KR100415407B1 - 기판의 액처리방법 - Google Patents

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KR100415407B1
KR100415407B1 KR10-1998-0058157A KR19980058157A KR100415407B1 KR 100415407 B1 KR100415407 B1 KR 100415407B1 KR 19980058157 A KR19980058157 A KR 19980058157A KR 100415407 B1 KR100415407 B1 KR 100415407B1
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겐야 와다
이사무 아키바
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히다치 덴시 엔지니어링 가부시키 가이샤
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Abstract

본 발명은, 기판에 대한 액처리를 행함에 있어서, 처리액의 열화를 억제하여 낭비 없이 효율적으로 순환시키고 또한 기판의 액처리를 보다 고정밀도로 행할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 있어서는, 기판(10)을 폐액챔버(25)쪽에 배치하여 이 기판(10)을 스핀들(11)로 회전시키면서 순환액 탱크(43)로부터 분사노즐(27a)을 거쳐 순환처리액을 공급하고, 기판으로부터 비산한 처리액을 폐액탱크(44)로 유도하는 제 1 액처리공정과, 기판(10)을 순환액 회수챔버(24)쪽으로 이행시켜 순환액 탱크(43)로부터 분사노즐(27a)을 거쳐 순환처리액을 공급함과 동시에 순환액 회수챔버(24) 내에 비산한 처리액을 순환액 탱크(43)에 회수하여 순환처리액으로 하는 제 2 액처리공정과, 마지막으로 기판(10)을 순환액 회수챔버(24)에 배치하여 새로운 액 탱크(45)로부터의 새로운 처리액을 기판(10)에 공급함과 동시에, 이 순환액 회수챔버(24) 내의 처리액을 순환액 탱크(43)에 회수하여 순환처리액으로 하는 제 3 액처리공정으로 구성된다.

Description

기판의 액처리방법
본 발명은, 예를 들어 액정 패널의 TFT 기판이나 컬러 필터 등의 기판 표면에 소정의 처리액을 공급하여 소요의 웨트 프로세스를 행하는 기판의 액처리방법에 관한 것이다.
예를 들어, 액정 패널의 TFT 기판을 제조하는 공정에 있어서는, 포토 레지스트로 이루어지는 현상액의 도포, 에칭액의 도포, 레지스트막을 박리하기 위한 박리액의 공급 등, 기판에 대하여 처리액을 공급하여 행하는 웨트 프로세스가 반복하여 행하여진다. 이와 같은 웨트 프로세스는, 일반적으로, 수직방향으로 설치한 스핀들에 기판을 수평상태로 하여 장착함과 동시에, 처리액을 공급하는 노즐을 기판 위에 배치하도록 구성한다. 그리고, 스핀들에 의하여 기판을 고속으로 회전시키는 동안에 노즐로부터 처리액을 기판 위에 공급하나, 이 처리액은 원심력의 작용에 의하여 기판 표면 전체에 균일하게 칠해져 넓혀져 확산하게 된다. 이 결과, 기판에 대하여 상기한 각 처리액에 의한 소정의 처리가 행하여진다.
기판에 공급된 처리액은, 이 기판의 외주 가장자리의 에지로부터 바깥쪽으로 비산(飛散)하게 되나, 비산한 처리액을 회수하기 위하여 기판을 둘러싸도록 하우징이 설치된다. 따라서, 이 하우징 내에 기판을 회전 구동하는 스핀들이 배치된다. 이에 따라, 기판의 외주 에지로부터 비산하는 잉여 처리액으로 장치 주위가 오염되는 것이 방지된다. 또, 이 하우징 내의 처리액은 배관 등에 의해 배출되어 탱크에 회수되나, 이 처리액은 당연히 불순물이 포함된다. 그러나, 처리액의 오염 정도가 낮고 또한 재이용 가능한 경우에는, 탱크에 회수한 처리액을 순환하여 사용한다. 이에 따라, 처리액 절약과 폐액량 감소를 도모할 수 있다.
그런데, 기판에 대한 액처리로서 예를 들어 레지스트막의 박리가 있다. 이 레지스트막의 박리는 박리액을 기판 표면에 공급함으로써 행하여지고, 회수된 박리액에는 포토 레지스트 등이 불순물로서 포함된다. 박리액을 단순히 반복하여 순환시키면, 서서히 불순물의 농도가 높아져서 박리액의 열화가 진행된다. 이와 같이 순환시킨 박리액이 격심하게 오염되면 레지스트 박리 기능이 저하되는 등의 문제점이 생긴다. 이 때문에, 열화 정도가 심해진 박리액은 얼마 안 있어 폐기해야만 하게 되어 그 순환 사용의 빈도에는 한계가 있고, 또 순환처리액을 저장하는 탱크 전체를 폐액(廢液)으로 하기 때문에 폐액량이 오히려 늘어날 가능성도 있다. 그래서, 불순물의 농도가 높아지면, 불순물을 함유하지 않은 새로운 처리액을 혼합하여 불순물의 농도를 낮추는 등의 조치가 필요하게 된다. 이와 같이, 새로운 처리액을 기판에 직접 공급하는 것이 아니라 불순물의 농도를 억제하기 위하여 사용하는 것은, 모처럼의 새로운 처리액이 쓸데없이 오염되는 등 반드시 합리적인 것이라고는 말할 수 없다.
본 발명은 이상의 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적으로 하는 바는, 기판의 액처리를 행함에 있어서 처리액의 열화를 억제함으로써 효율적으로 낭비 없이 순환 사용할 수 있고, 또한 기판에 대한 액처리를 보다 고정밀도로 행할 수 있도록 하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태를 나타낸 기판의 액처리방법의 개략구성도,
도 2는 도 1의 평면도,
도 3은 박리액 공급수단을 나타낸 정면도,
도 4는 도 3의 평면도,
도 5는 하우징의 승강기구의 구성설명도,
도 6은 제 1 액처리공정을 나타낸 작용설명도,
도 7은 제 2 액처리공정을 나타낸 작용설명도,
도 8은 제 3 액처리공정을 나타낸 작용설명도.
※도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 11 : 스핀들
12 : 회전축 16 : 회전원판
23 : 하우징 23a, 23b : 격벽
24 : 순환액 회수챔버 25 : 폐액챔버
26 : 박리액 공급수단 27a, 27b : 분사노즐
41, 42 : 배관 43 : 순환액 탱크
44 : 폐액탱크 45 : 새로운 액 탱크
46, 47 : 공급배관 46a, 47a : 펌프
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판을 폐액챔버와 순환액 회수챔버에 선택적으로 배치하여 이 기판을 수평상태로 유지하여 회전 구동하는 동안에, 새로운 처리액과, 순환액 회수챔버로 회수한 처리액으로 이루어지는 순환처리액을 선택적으로 기판 표면에 공급함으로써 기판에 소정의 액처리를 행하는 방법으로서, 이 방법은, 기판을 폐액챔버쪽에 배치하여 이 기판을 회전시키면서 순환처리액을 공급하고, 폐액챔버 내의 기판으로부터 비산한 처리액을 폐액으로 하는 제 1 액처리공정과, 기판을 순환액 회수챔버쪽으로 이행시켜 순환처리액을 공급함과 동시에 순환액 회수챔버 내의 처리액을 회수하여 순환처리액으로 하는 제 2 액처리공정과, 기판을 순환액 회수챔버에 배치하여 새로운 처리액을 기판에 공급함과 동시에, 이 순환액 회수챔버 내의 처리액을 회수하여 순환처리액으로 하는 제 3 액처리공정으로 이루어지는 것을 그 특징으로 하는 것이다.
먼저, 도 1에 본 발명에 의한 기판의 액처리방법을 실시하기 위한 장치 구성의 일례를 나타낸다. 여기서, 이하에 있어서는, 액처리의 대상이 되는 기판의 일례로서, 액정 패널을 구성하는 TFT 기판이며, 이 기판에 대하여 박리액을 공급하여 레지스트막의 박리를 행하는 것으로서 설명한다. 단, 기판 및 액처리는 이것에 한정되는 것이 아니다.
먼저, 도 1에 있어서, 부호 10은 기판으로서, 이 기판(10)은 도 2로부터도 명백한 바와 같이, 직사각형의 얇은 유리기판으로 구성된다. 부호 11은 스핀들을 나타내고, 이 스핀들(11)은 회전축(12)을 가지며, 이 회전축(12)은 기대(基臺)(13)에 세워 설치한 유지통(14)에 베어링(15)을 거쳐 회전 자유롭게 지지되어 있다. 회전축(12)의 상단부에는 회전대판(12a)이 장착되어 있고, 이 회전대판(12a)에는 회전원판(16)이 고정적으로 장착되어 있다. 회전원판(16)은, 그 표면이 미끄러짐이 좋은 평활면으로 된 것으로서, 소요 수의 지지간(17)이 세워져 설치되어 있다. 이들 각 지지간(17)은 끝단이 구면형상으로 되어 기판(10)의 이면이 지지된다. 또, 기판(10)의 4개의 각우부(角隅部)에 대응하는 위치에는 받침대(18)가 장착되어 있고, 이들 각 받침대(18)에는 한 쌍의 위치결정핀(18a, 18a)이 세워져 설치되어 있다. 따라서, 기판(10)의 4개의 각우부의 이면이 받침대(18) 위에 올려 놓여지고, 또한 끝단면에 위치결정핀(18a)이 맞닿아 있다. 또, 회전축(12)과 함께 회전원판(16)이 회전할 때에는 기판(10)이 확실하게 회전 구동되고, 회전 중에 무질서하게 위치 이탈하는 일은 없다.
스핀들(11)의 회전축(12)은 기대(13)의 아래쪽 위치에까지 연재되어, 그 끝단부에 풀리(19)가 연결하여 설치되어 있다. 기대(13)의 하부 위치에는 모터(20)가 설치되고, 이 모터(20)의 출력축에는 구동풀리(21)가 연결된다. 또, 구동풀리(21)와 회전축(12)의 풀리(19) 사이에는 전달벨트(22)가 감겨져 설치되어 있다. 모터(14)에 의하여 회전축(12)을 회전 구동하면, 아암(16)에 올려놓은 기판(10)이 회전한다. 이 기판(10)의 회전 중에 그 표면(10a)쪽에 박리액을 공급함으로써 이 기판(10)의 표면(10a)에 형성한 레지스트막의 박리처리가 행하여진다.
기판(10)을 회전 구동하는 동안에 처리액으로서의 박리액을 공급한다. 기판(10)에 공급된 박리액에 회전에 의한 원심력이 작용하여 기판(10)의 표면(10a)을 따라 박리액이 확산됨으로써 레지스트 박리처리가 행하여진다. 기판(10)의 외주 에지에 도달한 박리액은 기판(10)의 에지로부터 대략 수평인 방향으로 비산하게 된다. 이와 같이 비산한 박리액을 유효하게 회수하기 위하여 기판(10)은 상단이 개구한 하우징(23)으로 둘러싸여진다. 여기서, 하우징(23) 내에는 비산한 액을 회수하기 위하여 2개의 챔버(24, 25)가 형성되고, 위쪽 챔버(24)는 순환액 회수챔버이고 아래쪽 챔버(25)는 폐액챔버이다. 하우징(23)내에 2개의 챔버(24, 25)를 상하로 구획 형성하기 위하여 이 하우징(23)은 상하 2단의 격벽(23a, 23b)이 형성되어 있다.
기판(10)에 박리액을 공급하기 위하여 박리액 공급수단(26)을 구비하고 있다. 이 박리액 공급수단(26)은, 도 3 및 도 4로부터도 명백한 바와 같이, 소정 각도 수평방향으로 회동 가능하고, 또한 승강 가능한 지지축(26a)의 끝단에 수평방향으로 연재시킨 설치아암(26b)을 가지며, 이 설치아암(26b)의 좌우의 측면에는 복수의 분사노즐(27a, 27b)이 각각 설치되어 있다. 따라서, 지지축(26a)을 스윙 동작시킴으로써 기판(10)의 상부 위치와 하우징(23) 밖으로 퇴피한 위치 사이에 회동 변위할 수 있도록 되어 있다. 또, 분사노즐(27a, 27b)로부터 처리액으로서의 박리액을 기판(10)을 향하여 분출할 때에 설치아암(26b)을 소정 각도만큼 왕복 회동시킴으로써 기판(10)의 표면 전체에 균일하면서도 효율적으로 박리액을 공급할 수 있다. 또, 지지축(26a)을 상하 이동시키는 것은 분사노즐(27a, 27b)의 기판(10)에 대한 간격을 조정하기 위한 것이다.
박리액 공급수단(26)에 의하여 기판(10)에 공급되어 그 외주 에지로부터 비산하는 박리액은 순환액 회수챔버(24) 또는 폐액챔버(25) 중의 어느 하나에 의해 선택적으로 회수된다. 이를 위하여, 하우징(23)은 승강 가능하게 하고, 기판(10)과 하우징(23)의 상대높이 위치를 조정할 수 있도록 하고 있다. 하우징(23)을 승강 동작시키기 위하여, 도 5에 나타낸 바와 같이, 하우징(23)의 양쪽에 브래킷(30)을 연결하여 설치하고 이들 양 브래킷(30)에 승강로드(31)가 연결되어 있다. 그리고, 이 승강로드(31)는 기대(13)에 설치한 베어링부재(32)를 관통하여 아래쪽으로 연장되고, 이들 2개의 승강로드(31)의 하단부를 건너지르도록 승강판(33)이 설치되어 있다. 또한, 이 승강판(33)의 상하에는 각각 양 끝단이 소정 위치에 고정적으로 유지된 고정판(34, 35)이 설치되어 있다. 이들 양 고정판(34, 35) 사이에 있어, 그 한쪽에는 가이드 로드(36)가 설치되고, 이 가이드 로드(36)에는 승강판(33)에 고정한 슬라이드부재(37)가 끼워 통해지며, 또 다른쪽에는 고정판(34, 35)에 각각 회전 자유롭게 설치된 이송나사(38)가 연결되며 이 이송나사(38)에는 승강판(33)에 설치한 너트(39)가 끼워져 있다. 또한, 이송나사(38)에는 구동모터(40)가 연결되어 있고, 이 구동모터(40)에 의하여 이송나사(38)를 회전시키면, 승강판(33)이 상하 이동하여 이 승강판(33)으로부터 승강로드(31)를 거쳐 하우징(23)이 상하 이동되는 결과, 기판(10)이 하우징(23)에 대하여 상대적으로 상하 이동하게 된다.
또한, 도 1에 있어서, 챔버(24, 25)의 하부에는 배관(41, 42)이 접속되어 있고, 이들 각 배관(41, 42)의 다른쪽 끝단은 각각 회수한 박리액을 저장하는 탱크(43, 44)에 접속되어 있다. 이들 양 탱크(43, 44) 중, 순환액 회수챔버(24)로부터의 배관(41)을 접속한 탱크(43)가 순환액 탱크이며, 이 순환액 탱크(43)에는 순환액 회수챔버(24)에 의해 회수된 박리액은 순환액으로서 재이용된다. 또, 폐액챔버(25)로부터의 배관(42)을 접속한 탱크(44)는 폐액탱크이다. 또한, 도 6 내지 도 8로부터도 명백한 바와 같이, 이들 순환액 탱크(43), 폐액탱크(44)에 부가하여 새로운 박리액을 저장하는 새로운 액 탱크(45)가 설치되어 있다. 그리고, 순환액 탱크(43)는 공급배관(46)을 거쳐 분사노즐(27a)에 접속되고, 또 새로운 액 탱크(45)는 공급배관(47)을 거쳐 분사노즐(27b)에 접속되어 있다. 이들 공급배관(46, 47)에는 각각 펌프(46a, 47a)가 설치되어, 이들 펌프(46a, 47a)를 작동시키면 각각 분사노즐(27a, 27b)에 순환액이나 새로운 액이 공급되게 된다.
여기서, 기판(10)을 수평방향으로 회전시키기 때문에, 그 회전중심(C)은 회전둘레속도가 0이고, 이 회전중심(C)으로부터 멀어짐에 따라 회전둘레속도가 중가해 간다. 기판(10)이 원형의 것이면 대략 균등한 속도로 외주를 향하여 이동하게 된다. 단, 기판(10)은 사각형이고, 또한 긴 변과 짧은 변을 갖는 직사각형이다. 기판(10)은 하우징(23)에 대하여 상대적으로 상하 이동하기 때문에, 하우징(23)의 격벽(23b)에 형성되는 원형의 개구지름은 기판(10)의 대각선 길이보다 크게 해야만 한다. 따라서, 격벽(23b)의 내주 에지부와 기판(10)의 에지의 거리는, 기판(10)의 각우부의 위치가 최단이고, 기판(10)의 긴 변의 중간부의 위치가 최장으로 된다.
이상으로부터, 순환액 회수챔버(24)에 의해 회수되는 처리액을 효율적으로 회수하기 위하여 회전축(12)에는 회전원판(16)이 장착되어 있다. 이 회전원판(16)의 직경은 적어도 기판(10)의 대각선의 길이 치수보다 크게 한다. 단, 회전원판(16)은 회전축(12)과 함께 상하 이동하여 적어도 격벽(23b)의 개구를 통과하게 되기 때문에 회전원판(16)의 직경은 격벽(23b)의 개구부 직경보다 작게 해야만 한다. 또한, 회전원판(16)과 격벽(23b) 사이의 간극을 최소한인 것으로 하기 위하여 그들의 지름 차(差)를 최소한으로 한다. 그리고, 기판(10)이 순환액 회수챔버(24)에 위치할 때에는, 회전원판(16)은 격벽(23b)의 내주 에지와 대략 동일한 높이나 또는 그보다 높은 위치에 배치한다.
이에 따라 박리액 공급노즐(26c)로부터 기판(10)에 박리액을 공급하였을 때에 기판(10)으로부터 비산한 박리액이 격벽(23b) 바로 앞의 위치에 낙하하더라도, 직접 폐액챔버(25)에 들어가는 일은 없고 회전원판(16)에 받아 내게 된다. 또한, 이 회전원판(16)도 기판(10)과 함께 회전하고 있기 때문에, 회전원판(16)에 받아 내어진 박리액에도 원심력의 작용이 미쳐서 이 회전원판(16)의 외주 에지로부터 비산하게 된다. 회전원판(16)의 외주 에지는 그 전 둘레에 걸쳐 격벽(23b)까지의 거리가 균일하고, 또 격벽(23b)에 매우 가까운 위치에 있기 때문에, 회전원판(16)으로부터의 비산액은 약간의 처음속도가 부여되는 것만으로도 확실하게 격벽(23b)을 타넘어 순환액 회수챔버(24) 내로 유도된다. 이 결과, 기판(10)으로부터의 비산액의 거의 100%가 순환액 회수챔버(24) 내로 회수된다.
기판(10)의 표면(10a)에 박리액을 사용하는 소정의 액처리는, 이상의 액처리장치를 사용하여 행하여지나, 기판(10)에 대한 박리액에 의한 액처리방법에 대하여 도 6 내지 도 8에 의거하여 설명한다. 여기서, 기판(10)의 액처리는 이하에 설명하는 바와 같이 3단계로 행하여진다.
먼저, 기판(10)은 회전축(12)에 설치한 회전원판(16)의 지지간(17) 및 받침대(18)에 의하여 위치 결정된 상태로 설치된다. 이 기판(10)의 회전축(12)에 대한 장착시에는, 박리액 공급수단(26)의 설치아암(26b)을 수평방향으로 회동시켜 하우징(23)으로부터 퇴피시켜 그 상부를 개방한다. 또, 하우징(23)을 하강시켜 스핀들(11)의 끝단부분을 노출시키고, 이 상태에서 기판(10)을 적절한 옮겨싣기 수단으로 스핀들(11)에 장착시킨다.
기판(10)의 스핀들(11)에 대한 장착이 완료되면, 기판(10)이 폐액챔버(25)에 대면하는 위치에 배치되고, 또한 설치아암(26b)을 기판(10) 위쪽 위치가 되도록 회동시킨다. 그리고, 도 6에 나타낸 제 1 액처리공정을 개시한다.
이 제 1 액처리공정에서는, 회전축(12)을 작동시켜 기판(10)을 회전 구동함과 동시에, 설치아암(26)에 설치한 2세트의 분사노즐(27a, 27b) 중, 순환액 탱크(43)에 접속되어 있는 분사노즐(27a)로부터 순환액을 기판(10)에 공급한다. 기판(10)에 공급된 순환액은 회전에 의한 원심력의 작용으로 주위를 칠하면서 넓혀지도록 하여 레지스트 박리가 행하여진다. 기판(10)에 공급된 순환액은 그 외주 가장자리의 에지로부터 비산한다. 이 순환액에는 비교적 다량의 포토 레지스트가 함유되어 있기 때문에, 이것을 폐액챔버(25) 내에 수용시켜 폐액탱크(44)로 배출한다. 이 제 1 액처리공정을 소요 시간 계속함으로써 기판(10)으로부터 제거되어야 할 포토 레지스트는 대부분 박리된다. 따라서, 폐액챔버(25)에 회수된 박리액은 오염되어 불순물 농도가 높아져 있기 때문에, 이 폐액탱크(44)에 유입시킨 액은 폐액으로서 그 재이용은 행하지 않는다.
다음으로, 회전축(12)에 의한 기판(10)의 회전을 계속하면서 또는 한 번 회전을 정지시킨 후에 하우징(23)을 하강시킨다. 이에 따라, 기판(10)은 순환액 회수챔버(24) 내에 배치된다. 이 상태에서 제 2 액처리공정을 개시한다. 이 제 2 액처리공정에서는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 순환액 탱크(43)로부터의 순환액을 공급하는 점에서 제 1 액처리공정과는 동일하나, 기판(10)은 순환액 회수챔버(24)에 위치하고 있기 때문에, 이 기판(10)의 외주 에지로부터 비산하는 박리액은 순환액 탱크(43)로 회수된다. 여기서, 제 1 액처리공정에 의하여 박리해야 할 포토 레지스트는 대부분이 제거되어 있으므로, 이 순환액 회수챔버(24)에 의해 회수된 박리액에 함유되는 포토 레지스트 등의 불순물의 양은 매우 적고, 충분히 재이용할 수 있는 것이다. 따라서, 이 순환액 탱크(43)에 의해 회수된 박리액은 회수한 후, 이것을 순환하여 사용하는 순환액으로 한다.
제 2 액처리공정이 종료하면, 기판(10)을 순환액 회수챔버(24) 내에 위치시킨 상태를 유지하고, 분사노즐(27a)로부터의 순환액의 공급을 정지하고 분사노즐(27b)로부터 새로운 박리액을 분사시킨다. 이것이 도 8에 나타낸 제 3 액처리공정이다. 이 분사노즐(27b)은 새로운 액 탱크(45)에 접속되어 있고, 따라서 기판(10)에 공급되는 것은 불순물을 전혀 함유하지 않은 새로운 박리액이다. 이와 같이, 기판(10)에는 새로운 액을 사용한 최종적인 레지스트 박리가 행하여지고, 이 액처리가 보다 완전하게 행하여진다. 물론, 기판(10)으로부터의 비산박리액은 순환액 회수챔버(24)로부터 순환액 탱크(43)로 회수되어 이것도 순환용 박리액으로서 재이용된다.
이상의 3단계로 액처리를 행함에 따라, 오염정도가 높은 기판(10)에 대한 처리액 공급 당초의 제 1 액처리공정에서는, 새로운 처리액이 아니라 순환액을 사용함과 동시에 회수한 액을 폐액으로 함으로써, 순환액의 불순물 농도가 높아지는 것을 억제할 수 있어 그 열화의 진행이 억제된다. 또, 최후의 제 3 액처리공정 단계에서 기판(10)에 새로운 처리액을 공급함으로써 파이널 프로세스의 고정밀도화가 도모되고, 또 이 때에 기판(10)으로부터 비산하는 처리액은 불순물을 거의 함유하고 있지 않으므로, 이것을 순환액으로서 순환액 탱크(43)에 끌어들임으로써, 이 순환액 탱크(43) 내의 불순물 농도를 저하시킬 수 있다. 이상의 점에서, 순환액의 긴 수명화가 도모됨과 동시에, 기판(10)에 대한 액처리를 보다 완전하면서도 고정밀도로 행할 수 있다.
또한, 기판(10)의 하부위치에 회전원판(16)을 배치함으로써, 제 2, 제 3 액처리공정에 있어서, 공급된 처리액이 거의 100% 순환액 회수챔버(24)로 회수될 수 있기 때문에 처리액을 낭비 없이 사용할 수 있다. 따라서, 제 1 액처리공정시의 처리액의 공급량과, 제 3 액처리공정시에 있어서의 처리액의 공급량을 대략 일치시키면, 순환액의 균형이 잡혀지게 되어 순환액 탱크(43) 내의 저장량은 대략 일정하게 된다. 그리고, 기판(10)에서 대략 완전하게 액처리가 행하여진 후에 새로운 처리액을 공급하고, 이 새로운 액을 순환액 탱크(43) 내에 순환시키고 있기 때문에, 순환액 탱크(43) 내에는 실질적으로 새로운 액이 보급된 상태가 된다. 이 결과, 반복하여 순환시키더라도 순환액 탱크(43) 내에 있어서의 순환액의 불순물 농도는 대략 일정하게 유지된다. 그 결과, 제 1, 제 2 액처리공정시에 사용되는 처리액의 품질이 처리의 반복에 따라 변화하지 않게 되기 때문에, 차례로 처리되는 기판(10)에 있어서의 처리정밀도의 불균일을 방지할 수 있다. 또한, 순환액과 새로운 액을 각각 별개의 경로를 통하여 각각 분사노즐(27a, 27b)로부터 공급되기 때문에, 공급 도중에 새로운 액이 순환액과 혼합되어 오염되는 일은 없다. 이에 따라, 제 3 액처리공정에 의한 파이널 프로세스에서는 기판(10)에 대하여 전혀 불순물을 함유하지 않은 청정한 처리액으로서 처리가 행하여지게 되고, 새로운 액의 사용량을 적게 하여 처리정밀도를 현저히 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 기판의 액처리를 3단계로 행하도록 하고, 제 1 액처리공정에서는 순환액을 사용하여 액처리를 행함과 동시에 회수한 처리액을 폐액으로 하며, 이어서 제 2 액처리공정에서는 순환액을 사용한 액처리를 행함과 동시에 회수한 처리액을 순환시키도록 하고, 다시 제 3 액처리공정에서는 새로운 액을 사용한 액처리를 행함과 동시에 회수한 처리액을 순환시키고 있으므로, 처리액의 열화를 억제함으로써 효율적으로 낭비 없이 순환 사용할 수 있고, 또한 기판에 대한 액처리를 보다 고정밀도로 행할 수 있는 등의 효과를 나타낸다.

Claims (1)

  1. 기판을 폐액챔버와 순환액 회수챔버에 선택적으로 배치하여 이 기판을 수평상태로 유지하여 회전 구동하는 동안에, 새로운 처리액과, 순환액 회수챔버로 회수한 처리액으로 이루어지는 순환처리액을 선택적으로 기판 표면에 공급함으로써 기판에 소정의 액처리를 행하는 것으로서,
    상기 기판을 상기 폐액챔버쪽에 배치하여 이 기판을 회전시키면서 상기 순환처리액을 공급하고, 상기 폐액챔버 내의 기판으로부터 비산한 처리액을 폐액으로 하는 제 1 액처리공정과,
    상기 기판을 상기한 순환액 회수챔버쪽으로 이행시켜 상기 순환처리액을 공급함과 동시에 상기한 순환액 회수챔버 내의 처리액을 회수하여 순환처리액으로 하는 제 2 액처리공정과,
    상기 기판을 상기한 순환액 회수챔버에 배치하여 상기한 새로운 처리액을 이 기판에 공급함과 동시에, 이 순환액 회수챔버 내의 처리액을 회수하여 순환처리액으로 하는 제 3 액처리공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 액처리방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100854981B1 (ko) * 2007-10-10 2008-08-28 홍경표 인쇄회로기판 제조공정상의 습식공정 처리장치
KR20220045627A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 세메스 주식회사 약액 토출 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097939A (ja) * 1995-04-19 1997-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法と装置
JPH0917761A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
JPH1041269A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH10172950A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097939A (ja) * 1995-04-19 1997-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法と装置
JPH0917761A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
JPH1041269A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH10172950A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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