CN101339366B

CN101339366B - 衬底处理方法以及器件制造方法

Info

Publication number: CN101339366B
Application number: CN2008101357148A
Authority: CN
Inventors: 帕特里克·翁; 温蒂·弗朗西斯卡·约翰娜·盖霍埃尔万安塞姆; 鲁道夫·亚得里亚内斯·约翰内斯·马斯; 王舒萍
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2007-07-05
Filing date: 2008-07-03
Publication date: 2011-09-07
Anticipated expiration: 2028-07-03
Also published as: TW200907606A; CN101339366A; KR20090004766A; KR100973753B1; NL1035608A1; US7745095B2; JP2009033147A; JP4800347B2; US20090011369A1

Abstract

本发明公开了一种衬底处理方法以及采用所述衬底处理方法的器件制造方法，所述衬底处理方法用于设置有抗反射涂层的衬底，所述抗反射涂层延伸到衬底的外围边缘或延伸超过所述外围边缘。所述衬底处理方法包括采用背面去除工艺去除所述抗反射涂层与衬底的外围相邻或位于所述衬底的外围周围的一部分；将辐射敏感材料层沉积在抗反射涂层上；将顶部涂层沉积到所述辐射敏感材料层上；以及采用顶面去除工艺从与所述衬底的外围相邻的区域周围同时去除所述辐射敏感材料层的一部分和所述顶部涂层的一部分。

Description

衬底处理方法以及器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻方法以及一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成对应于所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上，所述衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单独的衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

抗蚀剂(或其它材料)层经常采用旋涂工艺被设置在衬底表面上。用于形成所述层的材料被滴到衬底的中心，然后旋转衬底。所述材料朝向衬底的边缘向外流出，并在衬底的表面上形成厚度大体均匀的层。在旋涂工艺中，可知在衬底的边缘周围形成材料的厚边(thick bead)。围绕衬底边缘的该厚边通常被称为突出边缘(edge bead)。出于多种原因，需要去除所述突出边缘。首先，由于突出边缘的厚度比朝向衬底中心的抗蚀剂的厚度大，所以将均匀的图案应用于例如形成突出边缘的抗蚀剂可能是很难或不可能的。再者，用于形成突出边缘的材料可能脱落并污染衬底或光刻设备的部件。

发明内容

当浸没流体被用在衬底和例如扫描光刻设备的投影透镜之间以增加光刻设备和方法的数值孔径时，污染问题甚至更为普遍。浸没流体和用于在扫描过程中容装在投影透镜和衬底之间的浸没流体的装置可以将压力或力施加到衬底表面上的材料层上。该压力或力增加了用于形成突出边缘的材料被从衬底上去除的危险，尤其当在衬底的边缘上扫描时。因此，存在污染浸没流体、抗蚀剂的其它区域、和/或光刻设备与浸没流体相接触的部件(例如投影透镜)的危险。

出于对上述的一个或更多个问题的考虑，期望去除突出边缘。去除突出边缘通常称为突出边缘去除(EBR)。可以例如通过采用一种或更多种合适的溶剂进行突出边缘的去除。

通常，除去抗蚀剂之外，衬底还设置有多个层。例如，在衬底设置有抗蚀剂层之前，抗反射涂层可以被施加到衬底上。顶部涂层(top-coat layer)可以被设置在抗蚀剂层的顶上，以保护抗蚀剂层免受浸没流体的影响和/或用作另一个抗反射层。突出边缘去除可以针对沉积在衬底上的层进行。

当多个层被沉积在衬底上时，存在确保某一层的突出边缘的去除不会不小心地使下面的层的一部分暴露的问题。沉积在衬底上的层的一部分被不小心的暴露可能使得衬底易受污染或损坏。突出边缘去除可以被进行多次，每次针对每个成功地被沉积的层进行。对于这些层的突出边缘去除应当被对准，以使得多个层的多个部分不会被不小心地暴露。

旨在采用尽可能大的衬底面积来形成器件，不论是出于成本的考虑还是生产量的考虑都是如此。由于用于去除沉积在衬底上的一个或更多个层的突出边缘的机器和/或方法的公差，可能减小用于形成这些器件的最大可得面积，于是对于生产量和成本具有负面的影响。

旨在提供一种衬底处理方法和一种器件制造方法，所述器件制造方法可以消除或减缓在此所提出的一个或更多个问题。

根据本发明的一个方面，提供一种衬底处理方法，所述衬底处理方法包括在设置有抗反射涂层的衬底上进行的步骤，所述抗反射涂层延伸到所述衬底的外围边缘或延伸超过所述衬底的外围边缘，所述步骤如下：

