JP2000153212A - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
塗布装置及び塗布方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布液の使用量を少なくする。
【解決手段】 被処理体であるガラス基板Gを保持しつ
つ回転するスピンチャック28と、前記スピンチャック
28により保持され回転されるガラス基板G上のほぼ回
転中心に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル74と、前
記塗布液吐出ノズル74に対して塗布液を供給する塗布
液供給機構80とを有する塗布装置に、塗布液吐出ノズ
ル74からの塗布液の吐出量を制御する吐出量制御部8
3を付設する。これにより、塗布液の吐出量を、例え
ば、吐出開始後、徐々に少なくなるように制御できるた
め、塗布液の無駄を少なくすることができる。
つ回転するスピンチャック28と、前記スピンチャック
28により保持され回転されるガラス基板G上のほぼ回
転中心に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル74と、前
記塗布液吐出ノズル74に対して塗布液を供給する塗布
液供給機構80とを有する塗布装置に、塗布液吐出ノズ
ル74からの塗布液の吐出量を制御する吐出量制御部8
3を付設する。これにより、塗布液の吐出量を、例え
ば、吐出開始後、徐々に少なくなるように制御できるた
め、塗布液の無駄を少なくすることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ(Liquid Crystal Display:LCD)に使われる
ガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置及び塗布
方法に関する。
プレイ(Liquid Crystal Display:LCD)に使われる
ガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置及び塗布
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LCDの製造工程においては、LCD用
のガラス基板上にITO(Indium TinOxide)の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジス
トを基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
のガラス基板上にITO(Indium TinOxide)の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジス
トを基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【0003】このようなレジスト塗布工程では、ガラス
基板Gを回転させながらその上にレジスト液を滴下する
ことが従来から行われている。
基板Gを回転させながらその上にレジスト液を滴下する
ことが従来から行われている。
【0004】図7は従来のレジスト塗布装置の一例を示
す正面図、図8はその平面図である。これらの図に示す
ように、ガラス基板Gを搬出入するための開口部101
が上部に設けられたカップ102内にガラス基板Gを真
空吸着保持するスピンチャック103が配置されてお
り、スピンチャック103は図示を省略した回転駆動機
構により回転されるようになっている。そして、ガラス
基板Gをスピンチャック103上に真空吸着保持した
後、ノズル104をガラス基板Gのほぼ中心の上方に位
置させ、ノズル104からガラス基板Gの上面にレジス
ト液を吐出するようになっている。
す正面図、図8はその平面図である。これらの図に示す
ように、ガラス基板Gを搬出入するための開口部101
が上部に設けられたカップ102内にガラス基板Gを真
空吸着保持するスピンチャック103が配置されてお
り、スピンチャック103は図示を省略した回転駆動機
構により回転されるようになっている。そして、ガラス
基板Gをスピンチャック103上に真空吸着保持した
後、ノズル104をガラス基板Gのほぼ中心の上方に位
置させ、ノズル104からガラス基板Gの上面にレジス
ト液を吐出するようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
レジスト液は、吐出開始時から吐出終了まで、通常、一
定量で吐出されている。これは、レジスト液を多めに供
給することで、ガラス基板Gの全面に亘り、かつ均一な
厚みで塗布しようとするためであるが、ガラス基板G上
に供給されたレジスト液の大半がガラス基板G外周から
零れ落ちるため、大半のレジスト液が無駄になるという
課題がある。
レジスト液は、吐出開始時から吐出終了まで、通常、一
定量で吐出されている。これは、レジスト液を多めに供
給することで、ガラス基板Gの全面に亘り、かつ均一な
厚みで塗布しようとするためであるが、ガラス基板G上
に供給されたレジスト液の大半がガラス基板G外周から
零れ落ちるため、大半のレジスト液が無駄になるという
課題がある。
【0006】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたもので、塗布液の使用量を少なくすることが
できる塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とす
る。
になされたもので、塗布液の使用量を少なくすることが
できる塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項1記載の本発明の塗布装置は、被処理体を保
持しつつ回転する保持回転部材と、前記保持回転部材に
より保持され回転される被処理体上のほぼ回転中心に塗
布液を吐出する塗布液吐出ノズルと、前記塗布液吐出ノ
ズルに対して塗布液を供給する塗布液供給機構と、前記
塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を制御する吐出
量制御部とを具備する。
め、請求項1記載の本発明の塗布装置は、被処理体を保
持しつつ回転する保持回転部材と、前記保持回転部材に
より保持され回転される被処理体上のほぼ回転中心に塗
布液を吐出する塗布液吐出ノズルと、前記塗布液吐出ノ
ズルに対して塗布液を供給する塗布液供給機構と、前記
塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を制御する吐出
量制御部とを具備する。
【0008】請求項2記載の本発明の塗布装置は、請求
項1記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を、吐出開始
後、徐々に段階的に少なくなるように制御することを特
徴とする。
項1記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を、吐出開始
後、徐々に段階的に少なくなるように制御することを特
徴とする。
【0009】請求項3記載の本発明の塗布装置は、請求
項1記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を、吐出開始
時から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の量
とし、その後、徐々に少なくなるように制御することを
特徴とする。
項1記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を、吐出開始
時から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の量
とし、その後、徐々に少なくなるように制御することを
特徴とする。
【0010】請求項4記載の本発明の塗布装置は、請求
項1記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量を、吐出開始時
から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の量と
し、その後、徐々に少なくなるように制御し、さらに、
吐出停止前に、再度吐出量が増大するように制御するこ
とを特徴とする。
項1記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量を、吐出開始時
から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の量と
し、その後、徐々に少なくなるように制御し、さらに、
吐出停止前に、再度吐出量が増大するように制御するこ
とを特徴とする。
【0011】請求項5記載の本発明の塗布装置は、被処
理体を保持しつつ回転する保持回転部材と、前記保持回
転部材により保持され回転される被処理体上のほぼ回転
中心に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズルと、前記塗布
液吐出ノズルに対して塗布液を供給する塗布液供給機構
と、前記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を制御
する吐出量制御部と、前記吐出量制御部による吐出量の
制御に同期して、前記保持回転部材による被処理体の回
転速度を制御する回転速度制御部とを具備する。
理体を保持しつつ回転する保持回転部材と、前記保持回
転部材により保持され回転される被処理体上のほぼ回転
中心に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズルと、前記塗布
