JP3824054B2 - 塗布処理方法および塗布処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置(LCD)基板等の基板の表面上に、レジスト液のような塗布液を塗布する塗布処理方法および塗布処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ(LCD)の製造においては、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成される。従来から、このような一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備えたレジスト塗布・現像処理システムが用いられている。
【0003】
このようなレジスト塗布・現像処理システムにおいて、レジスト液を塗布する工程では、矩形のLCD基板は、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処理)され、冷却ユニットで冷却後、レジスト塗布処理ユニットに搬入される。レジスト塗布処理ユニットでは、基板がスピンチャック上に保持された状態で回転されながら、その上方に設けられたノズルから基板の表面にレジスト液が供給され、基板の回転による遠心力によってレジスト液が拡散され、これにより、基板の表面全体にレジスト膜が形成される。
【0004】
このレジスト液が塗布された基板は、端面処理ユニット(エッジリムーバー)により周縁の余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに搬入されてプリベーク処理が行われ、冷却ユニットで冷却され、露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光され、その後現像処理され、ポストベーク処理が施されて、所定のレジストパターンが形成される。
【0005】
上記レジスト塗布に際しては、従来、静止した基板の略中心にレジスト液を滴下し、その後基板を高速回転して遠心力によりレジスト液を拡散させて塗布する方法が知られている。この方法においては、中心位置よりも周速が著しく大きい外周部から相当量のレジスト液を飛散させており、実際に基板表面に塗布される量は供給したレジスト液の10〜20%程度であり、レジスト消費量が著しく多くなってしまう。このため、レジスト液の拡散を容易にしてレジスト供給量を減少させるために、レジスト液の滴下前にシンナー等の溶剤を基板に滴下(プリウエット)する方法が採用されている。
【0006】
しかしながら、所定のパターンが形成された基板上でレジスト液を拡散する場合には、レジスト液を拡散するために基板を回転しても、レジスト液がパターンの段差を乗り越えることが困難であることから、基板全面にレジスト液を拡散させるためにはレジスト液の供給量を多くせざるを得ず、プリウエットを行ったとしてもレジスト液の削減効果は必ずしも十分ではない。また、このプリウエット方式を採用した場合には、レジスト液の塗布工程の処理時間が長くなるといった不都合がある。
【0007】
一方、レジスト塗布方式の他のタイプとして、スリットノズルから矩形の基板にレジスト液を帯状に吐出しながら、スリットノズルを矩形の基板上でスキャンして、矩形の基板にレジスト液を塗布し、その後基板を高速回転してレジスト液を拡散するスリットノズル塗布方式がある。このスリットノズル塗布方式では、スリットノズルをスキャンすることによりレジスト液を矩形の基板全面に略均一に塗布することができるため、レジスト液の消費量の削減を図ることができる。
【0008】
しかしながら、スリットノズルの場合には、必ずしもレジスト液を安定して吐出することができない。また、スリットノズルを矩形の基板上でスキャンする際、スリットノズルを高精度に移動させる必要があり、スリットノズル移動機構が高価になることから、装置コストが高騰してしまう。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、レジスト液のような塗布液を基板の全面に塗布するにあたり、装置コストの高騰を招くことなく、塗布液の使用量を削減することができる塗布処理方法および塗布処理装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点では、処理容器内に収容された矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの底面に形成された複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出して、矩形基板上に塗布液を塗布する工程と、
その後、塗布液の供給を停止し、矩形基板を回転させつつ矩形基板上の塗布膜の膜厚を整える工程と
を有し、
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないことを特徴とする塗布処理方法を提供する。
【0012】
本発明の第2の観点では、処理容器内に収容された矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの底面に形成された複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出して、矩形基板上に塗布液を塗布する工程と、
その後、塗布液の供給を停止し、矩形基板を回転させつつ矩形基板上の塗布膜の膜厚を整える工程と
を有し、
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、
塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、矩形基板から前記塗布液吐出ノズルがはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルをその長手方向に移動させることを特徴とする塗布処理方法を提供する。
【0013】
本発明の第3の観点では、矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
上方に開口部を有し、矩形基板を囲繞する処理容器と、
矩形基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより矩形基板を回転させる基板回転手段と、
塗布液を吐出する複数の微小吐出孔がその底面に形成され、これら微小吐出孔から塗布液を帯状に吐出する塗布液吐出ノズルと、
この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出させ、その後、塗布液の供給を停止して矩形基板上に塗布された塗布液の膜厚を整えるために矩形基板を回転させる制御手段と
を具備し、
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液供給手段は、これら複数の塗布液貯留室のそれぞれに塗布液を供給し、
前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする塗布処理装置を提供する。
【0015】
本発明の第4の観点では、矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
上方に開口部を有し、矩形基板を囲繞する処理容器と、
矩形基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより矩形基板を回転させる基板回転手段と、
