JP5530424B2 - 光学素子を支持する装置、及びそれを形成する方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明はリソグラフィシステムに関わり、より具体的には、リソグラフィシステムにおける光学素子の支持に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板または基板の一部上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、フラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）、および微細構造を含む他のデバイスの製造に用いることができる。従来の装置では、マスクまたはレチクルと一般的に呼ばれるパターニングデバイスを用いてフラットパネルディスプレイ（または他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板上に設けられた放射感応性材料（例えばフォトレジスト）層上への結像によって、基板（例えばガラス板）の全体または一部上に転写することができる。

[0003] パターニングデバイスが入力照明に一旦パターン付けすると、結果として得られる照明を1つ以上のレンズによって基板上に投影することができる。1つ以上のレンズの変位および／または変形がパターン付けされた基板に誤差を引き起こしうる。例えば、レンズを支持する装置内の振動および発振がレンズの変位を引き起こし、その結果、基板上に転写されるべきパターンにずれまたは他の誤差が生じる。さらに、リソグラフィプロセス中に発生する熱がレンズの変形の原因となり、それにより基板上に転写されるべきパターンの変形を引き起こしうる。

[0004] したがって、プリントされたパターンにおける誤差を防ぐためにレンズの変形および変位を実質的に減少するサポート装置が望まれる。

[0005] 本発明の第１実施形態では、レンズセルと、レンズセルに結合された複数のフィンガとを含む光学素子を支持する装置が提供される。各フィンガは、内部に取付けられた光学素子に結合されるように構成された基部と、第１の各々の端において基部に結合されかつ基部から約７５度と約１６５度の間の分岐角で延在する第１および第２屈曲部と、第１および第２屈曲部の第２の各々の端と共に結合されるように構成され、それにより、基部をレンズセルに結合する取付け部材とを含む。

[0006] 本発明の別の実施形態は、レンズセルを形成することと、複数のフィンガを形成することとを含む、光学素子を支持する装置を形成する方法を提供する。複数のフィンガを形成することは、内部に取付けられた光学素子に結合されるように構成された基部を形成することと、第１の各々の端において基部に結合されかつ基部から約７５度と約１６５度との間の分岐角で延在する第１および第２屈曲部を形成することと、第１および第２屈曲部の第２の各々の端と共に結合されるように構成された取付け部材を形成することとを含む。かかる方法はさらに、取付け部材をレンズセルに結合することを含む。

[0007] 本発明の更なる実施形態、特徴、および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作は、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。

[0008] 本願に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明の１以上の実施形態を例示し、以下の記載と共に、本発明の原理をさらに説明しかつ当業者が本発明を行いかつ利用することを可能にするものである。
[0009] 図１は、リソグラフィ装置を示す。 [0009] 図２は、リソグラフィ装置を示す。 [0010] 図３は、基板にパターンを転写するモードを示す。 [0011] 図４は、例示的なサポート装置を示す。 [0012] 図５は、例示的なフィンガの上面図を示す。 [0013] 図６は、例示的な励起エネルギーのパワースペクトル密度を示す。 [0014] 図７は、周波数の関数として、所与の基準加速度による例示的なフィンガのピーク変位量のプロットを示す。 [0015] 図８Ａは、例示的な運動学的サポートの３次元略図を示す。 [0015] 図８Ｂは、例示的な運動学的サポートの３次元略図を示す。 [0016] 図９は、タンジェントブレードレンズセルの略平面図を示す。 [0017] 図１０は、本発明の一実施形態による、レンズを支持する装置の部分図を示す。 [0018] 図１１は、本発明の一実施形態による、レンズを支持する装置を示す。 [0019] 図１２は、本発明の一実施形態による方法を示すフローチャートを示す。 [0020] 図１３は、本発明の一実施形態による、図１２のフローチャートの間に行われうる例示的なステップを示す。 [0021] 図１４Ａは、本発明の一実施形態による、例示的な仕様を有するバイポッドフィンガの例示的な実施形態を示す。 [0021] 図１４Ｂは、本発明の一実施形態による、例示的な仕様を有するバイポッドフィンガの例示的な実施形態を示す。 [0021] 図１４Ｃは、本発明の一実施形態による、例示的な仕様を有するバイポッドフィンガの例示的な実施形態を示す。

[0022] 本発明を、添付図面を参照しながら説明する。図中、同様の参照番号は、同一のまたは機能的に同様の要素を示しうる。さらに、参照番号の最左の数字は、その参照番号が最初に登場した図を特定する。

[0023] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1以上の実施形態を開示する。開示した実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示した実施形態に限定されない。本発明は本明細書に添付する特許請求の範囲によって定義される。

[0024] 記載する実施形態、および、明細書中における「一実施形態」、「実施形態」、「例示的な実施形態」等への言及は、記載した実施形態が特定の特徴、構造、または特性を有しうるが、必ずしもすべての実施形態がその特徴、構造、または特性を含まなくてもよいことを示すものである。さらに、このような語句は、必ずしも同じ実施形態を指しているわけではない。また、特定の特徴、構造、または特性が一実施形態に関連して説明された場合、明示的な記載の有無に関わらず、その特徴、構造、または特性を他の実施形態に関連して作用させることは当業者の知識内であると理解される。

[0025] 図１は、リソグラフィ装置１を概略的に示す。リソグラフィ装置は、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＰＤと、基板テーブルＷＴと、投影システムＰＳとを含む。照明システム（イルミネータ）ＩＬは、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射）を調整するように構成される。本発明の光学素子を支持するための装置は、図１のリソグラフィ装置１内で用いることができる。

[0026] 本記載はリソグラフィに関するものであるが、本発明の範囲から逸脱することなく、パターン付きデバイスＰＤをディスプレイシステム内（例えばＬＣＤテレビジョンまたはプロジェクタ内）に形成してもよい。したがって、投影されたパターン付きビームは、多くの異なるタイプの物体、例えば、基板、ディスプレイデバイス等上に投影されうる。

[0027] 基板テーブルＷＴは、基板（例えばレジストコート基板）Ｗを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成されたポジショナＰＭに接続される。

[0028] 投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳは、個々に制御可能な要素のアレイによって変調された放射ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１以上のダイを含む）上に投影するように構成される。本明細書にて使用される用語「投影システム」は、使用される露光放射または液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切であるように、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む任意の型の投影システムを包含するとして広く解釈されるべきである。本明細書にて使用される用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えてよい。

