CN102043354A - 显影装置和显影方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显影装置和显影方法，即使基板表面的防水性高，也能在基板整个表面形成显影膜，能降低显影缺陷。在进行晶圆(W)的显影处理之前，作为前工序，从纯水喷嘴(40)向晶圆(W)的中央部喷出用于使显影液在晶圆(W)表面容易扩展的作为扩散辅助液的纯水而形成积液。接着，一边使晶圆W高速旋转，一边向晶圆(W)的中央部喷出用于预湿的显影液，并使该显影液扩展。抗蚀剂被该显影液溶解而溶出溶解物(6)，但是在该溶解物(6)溶出的期间例如7秒以内使晶圆(W)的旋转为反转，使溶解物(6)在晶圆(W)整个表面扩展，使晶圆(W)的防水性降低。之后，对旋转着的晶圆(W)喷出显影液，使显影液在晶圆(W)表面扩展。

Description

显影装置和显影方法

技术领域

本发明涉及对形成有抗蚀剂膜、被曝光处理后的基板进行显影处理的技术。

背景技术

在作为半导体制造工序之一的光致抗蚀剂工序中，在作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)表面形成抗蚀剂膜，以规定的图案对该抗蚀剂膜进行曝光之后，向晶圆供给显影液而进行显影，形成抗蚀剂图案。作为进行显影处理的方法，例如有使晶圆保持在作为基板保持部的旋转吸盘上、使该晶圆绕铅垂轴线旋转的同时一边使显影液喷嘴从晶圆的周缘部的上方向中央部的上方移动、一边喷出显影液而进行显影处理的方法(专利文献1)。

另一方面，在曝光机中，公知有为了提高曝光的析像度，例如在晶圆表面形成有纯水的液膜的状态下进行曝光的浸液曝光。在该浸液曝光中，为了提高曝光机浸液部(透镜顶端)的扫描的追随性，确保与以往的曝光装置相同的处理率，一直研究在抗蚀剂膜表面形成有防水性高的保护膜，或不形成保护膜而形成防水性高的抗蚀剂膜。而且，这些膜的防水性有进一步增强的倾向。不过，若晶圆表面的防水性提高，则在显影处理时难以使显影液在晶圆表面均匀地扩散，因此，有可能图案更加微细化时，使显影缺陷的程度增大。

在专利文献1和专利文献2中，记载有在向旋转着的基板涂敷显影液时、向旋转着的基板供给显影液、并在持续供给显影液的状态下使基板的旋转沿相反方向旋转的显影方法。但是，在晶圆表面的防水性高的情况下，特别难以使显影液在接近晶圆的周缘部位均匀地扩散，而无法解决上述的课题。

专利文献1：日本特开2006-60084号公报

专利文献2：日本特开2002-75854号公报

发明内容

本发明是基于这样的情况而提出的，提供一种即使曝光后基板表面的防水性高、也能以高的均匀性对基板整个表面进行显影处理、能够降低显影缺陷的显影装置、显影方法和实施该方法的存储介质。

本发明的显影装置是对形成有抗蚀剂膜、被曝光后的基板供给显影液而进行显影的显影装置，其特征在于，包括：

基板保持部，其用于水平地保持基板；

旋转机构，其用于使该基板保持部绕铅垂轴线旋转；

扩散辅助液喷嘴，其向基板供给对上述抗蚀剂膜没有显影作用、用于辅助显影液扩散的扩散辅助液；

显影液喷嘴，其用于向基板供给显影液；

控制部，其输出控制信号以执行以下的步骤：为了在保持于上述基板保持部的基板的中央部形成上述扩散辅助液的积液，从上述扩散辅助液喷嘴向基板的中心部喷出扩散辅助液的步骤；接着，为了使显影液在基板整个表面扩展、从抗蚀剂膜产生溶解物，一边利用上述旋转机构使基板正转，一边从显影液喷嘴向基板的中心部喷出显影液的步骤；之后，利用上述旋转机构使基板反转的步骤；之后，从显影液喷嘴向基板喷出显影液来对抗蚀剂膜进行显影的步骤。

