CN108807223A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置具有控制单元，在利用处理部对基板的上表面进行处理的上表面处理时，上述控制单元一边操作旋转驱动部，使基板以第一转速旋转，一边从处理液供给部供给处理液，并操作第一控制阀从气体喷嘴以第一流量供给气体，在上表面处理结束后，上述控制单元在使旋转驱动部的转速提升，来使基板以第二转速旋转，来对基板进行干燥的干燥处理时，操作第一控制阀和第二控制阀，来从气体喷嘴以大于第一流量的流量供给气体。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及针对半导体晶片、液晶显示器用基板、等离子显示器用基板、有机EL用基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、光学显示器用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩膜用基板、太阳能电池用基板(以下，简称为基板)，在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，对基板的上表面进行处理后，向基板的下表面供给气体来使基板的下表面干燥的技术。
背景技术
以往，作为这种装置具有如下的装置，该装置具有：旋转卡盘，以水平姿势保持基板；旋转机构，使旋转卡盘旋转；处理液供给机构，从设置于旋转卡盘的旋转中心部的处理液喷嘴向基板的下表面供给处理液；气体供给机构，从设置于旋转卡盘的旋转中心部的气体喷嘴向基板的下表面供给干燥气体；以及清洗机构，对基板的上表面进行清洗处理(例如，参照日本专利第5156661号公报)。
在这样的装置中，一边利用旋转机构使旋转卡盘旋转，并从处理液喷嘴向基板的下表面供给处理液，来保护基板的下表面，一边利用清洗机构对基板的上表面进行清洗处理。当清洗机构的清洗结束时，停止从处理液供给机构供给处理液，并从气体喷嘴供给干燥气体，来对被处理液湿润的基板的下表面进行干燥。此时，存在在清洗处理时附着于气体喷嘴的处理液在干燥处理时被吹到基板的下表面，而导致基板的下表面的清洁度降低的情况。因此，在基板的清洗处理时，也从气体喷嘴以小流量供给干燥气体。但是，在干燥处理时，为了缩短干燥时间而期望增加干燥气体的流量，因此，存在如下的装置，该装置具有为了以大流量供给干燥气体，而利用气体供给机构的质量流量控制器在清洗时和干燥时切换干燥气体的流量的结构。
然而，在具有这样的构成的现有例的情况下，存在如下的问题。
即，由于现有装置的切换干燥气体的流量的质量流量控制器的响应性较差，因此，将干燥气体切换成大流量存在几秒(1～2秒)左右的延迟。因此，难以缩短干燥处理的时间。还存在如下问题：由于基于与基板旋转的关系，中心侧成为负压，因此，由在干燥气体的流量切换时所产生的切换延迟，导致在干燥处理时，周围的颗粒被卷入至基板的中心侧，而使基板的下表面的清洁度降低。
需要说明的是，也考虑将清洗处理时的干燥气体的流量设定为干燥处理时的高一些的流量。然而，存在如下的风险：在清洗处理时覆盖基板的下表面的处理液的液面紊乱，导致对基板的下表面的保护不充分，或者，处理液飞散而给基板的上表面带来不良影响。因此，提高干燥处理时的流量并不现实。另外，也产生消耗大量的干燥气体，浪费增多的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而提出的，目的在于提供一种，通过提高气体的流量切换的响应性，来缩短干燥时间，并且能够以较高的清洁度处理基板的下表面的基板处理装置以及基板处理方法。
为了实现这样的目的，本发明采用如下这样的结构。