采用背面去除工艺去除所述抗反射涂层的、与衬底的外围相邻以及位于所述衬底的外围周围的一部分；

将辐射敏感材料层沉积在抗反射涂层上；

将面顶部涂层沉积到所述辐射敏感材料层上；以及

采用顶面去除工艺从与所述衬底的外围相邻的区域周围同时去除所述辐射敏感材料层的一部分和所述顶部涂层的一部分。

根据本发明的另一个方面，提供一种器件制造方法，所述器件制造方法包括在设置有抗反射涂层的衬底上进行的步骤，所述抗反射涂层延伸到所述衬底的外围边缘或延伸超过所述衬底的外围边缘，所述步骤如下：

采用背面去除工艺去除所述抗反射涂层的、与衬底的外围相邻或位于所述衬底的外围周围的一部分；

将辐射敏感材料层沉积在抗反射涂层上；

将顶部涂层沉积到所述辐射敏感材料层上；

采用顶面去除工艺从与所述衬底的外围相邻的区域周围同时去除所述辐射敏感材料层的一部分和所述顶部涂层的一部分；以及

用辐射束将所述辐射敏感材料层曝光，以便将图案应用于所述辐射敏感材料层，所述图案形成器件的至少一部分。

附图说明

在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中：

图1示出光刻设备；

图2示出沉积在衬底上的叠层；

图3示出用于背面突出边缘去除工艺的设备；

图4和图5示出背面突出边缘去除工艺；

图6示出设置有已经采用如图4和图5所示的工艺将其突出边缘去除的层的衬底；

图7示出设置有两个附加层的图6的衬底；

图8示出采用顶面突出边缘去除工艺同时去除如图7所示的两个附加层的突出边缘的步骤；

图9示出在采用如图8所示的工艺去除了每个附加层的突出边缘之后的图7的衬底；以及

图10示出根据本发明的实施例的修整衬底上的叠层的边缘的工艺流程图。

具体实施方式

尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器、薄膜磁头等的制造。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束；以这种方式，被反射的辐射束被图案化。

图1示意性地示出光刻设备。所述设备包括：

照射系统(照射器)IL，用于调节辐射束PB(例如，紫外辐射)；

支撑结构(例如掩模台)MT，用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于将图案形成装置相对于PL精确地定位的第一定位装置PM相连；

衬底台(例如晶片台)WT，用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于将衬底相对于PL精确地定位的第二定位装置PW相连；以及

投影系统(例如折射式投影透镜系统)PL，所述投影系统PL配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束PB的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列)。

所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL通常包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。所述照射器提供经过调节的辐射束PB，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，包括折射型、反射型、和反射折射型光学部件，以引导、成形、或控制辐射，且这种部件也可以在下文被统称或单独地称为“透镜”。

所述辐射束PB入射到保持在支撑结构MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束PB通过透镜PL，所述PL将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束PB的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束PB的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述定位装置PM和PW的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现载物台MT和WT的移动。然而，在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。

支撑结构保持图案形成装置。所述支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的或其他夹持技术，例如在真空条件下的静电夹持。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、和反射折射型光学系统，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的支撑结构)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台和/或支撑结构，或可以在将一个或更多个其他台和/或支撑结构用于曝光的同时，在一个或更多个台和/或支撑结构上执行预备步骤。

所述光刻设备也可以是其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖的类型，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空隙。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径是本领域所公知的。

可以将所述设备用于以下模式的至少一种：

1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束PB的图案投影到目标部分C上的同时，对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PL的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。

3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束PB的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

图2示出根据特定的方法沉积在衬底W上的叠层。根据所述方法，六甲基二硅胺烷(HMDS)粘合增强层1以已知的方式沉积在衬底上，例如通过蒸气涂底(vapor priming)或旋涂的方式。粘合增强层1防止抗蚀剂被直接沉积到衬底W上，否则所述抗蚀剂容易被去除和污染光刻设备。然后，底部抗反射涂层(BARC)2也以已知的方式被沉积在粘合增强层1的顶部上，例如通过旋涂。然后，在BARC层2上实施突出边缘去除工艺，以确保粘合增强层1上免受BARC的影响。突出边缘去除工艺从所述衬底的顶面，即所述叠层沉积所在的衬底的一侧开始实施。然后，衬底W被烘烤，以使BARC层2稳定化。

