嘴44、上表面药液供给配管45和上表面药液阀46。上表面药液供给配管45与上表面药液喷嘴44连接。上表面药液阀46安装在上表面药液供给配管45上。在打开上表面药液阀46时，从上表面药液供给配管45向上表面药液喷嘴44供给药液，从上表面药液喷嘴44喷出药液。另外，在关闭上表面药液阀46时，停止从上表面药液供给配管45向上表面药液喷嘴44供给药液。从上表面药液喷嘴44喷出的药液供给至被旋转卡盘3保持的基板W的上表面中央部。
上表面冲洗液供给机构43具有上表面冲洗液喷嘴49、上表面冲洗液供给配管50和上表面冲洗液阀51。上表面冲洗液供给配管50与上表面冲洗液喷嘴49连接。上表面冲洗液阀51安装在上表面冲洗液供给配管50上。在打开上表面冲洗液阀51时，从上表面冲洗液供给配管50向上表面冲洗液喷嘴49供给冲洗液，从上表面冲洗液喷嘴49喷出冲洗液。另外，在关闭上表面冲洗液阀51时，停止从上表面冲洗液供给配管50向上表面冲洗液喷嘴49供给冲洗液。从上表面冲洗液喷嘴49喷出的冲洗液供给至被旋转卡盘3保持的基板W的上表面中央部。
此外，上表面药液喷嘴44不需要相对于旋转卡盘3固定配置，例如，可以采用所谓扫描喷嘴的形式，即安装于在旋转卡盘3的上方能够在水平面内摆动的臂上，通过该臂的摆动来使基板W的表面的药液的滴落位置扫面。另外，对于上表面冲洗液喷嘴49，也不需要相对于旋转卡盘3固定配置，可以采用所谓的扫描喷嘴的形式。
下表面药液供给机构54具有下表面药液供给配管57、下表面药液阀58和药液流量调节阀59。下表面药液供给配管57与处理液供给配管60连接。处理液供给配管60还与贯穿旋转轴6的处理液供给管13连接。下表面药液阀58以及药液流量调节阀59安装在下表面药液供给配管57上。在关闭下述的下表面冲洗液阀62并打开下表面药液阀58时，经由下表面药液供给配管57以及处理液供给配管60向处理液供给管13供给药液。另外，在关闭下表面药液阀58时，停止向处理液供给管13供给药液。供给至处理液供给管13的药液从下表面喷嘴15的处理液喷出口17向被旋转卡盘3保持的基板W的下表面中央部喷出。药液流量调节阀59通过调节下表面药液供给配管57的开度，来调整从下表面喷嘴15喷出的药液的喷出流量。
下表面冲洗液供给机构55具有下表面冲洗液供给配管61、下表面冲洗液阀62和冲洗液流量调节阀63。下表面冲洗液供给配管61与下表面药液供给配管57相同，与处理液供给配管60连接。下表面冲洗液阀62以及冲洗液流量调节阀63安装在下表面冲洗液供给配管61上。在关闭下表面药液阀58并打开下表面冲洗液阀62时，经由下表面冲洗液供给配管61以及处理液供给配管60向处理液供给管13供给冲洗液。另外，在关闭下表面冲洗液阀62时，停止向处理液供给管13供给冲洗液。供给至处理液供给管13的冲洗液从下表面喷嘴15的处理液喷出口17向被旋转卡盘3保持的基板W的下表面中央部喷出。冲洗液流量调节阀63通过调节下表面冲洗液供给配管61的开度，来调整从下表面喷嘴15喷出的冲洗液的喷出流量。
此外，在本实施方式中，使下表面药液供给配管57以及下表面冲洗液供给配管61经由作为公共配管的处理液供给配管60与处理液供给管13连接，但是可以使下表面冲洗液供给配管61、下表面药液供给配管57以及下表面冲洗液供给配管61直接与处理液供给管13连接。
非活性气体供给机构64具有非活性气体供给配管65、非活性气体阀66和非活性气体流量调节阀67。非活性气体供给配管65与贯穿旋转轴6的非活性气体供给管14连接。非活性气体阀66以及非活性气体流量调节阀67安装在非活性气体供给配管65上。在打开非活性气体阀66时，从非活性气体供给配管65向非活性气体供给管14供给非活性气体。另外，在关闭非活性气体阀66时，停止从非活性气体供给配管65向非活性气体供给管14供给非活性气体。非活性气体流量调节阀67通过调节非活性气体供给配管65的开度，来调整从非活性气体供给管14的上端喷出的冲洗液的喷出流量。
就从非活性气体供给管14的铅垂方向上的上端喷出的非活性气体而言，在第一基板相向板8位于下位置时，经过第二基板相向板16的凸缘18的下部分，并在基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间的空间经过，被引导至基板W的旋转范围外。另外，在第一基板相向板8位于第一接近位置时，非活性气体经过第二基板相向板16的凸缘18的下部分，且在旋转基座4的上表面与第一基板相向板8的下表面之间的空间经过，被引导至基板W的旋转范围外。
作为向上表面药液喷嘴44以及下表面喷嘴15供给的药液，例如，能够例示HF(氟化氢)、TMAH(四甲基氢氧化铵)、SCl(ammonia-hydrogenperoxidemixture：氨过氧化氢混合液)等蚀刻液。另外，作为向上表面冲洗液喷嘴49以及下表面喷嘴15供给的冲洗液，例如，能够例示纯水(deionizedwater：去离子水)、碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水或稀释的盐酸水(例如，稀释浓度为10～100ppm左右)等。另外，向非活性气体供给管14供给的非活性气体例如为氮气。
基板处理装置1具有用于控制该基板处理装置1的各部分的控制装置69。控制装置69控制旋转驱动机构7、基板保持构件可动机构9、升降促动器29等。另外，基板处理装置1控制上表面药液阀46、上表面冲洗液阀51、下表面药液阀58、下表面冲洗液阀62、非活性气体阀66等的开闭，且控制药液流量调节阀59、冲洗液流量调节阀63、非活性气体流量调节阀67等的开度。
图3是用于说明基板处理装置1的处理例子的流程图。图4是用于说明基板处理装置1的处理例子的时序图。图5A～图5J是用于说明图3以及图4的处理例子的图。参照图1、图3、图4以及图5A～图5J，说明基板处理装置1的处理例子。
在图3的处理例子的情况下，首先，通过未图示的基板搬运机械手将未处理的基板W搬入处理室2内，如图5A所示，将基板W以其器件形成面朝向上方的状态保持在旋转卡盘3上(S1：基板搬入工序)。在搬入基板W时，如图5A所示，第一基板相向板8位于下位置。