液吐出ノズルに対して塗布液を供給する塗布液供給機構
と、前記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を制御
する吐出量制御部と、前記吐出量制御部による吐出量の
制御に同期して、前記保持回転部材による被処理体の回
転速度を制御する回転速度制御部とを具備する。
【0012】請求項6記載の本発明の塗布装置は、請求
項5記載の塗布装置であって、前記回転速度制御部が、
少なくとも前記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が
徐々に少なくなるように制御されているときは、前記保
持回転部材による被処理体の回転速度が定速となるよう
に制御することを特徴とする。
項5記載の塗布装置であって、前記回転速度制御部が、
少なくとも前記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が
徐々に少なくなるように制御されているときは、前記保
持回転部材による被処理体の回転速度が定速となるよう
に制御することを特徴とする。
【0013】請求項7記載の本発明の塗布装置は、請求
項5記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を、吐出開始
時から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の量
とし、その後、徐々に少なくなるように制御し、前記回
転速度制御部が、前記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐
出量が所定の量のときは、前記保持回転部材による被処
理体の回転速度が加速状態となるように制御し、前記塗
布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が徐々に少なくなる
ように制御されているときは、前記保持回転部材による
被処理体の回転速度が定速となるように制御することを
特徴とする。
項5記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を、吐出開始
時から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の量
とし、その後、徐々に少なくなるように制御し、前記回
転速度制御部が、前記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐
出量が所定の量のときは、前記保持回転部材による被処
理体の回転速度が加速状態となるように制御し、前記塗
布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が徐々に少なくなる
ように制御されているときは、前記保持回転部材による
被処理体の回転速度が定速となるように制御することを
特徴とする。
【0014】請求項8記載の本発明の塗布装置は、請求
項5記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量を、吐出開始時
から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の量と
し、その後、徐々に少なくなるように制御し、さらに、
吐出停止前に、再度吐出量が増大するように制御し、前
記回転速度制御部が、前記塗布液吐出ノズルへの塗布液
の吐出量が所定の量のときは、前記保持回転部材による
被処理体の回転速度が加速状態となるように制御し、前
記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が徐々に少なく
なるように制御されているときは、前記保持回転部材に
よる被処理体の回転速度が定速となるように制御し、前
記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が再度増大する
ように制御されているときは、前記保持回転部材による
被処理体の回転速度が減速状態となるように制御するこ
とを特徴とする。
項5記載の塗布装置であって、前記吐出量制御部が、前
記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量を、吐出開始時
から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の量と
し、その後、徐々に少なくなるように制御し、さらに、
吐出停止前に、再度吐出量が増大するように制御し、前
記回転速度制御部が、前記塗布液吐出ノズルへの塗布液
の吐出量が所定の量のときは、前記保持回転部材による
被処理体の回転速度が加速状態となるように制御し、前
記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が徐々に少なく
なるように制御されているときは、前記保持回転部材に
よる被処理体の回転速度が定速となるように制御し、前
記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が再度増大する
ように制御されているときは、前記保持回転部材による
被処理体の回転速度が減速状態となるように制御するこ
とを特徴とする。
【0015】請求項9記載の本発明の塗布方法は、回転
する被処理体上のほぼ回転中心に塗布液を吐出すること
で被処理体上に塗布液を塗布する方法であって、前記被
処理体上に吐出される塗布液の吐出量を制御することを
特徴とする。
する被処理体上のほぼ回転中心に塗布液を吐出すること
で被処理体上に塗布液を塗布する方法であって、前記被
処理体上に吐出される塗布液の吐出量を制御することを
特徴とする。
【0016】請求項10記載の本発明の塗布方法は、請
求項9記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐出
される塗布液の吐出量を、吐出開始後、徐々にまたは段
階的に少なくなるように制御することを特徴とする。
求項9記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐出
される塗布液の吐出量を、吐出開始後、徐々にまたは段
階的に少なくなるように制御することを特徴とする。
【0017】請求項11記載の本発明の塗布方法は、請
求項9記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐出
される塗布液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被処
理体上全体に広がるまでは所定の量とし、その後、徐々
に少なくなるように制御することを特徴とする。
求項9記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐出
される塗布液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被処
理体上全体に広がるまでは所定の量とし、その後、徐々
に少なくなるように制御することを特徴とする。
【0018】請求項12記載の本発明の塗布方法は、請
求項9記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐出
される塗布液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被処
理体上全体に広がるまでは所定の量とし、その後、徐々
に少なくなるように制御し、さらに、吐出停止前に、再
度吐出量が増大するように制御することを特徴とする。
求項9記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐出
される塗布液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被処
理体上全体に広がるまでは所定の量とし、その後、徐々
に少なくなるように制御し、さらに、吐出停止前に、再
度吐出量が増大するように制御することを特徴とする。
【0019】請求項13記載の本発明の塗布方法は、回
転する被処理体上のほぼ回転中心に塗布液を吐出するこ
とで被処理体上に塗布液を塗布する方法であって、前記
被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を制御すると共
に、前記吐出量の制御に同期して、前記被処理体の回転
速度を制御することを特徴とする。
転する被処理体上のほぼ回転中心に塗布液を吐出するこ
とで被処理体上に塗布液を塗布する方法であって、前記
被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を制御すると共
に、前記吐出量の制御に同期して、前記被処理体の回転
速度を制御することを特徴とする。
【0020】請求項14記載の本発明の塗布方法は、請
求項13記載の塗布方法であって、少なくとも前記被処
理体上に吐出される塗布液の吐出量が徐々に少なくなる
ように制御されているときは、前記被処理体の回転速度
が定速となるように制御することを特徴とする。
求項13記載の塗布方法であって、少なくとも前記被処
理体上に吐出される塗布液の吐出量が徐々に少なくなる
ように制御されているときは、前記被処理体の回転速度
が定速となるように制御することを特徴とする。
【0021】請求項15記載の本発明の塗布方法は、請
求項13記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐
出される塗布液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被
処理体上全体に広がるまでは所定の量とし、その後、徐
々に少なくなるように制御し、前記被処理体上に吐出さ