[0029] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含んでよい。

[0030] パターニングデバイスＰＤ（例えばレチクルまたはマスクまたは個別に制御可能な要素のアレイ）はビームを変調する。一般に、個別に制御可能な要素のアレイの位置は、投影システムＰＳに対して固定される。しかし、アレイは、代わりに、特定のパラメータに従って個別に制御可能な要素のアレイを正確に位置決めするように構成されたポジショナに接続されてもよい。

[0031] 本明細書に使用する用語「パターニングデバイス」または「コントラストデバイス」は、例えば基板のターゲット部分内にパターンを作るように放射ビームの断面を変調するために使用することのできる任意のデバイスを指していると広く解釈されるべきである。これらのデバイスは、静的パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）であっても動的（例えばプログラマブル要素のアレイ）パターニングデバイスであってもよい。簡潔にするために、本記載の大部分は動的パターニングデバイスに関するものであるが、静的パターンデバイスも本発明の範囲から逸脱することなく使用できることを理解すべきである。

[0032] なお、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しなくてもよいことに留意されたい。同様に、基板上に最終的に生成されたパターンは、個別に制御可能な要素のアレイ上に任意の時点で形成されたパターンに対応しないようになっていてもよい。これは、基板の各部分上に形成された最終的なパターンが、個別に制御可能な票素のアレイ上のパターンおよび／または基板の相対位置が変化する、所与の期間または所与の回数の露光に亘って積み重なる構成における場合でありうる。

[0033] このようなパターニングデバイスの例としては、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、発光ダイオードアレイ、格子ライトバルブ、およびＬＣＤアレイが挙げられる。

[0034] パターニングデバイスは、複数のプログラマブル要素（例えば前文で言及したレチクル以外のすべてのデバイス）を含んでよく、これらは本明細書では集合的に「コントラストデバイス」と呼ぶ。パターニングデバイスは、少なくとも１０個、少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、少なくとも１，０００，０００個、または少なくとも１０，０００，０００個のプログラマブル要素を含む。

[0035] プログラマブルミラーアレイが、粘弾性制御層と反射面を有するマトリクスアドレス指定可能な面を含みうる。このような装置の背後にある基本原理は、反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、その一方でアドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射することである。適切な空間フィルタを用いることで、非回折光を反射ビームから除去し、それにより回折光のみが基板に到達しうる。このようにして、ビームは、マトリクスアドレス指定可能な面のアドレス指定パターンに応じてパターン付けされる。

[0036] 代案として、フィルタは回折光を除去し、それにより非回折光が基板に到達するようにしてもよいことは理解できよう。

[0037] 回折型光学ＭＥＭＳデバイス（マイクロ電子機械システムデバイス）のアレイも対応した様式で用いることができる。一例では、回折型光学ＭＥＭＳデバイスは、入射光を回折光として反射する格子を形成すべく互いに対して変形可能な複数の反射リボンから構成される。

[0038] プログラマブルミラーアレイの更なる代替例は、小型ミラーのマトリクス配置を用い、各小型ミラーは、好適な局所電界を印加することによってまたは圧電作動手段を用いることによって軸の周りを個別に傾斜させることができる。ここでも、ミラーはマトリクスアドレス指定可能であり、したがってアドレス指定されたミラーは入射放射ビームを、アドレス指定されていないミラーとは違う方向に反射する。このようにして、反射ビームは、マトリクスアドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン付けされうる。必要とされるマトリクスアドレス指定は、好適な電子手段を用いて行うことができる。

[0039] 別の例示的なＰＤは、プログラマブルＬＣＤアレイである。

[0040] リソグラフィ装置は、１以上のコントラストデバイスを含みうる。例えば、リソグラフィ装置は、複数の、個別に制御可能な要素のアレイを有してよく、それぞれ、互いに独立して制御される。このような配置では、個別に制御可能な要素のアレイの一部又は全部は、共通の照明システム（または照明システムの一部）、個別に制御可能な要素のアレイ用の共通のサポート構造、および／または、共通の投影システム（または投影システムの一部）の少なくとも１つの有しうる。

[0041] 図１に示すような実施形態といった一例では、基板Ｗは実質的に円形であり、任意選択的にノッチおよび／またはその周囲の一部に沿って平坦にされたエッジを有する。別の例では、基板は例えば矩形といった多角形である。

[0042] 基板が実質的に円形である例は、基板が少なくとも２５ｍｍ、少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、または少なくとも３００ｍｍの直径を有する例を含む。あるいは、基板は、最大でも５００ｍｍ、最大でも４００ｍｍ、最大でも３５０ｍｍ、最大でも３００ｍｍ、最大でも２５０ｍｍ、最大でも２００ｍｍ、最大でも１５０ｍｍ、最大でも１００ｍｍ、または最大でも７５ｍｍの直径を有する。

[0043] 基板が例えば矩形といった多角形である例は、基板の少なくとも１辺、少なくとも２辺、または少なくとも３辺が、少なくとも５ｃｍ、少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、または少なくとも２５０ｃｍの長さを有する。

[0044] 基板の少なくとも１辺は、最大でも１０００ｃｍ、最大でも７５０ｃｍ、最大でも５００ｃｍ、最大でも３５０ｃｍ、最大でも２５０ｃｍ、最大でも１５０ｃｍ、または最大でも７５ｃｍの長さを有する。

[0045] 一例では、基板Ｗは、例えば半導体ウェーハといったウェーハである。ウェーハ材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＩｎＡｓから構成される群から選択しうる。ウェーハは、ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体ウェーハ、シリコンウェーハ、セラミック基板、ガラス基板、またはプラスチック基板であってよい。基板は（人の裸眼で見て）透明、有色、または無色であってよい。

[0046] 基板の厚さは様々であってよく、また、ある程度は、基板材料および／または基板寸法に依存しうる。厚さは少なくとも５０μｍ、少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、または少なくとも６００μｍであってよい。あるいは、基板の厚さは最大で５０００μｍ、最大で３５００μｍ、最大で２５００μｍ、最大で１７５０μｍ、最大で１２５０μｍ、最大で１０００μｍ、最大で８００μｍ、最大で６００μｍ、最大で５００μｍ、最大で４００μｍ、または最大で３００μｍであってよい。

[0047] 本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。一例では、レジスト層が基板上に設けられる。