接着，如图5B所示，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W从静止状态以旋转速度(第二旋转速度)ω3(例如500rpm)围绕旋转轴线10高速旋转。另外，控制装置69打开上表面药液阀46向基板W的上表面供给药液，并且打开下表面药液阀58向基板W的下表面供给药液(S2：高速旋转药液处理工序)。来自上表面药液喷嘴44以及下表面喷嘴15的药液的喷出流量例如分别为1.0L/min。
在步骤S2的高速旋转药液处理工序中，从上表面药液喷嘴44喷出的药液在滴落在基板W的上表面中央部后，借助基板W的旋转离心力扩展至基板W的上表面周缘部。由此，对基板W的上表面整个区域进行药液处理。另外，从下表面喷嘴15喷出的药液在滴落至基板W的下表面中央部后，受到基板W的旋转离心力，在基板W的下表面蔓延扩展至下表面周缘部。由此，对基板W的下表面整个区域进行药液处理。
在从开始喷出药液经过预定的时间(例如，5sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图5C所示，使基板W的旋转从旋转速度ω3减速至更低速的旋转速度ω1(第一旋转速度，例如10rpm)。另外，控制装置69控制药液流量调节阀59，使来自下表面喷嘴15的药液的喷出流量例如从1.0L/min降低至0.4L/min。另外，控制装置69控制升降促动器29，使第一基板相向板8从下位置(参照图5B)上升至第一接近位置(参照图5C)。由此，在基板W的下表面与处于第一接近位置的第一基板相向面8a之间的空间38，药液成为液密状态。通过成为液密状态的药液对基板W的下表面进行药液处理(S3：药液液密工序)。
具体地说，在步骤S3的药液液密工序中，如图5C所示，第一基板相向板8的第一基板相向面8a和下表面喷嘴15的第二基板相向面16a配置在同一平面上。另外，在第一基板相向板8配置在第一接近位置的状态下，由于基板W减速，在基板W的下表面与第二基板相向板16的第二基板相向面16a之间形成外轮廓为筒状的药液的液柱39。
为了维持药液的液柱39，希望药液的喷出流量少，但是在形成药液的液柱39时，需要规定量的药液。在该处理例子中，在步骤S2的高速旋转药液处理工序中，比较大流量的药液供给至基板W的下表面，因此在步骤S3的药液液密工序开始的时候，比较大量的药液存在于基板W的下表面。因此，能够良好地形成药液的液柱39。
另外，通过进一步对药液的液柱39供给药液，能够使药液的液柱39向基板W的周向扩大。基板W的下表面与第二基板相向板16的第二基板相向面16a之间的药液的液柱39一边在基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间蔓延，一边使基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38向基板W的周缘部扩展(参照图5C的箭头)。由此，在该空间38的整个区域，实现药液的液密状态。该空间38中的液密状态通过小流量的药液能够实现，因此能够降低药液的消耗量。
另外，由于在第一基板相向板8上形成有用于使各保持构件5贯穿的贯穿用凹处20，所以在使第一基板相向板8从下位置上升至第一接近位置时，保持构件5和第一基板相向板8不干涉。由此，能够良好地使第一基板相向板8升降。
在从第一基板相向板8向第一接近位置上升经过预定的时间(例如，5sec)时，如图3、图4以及图5D所示，控制装置69控制药液流量调节阀59，使来自下表面喷嘴15的药液的喷出流量例如从0.4L/min增大至1.0L/min。
结果，供给至空间38的药液的流量增大，由此，在基板W的下表面的整个区域，能够使空间38形成药液的液密状态。在该状态下，由于药液与基板W的下表面的整个区域接触，所以能够对基板W的下表面的整个区域进行良好且均匀的药液处理。另外，由于能够使对基板W的上表面的药液处理以及对基板W的下表面的药液处理并行执行，所以相对于对基板W的上表面以及基板W的下表面分别单独实施药液处理的情况，能够缩短处理时间。
另外，如图5D所示，第一基板相向板8的周缘部从各贯穿用凹处20向外侧伸出，在各贯穿用凹处20与第一基板相向板8的外周端之间设置厚壁。通过该厚壁部分，在步骤S3的药液液密工序中，还能够使基板W的包含被保持构件5保持的部分的周缘部成为液密状态。结果，能够可靠且良好地通过药液使基板W的下表面整个区域成为液密状态。
这样，在对基板W进行药液处理时，在步骤S2的高速旋转药液处理工序中，对基板W的下表面实施药液处理，接着，在步骤S3的药液液密工序中，对基板W的下表面实施药液处理。因此，能够更好地对基板W的下表面实施药液处理。
接着，在增大来自下表面喷嘴15的药液的喷出流量之后经过预定的时间(例如，20sec)时，控制装置69关闭上表面药液阀46以及下表面药液阀58，如图5E所示，停止向基板W供给药液。另外，控制装置69控制升降促动器29，使第一基板相向板8从第一接近位置(参照图5D)下降至下位置(参照图5E)。由此，第一基板相向板8的第一基板相向面8a从基板W的下表面离开，瞬间解除基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间的药液的液密状态(S4：药液液密解除工序)。
另外，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W的旋转从旋转速度ω1加速至旋转速度ω3。另外，控制装置69打开上表面冲洗液阀51向基板W的上表面供给冲洗液，并且打开下表面冲洗液阀62向基板W的下表面供给冲洗液(S5：高速旋转冲洗液处理工序)。从上表面冲洗液喷嘴49以及下表面喷嘴15喷出的冲洗液的喷出流量例如分别为4.0L/min。而且，控制装置69打开非活性气体阀66，向基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38供给非活性气体。非活性气体的喷出流量例如为50L/min。
在步骤S5的高速旋转冲洗液处理工序中，从上表面冲洗液喷嘴49喷出的冲洗液在滴落至基板W的上表面中央部后，借助基板W的旋转离心力扩展至基板W的上表面周缘部。由此，在基板W的上表面整个区域，附着在基板W的上表面上的药液被冲洗液冲掉。另外，从非活性气体供给管14的铅垂方向的上端喷出的非活性气体经过第二基板相向板16的凸缘18的下部分，并呈以旋转轴线10为中心的放射状喷出。该非活性气体在基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间的空间经过，向基板W的旋转范围外排出。由此，能够防止冲洗液以及被冲洗液冲掉的药液的液滴进入非活性气体供给管14内以及下表面喷嘴15的处理液喷出口17内。