れる塗布液の吐出量が所定の量のときは、前記被処理体
の回転速度が加速状態となるように制御し、前記被処理
体上に吐出される塗布液の吐出量が徐々に少なくなるよ
うに制御されているときは、前記被処理体の回転速度が
定速となるように制御することを特徴とする。
求項13記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐
出される塗布液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被
処理体上全体に広がるまでは所定の量とし、その後、徐
々に少なくなるように制御し、前記被処理体上に吐出さ
れる塗布液の吐出量が所定の量のときは、前記被処理体
の回転速度が加速状態となるように制御し、前記被処理
体上に吐出される塗布液の吐出量が徐々に少なくなるよ
うに制御されているときは、前記被処理体の回転速度が
定速となるように制御することを特徴とする。
【0022】請求項16記載の本発明の塗布方法は、請
求項13記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐
出される塗布液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被
処理体上全体に広がるまでは所定の量とし、その後、徐
々に少なくなるように制御し、さらに、吐出停止前に、
再度吐出量が増大するように制御し、前記被処理体上に
吐出される塗布液の吐出量が所定の量のときは、前記被
処理体の回転速度が加速状態となるように制御し、前記
被処理体上に吐出される塗布液の吐出量が徐々に少なく
なるように制御されているときは、前記被処理体の回転
速度が定速となるように制御し、前記被処理体上に吐出
される塗布液の吐出量が再度増大するように制御されて
いるときは、前記被処理体の回転速度が減速状態となる
ように制御することを特徴とする。
求項13記載の塗布方法であって、前記被処理体上に吐
出される塗布液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被
処理体上全体に広がるまでは所定の量とし、その後、徐
々に少なくなるように制御し、さらに、吐出停止前に、
再度吐出量が増大するように制御し、前記被処理体上に
吐出される塗布液の吐出量が所定の量のときは、前記被
処理体の回転速度が加速状態となるように制御し、前記
被処理体上に吐出される塗布液の吐出量が徐々に少なく
なるように制御されているときは、前記被処理体の回転
速度が定速となるように制御し、前記被処理体上に吐出
される塗布液の吐出量が再度増大するように制御されて
いるときは、前記被処理体の回転速度が減速状態となる
ように制御することを特徴とする。
【0023】請求項1または9記載の本発明では、吐出
量を制御できるため、塗布液の無駄を少なくすることが
できる。
量を制御できるため、塗布液の無駄を少なくすることが
できる。
【0024】請求項2または10記載の本発明では、吐
出開始後、遠心力により被処理体全体に塗布液が広がっ
た後は、広がった塗布液上にさらに塗布液が吐出され
る。このため、その後吐出される塗布液は、吐出量を少
なくしても、均一な厚みになろうとして広がり易い。し
たがって、吐出開始後、吐出量を徐々に少なくしても塗
布液を被処理体全体に均一な厚みで塗布することがで
き、しかも、従来と比較して塗布液の使用量を減らすこ
とができる。
出開始後、遠心力により被処理体全体に塗布液が広がっ
た後は、広がった塗布液上にさらに塗布液が吐出され
る。このため、その後吐出される塗布液は、吐出量を少
なくしても、均一な厚みになろうとして広がり易い。し
たがって、吐出開始後、吐出量を徐々に少なくしても塗
布液を被処理体全体に均一な厚みで塗布することがで
き、しかも、従来と比較して塗布液の使用量を減らすこ
とができる。
【0025】請求項3または11記載の本発明では、吐
出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布液が広が
るまでの間は、所定以上の量の塗布液を吐出させてい
る。したがって、被処理体全体に確実に塗布液を塗布す
ることができると共に、その後吐出される塗布液は、こ
の広がった塗布液上に吐出されるため、吐出量を少なく
しても、均一な厚みになろうとして広がり易い。したが
って、吐出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布
液が広がった後、吐出量を徐々に少なくしても塗布液を
被処理体全体に均一な厚みで塗布することができ、しか
も、従来と比較して塗布液の使用量を減らすことができ
る。
出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布液が広が
るまでの間は、所定以上の量の塗布液を吐出させてい
る。したがって、被処理体全体に確実に塗布液を塗布す
ることができると共に、その後吐出される塗布液は、こ
の広がった塗布液上に吐出されるため、吐出量を少なく
しても、均一な厚みになろうとして広がり易い。したが
って、吐出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布
液が広がった後、吐出量を徐々に少なくしても塗布液を
被処理体全体に均一な厚みで塗布することができ、しか
も、従来と比較して塗布液の使用量を減らすことができ
る。
【0026】請求項4または12記載の本発明では、吐
出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布液が広が
るまでの間は、所定以上の量の塗布液を吐出させてい
る。したがって、被処理体全体に確実に塗布液を塗布す
ることができると共に、その後吐出される塗布液は、こ
の広がった塗布液上に吐出されるため、吐出量を少なく
しても、均一な厚みになろうとして広がり易い。したが
って、吐出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布
液が広がった後、吐出量を徐々に少なくしても塗布液を
被処理体全体に均一な厚みで塗布することができ、しか
も、従来と比較して塗布液の使用量を減らすことができ
る。また、吐出終了前に、再度塗布液の吐出量を増加さ
せている。これにより、塗布液を徐々に少なくしていく
ことに伴い、被処理体の外周から零れ落ちる塗布液が少
なくなる一方で、外周部に塗布液だまりが生じる場合が
あるが、本発明によれば、吐出終了前に、再度塗布液の
吐出量を増加させるように制御しているため、このよう
な塗布液だまりをなくすことができる。
出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布液が広が
るまでの間は、所定以上の量の塗布液を吐出させてい
る。したがって、被処理体全体に確実に塗布液を塗布す
ることができると共に、その後吐出される塗布液は、こ
の広がった塗布液上に吐出されるため、吐出量を少なく
しても、均一な厚みになろうとして広がり易い。したが
って、吐出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布
液が広がった後、吐出量を徐々に少なくしても塗布液を
被処理体全体に均一な厚みで塗布することができ、しか
も、従来と比較して塗布液の使用量を減らすことができ
る。また、吐出終了前に、再度塗布液の吐出量を増加さ
せている。これにより、塗布液を徐々に少なくしていく
ことに伴い、被処理体の外周から零れ落ちる塗布液が少
なくなる一方で、外周部に塗布液だまりが生じる場合が
あるが、本発明によれば、吐出終了前に、再度塗布液の
吐出量を増加させるように制御しているため、このよう
な塗布液だまりをなくすことができる。
【0027】請求項5または13記載の本発明では、保
持回転部材の回転量を制御することで、塗布液の吐出量
を制限しても、被処理体全体にかつ均一に塗布液を塗布
することができる。
持回転部材の回転量を制御することで、塗布液の吐出量
を制限しても、被処理体全体にかつ均一に塗布液を塗布
することができる。
【0028】請求項6または14記載の本発明では、塗
布液の吐出量が徐々に少なくなっていっても、その間、
保持回転部材が定速で回転しているため、塗布液を被処
理体全体に均一に塗布することができる。
布液の吐出量が徐々に少なくなっていっても、その間、
保持回転部材が定速で回転しているため、塗布液を被処
理体全体に均一に塗布することができる。
【0029】請求項7または15記載の本発明では、保
持回転部材が加速状態にあるときには、塗布液の吐出量
を一定とし、塗布液の吐出量が徐々に少なくなっていく
ときには、保持回転部材が定速で回転しているため、塗
布液を被処理体全体に均一に塗布することができる。
持回転部材が加速状態にあるときには、塗布液の吐出量
を一定とし、塗布液の吐出量が徐々に少なくなっていく
ときには、保持回転部材が定速で回転しているため、塗
布液を被処理体全体に均一に塗布することができる。
【0030】請求項8または16記載の本発明では、保
持回転部材が加速状態にあるときには、塗布液の吐出量
を一定とし、塗布液の吐出量が徐々に少なくなっていく
ときには、保持回転部材が定速で回転しているため、塗
布液を被処理体全体に均一に塗布することができる。
持回転部材が加速状態にあるときには、塗布液の吐出量
を一定とし、塗布液の吐出量が徐々に少なくなっていく
ときには、保持回転部材が定速で回転しているため、塗
布液を被処理体全体に均一に塗布することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図1は本発明の一実施形態に係る塗
布・現像処理システムの斜視図である。図1に示すよう
に、この塗布・現像処理システム1の前方には、ガラス
