CN101609269A - 显影处理方法和显影处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显影处理方法和显影处理装置。所述显影处理方法是使被旋转卡盘(40)水平保持的晶片(W)旋转并向该晶片表面供给显影液实施显影处理的显影处理方法，其中，在显影处理工序之前，进行预湿处理，在该预湿处理中，从位于旋转的衬底表面的中心附近的显影喷嘴(52)供给显影液(100)，同时从位于比显影喷嘴靠向晶片外周侧的位置的纯水喷嘴(53)供给作为第二液体的纯水(200)，由随着晶片的旋转而向衬底的外周侧流动的纯水形成壁(300)，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展。由此，能够改善疏水化后的衬底上的抗蚀剂膜表面的润湿性，有效地形成显影液膜，并且能够实现显影处理的稳定化。

Description

显影处理方法和显影处理装置
技术领域
本发明涉及对表面涂敷抗蚀剂并曝光后的衬底进行显影的显影处理方法和显影处理装置。
背景技术
在半导体设备的制造中，通常在半导体晶片等衬底上涂敷光致抗蚀剂，使由此形成的抗蚀剂膜按照规定的电路图案曝光，并对该曝光图案进行显影处理，由此在抗蚀剂膜上形成电路图案。
在这种光刻工序中，通常使用在进行抗蚀剂的涂敷、显影的涂敷、显影装置上连接有曝光装置的系统。
作为现有的显影处理装置，例如已知旋转类显影浸润(puddle)方式的显影处理装置，该装置向正在旋转的衬底上供给显影液，使显影液在整个衬底上扩展，然后一边降低衬底的转速，一边从衬底中心附近供给显影液，使显影液布满，形成显影液膜(浸润)。
另外，在这种显影处理装置中，已知为了提高润湿性而在显影处理前向衬底表面供给纯水的方法(例如，参照专利文献1)。
另一方面，随着近年来设备图案的微细化、薄膜化，对提高曝光的析像度的要求日益增高。作为提高曝光的析像度的方法之一，已知液浸曝光方法，该方法用于对利用现有光源例如氟化氩(ArF)的曝光技术进行改良而提高析像度，在衬底表面形成有透过光的液层的状态下，进行曝光。该液浸曝光技术在透镜与衬底的表面之间形成有纯水的液膜的状态下，由光源发出的光通过透镜，透过液膜向衬底照射，由此将规定的抗蚀剂图案(电路图案)转印在抗蚀剂上。
在该液浸曝光技术中，有时使用拨水性高的抗蚀剂(无外涂层抗蚀剂)或在抗蚀剂之上使用拨水性高的保护膜(上层保护膜)。为了不使纯水的水滴残留在衬底上而使纯水稳定化从而提高生产率，使用不需要上层保护膜的无外涂层抗蚀剂。
专利文献1：日本特开2005-210059号公报(权利要求书、0050段)
例如，上述无外涂层抗蚀剂的疏水性高，所以即使使用专利文献1记载的技术在显影处理前向衬底表面供给纯水，抗蚀剂膜的表面也无法得到充分的润湿性。其结果，存在衬底上的显影液抗水而甩出、即使增加显影液的供给量也难以在衬底表面形成显影液膜(浅滩)的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况完成的，其目的在于提供一种显影处理方法和显影处理装置，其能够改善疏水化后的衬底上的抗蚀剂膜表面的润湿性，有效地形成显影液膜，并且能够实现显影处理的稳定化。
为了解决上述问题，本发明的第一方面提供一种显影处理方法，该方法以使被水平保持的衬底旋转并向该衬底表面供给显影液实施显影处理的显影处理方法为前提，其特征在于：在上述显影处理工序之前，具备预湿工序，在该预湿工序中，从位于旋转的衬底表面的中心附近的第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的第二喷嘴供给第二液体，由随着上述衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展。
另外，本发明第二方面的显影处理方法的特征在于：在上述显影处理工序之前，具备预湿工序，在该预湿工序中，从位于旋转的衬底表面的中心附近的第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的第二喷嘴供给第二液体，并且，使第一喷嘴和第二喷嘴沿着连接衬底的中心部和外周部的方向移动，由随着上述衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展。
