JPH097939A - 基板の処理方法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 【解決手段】 載置台２１上に載置された基板Ｓの少な
くとも片面との間にクリアランス４１Ａが形成されるよ
うに基板Ｓにカバー体４０を装着し、このクリアランス
４１Ａ内に処理液を流通させるか、もしくは一時的に滞
留させることにより、基板Ｓの表面に処理液を層状に供
給して処理することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤ用ガ
ラス基板や半導体ウェハのような基板の現像処理、洗浄
処理等を行う方法と装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ＬＣＤ基板や半導体ウェハなど
の製造においては、基板であるＬＣＤ基板や半導体ウェ
ハの上面にレジスト膜パターンを形成させるために、い
わゆるリソグラフィ処理が行われる。このリソグラフィ
処理は、基板の洗浄、基板の表面へのレジスト膜の塗
布、そのレジスト膜の露光、現像など、種々の処理工程
を含んでいる。

【０００３】これらの処理工程において、現像処理を行
う工程はリソグラフィ処理の中でも最も厳密な制御を必
要とする工程の一つである。現像処理の方式としては、
従来よりスピン方式、ディップ方式、スプレー方式が知
られている。スピン方式は、カップ内においてモータで
基板を回転させることによってレジスト膜の現像を行う
方式である。ディップ方式は、現像液中に基板を浸漬さ
せて基板の振動や現像液の攪拌を用いて均一な現像を行
う方式である。スプレー方式は、ポンプ等で加圧した現
像液を噴霧状にして基板上に吹き付ける方式である。こ
れらの内、現状ではスピン方式が主流になっている。そ
してこのスピン方式は、カップ内において基板を洗浄や
乾燥する場合にも適用されている。また、これら各方式
により現像した後、リンス液を用いて基板をリンス洗浄
している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】レジスト膜の現像を行
うに際しては基板上にむらなく現像液が供給され、基板
の全面にわたって塗布レジストが均一に現像されること
が重要である。ところが基板の表面に塗布されるレジス
ト膜にはノボラック樹脂が一般に利用され、他方、現像
液には水にテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ト（ＴＭＡＨ）を２.３８％溶解させたＴＭＡＨ水溶液
が一般に利用されている。このため、撥水性を示すレジ
スト膜と水溶性の現像液とはなじみが良くなく、現像液
がレジスト膜の表面全体に均等に広がりにくいといった
難点がある。

【０００５】例えば基板の表面に形成されたレジスト膜
上にＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を塗布して放置する
と、両者のなじみが良くないために、現像液中に気泡が
発生する。そして、この気泡が発生した部分において
は、現像が十分に行われなくなってしまい、いわゆる現
像の欠陥が発生する。また、現像液がレジスト膜の表面
全体に均等に広がらずにレジスト膜上に現像液の多い部
分と少ない部分ができると、現像の均一性が乱されると
いった問題も生ずる。

【０００６】一方、スピン方式によってリンス洗浄する
場合は、スピン回転中の基板に純水のような洗浄液をか
けながらブラシ洗浄することになるが、そうすると洗浄
液が周囲に飛散してスピンチャック及びその周辺領域を
汚してしまうという問題が生ずる。

【０００７】従って、本発明の目的とするところは、基
板の表面に均一に処理液を供給することによって欠陥の
ない処理が可能な基板の処理方法と装置を提供すること
にある。また、本発明の目的とするところは、処理液が
周囲に飛び散ることなく周辺領域を汚染しないクリーン
な基板の処理方法と装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、載置
台上に載置された基板の少なくとも片面との間にクリア
ランスが形成されるようにカバー体を装着し、このクリ
アランス内に処理液を流通させることにより、基板の表
面に処理液を層状に供給して処理することを特徴とする
処理方法である。また、請求項２の発明は、載置台上に
載置された基板の少なくとも片面との間にクリアランス
が形成されるようにカバー体を装着し、このクリアラン
ス内に処理液を一時的に滞留させることにより、基板の
表面に処理液を層状に供給して処理することを特徴とす
る処理方法である。これらの処理方法において基板と
は、例えばＬＣＤ基板や半導体ウェハなどである。そし
て、請求項３に記載したように、基板を処理した処理液
を再生し、この再生した処理液を前記クリアランス内に
再び導入するように構成すれば、処理液のリサイクル使
用できるので、ランニングコストも低減でき、経済的で
ある。更に、請求項４に記載したように、処理液をクリ
アランス内から排出した後、クリアランス内にドライガ
スを流通させて基板を乾燥させるように構成することも
可能である。