此外，上述显影装置也可以采取以下的结构。

1.上述扩散辅助液是纯水。

2.在从一边使基板正转一边向基板的中心部开始喷出显影液的时刻起7秒以内进行使上述基板反转的步骤。

3.在使基板旋转的状态下通过一边从显影液喷嘴喷出显影液一边使显影液的喷出位置从基板的周缘部向基板的中心部移动来进行上述显影的步骤。

本发明的显影方法是对形成有抗蚀剂膜、被曝光后的基板供给显影液而进行显影的显影方法，包括：

将基板水平地保持在基板保持部的步骤；

从扩散辅助液喷嘴向保持于上述基板保持部的基板的中心部喷出对上述抗蚀剂膜没有显影作用的扩散辅助液、在基板的中央部形成用于辅助显影液扩散的扩散辅助液的积液的步骤；

接着，为了使显影液在基板整个表面扩展、从抗蚀剂膜产生溶解物、一边利用上述旋转机构使基板正转、一边从显影液喷嘴向基板的中心部喷出显影液的步骤；

之后，一边利用上述旋转机构使基板反转、一边从显影液喷嘴向基板的中心部喷出显影液的步骤；

之后，从显影液喷嘴向基板喷出显影液、对抗蚀剂膜进行显影的步骤。

本发明为对曝光后的基板供给显影液而进行显影的显影装置，在基板的中心部预先形成没有显影作用的扩散辅助液的积液，一边向基板的中心部喷出显影液一边使基板正转，接着使该基板反转，进行所谓的预湿。因此，显影液随着扩散辅助液在基板整个面扩展，从图案部位产生溶解物而附着在非图案部位。因此，基板表面的接触角(防水性的程度)变小，显影时的显影液变得容易在基板整个面均匀地扩展，其结果，即使曝光后的基板的表面的防水性高，也能以高的均匀性对基板整个表面进行显影处理，从而能减少显影缺陷。

附图说明

图1是本发明的实施方式的显影装置的纵剖视图。

图2是上述显影装置的俯视图。

图3是上述显影装置用的显影液喷嘴的立体图。

图4是控制上述显影装置的控制部的示意图。

图5是表示晶圆的转速和旋转方向与时间的关系的说明图。

图6是说明显影处理前的前处理工序的说明图。

图7是示意性地表示抗蚀剂由于显影液的作用而溶解、溶解物溶出的状态的示意图。

图8是说明显影处理工序的说明图。

图9是表示预湿后的晶圆的表面的示意图。

具体实施方式

图1和图2表示本发明的实施方式的显影装置，在该显影装置的中央具有作为吸附保持基板例如晶圆W的基板保持部的旋转吸盘11。该旋转吸盘11经由旋转轴12与设于下方的例如作为电动机的旋转驱动部13连接。该旋转驱动部13与升降部组合，能使旋转吸盘11升降。此外，旋转驱动部13构成为能够使旋转轴12正转和反转。在此，正转和反转这样的用语不是特指顺时针旋转、逆时针旋转中的任一方，而是为了便于说明依次进行顺时针旋转、逆时针旋转中的一方以及另一方的旋转而使用。

在显影装置中以围绕被保持在旋转吸盘11上的晶圆W的方式设有杯状体20。该杯状体20由外杯21和内杯22构成，杯状体20的上方侧开口。上述外杯21的上部侧是四边形状，下部侧是圆筒状。此外，在外杯21的下端部形成有台阶部23。而且，上述外杯21能利用设于下方的升降部24升降。上述内杯22是圆筒状，上部侧向内侧倾斜，并且下端面在上述外杯21升降时与台阶部23抵接，从而被向上方推压。

此外，在被保持在旋转吸盘11上的晶圆W的下方侧设有圆形板25，在圆形板25的外侧呈环状地设有纵截面形状为山形的引导构件26。上述引导构件26是用于向后述的液体收纳部27引导从晶圆W洒落的显影液、清洗液的构件。此外，在圆形板25的外侧在整个圆周上设有在纵截面上形成为凹部形状的液体收纳部27。在该液体收纳部27的底面，从下方连接有废液管28。此外，虽未图示，然而废液管28与废液罐连接，在其中途设有气液分离器，进行排气和废液的分离。在显影装置中设有从下方贯穿圆形板25的例如3根升降销14，该升降销14能够通过与未图示的基板输送臂的协同作用将晶圆W交接给旋转吸盘11。

此外，在显影装置中设有显影液喷嘴30和清洗液喷嘴40，这些喷嘴30和40能够在保持于旋转吸盘11上的晶圆W的上方侧和待命部之间移动。如图3所示，在上述显影液喷嘴30的下端面设有例如长度L1为8～15mm、宽度L2为0.1～1mm的带状的喷出口30a。