基板Gを、塗布・現像処理システム1に対して搬出入す
るローダ・アンローダ部2が設けられている。このロー
ダ・アンローダ部2には、ガラス基板Gを例えば25枚
ずつ収納したカセットCを所定位置に整列させて載置さ
せるカセット載置台3と、各カセットCから処理すべき
ガラス基板Gを取り出し、また塗布・現像処理システム
1において処理の終了したガラス基板Gを各カセットC
へ戻すローダ・アンローダ4が設けられている。図示の
ローダアンローダ4は、本体5の走行によってカセット
Cの配列方向に移動し、本体5に搭載された板片状のピ
ンセット6によって各カセットCからガラス基板Gを取
り出し、また各カセットCへガラス基板Gを戻すように
なっている。また、ピンセット6の両側には、ガラス基
板Gの四隅を保持して位置合わせを行う基板位置合わせ
部材7が設けられている。
に基づき説明する。図1は本発明の一実施形態に係る塗
布・現像処理システムの斜視図である。図1に示すよう
に、この塗布・現像処理システム1の前方には、ガラス
基板Gを、塗布・現像処理システム1に対して搬出入す
るローダ・アンローダ部2が設けられている。このロー
ダ・アンローダ部2には、ガラス基板Gを例えば25枚
ずつ収納したカセットCを所定位置に整列させて載置さ
せるカセット載置台3と、各カセットCから処理すべき
ガラス基板Gを取り出し、また塗布・現像処理システム
1において処理の終了したガラス基板Gを各カセットC
へ戻すローダ・アンローダ4が設けられている。図示の
ローダアンローダ4は、本体5の走行によってカセット
Cの配列方向に移動し、本体5に搭載された板片状のピ
ンセット6によって各カセットCからガラス基板Gを取
り出し、また各カセットCへガラス基板Gを戻すように
なっている。また、ピンセット6の両側には、ガラス基
板Gの四隅を保持して位置合わせを行う基板位置合わせ
部材7が設けられている。
【0032】塗布・現像処理システム1の中央部には、
長手方向に配置された廊下状の搬送路10、11が第1
の受け渡し部12を介して一直線上に設けられており、
この搬送路10、11の両側には、ガラス基板Gに対す
る各処理を行うための各種処理装置が配置されている。
長手方向に配置された廊下状の搬送路10、11が第1
の受け渡し部12を介して一直線上に設けられており、
この搬送路10、11の両側には、ガラス基板Gに対す
る各処理を行うための各種処理装置が配置されている。
【0033】図示の塗布・現像処理システム1にあって
は、搬送路10の一側方に、ガラス基板Gをブラシ洗浄
すると共に高圧ジェット水により洗浄を施すための洗浄
装置16が例えば2台並設されている。また、搬送路1
0を挟んで反対側に、二基の現像装置17が並設され、
その隣りに二基の加熱装置18が積み重ねて設けられて
いる。
は、搬送路10の一側方に、ガラス基板Gをブラシ洗浄
すると共に高圧ジェット水により洗浄を施すための洗浄
装置16が例えば2台並設されている。また、搬送路1
0を挟んで反対側に、二基の現像装置17が並設され、
その隣りに二基の加熱装置18が積み重ねて設けられて
いる。
【0034】また、搬送路11の一側方に、ガラス基板
Gにレジスト液を塗布する前にガラス基板Gを疎水処理
するアドヒージョン装置20が設けられ、このアドヒー
ジョン装置20の下方には冷却用のクーリング装置21
が配置されている。また、これらアドヒージョン装置2
0とクーリング装置21の隣には加熱装置22が二列に
二個ずつ積み重ねて配置されている。また、搬送路11
を挟んで反対側に、ガラス基板Gの表面にレジスト液を
塗布することによってガラス基板Gの表面にレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置23が配置されている。図
示はしないが、これら塗布装置23の側部には、第2の
受け渡し部28を介し、ガラス基板G上に形成されたレ
ジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装
置等が設けられる。第2の受け渡し部28は、ガラス基
板Gを搬入及び搬出するための搬出入ピンセット29及
び受け渡し台30を備えている。
Gにレジスト液を塗布する前にガラス基板Gを疎水処理
するアドヒージョン装置20が設けられ、このアドヒー
ジョン装置20の下方には冷却用のクーリング装置21
が配置されている。また、これらアドヒージョン装置2
0とクーリング装置21の隣には加熱装置22が二列に
二個ずつ積み重ねて配置されている。また、搬送路11
を挟んで反対側に、ガラス基板Gの表面にレジスト液を
塗布することによってガラス基板Gの表面にレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置23が配置されている。図
示はしないが、これら塗布装置23の側部には、第2の
受け渡し部28を介し、ガラス基板G上に形成されたレ
ジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装
置等が設けられる。第2の受け渡し部28は、ガラス基
板Gを搬入及び搬出するための搬出入ピンセット29及
び受け渡し台30を備えている。
【0035】以上の各処理装置16〜18及び20〜2
3は、何れも搬送路10、11の両側において、ガラス
基板Gの出入口を内側に向けて配設されている。第1の
搬送装置25がローダ・アンローダ部2、各処理装置1
6〜18及び第1の受け渡し部12との間でガラス基板
Gを搬送するために搬送路10上を移動し、第2の搬送
装置26が第1の受け渡し部12、第2の受け渡し部2
8及び各処理装置20〜23との間でガラス基板Gを搬
送するために搬送路11上を移動するようになってい
る。
3は、何れも搬送路10、11の両側において、ガラス
基板Gの出入口を内側に向けて配設されている。第1の
搬送装置25がローダ・アンローダ部2、各処理装置1
6〜18及び第1の受け渡し部12との間でガラス基板
Gを搬送するために搬送路10上を移動し、第2の搬送
装置26が第1の受け渡し部12、第2の受け渡し部2
8及び各処理装置20〜23との間でガラス基板Gを搬
送するために搬送路11上を移動するようになってい
る。
【0036】各搬送装置25、26は、それぞれ上下一
対のアーム27、27を有しており、各処理装置16〜
18及び20〜23にアクセスするときは、一方のアー
ム27で各処理装置のチャンバから処理済みのガラス基
板Gを搬出し、他方のアーム27で処理前のガラス基板
Gをチャンバ内に搬入するように構成されている。
対のアーム27、27を有しており、各処理装置16〜
18及び20〜23にアクセスするときは、一方のアー
ム27で各処理装置のチャンバから処理済みのガラス基
板Gを搬出し、他方のアーム27で処理前のガラス基板
Gをチャンバ内に搬入するように構成されている。
【0037】図2は図1に示したレジスト塗布装置23
の正面図、図3は平面図、図4はその要部の側面図であ
る。これらの図に示すように、レジスト塗布装置23の
ほぼ中央には、カップ29が配置され、カップ29内に
はガラス基板Gを保持するための保持回転部材であるス
ピンチャック28が配置されている。
の正面図、図3は平面図、図4はその要部の側面図であ
る。これらの図に示すように、レジスト塗布装置23の
ほぼ中央には、カップ29が配置され、カップ29内に
はガラス基板Gを保持するための保持回転部材であるス
ピンチャック28が配置されている。
【0038】スピンチャック28には、ガラス基板Gを
真空吸着保持するための真空吸着装置37が接続されて
いる。カップ29の上部には、ガラス基板Gを出し入れ
するための開口部38が設けられている。開口部38に
は、上蓋30が被せられるようになっている。上蓋30
は開閉機構(図示を省略)によって昇降可能に支持され
ている。
真空吸着保持するための真空吸着装置37が接続されて
いる。カップ29の上部には、ガラス基板Gを出し入れ
するための開口部38が設けられている。開口部38に
は、上蓋30が被せられるようになっている。上蓋30
は開閉機構(図示を省略)によって昇降可能に支持され
ている。
【0039】第1のモータ31はスピンチャック28を
回転させるための駆動源であり、第2のモータ32はカ
ップ29を回転させるための駆動源である。昇降シリン
ダ33はスピンチャック28をZ軸方向に昇降させるた
めの駆動源である。
回転させるための駆動源であり、第2のモータ32はカ
ップ29を回転させるための駆動源である。昇降シリン
ダ33はスピンチャック28をZ軸方向に昇降させるた
めの駆動源である。
【0040】スピンチャック28の載置部40の外周側
下面には、シール部材41が取り付けられている。スピ
ンチャック28を下降させて、シール部材41をカップ
29の底部に当接させると、気密な処理スペース42が
形成されるようになっている。
下面には、シール部材41が取り付けられている。スピ
ンチャック28を下降させて、シール部材41をカップ
29の底部に当接させると、気密な処理スペース42が
形成されるようになっている。
【0041】第1のモータ31及び第2のモータ32は
CPU36によって回転駆動が制御されるようになって
いる。また、CPU36によって昇降シリンダ33は昇
降制御されるようになっている。
CPU36によって回転駆動が制御されるようになって
いる。また、CPU36によって昇降シリンダ33は昇
降制御されるようになっている。
【0042】昇降シリンダ33の回転軸43は、固定カ
ラー44の内周面にベアリング45を介して回転可能に
装着される回転円筒46の円周面に嵌着されるスプライ
ン軸受47に摺動可能に連結されている。スプライン軸
受47には、従動プーリ48が装着されており、従動プ
ーリ48には第1のモータ31の駆動軸49に装着され
た駆動プーリ50との間にタイミングベルト51が掛け