【０００９】そして、請求項５の発明は、基板を傾斜さ
せ、該傾斜を利用して基板の表面に処理液を流すことに
より、基板の表面に処理液を層状に供給して処理するこ
とを特徴とする処理方法である。この請求項５の処理方
法においても、請求項６に記載したように、基板を処理
した処理液を再生処理し、この再生処理した処理液を基
板の表面に再び供給することによって処理液をリサイク
ル使用することが好ましい。

【００１０】なお、これら請求項１、２、３、４、５ま
たは６の処理方法は、例えば請求項７に記載したよう
に、基板の表面に形成されたレジスト膜を現像液を用い
て現像する方法として具現化され、また、例えば請求項
８に記載したように、基板の表面をリンス液を用いて洗
浄する方法として具現化される。

【００１１】そして、請求項９の発明は、基板を載置さ
せる載置台と、この載置台に載置された基板の少なくと
も片面との間にクリアランスを形成して装着されるカバ
ー体と、該クリアランスに処理液を供給する処理液供給
手段を備えていることを特徴とする処理装置である。こ
の請求項９の処理装置において、例えば請求項１０に記
載したように、前記カバー体が超音波振動子を備えてい
るように構成しても良い。

【００１２】また、請求項１１の発明は、基板を載置さ
せる載置台と、この載置台に載置された基板を傾斜させ
るための手段と、該傾斜を利用して基板の表面に処理液
を流す処理液供給手段を備えていることを特徴とする処
理装置である。

【００１３】なお、これら請求項９、１０または１１の
処理装置において、請求項１２に記載したように、前記
処理液供給手段が、現像液を供給する現像液供給源と、
リンス液を供給するリンス液供給源と、これら現像液供
給源からの現像液の供給とリンス液供給源からのリンス
液の供給とを切り替える流路切替手段を有する構成とす
ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の好ましい実施の形態について説明する。

【００１５】図１に示すように、レジスト処理システム
１は、その一端側にカセットステーション３を備えてい
る。このカセットステーション３にはＬＣＤ用基板Ｓ
（以下、「基板Ｓ」という）を収容した複数のカセット
２が載置されるようになっている。カセットステーショ
ン３のカセット２の正面側には基板Ｓの搬送及び位置決
めを行うと共に、基板Ｓを保持してメインアーム４との
間で受け渡しを行うための補助アーム５が設けられてい
る。メインアーム４は、処理システム１の中央部を長手
方向に移動可能に、二基直列に配置されており、その移
送路の両側には、現像装置６（５０）その他の各種処理
装置が配置されている。

【００１６】図示の処理システム１にあっては、カセッ
トステーション３側の側方には、基板Ｓをブラシ洗浄す
るためのブラシスクラバ７及び高圧ジェット水により洗
浄を施すための高圧ジェット洗浄機８等が並設されてい
る。また、メインアーム４の移送路を挟んで反対側に現
像装置６（５０）が二基並設され、その隣りに二基の加
熱装置９が積み重ねて設けられている。

【００１７】これら各機器の側方には、接続用インター
フェースユニット１０を介して、基板Ｓにレジスト膜を
塗布する前に基板Ｓを疎水処理するアドヒージョン装置
１１が設けられ、このアドヒージョン装置１１の下方に
は冷却用クーリング装置１２が配置されている。また、
これらアドヒージョン装置１１及びクーリング装置１２
の側方に加熱装置１３が二列に二個づつ積み重ねて配置
される。メインアーム４の移送路を挟んで反対側には基
板Ｓにレジスト液を塗布することによって基板Ｓの表面
にレジスト膜（感光膜）を形成するレジスト膜塗布装置
１４が二台並設されている。図示はしないが、これらレ
ジスト膜塗布装置１４の側部には、基板Ｓ上に形成され
たレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露
光装置等が設けられる。