在从开始喷出冲洗液经过预定的时间(例如，1sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图5F所示，使基板W的旋转从旋转速度ω3加速至更高速的旋转速度ω4(第二旋转速度，例如1000rpm)。由此，从下表面喷嘴15喷出的冲洗液在滴落至基板W的下表面中央部后，受到基板W的旋转离心力，在基板W的下表面蔓延，扩展至基板W的下表面周缘部。结果，在基板W的下表面整个区域，附着在基板W的下表面上的药液被冲洗液冲掉。另外，在该状态下，还从上表面冲洗液喷嘴49喷出的冲洗液持续供给至基板W的上表面整个区域持续，因此在基板W的上下表面的整个区域良好地进行冲洗处理。
接着，在从基板W加速经过预定时间(例如，10sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图5G所示，使基板W的旋转减速至比旋转速度ω3低但比旋转速度ω1高的旋转速度ω2(第三旋转速度，例如100rpm)。另外，控制装置69控制冲洗液流量调节阀63，使来自下表面喷嘴15的冲洗液的喷出流量例如从4.0L/min降低至1.0L/min。
此时，供给至基板W的下表面中央部的冲洗液在基板W的下表面向周缘部扩展后，受到重力向下方滴落，供给至第一基板相向板8的第一基板相向面8a，在第一基板相向板8的第一基板相向面8a蔓延流动。通过在第一基板相向面8a流动的冲洗液，清洗包括第一基板相向面8a的第一基板相向板8的外表面整个区域(S6：第一基板相向板清洗工序)。
接着，在从基板W减速经过预定时间(例如，10sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图5H所示，使基板W的旋转从旋转速度ω2减速至旋转速度ω1。另外，控制装置69控制冲洗液流量调节阀63，使来自下表面喷嘴15的冲洗液的喷出流量例如从1.0L/min降低至0.4L/min。
另外，控制装置69控制升降促动器29，使第一基板相向板8从下位置(参照图5G)上升至第一接近位置(参照图5H)。由此，在基板W的下表面与位于第一接近位置的第一基板相向面8a之间的空间38中，冲洗液成为液密状态。通过成为液密状态的冲洗液对基板W的下表面进行冲洗液处理(S7：冲洗液液密工序)。
具体地说，在步骤S7的冲洗液液密工序中，如图5H所示，第一基板相向板8的第一基板相向面8a与下表面喷嘴15的第二基板相向面16a配置在同一平面上。另外，在第一基板相向板8配置在第一接近位置上的状态下，通过基板W减速，在基板W的下表面与第二基板相向板16的第二基板相向面16a之间形成外轮廓为筒状的冲洗液的液柱40。
为了维持冲洗液的液柱40，希望冲洗液的喷出流量少，但是在形成冲洗液的液柱40时，需要规定量的冲洗液。在本处理例子中，在步骤S5的高速旋转冲洗液处理工序中，由于向基板W的下表面供给比较大流量的冲洗液，所以在步骤S7的冲洗液液密工序开始的时候，比较大量的冲洗液存在于基板W的下表面。因此，能够良好地形成冲洗液的液柱40。
另外，通过进一步对冲洗液的液柱40供给冲洗液，使冲洗液的液柱40向基板W的周向扩大。基板W的下表面与第二基板相向板16的第二基板相向面16a之间的冲洗液的液柱40一边在基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间蔓延，一边使基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38向基板W的周缘部扩展(参照图5H的箭头)。由此，在该空间38的整个区域，实现冲洗液的液密状态。该空间38中的液密状态由小流量的冲洗液实现，由此能够降低冲洗液的消耗量。
在从第一基板相向板8向第一接近位置上升经过预定时间(例如，5sec)时，控制装置69控制冲洗液流量调节阀63，使来自下表面喷嘴15的冲洗液的喷出流量例如从0.4L/min增大至1.0L/min。
结果，由于向空间38供给的冲洗液的流量增大，所以在基板W的下表面整个区域，能够使空间38成为冲洗液的液密状态。由此，由于能够使冲洗液与基板W的下表面整个区域接触，所以能够良好且均匀地对基板W的下表面的整个区域进行冲洗液处理。另外，由于对基板W的上表面的冲洗液处理以及对基板W的下表面的冲洗液处理并行执行，所以能够缩短对基板W的上表面以及基板W的下表面双方分别单独实施冲洗液处理时的处理时间。
另外，如图5I所示，第一基板相向板8的周缘部从各贯穿用凹处20向外侧伸出，在各贯穿用凹处20与第一基板相向板8的外周端之间设置厚壁。通过该厚壁部分，在步骤S7的冲洗液液密工序中，还能够将基板W的包括被保持构件5保持的部分在内的周缘部成为液密状态。结果，能够通过冲洗液可靠且良好地使基板W的下表面整个区域成为液密状态。
这样，在对基板W进行冲洗液处理时，在步骤S5的高速旋转冲洗液处理工序中，对基板W的下表面实施冲洗液处理，接着，经过步骤S6的第一基板相向板清洗工序，在步骤S7的冲洗液液密工序中，对基板W的下表面实施冲洗液处理。因此，能够对基板W的下表面更好地进行冲洗液处理。
接着，在从来自下表面喷嘴15的冲洗液的喷出流量增大经过预定时间(例如，15sec)时，控制装置69关闭上表面冲洗液阀51以及下表面冲洗液阀62，如图5J所示，停止向基板W供给冲洗液。另外，控制装置69控制升降促动器29使第一基板相向板8从第一接近位置(参照图5I)下降至下位置(参照图5J)。由此，第一基板相向板8的第一基板相向面8a从基板W的下表面离开，瞬间解除基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间的冲洗液的液密状态(S8：冲洗液液密解除工序)。
之后，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W加速，使基板W甩动干燥(S9：干燥工序)。基板W的加速是分阶段进行的。具体地说，控制装置69首先使基板W的旋转从旋转速度ω1加速至旋转速度ω3。另外，控制装置69控制非活性气体流量调节阀67，使非活性气体的流量从之前的50L/min例如增大至100L/min。