该方法中的下一个步骤是将抗蚀剂3沉积到BARC层2上。然后在抗蚀剂层3上实施顶面突出边缘去除工艺，以确保在衬底W周围延伸的BARC层2的区域免受抗蚀剂的影响。然后，烘烤衬底W，以使抗蚀剂层3稳定化。然后将顶部涂层4(例如TARC层，即顶部抗反射涂层)沉积在抗蚀剂层3的顶部上。顶部涂层4在抗蚀剂层3上延伸，经由抗蚀剂层3的边缘到达BARC层2上。顶部涂层4也可以延伸到粘合增强层1上。由于顶部涂层4没有很好地粘合到例如硅衬底上，所以确保顶部涂层4延伸到粘合层1上能够降低或消除在衬底W的处理的后面步骤中顶部涂层4的一部分与衬底W分离的风险。

一旦所有层已经被沉积在衬底上，则在顶部涂层4上实施最后的顶面突出边缘去除工艺，以确保粘合增强层1的区域免受顶部涂层4的影响，并在衬底W的周围延伸。然后，烘烤衬底W，以使顶部涂层4稳定化。

采用被称为涂覆模块的装备(或其它合适的装备)将多个层沉积在衬底W上。由于在所使用的装备中的机械限制，在衬底定心过程中存在固有误差，衬底中心随衬底的不同而变化。这依次导致突出边缘去除宽度在衬底上和不同的衬底之间改变。另外，或可选地，在突出边缘去除工艺中所使用的至少一个溶剂分配喷嘴可能具有固有的位置误差，导致突出边缘去除宽度的变化。这些硬件限制可能导致在其它装备中存在顶部涂层4被沉积在衬底W上的情况，或者抗蚀剂层3的边缘部分没有被顶部涂层4所覆盖的情况。

由于上述的至少一种硬件限制，可以在沉积和/或突出边缘去除工艺中建立多种公差，以确保所形成的叠层被满足要求地定位和处理。这种公差可能导致具有抗蚀剂层3的衬底W，所述抗蚀剂层3延伸到距离衬底W的边缘2.2mm的最小距离D以内的位置上。

旨在减小在衬底W的边缘和抗蚀剂层3的边缘之间的距离，以便使可以被图案化以形成器件(等)的抗蚀剂的可用面积最大化。这不仅能够增加可以被形成的器件的生产量，而且能够降低成本，这是因为可以在单个衬底上制造更多的器件。

图3到图10示出光刻方法，所述光刻方法可以被用于增加抗蚀剂的可用面积，并确保顶部涂层被与抗蚀剂层很好地对准。在这些图中，之前所涉及的特征被给出相同的附图标记。所述附图没有按照比例绘制，且在一些情况下，所述比例被有意地夸张，以增加这些图的某些特征的清楚程度。

图3示出设置有BARC层2的衬底W，BARC层2在衬底表面上延伸，并略伸出其外围边缘。两个喷嘴5的方向朝向衬底W的背面(即，与沉积有抗蚀剂层等的一侧相反的相反侧)。衬底W能够围绕中心轴线6旋转。轴线6不是结构特征，但是，替代地，其可以被给出作为参考点，衬底W围绕所述参考点的转动可以被描述。

图4示出溶剂7从喷嘴5中的每个喷射出，且方向朝向衬底W的背面。同时，衬底W围绕中心轴线6旋转。图5示出当溶剂7入射到衬底W的背面上时溶剂7出现的情况。可以看出，由于衬底W的旋转，所述溶剂朝向其背面的外边缘运动。进而，也可以看出，溶剂7围绕衬底的外边缘蔓延(这可能包括至少一个斜面和/或顶点)。通过精确地判定和控制衬底的旋转速度，可以控制被施加到衬底W的背面的溶剂7在所述边缘周围蔓延的程度以及沿径向向内在衬底W的顶面上延伸的程度。于是，应当理解，该工艺可以被用于清洁衬底W的背面、衬底W的边缘，且如果需要，可以用于提供在衬底W的顶面周围延伸的清洁边缘。通过仔细控制旋转速度，可以使溶剂恰好蔓延到衬底W的背面与其边缘之间的界面。即，所述溶剂可以被用于清洁衬底的背面和边缘，但是还没有从衬底的顶面去除任何BARC层。所述工艺可以使得在衬底的顶面上的BARC层和衬底的外围之间不存在间隙，或者形成等于或小于0.5mm、1.0mm或2mm的间隙。