塗布液を吐出する複数の微小吐出孔がその底面に形成され、これら微小吐出孔から塗布液を帯状に吐出する塗布液吐出ノズルと、
この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出させ、その後、塗布液の供給を停止して矩形基板上に塗布された塗布液の膜厚を整えるために矩形基板を回転させる制御手段と
を具備し、
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略回転中心から略四隅までの長さを有し、かつ、その長手方向に進退自在に設けられ、
塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて前記塗布液吐出ノズルが矩形基板からはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルが進退することを特徴とする塗布処理装置を提供する。
【0016】
以上のように構成される本発明によれば、基板を回転させながら塗布液吐出ノズルの微小吐出孔から塗布液を基板上に吐出することにより基板の略全面に塗布液が供給されるので、その後に塗布液を拡散させる必要はなく単に膜厚を整えればよく、基板から遠心力により振り切られる塗布液の量を少なくすることができ、かつ基板に段差が存在しても供給する塗布液の量を増加させる必要もない。したがって、塗布液の使用量を少なくすることができる。また、微小吐出孔からレジスト液を吐出するので、スリットノズルを用いた場合よりも安定的に塗布液を吐出することができるとともに、スリットノズルをスキャンすることにより塗布液を矩形の基板全面に略均一に塗布する場合のように、高精度なノズル移動機構を必要としないため、製造コストの高騰を招来することもない。
【0017】
また、矩形の基板を回転する場合には、基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さが一定でないため、塗布液吐出ノズルの一部が基板からはみ出すことがある。このような場合に、上記第1および第4の観点のように、塗布液吐出ノズルとして、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有するものを用い、回転する矩形の基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少し、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように調整することにより、無駄な塗布液を少なくまたは無くすことができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【0019】
さらにまた、上記第2および第4の観点では、塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、矩形基板から前記塗布液吐出ノズルがはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルをその長手方向に移動させるので、矩形基板上の全面に塗布液を供給できるとともに、無駄な塗布液を少なくすることができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【0020】
上記第1および第3の観点において、塗布液吐出ノズルを矩形基板の略回転中心から略四隅までの長さを有するものとし、塗布液を吐出する際に、この塗布液吐出ノズルの一端を矩形基板の略回転中心に位置させ、この塗布液吐出ノズルから塗布液を帯状に吐出させながら、矩形基板を回転させ、矩形基板の短辺を塗布液塗布液ノズルが通過する際に、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または塗布液を吐出しないようにすることができる。これにより、矩形の基板略回転中心から径方向に塗布液を帯状に吐出しながら、基板を回転させる簡易な構成により、塗布液を基板全面に略均一に塗布することができるとともに、無駄な塗布液をより少なくすることができる。
【0021】
また、上記第1および第3の観点において、前記複数の塗布液貯留室のうち基板の中心側のものよりも外周側のもののほうが粘度の高い塗布液を吐出するようにすれば、膜厚をより均一に調節することができるとともに、塗布液の飛散を抑制して塗布液の消費量をさらに削減することができる。
【0023】
上記第2および第4の観点において、塗布液吐出ノズルとして、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有するものを用い、前記複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量をそれぞれ調整することにより、膜厚均一性をより高めることができる。また、前記複数の塗布液貯留室のうち基板の中心側のものよりも外周側のものほうが粘度の高い塗布液を吐出するようにすることにより、膜厚をより均一に調節することができるとともに、塗布液の飛散を抑制して塗布液の消費量を削減することができる。
【0024】
また、塗布液吐出ノズルとして、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有するものを用いた場合に、前記複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量は、基板の中心側より外周側の方が多くなるように調整することにより、周速度の大きい外周側の塗布液吐出量を多くすることができ、膜厚をより均一に調節することができる。
【0025】
塗布液ノズルに形成された微小吐出孔の径は、φ10μm〜φ200μmであることが好ましい。また、これらの微小吐出孔の径またはピッチを変えることにより、基板の中心側と外周側の塗布液吐出量を調整することができる。具体的には、基板を回転する際、基板の中心側と外周側とでは、その周速度が異なっていることから、塗布液を基板全面に略均一に塗布するためには、基板の外周側であるほど、より多量の塗布液を吐出する必要があるが、微小吐出孔の径を基板の中心側より外周側の方を大きくすることにより、または、微小吐出孔のピッチを基板の中心側より外周側の方を小さくすることにより、基板の中心側より基板の外周側における塗布液吐出量が多くなるように調整することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明が適用されるレジスト塗布処理ユニットを備えたLCD基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
【0030】
このレジスト塗布・現像処理システムは、複数の基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイス部3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイス部3が配置されている。
【0031】
カセットステーション1は、カセットCと処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション1においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送が行われる。
【0032】
処理部2は、前段部2aと中段部2bと後段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部15、16が設けられている。