接着，在从基板W加速经过预定时间(例如，1sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W的旋转从旋转速度ω4加速至更高速的旋转速度ω5(例如1500rpm)。由此，能够可靠地通过基板W的旋转离心力甩出附着在基板W上的冲洗液。
在步骤S9的干燥工序中，由于向第一基板相向板8的第一基板相向面8a与基板的下表面之间的空间供给大流量的非活性气体，所以能够在该空间形成非活性气体的气流。由此，能够促进基板W的下表面的干燥，并且有效抑制在基板W的下表面产生水印。
在从基板W加速经过预定的干燥时间(例如，2sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W停止旋转。此后，通过基板搬运机械手，从处理室2内搬出处理完的基板W(S10：基板搬出工序)。
如以上那样，根据第一个实施方式，在步骤S4的药液液密解除工序中，通过使基板W的下表面与第一基板相向板8彼此远离，能够瞬间解除基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38的液密状态。由此，在步骤S4的药液液密解除工序后，药液(在第一个实施方式中为蚀刻液)不与基板W的下表面接触，结果，能够阻止在药液液密解除工序后继续对基板W的下表面进行药液处理。由此，能够将基板W的下表面的处理率(蚀刻率)保持为所期望的处理率。由此，能够提供能够良好地对基板W的下表面进行药液处理的基板处理方法。
另外，在步骤S8的冲洗液液密解除工序中，通过使基板W的下表面与第一基板相向板8彼此远离，能够瞬间解除基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38的液密状态。由此，在步骤S8的冲洗液液密解除工序后，冲洗液不与基板W的下表面接触，结果，能够阻止继续对基板W的下表面进行冲洗液处理。
图6是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置71的概略结构的图。图7是表示图6所示的基板处理装置71的概略结构的俯视图。此外，图6是表示向图7所示的箭头VI的方向观察的沿着剖切线的截面的图。
第二实施方式的基板处理装置71与上述的第一个实施方式的基板处理装置1的不同点在于具有下表面喷嘴升降机构72。其它结构是与上述的第一个实施方式的基板处理装置1相同的结构。在图6、图7以及图10A～图10L中，在与上述的第一个实施方式所述的各部分对应的部分标注同一附图标记，省略说明。
下表面喷嘴升降机构72例如由气缸构成，与处理液供给管13的下端连结。在下表面喷嘴升降机构72的驱动力输入处理液供给管13时，处理液供给管13在铅垂方向上升降，第二基板相向板16与处理液供给管13一体升降。由于设置了下表面喷嘴升降机构72，所以在第二实施方式中，第二基板相向板16能够在第一接近位置与从第一接近位置更接近基板W的下表面的第二接近位置(图10C所示的第二基板相向板16的位置)之间升降。
另外，在第二实施方式中，第一基板相向板8能够在接近旋转基座4的上表面的下位置与第二接近位置之间升降。这样的第一基板相向板8的升降范围的调节通过对相向板侧永久磁铁27与升降用永久磁铁28之间的距离、引导机构25上的引导轴30的长度以及凸缘32的位置等进行调整而实现的。此外，处于第一接近位置的第一基板相向板8的第一基板相向面8a与处于第一接近位置的第二基板相向板16的第二基板相向面16a位于同一平面上，因此，第二基板相向板16的第一接近位置与第一基板相向板8的第一接近位置能够视为相同。另外，处于第二接近位置的第一基板相向板8的第一基板相向面8a与处于第二接近位置的第二基板相向板16的第二基板相向面16a位于同一平面上，因此，第二基板相向板16的第二接近位置与第一基板相向板8的第二接近位置能够视为相同。
基板处理装置71具有用于控制该基板处理装置71的各部分的控制装置69。控制装置69控制旋转驱动机构7、基板保持构件可动机构9、升降促动器29和下表面喷嘴升降机构72等。另外，基板处理装置71控制上表面药液阀46、上表面冲洗液阀51、下表面药液阀58、下表面冲洗液阀62和非活性气体阀66等的开闭，且控制药液流量调节阀59、冲洗液流量调节阀63和非活性气体流量调节阀67等的开度。
图8是用于说明基板处理装置71的处理例子的流程图。图9是用于说明基板处理装置71的处理例子的时序图。图10A～图10L是用于说明图8以及图9的处理例子的图。参照图6、图8、图9以及图10A～图10L，说明基板处理装置71的处理例子。
在图8的处理例子的情况下，首先，通过未图示的基板搬运机械手向处理室2内搬入未处理的基板W，如图10A所示，基板W以其器件形成面朝向上方的状态被旋转卡盘3保持(S11：基板搬入工序)。在搬入基板W时，如图10A所示，第一基板相向板8配置在下位置。另外，第二基板相向板16配置在第一接近位置。
接着，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图10B所示，使基板W从静止状态以旋转速度ω3(例如500rpm)围绕旋转轴线10高速旋转，并且控制升降促动器29，使第一基板相向板8从下位置(参照图10A)上升至第一接近位置(参照图10B)。此时，第一基板相向板8的第一基板相向面8a与第二基板相向板16的第二基板相向面16a配置在同一平面上。
另外，控制装置69打开上表面药液阀46，向基板W的上表面供给药液，并且打开下表面药液阀58，向基板W的下表面供给药液(S12：高速旋转药液处理工序)。此时，来自上表面药液喷嘴44以及下表面喷嘴15的药液的喷出流量例如分别为1.0L/min。
在步骤S12的高速旋转药液处理工序中，从上表面药液喷嘴44喷出的药液在滴落至基板W的上表面中央部后，借助基板W的旋转离心力扩展至基板W的上表面周缘部。由此，对基板W的上表面整个区域进行药液处理。另外，从下表面喷嘴15喷出的药液在滴落至基板W的下表面中央部后，受到基板W的旋转离心力在基板W的下表面蔓延扩展至上表面周缘部。由此，对基板W的下表面整个区域进行药液处理。