【００１８】メインアーム４はＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動
機構、およびＺ軸駆動機構を備えており（Ｘ軸、Ｙ軸、
Ｚ軸の各方向は図１に示す）、更に、Ｚ軸を中心に回転
するθ回転駆動機構をそれぞれ備えている。このメイン
アーム４がレジスト処理システム１の中央通路に沿って
適宜走行して、各処理ユニット６（５０）、９、１１〜
１３の間で基板Ｓを搬送するようになっている。そし
て、メインアーム４は、各処理ユニット６（５０）、
９、１１〜１３内に各処理前の基板Ｓを搬入し、また、
各処理ユニット６（５０）、９、１１〜１３内から各処
理後の基板Ｓを搬出する。

【００１９】図２、３に示すように、現像装置６のチャ
ンバ６ａのほぼ中央にはカップ２２が設けられ、カップ
２２の中には載置台２１が設けられている。この載置台
２１の上面には真空吸着機構の吸引孔（図示せず）が開
口しており、基板Ｓが載置台２１の上面に吸着保持され
るようになっている。載置台２１の下面は第１のエアシ
リンダ２０のロッド２０ａで支持され、載置台２１が昇
降可能に支持されている。シリンダ２０のエア供給源の
回路には制御部４５が接続され、センサ（図示せず）か
ら送られた検出信号に基づいて載置台２１の昇降量が最
適に制御されるようになっている。

【００２０】この載置台２１に吸着保持された基板Ｓの
まわりを取り囲むように環状のカップ２２が設けられ、
現像液や洗浄水（リンス液）の飛散を防止するようにな
っている。このカップ２２は耐食性の樹脂または金属で
できている。カップ２２の上部２３は絞られており、そ
の上端開口部２４の直径は、基板Ｓを上方からカップ２
２内に挿入するのに十分な大きさを有している。

【００２１】カップ２２の底面２５は水平面に対して若
干傾斜しており、底面２５の低所には廃液管２６が連通
している。一方、底面２５の高所にはカップ２２内の雰
囲気を排気するための排気管２７が連通している。この
底面２５の上方に環状壁２８が設けられており、この環
状壁２８の上端には整流板２９が設けられている。整流
板２９は、載置台２１上の基板Ｓの裏面に近接して設け
られ、その周縁部は下方に向けて傾いている。この傾き
によって、基板Ｓを処理した廃液が整流板２９上を流れ
落ちてカップ底面２５に導かれるようになっている。

【００２２】載置台２１の下方には複数のリンス液噴射
ノズル（図示せず）が設けられ、載置台２１上の基板Ｓ
の裏面に対して純水を噴射して基板Ｓの裏面を洗浄する
ようになっている。

【００２３】図２に示すように、カバー体４０が載置台
２１の上方に設けられている。このカバー体４０は載置
台２１の上方に配置されたエアシリンダ３０のロッド３
０ａで支持されており、カバー体４０はエアシリンダ３
０の稼働によって昇降されるようになっている。シリン
ダ３０の稼働は制御部４５によって制御されている。

【００２４】カバー体４０の下面周縁部には複数の突起
４０Ｐが形成されている。カバー体４０を下降させる
と、載置台２１上の基板Ｓの上面に突起４０Ｐが当接
し、これによりカバー体４０の下面と基板Ｓの上面との
間にクリアランス４１Ａが形成される。このクリアラン
ス４１Ａの幅（高さ）は０．５〜１０ｍｍの範囲に設定
することが望ましい。このクリアランス４１Ａ内に現像
液を流通させる場合は、クリアランス４１Ａの幅を０．
５〜２ｍｍの範囲に設定することが好ましい。一方、こ
のクリアランス４１Ａ内に現像液を一時滞留させ、基板
Ｓを現像液中にディッピングして処理する場合は、クリ
アランス４１Ａの幅を２〜１０ｍｍの範囲に設定するこ
とが好ましい。なお、これらの突起４０Ｐは基板Ｓに損
傷を与えないように軟質のエンジニアリングプラスチッ
クでつくることが望ましい。

【００２５】また、カバー体４０の内部には複数個の超
音波振動子４４が埋め込まれている。各超音波振動子４
４の稼働は制御部４５によって制御される。これらの振
動子４４から発振される超音波は、特に基板Ｓをリンス
洗浄する場合においてリンス液を介して基板表面に伝わ
り洗浄効果を増進させる。

