JPH03211721A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH03211721A JPH03211721A JP681290A JP681290A JPH03211721A JP H03211721 A JPH03211721 A JP H03211721A JP 681290 A JP681290 A JP 681290A JP 681290 A JP681290 A JP 681290A JP H03211721 A JPH03211721 A JP H03211721A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(目 次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術(第3図)
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
作用
実施例(第1図、第2図)
発明の効果
〔概 要〕
半導体製造装置に関し、更に詳しく言えば、露光の終了
したウェハ上の感光膜を現像するための半導体製造装置
に関し、 現像液をウェハ上に均一に散布して感光膜の現像ムラを
防止するとともに、ウェハを吸着・固定して回転させる
動作を低減してウェハの裏面に付着する汚染物を減少さ
せることができる半導体製造装置を提供することを目的
とし、 ウェハを吸着・固定して該ウェハを面方向に回転させる
ウェハ回転具と、前記ウェハ回転具の上部に設けられた
上下移動可能な反射板と、該反射板に処理液を噴射して
反射させることにより、前記ウェハ上に該処理液を散布
する1以上のノズルと、該ノズルを振動させる振動装置
とを含み構成する。
したウェハ上の感光膜を現像するための半導体製造装置
に関し、 現像液をウェハ上に均一に散布して感光膜の現像ムラを
防止するとともに、ウェハを吸着・固定して回転させる
動作を低減してウェハの裏面に付着する汚染物を減少さ
せることができる半導体製造装置を提供することを目的
とし、 ウェハを吸着・固定して該ウェハを面方向に回転させる
ウェハ回転具と、前記ウェハ回転具の上部に設けられた
上下移動可能な反射板と、該反射板に処理液を噴射して
反射させることにより、前記ウェハ上に該処理液を散布
する1以上のノズルと、該ノズルを振動させる振動装置
とを含み構成する。
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体製造装置に関し、更に詳しく言えば、
露光の終了したウェハ上の感光膜を現像するための半導
体製造装置に関する。
露光の終了したウェハ上の感光膜を現像するための半導
体製造装置に関する。
(従来の技術〕
第3図は、従来例の現像装置の斜視図である。
同図において、1はウェハ6上のレジスト膜を現像する
ための処理容器、2はウェハ6の位置まで現像液を送る
ための配管、3はウェハ6に現像液を噴出するために配
管2に多数設けられた噴出口、4は処理容器l内に溜ま
った現像液の排液管、5はウェハ6を吸着・固定して回
転させるための排液管4内に設けられたスピンナで、噴
出口3からウェハ6上に噴射された現像液をこのスピン
ナ5の回転によりウェハ6全面に広げることができる。
ための処理容器、2はウェハ6の位置まで現像液を送る
ための配管、3はウェハ6に現像液を噴出するために配
管2に多数設けられた噴出口、4は処理容器l内に溜ま
った現像液の排液管、5はウェハ6を吸着・固定して回
転させるための排液管4内に設けられたスピンナで、噴
出口3からウェハ6上に噴射された現像液をこのスピン
ナ5の回転によりウェハ6全面に広げることができる。
次に、この現像装置を用いて露光の終了したウェハ6上
の不図示のレジスト膜を現像する場合について説明する
。
の不図示のレジスト膜を現像する場合について説明する
。
まず、露光されたレジスト膜が表面に形成されたウェハ
6をスピンナ5に載置した後、内部が中空になった管状
のスピンナ5の他端に接続された不図示の真空ポンプに
より管内を減圧してウェハ6を吸着・固定する。
6をスピンナ5に載置した後、内部が中空になった管状
のスピンナ5の他端に接続された不図示の真空ポンプに
より管内を減圧してウェハ6を吸着・固定する。