在从喷出药液开始经过预定时间(例如，5sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图10C所示，使基板W的旋转从旋转速度ω3减速至更低速的旋转速度ω1(例如10rpm)。另外，控制装置69控制下表面喷嘴升降机构72，使第二基板相向板16从第一接近位置(参照图10B)上升至第二接近位置(参照图10C)。而且，控制装置69控制升降促动器29，使第一基板相向板8从下位置(参照图10B)上升至与基板W的下表面接近的第二接近位置(参照图10C)。由此，在基板W的下表面与处于第二接近位置的第一基板相向面8a之间的空间38中，药液形成液密状态。通过成为液密状态的药液对基板W的下表面进行药液处理(S13：药液液密工序)。
具体地说，在步骤S13的药液液密工序中，在第一基板相向板8和第二基板相向板16到达第二接近位置时，第一基板相向板8的第一基板相向面8a与下表面喷嘴15的第二基板相向面16a配置在同一平面上。另外，在第一基板相向板8配置在第二接近位置的状态下，通过基板W减速，在基板W的下表面与第二基板相向板16的第二基板相向面16a之间形成外轮廓为筒状的药液的液柱73。
为了维持药液的液柱73，希望药液的喷出流量少，但是在形成药液的液柱73时，需要规定量的药液。在本处理例子中，在步骤S12的高速旋转药液处理工序中，由于比较大流量的药液供给至基板W的下表面，所以在步骤S13的药液液密工序开始时，比较大量的药液存在于基板W的下表面。因此，能够良好地形成药液的液柱73。
然后，通过对药液的液柱73进一步供给药液，能够使药液的液柱73向基板W的周向扩大。在基板W的下表面与第二基板相向板16的第二基板相向面16a之间的药液的液柱73一边在基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间蔓延，一边使基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38向基板W的周缘部扩展(参照图10C的箭头)。由此，如图10D所示，在该空间38的整个区域实现药液的液密状态。该空间38的液密状态能够由小流量的药液实现，由此能够降低药液的消耗量。
另外，由于在第一基板相向板8上形成用于使各保持构件5贯穿的贯穿用凹处20，所以在使第一基板相向板8从下位置上升至第二接近位置时，保持构件5不与第一基板相向板8干涉。由此，能够良好地使第一基板相向板8升降。
接着，在第二基板相向板16配置在第二接近位置后经过预定时间(例如，5sec)时，控制装置69控制升降促动器29以及下表面喷嘴升降机构72，如图10E所示，使第一基板相向板8以及第二基板相向板16从第二接近位置(参照图10D)一体下降至第一接近位置(参照图10E)。第一基板相向板8以及第二基板相向板16维持液密状态从第二接近位置下降至第一接近位置。
此时，如图10E所示，第一基板相向板8的周缘部从各贯穿用凹处20向外侧伸出，在各贯穿用凹处20与第一基板相向板8的外周端之间设置厚壁。通过该厚壁部分，在步骤S13的药液液密工序中，还能够在基板W的包括被保持构件5保持的部分在内的周缘部形成液密状态。在该状态下，由于药液与基板W的下表面整个区域接触，所以能够良好且均匀地对基板W的下表面的整个区域实施药液处理。另外，由于对基板W的上表面的药液处理以及对基板W的下表面的药液处理能够并行执行，所以能够缩短对基板W的上表面以及基板W的下表面双方分别单独实施药液处理时的处理时间。
这样，在对基板W进行药液处理时，在步骤S12的高速旋转药液处理工序中，对基板W的下表面实施药液处理，接着，在步骤S13的药液液密工序中，对基板W的下表面实施药液处理。因此，能够更好地对基板W的下表面进行药液处理。
接着，在第一接近位置经过预定的药液液密时间(例如，20sec)时，控制装置69关闭上表面药液阀46以及下表面药液阀58，如图10F所示，停止向基板W供给药液。另外，控制装置69控制升降促动器29，使第一基板相向板8从第一接近位置(参照图10E)下降至下位置(参照图10F)。由此，第一基板相向板8的第一基板相向面8a远离基板W的下表面，瞬间解除基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间的药液的液密状态(S14：药液液密解除工序)。
另外，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W的旋转从旋转速度ω1加速至旋转速度ω3。另外，控制装置69打开上表面冲洗液阀51向基板W的上表面供给冲洗液，并且打开下表面冲洗液阀62(参照图6)，向基板W的下表面供给冲洗液(S15：高速旋转冲洗液处理工序)。从上表面冲洗液喷嘴49以及下表面喷嘴15喷出的冲洗液的喷出流量例如为4.0L/min。而且，控制装置69打开非活性气体阀66(参照图6)，向基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38供给非活性气体。非活性气体的喷出流量例如为50L/min。
在步骤S15的高速旋转冲洗液处理工序中，从上表面冲洗液喷嘴49喷出的冲洗液在滴落至基板W的上表面中央部后，借助基板W的旋转离心力扩展至基板W的上表面周缘部。由此，在基板W的上表面整个区域，附着在基板W的上表面的药液被冲洗液冲掉。另外，从非活性气体供给管14的铅垂方向的上端喷出的非活性气体在第二基板相向板16的凸缘18的下部分经过，喷出为以旋转轴线10为中心的放射状。该非活性气体在基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间的空间经过，向基板W的旋转范围外排出。由此，能够防止冲洗液以及被冲洗液冲掉的药液的液滴进入非活性气体供给管14内以及下表面喷嘴15的处理液喷出口17内。
在开始喷出冲洗液经过预定时间(例如，1sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图10G所示，使基板W的旋转从旋转速度ω3加速至更高速的旋转速度ω4(例如1000rpm)。由此，从下表面喷嘴15喷出的冲洗液在滴落至基板W的下表面中央部后，受到基板W的旋转离心力，在基板W的下表面蔓延，扩展至基板W的下表面周缘部。结果，在基板W的下表面整个区域，附着在基板W的下表面上的药液被冲洗液冲掉。另外，在该状态下，由于从上表面冲洗液喷嘴49喷出的冲洗液也持续供给至基板W的上表面整个区域，所以在基板W的上下表面的整个区域良好地进行冲洗处理。