在本发明中，上述第二液体可以为纯水。并且，与上述第二液体相比，显影液具有表面张力值或密度大、或者粘性高的特性。
并且，在本发明的显影处理方法中，上述衬底的转速优选为250rpm～3000rpm。
这是因为：如果衬底的转速小于250rpm，液体(显影液和纯水)不能充分扩展；而如果大于3000rpm，液体就会在外周破碎，不能形成预湿膜。
并且，在本发明的显影处理方法中，在同时供给上述显影液和第二液体之前，具备使第二喷嘴移动至衬底的中心部上方向衬底表面供给第二液体的工序。
此外，本发明的第三方面提供一种显影处理装置，该装置以使被水平保持的衬底旋转、并向该衬底表面供给显影液实施显影处理的显影处理装置位前提，其特征在于，具备：将衬底保持水平的衬底保持单元；使上述衬底在水平面内旋转的旋转机构；在上述衬底利用上述旋转机构旋转的状态下，向衬底表面供给显影液的第一喷嘴；位于比上述第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置，向衬底表面供给第二液体的第二喷嘴；和控制上述旋转机构、第一喷嘴和第二喷嘴的驱动的控制单元。上述控制单元使得在向上述衬底供给显影液的显影处理之前进行预湿处理，在该预湿处理中，驱动上述旋转机构，使上述衬底旋转，从位于衬底表面的中心附近的上述第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的上述第二喷嘴供给第二液体，由随着上述衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展。
本发明的第四方面提供一种显影处理装置，其特征在于，具备：将衬底保持水平的衬底保持单元；使上述衬底在水平面内旋转的旋转机构；在上述衬底利用上述旋转机构旋转的状态下，向衬底表面供给显影液的第一喷嘴；位于比上述第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置，向衬底表面供给第二液体的第二喷嘴；使上述第一喷嘴和第二喷嘴沿着连接上述衬底表面的中心部和外周部的方向移动的喷嘴移动机构；和控制上述旋转机构、喷嘴移动机构、第一喷嘴和第二喷嘴的驱动的控制单元。上述控制单元使得在向上述衬底供给显影液的显影处理之前进行预湿处理，在该预湿处理中，驱动上述旋转机构，使上述衬底旋转，从位于衬底表面的中心附近的上述第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的上述第二喷嘴供给第二液体，并且，驱动上述喷嘴移动机构，使上述第一喷嘴和第二喷嘴沿着连接衬底的中心部和外周部的方向移动，由随着上述衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展。
在本发明的显影处理装置中，上述第二液体可以为纯水。并且，利用上述旋转机构的衬底的转速优选为250rpm～3000rpm。
并且，优选利用上述控制单元，在使上述第一喷嘴和第二喷嘴移动、同时供给显影液和第二液体之前，使上述第二喷嘴移动至衬底的中心部上方，向衬底表面供给第二液体。
根据本发明第一方面和第三方面的发明，在显影处理工序之前，从位于旋转的衬底表面的中心附近的第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的第二喷嘴供给第二液体，由随着衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展，由此，能够使显影液在衬底表面毫无遗漏地扩展，能够提高衬底表面的润湿性。
此外，根据本发明的第二方面和第四方面的发明，在显影处理工序之前，除了上述第一方面和第三方面的发明之外，再使第一喷嘴和第二喷嘴沿着连接衬底的中心部和外周部的方向移动，由随着衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展，由此，能够使显影液在衬底表面毫无遗漏地扩展，能够提高衬底表面的润湿性。