【0033】
前段部2aは、搬送路12に沿って移動可能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユニット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に重ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷却ユニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック27が配置されている。
【0034】
また、中段部2bは、搬送路13に沿って移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22および基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、搬送路13の他方側には、加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック28、加熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねられてなる処理ブロック29、およびアドヒージョン処理ユニット(AD)と冷却ユニット(COL)とが上下に重ねられてなる処理ブロック30が配置されている。
【0035】
さらに、後段部2cは、搬送路14に沿って移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14の一方側には、3つの現像処理ユニット(DEV)24a、24b、24cが配置されており、搬送路14の他方側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねられてなる処理ブロック32、33が配置されている。
【0036】
なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄ユニット(SCR)21a、レジスト塗布処理ユニット(CT)22、現像処理ユニット(DEV)24aのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【0037】
また、中継部15、16のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うためのスペース35が設けられている。
【0038】
上記主搬送装置17,18,19は、それぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Gを支持するアーム17a,18a,19aを有している。
【0039】
上記主搬送装置17は、搬送機構10のアーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部15との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレートとしても機能する。
【0040】
インターフェイス部3は、処理部2との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション36と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38はエクステンション36およびバッファステージ37の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
【0041】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【0042】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの処理ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(COL)で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a,21bでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック26のいずれかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された後、処理ブロック27のいずれかの冷却ユニット(COL)で冷却される。
【0043】
その後、基板Gは中段部2bに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化処理(HMDS処理)され、下段の冷却処理ユニット(COL)で冷却後、レジスト塗布処理ユニット(CT)22でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユニット(HP)の一つでプリベーク処理され、処理ブロック29または30の下段の冷却ユニット(COL)で冷却される。
【0044】
その後、基板Gは中継部16から主搬送装置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、必要に応じて後段部2cの処理ブロック31,32,33のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬送装置19,18,17および搬送機構10によってカセットステーション1上の所定のカセットに収容される。
【0045】
次に、本発明の第1の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット(CT)22について説明する。図2はレジスト塗布処理ユニット(CT)22を模式的に示す断面図であり、図3はレジスト塗布処理ユニット(CT)22を模式的に示す平面図である。
【0046】
図2に示すように、レジスト塗布処理ユニット(CT)22には、基板回転手段である駆動機構40により回転されるスピンチャック41が設けられ、このスピンチャック41上には、LCD基板Gがその表面を水平にして吸着載置されるようになっている。このスピンチャック41には、このスピンチャック41とともに回転可能であり、下方からスピンチャック41および基板Gを囲繞する有底円筒形状の回転カップ(処理容器)42が固定して設けられている。この回転カップ42も駆動機構40により回転されるようになっている。駆動機構40は、ステッピングモータ40a、ステッピングモータ40aの回転を伝達する伝達機構40b,40c、スピンチャック41および回転カップ42を回転させるための伝達機構40dを備えている。
【0047】
この回転カップ42の外周側には、回転カップ42の外周側と下方側を覆い、中空リング状のドレインカップ44が配置されている。このドレインカップ44は、レジスト塗布の際に飛散したレジスト液を下方に導くことが可能となっている。また、回転カップ42の上部開口には、搬送アーム46により蓋体45が装着可能となっている。
【0048】
さらに、ユニット内に設けられた支持柱48には、ノズルアーム50が図示しない駆動系により揺動自在かつ昇降自在に設けられ、このノズルアーム50には、レジスト液を帯状に吐出する長尺状のレジスト液吐出ノズル51が取り付けられている。
【0049】
このレジスト液吐出ノズル51は、図3に示すように、矩形の基板Gの略回転中心から略四隅までの長さを有し、レジスト液の吐出時には、その先端部が基板Gの略回転中心に位置するように、ノズルアーム50とともに揺動される一方、レジスト液の吐出後には、待避位置に戻され、ノズル洗浄機構(ノズルバス)70に装着されるようになっている。