[0048] 投影システムは、個別に制御可能な要素のアレイ上のパターンを、当該パターンが基板上に一貫して形成されるように結像することができる。あるいは、投影システムは、２次放射源を結像することができ、この２次放射源に対して、個別に制御可能な要素のアレイの要素はシャッタとして機能する。この点において、投影システムは、マイクロレンズアレイ（ＭＬＡとして知られる）またはフレネルレンズアレイといった合焦要素のアレイを含んで２次放射源を形成しかつ複数のスポットを基板上に結像しうる。合焦要素のアレイ（例えばＭＬＡ）は、少なくとも１０個の合焦要素、少なくとも１００個の合焦要素、少なくとも１，０００個の合焦要素、少なくとも１０，０００個の合焦要素、少なくとも１００，０００個の合焦要素、または少なくとも１，０００，０００個の合焦要素を含む。

[0049] パターニングデバイス内の個別に制御可能な要素の数は、合焦要素のアレイ内の合焦要素の数以上である。合焦要素のアレイのうちの１以上（例えば１，０００以上、大部分、またはそれぞれ）の合焦要素は、個別に制御可能な要素のアレイのうちの１以上の個別に制御可能な要素、個別に制御可能な要素のアレイのうちの２以上、３以上、５以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上、または５０以上の個別に制御可能な要素と光学的に関連付けられうる。

[0050] ＭＬＡは、少なくとも、基板に向かうおよび離れる方向に（例えば１以上のアクチュエータを用いて）可動であってよい。ＭＬＡを基板に向けておよび離れるように移動できることは、例えば基板を移動させることなく焦点調節を可能にする。

[0051] 本明細書において図１および図２に示すように、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば個別に制御可能な要素の反射型アレイを採用するもの）である。あるいは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば個別に制御可能な要素の透過型アレイを採用するもの）であってもよい。

[0052] リソグラフィ装置は、２（デュアルステージ）以上の基板テーブルを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち、予備工程を１以上のテーブル上で実行しつつ、別の１以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0053] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する「液浸液」によって基板の少なくとも一部を覆うことができる型のものであってもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイスと投影システムとの間といったようにリソグラフィ装置内の別の空間に加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書にて使用される用語「液浸」は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するに過ぎない。

[0054] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源は、少なくとも５ｎｍ、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１１〜１３ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、または少なくとも３６０ｎｍにおける波長を有する放射を提供する。あるいは、放射源ＳＯによって提供される放射は、最大で４５０ｎｍ、最大で４２５ｎｍ、最大で３７５ｎｍ、最大で３６０ｎｍ、最大で３２５ｎｍ、最大で２７５ｎｍ、最大で２５０ｎｍ、最大で２２５ｎｍ、最大で２００ｎｍ、または最大で１７５ｎｍの波長を有する。放射は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、および／または１２６ｎｍを含む波長を有してよい。

[0055] 放射源とリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0056] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含んでよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含んでよい。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせうる。イルミネータＩＬまたはそれに関連付けられる追加のコンポーネントはさらに、放射ビームを複数のサブビームに分割するように構成されてよく、各サブビームは、個別に制御可能な要素のアレイのうちの１つのまたは複数の個別に制御可能な要素に関連付けられうる。例えば、２次元回折格子を用いて放射ビームをサブビームに分割しうる。本記載では、用語「放射のビーム」および「放射ビーム」は、次に限定されないが、ビームが複数のこのようなサブ放射ビームから構成される状況を包含する。

[0057] 放射ビームＢは、パターニングデバイスＰＤ（例えば個別に制御可能な要素のアレイ）に入射し、パターニングデバイスによって変調される。パターニングデバイスＰＤによって反射された後、放射ビームＰＤは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ等）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。用いられる場合、個別に制御可能な要素のアレイ用の位置決め手段を用いて、例えばスキャン時にビームＢの経路に対してパターニングデバイスＰＤの位置を正確に補正することができる。

[0058] 一例では、基板テーブルＭＴの移動は、図１には明示しないロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現される。別の例では、ショートストロークモジュールはなくてもよい。同様のシステムを用いて、個別に制御可能な要素のアレイを位置決めしてもよい。ビームＢは代替的／追加的に可動で、その一方で物体テーブルおよび／または個別に制御可能な要素のアレイは固定位置を有して必要な相対移動を提供しうる。このような配置は、装置のサイズを制限するのに役立つ。例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能な更なる代案として、基板テーブルＷＴおよび投影システムＰＳの位置は固定され、基板Ｗが基板テーブルＷＴに対して移動するように構成されうる。例えば、基板テーブルＷＴには、実質的に一定の速度で基板Ｗ全体をスキャンするためのシステムが設けられてもよい。

[0059] 図１に示すように、放射ビームＢは、ビームスプリッタＢＳによってパターニングデバイスＰＤに誘導されうる。ビームスプリッタＢＳは、当該放射がまずビームスプリッタによって反射されてパターニングデバイスＰＤに誘導されるように構成される。なお、放射ビームＢは、ビームスプリッタを用いることなくパターニングデバイスに誘導されうることも認識すべきである。放射ビームは、０〜９０°、５〜８５°、１５〜７５°、２５〜６５°、または３５〜５５°の角度でパターニングデバイスに誘導されうる（図１に示す実施形態では９０°の角度である）。パターニングデバイスＰＤは放射ビームＢを変調して、放射ビームＢを反射させてビームスプリッタＢＳに戻し、ビームスプリッタＢＳは、変調されたビームを投影システムＰＳへと透過させる。しかし、代案の配置を用いて、放射ビームＢをパターニングデバイスＰＤに誘導し、続けて投影システムＰＳに誘導してもよい。特に、図１に示すような配置は、透過型パターニングデバイスが用いられる場合は必要ではない。

[0060] 図示する装置は、いくつかのモードで使用しうる。

[0061] １．ステップモードでは、個別に制御可能な要素のアレイと基板を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付与されたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光しうる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0062] ２．スキャンモードでは、個別に制御可能な要素のアレイと基板を同期的にスキャンしつつ、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。個別に制御可能な要素のアレイに対する基板の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0063] ３．パルスモードでは、個別に制御可能な要素のアレイを基本的に静止状態に保ち、パターン全体を、パルス放射源を用いて基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、ビームＢが基板Ｗを横断して線状にスキャンするように基本的に一定の速度で移動される。個別に制御可能な要素のアレイ上のパターンは、放射システムのパルス間に必要に応じて更新され、これらのパルスは基板Ｗ上の必要な場所において連続ターゲット部分Ｃが露光されるようにタイミングが計られる。したがって、ビームＢは、基板のストリップに対して完全なパターンを露光するために基板Ｗを横断してスキャンしうる。このプロセスは、基板Ｗ全体が露光されるまで線毎に繰り返される。