此外，根据上述发明，在同时供给显影液和第二液体之前，使第二喷嘴移动至衬底的中心部上方，向衬底表面供给第二液体，由此，能够使预湿工序初期显影液对衬底的附着性良好。
发明效果
根据本发明，由于如上所述构成，所以能够提高疏水化后的衬底上的抗蚀剂膜表面的润湿性，能够有效地形成显影液膜，并且能够实现显影处理的稳定化。
附图说明
图1是表示应用了本发明的显影处理装置的在涂敷、显影处理装置上连接有曝光处理装置的处理系统整体的示意俯视图。
图2是上述处理系统的立体示意图。
图3是表示本发明的显影处理装置的示意剖视图。
图4是表示上述显影处理装置的示意俯视图。
图5是表示本发明的预湿处理的原理的示意俯视图。
图6是表示本发明的预湿工序的第一实施方式的说明图。
图7是表示本发明的预湿工序的第二实施方式的说明图。
符号说明
W：半导体晶片(衬底)；40：旋转卡盘(衬底保持单元)；42：旋转机构；50：显影处理装置；52：显影喷嘴(第一喷嘴)；53：纯水喷嘴(第二喷嘴)；56A：喷嘴移动机构；58：冲洗喷嘴；60：控制器(控制单元)；100：显影液；200：纯水(第二液体)；300：纯水壁；V1、V2：开关阀；V3：切换阀。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的优选实施方式。
图1是表示应用本发明的显影处理装置的在涂敷、显影处理装置上连接有曝光处理装置的处理系统整体的示意俯视图。图2是上述处理系统的立体示意图。
上述处理系统具备：用于将密闭收纳多片例如25片作为被处理衬底的半导体晶片W(以下称为晶片W)的载体10搬入搬出的载体站1；用于对从该载体站1取出的晶片W实施抗蚀剂涂敷、显影处理等的处理部2；用于在晶片W的表面上形成有透过光的液层的状态下对晶片W的表面进行液浸曝光的曝光部4；和被连接在处理部2与曝光部4之间来进行晶片W的交接的接口部3。
载体站1设置有能够并排载置多个载体10的载置部11、从该载置部11观察设置在前方壁面的开关部12、和用于经由开关部12从载体10取出晶片W的交接单元A1。
接口部3由在处理部2和曝光部4之间前后设置的第一搬送室3A和第二搬送室3B构成，分别设置有第一晶片搬送部30A和第二晶片搬送部30B。
另外，在载体站1的里侧(靠处理部2的一侧)连接有处理部2，该处理部2用壳体20将其周围围住。在该处理部2，从面前侧(靠载体站1的一侧)依次交替排列设置有主搬送单元A2、A3，该主搬送单元用于在使加热、冷却系统的单元多层化的搁板单元U1、U2、U3和液体处理单元U4、U5各单元之间进行晶片的交接。并且，主搬送单元A2、A3设置在由划分壁21包围的空间内。该划分壁21由从载体站1观察在前后方向配置的搁板单元U1、U2、U3侧的一面部、和后述的例如右侧的液体处理单元U4、U5侧的一面部以及成为左侧一面的背面部构成。此外，在载体站1与处理部2之间、处理部2与接口部3之间，设置有具备在各单元使用的处理液的温度调节装置或温湿度调节用的导管等的温湿度调节单元22。
搁板单元U1、U2、U3构成为，将用于进行由液体处理单元U4、U5进行的处理的前处理和后处理的各种单元叠层为多层，例如叠层为10层，其组合包括对晶片W进行加热(焙烤)的加热单元(HP)、对晶片W进行冷却的冷却单元(CPL)等。并且，例如如图2所示，液体处理单元U4、U5将底部反射防止膜涂敷单元(BCT)23、涂敷单元(COT)24、显影单元(DEV)25等叠层为多层例如5层而构成。其中，底部反射防止膜涂敷单元(BCT)23用于在抗蚀剂或显影液等的药液收纳部之上涂敷反射防止膜，显影单元25用于向晶片W供给显影液进行显影处理。本发明的显影处理装置50设置于显影单元(DEV)25中。
在这种情况下，如图3和图4所示，显影处理装置50在具有晶片W的搬入搬出口51a的外壳51内，具有吸引吸附晶片W的背面侧的中央部并将其保持水平的构成衬底保持单元的旋转卡盘40。并且，在搬入搬出口51a设置有能够开关的闸门51b。