【0050】
このレジスト液吐出ノズル51は、基板Gの略回転中心から略四隅までの間で複数に分割され、例えば図4に示すように5個のレジスト液貯留室51a〜51eに分割されている。これらレジスト液貯留室51a〜51eは、レジスト液吐出ノズル51から回転する基板Gにレジスト液を帯状に吐出する際、レジスト液吐出量をそれぞれ独立して調整することができる。なお、この際の分割の数はこれに限らず3分割以上であればよい。
【0051】
レジスト液貯留室51a〜51eには、それぞれの底面に、レジスト液を吐出するための複数ずつの微小吐出孔52が穿設されている。これら微小吐出孔52の径は、φ10μm〜φ200μmが好ましく、例えばφ50μmである。
【0052】
図4に示すように、これらレジスト液貯留室51a〜51eには、図示しないレジスト液供給源から延びるレジスト液供給管53a〜53eがそれぞれ接続され、これらレジスト液供給管53a〜53eには、後述する塗布ユニットコントローラ60からの制御信号に基づいて電磁的に開閉される開閉バルブ54a〜54eがそれぞれ介装されている。これらの開閉バルブ54a〜54eがそれぞれ独立して開閉されることにより、複数のレジスト液貯留室51a〜51eからのレジスト液吐出量がそれぞれ独立して調整されるようになっている。
【0053】
レジスト塗布処理ユニット(CT)22は、基板Gの回転やレジスト液の供給を制御するための塗布ユニットコントローラ60を有している。この塗布ユニットコントローラ60から、スピンチャック41を駆動する駆動機構40のステッピングモータ40aに、基板Gの回転を制御するための制御信号が送られるように構成されている。このステッピングモータ40aの回転角がエンコーダ61により検出されて、塗布ユニットコントローラ60に入力されることにより、基板Gの回転速度や回転位置などが把握されるようになっている。
【0054】
この塗布ユニットコントローラ60から開閉バルブ54a〜54eには、エンコーダ61により検出された基板Gの回転位置に応じて、開閉バルブ54a〜54eのバルブ開度を調整するための制御信号が送られるように構成されている。
【0055】
なお、これら複数のレジスト液貯留室51a〜51eは、複数のレジスト液貯留室が相互に連結されて長尺状に一体的に構成されていてもよく、または、一つの長尺状のノズル内に隔壁が設けられて複数のレジスト液貯留室が構成されていてもよい。
【0056】
レジスト液吐出ノズル51の待避位置に設けられたノズル洗浄機構(ノズルバス)70は、図5に示すように、本体71内に、レジスト液吐出ノズル51が装着されるバス室72が形成され、このバス室72の底面には、ドレン溝73が形成され、このドレン溝73は、ドレン管74に接続されている。
【0057】
バス室72の側壁には、シンナー等の溶剤を供給するための一対の供給管75が設けられ、これら一対の供給管75の内側には、レジスト液吐出ノズル51の先端部に、シンナー等の溶剤を吐出するための多数の洗浄ノズル76が形成されている。
【0058】
さらに、ドレン管74には、開閉バルブ77が介装され、この開閉バルブ77を閉じることにより、バス室72内に、シンナー等の溶剤を貯留することができ、この貯留したシンナー等の溶剤によりレジスト液吐出ノズル51の先端部を洗浄することができる。
【0059】
次に、上記構成により基板G表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成方法について説明する。
まず、図2に示すように、蓋体45が搬送アーム46により回転カップ42(処理容器)の上方に待機された状態とされ、基板Gが図示しない搬送アームによりスピンチャック41上に搬送されて真空吸着される。
【0060】
次いで、図3に示すように、レジスト液吐出ノズル51が、ノズルアーム50によってその先端部にあるレジスト液貯留室51aが基板Gの略回転中心に位置するように揺動される。
【0061】
引き続き、基板Gがスピンチャック41とともに所定速度で1回転されると同時に、レジスト液吐出ノズル51の微小吐出孔52からレジスト液が基板G上に帯状に吐出され、基板G上にレジスト液が塗布される。このように、基板Gを1回転する間に基板Gの略回転中心から基板端部に至るレジスト液吐出ノズル51の微小吐出孔52からレジスト液を吐出しているため、図6の(a),(b)に示すような状態で基板Gの略全面にレジスト液が塗布される。なお、この際の基板Gの回転は1回転以上であればよい。
【0062】
その後、レジスト液吐出ノズル51が退避位置へ退避されるとともに、蓋体45が回転カップ42上に載置され、回転カップ42の開口が蓋体45によって閉止される。この状態で、回転カップ42とともに基板Gが回転されることにより、レジスト膜の厚さが整えられ、レジスト膜厚が均一となる。
【0063】
この場合に、基板Gを回転させながら基板Gの略回転中心から基板端部に至るレジスト液吐出ノズル51の微小吐出孔52からレジスト液を基板G上に帯状に吐出することにより基板Gの略全面にレジスト液が供給されるので、その後にレジスト液を拡散させる必要はなく単に膜厚を整えればよく、基板Gから遠心力により振り切られるレジスト液の量を少なくすることができ、かつ基板Gに段差が存在しても供給するレジスト液の量を増加させる必要もない。したがって、レジスト液の使用量を従来よりも著しく減少させることができる。
【0064】
また、微小吐出孔52からレジスト液を吐出するので、スリットノズルを用いた場合よりも安定的にレジスト液を吐出することができるとともに、スリットノズルをスキャンしてレジスト液を塗布する場合のような高精度なノズル移動機構を必要としないため、装置コストの高騰を招くこともない。
【0065】
さらに、多数の微小吐出孔52からレジスト液を吐出することから、以下の(1)〜(3)に示すような態様で、レジスト液吐出の制御性を高めることができる。
【0066】
(1)例えば、基板Gを回転する際、基板Gの中心側と外周側とでは、その周速度が異なっていることから、レジスト液を基板G全面に略均一に塗布するためには、基板Gの外周側であるほど、より多量のレジスト液を吐出する必要があるが、本実施の形態では、レジスト液貯留室51a〜51eからのレジスト液吐出量をそれぞれ独立して調整することができるため、このように基板Gの中心側から外周側になるにつれて、レジスト液吐出量を徐々に多くする必要がある場合には、基板Gの中心側のレジスト液貯留室51aから外周側のレジスト液貯留室51eになるにつれて、レジスト液吐出量を順次多くするように調整すればよい。この場合には、基板Gの中心側のレジスト液貯留室51aから外周側のレジスト液貯留室51eになるにつれて、レジスト液吐出量を順次多くするように、塗布ユニットコントローラ60から開閉バルブ54a〜54eのバルブ開度が順次大きくなるような制御信号を送ればよい。
【0067】
(2)基板Gは矩形であるから、基板Gの回転中心から外端縁までの径方向の距離が一定でなく、例えば、基板Gの回転中心から四隅までの距離、回転中心から短辺までの距離、および長辺までの距離がそれぞれ異なっているため、回転する基板Gにレジスト液吐出ノズル51からレジスト液を吐出する際、レジスト液吐出ノズル51の一部が基板Gからはみ出し、レジスト液が無駄になることがある。このような場合には、回転する矩形の基板Gからはみ出したレジスト液貯留室のレジスト液吐出量を減少させるように、または、吐出しないように調整すれば、無駄なレジスト液を極力少なくすることができる。具体的には、エンコーダ61により検出された基板Gの回転位置のタイミングに応じて、例えば、矩形の基板Gの短辺をレジスト液吐出ノズル51が通過する際には、塗布ユニットコントローラ60から基板Gからはみ出したレジスト液貯留室、例えばレジスト液貯留室51eの開閉バルブ54eのバルブ開度を小さくするか、または、完全に閉じるような制御信号を送ればよい。
