JP2003086488A - 液処理装置および液処理方法ならびに現像処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を回転させることなく基板に対して所定
の液処理を施す液処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明の一実施形態であるＬＣＤ基板Ｇ
の現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、１個の筐体６５
内に、基板Ｇを保持する保持プレート４１と、基板Ｇに
現像液を塗布する現像ノズル４６と、保持プレート４１
を所定角度傾斜させる角度調整ピン４５と、基板Ｇにリ
ンス液を吐出するリンスノズル４７と、基板Ｇに乾燥気
体を吐出して基板Ｇを乾燥させるエアーナイフ４８が設
けられた構造を有する。基板Ｇに対する現像液の塗布処
理、基板Ｇを傾斜させる現像液の液切り処理、基板Ｇの
リンス液によるリンス処理、基板Ｇの乾燥処理を、基板
Ｇが保持プレート４１に保持された実質的に移動しない
状態で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板や半導体ウエハ等の基板
に所定の液処理を施す液処理装置および液処理方法、な
らびにこれらの基板に対してフォトリソグラフィー処理
を施す際に用いられる現像処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示ディスプレイ（ＬＣＤ）や半導
体デバイスのフォトリソグラフィー工程においては、一
般的にスピンナ型と呼ばれる液処理装置を用いて、被処
理基板であるＬＣＤ基板や半導体ウエハを面内でスピン
回転させ、洗浄、レジスト塗布、現像等の処理が行われ
る。

【０００３】例えば、スピンナ型の現像処理装置では、
基板を水平姿勢となるようにスピンチャックに保持して
基板の表面に現像液を液盛りし、所定時間放置した後に
基板に純水等のリンス液を供給するとともにスピンチャ
ックを回転させて基板上の現像液とリンス液を基板から
振り切り、さらにリンス液の供給を停止させた状態で基
板を所定の回転数で回転させることで基板上のリンス液
を振り切って、基板を乾燥するという一連の処理が行わ
れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年で
は生産効率を向上させるために、ＬＣＤ基板として一辺
の長さが１ｍを超える大きさの基板が用いられるように
なってきているために、このような大型の基板を高速で
回転させて、現像液やリンス液をＬＣＤ基板から振り切
るといった処理は、安全性の観点や基板に掛かる応力が
大きくなる問題、基板を保持する方法や保持力の確保と
いった種々の問題を有している。

【０００５】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、基板を回転させることなく基板に対して所定の
液処理を施す液処理装置および液処理方法を提供するこ
とを目的とする。また本発明は、このような液処理の一
つである現像処理に適した現像処理装置を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点によ
れば、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持
された基板に処理液を塗布する処理液供給ノズルと、前
記基板に塗布された処理液が前記基板から流れ落ちるよ
うに前記保持手段を所定角度傾斜させる傾斜機構と、前
記保持手段に保持された基板に乾燥気体を吐出して前記
基板を乾燥させる気体吐出ノズルと、を具備し、基板に
対する処理液の塗布、基板に塗布された処理液の除去、
基板の乾燥の一連の処理を行う液処理装置であって、前
記基板が前記保持手段に保持された実質的に移動しない
状態で前記一連の処理が行われることを特徴とする液処
理装置、が提供される。

【０００７】本発明の第２の観点によれば、基板を保持
する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に第１
の処理液を塗布する第１処理液供給ノズルと、前記保持
手段に保持された基板に第２の処理液を供給する第２処
理液供給ノズルと、前記保持手段に保持された基板に乾
燥気体を吐出して前記基板を乾燥させる気体吐出ノズル
と、前記保持手段を所定角度傾斜させる傾斜機構と、前
記第１の処理液の液盛りされた基板が前記傾斜機構によ
って第１の所定角度に傾けられた際に前記基板から流れ
落ちる前記第１の処理液を回収する第１回収機構と、前
記第１の処理液が流れ落ちた基板を前記傾斜機構によっ
て第２の所定角度に傾けた状態で、前記基板に前記第２
の処理液を所定量供給したときに前記基板から流れ落ち
る前記第１の処理液を含む前記第２の処理液を回収する
第２回収機構と、を具備し、基板に対する第１の処理液
の塗布、基板に対する第２の処理液の供給、基板に塗布
された第１の処理液の除去と回収、基板に供給された第
２の処理液の回収、基板の乾燥の一連の処理を行う液処
理装置であって、前記基板が前記保持手段に保持された
実質的に移動しない状態で前記一連の処理が行われるこ
とを特徴とする液処理装置、が提供される。

【０００８】本発明の第３の観点によれば、基板が実質
的に移動しない状態で前記基板に所定の液処理を施す液
処理方法であって、基板を所定の保持手段に保持する第
１工程と、前記保持手段に保持された基板に第１の処理
液を塗布して所定時間保持する第２工程と、前記保持手
段を所定角度に傾斜させて前記基板を傾斜姿勢に保持
し、前記基板上の第１の処理液を流し出すとともに前記
基板から流れ出した第１の処理液を回収する第３工程
と、前記傾斜姿勢に保持された基板に第２の処理液を供
給して前記基板から前記第１の処理液を前記第２の処理
液によって洗い流すとともに、流れ出した第１の処理液
と第２の処理液を回収する第４工程と、前記保持手段に
保持された基板に乾燥気体を吐出して前記基板を乾燥さ
せる第５工程と、を有することを特徴とする液処理方
法、が提供される。

【０００９】本発明の第４の観点によれば、レジスト膜
が形成されて露光処理の施された基板を実質的に移動し
ない状態で現像処理する現像処理装置であって、基板を
保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に
現像液を塗布する現像液塗布ノズルと、前記保持手段に
保持された基板にリンス液を吐出するリンス液吐出ノズ
ルと、前記保持手段に保持された基板に乾燥気体を吐出
して前記基板を乾燥させる乾燥気体吐出ノズルと、前記
保持手段を所定角度傾斜させる傾斜機構と、前記傾斜機
構によって第１の所定角度に傾けられた基板から流れ落
ちる高濃度の現像液を回収する第１の現像液回収機構
と、前記現像液が流れ落ちた後の前記傾斜機構によって
第２の所定角度に傾けられた基板へ前記リンス液を供給
したときに前記基板から流れ落ちる低濃度の現像液を回
収する第２の現像液回収機構と、前記傾斜機構によって
第３の所定角度に傾けられた基板へ前記リンス液を供給
したときに前記基板から流れ落ちるリンス液を回収する
リンス液回収機構と、を具備することを特徴とする現像
処理装置、が提供される。

【００１０】このような本発明の液処理装置および現像
処理装置によれば、基板を回転させることなく所定の液
処理を行うことができるために安全性が高められる。ま
た、基板を高速で回転させないために、基板に掛かる応
力を低減して基板の品質を高く維持することができる。
さらに、用いる処理液の種類に応じて基板の傾斜状態を
変化させて使用された処理液を専用の回収手段によって
回収することによって、処理液を効率的に利用すること
ができる。

【００１１】大型基板の液処理においては、基板を略水
平姿勢で一方向に所定の速度で搬送しながら、基板に処
理液を塗布し、所定位置に到達したときに基板を傾斜姿
勢に変換して基板上の処理液を流し出し、基板を傾斜姿
勢に保持しながら所定速度で搬送しながら処理液を洗い
流すためのリンス液を供給するといった、所謂、平流し
処理も行われているが、このような方法では必然的にフ
ットプリントが広くなる問題がある。しかし、本発明の
液処理装置を用いれば、基板は実質的に移動しない状態
で処理されるために、フットプリントを小さくすること
が可能であり、これによってコンパクトな処理システム
を実現することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。ここでは、Ｌ
ＣＤ基板に対して所定の現像処理を施す現像処理装置
（現像処理ユニット）を具備し、ＬＣＤ基板に対して洗
浄から現像までの処理を一貫して行うことができるレジ
スト塗布・現像処理システム１００を例に説明すること
とする。図１はこのレジスト塗布・現像処理システム１
００の構造を示す概略平面図である。

【００１３】レジスト塗布・現像処理システム１００
は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセ
ットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現
像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを
備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板
Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備
えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーシ
ョン１およびインターフェイス部３が配置されている。

【００１４】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１
０を備えている。そして、カセットステーション１にお
いてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１
０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０
ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アー
ム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬
送が行われる。

【００１５】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２
・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
１５・１６が設けられている。

【００１６】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが
配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユ
ニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重
ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）
が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユ
ニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック
２７が配置されている。

【００１７】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２お
よび基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、
搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が
２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねら
れてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理
ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に
重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。

【００１８】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
ａ・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他
方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられて
なる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット
（ＨＰ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる処理ブロック３２・３３が配置されている。

【００１９】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、レジスト塗布処理
ユニット（ＣＴ）２２、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４ａのようなスピンナ系ユニットのみを配置しており、
他方の側に加熱処理ユニット（ＨＰ）や冷却ユニット
（ＣＯＬ）等の熱系処理ユニットのみを配置する構造と
なっている。

【００２０】また、中継部１５・１６のスピンナ系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらに主搬送装置１７・１８・１９のメンテ
ナンスを行うためのスペース３５が設けられている。

【００２１】主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ
水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、およ
び垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Ｇを支持するアームを有している。

【００２２】主搬送装置１７は搬送アーム１７ａを有
し、搬送機構１０の搬送アーム１１との間で基板Ｇの受
け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに
対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間
で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置１８は搬送アーム１８ａを有し、中継部１５と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置１９は搬送アーム１９ａを
有し、中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとと
もに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板
Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１
５・１６は冷却プレートとしても機能する。

【００２３】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板Ｇを受け渡しする際に一時的に基板Ｇを保持する
エクステンション３６と、さらにその両側に設けられ
た、バッファカセットを配置する２つのバッファステー
ジ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板
Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機
構３８はエクステンション３６およびバッファステージ
３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移
動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９に
より処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われ
る。

【００２４】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００２５】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システム１００においては、カセットＣ内の基板Ｇ
が処理部２に搬送され、処理部２では、まず前段部２ａ
の処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表
面改質・洗浄処理が行われ、冷却ユニット（ＣＯＬ）で
冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂ
でスクラブ洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれか
の加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理
ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却される。

【００２６】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の
上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化
処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２
でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（Ｅ
Ｒ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去され
る。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、処理ブロッ
ク２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却される。

【００２７】その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬
送され、そこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３２・３
３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置
１９・１８・１７および搬送機構１０によってカセット
ステーション１上の所定のカセットに収容される。

【００２８】次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の
構造について説明する。図２（ａ）は現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４の概略平面図、図２（ｂ）は現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４の概略断面図である。現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４は、筐体６５の内部に、ＬＣＤ基
板Ｇを保持する保持プレート４１と、保持プレート４１
を所定角度傾斜させる角度調整ピン４５ａ・４５ｂと、
保持プレート４１に保持されたＬＣＤ基板Ｇに現像液を
塗布する現像ノズル４６と、保持プレート４１を所定角
度に傾斜させた際にＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる高濃度
の現像液を回収する第１トレー４２ａと、現像液が流れ
落ちた後にＬＣＤ基板Ｇにリンス液を吐出するリンスノ
ズル４７と、リンス液によってＬＣＤ基板Ｇから流れ落
ちる低濃度の現像液を回収する第２トレー４３ａと、現
像液を殆ど含まないリンス液を回収する第３トレー４４
ａと、リンス処理の終了したＬＣＤ基板Ｇを乾燥させる
空気等をＬＣＤ基板Ｇに吹き付けるエアーナイフ４８と
が設けられた構造を有している。

【００２９】保持プレート４１を貫通するように昇降自
在な昇降ピン４９が設けられており、この昇降ピン４９
は搬送アーム１９ａとの間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを
行う。例えば、ＬＣＤ基板Ｇを保持した搬送アーム１９
ａが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４内に進入した状態
で昇降ピン４９を上昇させると、昇降ピン４９がＬＣＤ
基板Ｇを搬送アーム１９ａの上方に持ち上げる。この状
態で搬送アーム１９ａを現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４から退出させ、続いて昇降ピン４９を降下させれば、
ＬＣＤ基板Ｇは保持プレート４１に載置される。

【００３０】保持プレート４１の表面には、ＬＣＤ基板
Ｇの裏面に当接する図示しない保持ピンが、ＬＣＤ基板
Ｇができるだけ撓まないように所定の位置に設けられて
いる。このためにＬＣＤ基板Ｇは保持プレート４１の表
面には直接に載置されず、保持プレート４１の表面から
所定の高さの位置で保持される。

【００３１】角度調整ピン４５ａ・４５ｂはそれぞれ独
立して昇降させることができるようになっている。この
ために、例えば、昇降ピン４９の先端が保持プレート４
１の裏面よりも下側に位置するように昇降ピン４９を保
持プレート４１から抜いた状態で、角度調整ピン４５ｂ
を所定距離降下させるかまたは一定高さに保持し、か
つ、角度調整ピン４５ａを所定距離上昇させることで、
保持プレート４１の第１トレー４２ａ側が低くなるよう
に保持プレート４１を傾斜させることができる。

【００３２】また、角度調整ピン４５ａ・４５ｂは図示
しないスライド機構によって一体的に矢印Ｓの方向にス
ライド可能となっている。つまり保持プレート４１を矢
印Ｓの方向にスライドさせることができるようになって
いる。これにより、角度調整ピン４５ａ・４５ｂによっ
て所定の角度に傾けられた保持プレート４１に保持され
たＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる現像液やリンス液を、そ
の種類に応じて所定のトレーに回収することができるよ
うになっている。

【００３３】なお、保持プレート４１の大きさはＬＣＤ
基板Ｇよりも少し小さく、保持プレート４１の外周の所
定位置には、ＬＣＤ基板Ｇを位置決めし、かつ、保持プ
レート４１を傾斜させたときにＬＣＤ基板Ｇが保持プレ
ート４１から滑り落ちることを防止するガイド４１ａが
設けられている。

【００３４】現像ノズル４６は一方向に長い形状を有
し、その長手方向がＬＣＤ基板Ｇの第１トレー４２ａ側
の一辺と平行になるように配置され、現像液を略帯状に
略垂直に吐出する。現像ノズル４６には、現像液を貯留
したタンクや現像液を送液するポンプ等を有する現像液
供給機構５１から所定のタイミングで現像液が送液され
る。また、現像ノズル４６は昇降／スライド機構５４に
よってＬＣＤ基板Ｇの表面とノズル下端との距離を調整
することができ、また、ＬＣＤ基板Ｇ上を現像ノズル４
６の長手方向に垂直かつ水平方向にスキャンさせること
ができるようになっている。

【００３５】現像ノズル４６から現像液を吐出させなが
ら現像ノズル４６をＬＣＤ基板Ｇの一端から他端へスラ
イドさせることで、ＬＣＤ基板Ｇ上に現像液が液盛りさ
れ、パドルが形成される。現像ノズル４６の不使用時の
退避位置は、第２トレー４３ａの外側（保持プレート４
１から離れた位置であって図２（ａ）の点線位置）に設
けられており、この場所において、現像ノズル４６の先
端部等の洗浄処理を行うことができるようになってい
る。

【００３６】リンスノズル４７もまた一方向に長い形状
を有し、その長手方向がＬＣＤ基板Ｇの第２トレー４３
ａ側の一辺と平行となるように配置され、現像液を洗い
流す純水等のリンス液をスプレー状かつ略帯状に略垂直
に吐出する。リンスノズル４７からは、超音波が印加さ
れたリンス液や、高圧エアーによって吐出圧力が高めら
れたリンス液を吐出させることも好ましい。

【００３７】リンスノズル４７には、リンス液を貯留し
たタンクやリンス液を送液するポンプ等を有するリンス
液供給機構５２から所定のタイミングでリンス液が送液
される。後述するように、リンス液のＬＣＤ基板Ｇへの
吐出はＬＣＤ基板Ｇを所定の角度に傾斜させてた状態で
行われるために、リンスノズル４７は昇降／スライド機
構５５によってＬＣＤ基板Ｇの表面とノズル下端との距
離を調整することができ、また、ＬＣＤ基板Ｇの表面に
沿ってＬＣＤ基板Ｇとの距離を一定に保ちつつスキャン
させることができるようになっている。

【００３８】エアーナイフ４８もまた一方向に長い形状
を有し、その長手方向がＬＣＤ基板Ｇの第３トレー４４
ａ側の一辺と平行となるように配置され、フィルタを通
した清浄な空気を略帯状に吐出する。エアーナイフ４８
にはコンプレッサやパーティクル除去用のフィルタ等を
有するエアー供給機構５３から所定のタイミングで乾燥
したエアーが送風される。後述するように、エアーナイ
フ４８によるＬＣＤ基板Ｇの乾燥処理は、ＬＣＤ基板Ｇ
を水平姿勢に保持した状態と所定角度の傾斜姿勢に保持
した状態のいずれの状態でも行うことができる。このた
めに、エアーナイフ４８は昇降／スライド機構５５によ
ってＬＣＤ基板Ｇの表面とノズル下端との距離を調整す
ることができ、また、ＬＣＤ基板Ｇの表面に沿ってスキ
ャンさせることができ、さらに、空気の吐出角度を変化
させることができるようにエアーナイフ４８自体をその
長手方向を軸として所定角度傾斜させることができるよ
うになっている。

【００３９】なお、図２（ａ）に示すように、エアーナ
イフ４８はリンスノズル４７の外側（保持プレート４１
から離れた位置）に待機位置が設けられているが、エア
ーナイフ４８はリンスノズル４７を追い越して移動する
ことができるようになっている。また、エアーナイフ４
８からエアーをＬＣＤ基板Ｇに吐出した際には、リンス
液のミストが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４内に拡散
するが、このようなミストは、筐体６５の底面に設けら
れた排気口６４から排出されるようになっている。

【００４０】第１トレー４２ａの底部にはドレイン６１
が設けられ、また第１トレー４２ａの上面開口部は蓋体
４２ｂによって開閉自在となっている。現像液が液盛り
されたＬＣＤ基板Ｇを所定角度に傾斜させた際に、ＬＣ
Ｄ基板Ｇから流れ落ちる現像液は第１トレー４２ａに流
れ込み、ドレイン６１を介して回収される。こうして回
収された現像液は再生して再利用に供する。

【００４１】第２トレー４３ａの底部にはドレイン６２
が設けられ、また第２トレー４３ａの上面開口部は蓋体
４３ｂによって開閉自在となっている。ＬＣＤ基板Ｇを
所定角度に傾斜させてＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現
像液を第１トレー４２ａを用いて回収した後に、ＬＣＤ
基板Ｇを所定角度に傾斜させた状態でリンス液をＬＣＤ
基板Ｇに吐出すると、ＬＣＤ基板Ｇから現像液濃度が低
下した現像液がＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちて第２トレー
４３ａに流れ込み、ドレイン６２を通じて所定のルート
を経て廃棄される。後述するように、第２トレー４３ａ
から低濃度の現像液を回収する際には、保持プレート４
１の位置を第２トレー４３ａ側へ所定距離スライドさせ
る。

【００４２】第３トレー４４ａは保持プレート４１を挟
んで第１トレー４２ａの反対側に設けられており、底部
にはドレイン６３が形成され、上面開口部は蓋体４４ｂ
によって開閉自在となっている。低濃度の現像液を第２
トレー４３ａを用いて回収した後にＬＣＤ基板Ｇの傾き
を逆にして保持プレート４１の水平方向位置を元の位置
に戻して、この状態でＬＣＤ基板Ｇにリンス液を吐出す
ると、ＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる現像液を殆ど含まな
いリンス液が第３トレー４４ａに流れ込んで、ドレイン
６３を通じて回収される。ここで回収されたリンス液
は、例えば、ＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液が流
れ落ちた後の最初のリンス処理に供することができる。

【００４３】次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４に
おける現像処理方法の一実施形態について説明する。図
３は現像処理方法を示すフローチャートであり、図４は
図３に示したステップ２〜ステップ８の工程を簡略に図
示した説明図であり、図５はステップ９の工程を簡略に
示した説明図である。最初に、搬送アーム１９ａによっ
て露光処理が終了したＬＣＤ基板Ｇを現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４内へ搬入し、昇降ピン４９を上昇させて
ＬＣＤ基板Ｇを搬送アーム１９ａから昇降ピン４９へ移
し替え、次に搬送アーム１９ａを現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）２４から退出させて昇降ピン４９を降下させるこ
とによって、ＬＣＤ基板Ｇを保持プレート４１に載置す
る（ステップ１）。

【００４４】現像ノズル４６を退避位置からＬＣＤ基板
ＧのＡ２側端面（図４参照）へ移動させ、現像ノズル４
６から現像液を吐出させながら略水平状態に保持された
ＬＣＤ基板ＧのＡ２側端面からＡ１側端面（図４参照）
へ向けて、現像ノズル４６をスキャンさせて、ＬＣＤ基
板Ｇ上に現像液を液盛りし、パドルを形成する（ステッ
プ２）。この現像ノズル４６のスキャンによる液盛りは
複数回行ってもよい。その後、現像反応を進行させるた
めに所定時間放置する（ステップ３）。

【００４５】このステップ２の開始からステップ３の終
了に至る間は、少なくとも第３トレー４４ａには現像液
が入り込まないように、第３トレー４４ａの上面開口部
を蓋体４４ｂによって閉塞する。第１トレー４２ａは上
面を開口しておけば、ＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる濃度
の高い現像液の一部を回収することができる。第２トレ
ー４３ａが設けられている位置は、ＬＣＤ基板Ｇの端面
よりも離れているので、通常、ステップ２とステップ３
においてＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる現像液が第２トレ
ー４３ａへ流れ込むことはない。

【００４６】ステップ３の所定時間が経過したら、第１
トレー４２ａの上面が開口され、かつ、第２トレー４３
ａの上面が蓋体４３ｂによって閉塞された状態として、
ＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液が第１トレー４２
ａへ流れ込むように、例えば、角度調整ピン４５ａを所
定距離上昇させると同時に角度調整ピン４５ｂを所定距
離降下させてＬＣＤ基板ＧのＡ２側端面が下方となるよ
うに角度θ_１だけ保持プレート４１およびＬＣＤ基板Ｇ
を傾斜させる（ステップ４）。ここで、角度θ _１は、所
定時間内に現像液がＬＣＤ基板Ｇの表面の全面から流れ
落ちるように設定される。これは、所定時間内にＬＣＤ
基板Ｇの表面全面から現像液を液切りしないと、ＬＣＤ
基板Ｇ面内で現像時間に差が生じて、これが現像ムラの
原因となる可能性があるからである。

【００４７】ＬＣＤ基板Ｇから殆どの現像液が流れ落ち
たら、保持プレート４１の傾斜角度を緩やかにして（傾
斜角度θ_２＜θ_１）、蓋体４２ｂによって第１トレー４
２ａの上面を閉塞し、代わりに第２トレー４３ａの上面
を開口させ、さらに保持プレート４１を第２トレー４３
ａ側へ所定距離移動（Ａ１側端面を位置Ｂ１へ、Ａ２側
端面を位置Ｂ２へ移動）させて、リンスノズル４７を退
避位置からＬＣＤ基板ＧのＡ１側端面へと移動させる
（ステップ５）。なお、第２トレー４３ａが第１トレー
４２ａと同じ側に配置されているので、ＬＣＤ基板Ｇを
現像液の液切り処理とリンス処理で同方向に傾ければよ
く、このために液切り処理時にＬＣＤ基板Ｇの傾斜下端
に残った現像液が再度ＬＣＤ基板Ｇ上に拡がることを防
止できる。

【００４８】続いて、リンスノズル４７からリンス液を
吐出させながらＬＣＤ基板Ｇの表面に沿って移動させ
て、ＬＣＤ基板Ｇの表面に残った現像液を洗い流す、い
わゆる、リンス処理を行う（ステップ６）。このとき、
ＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる低濃度の現像液は、第２ト
レー４３ａに捕集されてドレイン６２を通じて廃棄され
る。

【００４９】ステップ６の処理が終了したら、リンスノ
ズル４７をＬＣＤ基板Ｇの上方の所定位置に一時退避さ
せ、角度調整ピン４５ａを所定距離降下させると同時に
角度調整ピン４５ｂを所定距離上昇させて保持プレート
４１の傾斜方向を逆にし（θ _３＝θ_２）、第３トレー４
４ａの上面を開口させて保持プレート４１の水平方向の
位置を元に戻し、第２トレー４３ａの上面を蓋体４３ｂ
によって閉塞する（ステップ７）。

【００５０】リンスノズル４７をＬＣＤ基板Ｇ上の所定
位置に戻して、リンスノズル４７からリンス液を吐出さ
せながらＬＣＤ基板Ｇの表面に沿って移動させて、ＬＣ
Ｄ基板Ｇの表面をさらに精密にリンス処理する（ステッ
プ８）。このときＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちるリンス液
は第３トレー４４ａによって回収される。

【００５１】ステップ８の処理によってＬＣＤ基板Ｇ上
の現像液がほぼ完全に除去された後には、ＬＣＤ基板Ｇ
を乾燥させるためにリンスノズル４７をＬＣＤ基板Ｇ上
から退避させ、代わりにエアーナイフ４８をＬＣＤ基板
Ｇ上の所定位置に移動させた後に、エアーナイフ４８か
ら乾燥空気や乾燥窒素等の乾燥ガスを吐出させながら、
ＬＣＤ基板Ｇ上をスキャンさせる（ステップ９）。この
ＬＣＤ基板Ｇの乾燥方法としては、図５（ａ）に示すよ
うに、予めエアーナイフ４８からは乾燥ガスがＬＣＤ基
板Ｇに対して斜めにあたるようにしておいて、ＬＣＤ基
板Ｇを略水平姿勢に戻して、乾燥ガスがＬＣＤ基板Ｇ上
に残ったリンス液を一方に押し出すように、エアーナイ
フ４８をスキャンさせる方法がある。

【００５２】また、図５（ｂ）に示すように、エアーナ
イフ４８からは乾燥ガスが略垂直方向に吐出されるよう
にしておいて、ＬＣＤ基板Ｇを所定角度傾斜させたまま
の状態に保持して、エアーナイフ４８をＬＣＤ基板Ｇの
上側端面から下側端面に向かってＬＣＤ基板Ｇ上をスキ
ャンさせる方法を用いてもよい。ステップ９において
は、ＬＣＤ基板Ｇからリンス液がミスト化してＬＣＤ基
板Ｇから飛散するが、このようなミストは主に排気口６
４から排出されるため、ＬＣＤ基板Ｇに再付着すること
が抑制される。また、図５（ｂ）に示した状態から、エ
アーナイフ４８を基板Ｇの傾斜下方向に傾けた状態で乾
燥ガスを吐出しながらスキャンさせてもよい。

【００５３】ステップ９の乾燥処理が終了したら、エア
ーナイフ４８を退避位置へ移動させてＬＣＤ基板Ｇを略
水平姿勢に保持し、昇降ピン４９を上昇させてＬＣＤ基
板Ｇを所定位置まで上昇させ、続いて搬送アーム１９ａ
を現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４内へ進入させて昇降
ピン４９を降下させ、ＬＣＤ基板Ｇを搬送アーム１９ａ
に受け渡し、搬送アーム１９ａを現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）２４から退出させる（ステップ１０）。こうして
１枚のＬＣＤ基板Ｇの現像処理が終了する。

【００５４】このように、現像処理ユニット（ＤＥＶ）
２４においては、ＬＣＤ基板Ｇが実質的に移動しない状
態で、一連の処理を行うことが可能であるために、フッ
トプリントを小さくすることが可能である。

【００５５】ところで、大型のＬＣＤ基板Ｇの現像処理
では、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で一方向に所定の速度
で搬送しながら、現像液の塗布、現像液の液切り、リン
ス処理、乾燥処理を行う、所謂、平流し処理も行われて
いるが、このような方法では必然的に現像処理装置のフ
ットプリントが広くなる。そこで、ＬＣＤ基板Ｇに対す
るレジスト膜の形成から現像に至る一連の処理を平流し
で行うレジスト塗布・現像処理システムに、上記現像処
理ユニット（ＤＥＶ）２４を搭載することによって、コ
ンパクトなレジスト塗布・現像処理システムを実現する
ことができる。

【００５６】以上、本発明を現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）に適用した実施形態について説明してきたが、本発
明は上記実施の形態に限定されるものではない。例え
ば、図６は保持プレート４１を所定角度傾斜させる別の
機構を示す説明図であり、モータ８２等によって所定角
度回転自在な枢軸８１を保持プレート４１の下部中央に
取り付けることによって、保持プレート４１の角度を自
在に制御することが可能である。なお、モータ８２は図
示しない支持部材によって所定位置で保持され、枢軸８
１は、円柱部分がモータ８２に取り付けられて、断面略
半円形の棒状部分の平面部分が保持プレート４１の裏面
に接合されている。保持プレート４１を安定に保持する
ために、枢軸８１の断面略半円形の棒状部分が保持プレ
ート４１を支持する面積を拡げるために、枢軸８１は固
定部材８３によって保持プレート４１の裏面に固定され
ている。

【００５７】ＬＣＤ基板Ｇの最初のリンス処理を行う際
には、現像液およびリンス液を第２トレー４３ａを用い
て捕集するために保持プレート４１を水平方向に移動さ
せたが、保持プレート４１の位置を変えることなく第１
トレー４２ａと第２トレー４３ａを水平方向にスライド
移動させる構成としてもよい。保持プレート４１の傾斜
角度と第１トレー４２ａおよび第２トレー４３ａの配設
位置を最適化することによって、保持プレート４１また
は第１トレー４２ａおよび第２トレー４３ａのいずれを
もをスライドさせることなく、現像液とリンス液を第１
トレー４２ａまたは第２トレー４３ａから別個に捕集す
ることも可能である。

【００５８】また、ＬＣＤ基板Ｇを傾斜させた際に、Ｌ
ＣＤ基板Ｇの下端を第１トレー４２ａと第２トレー４３
ａに挿入可能なように、第１トレー４２ａおよび第２ト
レー４３ａを適宜配置することにより、さらに確実に現
像液やリンス液を分別して回収することが可能である。
さらに、第１トレー４２ａと第２トレー４３ａとを同じ
側に配置したが、第１トレー４２ａを第３トレー４４ａ
側に設けてもよい。

【００５９】リンスノズル４７やエアーナイフ４８の配
設数は１本に限定されず、２本以上設けてもよい。ま
た、エアーナイフ４８の長手方向を、ＬＣＤ基板Ｇの第
３トレー４４ａ側の一辺に対して斜めに配置してもよ
く、この場合には、ＬＣＤ基板Ｇの傾斜下側の角部での
液切り性能を向上させることができる。

【００６０】また、第１トレー４２ａ〜第３トレー４４
ａの蓋体４２ｂ〜４４ｂについては、所定角度回転させ
ることで第１トレー４２ａ〜第３トレー４４ａの上部を
開閉する構造について示したが、蓋体４２ｂ〜４４ｂと
しては、水平方向にスライドすることによって第１トレ
ー４２ａ〜第３トレー４４ａの上部を開閉するものを用
いることもできる。

【００６１】第１トレー４２ａと第２トレー４３ａとを
入れ替えて配置し、最初にＬＣＤ基板Ｇを保持した保持
プレート４１をＬＣＤ基板Ｇが位置Ｂ１・Ｂ２間（図４
参照）に位置するようにスライドさせ、次に現像液をＬ
ＣＤ基板Ｇに液盛りして所定時間放置し、その場で保持
プレート４１を所定角度傾斜させて、ＬＣＤ基板Ｇから
現像液を液切りすることもできる。液切りしたＬＣＤ基
板Ｇを元の位置に戻せば、リンス処理以降の処理を行う
ことができる。

【００６２】第１トレー４２ａと第２トレー４３ａとを
入れ替えて配置した場合には、前述した角度θ_１とθ_２
との関係が、θ_１＜θ_２とする方が装置を小型化でき
る。しかし、できるだけ短い時間でＬＣＤ基板Ｇの全面
から現像液を液切りする必要があることを考慮すると、
θ_１＞θ_２となるようにしてもよい。また、現像ノズル
４６を１度スキャンさせるだけでＬＣＤ基板Ｇの表面に
現像液を液盛りする場合には、現像ノズル４６を、ＬＣ
Ｄ基板ＧのＡ１側端面（図４参照）からＡ２側端面へ向
けて、つまり、現像液を回収する第１トレー４２ａを配
置している側に向けて、スキャンさせてもよい。この場
合には、ＬＣＤ基板Ｇへの現像液の液盛りからＬＣＤ基
板Ｇを傾斜させて液切りを終了するまでのＬＣＤ基板Ｇ
の面内での現像時間差を低減できる。

【００６３】本発明は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
に限定して適用されるものではなく、例えば、現像ノズ
ル４６に代えてロールブラシやディスクブラシを設けて
ＬＣＤ基板Ｇ上をスキャン可能な構成とすれば、スクラ
ブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂとして用いる
ことも可能であり、この場合にも、洗浄処理の前半で使
用された汚れた洗浄液と、後半で使用される汚れの少な
い洗浄液とを分別して捕集することが可能である。本発
明は、ＬＣＤ基板の液処理に限定されず、半導体ウエハ
等の他の基板の液処理にも適用することができる。

【００６４】

【発明の効果】上述の通り、本発明の液処理装置および
現像処理装置によれば、基板を回転させることなく所定
の液処理を行うことができるために、安全性が高められ
る。また、高速で基板を回転させないために、基板に掛
かる応力を低減して基板の品質を高く維持することがで
きる。さらに、処理液の種類に応じて基板の傾斜状態を
変化させて、使用された処理液を専用の回収手段によっ
て回収することによって、処理液を効率的に利用するこ
とができる。さらにまた、本発明の液処理装置を、大型
の基板の液処理において用いられている、平流し型の処
理システムに適用することによって、フットプリントの
小さいコンパクトな処理システムを実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液処理装置の一実施形態である現像処
理ユニット（ＤＥＶ）を有するレジスト塗布・現像処理
システムの一実施形態を示す平面図。

【図２】現像処理ユニット（ＤＥＶ）の一実施形態を示
す概略平面図と概略断面図。

【図３】現像処理方法の一実施形態を示す説明図（フロ
ーチャート）。

【図４】図３に示すステップ２〜ステップ８の工程を簡
略に図示する説明図。

【図５】図３に示すステップ９の工程を簡略に図示する
説明図。

【図６】現像処理ユニット（ＤＥＶ）に設けられた保持
プレートを所定角度傾斜させる機構を示す説明図。

【符号の説明】

１；カセットステーション ２；処理部 ３；インターフェイス部 ４１；保持プレート ４２ａ；第１トレー ４３ａ；第２トレー ４４ａ；第３トレー ４５ａ・４５ｂ；角度調整ピン ４６；現像ノズル ４７；リンスノズル ４８；エアーナイフ ４９；昇降ピン ６１〜６３；ドレイン ６４；排気口 ６５；筐体 １００；レジスト塗布・現像処理システム Ｇ；ＬＣＤ基板（被処理基板）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０５Ｃ 13/02 Ｂ０５Ｄ 3/00 Ａ ４Ｆ０４１ Ｂ０５Ｄ 3/00 Ｂ０８Ｂ 3/02 Ｄ ４Ｆ０４２ Ｂ０８Ｂ 3/02 Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ ５Ｆ０４６ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ ６５１Ｌ ６５１ 21/30 ５６９Ａ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA28 GA23 GA60 LA30 3B201 AA02 AA03 AB23 AB42 BA02 BB88 BB92 BC01 CC01 CC12 4D073 AA09 BB03 CB03 CB20 DC07 DC09 4D075 AA01 AA35 AA53 AA63 AA69 AA74 AA85 AC02 AC66 AC82 AC84 AC93 BB14Y BB24Z BB57Z BB65Y CA47 DA06 DB13 DC22 DC24 EA06 EA07 EA45 4F035 AA01 AA04 CA01 CA05 CB03 CB26 CD03 CD19 4F041 AA02 AA06 AB02 BA02 BA12 BA22 BA59 CA02 CA28 4F042 AA02 AA07 AA10 BA10 CB02 CC04 CC09 CC15 DA01 DA08 DC00 DF09 DF29 DF35 5F046 LA19

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板に処理液を塗布する処理
   液供給ノズルと、 前記基板に塗布された処理液が前記基板から流れ落ちる
   ように前記保持手段を所定角度傾斜させる傾斜機構と、 前記保持手段に保持された基板に乾燥気体を吐出して前
   記基板を乾燥させる気体吐出ノズルと、 を具備し、 基板に対する処理液の塗布、基板に塗布された処理液の
   除去、基板の乾燥の一連の処理を行う液処理装置であっ
   て、 前記基板が前記保持手段に保持された実質的に移動しな
   い状態で前記一連の処理が行われることを特徴とする液
   処理装置。
2. 【請求項２】 前記処理液供給ノズルは、前記第１の処
   理液を略帯状に略垂直に吐出しながら、前記保持手段に
   保持された基板の表面に沿って水平方向にスキャン自在
   であることを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
3. 【請求項３】 基板を保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板に第１の処理液を塗布す
   る第１処理液供給ノズルと、 前記保持手段に保持された基板に第２の処理液を供給す
   る第２処理液供給ノズルと、 前記保持手段に保持された基板に乾燥気体を吐出して前
   記基板を乾燥させる気体吐出ノズルと、 前記保持手段を所定角度傾斜させる傾斜機構と、 前記第１の処理液の液盛りされた基板が前記傾斜機構に
   よって第１の所定角度に傾けられた際に前記基板から流
   れ落ちる前記第１の処理液を回収する第１回収機構と、 前記第１の処理液が流れ落ちた基板を前記傾斜機構によ
   って第２の所定角度に傾けた状態で、前記基板に前記第
   ２の処理液を所定量供給したときに前記基板から流れ落
   ちる前記第１の処理液を含む前記第２の処理液を回収す
   る第２回収機構と、 を具備し、 基板に対する第１の処理液の塗布、基板に対する第２の
   処理液の供給、基板に塗布された第１の処理液の除去と
   回収、基板に供給された第２の処理液の回収、基板の乾
   燥の一連の処理を行う液処理装置であって、 前記基板が前記保持手段に保持された実質的に移動しな
   い状態で前記一連の処理が行われることを特徴とする液
   処理装置。
4. 【請求項４】 前記第１回収機構は、 前記基板から流れ落ちる前記第１の処理液を捕集する第
   １のトレーと、 前記第１のトレーの上面を開閉自在であり、前記基板が
   前記第１の所定角度に傾けられる場合にのみ前記第１の
   トレーの上面を開口させる第１の蓋体と、 前記第１のトレーに設けられた第１のドレインと、 を有することを特徴とする請求項３に記載の液処理装
   置。
5. 【請求項５】 前記第２回収機構は、 前記基板から流れ落ちる前記第１の処理液を含む前記第
   ２の処理液を捕集する第２のトレーと、 前記第２のトレーの上面を開閉自在であり、前記基板が
   前記第２の所定角度に傾けられる場合にのみ前記第２の
   トレーの上面を開口させる第２の蓋体と、 前記第２のトレーに設けられた第２のドレインと、 を有することを特徴とする請求項３または請求項４に記
   載の液処理装置。
6. 【請求項６】 前記傾斜機構によって前記第１の所定角
   度に傾けられた基板の表面と水平面とのなす角θ_１と、
   前記第２の所定角度に傾けられた基板の表面と水平面と
   のなす角θ_２とは、９０度＞θ_１＞θ_２＞０度の関係を
   満足することを特徴とする請求項３から請求項５のいず
   れか１項に記載の液処理装置。
7. 【請求項７】 前記第２の処理液による前記第１の処理
   液の洗い流し処理が施された基板を前記傾斜機構によっ
   て第３の所定角度に傾けた状態で、さらに前記基板へ前
   記第２の処理液を供給したときに前記基板から流れ落ち
   る主に前記第２の処理液からなる処理液を回収する第３
   回収機構をさらに具備することを特徴とする請求項３か
   ら請求項６のいずれか１項に記載の液処理装置。
8. 【請求項８】 前記傾斜機構は、前記第１の所定角度ま
   たは前記第２の所定角度に傾けた状態で下方側となる端
   面が逆に上方側となるように前記基板を前記第３の所定
   角度に傾斜させることを特徴とする請求項７に記載の液
   処理装置。
9. 【請求項９】 前記第３回収機構は、 前記基板から流れ落ちる主に前記第２の処理液からなる
   処理液を捕集する第３のトレーと、 前記第３のトレーの上面を開閉自在であり、前記基板が
   前記第３の所定角度に傾けられる場合にのみ前記第３の
   トレーの上面を開口させる第３の蓋体と、 前記第３のトレーに設けられた第３のドレインと、 を有することを特徴とする請求項７または請求項８に記
   載の液処理装置。
10. 【請求項１０】 前記第１処理液供給ノズルは、前記第
    １の処理液を略帯状に略垂直に吐出しながら、前記保持
    手段に保持された基板の表面に沿って水平方向にスキャ
    ン自在であることを特徴とする請求項３から請求項９の
    いずれか１項に記載の液処理装置。
11. 【請求項１１】 前記第２処理液供給ノズルは、前記第
    １の処理液を略帯状かつスプレー状で略垂直に吐出しな
    がら、前記保持手段および前記傾斜機構によって所定の
    傾斜姿勢で保持された基板の表面に沿ってスキャン自在
    であることを特徴とする請求項３から請求項１０のいず
    れか１項に記載の液処理装置。
12. 【請求項１２】 前記気体吐出ノズルは、前記乾燥気体
    を略帯状に噴射しながら前記保持手段に保持された基板
    の表面に沿ってスキャン自在であることを特徴とする請
    求項３から請求項１１のいずれか１項に記載の液処理装
    置。
13. 【請求項１３】 基板が実質的に移動しない状態で前記
    基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、 基板を所定の保持手段に保持する第１工程と、 前記保持手段に保持された基板に第１の処理液を塗布し
    て所定時間保持する第２工程と、 前記保持手段を所定角度に傾斜させて前記基板を傾斜姿
    勢に保持し、前記基板上の第１の処理液を流し出すとと
    もに前記基板から流れ出した第１の処理液を回収する第
    ３工程と、 前記傾斜姿勢に保持された基板に第２の処理液を供給し
    て前記基板から前記第１の処理液を前記第２の処理液に
    よって洗い流すとともに、流れ出した第１の処理液と第
    ２の処理液を回収する第４工程と、 前記保持手段に保持された基板に乾燥気体を吐出して前
    記基板を乾燥させる第５工程と、 を有することを特徴とする液処理方法。
14. 【請求項１４】 前記第３工程における前記基板の傾斜
    角度を、前記第４工程における基板の傾斜角度よりも大
    きくすることを特徴とする請求項１３に記載の液処理方
    法。
15. 【請求項１５】 レジスト膜が形成されて露光処理の施
    された基板を実質的に移動しない状態で現像処理する現
    像処理装置であって、 基板を保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板に現像液を塗布する現像
    液塗布ノズルと、 前記保持手段に保持された基板にリンス液を吐出するリ
    ンス液吐出ノズルと、 前記保持手段に保持された基板に乾燥気体を吐出して前
    記基板を乾燥させる乾燥気体吐出ノズルと、 前記保持手段を所定角度傾斜させる傾斜機構と、 前記傾斜機構によって第１の所定角度に傾けられた基板
    から流れ落ちる高濃度の現像液を回収する第１の現像液
    回収機構と、 前記現像液が流れ落ちた後の前記傾斜機構によって第２
    の所定角度に傾けられた基板へ前記リンス液を供給した
    ときに前記基板から流れ落ちる低濃度の現像液を回収す
    る第２の現像液回収機構と、 前記傾斜機構によって第３の所定角度に傾けられた基板
    へ前記リンス液を供給したときに前記基板から流れ落ち
    るリンス液を回収するリンス液回収機構と、 を具備することを特徴とする現像処理装置。