接着，在从基板W加速经过预定时间(例如，10sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图10H所示，使基板W的旋转减速为比旋转速度ω3低但比旋转速度ω1高的旋转速度ω2(例如100rpm)。另外，控制装置69控制冲洗液流量调节阀63，使来自下表面喷嘴15的冲洗液的喷出流量例如从4.0L/min降低至1.0L/min。
此时，供给至基板W的下表面中央部的冲洗液在基板W的下表面向周缘部扩展后，受到重力向下方滴落，供给至第一基板相向板8的第一基板相向面8a，在第一基板相向板8的第一基板相向面8a蔓延流动。通过在第一基板相向面8a流动的冲洗液，对第一基板相向板8的包括第一基板相向面8a的外表面整个区域进行清洗(S16：第一基板相向板清洗工序)。
接着，在从基板W减速经过预定时间(例如，5sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，如图10I所示，使基板W的旋转从旋转速度ω2减速至旋转速度ω1。另外，控制装置69控制下表面喷嘴升降机构72，使第二基板相向板16从第一接近位置(参照图10H)上升至第二接近位置(参照图10I)。而且，控制装置69控制升降促动器29，使第一基板相向板8从下位置(参照图10H)上升至第二接近位置(参照图10I)。由此，在基板W的下表面与处于第二接近位置的第一基板相向面8a之间的空间38中，冲洗液成为液密状态。通过处于液密状态的冲洗液对基板W的下表面进行冲洗液处理(S17：冲洗液液密工序)。
具体地说，在步骤S17的冲洗液液密工序中，在第一基板相向板8和第二基板相向板16到达第二接近位置时，第一基板相向板8的第一基板相向面8a与下表面喷嘴15的第二基板相向面16a配置在同一平面上。另外，在第一基板相向板8配置在第二接近位置上的状态下，通过基板W减速，在基板W的下表面与第二基板相向板16的第二基板相向面16a之间形成外轮廓为筒状的冲洗液的液柱74。
为了维持冲洗液的液柱74，希望冲洗液的喷出流量少，但是在形成冲洗液的液柱74时，需要规定量的冲洗液。在该处理例子中，在步骤S15的高速旋转冲洗液处理工序中，由于比较大流量的冲洗液供给至基板W的下表面，所以在步骤S17的冲洗液液密工序开始时，比较大量的冲洗液存在于基板W的下表面。因此，能够良好地形成冲洗液的液柱74。
另外，通过对冲洗液的液柱74进一步供给冲洗液供给，使冲洗液的液柱74向基板W的周向扩大。在基板W的下表面与第二基板相向板16的第二基板相向面16a之间的冲洗液的液柱74一边在基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间蔓延，一边使基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38向基板W的周缘部扩展(参照图10I的箭头)。由此，如图10J所示，在该空间38的整个区域，实现冲洗液的液密状态。由于该空间38中的液密状态通过小流量的冲洗液实现，由此能够降低冲洗液的消耗量。
接着，在第二接近位置经过预定时间(例如，5sec)时，控制装置69控制升降促动器29以及下表面喷嘴升降机构72，如图10K所示，使第一基板相向板8和第二基板相向板16从第二接近位置(参照图10J)一体下降至第一接近位置(参照图10K)。第一基板相向板8以及第二基板相向板16维持液密状态不变，从第二接近位置下降至第一接近位置。
此时，如图10K所示，第一基板相向板8的周缘部从各贯穿用凹处20向外侧伸出，在各贯穿用凹处20与第一基板相向板8的外周端之间形成厚壁。通过该厚壁部分，在步骤S17的冲洗液液密工序中，还能够使基板W的包括被保持构件5保持的部分在内的周缘部成为液密状态。结果，能够通过冲洗液可靠且良好地使基板W的下表面整个区域成为液密状态。另外，由于对基板W的上表面的冲洗液处理以及对基板W的下表面的冲洗液处理并行执行，所以能够缩短在基板W的上表面以及基板W的下表面双方分别单独实施冲洗液处理时的处理时间。
这样，在对基板W进行冲洗液处理时，在步骤S15的高速旋转冲洗液处理工序中，对基板W的下表面实施冲洗液处理，接着，经过步骤S16的第一基板相向板清洗工序，在步骤S17的冲洗液液密工序中，对基板W的下表面实施冲洗液处理。因此，能够对基板W的下表面更好地进行冲洗液处理。
接着，在第一接近位置经过预定时间(例如，15sec)时，控制装置69关闭上表面冲洗液阀51以及下表面冲洗液阀62，如图10L所示，停止向基板W供给冲洗液。另外，控制装置69控制升降促动器29，使第一基板相向板8从第一接近位置(参照图10K)下降至下位置(参照图10L)。由此，第一基板相向板8的第一基板相向面8a远离基板W的下表面，瞬间解除基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间的冲洗液的液密状态(S18：冲洗液液密解除工序)。
此后，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W加速，对基板W进行甩出干燥(S19：干燥工序)。基板W的加速是分阶段进行的。具体地说，控制装置69首先使基板W的旋转从旋转速度ω1加速至旋转速度ω3。另外，控制装置69控制非活性气体流量调节阀67，使非活性气体的流量从之前的50L/min例如增大至100L/min。
接着，在从基板W加速经过预定时间(例如，1sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W的旋转从旋转速度ω4加速至更高速的旋转速度ω5(例如1500rpm)。由此，能够可靠地通过基板W的旋转离心力甩出附着在基板W上的冲洗液。
在步骤S19的干燥工序中，由于向第一基板相向板8的第一基板相向面8a与基板的下表面之间的空间供给大流量的非活性气体，所以能够在该空间形成非活性气体的气流。由此，能够一边促进基板W的下表面的干燥，一边抑制在基板W的下表面产生水印。
在从基板W加速经过预定时间(例如，2sec)时，控制装置69控制旋转驱动机构7，使基板W的旋转停止。此后，通过基板搬运机械手，从处理室2内搬出处理完的基板W(S20：基板搬出工序)。
如以上那样，通过第二实施方式的基板处理方法，能够发挥与上述的第一个实施方式的基板处理方法所述的效果相同的效果。