【0068】
(3)微小吐出孔52の径またはピッチを変えることにより、基板Gの中心側と外周側のレジスト液吐出量を調整することができる。具体的には、上記のように、基板Gの中心側と外周側との周速度の相違から、基板Gの外周側であるほどより多量のレジスト液を吐出する必要があるが、微小吐出孔52の径を基板Gの中心側より外周側の方を徐々に大きくすることにより、または、微小吐出孔52のピッチを基板Gの中心側より外周側の方を徐々に小さくすることにより、基板Gの中心側より基板Gの外周側におけるレジスト液吐出量が徐々に多くなるように調整することができる。
【0069】
一方、レジスト液吐出後、レジスト液吐出ノズル51は待避位置に移動されて、バス室72に装着される。そこでは、レジスト液吐出ノズル51は、一対の供給管75からシンナー等の溶剤が供給されて、洗浄ノズル76からレジスト液吐出ノズル51の先端部に向けて吐出される。これにより、微小吐出孔52の目詰まりを効果的に防止することができる。すなわち、レジスト液吐出ノズル51には微小吐出孔52が形成されているため、目づまりを生じやすいが、このノズル洗浄機構70による洗浄により、目づまりを効果的に防止することができる。
【0070】
このようなノズル洗浄機構70では、開閉バルブ77を閉じることにより、バス室72内にシンナー等の溶剤を貯留して、この貯留したシンナー等の溶剤によりレジスト液吐出ノズル51の先端部を洗浄してもよい。この場合にも、目づまりを効果的に防止することができる。
【0071】
また、開閉バルブ77を閉じることにより、バス室72内にシンナー等の溶剤を貯留して、この貯留した溶剤から発生される蒸気に、レジスト液吐出ノズル51の先端部を晒すことにより、ノズル先端部のレジスト液の乾きを防止してもよい。
【0072】
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図7は本実施形態のレジスト塗布処理ユニット(CT)におけるレジスト液吐出ノズル近傍およびその制御系を部分的に示す模式図である。
このレジスト塗布処理ユニット(CT)は、図7に示すように、それぞれ粘度の異なるレジスト液を供給するレジスト供給源43a〜43eを有している。これらレジスト供給源43a、43b、43c、43dおよび43eは、この順で後者になるほど粘度の高いレジスト液を供給するようになっており、開閉バルブ54a〜54eの設けられたレジスト液供給管53a〜53eを介して、レジスト液貯留室51a〜51eにそれぞれ接続されている。すなわち、レジスト液貯留室51a〜51eには、基板Gの中心から外側に向けて順次粘度の高いレジスト液が供給されるようになっている。
【0073】
また、図7には一部図示を略すが、塗布ユニットコントローラ60は、第1の実施形態と同様、図4に示すようにスピンチャック41を駆動する駆動機構40のステッピングモータ40aを制御するとともに、エンコーダ61の出力に基づいて開閉バルブ54a〜54eを制御するようになっている。
【0074】
このように構成されたレジスト塗布処理ユニット(CT)により基板Gにレジスト液を塗布する際には、図8(a)〜(c)に順に示すように、レジスト液貯留室51a〜51eより基板Gの略中心から基板端部までそれぞれ粘度の異なるレジスト液を吐出しながら、基板Gを1回転させる。これにより、基板Gの中心付近には粘度の低いレジスト液を塗布し、基板Gの端部側には粘度の高いレジスト液を塗布することができる。なお、図8には、レジスト液の粘度が高いほどレジスト液の塗布線が太くなるように示している。この後、基板Gを所定の回転数で回転させて膜厚を整える際に、基板Gの中心から端部に向かうにつれて周速度が速くなるが、本実施形態ではこれに対応して基板Gの中心から端部に向かうにつれてレジスト液の粘度が高くなっているので、膜厚をより均一に調節することができる。また、基板G端部に塗布されたレジスト液の基板G外側への飛散を抑制することができるので、レジスト液の消費量を削減することができる。
【0075】
なお、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、図8(a)に示すようにレジスト液吐出ノズル51の一部が基板Gの外側にはみ出す場合、基板Gからはみ出したレジスト液貯留室51c,51dからのレジスト液吐出量を減少させるように、または、レジスト液を吐出しないように調節することにより、レジスト液の消費量をさらに削減することができる。
【0076】
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図9は本実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット(CT)におけるレジスト液吐出ノズル近傍を示す模式図である。
このレジスト塗布処理ユニット(CT)は、レジスト液吐出ノズル51およびノズルアーム50を支持する支持柱48に、レジスト液吐出ノズル51およびノズルアーム50をその長手方向を軸として回動可能な駆動モータ56を有している。このような構成により、本実施形態ではレジスト液吐出ノズル51が図10に仮想線で示すように回動自在となっており、微小吐出孔52から吐出されるレジスト液の基板Gに対する角度を任意に調節することができる。
【0077】
このような構成によれば、図11に示すように、レジスト液吐出ノズル51を基板Gの回転方向(図中矢印Aで示す。)に所定角度傾斜した状態に回動させてレジスト液を吐出することにより、基板Gに対して滑らかにレジスト液を塗布することができる。また、このようにレジスト液を塗布した場合には、レジスト液が基板G表面から跳ね返ること、あるいは基板G表面で飛び散ることを抑制することができる。したがって、その後の膜厚調整でより均一なレジスト膜を形成することができる。
【0078】
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図12および図13は本実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット(CT)におけるレジスト液吐出ノズル近傍を示す模式図である。
本実施形態では、図12に示すように、小型の基板GSを処理する場合にはレジスト液吐出ノズル51の有するレジスト液貯留室51a〜51eのうち基板G中心側の3つ(51a,51b,51c)からレジスト液を吐出して塗布処理を行う。一方、図13に示すように、大型の基板GLを処理する場合にはレジスト液吐出ノズル51の有するレジスト液貯留室51a〜51eの全体からレジスト液を吐出して塗布処理を行う。このようにすることで、基板Gの大きさに対応して塗布処理を行うことができる。なお、この場合にも第1の実施形態と同様に、使用するレジスト液貯留室のうち、矩形の基板Gを回転することより基板Gからはみ出したレジスト液貯留室からは、その際にレジスト液の吐出量を低減もしくは吐出を停止することにより、レジスト液の消費量を削減することができる。
【0079】
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。