次に、スピンナ5を回転さセた後、配管2により送られ
てきた現像液を多数の噴出口3より噴出する。すると、
現像液はウェハ6上に勢いよく滴下した後、すぐにウェ
ハ6全面に広がる。その結果、ウェハ6上の露光された
不図示のレジスト膜の現像が均一に行われる。
てきた現像液を多数の噴出口3より噴出する。すると、
現像液はウェハ6上に勢いよく滴下した後、すぐにウェ
ハ6全面に広がる。その結果、ウェハ6上の露光された
不図示のレジスト膜の現像が均一に行われる。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、パターンの@細化に伴い、更に現像の均一性
を向上させるため、現像液をより一層均−にウェハに当
てる必要がある。
を向上させるため、現像液をより一層均−にウェハに当
てる必要がある。
しかし、従来の場合第3図に示すように、現像液が最初
に当たるのはある一部分だけでありその後スピンナ50
回転によりウェハ6全面に広げている。従って、現像は
最初に現像液の当たったところが最も早くすすむ。この
ため、現像ムラが生じる場合があり、パターンの微細化
にとって問題がある。
に当たるのはある一部分だけでありその後スピンナ50
回転によりウェハ6全面に広げている。従って、現像は
最初に現像液の当たったところが最も早くすすむ。この
ため、現像ムラが生じる場合があり、パターンの微細化
にとって問題がある。
また、従来の方法は現像を行う間中スピンナ5にウェハ
6を吸着・固定して回転させなければならない。このた
め、スピンナ5に付着しているレジスト残渣などの汚染
物がウェハ6の裏面に付着し、これが後の工程において
も除去できず半導体装置の特性の悪化や信軽度の低下の
原因になるという問題がある。
6を吸着・固定して回転させなければならない。このた
め、スピンナ5に付着しているレジスト残渣などの汚染
物がウェハ6の裏面に付着し、これが後の工程において
も除去できず半導体装置の特性の悪化や信軽度の低下の
原因になるという問題がある。
そこで本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであって、現像液をウェハ上に均一に散布して
感光膜の現像ムラを防止するとともに、ウェハを吸着・
固定して回転させる動作を低減してウェハの裏面に付着
する汚染物を減少させることができる半導体製造装置を
提供することを目的とするものである。
れたものであって、現像液をウェハ上に均一に散布して
感光膜の現像ムラを防止するとともに、ウェハを吸着・
固定して回転させる動作を低減してウェハの裏面に付着
する汚染物を減少させることができる半導体製造装置を
提供することを目的とするものである。
上記課題は、第1に、第1図に示すように、ウェハ15
を吸着・固定して該ウェハ15を面方向に回転さ廿るウ
ェハ回転具10と、前記ウェハ回転具10の上部に設け
られた上下移動可能な反射板11と、該反射illに処
理液を噴射して反射させることにより、前記ウェハ15
上に該処理液を散布する1以上のノズル12と、該ノズ
ル12を振動させる振動装置13とを有することを特徴
とする半導体製造装置によって達成され、第2に、第1
図に示すように、第1の発明に記載のウェハ回転具10
をその中に収納し、かつ前記ウェハ15の背面近傍に開
口端を位置制御できる減圧配管8を有することを特徴と
する半導体製造装置によって達成される。
を吸着・固定して該ウェハ15を面方向に回転さ廿るウ
ェハ回転具10と、前記ウェハ回転具10の上部に設け
られた上下移動可能な反射板11と、該反射illに処
理液を噴射して反射させることにより、前記ウェハ15
上に該処理液を散布する1以上のノズル12と、該ノズ
ル12を振動させる振動装置13とを有することを特徴
とする半導体製造装置によって達成され、第2に、第1
図に示すように、第1の発明に記載のウェハ回転具10
をその中に収納し、かつ前記ウェハ15の背面近傍に開
口端を位置制御できる減圧配管8を有することを特徴と
する半導体製造装置によって達成される。
第1の発明の半導体製造装置によれば、処理液を噴射す
る1以上のノズル12を有し、かつノズル12を振動さ
せることができるので、処理液は反射板11を介してウ
ェハ15全面に満遍なく散布され、かつ−のノズル12
