JPH06349721A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPH06349721A JPH06349721A JP5141058A JP14105893A JPH06349721A JP H06349721 A JPH06349721 A JP H06349721A JP 5141058 A JP5141058 A JP 5141058A JP 14105893 A JP14105893 A JP 14105893A JP H06349721 A JPH06349721 A JP H06349721A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明によるレジスト塗布方法とその装置は、
ステージ１２上に載置され、真空吸着されるウェーハ１
１と、ウェーハ１１を吸着したままステージ１２ごと回
転させるスピンモーター１３と、ウェーハ１１上にレジ
ストを滴下する滴下ノズル１４及びレジストの乾燥ガス
を吹き付ける乾燥ノズル１７と、滴下ノズル１４をステ
ージ１２の上に動かし、レジスト塗布後に所定の位置に
戻す滴下ノズル駆動機構１５と、乾燥ノズル１７を駆動
する乾燥ノズル駆動機構１８とを有し、滴下ノズル１４
の滴下口と乾燥ノズル１７の吹き出し口が各々ウェーハ
１１の直径方向に長い溝状に形成されており、滴下ノズ
ル１４の溝の一部はウェーハ１１上に近接した際にウェ
ーハ１１の中心点上に位置することによりレジスト塗布
を行うことを特徴とする。 【効果】本発明によれば、レジスト使用量の削減と、ス
ループットの向上が実現されたレジスト塗布及びその装
置を提供できる。
ステージ１２上に載置され、真空吸着されるウェーハ１
１と、ウェーハ１１を吸着したままステージ１２ごと回
転させるスピンモーター１３と、ウェーハ１１上にレジ
ストを滴下する滴下ノズル１４及びレジストの乾燥ガス
を吹き付ける乾燥ノズル１７と、滴下ノズル１４をステ
ージ１２の上に動かし、レジスト塗布後に所定の位置に
戻す滴下ノズル駆動機構１５と、乾燥ノズル１７を駆動
する乾燥ノズル駆動機構１８とを有し、滴下ノズル１４
の滴下口と乾燥ノズル１７の吹き出し口が各々ウェーハ
１１の直径方向に長い溝状に形成されており、滴下ノズ
ル１４の溝の一部はウェーハ１１上に近接した際にウェ
ーハ１１の中心点上に位置することによりレジスト塗布
を行うことを特徴とする。 【効果】本発明によれば、レジスト使用量の削減と、ス
ループットの向上が実現されたレジスト塗布及びその装
置を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造方法および
装置に関するもので、特に、レジストの塗布工程に関す
るものである。
装置に関するもので、特に、レジストの塗布工程に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のレジストの塗布方法としては、ス
ピン回転式塗布装置、ロ−ラ塗布装置などが挙げられ
る。そのうちのスピン回転式塗布装置とは、水平にした
半導体基板上にレジストを滴下して基板を回転させるこ
とにより、基板上に均一なレジスト膜を形成させる装置
であり、現在、この方法が一般的に採用されている。こ
の方法で塗布すると、レジストの膜厚の均一性、安定性
やダスト・ミストの発生を抑えることができ、かなり高
い歩留まりを得ることが可能である。
ピン回転式塗布装置、ロ−ラ塗布装置などが挙げられ
る。そのうちのスピン回転式塗布装置とは、水平にした
半導体基板上にレジストを滴下して基板を回転させるこ
とにより、基板上に均一なレジスト膜を形成させる装置
であり、現在、この方法が一般的に採用されている。こ
の方法で塗布すると、レジストの膜厚の均一性、安定性
やダスト・ミストの発生を抑えることができ、かなり高
い歩留まりを得ることが可能である。
【０００３】従来のスピン回転式塗布の方法について、
図６に示した従来のスピン回転式塗布装置の斜視図を参
照しながら説明する。ウェーハ６１はステージ６２上に
真空吸着されている。このステージ６２はスピンモータ
６３に接続されており、これにより回転運動を行う構造