図14(a)および(b)は本実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット(CT)におけるレジスト液吐出ノズル近傍を示す模式図である。
このレジスト塗布処理ユニット(CT)は、上記第1〜第4の実施形態におけるノズルアーム50に代えて、レジスト液吐出ノズル51の長手方向に伸縮可能に構成された伸縮ノズルアーム85を有し、この伸縮ノズルアーム85の先端にレジスト液吐出ノズル51が設けられている。伸縮ノズルアーム85の伸縮機構としては、例えば、油圧シリンダ等を使用することができる。
【0080】
前述のように、基板Gは矩形であるため、基板Gの回転中心から外端縁までの径方向の長さは一定でなく、レジスト液吐出ノズル51の位置を固定した場合には基板Gの回転にともないレジスト液吐出ノズル51の一部が基板Gからはみ出すことがある。このため、本実施形態では基板Gの回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、長い時には図14(a)に示すように伸縮ノズルアーム85を縮めた状態とし、短い時には図14(b)に示すように伸縮ノズルアーム85を伸ばした状態としながら、レジスト液吐出ノズル51から回転する基板Gにレジスト液を吐出する。このようにすることで、基板Gからレジスト液吐出ノズル51がはみ出さないようにして、無駄な塗布液を無くすことができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【0081】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、ノズル洗浄機構は上述したものに限らず図15に示すように、バス室72の底部に、超音波発振子80が設けられたものを用いることもできる。これにより、開閉バルブ77を閉じてバス室72内にシンナー等の溶剤を貯留し、レジスト液吐出ノズル51の先端部がシンナー等の溶剤に浸漬された状態で、超音波発振子80から超音波が発生されて、レジスト液吐出ノズル51の先端部が超音波により洗浄される。この場合には、洗浄をより効率的に行うことができるため、目づまりをより一層効果的に防止することができる。
【0082】
また、上記実施形態では、本発明をレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、これに限るものではない。また、レジスト液を塗布する場合について示したが、スピンコートにより塗布膜を形成する場合であれば、他の塗布液、例えばガラスや誘電体形成用の塗布液等を塗布する場合に適用することも可能である。さらに、上記実施の形態では、被処理基板としてLCD基板を用いた場合について示したが、これに限らず半導体ウエハ等他の基板への塗布膜形成にも適用することができる。
【0083】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板を回転させながら塗布液吐出ノズルの微小吐出孔から塗布液を基板上に吐出することにより基板の略全面に塗布液が供給されるので、その後に塗布液を拡散させる必要はなく単に膜厚を整えればよく、基板から遠心力により振り切られる塗布液の量が少なくすることができ、かつ基板に段差が存在しても供給する塗布液の量を増加させる必要もない。したがって、塗布液の使用量を少なくすることができる。また、微小吐出孔からレジスト液を吐出するので、スリットノズルを用いた場合よりも安定的に塗布液を吐出することができるとともに、スリットノズルをスキャンすることにより塗布液を矩形の基板全面に略均一に塗布する場合のように、高精度なノズル移動機構を必要としないため、製造コストの高騰を招来することもない。
【0084】
また、矩形の基板を回転する場合には、基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さが一定でないため、塗布液吐出ノズルの一部が基板からはみ出すことがあるが、このような場合に、塗布液吐出ノズルとして、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有するものを用い、回転する矩形の基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少し、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように調整することにより、無駄な塗布液を少なくまたは無くすことができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【0086】
さらに、塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、矩形基板から前記塗布液吐出ノズルがはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルをその長手方向に移動させるので、矩形基板上の全面に塗布液を供給できるとともに、無駄な塗布液を少なくすることができ、塗布液の消費量を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の対象となるレジスト塗布処理装置が適用されるレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図2】 本発明の第1の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニットの模式的断面図。
【図3】 図2に示したレジスト塗布処理ユニットの模式的平面図。
【図4】 レジスト液吐出ノズルの模式的斜視図、およびレジスト塗布処理ユニットの制御系のブロック図。
【図5】 ノズル洗浄機構を示す平面図、縦断面図、および横断面図。
【図6】 レジスト液を塗布した直後の状態を示す平面図および側面図。
【図7】 本発明の第2の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット(CT)におけるレジスト液吐出ノズルおよびその近傍ならびにその制御系を部分的に示す模式図。
【図8】 第2の実施形態におけるレジスト液の塗布形態を示す説明図。
【図9】 本発明の第3の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット(CT)におけるレジスト液吐出ノズルおよびその近傍を示す模式図。
【図10】 第3の実施形態におけるレジスト液吐出ノズルの回動動作を示す模式図。
【図11】 第3の実施形態におけるレジスト液の塗布形態を示す説明図。
【図12】 本発明の第4の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット(CT)におけるレジスト液を塗布する形態を示す模式図。
【図13】 第4の実施形態におけるレジスト液を塗布する他の形態を示す模式図。
【図14】 本発明の第5の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット(CT)におけるレジスト液吐出ノズルおよびその近傍を示す模式図。
【図15】 ノズル洗浄機構の他の例を示す横断面図。
【符号の説明】
22…レジスト塗布処理ユニット(塗布処理装置)
40…駆動機構(基板回転手段)
41…スピンチャック(基板回転手段)
42…回転カップ(処理容器)
50…ノズルアーム(ノズル移動機構)
51…レジスト液吐出ノズル
51a〜51e…レジスト液貯留室
52…微小吐出孔
53a〜53e…レジスト液供給管(塗布液供給手段)