[0064] ４．連続スキャンモードは、変調された放射ビームＢに対して基板が実質的に一定の速度でスキャンされ、かつ、個別に制御可能な要素のアレイ上のパターンはビームＢが基板Ｗを横断してスキャンしかつ基板を露光する間に更新されること以外は、パルスモードと基本的に同じである。個別に制御可能な要素のアレイ上のパターンの更新に同期させられた、実質的に一定の放射源またはパルス放射源を用いることができる。

[0065] ５．図２のリソグラフィ装置を用いて行いうるピクセルグリッドイメージングモードでは、基板Ｗ上に形成されるパターンは、スポットジェネレータによって形成され、パターニングデバイスＰＤ上に誘導される複数のスポットの連続露光によって実現される。露光されたスポットは実質的に同じ形状を有する。基板Ｗ上では、スポットは、実質的にグリッド状にプリントされる。一例では、スポットサイズは、プリントされたピクセルグリッドのピッチより大きいが露光スポットグリッドよりかなり小さい。プリントされるスポットの強度を変化させることによりパターンが実現される。露光フラッシュ間で、スポット上の強度分布が変更される。

[0066] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0067] リソグラフィでは、パターンは、基板上のレジスト層上に露光される。次にレジストは現像されうる。続いて、追加の処理ステップが基板に対して行われる。基板の各部分に対するこれらの後続処理ステップの効果は、レジストの露光に依存する。特に、これらのプロセスは、所与のドーズ閾値より上の放射ドーズを受ける基板の部分は、ドーズ閾値より下の放射ドーズを受ける基板の部分とは異なるように反応するように調整される。例えば、エッチングプロセスでは、閾値より上の放射ドーズを受ける基板の領域は、現像されたレジスト層によってエッチングから保護される。しかし、露光後の現像では、閾値より下の放射ドーズを受けるレジストの一部が除去されるので、これらの領域はエッチングから保護されなくなる。したがって、所望のパターンをエッチングしうる。特に、パターニングデバイス内の個別に制御可能な要素は、パターンフィーチャ内の基板上の領域に透過された放射は、その領域が露光時にドーズ閾値より上の放射ドーズを受けるよう十分に高い強度を有するように設定される。基板の残りの領域は、対応する個別に制御可能な要素がゼロまたは実質的に低い放射強度を提供するように設定することによってドーズ閾値より下の放射ドーズを受ける。

[0068] 実際には、パターンフィーチャのエッジにおける放射ドーズは、個別に制御可能な要素がフィーチャ境界の片側において最大放射強度を、もう片側において最小放射強度を提供するように設定されている場合も所与の最大ドーズからゼロドーズに急激には変化しない。むしろ、回折効果によって、放射ドーズのレベルは移行領域を渡って減少する。現像されたレジストによって最終的に形成されるパターンフィーチャの境界の位置は、受けたドーズが放射ドーズ閾値を下回る位置によって決定される。移行領域に亘る放射ドーズの減少のプロファイル、したがって、パターンフィーチャ境界の正確な位置は、パターンフィーチャ境界上または付近の基板上の各点に放射を与える個別に制御可能な要素を設定することによってより正確に制御しうる。設定は、最大強度レベルまたは最小強度レベルのみに対してではなく、最大強度レベルと最小強度レベル間の強度レベルに対してでもある。このことは、一般に「グレイスケーリング」と呼ばれる。

[0069] グレイスケーリングによって、所与の個別に制御可能な要素によって基板に与えられる放射強度が２つの値（例えば最大値と最小値のみ）しか設定できないリソグラフィシステムよりも、パターンフィーチャ境界の位置をより優れて制御することが可能となる。少なくとも３つ、少なくとも４つの放射強度値、少なくとも８つの放射強度値、少なくとも１６の放射強度値、少なくとも３２の放射強度値、少なくとも６４の放射強度値、少なくとも１２８の放射強度値、または少なくとも２５６の異なる放射強度値を基板上に投影しうる。

[0070] なお、グレイスケーリングを、上述した目的に対して追加のまたは代替の目的に用いうることを理解すべきである。例えば、露光後の基板の処理は、受けた放射ドーズレベルに依存して基板の領域から２以上の潜在的な応答があるように調整されうる。例えば、第１閾値より下の放射ドーズを受ける基板の部分は第１様式で応答し、第１閾値より上であるが第２閾値より下の放射ドーズを受ける基板の部分は第２様式で応答し、第２閾値より上の放射ドーズを受ける基板の部分は第３様式で応答しうる。したがって、グレイスケーリングを用いて、３以上の所望のドーズレベルを有する、基板全体の放射ドーズプロファイルを提供することができる。放射ドーズプロファイルは、少なくとも２つの所望のドーズレベル、少なくとも３つの所望の放射ドーズレベル、少なくとも４つの所望の放射ドーズレベル、少なくとも６つの所望の放射ドーズレベル、または少なくとも８つの所望の放射ドーズレベルを有しうる。

[0071] 放射ドーズプロファイルは、上述したように基板上の各点で受けた放射の強度を制御するだけ以外の方法でも制御しうることをさらに理解すべきである。例えば、基板上の各点が受ける放射ドーズは、当該点の露光の継続時間を制御することによって代替的にまたは追加的に制御しうる。更なる例として、基板上の各点は、複数の連続露光で放射を潜在的に受けうる。したがって、各点が受ける放射ドーズは、複数の連続露光の選択されたサブセットを用いて点を露光することによって代替的にまたは追加的に制御しうる。

[0072] 図２は、例えば、フラットパネルディスプレイの製造に使用しうる本発明による装置の配置を示す。図１に示すものと対応するコンポーネントは同じ参照番号を付して示している。さらに、例えば基板、コントラストデバイス、ＭＬＡ、放射ビームの様々な構成といった様々な実施形態の上述の説明もそのまま応用しうる。

[0073] 図２に示すように、投影システムＰＳは、２つのレンズＬ１、Ｌ２を含むビームエキスパンダを含む。第１レンズＬ１は、変調された放射ビームＢを受け取りその焦点を開口絞りＡＳにおけるアパーチャを通るように合わせる。更なるレンズＡＬがアパーチャ内に位置付けられうる。次に放射ビームＢは発散して第２レンズＬ２（フィールドレンズ）によって焦合される。