上述旋转卡盘40经由轴部41与例如伺服电动机等旋转机构42连接，被构成为能够利用该旋转机构42在保持有晶片W的状态下旋转。并且，旋转机构42与作为控制单元的控制器60电连接，根据来自控制器60的控制信号控制旋转卡盘40的转速。
此外，以包围被保持在旋转卡盘40上的晶片W的侧方的方式设置有杯43。该杯43由圆筒状的外杯43a和上部侧向内侧倾斜的筒状的内杯43b构成，通过与外杯43a的下端部连接的例如气缸等升降机构44，外杯43a进行升降，并且内杯43b被形成于外杯43a的下端侧内周面的台阶部顶上去从而能够进行升降。并且，升降机构44与控制器60电连接，根据来自控制器60的控制信号，使外杯43a进行升降。
此外，在旋转卡盘40的下方侧设置有圆形板45，在该圆形板45的外侧以遍及全周的方式设置有截面形成为凹部状的液体接收部46。在液体接收部46的底面形成有排液排出口47，从晶片W洒落或者甩出而被贮存在液体接收部46中的显影液或冲洗液经由该排液排出口47被排出到装置的外部。此外，在圆形板45的外侧设置有截面为角形的环部件48。并且，虽图中未表示，但设置有贯通圆形板45的例如3根作为衬底支撑销的升降销，通过该升降销与未图示的衬底搬送单元的协同作用，晶片W被交接到旋转卡盘40。
另一方面，在被保持在旋转卡盘40上的晶片W的上方侧，以与晶片W表面的中央部隔开间隙对置的方式设置有作为第一喷嘴的显影液供给喷嘴52(以下称为显影喷嘴52)和作为第二喷嘴的预湿用纯水喷嘴53(以下称为纯水喷嘴53)，其中，该显影喷嘴52能够升降和水平移动，该纯水喷嘴53位于比该显影喷嘴52靠向晶片W的外周侧的位置，向晶片表面供给第二液体，例如纯水。
在这种情况下，显影喷嘴52具有带状地喷出(供给)显影液的狭缝状的喷出口(未图示)。该喷出口例如以其长度方向从晶片W的中心部朝向外周部的方式设置。此外，喷出口不仅是沿着从晶片W的中心部朝向外周部的直线(半径)延伸的情况，也可以与该直线呈少许角度交叉。
显影喷嘴52和纯水喷嘴53被支撑在喷嘴臂54A的一端侧，该喷嘴臂54A的另一端侧与具备未图示的升降机构的移动基台55A连接，并且，该移动基台55A被构成为，能够利用例如滚珠丝杠或同步皮带等喷嘴移动机构56A而沿着在X方向延伸的导向部件57A横向移动。利用这种结构，通过驱动喷嘴移动机构56A，显影喷嘴52和纯水喷嘴53沿着从晶片W的中心部朝向外周部的直线(半径)移动。
在杯43的一方的外部侧设置有显影喷嘴52和纯水喷嘴53的待机部59A，在该待机部59A中进行显影喷嘴52的喷嘴前端部的洗净等。
在保持在旋转卡盘40上的晶片W的上方侧，以与晶片W的表面的中央部隔开间隙对置的方式设置有喷出(供给)冲洗液例如纯水的冲洗喷嘴58，该冲洗喷嘴58以能够升降和水平移动的方式设置。
该冲洗喷嘴58被支撑在喷嘴臂54B的一端侧，该喷嘴臂54B的另一端侧与具备未图示的升降机构的移动基台55B连接，并且，该移动基台55B被构成为，能够利用例如滚珠丝杠或同步皮带等喷嘴移动机构56B而沿着在X方向延伸的导向部件57B横向移动。并且，在杯43的一方的外部侧设置有冲洗喷嘴58的待机部59B。
显影喷嘴52经由插设有开关阀V1的显影液供给管路70与显影液供给源71连接。纯水喷嘴53与分支管路74连接，该分支管路74经由切换阀V3与连接冲洗喷嘴58和纯水供给源73的纯水供给管路72连接。并且，在纯水供给管路72上插设有开关阀V2。
上述喷嘴移动机构56A、56B、开关阀V1、V2和切换阀V3分别与上述控制器60电连接，根据预先存储在控制器60中的控制信号，进行显影喷嘴52和纯水喷嘴53的水平移动、冲洗喷嘴58的水平移动、开关阀V1、V2的开关驱动和切换阀V3的转换驱动。
通过上述控制器60的控制，能够在向晶片W供给显影液的显影处理之前进行预湿处理。即，如图5所示进行预湿处理，在该预湿处理中，驱动旋转机构42，使晶片W旋转，从位于晶片表面的中心附近的显影喷嘴52喷出(供给)显影液100，同时从位于比显影喷嘴52靠向晶片W外周侧的位置的纯水喷嘴53喷出(供给)纯水200，由此，由随着晶片W的旋转而向晶片W的外周侧流动的纯水200形成壁300，利用该壁300使显影液100在晶片W的旋转方向扩展。