54a〜54e…開閉バルブ(塗布液供給手段)
60…塗布ユニットコントローラ(制御手段)
61…エンコーダ
70…ノズル洗浄機構
80…超音波発振子
G…LCD基板(基板)
Claims (15)
- 処理容器内に収容された矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの底面に形成された複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出して、矩形基板上に塗布液を塗布する工程と、
その後、塗布液の供給を停止し、矩形基板を回転させつつ矩形基板上の塗布膜の膜厚を整える工程と
を有し、
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないことを特徴とする塗布処理方法。 - 前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、
塗布液を吐出する際に、この塗布液吐出ノズルの一端を矩形基板の略回転中心に位置させ、この塗布液吐出ノズルから塗布液を帯状に吐出させながら、矩形基板を回転させて、矩形基板の短辺を塗布液吐出ノズルが通過する際に、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないことを特徴とする請求項1に記載の塗布処理方法。 - 処理容器内に収容された矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの底面に形成された複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出して、矩形基板上に塗布液を塗布する工程と、
その後、塗布液の供給を停止し、矩形基板を回転させつつ矩形基板上の塗布膜の膜厚を整える工程と
を有し、
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略中心から略四隅までの長さを有し、
塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて、矩形基板から前記塗布液吐出ノズルがはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルをその長手方向に移動させることを特徴とする塗布処理方法。 - 前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
この塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量をそれぞれ調整することを特徴とする請求項3に記載の塗布処理方法。 - 前記複数の塗布液貯留室のうち矩形基板の中心側のものよりも外周側のものほうが粘度の高い塗布液を吐出することを特徴とする請求項1、請求項2および請求項4のいずれか1項に記載の塗布処理方法。
- 前記複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量は、基板の中心側より外周側の方が多くなるように調整されることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項4および請求項5のいずれか1項に記載の塗布処理方法。
- 矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
上方に開口部を有し、矩形基板を囲繞する処理容器と、
矩形基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより矩形基板を回転させる基板回転手段と、
塗布液を吐出する複数の微小吐出孔がその底面に形成され、これら微小吐出孔から塗布液を帯状に吐出する塗布液吐出ノズルと、
この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出させ、その後、塗布液の供給を停止して矩形基板上に塗布された塗布液の膜厚を整えるために矩形基板を回転させる制御手段と
を具備し、
前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液供給手段は、これら複数の塗布液貯留室のそれぞれに塗布液を供給し、
前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする塗布処理装置。 - 前記塗布液吐出ノズルは、矩形基板の略回転中心から略四隅までの長さを有し、
前記制御手段は、塗布液を吐出する際に、この塗布液吐出ノズルの一端を矩形基板の略回転中心に位置させ、この塗布液吐出ノズルから塗布液を帯状に吐出させながら、矩形基板を回転させて、矩形基板の短辺を塗布液吐出ノズルが通過する際に、回転する矩形基板からはみ出した塗布液貯留室の塗布液吐出量を減少させるか、または、このはみ出した塗布液貯留室から塗布液を吐出しないように前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする請求項7に記載の塗布処理装置。 - 矩形基板の表面上に、塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
上方に開口部を有し、矩形基板を囲繞する処理容器と、
矩形基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより矩形基板を回転させる基板回転手段と、
塗布液を吐出する複数の微小吐出孔がその底面に形成され、これら微小吐出孔から塗布液を帯状に吐出する塗布液吐出ノズルと、
この塗布液吐出ノズルに塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
矩形基板を回転させながら、塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔から回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出させ、その後、塗布液の供給を停止して矩形基板上に塗布された塗布液の膜厚を整えるために矩形基板を回転させる制御手段と
を具備し、
前記塗布液吐出ノズルは、少なくとも矩形基板の略回転中心から略四隅までの長さを有し、かつ、その長手方向に進退自在に設けられ、
塗布液を吐出する際に、矩形基板の回転中心から外端縁までの径方向の長さの変化に応じて前記塗布液吐出ノズルが矩形基板からはみ出さないように前記塗布液吐出ノズルが進退することを特徴とする塗布処理装置。 - 前記塗布液吐出ノズルは、塗布液を吐出する微小吐出孔がそれぞれの底面に形成された複数の塗布液貯留室を有し、
前記塗布液供給手段は、これら複数の塗布液貯留室のそれぞれに塗布液を供給し、
前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズルから回転する矩形基板に塗布液を帯状に吐出する際、複数の塗布液貯留室の塗布液吐出量をそれぞれ調整するように、前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする請求項9に記載の塗布処理装置。 - 前記塗布液供給手段は、前記複数の塗布液貯留室のうち基板の中心側のものよりも外周側のもののほうが粘度の高い塗布液を供給することを特徴とする請求項7、請求項8および請求項10のいずれか1項に記載の塗布処理装置。
- 前記制御手段は、複数の前記塗布液貯留室の塗布液吐出量が基板の中心側より外周側の方が多くなるように、前記塗布液供給手段を制御することを特徴とする請求項7、請求項8、請求項10および請求項11のいずれか1項に記載の塗布処理装置。