[0074] 投影システムＰＳはさらに、広がった変調ビームＢを受けるように構成されたレンズのアレイＭＬＡを含む。パターニングデバイスＰＤ内の１以上の個別に制御可能な要素に対応する変調放射ビームＢの様々な部分が、レンズアレイＭＬＡ内のそれぞれ異なるレンズＭＬを通過する。各レンズは、変調放射ビームＢの各々の部分の焦点を基板Ｗ上の点に合わせる。このようにすると、放射スポットＳのアレイが基板Ｗ上に露光される。図示するレンズアレイ１４には８つのレンズしか示していないが、レンズアレイは、何千何万ものレンズを含むことができる（パターニングデバイスＰＤとして用いられる個別に制御可能な要素のアレイついても同様である）。

[0075] 図３は、本発明の一実施形態にしたがって、図２のシステムを用いてどのように基板Ｗ上にパターンが生成されるのかを概略的に説明する。黒丸は、投影システムＰＳ内のレンズアレイＭＬＡによって基板上Ｗに投影されたスポットＳのアレイを表す。基板Ｗは、一連の露光が基板Ｗ上に露光される間に、投影システムＰＳに対してＹ方向に移動される。白丸は、基板Ｗ上に前に露光されたスポット露光ＳＥを表す。図示するように、投影システムＰＳ内のレンズアレイによって基板上に投影された各スポットは、基板Ｗ上のスポット露光の列Ｒを露光する。基板に対する完全なパターンは、スポットＳのそれぞれによって露光されたスポット露光ＳＥのすべての列Ｒが合わさって生成される。このような配置は、上述した「ピクセルグリッドイメージング」と一般に呼ばれる。

[0076] 放射スポットＳのアレイは、基板Ｗに対して角度θに配置されることが分かる（基板の縁はＸおよびＹ方向と平行にある）。これは、基板がスキャン方向（Ｙ方向）に移動された場合に、各放射スポットが基板の異なる領域を通過し、それにより、基板全体が放射スポットのアレイ１５の対象となるように行われる。角度θは、最大で２０°、最大で１０°、最大で５°、最大で３°、最大で１°、最大で０．５°、最大で０．２５°、最大で０．１０°、最大で０．０５°、または最大で０．０１°であってよい。あるいは、角度θは少なくとも０．００１°である。

[0077] 例示的な光学サポートシステム
図４は、例示的なサポート装置４００を示す。サポート装置４００は、レンズセル４０２と、フィンガ４０４ａを含む複数のフィンガ４０４を含む。装置４００は、レンズ４０６を支持するよう用いられる。一実施形態では、レンズ４０６および装置４００は、上述した投影システムＰＳと同様の投影システム内に含まれてよい。

[0078] 図５は、フィンガ４０４ａの上面略図を示す。フィンガ４０４ａは、取付け部５０２と基部５０４を含む。取付け部５０２は、フィンガ４０４ａをレンズセル４０２に結合するように構成されうる。基部５０４は、レンズ４０６に結合されるレンズ受容部５０６を含む。

[0079] 図５はさらに、本明細書における様々な基準を説明するために用いる関連の方向を示す。例えば、レンズ４０６は、レンズ４０６の光軸によって画定される軸方向、レンズ４０６の中心光軸から延在する半径方向、および、レンズ４０６の外縁に沿って測定される接線方向に関して説明しうる。さらに、フィンガ４０４ａは、Ｘ−Ｙ面およびＺ方向を参照して説明しうる。当業者には明らかであるように、本明細書における説明に基づいて、軸方向とＺ方向は一致するので、本明細書では同じ意味に使用する。

[0080] レンズ４０６の変位または変形は、基板上に形成されるパターンに誤差を引き起こしうる。レンズ４０６の変位は、基板上の同じターゲット領域を複数回露光し、それにより結果として得られるパターンが複数回の露光の平均であるようにすることによって補償されうる。レンズ４０６の変位がゼロの時間平均を有する場合、複数回の露光によって、基板上に所望のパターンが形成されうる。しかし、別のシステムでは、単一の露光が用いられて所望のパターンが形成される。したがって、経時的にゼロの平均を有するレンズ４０６の変位であっても誤差を引き起こしうる。

[0081] レンズ４０６は、本明細書では集合的に励起エネルギーと呼ぶ、フィンガ４０４とレンズ４０６との間の界面を励起する振動、音響、熱、または他のエネルギーによってＸ、Ｙ、および／またはＺ方向に変位されうる。一実施形態では、ＸおよびＹ方向における安定性要件は、Ｚ方向におけるよりも厳しい。例えば、サポート装置は、ＸおよびＹ方向における変位の二乗平均平方根（ＲＭＳ）値が０．７５ｎｍ未満であり、Ｚ方向における変位のＲＭＳ値が８０ｎｍ未満であるような安定性を提供することが要求されうる。

[0082] 図６は、例示的な励起エネルギーのパワースペクトル密度（ＰＳＤ）６００を示す。図６に示すように、各周波数における励起エネルギーは、一般に周波数が増加すると下がる。特に、励起エネルギーは、周波数が１０００Ｈｚ（１０^３Ｈｚ）に近づくとロールオフするまたは実質的に減少する傾向がある。

[0083] フィンガ４０４は、１以上の共振周波数モードを有しうる。フィンガ４０４の共振周波数モードにおけるほぼすべての励起エネルギーは、フィンガ４０４における発振を引き起こしうる。これらの発振は、大抵の場合、フィンガ４０４の固有減衰によってのみ制限される。フィンガ４０４は、通常、例えばステンレススチールといった金属である低固有減衰を有する材料から形成されるので、共振周波数モードにおける励起エネルギーによる発振は顕著となりうる。

[0084] 一実施形態では、Ｘ−Ｙ面におけるフィンガ４０４の第１共振モードは、約４００Ｈｚから８００Ｈｚに及び、例えば７９８Ｈｚである。図６に示すように、励起エネルギーは、この周波数範囲では顕著なエネルギーを含みうる。したがって、フィンガ４０４は、Ｘ−Ｙ面において実質的に励起されて、Ｘ−Ｙ面におけるフィンガ４０４の顕著な発振がもたらされうる。フィンガ４０４は、１０００Ｈｚ超のＺ方向における第１共振モードを有してもよく、それにより、フィンガはＺ方向では励起エネルギーによって実質的に励起されない。しかし、上述したように、ＸおよびＹ方向における安定性要件は、Ｚ方向よりも厳しいので、Ｘ−Ｙ面における実質的な発振はリソグラフィシステムの性能を著しく劣化してしまいうる。