から噴射する処理液は常にウェハ15上の異なる所に滴
下することになる。しかもまた、反射板11を介してい
るので、処理液の噴射の圧力は弱められる。
る1以上のノズル12を有し、かつノズル12を振動さ
せることができるので、処理液は反射板11を介してウ
ェハ15全面に満遍なく散布され、かつ−のノズル12
から噴射する処理液は常にウェハ15上の異なる所に滴
下することになる。しかもまた、反射板11を介してい
るので、処理液の噴射の圧力は弱められる。
このため、処理液の散布の均一性が更に同上する。従っ
て、処理液として例えば現像液を用いた場合、従来の場
合と異なり、現像液のウェハ15上への散布がウェハ1
5全面にわたって時間的に同時に、かつ均一に行われる
ので、ウェハ15上のレジスト膜などの感光膜の現像が
均一に行われる。
て、処理液として例えば現像液を用いた場合、従来の場
合と異なり、現像液のウェハ15上への散布がウェハ1
5全面にわたって時間的に同時に、かつ均一に行われる
ので、ウェハ15上のレジスト膜などの感光膜の現像が
均一に行われる。
これにより、感光膜の現像ムラが生じるのを防止するこ
とがてき、このため微細なパターンの現像が可能となる
。
とがてき、このため微細なパターンの現像が可能となる
。
また、第2の発明の半導体製造装置によれば、第1の発
明のウェハ回転具10を収納し、かつウェハの背面近傍
に位置制御できる減圧配管8を具備しているので、処理
液でウェハ15の処理を行う場合、減圧配管8でウェハ
15を吸着・固定し、またウェハ回転具10はその間処
理液に濡れないように減圧配管8内で清浄に保持するこ
とができる。
明のウェハ回転具10を収納し、かつウェハの背面近傍
に位置制御できる減圧配管8を具備しているので、処理
液でウェハ15の処理を行う場合、減圧配管8でウェハ
15を吸着・固定し、またウェハ回転具10はその間処
理液に濡れないように減圧配管8内で清浄に保持するこ
とができる。
従って、ウェハ回転具10にウェハ15を吸着・固定し
た場合でも、ウェハ15裏面に処理液の残渣などの汚染
物が付着する機会が少なくなる。
た場合でも、ウェハ15裏面に処理液の残渣などの汚染
物が付着する機会が少なくなる。
これにより、第1の発明の作用・効果に加えて、異物付
着による半導体装置の特性の劣化や信軌度の低下を防止
することができる。
着による半導体装置の特性の劣化や信軌度の低下を防止
することができる。
〔実施例]
以下、本発明の実施例について図を参照しながら具体的
に説明する。
に説明する。
第1図は、第1及び第2の発明の実施例の現像装置を説
明する断面図である。
明する断面図である。
同図において、7はウェハ15を入れてウェハ15上の
露光されたレジストSを現像するための処理容器、8は
ウェハ15を吸着・固定するための減圧配管、9はウェ
ハ15を載置して減圧配管8の減圧状態を保持するバッ
キングの機能を有し、かつ処理容器7内に溜まった現像
液などが減圧配管8内に進入しないようにするためのゴ
ム材料からなる0リング等、10は減圧配管8内に設け
られ、ウェハ15を吸着・固定して回転させるためのス
ピンナ(ウェハ回転具)で、ウェハ15を上下移動させ
ることができるように取りつけられている。また、11
は処理容器7の上部に設けられた上下移動可能な反射板
、12は反射板工1に現像液を噴射して反射させること
により減圧配管8又はスビンナエ0に吸着・固定された
ウェハ15上の露光された不図示のレジスト膜に現像液
を散布するためのノズルで、処理容器7内に複数取りつ
けられ、現像液がウェハ15上に満遍なく行き渡るよう
にそれぞれのノズル12の噴射の方向が調整されている
。更に、13はノズル12を振動させる超音波振動装置
(振動装置)、14は処理容器7内に溜ま、7こ現像液
などの排液管である。
露光されたレジストSを現像するための処理容器、8は
ウェハ15を吸着・固定するための減圧配管、9はウェ
ハ15を載置して減圧配管8の減圧状態を保持するバッ
キングの機能を有し、かつ処理容器7内に溜まった現像
液などが減圧配管8内に進入しないようにするためのゴ
ム材料からなる0リング等、10は減圧配管8内に設け
られ、ウェハ15を吸着・固定して回転させるためのス
ピンナ(ウェハ回転具)で、ウェハ15を上下移動させ
ることができるように取りつけられている。また、11