显影液喷嘴30经由显影液供给管30a与显影液供给源31、包括液体供给控制设备(阀、泵等)的显影液供给系统32连接。此外，如图2所示，显影液喷嘴30被支承在作为支承构件的喷嘴臂33的一端上，该喷嘴臂33的另一端经由未图示的升降机构与移动基体34连接。该移动基体34能够沿在X方向上延伸的导轨35移动。此外，图中附图标记36是显影液喷嘴30的待命部，在该待命部36进行显影液喷嘴30的顶端部的清洗等。

清洗液喷嘴40是用于向晶圆W喷出清洗液例如纯水的喷嘴，经由清洗液供给管40a与清洗液供给源41、包括清洗液供给控制设备(阀、泵等)的清洗液供给系统42连接。此外，如图2所示，清洗液喷嘴40被支承在喷嘴臂43的一端上，经由未图示的升降机构与移动基体44连接，该移动基体44能够沿着导轨35在X方向上移动。图中附图标记45是清洗液喷嘴40的待命部。

图1和图4中的附图标记50表示用于控制显影装置的各部的控制部50，该控制部50例如是由CPU51、存储于程序存储部52中的程序52a、存储器53、数据总线54等构成的计算机。上述程序52a中编辑有步骤群，基于工艺制程程序控制旋转驱动部13、显影液供给系统32、清洗液供给系统42和喷嘴驱动系统55，如后所述那样对晶圆W进行显影处理工序。

接着，说明用上述的显影装置对晶圆W进行显影的方法。被搬入显影装置的晶圆W形成有防水性高的抗蚀剂膜，或在抗蚀剂膜上形成有防水性高的保护膜，而且由曝光装置实施浸液曝光。因此，晶圆W表面的水的静接触角例如为85度以上。首先，显影装置的外杯21和内杯22向下方位移，成为以图1的实线所示的状态，在显影液喷嘴30和清洗液喷嘴40被配置在喷嘴待命部36、45的状态下，由未图示的输送臂将晶圆W输送到显影装置内。该晶圆W在输送臂和升降销的协同作用下被载置并吸附保持在旋转吸盘11上。

接着，在显影处理前进行前工序。由于晶圆W表面的防水性高，在显影时供给显影液的情况下显影液难以在晶圆W的整个表面扩展，因此该前工序是减小晶圆W的接触角、使显影液容易扩展的、所谓预湿工序。在此，图5是使晶圆W的转速的曲线和纯水以及显影液的喷出状态相对应的说明图。首先，将清洗液喷嘴40设定在与晶圆W的中心部相对的位置，一边使晶圆W正转，例如沿逆时针以10rpm旋转，一边例如用4秒向晶圆W喷出后述的用于辅助显影液扩散的作为扩散辅助液的纯水(参照图5)。接着，使清洗液喷嘴40从晶圆W的中心部上方移动到稍微偏离的位置，并且使预先位于晶圆W的中心部上方附近的显影液喷嘴30移动到晶圆W的中心部上方。显影液喷嘴30的喷出口是如上所述那样的狭缝状，例如以喷出口的长度方向的中点位于晶圆W的中心部上方的方式设定显影液喷嘴30的位置。从清洗液喷嘴40自晶圆W的中心部上方退避的时刻起直到显影液喷嘴30的喷出口的中点移动到晶圆W的中心部上方的时间例如是0.5秒。

之后，例如用1秒的时间从显影液喷嘴30向晶圆W的中心部喷出显影液，并且在晶圆W的旋转方向为逆时针旋转的状态下使转速从10rpm上升到1500rpm。转速上升的时刻例如为来自显影液喷嘴30的显影液刚到达晶圆W之后。由于晶圆W的高速旋转，欲使晶圆W的中心部的纯水的积液朝向周缘扩展。在此，晶圆W表面具有高的防水性，但是由于积液，能够在晶圆W的中心部预先确保较多的纯水量，所以纯水欲均匀地扩展。而且，来自显影液喷嘴30的显影液附在该纯水上与纯水一起扩展，或因为在扩展的纯水的液膜上移动，所以均匀地扩散开。即，该纯水作为用于使显影液均匀地扩散的扩散辅助液而发挥作用。

使显影液在晶圆W表面扩展(扩散)后，使晶圆W从正转切换为反转。在该例子中，晶圆W的旋转方向从逆时针旋转切换为顺时针旋转，例如以1500rpm的转速旋转。显影液即使在晶圆W反转时也从显影液喷嘴30向晶圆W的中心部喷出，在该例子中，在从正转时向反转切换的阶段，停止喷出。