本发明提供一种基板处理装置，在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，对基板的上表面进行处理，该基板处理装置包括：旋转台，能够绕铅垂轴旋转；旋转驱动单元，使所述旋转台旋转；支撑单元，立设于所述旋转台，以与基板的周边缘部抵接，来使基板的下表面从所述旋转台的上表面分离的方式支撑基板；处理单元，作用于由所述支撑单元支撑的基板的上表面进行处理；处理液供给单元，向基板的下表面供给处理液；气体喷嘴，从所述旋转台的中央向所述基板的下表面供给气体；气体供给管，一端侧与所述气体喷嘴连通连接；气体供给单元，供给气体；第一分支配管，一端侧与所述气体供给单元连通连接，另一端侧与所述气体供给管的另一端侧连通连接；第二分支配管，一端侧与所述气体供给单元连通连接，另一端侧与所述气体供给管的另一端侧连通连接；第一控制阀，将所述第一分支配管中的气体的流通控制为第一流量；第二控制阀，将所述第二分支配管中的气体的流通控制为第二流量，所述第二流量是大于等于所述第一流量的流量；以及控制单元，在利用所述处理单元对基板的上表面进行处理的上表面处理时，所述控制单元一边操作所述旋转驱动单元，使基板以第一转速旋转，一边从所述处理液供给单元供给处理液，并操作所述第一控制阀，从所述气体喷嘴以第一流量供给气体，在所述上表面处理结束后，所述控制单元在使所述旋转驱动单元的转速上升来使基板以第二转速旋转，来对基板进行干燥的干燥处理时，操作所述第一控制阀和所述第二控制阀，来从所述气体喷嘴以大于所述第一流量的流量供给气体。
根据本发明，在利用处理单元进行上表面处理时，控制单元一边操作旋转驱动单元，使基板以第一转速旋转，一边从处理液供给单元供给处理液，并操作第一控制阀，从气体喷嘴以第一流量向基板的下表面供给气体。然后，在上表面处理结束后，控制单元在使旋转驱动单元的转速上升，来使基板以第二转速旋转，来对基板进行干燥的干燥处理时，操作第一控制阀和第二控制阀，来从气体喷嘴以大于第一流量的流量供给气体。由于在进行干燥处理时，控制单元仅操作第一控制阀和第二控制阀，因此，能够提高气体的流量切换的响应度。因此，能够缩短干燥时间，并且，能够以较高的清洁度处理基板的下表面。
另外，优选在本发明中，能够将所述第一控制阀和第二控制阀调整为期望的流量。
由于能够将第一控制阀和第二控制阀的流量设定为期望的流量，因此，能够设定为与上表面处理和干燥处理相应的适当的流量。
另外，优选在本发明中，所述控制单元使所述第一控制阀始终开启。
由于始终从气体喷嘴供给气体，因此，能够防止在上表面处理时，来自处理液供给单元的处理液滞留于气体供给管。因此，能够防止在干燥处理时从气体喷嘴吹起液滴，而污染基板的下表面。
另外，优选在本发明中，所述控制单元在操作所述第一控制阀和所述第二控制阀时，在使所述第一控制阀开启的状态下开启所述第二控制阀。
由于在使第一控制阀开启的状态下开启第二控制阀，因此，不存在从气体喷嘴供给的气体中断的情况。因此，能够防止处理液在气体供给管的滞留或液滴的附着，另外，能够防止颗粒在基板的下表面与旋转台之间的空间的滞留，因此，能够较高地处理基板的下表面的清洁度。
另外，优选在本发明中，所述控制单元在从使转速从第一转速开始向第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
根据在从上表面处理至干燥处理切换转速时来自气体喷嘴的气流的切换时机，对基板的下表面的清洁度产生不良影响。即，如果时机过早，则气流紊乱，如果时机过晚，则周围的颗粒被卷入中心部。于是，通过在从使转速从第一转速开始向第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，切换成大于等于第二流量的流量，能够防止那样的不适宜。
另外，优选在本发明中，所述气体喷嘴以俯视呈放射状的方式向基板的周边缘部供给气体。
由于能够从中央以放射状向基板的周边缘部均匀地产生气流，因此，能够均匀地进行气体处理。
另外，优选在本发明中，所述气体喷嘴的供给气体的开口高度为2mm以上。
如果气体喷嘴的开口高度过窄，则气体的流速过快，从而产生颗粒，导致清洁度降低。于是，通过使气体喷嘴的开口高度为2mm以上，能够使气体的流速为适当的流速，而不产生颗粒，能够防止清洁度降低。