下面，参照图6和图7具体说明预湿处理。图6是表示预湿处理的第一实施方式的说明图。在第一实施方式中，首先，驱动旋转机构42，使晶片W旋转。此时晶片W的转速在250rpm～3000rpm的范围内，例如为1500rpm。在使晶片W旋转的状态下，驱动喷嘴移动机构56A，将纯水喷嘴53移动至晶片W的中心部的上方位置(参照图6(a))。接着，从纯水喷嘴53向晶片表面的中心部喷出(供给)纯水200(参照图6(b))。由此，能够使预湿工序的初期显影液对晶片W的附着性良好。接着，驱动喷嘴移动机构56A，将显影喷嘴52移动至晶片W的中心部的上方位置，从显影喷嘴52向晶片表面的中心部喷出(供给)显影液100(参照图6(c))。在这种状态下，由于也从位于比显影喷嘴52靠向晶片W外周侧的位置的纯水喷嘴53喷出(供给)纯水200，所以能够如上所述进行预湿处理，在该预湿处理中，由随着晶片W的旋转而向晶片W的外周侧流动的纯水200形成壁300，利用该壁300使显影液100在晶片W的旋转方向扩展(参照图5)。
图7是表示预湿处理的第二实施方式的说明图。在第二实施方式中，与第一实施方式同样，首先，驱动旋转机构42，使晶片W旋转。在使晶片W旋转的状态下，驱动喷嘴移动机构56A，将纯水喷嘴53移动至晶片W的中心部的上方位置(参照图7(a))。接着，从纯水喷嘴53向晶片表面的中心部喷出(供给)纯水200(参照图7(b))。接着，驱动喷嘴移动机构56A，将显影喷嘴52移动至晶片W的中心部的上方位置，从显影喷嘴52向晶片表面的中心部喷出(供给)显影液100(参照图7(c))。在这种状态下，也从位于比显影喷嘴52靠向晶片W外周侧的位置的纯水喷嘴53喷出(供给)纯水200。在该状态下，驱动喷嘴移动机构56A，使显影喷嘴52和纯水喷嘴53沿着从晶片W的中心部朝向外周部的直线(半径)移动(参照图7(d))。由此，能够如上所述进行预湿处理，在该预湿处理中，由随着晶片W的旋转而向晶片W的外周侧流动的纯水200形成壁300，利用该壁300使显影液100在晶片W的旋转方向扩展(参照图5)。也可以在将显影喷嘴52和纯水喷嘴53移动至晶片W的外周侧后，一边喷出(供给)显影液100和纯水200，一边使显影喷嘴52和纯水喷嘴53沿着从晶片W的外周侧朝向晶片W的中心部的直线(半径)移动(参照图7(e))。
在上述实施方式中，显影液100的表面张力值大于被用作第二液体的纯水200。并且，与纯水200相比，显影液100具有密度大、粘性高等特性，所以能够提高晶片表面的润湿性。
也可以使用纯水以外的液体作为第二液体，但是优选为在与显影液的关系上具有上述特性的液体，即，与显影液相比，表面张力值小、密度小或粘度低等。
如上所述，在进行预湿处理之后，进行显影处理→冲洗处理→干燥处理等这一系列处理。即，首先，驱动喷嘴移动机构56A，将显影喷嘴52移动至晶片表面的中心部的上方位置，从显影喷嘴52向旋转的晶片W的表面喷出(供给)显影液100，在这种状态下，使显影喷嘴52沿着从晶片W的中心部朝向外周部的直线(半径)移动，进行显影处理。在该显影处理后，驱动喷嘴移动机构56B，将冲洗喷嘴58移动至晶片表面的中心部的上方位置，从冲洗喷嘴58向旋转的晶片W的表面喷出(供给)冲洗液，即喷出纯水，冲走晶片表面的含有抗蚀剂溶解成分的显影液，进行晶片表面的冲洗处理。在进行冲洗处理后，通过旋转机构42的驱动使晶片W高速旋转，例如使转速为2000rpm，进行甩出晶片表面液体的旋转干燥处理。