は処理容器7の上部に設けられた上下移動可能な反射板
、12は反射板工1に現像液を噴射して反射させること
により減圧配管8又はスビンナエ0に吸着・固定された
ウェハ15上の露光された不図示のレジスト膜に現像液
を散布するためのノズルで、処理容器7内に複数取りつ
けられ、現像液がウェハ15上に満遍なく行き渡るよう
にそれぞれのノズル12の噴射の方向が調整されている
。更に、13はノズル12を振動させる超音波振動装置
(振動装置)、14は処理容器7内に溜ま、7こ現像液
などの排液管である。
次に、第2図(a)〜(C)を参照しながら露光の終了
したウェハ15上の不図示のレジスト膜をこの現像装置
を用いて現像する場合について説明する。
したウェハ15上の不図示のレジスト膜をこの現像装置
を用いて現像する場合について説明する。
まず、同図(a)に示すように、スピンナ10を上に移
動した後、ウェハ15を載置する。続いて、このスピン
ナ10の他端に接続されている不図示の真空ポンプによ
りスピンナ10の管内を減圧してウェハ15を吸着・固
定した後、スピンナ10を回転してウェハ15上の塵な
どを飛散・除去する。
動した後、ウェハ15を載置する。続いて、このスピン
ナ10の他端に接続されている不図示の真空ポンプによ
りスピンナ10の管内を減圧してウェハ15を吸着・固
定した後、スピンナ10を回転してウェハ15上の塵な
どを飛散・除去する。
次に、同図(b)に示すように、スピンナ10の管内を
大気圧にした後、スピンナ10を降下させてウェハ15
を減圧配管8の開口部の周辺に形成されたOリング9上
に載置する。次に、減圧配管8の管内を不図示の真空ポ
ンプにより減圧してウェハ15を吸着・固定する。
大気圧にした後、スピンナ10を降下させてウェハ15
を減圧配管8の開口部の周辺に形成されたOリング9上
に載置する。次に、減圧配管8の管内を不図示の真空ポ
ンプにより減圧してウェハ15を吸着・固定する。
次に、反射板11を降下させてウェハ15上約2cm程
度離して固定した後、超音波振動装置13を動作させて
ノズル12を振動させながらノズル12から現像液をウ
ェハ15上部の反射板11に噴射する。その結果、現像
液は反射板11により反射した後、ウェハ15上に滴下
する。このとき、ノズル12が振動しているので、散布
される現像液は常にウェハ15の異なる所に滴下するこ
とになる。しかもまた、反射板11を介しているので、
現像液の噴射の圧力は弱められる。このため、現像液の
散布の均一性が更に向上する。
度離して固定した後、超音波振動装置13を動作させて
ノズル12を振動させながらノズル12から現像液をウ
ェハ15上部の反射板11に噴射する。その結果、現像
液は反射板11により反射した後、ウェハ15上に滴下
する。このとき、ノズル12が振動しているので、散布
される現像液は常にウェハ15の異なる所に滴下するこ
とになる。しかもまた、反射板11を介しているので、
現像液の噴射の圧力は弱められる。このため、現像液の
散布の均一性が更に向上する。
次いで、同図(c)に示すように、現像液がウェハ15
上に均一に盛られたところで現像液の噴射を停止し、そ
の後減圧配管8の排気をやめるとともにスピンナ10を
減圧しながら、上に移動させる。そして、ウェハ15を
載置して吸着・固定した後、Oリング9からウェハ15
が少し離れたところでスピンナ10の上への移動を停止
する。
上に均一に盛られたところで現像液の噴射を停止し、そ
の後減圧配管8の排気をやめるとともにスピンナ10を
減圧しながら、上に移動させる。そして、ウェハ15を
載置して吸着・固定した後、Oリング9からウェハ15
が少し離れたところでスピンナ10の上への移動を停止
する。
このとき、反射板11を上に移動させてウェハ15との
間隔を調整する。
間隔を調整する。
次いで、排液管14の不図示のバルブを開けた後、スピ
ンナ10を回転させてウェハ15上の使用済の現像液を
飛散・除去する。続いて、ノズル12に純水を送りウェ
ハ15上に純水を散布して、ウェハ15上の現像液とレ
ジストの残渣とを洗浄する。このとき、使用済の現像液
が含まれた純水は排液管14から排出する。
ンナ10を回転させてウェハ15上の使用済の現像液を
飛散・除去する。続いて、ノズル12に純水を送りウェ
ハ15上に純水を散布して、ウェハ15上の現像液とレ