另外，本发明提供一种基板处理方法，在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，对基板的上表面进行处理，该基板处理方法包括按如下顺序实施的步骤：上表面处理工序，在对基板的周边缘部进行抵接支撑，来使基板的下表面从旋转台分离的状态下，使所述旋转台以第一转速旋转，并在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，操作第一控制阀，从所述旋转台的中央的气体喷嘴向基板的下表面以第一流量供给气体，同时对基板的上表面进行处理；以及干燥处理工序，使所述旋转台以大于第一转速的第二速度旋转，并操作第一控制阀和第二控制阀，来从气体喷嘴以大于所述第一流量的流量供给气体。
根据本发明，在上表面处理时，使基板以第一转速旋转，并在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，操作第一控制阀，来从气体喷嘴以第一流量向基板的下表面供给气体。然后，在干燥处理时，使基板以第二转速旋转，并操作第一控制阀和第二控制阀，从气体喷嘴以大于第一流量的流量供给气体。由于在干燥处理时，仅操作第一控制阀和第二控制阀，因此，能够提高气体的流量切换的响应性。因此，能够缩短干燥时间，并且，能够以较高的清洁度处理基板的下表面。
附图说明
应当理解的是，为了说明发明，图示了认为当前最佳的几个方式，但本发明并不局限于图示的构成和方案。
图1是表示实施例所涉及的基板处理装置的整体结构的纵截面图。
图2是旋转卡盘的俯视图。
图3是包括气体喷嘴以及气体喷嘴的周边的结构的纵截面图。
图4是用于说明基板交接时的动作的图。
图5是用于说明基板清洗处理时的动作的图。
图6是用于说明基板干燥处理时的动作的图。
图7是表示实施例所涉及的基板处理装置的动作的一个例子的时序图。
图8是说明切换流量的时机与清洁度的关系的图表。
图9是说明来自气液喷嘴的气体的供给方向与清洁度的关系的图表。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一实施例进行说明。
图1是表示实施例所涉及的基板处理装置的整体结构的纵截面图，图2是旋转卡盘的俯视图，图3是包括气体喷嘴以及气体喷嘴的周边的结构的纵截面图。
实施例所涉及的基板处理装置对基板W实施清洗处理。该基板处理装置1具有支撑旋转机构3、飞散防止杯5、处理机构7、以及处理液供给机构9。
支撑旋转机构3以水平姿势支撑基板W，并且使基板W绕铅垂方向的旋转轴心P旋转。旋转卡盘11具有直径比基板W的直径大的旋转基座13、以及立设于旋转基座13的外围侧的六根支撑销15。旋转基座13在下部与旋转轴17的一端侧连接。旋转轴17的另一端侧与电动马达19连接，旋转轴17构成为能够通过电动马达19绕铅垂方向的旋转轴心P旋转。
支撑销15具有主体部21、倾斜部23、以及抵接部25。主体部21的外观呈圆柱状。倾斜部23的处于主体部21的上部的外观形成为圆锥形，以旋转基座13的旋转中心侧的倾斜变宽的方式在倾斜部23的上端部形成有抵接部25。抵接部25形成于俯视时从支撑销15的中心向外方偏心的位置。六个支撑销15中的两个相邻的支撑销15是以能够绕铅垂方向的旋转轴心P1旋转的方式构成的可动支撑销27。六个支撑销15通过将基板W的端边缘与支撑销15抵接，来以使基板W的下表面从旋转基座13的上表面分离的状态进行支撑。旋转基座13在俯视时的中心部形成有中央开口部37。
可动支撑销27贯通旋转基座13而具有旋转轴29。在旋转轴29的下端部形成有磁铁保持部31。该磁铁保持部31埋设有销驱动用永久磁铁33。该销驱动用永久磁铁33通过后述的解除用永久磁铁95或杯侧永久磁铁93的磁力而绕铅垂轴P1沿顺时针方向或逆时针方向旋转。
需要说明的是，上述的旋转基座13与本发明中的“旋转台”相当，电动马达19与本发明中的“旋转驱动单元”相当。另外，上述的六个支撑销15与本发明中的“支撑单元”相当。