[0085] 図７は、各周波数における加速度が一定に保たれる場合に、周波数の関数として例示的なフィンガのピーク変位量のプロット７００をメートル（ｍ）単位で示す。図７に示すように、ピーク変位量は、周波数が増加するにつれて下がる。図６および図７を共に考慮すると、第１共振モードの周波数が増加するにつれて、励起エネルギーによるフィンガ４０４の変位量が減少し、これは、当該周波数における総エネルギーの成分が、図６に示すように減少し、また、そのエネルギーが引き起こしうる最大可能変位量も、図７に示すように減少するからである。したがって、発明者は、フィンガ４０４の第１Ｘ−Ｙ共振モードの周波数を１０００Ｈｚより上に増加することによって、ＸおよびＹ方向における変位量を実質的に減少できることを見出した。

[0086] 例えばリソグラフィシステム内で発生した熱によるレンズ４０６の変形も、性能劣化を引き起こしうる。フィンガ４０４の形成に用いる金属は、レンズ４０６よりも速く温度の関数として膨張しうるので、フィンガ４０４は、温度が増加するにつれてレンズ４０６を引っ張る傾向がある。特に、フィンガ４０４は、レンズ４０６の半径方向にレンズ４０６に力を与える傾向がある。例えば、フィンガ４０４の各フィンガは、約５０℃の動作温度においてレンズ４０６に約２．０７Ｎの力を与えうる。ある動作温度範囲に亘って半径方向に柔軟（compliant）であるフィンガがレンズに与える力は少なく、したがってレンズの変形が減少される。

[0087] フィンガ４０４の製造および取付けにおける変動によって、フィンガ４０４のすべてのフィンガが同じ高さに整列されないことがある。この不均一によって、フィンガ４０４のフィンガがレンズ４０６と様々な接触を有することになりうる。フィンガ４０４の各フィンガが可能な限り均一にレンズ４０６に接触するように、フィンガ４０４は、非接着の（unbonded）Ｚコンプライアンスを有するように構成されうる。例えば、フィンガ４０４は、Ｚ方向に最大約３０μｍまで変位可能なようにされうる。一実施形態では、フィンガ４０４の製造および取付けは、Ｚ方向における３０μｍのコンプライアンスが、複数のフィンガ４０４がレンズ４０６を実質的に均一に支持することを確実にするのに十分であるように、十分に厳しい公差で達成することができる。

[0088] したがって、フィンガ４０４は、それらの（１）ある動作温度範囲に亘っての半径方向コンプライアンス（例えば熱的に誘導されるレンズの変形を防止するフィンガの能力）、（２）第１Ｘ−ＹおよびＺ共振モード（例えばレンズの変位を防止するフィンガの能力）、および（３）非接着のＺコンプライアンス（例えば製造公差を補償するフィンガの能力）に関して説明することができる。上述した基準は、フィンガ４０４を形成するために用いた材料およびフィンガ４０４の形状に応じる。

[0089] 他の光学サポートシステム
図８Ａおよび図８Ｂは、それぞれ、運動学的（kinematic）サポート８００Ａおよび８００Ｂの３次元概略図を示す。運動学的サポート８００Ａおよび８００Ｂは、例えば、レンズ、ミラー等の光学素子を、６自由度すべてにおいて制限するように用いてよい。運動学的サポート８００Ａは、基部アセンブリ８０２、ペイロードアセンブリ８０４、および６つのモノポッド接続要素８０６Ａ〜８０６Ｆを含む。運動学的サポート８００Ｂは、基部アセンブリ８０２、ペイロードアセンブリ８０４、およびバイポッド接続要素８０８Ａ〜８０８Ｃを含む。ペイロードアセンブリ８０４は、光学素子を保持するまたは整列させる。運動学的サポートに関する詳細は、本明細書にその全体を参考として組み込む、Ｃａｌｖｅｒｔ他への米国特許第６，６７４，５８５号を参照されたい。

[0090] 図９は、タンジェントブレードレンズセル９００の略平面図を示す。レンズセル９００は、環形９０８の内周囲９０６に切り込まれたスロット９０４によって形成されたフィンガ９０２を含む。レンズ（図示せず）は、フィンガ９０２上に着座させることができる。フィンガ９０２は、環形９０８の変形を吸収するように捻れたり半径方向に移動しうる。タンジェントブレードレンズセル９００に関する詳細は、本明細書にその全体を参考として組み込む、Ｂｒｕｎｉｎｇ他への米国特許第５，４２８，４８２号を参照されたい。

[0091] 図８および図９に示すサポート装置も、支持したレンズの変位および／または変形、および／または、均一にレンズを支持できないことの影響を受けうる。

[0092] バイポッドフィンガ実施形態
本明細書に記載する実施形態では、レンズの変形および変位を防止し、レンズが実質的に均一に支持されることを確実にするよう十分なコンプライアンスを提供する、レンズを支持するための装置が提供される。

[0093] 図１０は、本発明の一実施形態による、レンズを支持するための装置１０００の部分図を示す。装置１０００は、完全体のバイポッドフィンガ１００２、隣接する部分的なバイポッドフィンガ１０００’および１０００’’、およびレンズセル１００３を含む。一実施形態では、レンズセル１００３は、図４を参照して説明したレンズセル４０２と実質的に同様である。

[0094] バイポッドフィンガ１００２は、基部１００４と、第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００６ｂと、取付け部材１００８を含む。基部１００４は、凹型パッド１０１０と面取り部(chamfer)１０１２を任意選択的に含む。凹型パッド１０１０は、接着材料を収容するように構成されうる。特に、凹型パッド１０１０は、レンズを基部１００４に接着させる例えばエポキシである接着材料のための空間を提供しうる。面取り部１０１２は、余剰の材料の任意選択的な除去である。図１０に示すように、面取り部１０１２は、基部１００４の一部から不必要な材料を除去して基部１００４を軽量化している。一実施形態では、バイポッドフィンガ１００２の質量は約０．４２７ｋｇである。

[0095] 図１０に示すように、基部１００４は、第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００６ｂに結合される。一実施形態では、第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００ｂは、基部１００４と一体であってもよい。あるいは、第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００ｂは基部１００４とは別個に形成されて、バイポッドフィンガ１００２が形成される際に基部１００４に物理的に結合されてもよい。第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００ｂは、基部１００４から分岐角（divergence angle）φで延在する。一実施形態では、φは約７５度から約１６５度の範囲でありうる。例えば、φは約１２０度であってよい。

