JP2009033147A - リソグラフィ方法及びそれにより製造されたデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の周辺端部まで又は周辺端部を越えて延在する反射防止膜が設けられた基板の基板処理方法であって、裏側除去プロセスを使用して、基板Wの周囲に隣接し及び周囲にある反射防止膜2の一部を除去し、放射感応性材料層を反射防止膜に堆積させ、トップコート層を放射感応性材料層に堆積させ、上側除去プロセスを使用して、放射感応性材料層の一部及びトップコート層の一部を、基板の周囲に隣接する領域の周囲から同時に除去することを含む。
【選択図】図5
Description
裏側除去プロセスを使用して、基板の周囲に隣接し及び周囲にある反射防止膜の一部を除去すること、
放射感応性材料層を反射防止膜上に堆積させること、
トップコート層を放射感応性材料層上に堆積させること、
上側除去プロセスを使用して、放射感応性材料層の一部及びトップコート層の一部を、基板の周囲に隣接する領域の周囲から同時に除去することを含む、方法が提供される。
裏側除去プロセスを使用して、基板の周囲に隣接し、及び周囲にある反射防止膜の一部を除去すること、
放射感応性材料層を反射防止膜に堆積させること、
トップコート層を放射感応性材料層に堆積させること、
上側除去プロセスを使用して、放射感応性材料層の一部及びトップコート層の一部を、基板の周囲に隣接する領域の周囲から同時に除去すること、および、
デバイスの少なくとも一部を形成するパターンを放射感応性材料層に適用するために、放射感応性材料層を放射ビームに露光することを含む、デバイス製造方法が提供される。
− 放射のビームPB(例えばUV放射)を調節する照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、アイテムPLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第一位置決め装置PMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めする第二位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に結像するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ)PLとを含む。
Claims (22)
- 基板の周辺端部まで又は周辺端部を越えて延在する反射防止膜が設けられた基板上で行う基板処理方法であって、
裏側除去プロセスを使用して、前記基板の周囲に隣接し及び周囲にある前記反射防止膜の一部を除去すること、
放射感応性材料層を前記反射防止膜上に堆積させること、
トップコート層を前記放射感応性材料層上に堆積させること、および、
上側除去プロセスを使用して、前記放射感応性材料層の一部及び前記トップコート層の一部を、前記基板の前記周囲に隣接する領域の周囲から同時に除去すること
を含む、方法。 - 前記反射防止膜の一部を除去することが、前記反射防止膜のエッジビードを除去することを含む、請求項1又は2のいずれか一項に記載の方法。
- 前記放射感応性材料層の一部を除去することが、前記放射感応性材料層のエッジビードを除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記トップコート層の一部を除去することが、前記トップコート層のエッジビードを除去することを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記反射防止膜の一部を除去することが、溶剤を前記基板の裏側に適用し、前記反射防止膜の一部を前記基板の前記裏側から除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記反射防止膜の一部を除去することがさらに、前記反射防止膜の一部を前記基板の周辺端部又は面から除去することを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記反射防止膜の一部を除去することがさらに、前記反射防止膜の一部を前記基板の上側から除去することを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記反射防止膜が、前記基板の前記周囲の2.0mm未満内まで延在する、請求項7に記載の方法。
- 前記反射防止膜が、前記基板の前記周囲の1.0mm未満内まで延在する、請求項7に記載の方法。
- 前記反射防止膜が、前記基板の前記周囲の0.5mm未満内まで延在する、請求項7に記載の方法。
- 前記放射感応性材料層の一部を除去することが、前記放射感応性材料層のエッジビードを除去することを含む、請求項5から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記トップコート層の一部を除去することが、前記トップコート層のエッジビードを除去することを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記放射感応性材料層が、前記基板の前記周囲の2.2mm未満内まで延在する、請求項1に記載の方法。
- 前記放射感応性材料層が、前記基板の前記周囲の2.0mm未満内まで延在する、請求項1に記載の方法。
- 前記放射感応性材料層が、前記基板の前記周囲の1.0mm未満内まで延在する、請求項1に記載の方法。
- 前記放射感応性材料層が、前記基板の前記周囲の0.5mm未満内まで延在する、請求項1に記載の方法。
- 前記放射感応性材料層が、液浸流体を介して放射ビームに露光する、請求項1に記載の方法。
- 前記トップコートが液浸流体内で実質的に不溶性である、請求項1に記載の方法。
- 前記トップコートが放射ビームの波長に対して実質的に透明である、請求項1に記載の方法。
- 前記トップコートが反射防止膜である、請求項1に記載の方法。
- 基板の周辺端部まで又は周辺端部を越えて延在する反射防止膜が設けられた基板上で行う基板処理方法であって、
裏側除去プロセスを使用して、前記基板の周囲に隣接し及び周囲にある反射防止膜の一部を除去すること、
放射感応性材料層を前記反射防止膜上に堆積させること、
トップコート層を前記放射感応性材料層上に堆積させること、
上側除去プロセスを使用して、前記放射感応性材料層の一部及び前記トップコート層の一部を、前記基板の周囲に隣接する領域の周囲から同時に除去すること、および、
前記放射感応性材料層を放射ビームに露光して、デバイスの一部を形成するパターンを前記放射感応性材料層に適用すること
を含む、デバイス製造方法。 - 前記放射感応性材料層が、液浸流体を介して前記放射ビームに露光される、請求項21に記載の方法。
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