旋转轴17的上部与旋转基座13的凸台55连接。凸台55以从下方覆盖中央开口部37的方式与旋转基座13的下表面连接。旋转轴17是中空的，在旋转轴17的内部插通有气体供给管57。在该气体供给管57的内部插通有冲洗液供给管58。冲洗液供给管58配置为其顶端比气体供给管57的顶端向上方突出。气体供给管57和冲洗液供给管58不与旋转轴17的内周面抵接，并保持静止的状态。在凸台55的上部且在中央开口部37安装有顶端保持部59。顶端保持部59在中央具有开口61，通过轴承部63安装有保持筒65。气体供给管57的顶端侧与该保持筒65的内周侧接合。保持筒65和气体供给管57被以其顶端从顶端保持部59的上表面稍微突出的状态保持。该顶端保持部59在保持旋转的旋转轴17以及旋转基座13等与非旋转的气体供给管57以及冲洗液供给管58的相互之间的高度位置的状态下，允许旋转轴17和旋转基座13等绕铅垂轴旋转。
在顶端保持部59的上部设置有向基板W的下表面与旋转基座13的上表面之间供给惰性气体的气液喷嘴67。该气液喷嘴67与气体供给管57的作为上端的一端侧连通连接，该气液喷嘴67具有基座部69、整流构件71、以及腿部73。基座部69的下表面中央部与保持筒65的上端连接。气体供给管57的上端部在基座部69的上表面开口。在基座部69的上表面的距中央靠外侧的位置设置有多个腿部73。多个腿部73的各上端部与整流构件71的下表面连接。整流构件71的下表面与基座部69的上表面通过多个腿部73而分离，由此形成喷出口75。整流构件71使从气体供给管57供给的气体在下表面朝向侧方，并且，通过喷出口75而从基板W的下表面的中央区域向基板W的外周方向喷射。该喷出口75以俯视呈放射状的方式从中心向外侧供给气体。喷出口75的开口高度h例如设定为2mm。
如果气液喷嘴67的开口高度h过窄，则气体的流速过快，从而产生颗粒，导致清洁度降低。于是，通过如本实施例那样，将气液喷嘴67的开口高度h设定为2mm，能够使气体的流速为适当的流速，能够不产生颗粒，防止清洁度降低。需要说明的是，优选开口高度h的范围在2mm以上5mm以下。
需要说明的是，上述的气液喷嘴67与本发明中的“气体喷嘴”相当。
在整流构件71的中央部形成有开口77。在该开口77插入有冲洗液供给管58的顶端部。冲洗液供给管58以其顶端部比整流构件71的上表面稍微突出的状态配置并固定。冲洗液供给管58朝向基板W的下表面中央部供给冲洗液。
气体供给管57的下端方向的另一端侧与供给配管GS1的一端侧连通连接。供给配管GS1的另一端侧与惰性气体供给源GS连通连接。惰性气体供给源GS例如供给氮气(N2气体)作为惰性气体。供给配管GS1分支出第一分支配管GS3和第二分支配管GS5。换言之，第一分支配管GS3和第二分支配管GS5的一端侧分别与惰性气体供给源GS连通连接，另一端侧与气体供给管57的另一端侧连通连接。第一分支配管GS3具有控制阀GS7，第二分支配管GS5具有控制阀GS9。能够调整控制阀GS7、GS9的流量，来允许或阻断气体的流通。另外，能够将控制阀GS7、GS9的流量调整为期望的值，在预先将流量设定为期望的值后，能够通过来自外部的操作，来切换阻断气体流通的状态和允许该期望的值的流量的气体流通的状态。
在本实施例中，将控制阀GS7设定为第一流量，将控制阀GS9设定为第二流量。其中，第二流量大于等于第一流量。例如，如果第一流量为5升/分钟，则第二流量大于等于5升/分钟即可。换言之，第一流量和第二流量也可以相等。在本实施例中，第二流量例如是30升/分钟。
需要说明的是，上述的惰性气体供给源GS与本发明中的“气体供给单元”相当，控制阀GS7与本发明中的“第一控制阀”相当，控制阀GS9与本发明中的“第二控制阀”相当。
冲洗液供给管58的下端侧与供给配管RS1的一端侧连通连接。供给配管RS1的另一端侧与冲洗液供给源RS连通连接。供给配管RS1具有开闭阀RS3。在开闭阀RS3开启时，供给配管RS1以规定流量向冲洗液供给管58供给冲洗液。冲洗液供给源RS例如供给纯水作为冲洗液。
需要说明的是，上述的冲洗液供给管58、冲洗液供给源RS、供给配管RS1以及开闭阀RS3与本发明中的“处理液供给单元”相当。
在支撑旋转机构3的周围配置有飞散防止杯5，该飞散防止杯5构成为能够通过杯升降机构CM在铅垂方向上升降。杯升降机构CM使飞散防止杯5在交接基板W时的下方位置和处理基板W时的上方位置之间升降。该飞散防止杯5防止处理液从旋转卡盘11所支撑的基板W向周围飞散。