以上，说明了本发明的实施方式，但是本发明还能够以其它方式实施。
例如，在上述的实施方式中，说明了具有第一基板相向面8a的第一基板相向板8，但是可以代替第一基板相向板8，采用图11A～图11C所示的第一基板相向板81、82、83的结构例子。
图11A～图11C是表示第一基板相向板的其它结构例子的俯视图。
在图11A中，示出第一基板相向板81。第一基板相向板81与第一基板相向板8的不同点在于，代替作为贯穿用凹处20的贯穿孔，形成作为贯穿用凹处20的切口部20a。切口部20a与上述的第一以及第二实施方式相同，形成在与保持构件5对应的位置。切口部20a从基板W的外周端向旋转轴线10侧形成凹状，因此与上述的实施方式，不在贯穿用凹处20与基板W的外周端之间设置厚壁部。
通过这样的结构，也能够发挥与上述实施方式所述的效果大致相同的效果，但是此时，如上述实施方式那样，优选形成贯穿孔来作为形成有厚壁部的贯穿用凹处20。
另外，在图11B中，示出第一基板相向板82。第一基板相向板82与第一基板相向板8的不同点在于，第一基板相向板82的第一基板相向面82a包括亲水面。
从第一基板相向板82的开口21观察，在第一基板相向面82a上同心圆状地形成有多个切缺部82b。通过多个切缺部82b，在第一基板相向板82的第一基板相向面82a上形成多个凹部。由此，第一基板相向面82a成为亲水面。
这样，在第一基板相向面82a包括亲水面的情况下，在步骤S3、S13的药液液密工序中，基板W的下表面与第一基板相向面82a之间的距离因多个切缺部82b所形成的凹部而局部近接或远离。由此，能够提高向基板W的下表面与第一基板相向面82a之间的空间38供给的药液的润湿性。结果，变得易于通过药液使基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38形成液密状态。另外，在步骤S7、S17的冲洗液液密工序中，同样也能够提高向基板W的下表面与第一基板相向面82a之间的空间38供给的冲洗液的润湿性。结果，变得易于通过冲洗液使基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38成为液密状态。
另外，图11C所示的第一基板相向板83与上述的图11B的第一基板相向板82相同，具有包括亲水面的第一基板相向面83a。图11C所示的第一基板相向板83与第一基板相向板82的不同点在于，第一基板相向面83a具有规定的表面粗糙度。这样，通过具有规定的表面粗糙度的第一基板相向面83a也能够发挥与在上述的图11B中所述的效果相同的效果。
另外，图11A～图11C所示的第一基板相向板81、82、83可以与上述的实施方式中的第一基板相向板8的结构组合使用。另外，除了上述的图11A～图11C所示的第一基板相向板81、82、83之外，可以采用具有平滑的凹面状的第一基板相向面的碗型的第一基板相向板。只要是这样的结构，易于形成积液，易于使基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38形成液密状态。
另外，在上述的各实施方式中，示出了通过磁力使第一基板相向板8升降的引导机构25，但是可以采用使升降促动器29的驱动力直接输入第一基板相向板8的机构。
另外，在上述的各实施方式中，没有言及向基板W的上表面以及基板W的下表面供给的药液的药液温度，可以向基板W的上表面以及基板W的下表面供给加热至高温的药液(蚀刻液)。
在药液被加热至高温的情况下，在刚向基板W的上表面供给后为高温，但是在向基板W的周缘部流动的过程中，其液温降低。因此，在基板W上，在其中央部，药液的温度相对较高，在周缘部，药液的温度相对较低。结果，可能产生基板W的上表面的处理率(蚀刻率)不均匀的情况，例如在基板W的表面的中央部药液处理速度快，在基板W的上表面的周缘部，药液处理相对较慢。
但是，根据上述的各实施方式，如步骤S3、S13的药液液密工序所示(参照图5D、图10E等)，在基板W的下表面与第一基板相向面8a之间的空间38中，成为通过药液形成的液密状态，因此即使向基板W的下表面供给的药液被加热为高温，也能够使高温液体与基板W的下表面整个区域接触。因此，能够使基板W形成高温且均匀的温度分布。由此，即使在向基板W的上表面供给高温的药液的情况下，也能够防止被供给的药液在基板W的周缘部温度降低。结果，能够以均匀的处理率(蚀刻率)对基板W的上表面进行处理。
另外，在上述的第二实施方式中，说明了使第二基板相向板16在第一接近位置与第二接近位置之间升降的例子，但是，可以使第二基板相向板16在下位置与第二接近位置之间升降。
此时，在上述的步骤S14的药液液密解除工序(参照图10E以及图10F)中，控制装置69控制升降促动器29以及下表面喷嘴升降机构72，使第一基板相向板8和第二基板相向板16同时从第一接近位置下降至下位置。由此，第一基板相向板8的第一基板相向面8a以及第二基板相向板16的第二基板相向面16a远离基板W的下表面，不仅能够瞬间解除基板W的下表面与第一基板相向板8的第一基板相向面8a之间的液密状态，还能够瞬间解除第二基板相向板16的第二基板相向面16a的药液的液密状态。另外，在步骤S18的冲洗液液密解除工序(参照图10K以及图10L)中也能够发挥同样的效果。
另外，在上述的各实施方式中，说明了基板处理装置1、71为对圆板状的基板W进行处理的装置的情况，但是基板处理装置1、71可以是对液晶显示装置用基板等多边形的基板进行处理的装置。
虽然详细说明了本发明的实施方式，但是这些仅是用于使本发明的技术内容更明确的具体例子，本发明不被这些具体例子限定解释，本发明的范围仅由权利要求书限定。
本申请对应于2013年8月20日向日本国专利厅提出的特愿2013-170612号，该申请的所有公开内容通过引用记载在此说明书中。
附图标记说明
1基板处理装置
3旋转卡盘
4旋转基座
5保持构件
6旋转轴
8第一基板相向板
8a第一基板相向面
10旋转轴线
15下表面喷嘴
16第二基板相向板
16a第二基板相向面
17处理液喷出口
20贯穿用凹处
38空间
42上表面药液供给机构
43上表面冲洗液供给机构
54下表面药液供给机构
55下表面冲洗液供给机构
69控制装置
71基板处理装置
72下表面喷嘴升降机构
81第一基板相向板
82第一基板相向板