渡されている。
ラー44の内周面にベアリング45を介して回転可能に
装着される回転円筒46の円周面に嵌着されるスプライ
ン軸受47に摺動可能に連結されている。スプライン軸
受47には、従動プーリ48が装着されており、従動プ
ーリ48には第1のモータ31の駆動軸49に装着され
た駆動プーリ50との間にタイミングベルト51が掛け
渡されている。
【0043】したがって、第1のモータ31の駆動によ
ってタイミングベルト51を介して回転軸43が回転し
てスピンチャック28が回転される。
ってタイミングベルト51を介して回転軸43が回転し
てスピンチャック28が回転される。
【0044】また、回転軸43の下部側は図示しない筒
体内に配設されており、筒体内において回転軸43はバ
キュームシール部52を介して昇降シリンダ33の駆動
によって回転軸43がZ軸方向に移動し得るようになっ
ている。
体内に配設されており、筒体内において回転軸43はバ
キュームシール部52を介して昇降シリンダ33の駆動
によって回転軸43がZ軸方向に移動し得るようになっ
ている。
【0045】カップ29は、固定カラー44の外周面に
ベアリング53を介して装着される回転外筒54の上端
部に固定される連結筒55を介して取り付けられてお
り、回転外筒54に装着される従動プーリ56と第2の
モータ32の駆動軸57に装着される駆動プーリ58に
掛け渡されるタイミングベルト59によって第2のモー
タ32からの駆動がカップ29に伝達されてカップ29
が水平方向に回転されるように構成されている。
ベアリング53を介して装着される回転外筒54の上端
部に固定される連結筒55を介して取り付けられてお
り、回転外筒54に装着される従動プーリ56と第2の
モータ32の駆動軸57に装着される駆動プーリ58に
掛け渡されるタイミングベルト59によって第2のモー
タ32からの駆動がカップ29に伝達されてカップ29
が水平方向に回転されるように構成されている。
【0046】また、カップ29の外周側には、中空リン
グ状のドレンカップ60が配設されており、カップ29
から飛散されたミストを回収し得るようになっている。
グ状のドレンカップ60が配設されており、カップ29
から飛散されたミストを回収し得るようになっている。
【0047】さらに、第1のモータ31にはエンコーダ
61が取り付けられ、第2のモータ32にはエンコーダ
62が取り付けられている。これらエンコーダ61、6
2によって検出された検出信号はCPU36に伝達さ
れ、CPU36にて比較演算された出力信号に基づいて
第1のモータ31及び第2のモータ32についての回転動
作がそれぞれ制御されるようになっている。
61が取り付けられ、第2のモータ32にはエンコーダ
62が取り付けられている。これらエンコーダ61、6
2によって検出された検出信号はCPU36に伝達さ
れ、CPU36にて比較演算された出力信号に基づいて
第1のモータ31及び第2のモータ32についての回転動
作がそれぞれ制御されるようになっている。
【0048】図3に示すように、カップ29の外側に
は、ガラス基板G上にシンナ及びレジスト液を供給する
ための供給機構70が配置されている。供給機構70
は、図示を省力した駆動機構により回動される回動部材
73を有し、回動部材73の先端部にはガラス基板Gの
ほぼ回転中心にシンナ及びレジスト液を供給するための
各ノズルが取り付けられた供給ヘッド74が取り付けら
れている。
は、ガラス基板G上にシンナ及びレジスト液を供給する
ための供給機構70が配置されている。供給機構70
は、図示を省力した駆動機構により回動される回動部材
73を有し、回動部材73の先端部にはガラス基板Gの
ほぼ回転中心にシンナ及びレジスト液を供給するための
各ノズルが取り付けられた供給ヘッド74が取り付けら
れている。
【0049】次に、上記した供給ヘッド74へレジスト
液の供給量を制御する塗布液供給機構80について説明
する。この塗布液供給機構80は、レジスト液の貯留部
81と、この貯留部81と供給ヘッド74とを接続する
配管82とを有しており、この塗布液供給機構80に
は、吐出量制御部83が付設されている。具体的には、
該吐出量制御部83は、例えば、図面に示したように、
配管82中に介在配設されるベローズポンプ83aと、
このベローズポンプ83aの駆動を制御するステッピン
グモータ83bと、該ベローズポンプ83aとステッピ
ングモータ83bとの間に配設され、ステッピングモー
タ83bの回転動作を直線動作に変換してベローズポン
プ83aを動作させるボールネジ機構83cと、ステッ
ピングモータ83bへの入力パルス信号数を制御するC
PU36とを有して構成することができる。かかる構成
によればステッピングモータ83bへ入力するパルス信
号数をCPU36により変化させることで、ベローズポ
ンプ83aの動作を制御し、供給ヘッド74へのレジス
ト液の供給量を制御することができる。但し、これはあ
くまで一例であり、例えば、配管82中に流量制御弁
(図示せず)を介装して供給ヘッド74からの吐出量を
制御することもできる。
液の供給量を制御する塗布液供給機構80について説明
する。この塗布液供給機構80は、レジスト液の貯留部
81と、この貯留部81と供給ヘッド74とを接続する
配管82とを有しており、この塗布液供給機構80に
は、吐出量制御部83が付設されている。具体的には、
該吐出量制御部83は、例えば、図面に示したように、
配管82中に介在配設されるベローズポンプ83aと、
このベローズポンプ83aの駆動を制御するステッピン
グモータ83bと、該ベローズポンプ83aとステッピ
ングモータ83bとの間に配設され、ステッピングモー
タ83bの回転動作を直線動作に変換してベローズポン
プ83aを動作させるボールネジ機構83cと、ステッ
ピングモータ83bへの入力パルス信号数を制御するC
PU36とを有して構成することができる。かかる構成
によればステッピングモータ83bへ入力するパルス信
号数をCPU36により変化させることで、ベローズポ
ンプ83aの動作を制御し、供給ヘッド74へのレジス
ト液の供給量を制御することができる。但し、これはあ
くまで一例であり、例えば、配管82中に流量制御弁
(図示せず)を介装して供給ヘッド74からの吐出量を
制御することもできる。
【0050】また、この実施形態に係るレジスト塗布装
置23には、レジスト液の供給に先立って、予めガラス
基板G上にシンナを供給してぬれ性を高め、レジスト液
をより薄く塗布することができ、レジスト液の使用量を
低減するシンナの供給機構91が設けられている。この
シンナ供給機構91では、シンナ供給源(図示を省略)
から貯留部92へシンナが供給されるようになってお
り、ポンプ93及び配管94を介してガラス基板G上に
設けた供給ヘッド74より、ガラス基板Gに供給される
ようになっている。
置23には、レジスト液の供給に先立って、予めガラス
基板G上にシンナを供給してぬれ性を高め、レジスト液
をより薄く塗布することができ、レジスト液の使用量を
低減するシンナの供給機構91が設けられている。この
シンナ供給機構91では、シンナ供給源(図示を省略)
から貯留部92へシンナが供給されるようになってお
り、ポンプ93及び配管94を介してガラス基板G上に
設けた供給ヘッド74より、ガラス基板Gに供給される
ようになっている。
【0051】次に、このように構成されたレジスト塗布
装置23の動作について説明する。スピンチャック28
がカップ29の開口部38より上方に上昇している状態
で、搬送装置26よりスピンチャック28上にガラス基
板Gが移載され、真空吸着保持される。
装置23の動作について説明する。スピンチャック28
がカップ29の開口部38より上方に上昇している状態
で、搬送装置26よりスピンチャック28上にガラス基
板Gが移載され、真空吸着保持される。
【0052】次に、昇降シリンダ33の駆動によりスピ
ンチャック28が下降され、ガラス基板Gが開口部38
を介してカップ29内に搬入される。
ンチャック28が下降され、ガラス基板Gが開口部38
を介してカップ29内に搬入される。
【0053】次に、回動部材73が回動され、その先端
部の供給ヘッド74がガラス基板G上のほぼ中心に相当
する位置にセットされる。
部の供給ヘッド74がガラス基板G上のほぼ中心に相当
する位置にセットされる。
【0054】次に、第1のモータ31によりスピンチャ
ック28の回転が開始されると共に、供給ヘッドノズル
74からレジスト液の供給が開始される。なお、この
際、シンナ供給源より送られてくるシンナを貯留してい
る貯留部92から配管94を介して、このレジスト液の
塗布に先立って、予めガラス基板G上にシンナを供給す
るようにしてもよい。これにより、ガラス基板Gに対す
るレジスト液のぬれ性が高まり、レジスト液をより薄く
塗布できるため、レジスト液の使用量をより低減するこ
とができる。
ック28の回転が開始されると共に、供給ヘッドノズル
74からレジスト液の供給が開始される。なお、この
際、シンナ供給源より送られてくるシンナを貯留してい
る貯留部92から配管94を介して、このレジスト液の
塗布に先立って、予めガラス基板G上にシンナを供給す
るようにしてもよい。これにより、ガラス基板Gに対す
るレジスト液のぬれ性が高まり、レジスト液をより薄く
塗布できるため、レジスト液の使用量をより低減するこ
とができる。
【0055】供給ヘッド74からのレジスト液の吐出量
は、上記した塗布液供給機構80に付設した吐出量制御
部83により、図5に示したように制御する。図5
(a)に示した制御態様は、レジスト液吐出ノズル74
からの吐出開始時を最大の吐出量とし、その直後から徐
々に吐出量が少なくなるように制御する方法である。レ
ジスト液がガラス基板G上に吐出されると、スピンチャ
ック28の回転に伴う遠心力によって、レジスト液が外