になっている。ウェーハ６１の上方にはレジストを滴下
するノズル６４がノズル駆動機構６５によって待機位置
から動いており、ウェーハ６１に接近する。このノズル
６４はレジストの供給を受けるとウェーハ６１上にレジ
ストの滴下を行う。そしてステ−ジ６２に吸着されたウ
ェ−ハ６１は、スピンモ−タ６３により例えば２０００
〜３０００ｒｐｍにて２０〜３０秒間程の回転を行って
レジストを乾燥させ、ウェ−ハ６１の上に所望の膜厚の
レジストを得る。尚、形成させる膜厚は回転数によって
制御する。
図６に示した従来のスピン回転式塗布装置の斜視図を参
照しながら説明する。ウェーハ６１はステージ６２上に
真空吸着されている。このステージ６２はスピンモータ
６３に接続されており、これにより回転運動を行う構造
になっている。ウェーハ６１の上方にはレジストを滴下
するノズル６４がノズル駆動機構６５によって待機位置
から動いており、ウェーハ６１に接近する。このノズル
６４はレジストの供給を受けるとウェーハ６１上にレジ
ストの滴下を行う。そしてステ−ジ６２に吸着されたウ
ェ−ハ６１は、スピンモ−タ６３により例えば２０００
〜３０００ｒｐｍにて２０〜３０秒間程の回転を行って
レジストを乾燥させ、ウェ−ハ６１の上に所望の膜厚の
レジストを得る。尚、形成させる膜厚は回転数によって
制御する。
【０００４】しかしながら、従来のスピン回転式塗布装
置を用いてウェ−ハにレジストを塗布する場合、高価な
レジストを回転時に９０％以上も振り飛ばしている為、
ウェーハ上に必要とされるレジストよりも１０倍以上の
レジストを無駄に廃棄しており、また、ウェ−ハのサイ
ズが大きくなるに従って均一な膜厚が得にくくなるとい
う難点があり、ウェーハ上に形成されたレジスト膜の信
頼性を最重視する為に、同時に装置に於けるウェ−ハの
単位時間当りの処理枚数、つまり、スループットの改善
を図ることが難しいという問題があった。
置を用いてウェ−ハにレジストを塗布する場合、高価な
レジストを回転時に９０％以上も振り飛ばしている為、
ウェーハ上に必要とされるレジストよりも１０倍以上の
レジストを無駄に廃棄しており、また、ウェ−ハのサイ
ズが大きくなるに従って均一な膜厚が得にくくなるとい
う難点があり、ウェーハ上に形成されたレジスト膜の信
頼性を最重視する為に、同時に装置に於けるウェ−ハの
単位時間当りの処理枚数、つまり、スループットの改善
を図ることが難しいという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従
来、レジストの塗布を行う際、スピン回転式装置で行う
とレジストに無駄に廃棄しなければならないという問題
があった。本発明は、前述の問題点を鑑み、レジスト使
用量の削減と共にスループットの向上を図る装置を提供
する。
来、レジストの塗布を行う際、スピン回転式装置で行う
とレジストに無駄に廃棄しなければならないという問題
があった。本発明は、前述の問題点を鑑み、レジスト使
用量の削減と共にスループットの向上を図る装置を提供
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、ウェーハを載置するステージと、この
ステージを回転させる回転機構と、前記ウェーハ上にレ
ジストを滴下する滴下ノズルと、前記ウェーハ上にレジ
ストの乾燥ガスを吹き付ける乾燥ノズルとを有し、前記
滴下ノズルの滴下口と前記乾燥ノズルの吹き出し口が各
々、ウェーハの直径方向に長い溝状に形成されており、
前記滴下ノズルの溝の一部は前記ウェーハ上に近接した
際に前記ウェーハの中心点上に位置することによりレジ
スト塗布を行うことを特徴とするレジスト塗布装置を提
供する。
に、本発明では、ウェーハを載置するステージと、この
ステージを回転させる回転機構と、前記ウェーハ上にレ
ジストを滴下する滴下ノズルと、前記ウェーハ上にレジ
ストの乾燥ガスを吹き付ける乾燥ノズルとを有し、前記
滴下ノズルの滴下口と前記乾燥ノズルの吹き出し口が各
々、ウェーハの直径方向に長い溝状に形成されており、
前記滴下ノズルの溝の一部は前記ウェーハ上に近接した
際に前記ウェーハの中心点上に位置することによりレジ
スト塗布を行うことを特徴とするレジスト塗布装置を提
供する。