ジストの残渣とを洗浄する。このとき、使用済の現像液
が含まれた純水は排液管14から排出する。
次に、純水をとめてスピンナ1oをしばらく回転させ、
ウェハ15を乾燥した後、回転を止める。
ウェハ15を乾燥した後、回転を止める。
その後、ウェハ15を処理容器7がら取り出して現像が
終了する。
終了する。
以上のように、第1の発明の実施例の現像装置によれば
、従来の場合と異なり、現像液のウェハ15上への散布
がウェハ15全面にわたって時間的ニ同時に、かつ均一
に行われるので、ウェハ15上のレジスト膜の現像が均
一に行われる。これにより、レジスト膜の現像ムラが生
じるのを防止することができ、このため微細なパターン
の現像が可能となる。
、従来の場合と異なり、現像液のウェハ15上への散布
がウェハ15全面にわたって時間的ニ同時に、かつ均一
に行われるので、ウェハ15上のレジスト膜の現像が均
一に行われる。これにより、レジスト膜の現像ムラが生
じるのを防止することができ、このため微細なパターン
の現像が可能となる。
また、第2の発明の実施例の現像装置によれば、現像を
行う際、第1の減圧配管8でウェハ15を吸着・固定し
て行い、またスピンナ1oはその間現像液に濡れないよ
うに減圧配管8内で清浄に保持されているので、スビン
ナエ0にウェハ15を吸着・固定した場合でも、ウェハ
15裏面にレジスト残渣などの汚染物が付着する機会が
少なくなる。これにより、第1の発明の実施例による効
果に加えて、ウェハ15に形成される半導体装置の異物
の付着による特性の劣化や信頼変の低下を防止すること
ができる。
行う際、第1の減圧配管8でウェハ15を吸着・固定し
て行い、またスピンナ1oはその間現像液に濡れないよ
うに減圧配管8内で清浄に保持されているので、スビン
ナエ0にウェハ15を吸着・固定した場合でも、ウェハ
15裏面にレジスト残渣などの汚染物が付着する機会が
少なくなる。これにより、第1の発明の実施例による効
果に加えて、ウェハ15に形成される半導体装置の異物
の付着による特性の劣化や信頼変の低下を防止すること
ができる。
なお、上記の実施例では、スピンナ1oを上下移動させ
ているが、処理容器7を上下移動させることもできる。
ているが、処理容器7を上下移動させることもできる。
また、第1及び第2の発明の半導体装置は、実施例のよ
うな現像装置としてだけではなく、ウェハ上にレジスト
を塗布するための装置やウェハを薬液処理するための装
置などウェハ上に均一に処理液を散布するための装置と
して用いることができる。
うな現像装置としてだけではなく、ウェハ上にレジスト
を塗布するための装置やウェハを薬液処理するための装
置などウェハ上に均一に処理液を散布するための装置と
して用いることができる。
[発明の効果]
以上のように、第Iの発明の半導体製造装置によれば、
従来の場合と異なり、処理液のウェハ上への散布がウェ
ハ全面にわたって時間的に同時に、かつ均一に行われる
ので、処理液として例えば現像液を用いてウェハ上のレ
ジスト膜の現像を行う場合、現像が均一に行われる。こ
れにより、レジスト膜の現像ムラが生じるのを防止する
ことができ、このため微細なパターンの現像が可能とな
る。
従来の場合と異なり、処理液のウェハ上への散布がウェ
ハ全面にわたって時間的に同時に、かつ均一に行われる
ので、処理液として例えば現像液を用いてウェハ上のレ
ジスト膜の現像を行う場合、現像が均一に行われる。こ
れにより、レジスト膜の現像ムラが生じるのを防止する
ことができ、このため微細なパターンの現像が可能とな
る。
また、第2の発明の半導体製造装置によれば、処理液で
ウェハの処理を行う際、第1の減圧配管でウェハを吸着
・固定し、また第2の減圧配管はその間処理液に濡れな
いように第1の減圧配管内で清浄に保持されているので
、第2の減圧配管にウェハを吸着・固定した場合でも、
ウェハ裏面に処理液の残渣などの汚染物が付着する機会
が少なくなる。これにより、第1の発明の効果に加えて
、異物付着による半導体装置の特性の劣化や信鯨度の低
下を防止することができる。
ウェハの処理を行う際、第1の減圧配管でウェハを吸着
・固定し、また第2の減圧配管はその間処理液に濡れな
いように第1の減圧配管内で清浄に保持されているので
、第2の減圧配管にウェハを吸着・固定した場合でも、