方に向かって広がっていくが、その後吐出されるレジス
ト液はこの広がったレジスト液上に吐出されていくこと
になるため、均一に広がり易い。したがって、この方法
によれば、従来の一定量のレジスト液を供給する場合と
比較して、レジスト液の無駄を防止できる一方で、均一
な厚みで塗布することができる。
は、上記した塗布液供給機構80に付設した吐出量制御
部83により、図5に示したように制御する。図5
(a)に示した制御態様は、レジスト液吐出ノズル74
からの吐出開始時を最大の吐出量とし、その直後から徐
々に吐出量が少なくなるように制御する方法である。レ
ジスト液がガラス基板G上に吐出されると、スピンチャ
ック28の回転に伴う遠心力によって、レジスト液が外
方に向かって広がっていくが、その後吐出されるレジス
ト液はこの広がったレジスト液上に吐出されていくこと
になるため、均一に広がり易い。したがって、この方法
によれば、従来の一定量のレジスト液を供給する場合と
比較して、レジスト液の無駄を防止できる一方で、均一
な厚みで塗布することができる。
【0056】図5(b)に示した制御態様は、レジスト
液吐出ノズル74から所定時間、具体的には、レジスト
液がガラス基板G全体に一旦広がるまでの間は、所定以
上の量供給し、その後、徐々にレジスト液の吐出量が少
なくなるように制御する方法である。この方法によれ
ば、ガラス基板G全体に一旦確実にレジスト液が広がる
までは所定以上の量のレジスト液を吐出するため、ガラ
ス基板Gの外周縁部までレジスト液が行き渡り易い。そ
の一方、レジスト液がガラス基板G全体に一旦行き渡っ
た後は、その後吐出されるレジスト液は、塗布膜の厚み
を均一に整えるように作用するため、吐出量を減らして
いっても問題がなく、従来と比較してレジスト液の使用
量を削減することができる。
液吐出ノズル74から所定時間、具体的には、レジスト
液がガラス基板G全体に一旦広がるまでの間は、所定以
上の量供給し、その後、徐々にレジスト液の吐出量が少
なくなるように制御する方法である。この方法によれ
ば、ガラス基板G全体に一旦確実にレジスト液が広がる
までは所定以上の量のレジスト液を吐出するため、ガラ
ス基板Gの外周縁部までレジスト液が行き渡り易い。そ
の一方、レジスト液がガラス基板G全体に一旦行き渡っ
た後は、その後吐出されるレジスト液は、塗布膜の厚み
を均一に整えるように作用するため、吐出量を減らして
いっても問題がなく、従来と比較してレジスト液の使用
量を削減することができる。
【0057】図5(c)に示した制御態様は、レジスト
液をガラス基板G全体に広げる工程において多く吐出さ
せ、その後の塗布膜の厚みを均一に整える工程において
吐出量を減らしていくように制御する点では、図5
(b)に示した態様と同様であるが、吐出停止前に、吐
出量が再度増加するように制御している点で異なる。即
ち、図5(a)、(b)のように吐出停止時に近づくに
したがって徐々に吐出量を減らしていった場合には、吐
出量が少なくなるために、ガラス基板Gの外周縁部にレ
ジスト液の液だまりが生じるおそれがある。そこで、吐
出停止前に、再度、吐出量を増加させれば、この液だま
りが流れてなくなり、レジスト液の塗布厚をガラス基板
G全体に亘り、より均一にすることができる。なお、図
5(d)に示すように吐出量を段階的に減らすようにし
ても構わない。
液をガラス基板G全体に広げる工程において多く吐出さ
せ、その後の塗布膜の厚みを均一に整える工程において
吐出量を減らしていくように制御する点では、図5
(b)に示した態様と同様であるが、吐出停止前に、吐
出量が再度増加するように制御している点で異なる。即
ち、図5(a)、(b)のように吐出停止時に近づくに
したがって徐々に吐出量を減らしていった場合には、吐
出量が少なくなるために、ガラス基板Gの外周縁部にレ
ジスト液の液だまりが生じるおそれがある。そこで、吐
出停止前に、再度、吐出量を増加させれば、この液だま
りが流れてなくなり、レジスト液の塗布厚をガラス基板
G全体に亘り、より均一にすることができる。なお、図
5(d)に示すように吐出量を段階的に減らすようにし
ても構わない。
【0058】また、保持回転部材であるスピンチャック
28の回転量制御機構を構成するCPU36により、上
記したレジスト液吐出ノズル74からの吐出量の制御と
共に、スピンチャック28の回転速度を併せて制御する
ことが好ましい。これにより、上記のようにレジスト液
の吐出量を制御しても、レジスト液の塗布厚をガラス基
板G全体に確実に均一にすることができ、レジスト液の
使用量削減に資する。例えば、吐出量を図5(b)、
(c)に示したように制御する場合には、図6に示した
ように、レジスト液をガラス基板G全体に広げるために
所定以上の量吐出している間は加速させて広がり易く
し、吐出量を徐々に減らしている間、即ち塗布厚を均一
に整えている間は定速回転として厚みを一定にし易くす
るといった制御をすることが好ましい。なお、一旦レジ
スト液の塗布厚が均一になったならば、第1のモータ3
1を減速していく。
28の回転量制御機構を構成するCPU36により、上
記したレジスト液吐出ノズル74からの吐出量の制御と
共に、スピンチャック28の回転速度を併せて制御する
ことが好ましい。これにより、上記のようにレジスト液
の吐出量を制御しても、レジスト液の塗布厚をガラス基
板G全体に確実に均一にすることができ、レジスト液の
使用量削減に資する。例えば、吐出量を図5(b)、
(c)に示したように制御する場合には、図6に示した
ように、レジスト液をガラス基板G全体に広げるために
所定以上の量吐出している間は加速させて広がり易く
し、吐出量を徐々に減らしている間、即ち塗布厚を均一
に整えている間は定速回転として厚みを一定にし易くす
るといった制御をすることが好ましい。なお、一旦レジ
スト液の塗布厚が均一になったならば、第1のモータ3
1を減速していく。
【0059】その後、第1のモータ31の回転が停止さ
れてガラス基板Gの回転が停止される。また、回動部材
73は、カップ29の外側まで回動され、保持部材81
もカップ29の外側まで搬送される。
れてガラス基板Gの回転が停止される。また、回動部材
73は、カップ29の外側まで回動され、保持部材81
もカップ29の外側まで搬送される。
【0060】次に、開閉機構(図示を省略)によって上
蓋30が下降されて開口部38に被せられ、開口部38
が閉じられる。そして、第1のモータ31と第2のモー
タ32が同期回転されることによって、スピンチャック
28、カップ29、上蓋30及びガラス基板Gが一体的
に回転される。これにより、ガラス基板G上に塗布され
たレジスト液が乾燥し、ガラス基板G上にレジスト膜が
形成される。
蓋30が下降されて開口部38に被せられ、開口部38
が閉じられる。そして、第1のモータ31と第2のモー
タ32が同期回転されることによって、スピンチャック
28、カップ29、上蓋30及びガラス基板Gが一体的
に回転される。これにより、ガラス基板G上に塗布され
たレジスト液が乾燥し、ガラス基板G上にレジスト膜が
形成される。
【0061】その後、第1のモータ31と第2のモータ
32の回転が停止されてスピンチャック28、カップ2
9、上蓋30及びガラス基板Gの一体的な回転が停止さ
れ、開閉機構(図示を省略)によって上蓋30が上昇さ
れ、開口部38が空けられる。
32の回転が停止されてスピンチャック28、カップ2
9、上蓋30及びガラス基板Gの一体的な回転が停止さ
れ、開閉機構(図示を省略)によって上蓋30が上昇さ
れ、開口部38が空けられる。
【0062】次に、昇降シリンダ33の駆動によりスピ
ンチャック28が上昇され、ガラス基板Gが開口部38
を介してカップ29外に搬出され、ガラス基板Gがスピ
ンチャック28上から搬送装置26に移載される。
ンチャック28が上昇され、ガラス基板Gが開口部38
を介してカップ29外に搬出され、ガラス基板Gがスピ
ンチャック28上から搬送装置26に移載される。
【0063】本発明は上述した実施の形態には限定され
ない。例えば、上述した実施の形態では、レジスト液を
塗布する装置に本発明を適用したが、他の塗布液を塗布
する装置にも本発明を当然適用することができ、またガ
ラス基板ばかりでなく他の被処理体にも当然本発明を適
用できる。
ない。例えば、上述した実施の形態では、レジスト液を
塗布する装置に本発明を適用したが、他の塗布液を塗布
する装置にも本発明を当然適用することができ、またガ
ラス基板ばかりでなく他の被処理体にも当然本発明を適
用できる。
【0064】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1または9
記載の本発明によれば、吐出量を制御でき、塗布液の無
駄を少なくすることができる。
記載の本発明によれば、吐出量を制御でき、塗布液の無
駄を少なくすることができる。
【0065】請求項2または10記載の本発明によれ
ば、吐出開始後、遠心力により被処理体全体に塗布液が
広がった後は、広がった塗布液上にさらに塗布液が吐出
される。このため、その後吐出される塗布液は、吐出量
を少なくしても、均一な厚みになろうとして広がり易
い。したがって、吐出開始後、吐出量を徐々に少なくし
ても塗布液を被処理体全体に均一な厚みで塗布すること
ができ、しかも、従来と比較して塗布液の使用量を減ら
すことができる。
ば、吐出開始後、遠心力により被処理体全体に塗布液が
広がった後は、広がった塗布液上にさらに塗布液が吐出
される。このため、その後吐出される塗布液は、吐出量
を少なくしても、均一な厚みになろうとして広がり易
い。したがって、吐出開始後、吐出量を徐々に少なくし
ても塗布液を被処理体全体に均一な厚みで塗布すること
ができ、しかも、従来と比較して塗布液の使用量を減ら
すことができる。
【0066】請求項3または11記載の本発明によれ