【００２６】図４に詳しく示すように、カバー体４０の
両側面部にはスリット状の入口４２と出口４３が対向し
て形成されている。これら入口４２及び出口４３は何れ
もカバー体４０の下部中央に形成されている凹所４０Ｃ
に連通して設けられている。図示のようにカバー体４０
によって載置台２１上の基板Ｓを覆った状態では、この
凹所４０Ｃの内側に基板Ｓが納まり、さらに基板Ｓの上
面とカバー体４０の下面との間にクリアランス４１Ａが
形成されるようになっている。なお、入口４２及び出口
４３の幅（高さ）はそれぞれ約０．５〜２ｍｍであるこ
とが好ましい。

【００２７】また、カバー体４０の下部中央の凹所４０
Ｃを囲むようにしてフランジ４０Ｆが内側に向かって形
成されている。図示のようにカバー体４０によって載置
台２１上の基板Ｓを覆った状態では、図５に示されるよ
うに、このフランジ４０Ｆの下面がＯリング３９を介し
て基台８９の上面に押し付けられ、入口４２からクリア
ランス４１Ａ内に導入された現像液やリンス液が下方に
漏れ出さないようにシールする役割を果たす。

【００２８】この図５に示すように、カバー体４０によ
って載置台２１上の基板Ｓを覆った場合、カバー体４０
の一側方（図示の例では右側方）に形成された入口４２
側では、フランジ４０Ｆの上面の高さが基板Ｓの高さと
同じか、少しだけ高くなるように設定されているので、
入口４２からクリアランス４１Ａ内に導入された現像液
やリンス液の流れが基板Ｓの側面の直接当たらず、現像
液やリンス液の流れによって基板Ｓが動くといった不具
合が生ずる心配がない。一方、カバー体４０の他側方
（図示の例では左側方）に形成された出口４３側では、
フランジ４０Ｆの上面の高さは基板Ｓの高さと同じか、
少しだけ低くなるように設定されているので、クリアラ
ンス４１Ａ内を流通した現像液やリンス液は出口４３か
ら円滑に流れ出ることができる。

【００２９】図４に示されるように、カバー体４０の入
口４２には、第１流路４２ａを介して現像液供給源３３
及びリンス液供給源３４がそれぞれ連通し、さらに第２
流路４２ｂを介してドライガス供給源３６が連通してい
る。現像液供給源３３にはテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイト（ＴＭＡＨ）溶液が収容されている。
リンス液供給源３４には純水が収容されている。ドライ
ガス供給源３６にはドライエアまたはドライ窒素ガスが
収容されている。

【００３０】一方、カバー体４０の出口４３には、流路
４３ａを介して一時保留部３７が連通している。一時保
留部３７の容積はクリアランス４１Ａの容積よりも十分
に大きい。この一時保留部３７は気液分離の機能を備え
ており、一時保留部３７内の気体成分は排出通路３８ａ
を通って排出装置３８からクリーンルーム外部へ排出さ
れる。一方、一時保留部３７内の液体成分は再生通路３
９ａを通って再生装置３９で不純物を除去され、さら
に、再生装置３９で再生された液は現像液供給源３３に
戻されるようになっている。

【００３１】なお、クリアランス４１Ａの幅を０．５〜
２ｍｍ程度の狭いものとすることによって、クリアラン
ス４１Ａ内を通過する現像液やリンス液の流れを層状の
流れにすることができ、基板Ｓ上面のレジスト膜上に対
して全体的に現像液やリンス液を少い量で均等に供給す
ることが可能となる。

【００３２】図６に示すように、現像液供給源３３から
の連通通路３３ａとリンス液供給源３４からの連通通路
３４ａが流路切替弁３５を介して第１流路４２ａに接続
されており、この流路切替弁３５を切換操作することに
よって、前述のクリアランス４１Ａ内に現像液を供給す
る状態と、リンス液を供給する状態とに切り替えること
ができる。すなわち、流路切替弁３５には折れ曲がるよ
うに配置されて接続された２つの流路３５ｂ、３５ｃを
有する回転体３５Ａを備えており、この回転体３５Ａを
回転させることにより流路３５ｂを現像液通路３３ａに
連通させ、かつ流路３５ｃを第１流路４２ａに連通させ
た状態と、流路３５ｂを第１流路４２ａに連通させ、か
つ流路３５ｃをリンス液通路３４ａに連通させた状態と
に切り替えることができる。なお、現像液やリンス液が
クリアランス４１Ａ内を均等に流通可能なように、これ
らリンス液通路３４ａや流路３５ｂおよび第１流路４２
ａは、バッファタンク部（図示せず）や圧損発生部（図
示せず）等を有する結合部材（図示せず）によって液密
にシールされている。