ウェハ裏面に処理液の残渣などの汚染物が付着する機会
が少なくなる。これにより、第1の発明の効果に加えて
、異物付着による半導体装置の特性の劣化や信鯨度の低
下を防止することができる。
第1図は、第1及び第2の発明の実施例の現像装置の斜
視図、 第2図は、第1及び第2の発明の実施例の現像装置を用
いてウェハ上のレジスト膜を現像する方法について説明
する断面図、 第3図は、従来例の現像装置の斜視図である。 (符号の説明〕 1.7・・・処理容器、 2・・・配管、 3・・・噴出口、 4.14・・・排液管、 5・・・スピンナ、 6.15・・・ウェハ、 8・・・減圧配管、 9・・・0リング、 10・・・スピンナ(ウェハ回転具)、11・・・反射
板、 12・・・ノズル、 13・・・超音波振動装置(振動装置)。
視図、 第2図は、第1及び第2の発明の実施例の現像装置を用
いてウェハ上のレジスト膜を現像する方法について説明
する断面図、 第3図は、従来例の現像装置の斜視図である。 (符号の説明〕 1.7・・・処理容器、 2・・・配管、 3・・・噴出口、 4.14・・・排液管、 5・・・スピンナ、 6.15・・・ウェハ、 8・・・減圧配管、 9・・・0リング、 10・・・スピンナ(ウェハ回転具)、11・・・反射
板、 12・・・ノズル、 13・・・超音波振動装置(振動装置)。
Claims (2)
- (1)ウェハ(15)を吸着・固定して該ウェハ(15
)を面方向に回転させるウェハ回転具(10)と、 前記ウェハ回転具(10)の上部に設けられた上下移動
可能な反射板(11)と、 該反射板(11)に処理液を噴射して反射させることに
より、前記ウェハ(15)上に該処理液を散布する1以
上のノズル(12)と、 該ノズル(12)を振動させる振動装置(13)とを有
することを特徴とする半導体製造装置。 - (2)請求項1記載のウェハ回転具(10)をその中に
収納し、かつ前記ウェハ(15)の背面近傍に開口端を
位置制御できる減圧配管(8)を有することを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP681290A JPH03211721A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP681290A JPH03211721A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03211721A true JPH03211721A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11648614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP681290A Pending JPH03211721A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03211721A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7390365B2 (en) * | 2002-08-30 | 2008-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Developing method, substrate treating method, and substrate treating apparatus |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP681290A patent/JPH03211721A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7390365B2 (en) * | 2002-08-30 | 2008-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Developing method, substrate treating method, and substrate treating apparatus |
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