[0096] 第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００ｂの各々の端は、取付け部材１００８に結合される。取付け部材１００８を用いてバイポッドフィンガ１００２をレンズセル１００３に結合しうる。例えば、取付け部材１００８は、レンズ１００３にロウ付けされてよい。取付け部材１００８は第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００ｂと一体であってもよい。あるいは、取付け部材１００８は別個に形成されて、バイポッドフィンガ１００２が形成される際に第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００ｂに結合されてもよい。

[0097] あるいは、バイポッドフィンガ１００２は、取付け部材１００８を含まなくてもよい。このような実施形態では、第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００ｂはレンズセル１００３に直接結合されてよい。例えば、屈曲部１００６ａおよび１００６ｂはレンズセル１００３に直接ロウ付けされてよい。

[0098] 一実施形態では、レンズセル１００３および／またはバイポッドフィンガ１００２は、金属材料から形成されうる。例えばレンズセル１００３および／またはバイポッドフィンガ１００２は、例えば１５−５ステンレススチールであるステンレススチールから形成されてよい。

[0099] バイポッドフィンガ１００２の形状によって、特定の有利な特性を有するサポート装置１０００がもたらされうる。例えば、バイポッドフィンガ１００２は、動作温度が増加するにつれて増加する半径方向コンプライアンスを有しうる。例えば、バイポッドフィンガ１００２によってレンズに与えられる半径方向力は、図４に示す従来のフィンガでの２．０７Ｎに比べて５０℃で０．４２７Ｎでありうる。さらに、バイポッドフィンガ１００２は、１０００Ｈｚより高い第１共振Ｘ−Ｙモードを有する。例えば、バイポッドフィンガ１００２の第１Ｘ−Ｙ共振モードは、図４に示す従来のフィンガでの７９８Ｈｚに比べて約１３２５Ｈｚである。

[00100] 有利な半径方向コンプライアンスとＸ−Ｙ共振特性に加えて、バイポッドフィンガ１００２は、図４に示す従来のフィンガの有利な特性を持ち続けかつ／または改善しうる。例えば、バイポッドフィンガ１００２は、従来のフィンガと同じように、約３０μｍの非接着のコンプライアンスを有して、不均一であるレンズ面に対応しうる。さらに、バイポッドフィンガ１００２は、１０００Ｈｚより高い第１Ｚ共振モードを有してもよい。例えば、バイポッドフィンガ１００２は、図４に示す従来のフィンガでの１２６９Ｈｚに比べて１５６７Ｈｚの第１Ｚ共振モードを有する。

[00101] したがって、バイポッドフィンガ１００２の形状によって、ある動作温度の範囲に亘って増加された半径方向コンプライアンス、１０００Ｈｚを超える第１共振Ｘ−ＹおよびＺモード、および製造公差に対する十分な非接着のコンプライアンスを有するバイポッドフィンガがもたらされる。

[00102] 図１１は、本発明の一実施形態による、レンズ１１０６を支持する装置１１００を示す。装置１１００は、レンズセル１１０２およびバイポッドフィンガ１１０４を含む。レンズセル１１０２およびバイポッドフィンガ１１０４は、図１０を参照して説明したレンズセル１００３およびバイポッドフィンガ１００２にそれぞれ実質的に類似しうる。

[00103] 一実施形態では、装置１１００は、レンズ１１０６の移動を実質的に制限する冗長構造でありうる。このような実施形態では、複数のフィンガ１１０４は、少なくとも７つのバイポッドフィンガを含みうる。例えば、複数のフィンガ１１０４は、約７から約３２のバイポッドフィンガを含みうる。少なくとも７つのバイポッドフィンガを含むことで、Ｘ−Ｙ面およびＺ方向におけるレンズ１１０６の変位が実質的に制限される。

[00104] 例示的な方法の実施形態
図１２は、レンズを支持するための装置を形成するための例示的なブロックを提供するフローチャート１２００を示す。他の構造および動作に関する実施形態は、以下に説明に基づいて当業者には明らかであろう。図１２に示すブロックは必ずしも図示する順番で発生する必要がない。図１２に示すブロックを以下に詳細に説明する。

[00105] ブロック１２０２ではレンズセルが形成される。例えば、レンズセル１２０２は、当業者には既知である方法に従ってステンレススチールから形成されうる。

[00106] ブロック１２０４では複数のフィンガが形成される。一実施形態では、ブロック１２０４は、図１３に示すブロック１３０２〜１３０６によって行われうる。

[00107] ブロック１３０２では、装置に取付けられた場合にレンズに結合するように構成された基部が形成される。一実施形態では、ブロック１３０２はさらに、接着材料を収容するように構成された凹部を形成することを含みうる。

[00108] ステップ１３０４では、第１および第２屈曲部が形成される。例えば、第１屈曲部１００６ａおよび第２屈曲部１００６ｂは、ステンレススチールから形成されうる。一実施形態では、第１および第２屈曲部の特徴はワイヤ放電機械加工（ＥＤＭ）によって形成されうる。当業者であれば理解できるように、本明細書における記載に基づいて、ワイヤＥＤＭは、ある電位に保持された電極が導電性材料内に挿入されるプロセスである。電極と導電性材料との間のスパークによって導電性材料にクレータが形成される。このようなプロセスを用いて、第１および第２屈曲部の微細特徴を形成しうる。

[00109] 別の実施形態では、第１および第２屈曲部を形成することは、それらの間の分岐角が約７５度と１６５度の間であるように第１および第２屈曲部を形成することを含みうる。更なる実施形態では、この分岐角は約１２０度でありうる。

[00110] ブロック１３０６では取付け部材が形成される。取付け部材、基部、第１および第２屈曲部、またはこれらの任意のサブコンビネーションは一体式のバイポッドフィンガのコンポーネントであってよい。あるいは、取付け部材、基部、第１および第２屈曲部は、別個に形成されてバイポッドフィンガを形成するために互いに結合されてもよい。

[00111] 上述したように、形成されたフィンガは、１０００Ｈｚより高い周波数において基部とレンズとの間に第１Ｘ−Ｙ共振モードを有し、また、ある動作温度の範囲に亘って半径方向に柔軟（compliant）でありうる。

[00112] 図１２に戻り、別の実施形態では、ブロック１２０４は、少なくとも７つのフィンガを形成することを含みうる。

[00113] ブロック１２０６では、複数のフィンガの各フィンガがレンズセルに結合される。例えば、複数のフィンガは、各々の取付け部材をレンズセルにロウ付けすることによってレンズセルに結合されうる。