接着，进入显影工序，对在此之前所述的前工序即预湿工序中的各操作的意义等如上所述。在喷出显影液之前供给纯水的理由是，若不向晶圆供给纯水液而喷出显影液，则因为晶圆W的防水性大，所以会产生显影液的液面破裂成股，显影液分流地扩展到晶圆的周缘。因此，通过供给纯水来抑制液面破裂成股，提供一个显影液容易扩展的环境。纯水的供给量例如是6cc以上，晶圆W的转速是低速的10rpm，因此，如图6的(a)所示，在晶圆W的中央部形成有液积。从清洗液喷嘴40喷出纯水时的晶圆W的转速只要是在能够形成纯水的积液的范围内即可，旋转也可以停止。

利用显影液预先将晶圆W整个表面润湿(进行预湿)的理由如下。申请人经研究得知，通常来自抗蚀剂膜的溶解物是通过显影处理后的清洗处理、随着与抗蚀剂膜接触的液体接近pH7而从曝光部位61溶出的溶解物，然而该溶解物6在显影初始阶段就从抗蚀剂的表层溶出而附着在晶圆W表面，由此晶圆W表面的接触角降低。因此，如图7的(a)所示，由于显影液在晶圆W表面扩展，进行了曝光的抗蚀剂曝光部位(图案部)61的表层被溶解，产生溶解物6。由于此时显影液与曝光部位接触时间短，所以仅抗蚀剂的表层被溶解。

另外，在向晶圆W的中心部供给显影液时，若晶圆W的旋转方向始终是一个方向，则溶解物6附着在晶圆W表面的状态偏向一方。在晶圆W开始高速旋转时，由于该加速溶解物6整体而言在一个方向上受力，从作为抗蚀剂的曝光部位的例如图案部向作为抗蚀剂的未曝光部位的非图案部飞出，但是，一旦附着于非图案部的溶解物6由于其附着力强而难以移动。

关于该形态示意地进行说明，在图7的(a)的例子中，在与产生有溶解物6的曝光部位61的表层相邻的右侧的未曝光部位62的抗蚀剂表面附着有溶解物6。但是，因为溶解物6的粘接性大于晶圆W的离心力，而且一旦附着则其附着力强，所以溶解物6在未曝光部位62上的附着产生偏向(偏向一方)，例如露出未曝光部位62的右侧区域表面，形成接触角大的状态。因此，如上所述那样切换晶圆W的旋转方向，对溶解物6作用相反方向的力，使其从图案部向非图案部飞出，由此缓和或消除溶解物6的附着状态的上述偏向，在晶圆W整个表面上降低接触角。上述溶解物6在显影的初始阶段、具体而言从涂敷显影液起例如经过7秒不溶出，所以需要在该时间内切换晶圆W的旋转方向，对溶解物6作用使其从图案部向非图案部飞出的力。

接着，说明显影工序。首先，使显影液喷嘴30从进行了预湿的晶圆W的中心部上的位置向晶圆W的周缘部上方移动。然后，使晶圆W的转速例如为500rpm，如图8的(a)所示那样从显影液喷嘴30向晶圆W喷出显影液。在保持喷出该显影液的状态下使显影液喷嘴30从晶圆W的周缘部上方向中心部上方移动。即，使显影液的喷出点从晶圆W的周缘部向中心部移动。使显影液喷嘴30从晶圆W的周缘部的上方向中央部的上方移动所需的时间例如是2秒左右。这样，向晶圆W表面呈带状且涡流状地供给显影液，所以能无间隙地在晶圆W表面涂敷显影液；如上所述那样，晶圆W表面是润湿性良好的状态，所以显影液均匀地遍及晶圆W整个表面地进行显影处理。如图8的(b)所示，显影液喷嘴30在晶圆W的中央部的上方以规定的时间例如5秒喷出显影液，之后停止喷出动作而向待命部退避(动态显影)。还可以在停止了喷出动作之后使晶圆W的旋转停止例如45秒而进行静止显影。

接着，在显影液喷嘴30退避的同时，清洗液喷嘴40向晶圆W的中央部的上方移动。从清洗液喷嘴40向晶圆W的中央部喷出纯水，清洗晶圆W表面。此时的晶圆W的转速例如是500rpm，被喷出的纯水从晶圆W的中心向周缘扩展，显影液被冲走。此时，晶圆W表面接近pH7，如上所述，溶解物6从曝光部位61溶出而被纯水冲走。之后，停止纯水的供给，使纯水喷嘴40向待命部45退避，利用升降机构使外杯21和内杯22上升，使晶圆W以例如2000rpm的转速旋转干燥规定时间。之后，晶圆W由输送臂从显影装置搬出，显影处理结束。