【０００７】また、前記滴下口と前記吹き出し口が、ウ
ェーハの半径、或いはそれ以上の幅であり、前記滴下口
の溝の一端が前記ウェーハの中心点上に位置し、前記ウ
ェーハを１回転あるいはそれ以上回転させる事でレジス
トの転写と乾燥を行うことを特徴とするレジスト塗布装
置を提供する。
ェーハの半径、或いはそれ以上の幅であり、前記滴下口
の溝の一端が前記ウェーハの中心点上に位置し、前記ウ
ェーハを１回転あるいはそれ以上回転させる事でレジス
トの転写と乾燥を行うことを特徴とするレジスト塗布装
置を提供する。
【０００８】また、前記滴下口と前記吹き出し口が、ウ
ェーハの直径、或いはそれ以上の幅であり、前記滴下口
の溝の中点が前記ウェーハの中心点上に位置し、前記ウ
ェーハを１／２回転あるいはそれ以上回転させる事でレ
ジストの転写と乾燥を行うことを特徴とするレジスト塗
布装置を提供する。
ェーハの直径、或いはそれ以上の幅であり、前記滴下口
の溝の中点が前記ウェーハの中心点上に位置し、前記ウ
ェーハを１／２回転あるいはそれ以上回転させる事でレ
ジストの転写と乾燥を行うことを特徴とするレジスト塗
布装置を提供する。
【０００９】また、前記乾燥ガスには不活性ガスを使用
し、前記回転機構により前記ウェ−ハを回転させて、前
記滴下口によるレジストの滴下、転写とともに、その後
を前記乾燥ノズルからの乾燥ガスによりレジスト中の溶
剤を揮発、乾燥させることで所定の膜厚を得ることを特
徴とするレジスト塗布装置を提供する。
し、前記回転機構により前記ウェ−ハを回転させて、前
記滴下口によるレジストの滴下、転写とともに、その後
を前記乾燥ノズルからの乾燥ガスによりレジスト中の溶
剤を揮発、乾燥させることで所定の膜厚を得ることを特
徴とするレジスト塗布装置を提供する。
【００１０】
【作用】上述したように構成された本発明のレジスト塗
布装置によれば、回転時におけるレジストの無駄な振り
飛ばしが削減され、また、ウェーハのサイズによらずに
一定の膜厚でレジストを塗布することが可能になる。
布装置によれば、回転時におけるレジストの無駄な振り
飛ばしが削減され、また、ウェーハのサイズによらずに
一定の膜厚でレジストを塗布することが可能になる。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例のスピン回転式塗布装置及
びレジスト塗布方法について、図１〜図５を参照しなが
ら以下に説明する。図１は本発明によるスピン回転式塗
布装置の一実施例を示した斜視図である。この図１を参
照しながら、スピン回転式塗布装置及びレジスト塗布作
動について説明する。まず、ウェーハ１１をステージ１
２上に載置し、真空吸着させてステージ１２上に固定さ
せる。このステージ１２はその下のスピンモータ１３に
接続されており、これによってウェーハ１１の回転運動
が行われる。
びレジスト塗布方法について、図１〜図５を参照しなが
ら以下に説明する。図１は本発明によるスピン回転式塗
布装置の一実施例を示した斜視図である。この図１を参
照しながら、スピン回転式塗布装置及びレジスト塗布作
動について説明する。まず、ウェーハ１１をステージ１
２上に載置し、真空吸着させてステージ１２上に固定さ
せる。このステージ１２はその下のスピンモータ１３に
接続されており、これによってウェーハ１１の回転運動
が行われる。
【００１２】ウェーハ１１の上方にはレジストを滴下す
る滴下ノズル１４があり、滴下ノズル１４からレジスト
挿入管１６を介して接続された滴下ノズル駆動機構１５
によって、待機位置から動いてウェーハ１１近傍に接近
させることが出来るようになっている。この動作はウェ
ーハや目的に応じた微調整が可能になっている。また、
この滴下ノズル１４はウェーハ１１上面に対して長手方
向が平行に設定された直方体状となっている。
る滴下ノズル１４があり、滴下ノズル１４からレジスト
挿入管１６を介して接続された滴下ノズル駆動機構１５
によって、待機位置から動いてウェーハ１１近傍に接近
させることが出来るようになっている。この動作はウェ
ーハや目的に応じた微調整が可能になっている。また、
この滴下ノズル１４はウェーハ１１上面に対して長手方
向が平行に設定された直方体状となっている。