【００３３】図７、８に示すように、載置台２１の下方
にはピン６０を備えた基板突上機構が設けられ、複数本
の突上げピン６０によって基板Ｓが載置台２１上から持
ち上げられるようになっている。これらの突上げピン６
０は板状の共通部材４９を介して第２のエアシリンダ４
８のロッド４８ａで支持されており、エアシリンダ４８
の伸張稼働によって突上げピン６０が載置台２１の孔２
１ａを通って載置台２１の上方に突出するようになって
いる。エアシリンダ４８の伸張稼働時には、これら突上
げピン６０によって基板Ｓは載置台２１から持ち上げら
れる。先に説明したメインアーム４によってこの載置台
２１上に基板Ｓが搬入される場合や、メインアーム４に
よってこの載置台２１上から基板Ｓが搬出される場合に
は、図８に示すように、これら突上げピン６０は上昇し
た状態になっている。

【００３４】また、このように現像装置６内に基板Ｓを
搬入／搬出する場合は、基板Ｓを保持したメインアーム
４は、図３に示した開口６ｂを通過して現像装置６内に
進退するようになっている。

【００３５】さて、この現像装置６を用いて基板Ｓを現
像処理する場合について説明すると、先ず、図１に示す
ようにカセットステーション３に載置されたカセット２
内から補助アーム５によって基板Ｓを取り出し、これを
メインアーム４に受け渡す。メインアーム４は基板Ｓを
ブラシスクラバ７に搬入し、ブラシスクラバ７はその基
板Ｓをブラシ洗浄処理する。この洗浄した基板Ｓをメイ
ンアーム４で加熱ユニット９内に搬入し、乾燥する。な
お、プロセスに応じて高圧ジェット洗浄機８内にて高圧
ジェット水により基板Ｓを洗浄するようにしてもよい。

【００３６】次いで、アドヒージョンユニット１１にて
基板Ｓをアドヒージョン処理する。さらに、クーリング
ユニット１２で基板Ｓを冷却した後に、コーティングユ
ニット１４にてレジストを基板Ｓの表面に塗布する。そ
して、基板Ｓを加熱ユニット１３でベーキング処理した
後に、露光装置（図示せず）でレジスト膜を露光処理す
る。そして、露光後の基板Ｓを現像装置６内へ搬入す
る。

【００３７】現像装置６内においては、先ず、載置台２
１が上昇し、更に突上げピン６０が上昇した状態でメイ
ンアーム４から基板Ｓを受け取り、その後、突上げピン
６０が下降して載置台２１上面に基板Ｓを吸着保持し、
載置台２１の下降により基板Ｓはカップ内に収納され
る。次に、カバー体４０を基板Ｓの上に被せる。これに
より、基板Ｓの上面とカバー体４０との間隔が０．５〜
１ｍｍ程度の狭いクリアランス４１Ａが形成される。

【００３８】カバー体４０の装着完了後に、現像液をク
リアランス４１Ａ内に循環供給し、基板Ｓのレジスト膜
を現像処理する。現像液は、現像液供給源３３から入口
４２を介してクリアランス４１Ａ内に入り、基板Ｓの上
面と接触しながら流れ、出口４３から排出される。現像
液は、クリアランス４１Ａ内では層状の流れとなり、少
流量でかつ均等に供給されて良好な現像処理が行われ
る。レジスト膜上には常に新しい現像液が供給され続け
るので、現像時間も短縮される。また、使用した現像液
は再生通路３９ａを通って再生装置３９で不純物を除去
されて再生され、現像液供給源３３に戻されるので無駄
がない。

【００３９】現像処理が終了すると、切替弁３５の流路
を切り換え、リンス液供給源３４からリンス液をクリア
ランス４１Ａ内に供給する。これにより基板Ｓ上に残留
する現像液が洗い流される。なお、基板Ｓのリンス処理
においては、クリアランス４１Ａ内のリンス液に超音波
振動子４４によって超音波を印加すると、基板Ｓの表面
からパーティクルが離脱し易くなるので、洗浄の処理効
率が大幅に向上する。また、このリンス液の供給と同時
に、下方に配置されたノズル（図示せず）から基板Ｓの
裏面に向かって洗浄水を噴き付け、基板Ｓの裏面を洗浄
する。