具体而言，飞散防止杯5具有圆筒部83、下引导部85、上引导部87、以及上边缘部89。由上引导部87和下引导部85划分出的空间形成排液部91，该排液部91回收在处理基板W时向周围飞散的处理液。下引导部85在其内周侧的顶端部埋设有杯侧永久磁铁93。该杯侧永久磁铁93俯视呈环状，且形成为与旋转轴心P同轴。该杯侧永久磁铁93的半径方向的位置比上述的销驱动用永久磁铁33靠中心侧。杯侧永久磁铁93以其磁极方向朝向水平方向的方式埋设。另外，杯侧永久磁铁93在接近可动支撑销27的销驱动用永久磁铁33时，通过磁力使可动支撑销27俯视逆时针旋转而将其驱动至保持位置，并维持该状态。
在上边缘部89埋设有解除用永久磁铁95。该解除用永久磁铁95俯视呈环状，且形成为与旋转轴心P同轴。另外，该解除用永久磁铁95的半径方向的位置比上述的销驱动用永久磁铁33靠外侧。该解除用永久磁铁95以磁极方向朝向水平方向的方式埋设。另外，解除用永久磁铁95的旋转轴心P侧的磁极与杯侧永久磁铁93的半径方向的外侧的磁极的极性相同。解除用永久磁铁95在接近销驱动用永久磁铁33时，通过磁力使可动支撑销27俯视顺时针旋转而将其驱动至释放位置，并维持该状态。
处理机构7附设于飞散防止杯5。本实施例中的处理机构7具有刷107、摆动臂109以及臂驱动机构AM。刷107经由后述的处理液对基板W的上表面施加作用，来对基板W的上表面进行刷洗清洗。摆动臂109构成为在摆动臂109的一端侧安装有刷107，且摆动臂109能够绕另一端侧的旋转轴P2摆动。臂驱动机构AM驱动摆动臂109绕旋转轴P2摆动。
需要说明的是，上述的刷107与本发明中的“处理单元”相当。
处理液供给机构9具有处理液供给源TS、处理液配管TS1、处理液喷嘴TS2以及开闭阀TS3。处理液供给源TS例如供给APM(氨水双氧水混合溶液)作为处理液。处理液配管TS1的一端侧与处理液供给源TS连通连接，另一端侧与处理液喷嘴TS2连通连接。处理液喷嘴TS2的顶端朝向基板W的旋转中心侧，当开闭阀TS3开启时，处理液喷嘴TS2向基板W的中心附近供给APM。
上述的各部由控制部111统一控制。控制部111具有未图示的CPU和存储器等。控制部111操作杯升降机构CM来使飞散防止杯5升降，或者操作电动马达19来调整基板W的转速。另外，操作控制阀GS7、GS9和开闭阀RS3、TS3的开闭，来控制氮气的流通和流量、纯水和APM的流通。此外，操作臂驱动机构AM来控制刷107的摆动。控制部111根据规定基板W的处理顺序的规程来控制各部，但此时的特征在于，如后述那样控制氮气的流量。
需要说明的是，上述控制部111与本发明中的“控制单元”相当。
在此，参照图4～图6，对利用控制部111进行的对向基板W的下表面供给的氮气的流量控制进行说明。需要说明的是，图4是用于说明基板交接时的动作的图，图5是用于说明基板清洗处理时的动作的图，图6是用于说明基板干燥处理时的动作的图。
假设旋转卡盘11已经接受并支撑作为处理对象的基板W。即，如图1所示，在飞散防止杯5下降至下方位置的状态下，从输送臂TA接受基板W。此时，可动支撑销27由于解除用永久磁铁95而成为释放位置，因此，基板W被六个支撑销15仅松弛地支撑。然后，若如图4所示，飞散防止杯5上升至上方位置，则可动支撑销27由于杯侧永久磁铁93而成为保持位置，因此，基板W被两个可动支撑销27向旋转轴心P侧按压，基板W被六个支撑销15夹持周边缘部。需要说明的是，控制部111始终开启控制阀GS7，从气液喷嘴67以第一流量(微小流量)向基板W的下表面供给惰性气体。
接着，如图5所示，控制部111通过使电动马达19旋转，来使基板W旋转。然后，开启开闭阀TS3、RS3，向基板W的下表面供给纯水作为背面冲洗液，并且，向基板W的上表面供给APM。进一步，操作臂驱动机构AM，使刷107在基板W的中央部和周边缘部之间摆动。