【００１３】この滴下ノズル１４が、滴下ノズル駆動機
構１５側にあるレジスト挿入管１６の挿入口からレジス
トの供給を受けると、図１中の矢印（Ａ）の方向にレジ
ストがレジスト挿入管１６内を移動して、滴下ノズル１
４内部を長手方向に広がり、滴下ノズル１４の下部に長
手方向にスリット状に入っている溝に沿ってウェーハ上
に滴下されることとなる。その際、滴下範囲は滴下ノズ
ル１４の溝の長さによって決定されるが、それはウェー
ハ１１の半径もしくは直径に見合った長さを持つよう
に、ウェーハ種に応じて最初に設定されている。また、
レジストを塗布した後の膜厚は、ウェ−ハの径に対応し
ている溝の長さに対して直角に位置している溝の厚みに
比例するものであり、マイクロゲージ等による微小調整
が可能である。
構１５側にあるレジスト挿入管１６の挿入口からレジス
トの供給を受けると、図１中の矢印（Ａ）の方向にレジ
ストがレジスト挿入管１６内を移動して、滴下ノズル１
４内部を長手方向に広がり、滴下ノズル１４の下部に長
手方向にスリット状に入っている溝に沿ってウェーハ上
に滴下されることとなる。その際、滴下範囲は滴下ノズ
ル１４の溝の長さによって決定されるが、それはウェー
ハ１１の半径もしくは直径に見合った長さを持つよう
に、ウェーハ種に応じて最初に設定されている。また、
レジストを塗布した後の膜厚は、ウェ−ハの径に対応し
ている溝の長さに対して直角に位置している溝の厚みに
比例するものであり、マイクロゲージ等による微小調整
が可能である。
【００１４】ウェーハ１１上に近接した滴下ノズル１４
は、その溝をウェーハ１１の中心を通る線上に位置決め
して、両端がウェーハ１１の外端部分に位置するように
セットする。ウェーハの半径に合った溝をもつ滴下ノズ
ル１４の場合は滴下ノズル１４の一端をウェーハ１１の
中心に、もう一端をウェーハ１１外端部分にセットす
る。
は、その溝をウェーハ１１の中心を通る線上に位置決め
して、両端がウェーハ１１の外端部分に位置するように
セットする。ウェーハの半径に合った溝をもつ滴下ノズ
ル１４の場合は滴下ノズル１４の一端をウェーハ１１の
中心に、もう一端をウェーハ１１外端部分にセットす
る。
【００１５】滴下ノズル１４と同様に、乾燥ノズル１７
は、レジストの滴下ノズル１４と共に乾燥ノズル駆動機
構１８から乾燥ガス挿入管１９を介してウェーハ１１上
に接近しており、滴下ノズル１４に近接するように位置
決めされる。このとき、乾燥ノズル１７を滴下ノズル１
４に接着させた状態にして、滴下ノズル１４と同じ駆動
系で駆動されていても差支えない。
は、レジストの滴下ノズル１４と共に乾燥ノズル駆動機
構１８から乾燥ガス挿入管１９を介してウェーハ１１上
に接近しており、滴下ノズル１４に近接するように位置
決めされる。このとき、乾燥ノズル１７を滴下ノズル１
４に接着させた状態にして、滴下ノズル１４と同じ駆動
系で駆動されていても差支えない。
【００１６】上述の位置決めが終わるとレジスト及び乾
燥ガスの供給が行われ、塗布工程が完了となるが、その
工程には大きく分けて２種類の方法がある。以下に各々
に付いて説明する。
燥ガスの供給が行われ、塗布工程が完了となるが、その
工程には大きく分けて２種類の方法がある。以下に各々
に付いて説明する。
【００１７】まず一つ目の方法は、滴下ノズル１４の溝
からレジストが滴下されると同時にステ−ジ１２が回転
機構であるスピンンモ−タ１３により低速回転を始め、
滴下ノズル１４の設定が半径の場合は１回転、直径の場
合は１／２回転、もしくはそれ以上回転し、ウェーハ１
１全面にレジストを転写する。そして、レジストの滴下
の開始と同時に乾燥ノズル駆動機構１８側の乾燥ガスの
挿入口から乾燥ガス挿入管１９を介して乾燥ガスが供給
され、乾燥ノズル１７からＮ2 等の不活性ガスが吹き出
し、滴下されたレジストをすぐに乾燥させ始める。この
回転は、例えば１ｒｐｍ等の低速で行われ、又、レジス
トの供給は滴下ノズル１４の設定に応じて、溝の長さが
半径の場合は１回転、直径の場合は１／２回転で完了し
て良いが、乾燥の工程は続けて更に１〜２回転、つまり
合計で２〜３回転させても差支えない。これにより、従
来は２０００〜３０００回転で１分間以上かかっていた