根据上述的实施方式，在晶圆W的中心部预先形成有无显影作用、用于辅助显影液扩散的作为扩散辅助液的纯水的积液，一边向晶圆W的中心部喷出显影液一边使晶圆W正转、反转，进行所谓预湿。因此，显影液随着扩散辅助液向晶圆W的整个面扩展，从图案部位产生溶解物6而附着在非图案部位。由此，晶圆W表面的接触角(防水性的程度)减小，在显影时显影液变得容易在晶圆W的整个面上均匀地扩展，其结果，即使曝光后的晶圆W的表面的防水性高，也能以高的均匀性对晶圆W整个表面进行显影处理，能降低显影缺陷。

此外，因为利用预湿工序改善了晶圆W的润湿性，所以在进行显影处理的显影液的喷出时，能抑制液体从晶圆W飞溅出，所以能防止显影组件的污染，而且减少显影液的使用量。此外，容易在晶圆W表面载满显影液，此时能够以少的显影液量载满该晶圆W表面。

在上述的实施方式中，在预湿工序(前工序)时，在晶圆W从正转向反转切换的阶段，停止显影液的喷出。这是因为，若在晶圆W的旋转停止时也供给显影液，则在晶圆W面内的显影液的供给分布发生变化，所以不好。在该情况下的所谓“切换的阶段”，不仅限于晶圆W的旋转停止的时间段，也包括在其前后晶圆W的转速减速的阶段和加速的阶段。可是，例如在晶圆W从正转向反转的切换在相当短的时间内进行、显影液的供给分布的不均匀性程度被认为小等的情况下，在“切换的阶段”也可以喷出显影液。

作为在预湿时用于形成积液的、没有显影作用的扩散辅助液，如上所述优选纯水，但是例如是在使用极稀薄的显影液的情况下，在不影响显影后基板加工的情况下，也能够使用实质上没有显影作用的扩散辅助液，这种情况也包含于权利要求书的技术范围内。

而且，本发明需要在晶圆W的中央部形成扩散辅助液的积液，但是其意思不只限于在晶圆W的中央部形成积液。例如并不是意味着排除了在晶圆W的整个面形成积液的情况，当然也包括在晶圆W的整个面形成积液的情况。因此，可以说在晶圆W的至少中央部形成扩散辅助液的积液。

在上述的实施方式中，使显影液喷嘴30为前工序(预湿工序)用的喷嘴和显影工序用的喷嘴而共用，但是也可以使两喷嘴专用化(分别作为独立的喷嘴)。在该情况下，前工序用的喷嘴的形状例如是圆柱状，喷出口的形状为口径例如是1mm～5mm的圆形。显影工序用的喷嘴使用上述的显影液喷嘴30。

此外，在预湿后进行的显影工序不限于图8所示的方法，例如也可以是如下的方法：遍及与晶圆W的直径相同或更宽的长度，使用形成有喷出口的长条的显影液喷嘴，使该显影液喷嘴一边喷出显影液一边从晶圆W的一端侧向另一端侧移动，从而在晶圆W上涂敷显影液。

此外，在上述的实施方式的显影方法之外也可以使用以下的方法。该方法是改变了上述的前工序(预湿工序)的一部分的方法，其他的部分与上述的实施方式的显影方法相同，所以以不同的部分为主进行说明。

在该例子的预湿工序中，如上所述，使晶圆W逆时针旋转，向该晶圆W喷出纯水，形成纯水的积液。接着，在使晶圆W逆时针旋转的状态下喷出显影液。之后，停止显影液的喷出，使晶圆W从逆时针旋转切换为顺时针旋转，不喷出显影液地持续晶圆W的旋转。即，该例子的关于晶圆W旋转的顺序与图5相同，但是在显影液的喷出顺序上与上述的实施方式不同，即、在使晶圆W顺时针旋转之后(反转之后)也停止喷出显影液。

反转时不喷出显影液的理由是，由于抗蚀剂的种类不同，也存在溶解物容易溶解于显影液、而难以附着在未曝光部位62的抗蚀剂。因此，在该情况下，使晶圆W逆时针旋转，使显影液扩展而使溶解物6附着后，为了尽可能地防止溶解于显影液，在晶圆W的旋转为顺时针旋转时不喷出显影液，用残留在晶圆W表面的显影液进行使溶解物6扩展的处理。