图6示出衬底W上的旋转速度已经被控制以使得BARC层2仅仅保留在衬底W的顶面上。可以看出，BARC层2在衬底W的整个表面上延伸，但不超出其边缘。这意味着，在任何其它的工艺步骤中，沉积在BARC层2的顶部上的任何层不与衬底W的背面相接触，这是由于BARC层2在衬底W的顶面的整个表面上延伸。这意味着，采用根据本发明的实施例的方法，不需要HMDS粘合增强层(参照图2所描述)。由于这种HMDS层是不需要的，所以被用于将这种层沉积到衬底上的时间和资源也不再需要，于是减小了处理时间，并降低了成本。

在BARC层已经被从衬底W的背面和边缘去除之后，在160℃和220℃之间的温度下进行软烘烤，以使衬底W的顶面上的BARC层2稳定化。软烘烤是公知的，并因此不在此进行详细描述。在软烘烤之后，采用例如旋涂工艺将抗蚀剂层3沉积到BARC层2上。在90℃和150℃之间的温度下进行软烘烤，以使衬底W的顶面上的抗蚀剂层2稳定化。采用例如在80℃和110℃之间的温度下进行的软烘烤，将顶部涂层4沉积在抗蚀剂层3的顶部上。顶部涂层4可以设置用于保护抗蚀剂免受浸没流体的影响，和/或用于其它目的，例如作为抗反射涂层。所形成的叠层如图7所示。

如前所述，抗蚀剂层3和顶部涂层4的沉积可能造成突出边缘，以形成在每个分别的层的外边缘处。该突出边缘应当被去除，以确保用于形成突出边缘的材料不会在衬底的处理过程中被移除，这是因为被移除的材料可能污染浸没流体或用于处理衬底的光刻设备的一部分。

图8示出顶部涂层4和抗蚀剂层3的突出边缘如何被同时去除。顶面突出边缘去除工艺被示出，其中喷嘴8被设置在与衬底W的顶面相邻的位置上。喷嘴8的方向被确定，以将溶剂7引导到衬底W的外围边缘上，并由此引导到抗蚀剂层3和顶部涂层4的外围边缘上。衬底W可以被旋转以确保抗蚀剂层3和顶部涂层4的突出边缘可以从衬底W的外围周围被去除。

因为，实施同时进行的突出边缘去除工艺，以去除顶部涂层4和抗蚀剂层3的突出边缘，所以可能需要较少的处理步骤。这可能降低成本并增加生产量。进而，由于仅仅采用单一的顶面突出边缘去除工艺，因此对于多突出边缘去除工艺，不需要考虑或引入公差。由于采用单一顶面突出边缘去除工艺，突出边缘去除工艺的总体精度可以被增加，这意味着，当所述工艺完成时，与使用其他技术相比，抗蚀剂层3延伸得更靠近衬底W的边缘。于是，因此可以增加可用于图案化、并因此形成例如器件的面积。例如，在图9中，D是当抗蚀剂层3的突出边缘被去除时衬底的边缘和抗蚀剂层3的边缘之间的距离D。距离D可能例如是小于2.2mm、小于2.0mm、小于1.0mm或小于0.5mm。这与采用一种或更多种现有的方法的情况形成鲜明的对比，如上所述，在现有的方法中，所述距离是2.2mm或更多。也可以看出，由于顶部涂层4和抗蚀剂层3的突出边缘被同时去除，顶部涂层4和抗蚀剂层3的外边缘被相互对准。即，采用根据本发明的实施例的方法，顶部涂层4完全地覆盖抗蚀剂层3，并具有更大的稳定性和精度，且步骤比在一种或更多种现有的方法少。

图10归纳了通常在沉积在衬底上的层上同时实施的背面和顶面突出边缘去除工艺。

在上述实施例中，第一BARC层被表示为沉积到衬底上(或已经被设置到衬底上)。第二BARC层可以在背面突出边缘去除工艺之前被沉积到衬底上(或已经被设置到衬底上)。所述第一BARC层可以与所述第二BARC层不同。

在上述的实施例中，已经描述了层的突出边缘去除。所述突出边缘已经被描述为采用顶面或背面突出边缘去除工艺被去除。这些突出边缘去除工艺涉及去除各个层的形成所述突出边缘的部分。然而，应当理解，所述各个层的所述部分的去除可能不涉及去除突出边缘，而涉及例如所述层的平坦(或其他)部分。例如，可能期望在衬底的边缘周围的BARC层上提供免受顶部涂敷和抗蚀剂的影响的区域，或者提供在衬底周围延伸的免受BARC、抗蚀剂和顶部涂敷的影响的区域。在此所述的方法中的至少一种可以被用于从衬底的背面、外围边缘或外围面、以及顶面去除BARC层的一部分，以及去除抗蚀剂层和顶部涂层的、在与衬底的外围相邻的和在所述衬底的外围周围延伸的区域周围的部分。这种方法还可以最大化例如能够用于进行图案化的抗蚀剂的区域(如上所述)。