82a第一基板相向面
83第一基板相向板
83a第一基板相向面
W基板
ω1～ω5旋转速度

Claims (17)

1.一种基板处理方法，
包括：
基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；
液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔地与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及
液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一相向面呈圆板状，所述第一相向面的外周端位于所述基板的下表面的基板周端的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，在所述液密状态形成步骤中，所述第一相向面以及具有所述处理液喷出口的所述下表面喷嘴的第二相向面配置在同一平面上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述液密状态形成步骤具有：
液柱形成步骤，在使所述下表面喷嘴与所述基板的下表面的中心附近相向的状态下，从所述处理液喷出口喷出处理液，在该第一相向面与所述基板的下表面之间形成液柱；以及
液柱扩大步骤，对该液柱形成步骤中形成的所述液柱进一步喷出处理液，使该液柱向所述基板的周向扩大。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括上表面处理步骤，在该上表面处理步骤中，向所述基板的上表面供给处理液，利用处理液对该基板的上表面进行处理，
与所述上表面处理步骤并行执行所述液密状态形成步骤。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括高速旋转处理步骤，该高速旋转处理步骤在所述液密状态形成步骤之前执行，在该高速旋转处理步骤中，一边以比所述第一旋转速度快的第二旋转速度使所述基板旋转一边向该基板的下表面供给处理液，
所述液密状态形成步骤在所述高速旋转步骤结束后与所述高速旋转步骤连续地开始执行。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，在从所述高速旋转处理步骤进入所述液密状态形成步骤转移的时刻，降低向所述基板供给的处理液的流量。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包括清洗步骤，该清洗步骤在所述液密状态形成步骤之前执行，在该清洗步骤中，使所述第一相向面隔开比所述第一间隔大的第二间隔地与所述基板的下表面相向，一边使所述基板以比所述第一旋转速度快且比所述第二旋转速度慢的第三旋转速度旋转，一边从所述处理液喷出口向所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间供给清洗液，来对所述第一相向面进行清洗。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
所述清洗液包括所述处理液，
所述液密状态形成步骤在所述清洗步骤结束后与所述清洗步骤连续地开始执行，以与从所述清洗步骤进入所述液密状态形成步骤同步的方式使向所述基板供给的处理液的流量降低至比到此为止的流量更低的流量。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理方法，其中，所述处理液为蚀刻液。
11.一种基板处理装置，
具有：
基板保持旋转单元，其一边以水平姿势保持基板，一边使基板围绕规定的铅垂轴线旋转；
基板相向板，其具有与借助所述基板保持旋转单元进行旋转的所述基板的下表面相向的第一相向面；
相向板升降单元，其使所述基板相向板升降；
下表面喷嘴，其具有与所述基板的下表面相向的处理液喷出口，用于向所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间供给处理液；
处理液供给单元，其向所述下表面喷嘴供给处理液；
液密控制单元，其执行液密状态形成步骤，在该液密状态形成步骤中，该液密控制单元控制所述基板保持旋转单元、所述相向板升降单元以及所述处理液供给单元，使所述基板以规定的第一旋转速度旋转，使所述第一相向面隔开规定的第一间隔与所述基板的下表面相向，且从所述处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及
液密解除控制单元，其在所述液密状态形成步骤执行结束后，控制所述相向板升降单元，从正在执行所述液密状态形成步骤的状态使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述基板相向板呈圆板状，所述基板相向板的外周端位于所述基板的下表面的基板周端的外侧，
所述基板保持旋转单元具有能够以所述铅垂轴线为中心旋转的基座和立设在所述基座上且保持所述基板的多个保持构件，
在所述基板相向板上，以在该基板相向板的厚度方向上贯通的方式形成有用于使所述保持构件贯穿的多个贯穿用凹处。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，各贯穿用凹处为贯穿孔。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理装置，其中，所述下表面喷嘴具有第二相向面，该第二相向面与所述基板的下表面隔开间隔地相向，具有所述处理液喷出口。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
所述第二相向面与包括被所述基板保持旋转单元保持的所述基板的旋转中心的区域相向，
俯视观察，所述第一相向面形成包围所述第二相向面的周围的环状。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还包括使所述下表面喷嘴升降的喷嘴升降机构。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第一相向面包括亲水面。
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