下面，参照图1和图2，简单说明使用上述涂敷、显影装置对晶片W进行处理的顺序。在此，对于在晶片W的表面形成底部反射防止膜(BARC)并在其上层涂敷无外涂层抗蚀剂的情况进行说明。首先，当收纳有例如25片晶片W的载体10被载置在载置部11上时，一起取下开关部12和载体10的盖体，利用交接单元A1取出晶片W。接着，晶片W通过构成搁板单元U1的一层的交接单元(未图示)向主搬送单元A2交接，作为涂敷处理的前处理，例如在单元(BCT)23在其表面形成底部反射防止膜(BARC)。然后，利用主搬送单元A2搬送至构成搁板单元U1～U3的一个搁板的加热处理部，进行预焙(CLHP)，再进行冷却，然后利用主搬送单元A2将晶片W搬入涂敷单元(COT)24内，在晶片W的整个表面以薄膜状涂敷无外涂层抗蚀剂。然后，利用主搬送单元A2搬送至构成搁板单元U1～U3的一个搁板的加热处理部，进行预焙(CLHP)，再进行冷却，然后经由搁板单元U3的交接单元向接口部3搬送。在该接口部3中，利用第一搬送室3A和第二搬送室3B的第一晶片搬送部30A和第二晶片搬送部30B搬送至曝光部4，曝光单元(未图示)以与晶片W的表面对置的方式配置来进行液浸曝光。结束液浸曝光后的晶片W以相反的路径被搬送至主搬送单元A3，并被搬入显影单元(DEV)25。被搬入显影单元(DEV)25的晶片W通过显影处理装置50如上所述进行预湿处理。即，在该预湿处理中，从位于晶片表面的中心部侧的显影喷嘴52喷出(供给)显影液100，同时从位于比显影喷嘴52靠向晶片W外周侧的位置的纯水喷嘴53喷出(供给)纯水200，由随着晶片W的旋转而向晶片W的外周侧流动的纯水200形成壁300，利用该壁300使显影液100在晶片W的旋转方向扩展。在进行该预湿处理之后，进行显影处理→冲洗处理→干燥处理这一系列处理，形成规定的抗蚀剂图案。
然后，晶片W利用主搬送单元A3从显影单元(DEV)25搬出，经由主搬送单元A2、交接单元A1返回载置部11上的原来的载体10，结束一系列的涂敷、显影处理。
在上述实施方式中，对于在晶片W的表面形成底部反射防止膜(BARC)并在其表面上形成有抗蚀剂层的情况进行了说明，但是即使在没有底部反射防止膜(BARC)的情况下，也能够得到与上述实施方式同样的效果。此时的处理顺序按照抗蚀剂涂敷工序→预焙工序→液浸曝光工序→后曝光焙烤工序→显影工序(预湿处理→显影处理→冲洗处理→干燥处理)的顺序进行处理。
在上述实施方式中，对于将本发明的显影处理装置用于涂敷有无外涂层抗蚀剂的晶片W的显影处理的情况进行了说明，但是本发明也适用于涂敷有无外涂层抗蚀剂以外的通常的抗蚀剂的晶片W的显影处理。并且，本发明还适用于具有拨水性高的上层保护膜的晶片W的显影处理。

Claims (22)

1.一种显影处理方法，其为使被水平保持的衬底旋转并向该衬底表面供给显影液实施显影处理的显影处理方法，其特征在于：
在所述显影处理工序之前，具备预湿工序，在该预湿工序中，从位于旋转的衬底表面的中心附近的第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的第二喷嘴供给第二液体，由随着所述衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展。
2.如权利要求1所述的显影处理方法，其特征在于：
所述第二液体是纯水。
3.如权利要求1所述的显影处理方法，其特征在于：
所述显影液的表面张力值大于所述第二液体的表面张力值。
4.如权利要求1所述的显影处理方法，其特征在于：
所述显影液的密度大于所述第二液体的密度。
5.如权利要求1所述的显影处理方法，其特征在于：
所述显影液的粘性高于所述第二液体的粘性。
6.如权利要求1所述的显影处理方法，其特征在于：
所述衬底的转速为250rpm～3000rpm。
7.如权利要求1所述的显影处理方法，其特征在于：
在同时供给所述显影液和所述第二液体之前，具备使所述第二喷嘴移动至衬底的中心部上方向衬底表面供给所述第二液体的工序。
8.一种显影处理方法，其为使被水平保持的衬底旋转并向该衬底表面供给显影液实施显影处理的显影处理方法，其特征在于：
在所述显影处理工序之前，具备预湿工序，在该预湿工序中，从位于旋转的衬底表面的中心附近的第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的第二喷嘴供给第二液体，并且，使第一喷嘴和第二喷嘴沿着连接衬底的中心部和外周部的方向移动，由随着所述衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展。