【００４０】リンス処理が終了すると、ドライガス供給
源３６からドライガスをクリアランス４１Ａ内に供給
し、基板Ｓを乾燥させる。乾燥後、カバー体４０を基板
Ｓから取り外す。なお、カバー体４０を取り外す際に、
予めクリアランス４１Ａ内にドライガスなどを吹き込む
ようにすると、カバー体４０の取り外しが容易になる。
その後、更に突上げピン６０の上昇で載置台２１上に突
き上げた基板Ｓをメインアーム４で現像装置６から搬出
し、その基板Ｓは加熱ユニット９で加熱され、さらにカ
セットステーション３のカセット２内に収納される。

【００４１】この現像装置６によれば基板Ｓの上面に現
像液を層状に流すことによってレジスト膜上に現像液を
均等に供給することができる。また、レジスト膜に常に
新しい現像液を供給しているので、現像時間を短縮で
き、スループットが向上する。さらに、上記装置ではス
ピン回転機構が不要になるので、装置を全体として小型
化することができる。

【００４２】なお、図９に示すように、２つの現像装置
６を上下２段に積み重ねるようにしてもよい。このよう
な現像装置６では、上下の厚みサイズを小さくする必要
があるため、カバー体４０が水平面内でスライドする構
成とし、カバー体４０の昇降高さが少ない構成であるこ
とが好ましい。即ち、水平面内でカバー体４０をスライ
ド移動させることにより、基板Ｓの上方にカバー体４０
を装着してクリアランスＡを形成し、そのクリアランス
Ａ内に現像液やリンス液を供給する構成とすることが望
ましい。

【００４３】また、図１０に示す現像装置６のように、
カバー体４０内で基板Ｓの両面を処理液と接触させるよ
うにしてもよい。この図１０に示したカバー体４０は下
カバー部材４０ａと上カバー部材４０ｂを備えており、
下カバー部材４０ａの内側中央は凹んだ形状になってい
る。この凹みにより、下カバー部材４０ａの上に基板Ｓ
を載置すると、下カバー部材４０ａと基板Ｓとの間に下
部クリアランス４１Ｂが形成されるようになっている。
上カバー部材４０ｂは、先に図２等で説明したものと同
様に、シリンダ３０のロッド３０ａによって昇降可能に
支持されている。このシリンダ３０の稼働によって上カ
バー部材４０ｂを下カバー部材４０ａに被せると、上カ
バー部材４０ｂと基板Ｓとの間に上部クリアランス４１
Ａが形成されるようになっている。下カバー部材４０ａ
及び上カバー部材４０ｂは周縁部で互いに当接するよう
に形成され、この当接面にはシール用のＯリング４６が
設けられている。これにより上下クリアランス４１Ａ、
４１Ｂ内に導入された現像液やリンス液が外に漏れ出さ
ないようになっている。

【００４４】この図１０に示す現像装置６においては、
上下クリアランス４１Ａ、４１Ｂ内に現像液やリンス液
を流通させるだけでなく、各クリアランス４１Ａ、４１
Ｂ内に現像液やリンス液を滞留させることができる。従
って、基板Ｓを現像液やリンス液中に一定時間浸漬させ
ることができ、特に現像処理に好適である。

【００４５】図１１に示す現像装置６のカバー体４０
は、ヒンジ４７によって互いの１辺同士が連結された下
カバー部材４０ａと上カバー部材４０ｂを備えている。
このように、ヒンジ４７により接続された上下のカバー
部材４０ａ、４０ｂによって上下クリアランス４１Ａ、
４１Ｂ内を閉塞して基板Ｓの両面に現像液やリンス液を
接触させるようにしてもよい。

【００４６】なお、上下クリアランス４１Ａ、４１Ｂ内
に現像液やリンス液を流通させる場合は、図１２に示す
ように、基板Ｓの短辺に沿った向きに現像液やリンス液
を流通させることが好ましい。基板Ｓの短辺に沿った向
きに現像液やリンス液を流通させることにより、長辺方
向に流通させた場合に比べて現像液やリンス液の通過距
離を短くでき、現像液やリンス液の劣化が少なくなるの
で、処理効率がさらに向上する。