控制部111在利用上述的刷107进行的清洗处理以及从未图示的冲洗液喷嘴向基板W的上表面供给冲洗液来冲洗APM的冲洗处理结束后，提高电动马达19的转速，进行基板W的甩干。在进行该干燥处理时，如图6所示，控制部111在开启控制阀GS7的状态下，开启控制阀GS9。由此，从气液喷嘴67以第一流量和第二流量相加的大于第一流量的流量向基板W的下表面供给惰性气体。能够进一步防止向气体供给管57侵入液滴。
接着，参照图7，对上述的基板处理装置的处理例进行说明。需要说明的是，图7是表示实施例所涉及的基板处理装置的动作的一个例子的时序图。在以下的说明中，为了容易理解发明，省略清洗处理后的针对基板W的上表面进行的冲洗处理。
在t＝0的时间点，如图1所示，控制部111操作杯升降机构CM，使飞散防止杯5下降至下方位置。控制部111在输送臂TA退出后，操作杯升降机构CM，使飞散防止杯5上升至上方位置。控制部111在t2时间点之前，完成基板W的交接处理。需要说明的是，如上所述，控制部111始终开启控制阀GS7，从气液喷嘴67以微小流量供给氮气。
在t2时间点，操作电动马达19使其开始旋转，以使在t3时间点成为用于清洗处理的转速R1(例如，500rpm)。然后，从t3时间点开始操作臂驱动机构AM，一边从处理液喷嘴TS2供给APM，从冲洗液供给管58向基板W的下表面供给纯水，一边使刷107在基板W的上表面沿半径方向摆动。在t8时间点之前的清洗处理期间反复进行该动作。由此，在基板W的下表面被纯水覆盖保护的状态下，对基板W的上表面进行清洗处理。
需要说明的是，上述的t2～t8时间点与本发明中的“上表面处理过程”相当。
接着，控制部111对基板W进行干燥处理。具体而言，在t8时间点，操作电动马达19使其转速上升，以使在t9时间点达到用于干燥处理的转速R2(例如，2000rpm)。使该转速R2维持至t10时间点，利用离心力将附着于基板W的冲洗液等甩干。然后，控制部111在t10时间点使电动马达19的旋转开始减速，以在t11时间点转速变为0。此时，控制部111在转速达到R2的t9时间点开启控制阀GS9。由此，在干燥处理中，来自气液喷嘴67的氮气成为第一流量和第二流量相加的大流量。另外，控制部111在转速变为0的时间点关闭控制阀GS9，从气液喷嘴67供给氮气作为第一流量。
需要说明的是，上述的t8～t11时间点与本发明中的“干燥处理过程”相当。
根据本实施例，控制部111在利用刷107进行清洗处理时，一边使基板W以转速R1旋转，一边供给APM，并操作控制阀GS7从气液喷嘴67以第一流量向基板W的下表面供给氮气。然后，控制部111在清洗处理结束后进行使基板W以转速R2旋转的干燥处理时，操作控制阀GS9，从气液喷嘴67以大于第一流量的流量供给气体。由于控制部111在干燥处理时不操作响应性较差的质量流量控制器，而仅操作控制阀GS9，因此，能够提高氮气的流量切换的响应性。因此，能够缩短干燥时间，并且能够较高地处理基板W的下表面的清洁度。
在此，关于提高氮气的流量的最佳时机，参照图8对实验的结果进行说明。需要说明的是，图8是说明切换流量的时机与清洁度的关系的图表。在该实验中，使转速R1为1000rpm，使转速R2为2400rpm。图表中的柱状表示平均值，具有短横线的竖线表示最小值和最大值。
对于样品S1，在从转速R1开始向转速R2提升的时间点开启控制阀GS9。对于样品S2，在成为转速R1与转速R2的中间转速(1700rpm)的时机开启控制阀GS9。对于样品S3，如上述的实施例那样，在达到转速R2的时间点开启控制阀GS9。样品S4～S6是从达到转速R2后依次使控制阀GS9的开启时机延迟的情况。需要说明的是，控制阀GS9的关闭时机是转速变为0的时间点，所有样品均一致。
从检测出的颗粒数的最大值可知，作为开启控制阀GS9而成为大流量的时机，最佳的时机是与上述的实施例的时机相同的样品S3。需要说明的是，随着开启控制阀GS9的时间点比样品S3晚，导致检测出的颗粒数的最大值呈增大的趋势，认为这是因为颗粒被卷入成为负压的旋转中心侧。由此可知，作为切换流量的时机，最优选的时机是从转速R1开始向转速R2提升的时间点至达到转速R2的时间点。
接着，参照图9对气液喷嘴67与清洁度的关系进行说明。需要说明的是，图9是说明来自气液喷嘴的气体的供给方向与清洁度的关系的图表。