9.如权利要求8所述的显影处理方法，其特征在于：
所述第二液体是纯水。
10.如权利要求8所述的显影处理方法，其特征在于：
所述显影液的表面张力值大于所述第二液体的表面张力值。
11.如权利要求8所述的显影处理方法，其特征在于：
所述显影液的密度大于所述第二液体的密度。
12.如权利要求8所述的显影处理方法，其特征在于：
所述显影液的粘性高于所述第二液体的粘性。
13.如权利要求8所述的显影处理方法，其特征在于：
所述衬底的转速为250rpm～3000rpm。
14.如权利要求8所述的显影处理方法，其特征在于：
在同时供给所述显影液和所述第二液体之前，具备使所述第二喷嘴移动至衬底的中心部上方向衬底表面供给所述第二液体的工序。
15.一种显影处理装置，其为用于使被水平保持的衬底旋转并向该衬底表面供给显影液实施显影处理的显影处理装置，其特征在于，具备：
将衬底保持水平的衬底保持单元；
使所述衬底在水平面内旋转的旋转机构；
在所述衬底利用所述旋转机构旋转的状态下，向衬底表面供给显影液的第一喷嘴；
位于比所述第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置，向衬底表面供给第二液体的第二喷嘴；和
控制所述旋转机构、第一喷嘴和第二喷嘴的驱动的控制单元，其中，
所述控制单元使得在向所述衬底供给显影液的显影处理之前进行预湿处理，在该预湿处理中，驱动所述旋转机构，使所述衬底旋转，从位于衬底表面的中心附近的所述第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的所述第二喷嘴供给第二液体，由随着所述衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使得显影液在衬底的旋转方向扩展。
16.如权利要求15所述的显影处理装置，其特征在于：
所述第二液体是纯水。
17.如权利要求15所述的显影处理装置，其特征在于：
利用所述旋转机构的衬底的转速为250rpm～3000rpm。
18.如权利要求15所述的显影处理装置，其特征在于：
所述控制单元在使所述第一喷嘴和第二喷嘴移动、同时供给显影液和第二液体之前，使所述第二喷嘴移动至衬底的中心部上方，向衬底表面供给第二液体。
19.一种显影处理装置，其为用于使被水平保持的衬底旋转，并向该衬底表面供给显影液实施显影处理的显影处理装置，其特征在于，具备：
将衬底保持水平的衬底保持单元；
使所述衬底在水平面内旋转的旋转机构；
在所述衬底利用所述旋转机构旋转的状态下，向衬底表面供给显影液的第一喷嘴；
位于比所述第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置，向衬底表面供给第二液体的第二喷嘴；
使所述第一喷嘴和第二喷嘴沿着连接所述衬底表面的中心部和外周部的方向移动的喷嘴移动机构；和
控制所述旋转机构、喷嘴移动机构、第一喷嘴和第二喷嘴的驱动的控制单元，其中，
所述控制单元使得在向所述衬底供给显影液的显影处理之前进行预湿处理，在该预湿处理中，驱动所述旋转机构，使所述衬底旋转，从位于衬底表面的中心附近的所述第一喷嘴供给显影液，同时从位于比第一喷嘴靠向衬底外周侧的位置的所述第二喷嘴供给第二液体，并且，驱动所述喷嘴移动机构，使所述第一喷嘴和第二喷嘴沿着连接衬底的中心部和外周部的方向移动，由随着所述衬底的旋转而向衬底的外周侧流动的第二液体形成壁，利用该壁使显影液在衬底的旋转方向扩展。
20.如权利要求19所述的显影处理装置，其特征在于：
所述第二液体是纯水。
21.如权利要求19所述的显影处理装置，其特征在于：
利用所述旋转机构的衬底的转速为250rpm～3000rpm。
22.如权利要求19所述的显影处理装置，其特征在于：
所述控制单元在使所述第一喷嘴和第二喷嘴移动、同时供给显影液和第二液体之前，使所述第二喷嘴移动至衬底的中心部上方，向衬底表面供给第二液体。
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