在上述的实施例中，已经对用于浸没式光刻中的被处理的衬底进行了描述。所述方法也可以应用到以其它方式应用的被处理的衬底。例如，可以采用任何合适的第一层，而不是BARC层。例如，可以采用粘合增强层。除抗蚀剂层和顶部涂层之外，可以分别采用任何合适的第二和第三层。例如，所述第三层可以是密封层等。可以提供衬底，所述衬底已经设置有延伸到距所述衬底的边缘例如小于2.0mm、小于1.5mm、小于1.0mm、小于0.5mm或0mm的位置上的第一层(例如，可能不一定实施背面突出边缘去除工艺)。然而，本发明的至少一个实施例尤其适合用于浸没式光刻的衬底，这是由于沉积到这种衬底上的三个叠层经常被使用。

尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。以上的描述并不对本发明进行限制。

Claims

1.一种对衬底进行处理方法，其中所述衬底上设置有抗反射涂层，所述抗反射涂层延伸到所述衬底的外围边缘或延伸超过所述衬底的外围边缘，所述方法包括步骤：

采用背面去除工艺去除所述抗反射涂层位于所述衬底的外围周围的一部分；

将辐射敏感材料层沉积在抗反射涂层上；

将顶部涂层沉积到所述辐射敏感材料层上；以及

2.根据权利要求1或2所述的方法，其中去除所述抗反射涂层的一部分的步骤包括去除所述抗反射涂层的突出边缘。

3.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述辐射敏感材料层的一部分的步骤包括去除所述辐射敏感材料层的突出边缘。

4.根据权利要求3所述的方法，其中去除所述顶部涂层的一部分的步骤包括去除所述项部涂层的突出边缘。

5.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述抗反射涂层的一部分的步骤包括将溶剂施加到衬底的背面，以及从所述衬底的背面去除抗反射涂层的一部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中去除所述抗反射涂层的一部分的步骤还包括从所述衬底的外围边缘或外围面去除所述抗反射涂层的一部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中去除所述抗反射涂层的一部分的步骤还包括从所述衬底的顶面去除所述抗反射涂层的一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述抗反射涂层延伸到距所述衬底的外围小于2.0mm的位置上。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述抗反射涂层延伸到距所述衬底的外围小于1.0mm的位置上。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述抗反射涂层延伸到距所述衬底的外围小于0.5mm的位置上。

11.根据权利要求5至10中任一项所述的方法，其中去除所述辐射敏感材料层的一部分的步骤包括去除所述辐射敏感材料层的突出边缘。

12.根据权利要求11所述的方法，其中去除所述顶部涂层的一部分的步骤包括去除所述项部涂层的突出边缘。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射敏感材料层延伸到距所述衬底的外围小于2.2mm的位置上。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射敏感材料层延伸到距所述衬底的外围小于2.0mm的位置上。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射敏感材料层延伸到距所述衬底的外围小于1.0mm的位置上。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射敏感材料层延伸到距所述衬底的外围小于0.5mm的位置上。

17.根据权利要求1所述的方法，其中辐射敏感材料层经由浸没流体被辐射束曝光。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述顶部涂层基本不可溶于浸没流体。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述顶部涂层对于辐射束的波长基本透明。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述顶部涂层是抗反射涂层。

21.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述抗反射涂层的一部分包括去除所述抗反射涂层与衬底的外围相邻的一部分。

22.一种在衬底上实施的器件制造方法，其中所述衬底上设置有抗反射涂层的衬底，所述抗反射涂层延伸到所述衬底的外围边缘或延伸超过所述衬底的外围边缘，所述方法包括步骤：

将辐射敏感材料层沉积在抗反射涂层上；

将顶部涂层沉积到所述辐射敏感材料层上；以及

采用顶面去除工艺从与所述衬底的外围相邻的区域周围同时去除所述辐射敏感材料层的一部分和所述顶部涂层的一部分；

23.根据权利要求22所述的方法，其中去除所述抗反射涂层的一部分包括去除所述抗反射涂层与衬底的外围相邻的一部分。

24.根据权利要求22所述的方法，其中辐射敏感材料层经由浸没流体被辐射束曝光。