在该实验例中示出，如上述的实施例的气液喷嘴67那样横向喷射氮气时的清洁度、和朝向基板W的下表面向上方喷射氮气时的清洁度。在规定清洗处理和干燥处理的处理条件的规程中，分别使氮气的流量不同。
结果看出，即使是使氮气的流量不同的任一的规程1～3，如上述的气液喷嘴67那样横向喷射氮气的构成也能够以较高的清洁度进行处理。即，当考虑清洁度时，优选气液喷嘴67从旋转中心侧向基板W的周边缘部供给氮气。
本发明并不局限于上述实施方式，能够如下述这样实施变形。
(1)在上述的实施例中，在进行干燥处理时仅开启控制阀GS9，但在第二流量大于第一流量的情况下，也可以在开启控制阀GS9后，关闭控制阀GS7。即便如此，与开启控制阀GS7时相比，也能够在进行干燥处理时提高流量，因此，在抑制氮气的消费量的同时起到同样的效果。另外，由于在开启控制阀GS9后关闭控制阀GS7，因此，不发生向气体供给管57侵入液滴的不良情况。
(2)在上述的实施例中，始终开启控制阀GS7，但也可以仅在存在液滴侵入至气体供给管57的风险的情况下开启该控制阀GS7。由此，即使是微小的流量，也能够相应地抑制氮气的消耗。
(3)在上述的实施例中，由可调整流量的开闭阀来构成控制阀GS7、GS9，但例如也可以将仅能够调整流量的流量调整阀和仅能够开闭的开闭阀组合来构成控制阀GS7、GS9。
(4)在上述的实施例中，由六根支撑销15构成支撑单元，但本发明并不局限于这样的构成。例如，也可以由七根以上的支撑销15构成支撑单元。另外，由两根可动支撑销27夹持基板W，但也可以由三根以上的可动支撑销27来夹持基板W。
(5)在上述的实施例中，作为处理液例示了APM，但本发明并不局限于此。作为其它的处理液，例如能够举例：纯水(DIW)、碳酸水、氢水、氨水(NH4OH)、SC-1、柠檬酸水溶液、FOM(氢氟酸/臭氧混合药液)、FPM(氢氟酸/双氧水/纯水的混合药液)、HF、SC-2、HC1、IPA(异丙醇)、TMAH(四甲基氢氧化铵)、胆碱(CHOLINE)等。另外，作为惰性气体例示了氮气，但本发明并不局限于此，例如，能够利用氦气(He)、氩气(Ar)、混合气体(N2+H2)(forming gas)。另外，虽不是惰性气体，但作为气体供给单元所供给的气体，也可以使用空气(Air)。
本发明在不脱离其思想或本质的情况下，能够以其它的具体方式实施，因此，作为表示发明的保护范围的内容，应当参照所附技术方案而不是上述的说明。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，对基板的上表面进行处理，该基板处理装置包括：
旋转台，能够绕铅垂轴旋转；
旋转驱动单元，使所述旋转台旋转；
支撑单元，立设于所述旋转台，以与基板的周边缘部抵接，来使基板的下表面从所述旋转台的上表面分离的方式支撑基板；
处理单元，作用于由所述支撑单元支撑的基板的上表面进行处理；
处理液供给单元，向基板的下表面供给处理液；
气体喷嘴，从所述旋转台的中央向所述基板的下表面供给气体；
气体供给管，一端侧与所述气体喷嘴连通连接；
气体供给单元，供给气体；
第一分支配管，一端侧与所述气体供给单元连通连接，另一端侧与所述气体供给管的另一端侧连通连接；
第二分支配管，一端侧与所述气体供给单元连通连接，另一端侧与所述气体供给管的另一端侧连通连接；
第一控制阀，将所述第一分支配管中的气体的流通控制为第一流量；
第二控制阀，将所述第二分支配管中的气体的流通控制为第二流量，所述第二流量是大于等于所述第一流量的流量；以及
控制单元，在利用所述处理单元对基板的上表面进行处理的上表面处理时，所述控制单元一边操作所述旋转驱动单元，使基板以第一转速旋转，一边从所述处理液供给单元供给处理液，并操作所述第一控制阀从所述气体喷嘴以第一流量供给气体，在所述上表面处理结束后，所述控制单元在使所述旋转驱动单元的转速上升来使基板以第二转速旋转，来对基板进行干燥的干燥处理时，操作所述第一控制阀和所述第二控制阀，来从所述气体喷嘴以大于所述第一流量的流量供给气体。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