通过这样进行预湿工序，能够抑制溶解物6被显影液过多地溶解，使溶解物6能在晶圆W表面均匀地扩展。由于，减小晶圆W表面的接触角，显影时的显影液变得容易在晶圆W的整个面均匀地扩展，其结果，即使曝光后的晶圆W的表面的防水性高，也能以高的均匀性对晶圆W整个表面进行显影处理，能降低显影缺陷。

接着，说明为了确认本发明的方法的效果而进行实验的实验结果。例如图9的(a)表示晶圆只沿反转方向旋转而进行了前工序(预湿工序)后的晶圆W的表面的状态，图9的(b)表示上述的实施方式中的前工序(预湿工序)后的晶圆W的表面的状态。用宏观缺陷检查装置测量这些晶圆W的表面。另外，图9中的“点”表示附着在晶圆表面的溶解物。可知，在图9的(a)中，溶解物的扩展在晶圆W表面偏向而不均匀地扩展，但是在图9的(b)中，溶解物在晶圆W表面均匀地扩展。因此可知，利用本发明的实施方式的显影方法，溶解物在晶圆W表面均匀地扩展。

Claims (11)

1.一种显影装置，其是对形成有抗蚀剂膜、并被曝光后的基板供给显影液而进行显影的显影装置，其特征在于，包括：

基板保持部，其用于水平地保持基板；

旋转机构，其用于使该基板保持部绕铅垂轴线旋转；

扩散辅助液喷嘴，其向基板供给对上述抗蚀剂膜没有显影作用、用于辅助显影液扩散的扩散辅助液；

显影液喷嘴，其用于向基板供给显影液；

控制部，其输出控制信号以执行以下的步骤：为了在保持于上述基板保持部的基板的中央部形成上述扩散辅助液的积液、从上述扩散辅助液喷嘴向基板的中心部喷出扩散辅助液的步骤；接着，为了使显影液在基板整个表面扩展、并从抗蚀剂膜产生溶解物、一边利用上述旋转机构使基板正转、一边从显影液喷嘴向基板的中心部喷出显影液的步骤；之后，利用上述旋转机构使基板反转的步骤；之后，从显影液喷嘴向基板喷出显影液来对抗蚀剂膜进行显影的步骤。

2.根据权利要求1所述的显影装置，其特征在于，

上述扩散辅助液是纯水。

3.根据权利要求1或2所述的显影装置，其特征在于，

在从一边使基板正转一边向基板的中心部开始喷出显影液的时刻起7秒以内进行使上述基板反转的步骤。

4.根据权利要求1～3任一项所述的显影装置，其特征在于，

在使基板反转时，从显影液喷嘴向基板的中心部喷出显影液。

5.根据权利要求4所述的显影装置，其特征在于，

在将基板从正转向反转切换时，停止喷出显影液。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的显影装置，其特征在于，

在使基板旋转的状态下通过一边从显影液喷嘴喷出显影液一边使显影液的喷出位置从基板的周缘部向基板的中心部移动来进行上述显影的步骤。

7.一种显影方法，其是对形成有抗蚀剂膜、并被曝光后的基板供给显影液而进行显影的显影方法，其特征在于，包括：

将基板水平地保持在基板保持部的步骤；

从扩散辅助液喷嘴向保持于上述基板保持部的基板的中心部喷出对上述抗蚀剂膜没有显影作用的扩散辅助液、在基板的中央部形成用于辅助显影液的扩散的扩散辅助液的积液的步骤；

接着，为了使显影液在基板整个表面扩展、并从抗蚀剂膜产生溶解物、一边利用旋转机构使基板正转、一边从显影液喷嘴向基板的中心部喷出显影液的步骤；

之后，利用上述旋转机构使基板反转的步骤；

之后，从显影液喷嘴向基板喷出显影液来对抗蚀剂膜进行显影的步骤。

8.根据权利要求5所述的显影方法，其特征在于，

上述扩散辅助液是纯水。

9.根据权利要求7或8所述的显影方法，其特征在于，

在从显影液喷嘴向基板的中心部开始喷出显影液的时刻起7秒以内进行使上述基板反转的步骤。

10.根据权利要求7～9任一项所述的显影方法，其特征在于，

在使上述基板反转时，从显影液喷嘴向基板的中心部喷出显影液。

11.根据权利要求10所述的显影方法，其特征在于，

在将基板从正转向反转切换时，停止喷出显影液。

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