JP2010182894A - 液浸露光装置および液浸露光方法 - Google Patents
液浸露光装置および液浸露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010182894A JP2010182894A JP2009025454A JP2009025454A JP2010182894A JP 2010182894 A JP2010182894 A JP 2010182894A JP 2009025454 A JP2009025454 A JP 2009025454A JP 2009025454 A JP2009025454 A JP 2009025454A JP 2010182894 A JP2010182894 A JP 2010182894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- immersion
- wafer
- exposure
- notch
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】ウエハに形成されたノッチ部等の基板の切り欠き部からの膜はがれに起因する欠陥発生の低減を図ることができる液浸露光装置を提供する。
【解決手段】露光処理中に、ウエハ6のノッチ部14を、液浸水の浸透を防止するカバー15で覆う。
【選択図】図2
【解決手段】露光処理中に、ウエハ6のノッチ部14を、液浸水の浸透を防止するカバー15で覆う。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体製造におけるリソグラフィに関する。
近年、半導体素子の微細化に対応するために、ウエハに塗布されたレジストをパターン状に露光する露光装置として、ウエハ表面に空気よりも屈折率が高い液体(例えば純水)を供給し、その供給された液体を介して露光光をウエハ表面に投影する液浸露光装置が用いられるようになってきた。
液浸露光装置としては、液浸フードを用いてウエハ表面の局所的な区域に液浸水を供給する液浸水供給システムと、ウエハ表面に供給された液浸水を介して露光光をウエハ表面に投影する投影システムと、ウエハ表面に供給された液浸水を回収する液浸水回収システムとを備え、基板を露光する際に、液浸水が供給される局所的な区域をダイの列に平行な方向に沿って移動させて露光光を走査(スキャン)させるものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
図7は従来の液浸露光方法を説明するための図である。ウエハ71は、反射防止膜、レジスト、トップコート剤等を塗布された後、露光ステージ72上に搬入される。露光ステージ72は、ウエハ71のアライメントやフォーカス測定が実施された後に、露光位置へ移動する。なお、ウエハ71のベベル(ウエハ端部)に形成されているノッチ部(切り欠き部)73は、露光ステージ72上でウエハ71をアライメントするのに利用される。
露光位置へ搬送されたウエハ71の上方には液浸フード(Immersion Hood)74が待機しており、露光処理中は、ダイの列に平行な方向に沿った露光ルート75に従って露光光がスキャンされるように、液浸フード74の下方をウエハ71(露光ステージ72)が移動する(露光動作)。また、露光処理中は、投影システムの投影光学系レンズとウエハ71の表面との間に液浸水が満たされた状態となるように、液浸フード74内に液浸水が供給される。露光処理の終了後、露光ステージ72がウエハ搬出位置まで移動して、ウエハ71が搬出される。
以上のような液浸露光装置が、半導体素子の微細化に対応するために半導体製造におけるリソグラフィに用いられている。一方、半導体素子の微細化に応じてレジストの薄膜化が進展しているが、レジストの薄膜化は、エッチング耐性の劣化やレジストの解像度の低下という問題を招く。そこで、この問題を解決するために、多層レジスト構造の塗布膜(多層レジスト膜)が用いられている。
しかしながら、多層レジスト膜を形成するとベベル構造が複雑になり、液浸露光時に液浸水によりベベルにおいて多層レジスト膜のはがれが発生し、その結果、はがれた膜に起因するパーティクルがウエハ上に転写するため(異物転写)、多層レジスト膜は欠陥数が増加する原因となる。
そこで、従来より、液浸露光中に発生する欠陥を低減するために、液浸流体中の汚染物質がウエハ表面に付着するのを低減させるための被膜を、液浸露光装置の液浸流体と接触する面に形成する技術が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。
しかしながら、上記したように、液浸流体中の汚染物質がウエハ表面に付着するのを低減させるための被膜を液浸露光装置の液浸流体と接触する面に形成するだけでは、主要な欠陥発生源のひとつであるベベルからのレジスト等のはがれの発生、特にその構造から膜構造制御が困難であるノッチ部でのはがれの発生による欠陥を低減することはできず、液浸露光における欠陥低減効果が不十分であるという問題があった。
また、従来より、ウエハのベベルに形成されているノッチ部の側面を研磨する技術が知られているが(例えば、特許文献3参照。)、多層レジスト膜のはがれの発生を低減させることはできない。