【００４７】次に、図１３〜１５を参照しながら本発明
の他の実施の形態にかかる現像装置５０について説明す
る。

【００４８】図１３に示すように、この実施の形態の現
像装置５０のチャンバ中央には整流板５６を持つ載置台
５２が設けられている。整流板５６及び載置台５２の上
には基板Ｓが載置され、その載置された基板Ｓが真空吸
着機構（図示せず）によって載置台５２の上面に吸着保
持されるようになっている。載置台５２の下面は軸５１
ａを介して駆動部５１の内部機構に支持されている。こ
の駆動部５１は、載置台５２を昇降させるシリンダ（図
示せず）及び載置台５２をスピン回転させるモータ（図
示せず）を内蔵している。

【００４９】載置台５２上面に吸着保持された基板Ｓの
周囲を囲うようにしてカップ５３が設けられている。こ
のカップ５３の底面５４には環状壁５５が立設されてい
る。環状壁５５の上端近傍には前述の整流板５６が設け
られている。

【００５０】但し、この整流板５６はヒンジ部５７を中
心にしてカップ５３内において揺動可能に支持されてい
る。カップ５３の底面５４には孔５８が形成され、この
孔５８を通ってピン６０Ａが上方に突出されると、整流
板５６の片側がピン６０Ａによって持ち上げられるよう
になっている。ピン６０Ａは制御部４５により動作制御
されるプッシャ５９によって昇降駆動される。

【００５１】ピン６０Ａで整流板５６を突き上げると、
整流板５６とともに基板Ｓは、ヒンジ部５７を中心にし
て図１３中の矢印６１の方向に持ち上げられて、基板Ｓ
は約１０゜傾くようになっている。この傾斜状態におい
て基板Ｓの高い側には供給樋６２が配置され、基板Ｓの
低い側には受け樋６３が配置されている。また、供給樋
６２はスリット状の供給口を備えており、現像液供給装
置６４やリンス液供給装置６５（図１３では現像液供給
装置６４と同じものとして示した）から供給された現像
液やリンス液が、この供給樋６２を介して、傾斜状態に
された基板Ｓの高い側（右端側）に供給される。この供
給樋６２を介して傾斜状態にある基板Ｓの幅方向の全体
に渡って均一に現像液を流すことができ、こうして基板
Ｓの上面全体を層状に流れた現像液は低い側（左端側）
に配置された受け樋６３に流れ込んで再び現像液供給装
置６４に戻ることにより、現像液を循環供給するように
構成されている。また、同様にリンス液供給装置６５か
ら供給したリンス液を基板Ｓ上面全体に均一に流して基
板Ｓをリンス洗浄できるように構成されている。

【００５２】また、このように基板Ｓを傾斜させて上面
に現像液やリンス液を流す場合は、図１４に示すよう
に、両端にガイド壁７０を備えたガイド部材７１を用い
ることが好ましい。すなわち、このガイド部材７１とと
もに基板Ｓを載置台５２上に載置すれば、現像液やリン
ス液がガイド壁７０で案内されて基板Ｓの上面から側方
に漏れ落ちることなく、受け樋６３に流れ込むようにな
る。なお、図１５に示すように、基板Ｓはメインアーム
４によって載置台５２上に載置されるが、このように基
板Ｓが載置台５２上に載置される際にガイド部材７１を
基板Ｓと載置台５２の間に挿入すればよい。

【００５３】このガイド部材７１を用いれば、現像液や
リンス液が基板Ｓ上面から側方に漏れ落ちることがな
く、周囲に飛び散らないので、カップ５３の内面やその
周辺が汚れにくいので、クリーンな環境を維持でき、基
板Ｓへのパーティクルの付着を実質的になくすことがで
きる。また、装置のメンテナンスの点でも従来方式の装
置よりも有利になる。また、レジスト膜上に常に新しい
現像液を循環供給することにより現像時間を短縮でき、
スループットが向上する。さらに、現像液をリサイクル
使用できるので、ランニングコストも低減でき、経済的
である。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、基板の上面に現像液や
リンス液などの処理液を層状に供給することによって均
一な処理を行うことができ、欠陥のない性状の優れた製
品を提供できる。また、処理液を循環供給することによ
り基板上に常に新しい処理液を供給して処理時間を短縮
でき、スループットが向上する。また、処理液をリサイ
クル使用できるので、ランニングコストも低減でき、経
済的である。