能够将所述第一控制阀和第二控制阀调整为期望的流量。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元使所述第一控制阀始终开启。
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元使所述第一控制阀始终开启。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在操作所述第一控制阀和所述第二控制阀时，在使所述第一控制阀开启的状态下开启所述第二控制阀。
6.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在操作所述第一控制阀和所述第二控制阀时，在使所述第一控制阀开启的状态下开启所述第二控制阀。
7.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在操作所述第一控制阀和所述第二控制阀时，在使所述第一控制阀开启的状态下开启所述第二控制阀。
8.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在操作所述第一控制阀和所述第二控制阀时，在使所述第一控制阀开启的状态下开启所述第二控制阀。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
10.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
11.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
12.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
13.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
14.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
15.如权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
16.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述控制单元在从使转速从所述第一转速开始向所述第二转速提升的时间点至转速达到所述第二转速的时间点的期间，从所述气体喷嘴以大于等于第二流量的流量供给气体。
17.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述气体喷嘴以俯视呈放射状的方式向基板的周边缘部供给气体。
18.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述气体喷嘴以俯视呈放射状的方式向基板的周边缘部供给气体。
19.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述气体喷嘴的供给气体的开口高度为2mm以上。
20.一种基板处理方法，在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，对基板的上表面进行处理，该基板处理方法包括按如下顺序实施的步骤：
上表面处理工序，在对基板的周边缘部进行抵接支撑，来使基板的下表面从旋转台分离的状态下，使所述旋转台以第一转速旋转，并在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下，操作第一控制阀，从所述旋转台的中央的气体喷嘴向基板的下表面以第一流量供给气体，同时对基板的上表面进行处理；以及
干燥处理工序，使所述旋转台以大于所述第一转速的第二速度旋转，并操作第一控制阀和第二控制阀，来从气体喷嘴以大于所述第一流量的流量供给气体。
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