ば、吐出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布液
が広がるまでの間は、所定以上の量の塗布液を吐出させ
ている。したがって、被処理体全体に確実に塗布液を塗
布することができると共に、その後吐出される塗布液
は、この広がった塗布液上に吐出されるため、吐出量を
少なくしても、均一な厚みになろうとして広がり易い。
したがって、吐出開始から、遠心力により被処理体全体
に塗布液が広がった後、吐出量を徐々に少なくしても塗
布液を被処理体全体に均一な厚みで塗布することがで
き、しかも、従来と比較して塗布液の使用量を減らすこ
とができる。
ば、吐出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布液
が広がるまでの間は、所定以上の量の塗布液を吐出させ
ている。したがって、被処理体全体に確実に塗布液を塗
布することができると共に、その後吐出される塗布液
は、この広がった塗布液上に吐出されるため、吐出量を
少なくしても、均一な厚みになろうとして広がり易い。
したがって、吐出開始から、遠心力により被処理体全体
に塗布液が広がった後、吐出量を徐々に少なくしても塗
布液を被処理体全体に均一な厚みで塗布することがで
き、しかも、従来と比較して塗布液の使用量を減らすこ
とができる。
【0067】請求項4または12記載の本発明によれ
ば、吐出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布液
が広がるまでの間は、所定以上の量の塗布液を吐出させ
ている。したがって、被処理体全体に確実に塗布液を塗
布することができると共に、その後吐出される塗布液
は、この広がった塗布液上に吐出されるため、吐出量を
少なくしても、均一な厚みになろうとして広がり易い。
したがって、吐出開始から、遠心力により被処理体全体
に塗布液が広がった後、吐出量を徐々に少なくしても塗
布液を被処理体全体に均一な厚みで塗布することがで
き、しかも、従来と比較して塗布液の使用量を減らすこ
とができる。また、吐出終了前に、再度塗布液の吐出量
を増加させている。これにより、塗布液を徐々に少なく
していくことに伴い、被処理体の外周から零れ落ちる塗
布液が少なくなる一方で、外周部に塗布液だまりが生じ
る場合があるが、本発明によれば、吐出終了前に、再度
塗布液の吐出量を増加させるように制御しているため、
このような塗布液だまりをなくすことができる。
ば、吐出開始から、遠心力により被処理体全体に塗布液
が広がるまでの間は、所定以上の量の塗布液を吐出させ
ている。したがって、被処理体全体に確実に塗布液を塗
布することができると共に、その後吐出される塗布液
は、この広がった塗布液上に吐出されるため、吐出量を
少なくしても、均一な厚みになろうとして広がり易い。
したがって、吐出開始から、遠心力により被処理体全体
に塗布液が広がった後、吐出量を徐々に少なくしても塗
布液を被処理体全体に均一な厚みで塗布することがで
き、しかも、従来と比較して塗布液の使用量を減らすこ
とができる。また、吐出終了前に、再度塗布液の吐出量
を増加させている。これにより、塗布液を徐々に少なく
していくことに伴い、被処理体の外周から零れ落ちる塗
布液が少なくなる一方で、外周部に塗布液だまりが生じ
る場合があるが、本発明によれば、吐出終了前に、再度
塗布液の吐出量を増加させるように制御しているため、
このような塗布液だまりをなくすことができる。
【0068】請求項5または13記載の本発明によれ
ば、保持回転部材の回転量を制御することで、塗布液の
吐出量を制限しても、被処理体全体にかつ均一に塗布液
を塗布することができる。
ば、保持回転部材の回転量を制御することで、塗布液の
吐出量を制限しても、被処理体全体にかつ均一に塗布液
を塗布することができる。
【0069】請求項6または14記載の本発明によれ
ば、塗布液の吐出量が徐々に少なくなっていっても、そ
の間、保持回転部材が定速で回転しているため、塗布液
を被処理体全体に均一に塗布することができる。
ば、塗布液の吐出量が徐々に少なくなっていっても、そ
の間、保持回転部材が定速で回転しているため、塗布液
を被処理体全体に均一に塗布することができる。
【図1】 本発明の一の実施の形態に係る塗布・現像処
理システムの斜視図である。
理システムの斜視図である。
【図2】 図1に示したレジスト塗布装置の正面図であ
る。
る。
【図3】 図1に示したレジスト塗布装置の平面図であ
る。
る。
【図4】 図1に示したレジスト塗布装置の要部を示す
側面図である。
側面図である。
【図5】 吐出量制御部によるレジスト液の吐出量の制
御態様を説明するための図である。
御態様を説明するための図である。
【図6】 回転量制御機構によるスピンチャックの回転
量の制御態様を説明するための図である。
量の制御態様を説明するための図である。
【図7】 従来のレジスト塗布装置の一例を示す概略断
面図である。
面図である。
【図8】 従来のレジスト塗布装置の一例を示す概略平
面図である。
面図である。
28 スピンチャック 31 第1のモータ 36 CPU 61 エンコーダ 74 レジスト液吐出ノズル 80 塗布液供給機構 83 吐出量制御部 G ガラス基板G
フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA00 AB17 EA05 4D075 AC64 AC84 AC92 AC94 CA48 DA08 DB14 DC22 EA45 4F041 AA06 BA05 BA34 BA56 4F042 AA06 BA05 BA12 CB07 EB29 5F046 JA01 JA09 JA13
Claims (16)
- 【請求項1】 被処理体を保持しつつ回転する保持回転
部材と、 前記保持回転部材により保持され回転される被処理体上
のほぼ回転中心に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル
と、 前記塗布液吐出ノズルに対して塗布液を供給する塗布液
供給機構と、 前記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を制御する
吐出量制御部とを具備することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の塗布装置であって、 前記吐出量制御部が、前記塗布液吐出ノズルからの塗布
液の吐出量を、吐出開始後、徐々にまたは段階的に少な
くなるように制御することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の塗布装置であって、 前記吐出量制御部が、前記塗布液吐出ノズルからの塗布
液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被処理体上全体
に広がるまでは所定の量とし、その後、徐々に少なくな
るように制御することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項4】 請求項1記載の塗布装置であって、 前記吐出量制御部が、前記塗布液吐出ノズルへの塗布液
の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被処理体上全体に
広がるまでは所定の量とし、その後、徐々に少なくなる
ように制御し、さらに、吐出停止前に、再度吐出量が増
大するように制御することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項5】 被処理体を保持しつつ回転する保持回転
部材と、 前記保持回転部材により保持され回転される被処理体上
のほぼ回転中心に塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル
と、 前記塗布液吐出ノズルに対して塗布液を供給する塗布液
供給機構と、 前記塗布液吐出ノズルからの塗布液の吐出量を制御する
吐出量制御部と、 前記吐出量制御部による吐出量の制御に同期して、前記
保持回転部材による被処理体の回転速度を制御する回転
速度制御部とを具備することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項6】 請求項5記載の塗布装置であって、 前記回転速度制御部が、少なくとも前記塗布液吐出ノズ
ルへの塗布液の吐出量が徐々に少なくなるように制御さ
れているときは、前記保持回転部材による被処理体の回
転速度が定速となるように制御することを特徴とする塗
布装置。 - 【請求項7】 請求項5記載の塗布装置であって、 前記吐出量制御部が、前記塗布液吐出ノズルからの塗布
液の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被処理体上全体
に広がるまでは所定の量とし、その後、徐々に少なくな
るように制御し、 前記回転速度制御部が、前記塗布液吐出ノズルへの塗布
液の吐出量が所定の量のときは、前記保持回転部材によ
る被処理体の回転速度が加速状態となるように制御し、
前記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が徐々に少な
くなるように制御されているときは、前記保持回転部材
による被処理体の回転速度が定速となるように制御する
ことを特徴とする塗布装置。 - 【請求項8】 請求項5記載の塗布装置であって、 前記吐出量制御部が、前記塗布液吐出ノズルへの塗布液
の吐出量を、吐出開始時から塗布液が被処理体上全体に
広がるまでは所定の量とし、その後、徐々に少なくなる
ように制御し、さらに、吐出停止前に、再度吐出量が増
大するように制御し、 前記回転速度制御部が、前記塗布液吐出ノズルへの塗布
液の吐出量が所定の量のときは、前記保持回転部材によ