【００５５】また、本発明によれば、現像液やリンス液
などの処理液を周囲に飛散させずに基板の上面に供給す
ることができるので、周辺領域を汚染しないクリーンな
基板の処理を実施できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】レジスト処理システムの全体概要を示す斜視図
である。

【図２】カバー体を用いた本発明の実施の形態に係る現
像装置の断面図である。

【図３】同現像装置の平面図である。

【図４】カバー体の断面を表す斜視図である。

【図５】カバー体に形成された処理液の入口部分と出口
部分の拡大図である。

【図６】流路切替弁の説明図である。

【図７】基板突上機構の説明図である。

【図８】メインアームによる載置台上への基板の搬入搬
出状態を示す斜視図である。

【図９】上下２段に現像装置を積み重ねた実施の形態を
示す正面図である。

【図１０】クリアランス内に処理液を滞留させる実施の
形態にかかる現像装置の正面図である。

【図１１】上下のカバー部材をヒンジで連結した現像装
置の正面図である。

【図１２】基板の短辺に沿った向きに処理液を流通させ
る状態を示す平面図である。

【図１３】基板の傾斜を利用して処理液を流すように構
成した本発明の実施の形態に係る現像装置の断面図であ
る。

【図１４】同現像装置におけるガイド部材の使用状態を
示す斜視図である。

【図１５】メインアームによる載置台上への基板の受け
渡しを示す斜視図である。

【符号の説明】

Ｓ 基板 ２１、５２ 載置台 ３３ 現像液供給源 ３４ リンス液供給源 ３５ 切替弁 ３６ ドライガス供給源 ３９ 再生装置 ４０ カバー体 ４１Ａ クリアランス ４４ 超音波振動子 ５９ プッシャ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｍ 21/30 ５６９Ｃ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 載置台上に載置された基板の少なくとも
   片面との間にクリアランスが形成されるようにカバー体
   を装着し、 このクリアランス内に処理液を流通させることにより、
   基板の表面に処理液を層状に供給して処理することを特
   徴とする処理方法。
2. 【請求項２】 載置台上に載置された基板の少なくとも
   片面との間にクリアランスが形成されるようにカバー体
   を装着し、 このクリアランス内に処理液を一時的に滞留させること
   により、基板の表面に処理液を層状に供給して処理する
   ことを特徴とする処理方法。
3. 【請求項３】 基板を処理した処理液を再生し、この再
   生した処理液を前記クリアランス内に再び導入する請求
   項１または２に記載の処理方法。
4. 【請求項４】 処理液をクリアランス内から排出した
   後、さらにクリアランス内にドライガスを流通させて基
   板を乾燥させる請求項１、２または３の何れかに記載の
   処理方法。
5. 【請求項５】 基板を傾斜させ、該傾斜を利用して基板
   の表面に処理液を流すことにより、基板の表面に処理液
   を層状に供給して処理することを特徴とする処理方法。
6. 【請求項６】 基板を処理した処理液を再生し、この再
   生した処理液を基板の表面に再び供給する請求項５に記
   載の処理方法。
7. 【請求項７】 基板の表面に形成されたレジスト膜を現
   像液を用いて現像する請求項１、２、３、４、５または
   ６の何れかに記載の処理方法。
8. 【請求項８】 基板の表面をリンス液を用いて洗浄する
   請求項１、２、３、４、５または６の何れかに記載の処
   理方法。
9. 【請求項９】 基板を載置させる載置台と、この載置台
   に載置された基板の少なくとも片面との間にクリアラン
   スを形成して装着されるカバー体と、該クリアランス内
   に処理液を供給する処理液供給手段を備えていることを
   特徴とする処理装置。
10. 【請求項１０】 前記カバー体が超音波振動子を備えて
    いる請求項９に記載の処理装置。
11. 【請求項１１】 基板を載置させる載置台と、この載置
    台に載置された基板を傾斜させるための手段と、該傾斜
    を利用して基板の表面に処理液を流す処理液供給手段を
    備えていることを特徴とする処理装置。
12. 【請求項１２】 前記処理液供給手段は、現像液を供給
    する現像液供給源と、リンス液を供給するリンス液供給
    源と、これら現像液供給源からの現像液の供給とリンス
    液供給源からのリンス液の供給とを切り替える流路切替
    手段を有する請求項９、１０または１１の何れかに記載
    の処理装置。