工程時間が大幅に短縮され、低消費電力で、且つ、ウェ
−ハサイズに関わらず均一な膜厚を持ち、スル−プット
の向上が実現された工程とすることが出来る。
からレジストが滴下されると同時にステ−ジ１２が回転
機構であるスピンンモ−タ１３により低速回転を始め、
滴下ノズル１４の設定が半径の場合は１回転、直径の場
合は１／２回転、もしくはそれ以上回転し、ウェーハ１
１全面にレジストを転写する。そして、レジストの滴下
の開始と同時に乾燥ノズル駆動機構１８側の乾燥ガスの
挿入口から乾燥ガス挿入管１９を介して乾燥ガスが供給
され、乾燥ノズル１７からＮ2 等の不活性ガスが吹き出
し、滴下されたレジストをすぐに乾燥させ始める。この
回転は、例えば１ｒｐｍ等の低速で行われ、又、レジス
トの供給は滴下ノズル１４の設定に応じて、溝の長さが
半径の場合は１回転、直径の場合は１／２回転で完了し
て良いが、乾燥の工程は続けて更に１〜２回転、つまり
合計で２〜３回転させても差支えない。これにより、従
来は２０００〜３０００回転で１分間以上かかっていた
工程時間が大幅に短縮され、低消費電力で、且つ、ウェ
−ハサイズに関わらず均一な膜厚を持ち、スル−プット
の向上が実現された工程とすることが出来る。
【００１８】次に、二つ目の方法としては、１ｒｐｍ等
の低速で、滴下ノズル１４の溝の長さが半径の場合は１
回転若しくはそれ以上、又、直径の場合は１／２回転若
しくはそれ以上の回転により必要量のレジストの転写を
行ってレジストの供給をストップさせた後、乾燥のみを
行うものである。この場合の乾燥工程は、１ｒｐｍにて
乾燥ガスを吹き付け、２〜３回転させるものと、回転の
みを２０００〜４０００ｒｐｍで１０〜２０秒間行うも
のとの二通りが挙げられる。転写がウェ−ハ全面を覆う
形で既に完了している為、回転により吹き飛ぶレジスト
は最少限となる。又、特に転写の工程と乾燥の工程とを
分けて乾燥を後から行う場合は、多少のレジストが転写
されたレジストの前層上部にかかっても差支えなく、ウ
ェ−ハサイズに関わらず塗り斑の無い均一な膜厚を得る
ことが出来るので、処理時間の短縮に加えて、信頼性の
向上と同時にスル−プットの改善が実現された工程とす
ることが出来る。
の低速で、滴下ノズル１４の溝の長さが半径の場合は１
回転若しくはそれ以上、又、直径の場合は１／２回転若
しくはそれ以上の回転により必要量のレジストの転写を
行ってレジストの供給をストップさせた後、乾燥のみを
行うものである。この場合の乾燥工程は、１ｒｐｍにて
乾燥ガスを吹き付け、２〜３回転させるものと、回転の
みを２０００〜４０００ｒｐｍで１０〜２０秒間行うも
のとの二通りが挙げられる。転写がウェ−ハ全面を覆う
形で既に完了している為、回転により吹き飛ぶレジスト
は最少限となる。又、特に転写の工程と乾燥の工程とを
分けて乾燥を後から行う場合は、多少のレジストが転写
されたレジストの前層上部にかかっても差支えなく、ウ
ェ−ハサイズに関わらず塗り斑の無い均一な膜厚を得る
ことが出来るので、処理時間の短縮に加えて、信頼性の
向上と同時にスル−プットの改善が実現された工程とす
ることが出来る。
【００１９】上述の二通りの塗布方法は共に、塗布が完
了すると滴下ノズル１４と乾燥ノズル１７は待機位置に
戻り、レジスト塗布工程を完了する。転写されたウェー
ハ１１はこの時点ですでに所望の膜厚になっており、再
度高速スピンを行う必要もなく、そのままレジストの硬
化熱処理に進む。
了すると滴下ノズル１４と乾燥ノズル１７は待機位置に
戻り、レジスト塗布工程を完了する。転写されたウェー
ハ１１はこの時点ですでに所望の膜厚になっており、再
度高速スピンを行う必要もなく、そのままレジストの硬
化熱処理に進む。
【００２０】次に、図２に示したスピン回転式塗布装置
のステージ回転機構の断面図について説明する。ウェ−
ハ１１はその下のステージ１２に固定され、スピンモー
タ１３によって回転される。滴下ノズル１４はそのウェ
−ハ側に面した下端からレジストを供給するが、下端部
分により形成される直線の一端或いは中点がウェ−ハ１
１の中心点上になるように設定される。レジスト及びＮ
2 等からなる乾燥ガスは図２中の矢印のように、各々レ
ジスト挿入管１６、乾燥ガス挿入管１９内を移動して滴