[00114] 別の実施形態では、フィンガはレンズセルの一体コンポーネントとして形成されうる。例えばレンズセルおよびフィンガは同じ金属片から形成されうる。したがって、このような実施形態ではブロック１２０６を完了する必要がない。

[00115] 上述したサポート装置は、レンズを支持する実施形態を参照して説明した。しかし、当業者であれば理解できるように、本明細書における記載に基づいて、上述したサポート装置は例えばミラーといった他の光学素子を支持するように用いられてもよい。

[00116] 例示的なバイポッドフィンガの実施形態
図１４〜図１４Ｃは、本発明の一実施形態による、例示的な仕様をミリメートル（ｍｍ）単位で示したバイポッドフィンガの例示的な実施形態を示す。図１４Ａは、レンズ１４０２に結合されたバイポッドフィンガ１４００の側面図を示す。一実施形態では、レンズ１４０２は１２４ｍｍの直径を有する。バイポッドフィンガ１４００は、取付け片１４０４、屈曲部１４０６、および基部１４０８を含む。図１４Ａに示すように、取付け片１４０４は約１．５ｍｍの高さを有する。屈曲部１４０６は、約６．５ｍｍの垂直高さと、約０．５ｍｍの厚さを有する。基部１４０８は凹型パッド１４１０および１４１２と面取り部１４１４を含む。基部１４０８は約８．２５ｍｍの総厚と、約４．５ｍｍの総垂直高さを有する。パッド１４１０および１４１２は、それぞれ、約２ｍｍの長さを有する。面取り部１４１４は約２．５ｍｍの高さおよび長さを有する。

[00117] 図１４Ｂは、バイポッドフィンガ１４００の背面図を示す。図１４Ｂに示すように、取付け片１４０４は約２６ｍｍの幅を有する。屈曲部１４０６ａおよび１４０６ｂは、それぞれ、約３ｍｍの幅を有し、基部１４０８から約１２０度の分岐角で延在する。屈曲部１４０６ａおよび１４０６ｂが取付け片１４０４および基部１４０８に接合する領域は約０．５ｍｍの曲率半径を有する。

[00118] 図１４Ｃは、バイポッドフィンガ１４００の上面図を示す。図１４Ｃに示すように、基部１４０８は、バイポッドフィンガ１４５００によって支持されるレンズ１４０２（図１４Ｃには図示せず）の中心から測定して約度の角度に広がる（sweep）。一実施形態ではバイポッドフィンガ１４００は１５−５ステンレススチールから形成される。

[00119] 結論
本発明の様々な実施形態を上述したが、これらは例示的にのみ提示したに過ぎず限定ではないことを理解すべきである。当業者には明らかであろうように、本発明の精神および範囲から逸脱することなく形態および細部における様々な変更を行いうる。したがって、本発明の範囲は、上述した例示的な実施形態に限定されるべきではなく、むしろ、添付の特許請求の範囲およびその等価物に応じてのみ定義されるべきである。

[00120] 発明の概要および要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明および請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。

Claims (14)

1. 光学素子を支持する装置であって、
   レンズセルと、
   前記レンズセルに結合された複数のフィンガと、を含み、
   各フィンガと前記光学素子との間の第１Ｘ−Ｙ共振モードが約１０００Ｈｚより高い周波数にあり、
   各フィンガは、動作温度が増加するにつれて増加する半径方向コンプライアンスを有し、
   前記半径方向コンプライアンスは、熱的に誘導される前記レンズセルの変形を防止する能力である、装置。
2. 各フィンガは、
   内部に取付けられた前記光学素子に結合される基部と、
   第１の各々の端において前記基部に結合されかつ前記基部から約７５度と約１６５度の間の分岐角で延在する第１および第２屈曲部と、
   前記第１および第２屈曲部の第２の各々の端と共に結合され、それにより、前記基部を前記レンズセルに結合する取付け部材と、
   を含む請求項１に記載の装置。
3. 各フィンガは、動作温度の範囲に亘って、内部に取付けられた前記光学素子に対して半径方向に柔軟である、請求項１又は請求項２に記載の装置。
4. 前記光学素子はレンズであり、各フィンガは、前記基部と、内部に取付けられた前記光学素子との間の第１Ｘ−Ｙ共振モードが約１０００Ｈｚより高い周波数にある、請求項２に記載の装置。
5. 前記複数のフィンガは、少なくとも７つのフィンガを含む、請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載の装置。
6. 前記分岐角は、約１２０度である、請求項２に記載の装置。
7. 前記基部は、接着材料を収容する凹型パッドを含む、請求項２に記載の装置。
8. 各フィンガは、ステンレススチールといった金属を含む、請求項１乃至請求項７のうち何れか１項に記載の装置。
9. 前記第１および第２屈曲部は、前記基部および前記取付け片と一体にされる、請求項２に記載の装置。
10. 光学素子を支持する装置を形成する方法であって、
    レンズセルを形成することと、
    各フィンガと前記光学素子との間の第１Ｘ−Ｙ共振モードが約１０００Ｈｚより高い周波数にあるように複数のフィンガを形成することと、
    前記フィンガを前記レンズセルに結合することと、
    を含み、
    各フィンガは、動作温度が増加するにつれて増加する半径方向コンプライアンスを有し、
    前記半径方向コンプライアンスは、熱的に誘導される前記レンズセルの変形を防止する能力である、方法。
11. 前記複数のフィンガを形成することは、
    内部に取付けられた前記光学素子に結合される基部を形成することと、
    第１の各々の端において前記基部に結合されかつ前記基部から約７５度と約１６５度との間の分岐角で延在する第１および第２屈曲部を形成することと、
    前記第１および第２屈曲部の第２の各々の端と共に結合される取付け部材を形成することとを含む、請求項１０に記載の方法。
12. 前記第１および第２屈曲部を形成することは、前記分岐角を約１２０度に形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記フィンガを前記レンズセルに結合することは、前記取付け部材を前記レンズセルにロウ付けすることを含む、請求項１０乃至請求項１２の何れか１項に記載の方法。
14. 前記複数のフィンガを形成することは、
    前記複数のフィンガの各フィンガは、動作温度の範囲に亘って、内部に取付けられた前記光学素子の半径方向に柔軟であるように前記複数のフィンガを形成することを含む、請求項１０乃至請求項１３のうち何れか１項に記載の方法。

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