る被処理体の回転速度が加速状態となるように制御し、
前記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が徐々に少な
くなるように制御されているときは、前記保持回転部材
による被処理体の回転速度が定速となるように制御し、
前記塗布液吐出ノズルへの塗布液の吐出量が再度増大す
るように制御されているときは、前記保持回転部材によ
る被処理体の回転速度が減速状態となるように制御する
ことを特徴とする塗布装置。 - 【請求項9】 回転する被処理体上のほぼ回転中心に塗
布液を吐出することで被処理体上に塗布液を塗布する方
法であって、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を制御する
ことを特徴とする塗布方法。 - 【請求項10】 請求項9記載の塗布方法であって、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を、吐出開
始後、徐々にまたは段階的に少なくなるように制御する
ことを特徴とする塗布方法。 - 【請求項11】 請求項9記載の塗布方法であって、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を、吐出開
始時から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の
量とし、その後、徐々に少なくなるように制御すること
を特徴とする塗布方法。 - 【請求項12】 請求項9記載の塗布方法であって、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を、吐出開
始時から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の
量とし、その後、徐々に少なくなるように制御し、さら
に、吐出停止前に、再度吐出量が増大するように制御す
ることを特徴とする塗布方法。 - 【請求項13】 回転する被処理体上のほぼ回転中心に
塗布液を吐出することで被処理体上に塗布液を塗布する
方法であって、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を制御する
と共に、前記吐出量の制御に同期して、前記被処理体の
回転速度を制御することを特徴とする塗布方法。 - 【請求項14】 請求項13記載の塗布方法であって、 少なくとも前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量
が徐々に少なくなるように制御されているときは、前記
被処理体の回転速度が定速となるように制御することを
特徴とする塗布方法。 - 【請求項15】 請求項13記載の塗布方法であって、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を、吐出開
始時から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の
量とし、その後、徐々に少なくなるように制御し、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量が所定の量
のときは、前記被処理体の回転速度が加速状態となるよ
うに制御し、前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出
量が徐々に少なくなるように制御されているときは、前
記被処理体の回転速度が定速となるように制御すること
を特徴とする塗布方法。 - 【請求項16】 請求項13記載の塗布方法であって、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量を、吐出開
始時から塗布液が被処理体上全体に広がるまでは所定の
量とし、その後、徐々に少なくなるように制御し、さら
に、吐出停止前に、再度吐出量が増大するように制御
し、 前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出量が所定の量
のときは、前記被処理体の回転速度が加速状態となるよ
うに制御し、前記被処理体上に吐出される塗布液の吐出
量が徐々に少なくなるように制御されているときは、前
記被処理体の回転速度が定速となるように制御し、前記
被処理体上に吐出される塗布液の吐出量が再度増大する
ように制御されているときは、前記被処理体の回転速度
が減速状態となるように制御することを特徴とする塗布
方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34663898A JP3458063B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 塗布装置及び塗布方法 |
US09/438,495 US6299938B1 (en) | 1998-11-20 | 1999-11-12 | Apparatus and method of applying resist |
KR1019990051561A KR100542499B1 (ko) | 1998-11-20 | 1999-11-19 | 도포장치 및 도포방법 |
TW088120227A TW434657B (en) | 1998-11-20 | 1999-11-19 | Apparatus and method of applying resist |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34663898A JP3458063B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 塗布装置及び塗布方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000153212A true JP2000153212A (ja) | 2000-06-06 |
JP3458063B2 JP3458063B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=18384806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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JP2016096345A (ja) * | 2015-12-04 | 2016-05-26 | 株式会社東芝 | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
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US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
JP4258663B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2009-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 塗布装置および成膜装置 |
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JP2782679B2 (ja) | 1988-03-30 | 1998-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト処理装置 |
JP2764812B2 (ja) | 1988-11-11 | 1998-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト処理装置 |
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KR100284556B1 (ko) * | 1993-03-25 | 2001-04-02 | 다카시마 히로시 | 도포막 형성방법 및 그를 위한 장치 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP34663898A patent/JP3458063B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-12 US US09/438,495 patent/US6299938B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-19 TW TW088120227A patent/TW434657B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-19 KR KR1019990051561A patent/KR100542499B1/ko not_active IP Right Cessation
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JP2014050803A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
US9278373B2 (en) | 2012-09-07 | 2016-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Spin coating apparatus and method |
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---|---|
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