下ノズル１４、乾燥ノズル１７を介してレジスト滴下及
び乾燥ガス吹き出しを行う。
のステージ回転機構の断面図について説明する。ウェ−
ハ１１はその下のステージ１２に固定され、スピンモー
タ１３によって回転される。滴下ノズル１４はそのウェ
−ハ側に面した下端からレジストを供給するが、下端部
分により形成される直線の一端或いは中点がウェ−ハ１
１の中心点上になるように設定される。レジスト及びＮ
2 等からなる乾燥ガスは図２中の矢印のように、各々レ
ジスト挿入管１６、乾燥ガス挿入管１９内を移動して滴
下ノズル１４、乾燥ノズル１７を介してレジスト滴下及
び乾燥ガス吹き出しを行う。
【００２１】図３は、本発明における滴下ノズル１４、
乾燥ノズル１７によるレジストの塗布エリア及び滴下・
乾燥エリアの例を示すウェ−ハの斜視図である。この図
は、ノズルがウェ−ハ１１の直径に合わせて設定されて
いる場合を示しており、ノズルがａ−ｂ線上から回転を
スタ−トし、ａ´−ｂ´線上にある状態を表している。
塗布エリア３１を示す斜線の部分は、滴下ノズル１４に
よるレジスト滴下の後、乾燥ノズル１７による乾燥ガス
の吹き出しを完了した部分を表している。ウェ−ハ１１
が右回りに回転することによって、側面から見たときに
ノズルに向かって左側にレジストが塗布された部分が出
来て行く様になる。また、滴下ノズル１４及び乾燥ノズ
ル１７の左右の位置関係を逆に設定した場合、ウェ−ハ
は左回りに回転するように設定すれば良い。また、滴下
・乾燥エリア３２を示す二重斜線の部分の上部には、滴
下ノズル１４及び乾燥ノズル１７が存在することとな
る。
乾燥ノズル１７によるレジストの塗布エリア及び滴下・
乾燥エリアの例を示すウェ−ハの斜視図である。この図
は、ノズルがウェ−ハ１１の直径に合わせて設定されて
いる場合を示しており、ノズルがａ−ｂ線上から回転を
スタ−トし、ａ´−ｂ´線上にある状態を表している。
塗布エリア３１を示す斜線の部分は、滴下ノズル１４に
よるレジスト滴下の後、乾燥ノズル１７による乾燥ガス
の吹き出しを完了した部分を表している。ウェ−ハ１１
が右回りに回転することによって、側面から見たときに
ノズルに向かって左側にレジストが塗布された部分が出
来て行く様になる。また、滴下ノズル１４及び乾燥ノズ
ル１７の左右の位置関係を逆に設定した場合、ウェ−ハ
は左回りに回転するように設定すれば良い。また、滴下
・乾燥エリア３２を示す二重斜線の部分の上部には、滴
下ノズル１４及び乾燥ノズル１７が存在することとな
る。
【００２２】図４は、本発明による滴下ノズル１４と乾
燥ノズル１７の斜視図を示している。各々のノズル内部
に透視した形で描かれている点線部分が、それぞれ、レ
ジストの滴下を行う溝４１ａ及びＮ2 等からなる乾燥ガ
スの吹き出しを行う溝４１ｂを示している。溝４１ａ及
び４１ｂの幅ｌは、塗布する対象のウェ−ハの直径或い
は半径に見合うように、目的に応じて設定される。
燥ノズル１７の斜視図を示している。各々のノズル内部
に透視した形で描かれている点線部分が、それぞれ、レ
ジストの滴下を行う溝４１ａ及びＮ2 等からなる乾燥ガ
スの吹き出しを行う溝４１ｂを示している。溝４１ａ及
び４１ｂの幅ｌは、塗布する対象のウェ−ハの直径或い
は半径に見合うように、目的に応じて設定される。
【００２３】図５は滴下ノズル１４と乾燥ノズル１７の
断面図を示している。レジストを滴下する溝４１ａの厚
みは、レジスト膜厚マイクロゲージ等による微小調整が
可能である。向かって右側にレジスト用の滴下ノズル１
４が、又、左側には乾燥ガス用の乾燥ノズル１７が設定
されている。この図５に図示した様な場合、図面の手前
側がウェ−ハ１１の外殻側とすると、ウェ−ハ１１が右
回りに回転するので図５のように左側に転写、塗布され
ていくこととなる。
断面図を示している。レジストを滴下する溝４１ａの厚
みは、レジスト膜厚マイクロゲージ等による微小調整が
可能である。向かって右側にレジスト用の滴下ノズル１
４が、又、左側には乾燥ガス用の乾燥ノズル１７が設定
されている。この図５に図示した様な場合、図面の手前
側がウェ−ハ１１の外殻側とすると、ウェ−ハ１１が右
回りに回転するので図５のように左側に転写、塗布され
ていくこととなる。
【００２４】以上のように、本発明によれば、スピン回
転によるレジストの振り切りをなくすことができ、ウェ
ーハ１１に転写するレジストの量を必要最小限に抑える
ことができ、従来のスピン回転式塗布装置に比べて、滴
下量の削減ができる。
転によるレジストの振り切りをなくすことができ、ウェ
ーハ１１に転写するレジストの量を必要最小限に抑える
ことができ、従来のスピン回転式塗布装置に比べて、滴
下量の削減ができる。
【００２５】また、あらかじめウェーハ半径方向に均一
に伸ばされた滴下ノズルを使用する為、初めから所望の
膜厚が得られ、その後すぐに乾燥させることで濡れた状
態が長く続いたときのようにレジストの流動による乾燥
むらも無くなり、問題となる膜厚の均一性も向上する。
更に、ウェ−ハが一回転もしくは半回転程度の回転時間
で塗布が完了するために、スループットの向上を図るこ
とが出来る。
に伸ばされた滴下ノズルを使用する為、初めから所望の
膜厚が得られ、その後すぐに乾燥させることで濡れた状
態が長く続いたときのようにレジストの流動による乾燥
むらも無くなり、問題となる膜厚の均一性も向上する。
更に、ウェ−ハが一回転もしくは半回転程度の回転時間
で塗布が完了するために、スループットの向上を図るこ
とが出来る。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、レジスト使用量の削減
と、スループットの向上が実現されたレジスト塗布及び
その装置を提供できる。
と、スループットの向上が実現されたレジスト塗布及び
その装置を提供できる。
【図１】本発明によるスピン回転式塗布装置の一実施例
の斜視図、
の斜視図、
【図２】本発明によるスピン回転式塗布装置の一実施例
の断面図、
の断面図、
【図３】本発明によるスピン回転式塗布装置における塗
布エリア及び滴下・乾燥エリアを示す斜視図、
布エリア及び滴下・乾燥エリアを示す斜視図、
【図４】本発明によるスピン回転式塗布装置の一実施例
における滴下ノズルと乾燥ノズルの斜視図、
における滴下ノズルと乾燥ノズルの斜視図、
【図５】本発明によるスピン回転式塗布装置の一実施例
における滴下ノズルと乾燥ノズルの断面図、
における滴下ノズルと乾燥ノズルの断面図、
【図６】従来のスピン回転式塗布装置を示す斜視図。
１１ ウェーハ １２ ステージ １３ スピンモータ １４ 滴下ノズル １５ 滴下ノズル駆動機構 １６ レジスト挿入管 １７ 乾燥ノズル １８ 乾燥ノズル駆動機構 １９ 乾燥ガス挿入管
フロントページの続き (72)発明者 内田 博 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェーハを載置するステージと、 このステージを回転させる回転機構と、 前記ウェーハ上にレジストを滴下する滴下ノズルと、 前記ウェーハ上にレジストの乾燥ガスを吹き付ける乾燥
ノズルとを有し、 前記滴下ノズルの滴下口と前記乾燥ノズルの吹き出し口
が各々、ウェーハの直径方向に長い溝状に形成されてお
り、前記滴下ノズルの溝の一部は前記ウェーハ上に近接
した際に前記ウェーハの中心点上に位置することにより
レジスト塗布を行うことを特徴とするレジスト塗布装
置。 - 【請求項２】 前記滴下口と前記吹き出し口が、ウェー
ハの半径、或いはそれ以上の幅であり、前記滴下口の溝
の一端が前記ウェーハの中心点上に位置し、前記ウェー
ハを１回転あるいはそれ以上回転させる事でレジストの
転写と乾燥を行うことを特徴とする請求項１記載のレジ
スト塗布装置。 - 【請求項３】 前記滴下口と前記吹き出し口が、ウェー
ハの直径、或いはそれ以上の幅であり、前記滴下口の溝
の中点が前記ウェーハの中心点上に位置し、前記ウェー
ハを１／２回転あるいはそれ以上回転させる事でレジス
トの転写と乾燥を行うことを特徴とする請求項１記載の
レジスト塗布装置。 - 【請求項４】 前記乾燥ガスには不活性ガスを使用し、
前記回転機構により前記ウェ−ハを回転させて、前記滴
下口によるレジストの滴下、転写を行うとともに、その
後を前記乾燥ノズルからの乾燥ガスによりレジスト中の
溶剤を揮発、乾燥させることで所定の膜厚を得ることを
特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14105893A JP3194815B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14105893A JP3194815B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | レジスト塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349721A true JPH06349721A (ja) | 1994-12-22 |
| JP3194815B2 JP3194815B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=15283276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14105893A Expired - Fee Related JP3194815B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194815B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1057877A (ja) * | 1996-05-07 | 1998-03-03 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| JP2003337552A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-11-28 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法及びデバイス製造装置、デバイス及び電子機器 |
| JP2008253937A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 液状樹脂の塗布方法および塗布装置 |
| KR100923022B1 (ko) * | 2002-06-14 | 2009-10-22 | 삼성전자주식회사 | 감광물질 코팅 방법 및 장치 |
| CN107689339A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 激光退火设备 |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP14105893A patent/JP3194815B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6672319B2 (en) | 1999-07-14 | 2004-01-06 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6860279B2 (en) | 1999-07-14 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
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| KR100923022B1 (ko) * | 2002-06-14 | 2009-10-22 | 삼성전자주식회사 | 감광물질 코팅 방법 및 장치 |
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| US10665454B2 (en) | 2017-08-21 | 2020-05-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Laser annealing apparatus and laser annealing method for substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3194815B2 (ja) | 2001-08-06 |
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