- 前記塗布液吐出ノズルの微小吐出孔の径は、φ10μm〜φ200μmであることを特徴とする請求項7から請求項12のいずれか1項に記載の塗布処理装置。
- 前記塗布液吐出ノズルの微小吐出孔の径は、基板の中心側より外周側の方が大きく形成されていることを特徴とする請求項7から請求項13のいずれか1項に記載の塗布処理装置。
- 前記塗布液吐出ノズルの複数の微小吐出孔のピッチは、基板の中心側より外周側の方が小さく形成されていることを特徴とする請求項7から請求項14のいずれか1項に記載の塗布処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001074508A JP3824054B2 (ja) | 2000-03-24 | 2001-03-15 | 塗布処理方法および塗布処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-84565 | 2000-03-24 | ||
JP2000084565 | 2000-03-24 | ||
JP2001074508A JP3824054B2 (ja) | 2000-03-24 | 2001-03-15 | 塗布処理方法および塗布処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001334198A JP2001334198A (ja) | 2001-12-04 |
JP3824054B2 true JP3824054B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=26588297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001074508A Expired - Fee Related JP3824054B2 (ja) | 2000-03-24 | 2001-03-15 | 塗布処理方法および塗布処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3824054B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3464212B1 (ja) | 2002-06-26 | 2003-11-05 | 沖電気工業株式会社 | 塗布液の塗布装置及び塗布液の塗布方法 |
TWI242663B (en) | 2002-07-09 | 2005-11-01 | Seiko Epson Corp | Jetting method of liquid, jetting apparatus of liquid, production method of substrate for electro-optical apparatus and production method of electro-optical apparatus |
JP2004047579A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 液状物の吐出方法および液状物の吐出装置 |
JP4935419B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2012-05-23 | 東レ株式会社 | 塗布ノズル、塗布ノズルユニットおよび塗布ノズルの洗浄方法 |
JP2008118027A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜被覆装置 |
JP2009166000A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Sk Electronics:Kk | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 |
JP5120022B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-01-16 | 東レ株式会社 | 塗布ノズル、ペーストの塗布方法、およびプラズマディスプレイ用部材の製造方法 |
JP5840078B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2016-01-06 | 住友重機械工業株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP6077437B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびノズル洗浄方法 |
JP6139440B2 (ja) * | 2014-03-06 | 2017-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法、塗布装置および接合システム |
KR102119682B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2020-06-09 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치 |
JP7392192B1 (ja) | 2023-04-28 | 2023-12-05 | アーベーベー・シュバイツ・アーゲー | 塗装機 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2890081B2 (ja) * | 1991-12-13 | 1999-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP2976085B2 (ja) * | 1993-07-16 | 1999-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP3597214B2 (ja) * | 1993-12-21 | 2004-12-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 塗布装置および塗布方法 |
JPH0975825A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗膜形成装置および塗膜形成方法 |
JPH11165114A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 枚葉式基板処理装置 |
JP3665715B2 (ja) * | 1998-09-09 | 2005-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法及び現像装置 |
-
2001
- 2001-03-15 JP JP2001074508A patent/JP3824054B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001334198A (ja) | 2001-12-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050715 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051215 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |