CN101900938A - 用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法 - Google Patents

用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101900938A
CN101900938A CN2010101904880A CN201010190488A CN101900938A CN 101900938 A CN101900938 A CN 101900938A CN 2010101904880 A CN2010101904880 A CN 2010101904880A CN 201010190488 A CN201010190488 A CN 201010190488A CN 101900938 A CN101900938 A CN 101900938A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resist layer
thickness
alignment mark
resist
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010101904880A
Other languages
English (en)
Inventor
M·A·多特柴沃
M·杜萨
R·J·F·范哈恩
H·西韦尔
R·W·范德赫杰登
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Holding NV
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV, ASML Netherlands BV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN101900938A publication Critical patent/CN101900938A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法。在所述方法中，包括至少一个对准标记的第一抗蚀剂层形成在衬底上。在对第一抗蚀剂层进行显影之后，第二抗蚀剂层沉积到第一抗蚀剂层上，从而产生平坦的顶表面(即没有拓扑)。通过适当地焙烤第二抗蚀剂层，对称的对准标记形成在第二抗蚀剂层中，且与第一抗蚀剂中的对准标记有小的偏置误差或没有偏置误差。可以通过适当地调整所述第一和第二抗蚀剂层的各自的厚度、涂覆工艺参数和焙烤工艺参数来改善第二抗蚀剂中形成的对准标记的对称性。

Description

用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法
技术领域
本发明的实施例整体上涉及光刻术，并且更具体地涉及在光刻图案化工艺(诸如双重图案化工艺)中改善对准目标。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的抗蚀剂材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
IC芯片的制造涉及许多层的制造。在每一层中，可以用多重或双重图案化产生具有比通过使用传统的图案化工艺所实现的临界尺寸更小的临界尺寸的图案。有许多不同的方法来实现双重图案化。这些方法中的第一种方法被称为光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)，其中第一图案被曝光且被蚀刻。之后使具有位于第一图案的特征之间的空间中的特征的第二图案曝光。接着，第二图案的特征被蚀刻到衬底中。因此，可以产生具有比最小光刻节距小的尺寸的图案。另一类似的双重图案化技术被称为光刻-冻结-光刻-蚀刻(LFLE)。图案被在抗蚀剂中曝光，其之后被“冻结”，通常采用化学固定作用进行冻结。之后也可以使第二图案在刚沉积的抗蚀剂层中曝光，且两个图案之后被蚀刻到衬底中。另一双重图案化方法被称为间隔件方法。在间隔件方法中，牺牲模板被放下，且间隔件放置在任一侧并与牺牲模板相邻。之后模板被移除，且所获得的图案被蚀刻到衬底中。
通过使用LELE或LFLE，在第二光刻步骤中的特征相对于来自于第一光刻步骤的特征的位置可能潜在地存在误差。然而，为了最大化双重图案化的优点，将第一和第二光刻步骤在小的对准误差或没有对准误差的情况下对准是必要的。
发明内容
本发明的实施例整体上涉及改善在诸如双重图案化工艺的光刻图案化工艺中的对准标记。
在本发明的一个实施例中，提供了一种使用双重图案化工艺的半导体制造方法。所述方法包括：用第一抗蚀剂层涂覆衬底，之后是曝光和显影第一抗蚀剂层，以形成包括一个或更多的对准标记的第一图案。在冻结第一抗蚀剂层之后，第一抗蚀剂层通过用第二抗蚀剂层涂覆第一光刻图案而被平坦化。通过软焙烤第二抗蚀剂层，第二抗蚀剂层的收缩作用可以被利用，以基于所述第一抗蚀剂层中的一个或更多的对准标记提供对准标记拓扑。这样的对准标记拓扑之后可以用于支持产生对准误差小的对准信号。
在一个实施例中，可以调整第二抗蚀剂层的涂覆步骤和焙烤步骤，以提供对称的对准标记拓扑。这样的调整包括为抗蚀剂聚合物浓度、抗蚀剂粘度、旋涂持续时间、旋涂速度、旋速斜坡率、软焙烤持续时间和焙烤温度中的一个或更多个选择参数。在另一个实施例中，基于抗蚀剂层厚度来调节标记偏置和/或标记分段，以设定对准标记拓扑和对准信号。在另一实施例中，可相对于彼此控制第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层的厚度。
本发明还涉及一种制造品，所述制造品包括：涂覆有第一抗蚀剂层的衬底；在第一抗蚀剂层中形成的一个或更多个对准标记；和用于涂覆第一抗蚀剂层的第二抗蚀剂层。通过用第二抗蚀剂层涂覆所述第一光刻图案而使得第一抗蚀剂层平坦化。通过软焙烤第二抗蚀剂层，可以利用第二抗蚀剂层的收缩作用，以基于所述一个或更多个第一对准标记在所述制造品上提供对准标记拓扑。这样的对准标记拓扑之后可以用于支持在所述制造品的随后的双重图案化处理过程中产生对准误差小的对准信号。
本发明还涉及采用光刻术制造半导体器件的系统。所述系统包括：照射源，所述照射源用以提供特定波长的对准束，用于在双重图案化过程中读取对准标记。所述系统还包括光学对准系统，所述光学对准系统用于检测在包含一个或更多个的第一对准标记的第一抗蚀剂层上涂覆第二抗蚀剂层之后形成的对准标记。所述获得的对准标记由第二抗蚀剂层的软焙烤和第二抗蚀剂层的收缩性质产生。
附图说明
上述的发明内容阐述了许多，但不是本发明的全部方面。通过结合参考附图阅读本发明的各种“实施例”的描述，本发明的其它方面对本发明所属技术领域的技术人员来说是显而易见的。在阐述下述的实施例时，通过示例的方式示出了本发明，但不是限制性的。附图中相类似的参考标记表示类似的元件。
图1A和1B分别地示出根据本发明的一个实施例的反射式和透射式光刻设备。
图2A-2G示意性地显示在产品区域中光刻冻结光刻蚀刻(LFLE)双重图案化工艺中的示例步骤。
图3A-3D示意性地显示在对准标记区域中光刻冻结光刻蚀刻(LFLE)双重图案化工艺的示例步骤。
图4A和4B显示出在双重图案化工艺中冻结的抗蚀剂标记的对比度有限的难题。
图5A-5C显示出双重图案化工艺的旋涂工艺中的对准标记的非保形(non-conformal)的轮廓。
图6显示出在软焙烤步骤期间抗蚀剂层厚度变化的蒙特卡洛模拟的结果。
图7A-7C示意性地显示出根据本发明的一个实施例的用于形成对称的对准标记的工艺。
图8A和8B示意性显示出根据本发明的一个实施例的针对对称的对准标记的工艺的模拟的对准信号和由工艺引入的对准误差。
图9A和9B示意性地显示出根据本发明的一个实施例的标记偏置。
图10示意性地显示出描述根据本发明的制造方法的实施例的流程图。
在结合附图时本发明的特征和优点将从下文阐述的详细描述变得更加清楚，其中在整个附图中类似的参考特性标识相应的元件。在附图中，类似的参考标号通常表示一致的、功能类似的和/或结构类似的元件。元件首次出现所在的附图，由在对应的参考标号中的最左边的数字来表示。
具体实施方式
本说明书公开包含本发明的特征的一个或更多的实施例。所公开的实施例仅例证本发明。本发明的范围不受所公开的实施例的限制。本发明由随附的权利要求来限定。
所描述的实施例和在说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的提及表示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每一实施例可以不必包括所述特定的特征、结构或特性。另外，这样的措辞不必表示同一实施例。另外，在特定的特征、结构或特性被结合实施例进行描述时，应当理解无论是否具体地描述，结合其它实施例来实施这样的特征、结构或特性都落入到本领域技术人员的知识范围内。
可以在硬件、固件、软件或它们的任意组合中实施本发明的实施例。本发明的实施例还可以被实施为存储到机器可读介质上的指令，该指令可以被一个或更多的处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于存储或传输机器可读形式的信息的任何机制(例如计算装置)。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、磁盘存储介质、光学存储介质、闪存装置、电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如载波、红外信号、数字信号等)等。另外，固件、软件、例行程序、指令可以在此处被描述为执行特定动作。然而，应当认识到，这样的描述仅是为了简便的目的，这样的动作实际上是由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例行程序、指令等的其它装置实现的。
然而，在更详细地描述这样的实施例之前，介绍可以实施本发明的实施例的例证性的环境是有益的。
图1A和1B分别示意地示出光刻设备100和光刻设备100’。光刻设备100和光刻设备100’中的每个包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其被配置用于支撑图案形成装置(例如掩模、掩模版或动态的图案形成装置)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；和衬底台(例如，晶片台)WT，其被配置以保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并与配置用于精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。光刻设备100和光刻设备100’还具有投影系统PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射式的；在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投影系统PS是透射式的。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射B。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备100和100’的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。
术语“图案形成装置”MA应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式的(例如在图1B的光刻设备100’中)或反射式的(例如在图1A的光刻设备100中)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束B。
术语“投影系统”PS可以包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其它因素所适合的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其它的气体可能会吸收太多的辐射或电子。因此，可以在真空壁和真空泵的帮助下将真空环境提供给整个束路径。
光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。
参考图1A和1B，照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和光刻设备100、100’可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备100或100’的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(图1B)的帮助，将辐射束B从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备100、100’的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(图1B)。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件(图1B)，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
参考图1A，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在光刻设备100中，辐射束B被从图案形成装置(例如，掩模)MA反射。在被从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，其将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，第一定位装置PM和另一位置传感器IF1可以被用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。
参考图1B，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将所述束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1B中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。
通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
所示的光刻设备100和100’可以用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C进行曝光。
2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。
3.在另一种模式中，将保持可编程的图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
虽然在本文中详述了将光刻设备用于制造IC(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以在制造具有微米尺度、甚至纳米尺度的特征的部件方面有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
在另一实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，其被配置以产生用于EUV光刻术的EUV辐射束。通常，EUV源被配置在辐射系统(参见下文)中，对应的照射系统被配置以调节EUV源的EUV辐射束。
在此处描述的实施例中，在允许的情况下，术语“透镜”和“透镜元件”可以表示各种类型的光学部件中的任何一个或组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