特開2008−78648号公報
特開2007−13161号公報
特開2005−277051号公報
本発明は、上記問題点に鑑み、ウエハに形成されたノッチ部等の基板の切り欠き部からの膜はがれに起因する欠陥発生の低減を図ることができる液浸露光装置、および液浸露光方法を提供することを目的とする。
本発明の請求項1記載の液浸露光装置は、基板の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、前記液浸水を介して露光光を前記基板の表面に投影する液浸露光装置であって、前記基板の切り欠き部を被覆部材で覆う手段と、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面を洗浄する手段と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項2記載の液浸露光装置は、基板の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、前記液浸水を介して露光光を前記基板の表面に投影する液浸露光装置であって、前記基板の切り欠き部を被覆部材で覆う手段と、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面から清浄な気体を噴出させる手段と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項3記載の液浸露光装置は、基板の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、前記液浸水を介して露光光を前記基板の表面に投影する液浸露光装置であって、前記基板の切り欠き部を被覆部材で覆う手段と、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面に液浸水固化薄片を設置する手段と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項4記載の液浸露光装置は、請求項1ないし3のいずれかに記載の液浸露光装置であって、前記被覆部材を複数備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項5記載の液浸露光方法は、基板の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、前記液浸水を介して露光光を前記基板の表面に投影する液浸露光方法であって、前記液浸水が供給される区域が前記基板の切り欠き部に到達する前に、前記切り欠き部を被覆部材で覆うことを特徴とする。
また、本発明の請求項6記載の液浸露光方法は、請求項5記載の液浸露光方法であって、前記切り欠き部における前記液浸水が供給される区域の移動方向が、前記基板の中心から周辺へ向かう方向であることを特徴とする。
また、本発明の請求項7記載の液浸露光方法は、請求項5もしくは6のいずれかに記載の液浸露光方法であって、前記液浸水が供給される区域が前記切り欠き部から離れた後に、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面を洗浄することを特徴とする。
また、本発明の請求項8記載の液浸露光方法は、請求項5もしくは6のいずれかに記載の液浸露光方法であって、前記液浸水が供給される区域が前記切り欠き部に到達する前から、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面から清浄な気体を噴出させることを特徴とする。
また、本発明の請求項9記載の液浸露光方法は、請求項5もしくは6のいずれかに記載の液浸露光方法であって、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面に液浸水固化薄片を設置してから、前記被覆部材で前記切り欠き部を覆うことを特徴とする。
本発明の好ましい形態によれば、ウエハに形成されたノッチ部等の基板の切り欠き部からの膜はがれに起因する欠陥発生の低減を図ることができる。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る液浸露光装置の概略構成を示す図である。図1において、照明光学系1は、露光光源等からなる。露光光としては、例えばArFレーザー光(波長193nm)を用いる。照明光学系1から照射された露光光はレチクル2に設けられたパターンを照射する。レチクル2はレチクルステージ3によって支持されている。レチクル2のパターンは、鏡筒4および鏡筒4内部に設けられた投影光学系レンズ5を介して、レジスト等が塗布されたウエハ(基板の一例)6の表面に縮小投影される。ウエハ6は露光ステージ(基板載置台の一例)7上に保持されている。露光ステージ7は、保持したウエハ6を露光位置まで搬送し露光動作を行う。
図1は、本発明の実施の形態1に係る液浸露光装置の概略構成を示す図である。図1において、照明光学系1は、露光光源等からなる。露光光としては、例えばArFレーザー光(波長193nm)を用いる。照明光学系1から照射された露光光はレチクル2に設けられたパターンを照射する。レチクル2はレチクルステージ3によって支持されている。レチクル2のパターンは、鏡筒4および鏡筒4内部に設けられた投影光学系レンズ5を介して、レジスト等が塗布されたウエハ(基板の一例)6の表面に縮小投影される。ウエハ6は露光ステージ(基板載置台の一例)7上に保持されている。露光ステージ7は、保持したウエハ6を露光位置まで搬送し露光動作を行う。
露光ステージ7は本体部7aと補助プレート7bからなる。本体部7aに設置された補助プレート7bは、ウエハ6の表面と略同一の高さとなる。ウエハ6は、本体部7aの上面と補助プレート7bの内側面により形成される窪み領域に嵌合されて、露光ステージ7に保持される。
ウエハ6の表面と投影光学系レンズ5との間には液浸フード8が保持されている。露光処理中は、ウエハ6の表面と投影光学系レンズ5との間に液浸水が満たされるように、液浸フード8内に液浸水が図示しない供給源から配管9を通じて供給される。配管9には、電磁制御弁10や液浸水排出ノズル11等が介装されている。液浸フード8内に供給された液浸水は、液浸水流入ノズル12を介して回収装置13に回収される。この構成により、液浸フード8において液浸水を保持し、露光光を液浸水を介してウエハ6の表面へ投影することができる。
液浸水としては、例えば炭酸ガスを加えた超純水(抵抗率16〜17MΩ・m)を用いる。但し、液浸水は純水に限るものではなく、空気よりも屈折率が高い液体であれば適用可能である。
以上のように構成された液浸露光装置により、ウエハ6の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、液浸水を介して露光光をウエハ6の表面に投影して、ウエハ6を露光することができる。
図2は本発明の実施の形態1に係る液浸露光装置の要部を説明するための図であり、(a)はウエハが載置された露光ステージのカバー待機時における平面図を、(b)はウエハが載置された露光ステージの露光処理時における平面図を、(c)は(b)に示すA−A線に沿った露光ステージの断面図を示す。
図2(a)に示すように、ウエハ6には、露光ステージ7上でウエハ6をアライメントするためのノッチ部(切り欠き部の一例)14がベベル(ウエハ端部)に形成されている。
図2に示すように、本液浸露光装置は、ウエハ6のノッチ部14を覆うカバー(被覆部材の一例)15を備える。本液浸露光装置は、ノッチ部14に液浸水が接触しないように、液浸水の浸透を防止するカバー15でノッチ部14を覆う構成となっている。
また、図2に示すように、本液浸露光装置は、カバー15のノッチ部14に対向する面(ウエハ対向面)を洗浄する洗浄部16と、カバー15をノッチ部14と洗浄部(洗浄位置)16との間で搬送する駆動アーム17を備える。
続いて、以上説明した液浸露光装置を用いた液浸露光方法について、図2(b)を用いて説明する。まず、ウエハ6は、反射防止膜、レジスト、トップコート剤等を塗布された後、露光ステージ7上に搬入される。露光ステージ7は、ウエハ6のアライメントやフォーカス測定が実施された後に、液浸フード8が待機している露光位置へ移動する。ウエハ6が露光位置へ搬送されると、駆動アーム17が回動してカバー15によりウエハ6のノッチ部が覆われる。このとき、カバー15をウエハ6の表面に接触または密着させる。
その後、予め設定された露光ルート18に従って露光光がスキャンされるように、液浸水を保持する液浸フード8の下方をウエハ6(露光ステージ7)が移動する(露光動作)。この液浸露光は、カバー15上も含めて実施される。
露光処理の終了後、露光ステージ7がウエハ搬出位置まで移動して、ウエハ6が搬出される。また、露光処理の終了後に、駆動アーム17の回動によりカバー15がウエハ6のノッチ部上方から洗浄部17へ移動して、カバー15のウエハ対向面が洗浄される。
以上の液浸露光方法により、ウエハ6の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、液浸水を介して露光光をウエハ6の表面に投影して、ウエハ6を露光することができる。
以上説明したように、本実施の形態1によれば、露光処理中に、ウエハのノッチ部に液浸水が接触しないように、液浸水の浸透を防止するカバーでノッチ部を覆うので、ノッチ部からのレジスト等の膜はがれに起因する欠陥発生を低減することができる。つまり、ウエハのベベルに積層した反射防止膜、レジスト、トップコート剤等と液浸フード内に保持された液浸水が接触することにより、ベベルから反射防止膜、レジスト、トップコート剤等が剥離して発生するパーティクルを減少させることができる。
なお、本実施の形態1ではカバー15が1枚の場合について説明したが、図3に示すように、カバーを複数枚備える構成としてもよい。図3は本発明の実施の形態1に係る液浸露光装置の要部の他の例を説明するための図であり、(a)はウエハが載置された露光ステージのカバー待機時における平面図を、(b)はウエハが載置された露光ステージの露光処理時における平面図を示す。
また、本実施の形態1では、露光開始前にウエハのノッチ部をカバーで覆う場合について説明したが、少なくとも液浸水が供給される区域がノッチ部に到達する前、すなわち液浸フードがノッチ部に到達する前に、ノッチ部をカバーで覆うようにすればよい。
また、本実施の形態1では、露光処理終了後にカバーのウエハ対向面を洗浄する場合について説明したが、少なくとも液浸水が供給される区域がノッチ部から離れた後、すなわち液浸フードがノッチ部から離れた後に、カバーのウエハ対向面を洗浄するようにすればよい。
(実施の形態2)
続いて、本実施の形態2について、前述の実施の形態1と異なる点を説明する。なお、液浸露光装置の全体構成は前述の実施の形態1で説明した図1に示す構成と略同様であるので、説明を省略する。
続いて、本実施の形態2について、前述の実施の形態1と異なる点を説明する。なお、液浸露光装置の全体構成は前述の実施の形態1で説明した図1に示す構成と略同様であるので、説明を省略する。
図4は本発明の実施の形態2に係る液浸露光装置の要部を説明するための図であり、(a)はウエハが載置された露光ステージの露光処理時における平面図を、(b)は(a)に示すA−A線に沿った露光ステージの断面図を、(c)はカバーの拡大図を示す。但し、前述の実施の形態1で説明した部材に対応する部材には同一符号を付して説明を省略する。
本液浸露光装置は、カバー15のウエハ対向面(ウエハのノッチ部に対向する面)から清浄な気体を噴出させる構成となっている点が、前述の実施の形態1と異なる。図4(c)に示すように、カバー15には、清浄な気体をカバー15に送るための管19が接続しており、管19には、カバー15のウエハ対向面に形成されている噴出孔(図示せず)における気体の圧力を制御するためのバルブ20が介装されている。清浄な気体としては、例えばクリーンドライエアやクリーンドライ窒素などを用いる。なお、噴出孔は複数形成してもよい。駆動アーム17は、カバー15をウエハ6のノッチ部と待機部(待機位置)21との間で搬送する。
続いて、以上説明した液浸露光装置を用いた液浸露光方法について、図4(a)を用いて説明する。但し、ウエハ6が露光位置へ搬送されるまでの工程は、前述の実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
ウエハ6が露光位置へ搬送されると、駆動アーム17が回動してカバー15によりウエハ6のノッチ部が覆われる。このとき、カバー15はウエハ6の表面に接触せず、若干の間隙を維持する。カバー15によりノッチ部が覆われると、バルブ20により所定の圧力に調整された清浄な気体をカバー15の噴出孔から噴出させる。
その後、予め設定された露光ルート18に従って露光光がスキャンされるように、液浸水を保持する液浸フード8の下方をウエハ6(露光ステージ7)が移動する(露光動作)。この液浸露光は、カバー15上も含めて実施される。
露光処理の終了後、露光ステージ7がウエハ搬出位置まで移動して、ウエハ6が搬出される。また、露光処理の終了後に、駆動アーム17の回動によりカバー15がウエハ6のノッチ部上方から待機部21へ移動する。
以上説明したように、本実施の形態2によれば、露光処理中に、ウエハのノッチ部上方に液浸水の浸透を防止するカバーを設け、かつカバーからウエハ表面へ向けて清浄な気体を噴出するので、ノッチ部に対する液浸水の浸透を抑えることができ、ノッチ部からのレジスト等の膜はがれに起因する欠陥発生を低減することができる。
なお、本実施の形態2ではカバー15が1枚の場合について説明したが、前述の実施の形態1で説明したように、カバーを複数枚備える構成としてもよい。また、露光開始前にウエハのノッチ部をカバーで覆う場合について説明したが、少なくとも液浸水が供給される区域がノッチ部に到達する前、すなわち液浸フードがノッチ部に到達する前に、ノッチ部をカバーで覆うようにすればよい。また、清浄な気体は、少なくとも液浸水が供給される区域がノッチ部に到達する前から、すなわち液浸フードがノッチ部に到達する前から噴出させるようにすればよい。また、露光処理終了後にカバーを待機位置へ移動させる場合について説明したが、少なくとも液浸水が供給される区域がノッチ部から離れた後、すなわち液浸フードがノッチ部から離れた後に、カバーを待機位置へ移動させるようにすればよい。
(実施の形態3)
続いて、本実施の形態3について、前述の実施の形態1と異なる点を説明する。なお、液浸露光装置の全体構成は前述の実施の形態1で説明した図1に示す構成と略同様であるので、説明を省略する。
続いて、本実施の形態3について、前述の実施の形態1と異なる点を説明する。なお、液浸露光装置の全体構成は前述の実施の形態1で説明した図1に示す構成と略同様であるので、説明を省略する。
図5は本発明の実施の形態3に係る液浸露光装置の要部を説明するための図であり、(a)はウエハが載置された露光ステージの露光処理時における平面図を、(b)は(a)に示すA−A線に沿った露光ステージの断面図を、(c)はカバーの拡大図を示す。但し、前述の実施の形態1で説明した部材に対応する部材には同一符号を付して説明を省略する。
本液浸露光装置は、図5(c)に示すように、カバー15のウエハ対向面(ウエハのノッチ部に対向する面)に液浸水固化薄片22を設置させる構成となっている点が、前述の実施の形態1と異なる。また、本液浸露光装置は、図5(a)に示すように、カバー15のウエハ対向面への液浸水固化薄片22の設置および液浸水固化薄片22の洗浄剥離を実行するための待機部23を備える。液浸水固化薄片22の設置は、例えば液浸水を冷却固化してカバーに接着させればよい。駆動アーム17は、カバー15をウエハ6のノッチ部と待機部(待機位置)23との間で搬送する。
続いて、以上説明した液浸露光装置を用いた液浸露光方法について、図5(a)を用いて説明する。但し、ウエハ6が露光位置へ搬送されるまでの工程は、前述の実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
ウエハ6が露光位置へ搬送されると、駆動アーム17が回動して、液浸水固化薄片22が接着されたカバー15によりウエハ6のノッチ部が覆われる。このとき、液浸水固化薄片22をウエハ6の表面に接触または密着させる。
その後、予め設定された露光ルート18に従って露光光がスキャンされるように、液浸水を保持する液浸フード8の下方をウエハ6(露光ステージ7)が移動する(露光動作)。この液浸露光は、カバー15上も含めて実施される。
露光処理の終了後、露光ステージ7がウエハ搬出位置まで移動して、ウエハ6が搬出される。また、露光処理の終了後に、駆動アーム17の回動によりカバー15がウエハ6のノッチ部上方から待機部23へ移動して、カバー15のウエハ対向面に設置された液浸水固化薄片22が洗浄剥離される。
以上説明したように、本実施の形態3によれば、露光処理中に、ウエハのノッチ部上方に液浸水の浸透を防止するカバーを設け、かつウエハ表面に液浸水固化薄片を接触または密着させるので、ノッチ部に対する液浸水の浸透を抑えることができ、ノッチ部からのレジスト等の膜はがれに起因する欠陥発生を低減することができる。
なお、本実施の形態3ではカバー15が1枚の場合について説明したが、前述の実施の形態1で説明したように、カバーを複数枚備える構成としてもよい。また、露光開始前にノッチ部をカバーで覆う場合について説明したが、少なくとも液浸水が供給される区域がノッチ部に到達する前、すなわち液浸フードがノッチ部に到達する前に、ノッチ部をカバーで覆うようにすればよい。また、露光処理終了後にカバーのウエハ対向面から液浸水固化薄片を洗浄剥離する場合について説明したが、少なくとも液浸水が供給される区域がノッチ部から離れた後、すなわち液浸フードがノッチ部から離れた後に、液浸水固化薄片を洗浄剥離するようにすればよい。
(実施の形態4)
本実施の形態4は、液浸露光方法(露光動作)のみが前述した実施の形態1ないし3と異なる。図6に、本実施の形態4における露光処理中の露光ルートを示す。図6に示すように、ウエハ6のノッチ部およびノッチ部近辺における露光ルート24、つまり液浸水が供給される区域の移動方向が、ウエハ6の中心から周辺へ向かう方向となっている。なお、ウエハ6の周辺に到達した液浸フード8を一度ウエハ6の中心側へ戻す工程が必要となるが、その際には、ノッチ部にかからない外周部よりウエハ6の中心側へ戻すようにする。具体的には、図6に示すように、液浸水が供給される区域は、露光ルート24aにおいてウエハの周辺から中心側へ向けて移動し、露光ルート24aに隣接する露光ルート24bにおいてウエハの中心側から周辺へ向けて移動した後、再び、露光ルート24aにおいてウエハの周辺から中心側へ向けて移動し、露光ルート24bに隣接する露光ルート24cにおいてウエハの中心側から周辺へ向けて移動する。以後、液浸水が供給される区域が露光ルート24dに到達するまで、この動作を繰り返す。
本実施の形態4は、液浸露光方法(露光動作)のみが前述した実施の形態1ないし3と異なる。図6に、本実施の形態4における露光処理中の露光ルートを示す。図6に示すように、ウエハ6のノッチ部およびノッチ部近辺における露光ルート24、つまり液浸水が供給される区域の移動方向が、ウエハ6の中心から周辺へ向かう方向となっている。なお、ウエハ6の周辺に到達した液浸フード8を一度ウエハ6の中心側へ戻す工程が必要となるが、その際には、ノッチ部にかからない外周部よりウエハ6の中心側へ戻すようにする。具体的には、図6に示すように、液浸水が供給される区域は、露光ルート24aにおいてウエハの周辺から中心側へ向けて移動し、露光ルート24aに隣接する露光ルート24bにおいてウエハの中心側から周辺へ向けて移動した後、再び、露光ルート24aにおいてウエハの周辺から中心側へ向けて移動し、露光ルート24bに隣接する露光ルート24cにおいてウエハの中心側から周辺へ向けて移動する。以後、液浸水が供給される区域が露光ルート24dに到達するまで、この動作を繰り返す。
本実施の形態4によれば、ウエハのノッチ部における露光ルートが、ウエハの中心から周辺へ向かう方向へ限定されるので、仮にウエハのノッチ部からレジスト等の膜がはがれても、その膜のウエハ中心部への移動を阻止して、ノッチ部からのレジスト等の膜はがれに起因する欠陥発生を低減することができる。なお、露光ルートは、図6に示す露光ルートに限定されるものではなく、ウエハ6のノッチ部およびノッチ部近辺において、液浸水が供給される区域の移動方向が、ウエハ6の中心から周辺へ向かう方向となればよい。
本発明にかかる液浸露光装置、および液浸露光方法は、ウエハに形成されたノッチ部等の基板の切り欠き部からの膜はがれに起因する欠陥発生の低減を図ることができ、半導体製造におけるリソグラフィに有用である。
1 照明光学系
2 レチクル
3 レチクルステージ
4 鏡筒
5 投影光学系レンズ
6、71 ウエハ
7、72 露光ステージ
7a 本体部
7b 補助プレート
8、74 液浸フード
9 配管
10 電磁制御弁
11 液浸水排出ノズル
12 液浸水流入ノズル
13 回収装置
14、73 ノッチ部
15 カバー
16 洗浄部
17 駆動アーム
18、24、75 露光ルート
19 管
20 バルブ
21 待機部
22 液浸水固化薄片
23 待機部
2 レチクル
3 レチクルステージ
4 鏡筒
5 投影光学系レンズ
6、71 ウエハ
7、72 露光ステージ
7a 本体部
7b 補助プレート
8、74 液浸フード
9 配管
10 電磁制御弁
11 液浸水排出ノズル
12 液浸水流入ノズル
13 回収装置
14、73 ノッチ部
15 カバー
16 洗浄部
17 駆動アーム
18、24、75 露光ルート
19 管
20 バルブ
21 待機部
22 液浸水固化薄片
23 待機部
Claims (9)
- 基板の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、前記液浸水を介して露光光を前記基板の表面に投影する液浸露光装置であって、前記基板の切り欠き部を被覆部材で覆う手段と、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面を洗浄する手段と、を備えることを特徴とする液浸露光装置。
- 基板の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、前記液浸水を介して露光光を前記基板の表面に投影する液浸露光装置であって、前記基板の切り欠き部を被覆部材で覆う手段と、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面から清浄な気体を噴出させる手段と、を備えることを特徴とする液浸露光装置。
- 基板の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、前記液浸水を介して露光光を前記基板の表面に投影する液浸露光装置であって、前記基板の切り欠き部を被覆部材で覆う手段と、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面に液浸水固化薄片を設置する手段と、を備えることを特徴とする液浸露光装置。
- 前記被覆部材を複数備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の液浸露光装置。
- 基板の表面の液浸水を供給する局所的な区域を移動させながら、前記液浸水を介して露光光を前記基板の表面に投影する液浸露光方法であって、前記液浸水が供給される区域が前記基板の切り欠き部に到達する前に、前記切り欠き部を被覆部材で覆うことを特徴とする液浸露光方法。
- 前記切り欠き部における前記液浸水が供給される区域の移動方向が、前記基板の中心から周辺へ向かう方向であることを特徴とする請求項5記載の液浸露光方法。
- 前記液浸水が供給される区域が前記切り欠き部から離れた後に、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面を洗浄することを特徴とする請求項5もしくは6のいずれかに記載の液浸露光方法。
- 前記液浸水が供給される区域が前記切り欠き部に到達する前から、前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面から清浄な気体を噴出させることを特徴とする請求項5もしくは6のいずれかに記載の液浸露光方法。
- 前記被覆部材の前記切り欠き部に対向する面に液浸水固化薄片を設置してから、前記被覆部材で前記切り欠き部を覆うことを特徴とする請求項5もしくは6のいずれかに記載の液浸露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009025454A JP2010182894A (ja) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | 液浸露光装置および液浸露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009025454A JP2010182894A (ja) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | 液浸露光装置および液浸露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010182894A true JP2010182894A (ja) | 2010-08-19 |
Family
ID=42764224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009025454A Pending JP2010182894A (ja) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | 液浸露光装置および液浸露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010182894A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011080832A1 (de) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Covalent Materials Corp. | Verbundwerkstoff aus Keramik |
-
2009
- 2009-02-06 JP JP2009025454A patent/JP2010182894A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011080832A1 (de) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Covalent Materials Corp. | Verbundwerkstoff aus Keramik |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7423728B2 (en) | Immersion exposure method and apparatus, and manufacturing method of a semiconductor device | |
KR100828863B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR100838921B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 액침 리소그래피 시스템 | |
US7766565B2 (en) | Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system | |
JP2007095891A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008028226A (ja) | 基板処理装置 | |
TW201742112A (zh) | 顯影單元、基板處理裝置、顯影方法及基板處理方法 | |
JP2007220890A (ja) | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 | |
JP2009032886A (ja) | 基板処理装置 | |
TWI711109B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2007214365A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010147361A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2006120889A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその方法に用いられる半導体ウェハホルダ | |
JP2010182894A (ja) | 液浸露光装置および液浸露光方法 | |
JP2005302880A (ja) | 液浸式露光装置 | |
JP5371413B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US20120154771A1 (en) | Immersion multiple-exposure method and immersion exposure system for separately performing multiple exposure of micropatterns and non-micropatterns | |
JP5522903B2 (ja) | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置 | |
JP4922858B2 (ja) | パターン形成方法及び洗浄装置 | |
JP2007273792A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5183994B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007189139A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6096132B2 (ja) | 基板乾燥装置、基板処理装置および基板乾燥方法 | |
JP2007208021A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007266378A (ja) | 露光装置及び半導体装置の製造方法 |