另外，此处所使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有波长λ为365、248、193、157或126nm的波长)、极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如，具有在5-20nm范围内的波长，例如13.5nm)或以小于5nm波长工作的硬X射线以及粒子束(例如离子束或电子束)。通常，具有在约780-3000nm之间(或更大)的波长的辐射被认为是红外(IR)辐射。UV表示具有约100-400nm的波长的辐射。在光刻术中，它通常还被应用至可以由汞放电灯产生的波长：G线436nm、H线405nm和/或I线365nm。真空UV或VUV(即，由空气吸收的UV)表示具有波长为约100-200nm的辐射。深UV(DUV)通常表示具有从126nm至428nm范围内变化的波长的辐射，在实施例中准分子激光器可以产生在光刻设备中所使用的DUV辐射。应当认识到，具有在例如5-20nm范围内的波长的辐射涉及至少一部分特定波长带在5-20nm范围中的辐射。
可以用双重图案化技术(DPT)来实现光学光刻术分辨率的改善。双重图案化技术使用具有两个不同的掩模的两个曝光步骤和在这两个曝光步骤之间的一个或更多的处理步骤，使得每一步骤形成最终图案的一部分。这样，所获得最终特征，与仅使用一个曝光步骤相比可以被制造得更小或更密。通过两次曝光晶片，用在第一图案之间被间隙地曝光的第二图案，使得曝光的特征的频率或密度加倍。存在多种类型的双重图案化技术，包括间隔件技术和光刻-处理-光刻-蚀刻技术(LPLE)。光刻-处理-光刻-蚀刻技术(LPLE)的一个示例是光刻-蚀刻-光刻-蚀刻技术。光刻-处理-光刻-蚀刻技术的另一示例是光刻-冻结-光刻-蚀刻(LFLE)技术。
在光刻-处理-光刻-蚀刻(LPLE)技术中，第一层曝光在抗蚀剂中被显影和被处理，例如“冻结”。然后，用第二抗蚀剂涂覆晶片，之后进行第二曝光。这种技术的优点是将晶片保持到光刻簇群中。因此第一曝光和第二曝光之间的时间可以被减小至最小值。另外，LPLE技术仅需要一次蚀刻步骤。消除了昂贵的第二蚀刻步骤，这帮助减小了最终产品的成本。
图2显示出用于产品区域的LELE工艺中的示例性步骤。图2A描绘出晶片层的初始堆叠，第一抗蚀剂层202沉积到底部抗反射涂层(BARC)204、硬掩模层(HM)206、产品层208以及衬底210的顶部上。图2B描绘出第一双重图案化步骤(DPT1)，其中在已经将掩模212用于曝光第一抗蚀剂202之后，对被曝光的图案进行显影。图2C描绘出冻结材料层214的涂覆和焙烤。可以由包括旋涂器或能够通过离心力使得材料扩展的装置的各种装置来进行涂覆。可以通过包括加热板、炉或其它热源的各种装置来进行焙烤。本领域普通技术人员应当理解，可以采用其它工具进行涂覆和焙烤。图2D描绘出移除未反应的过量的冻结材料214。图2E显示出第二抗蚀剂层216的涂覆。图2F描绘第二双重图案化步骤(DPT2)，其中在掩模218被用于曝光第二抗蚀剂层216之后，对被曝光的图案进行显影。图2G显示出蚀刻步骤之后的晶片。
因为最终图案被在两个曝光步骤(DPT1和DPT2)中限定，所以第二曝光(DPT2)与第一曝光(DPT1)的对准对于所获得的最终图案来说是非常重要的。因此，两次曝光(DPT2对于DPT1)之间的对准是至关重要的。在LPLE工艺被应用至层n(其中n≥2，例如栅极层、接触层或后端工序(BEOL，back-end-of-line)层)的情形中，可以通过使用从之前处理层中的一个层获得的对准标记来建立晶片对准方案。之前处理层的使用通常涉及非直接的对准。然而，即使可以使用之前的对准标记，其也可能不是最优的对准方案。直接的对准方案对于两个双重图案化层(即对于DPT2对于DPT1的对准)的令人满意的对准来说是期望的。当目标的双重图案化层是层#1(例如STI或有源区域层)时，没有之前的对准标记可以被利用，并且因此对准标记必须在第一DPT步骤(DPT1)中被限定，即在被处理的或“冻结的”抗蚀剂中被限定。这些“冻结的”对准标记被在与第一图案相同的工艺中形成。因为这将需要昂贵的另外的光刻和蚀刻工艺步骤，所以这种方案优选地用于产生所谓的零层，所述零层专门用于对准标记。
图3显示出在对准标记区域中的光刻-冻结-光刻-蚀刻(LFLE)工艺中的示例性步骤，包括冻结的抗蚀剂标记的形成。图3A描绘出晶片层的初始堆叠，第一抗蚀剂层302沉积到底部抗反射涂层(BARC)304、硬掩模层(HM)306、产品层308以及衬底310的顶部上。图3B描绘出第一双重图案化步骤(DPT1)，其中在第一抗蚀剂层302中限定了抗蚀剂标记。图3C描绘出第一抗蚀剂层302中的第一抗蚀剂标记的冻结(例如用冻结材料进行涂覆，焙烤和移除未反应的过量的冻结材料)。图3D描绘出在对准之前的对第二抗蚀剂层312的涂覆和对第二双重图案化步骤(DPT2)的图案化。
然而，尽管简化了LFLE工艺，但是限定在双重图案化工艺的第一光刻步骤中的“冻结的”抗蚀剂标记会引起至少两个问题。图4显示出第一问题，其中在第一抗蚀剂层302和第二抗蚀剂层312之间的对比度是有限的。具体地，如图4A所示，第一抗蚀剂层302(DPT1)中的冻结的抗蚀剂标记被第二抗蚀剂层312(DPT2)平坦化。因为第一抗蚀剂层(DPT1)和第二抗蚀剂层(DPT2)的光学性质是类似的，所以两个层之间的对比度是有限的，从而导致如图4B所示的非常差的对准信号。因此，平坦化的冻结的标记通常不能用于对准目的。
图5显示出第二问题。如图5A所示，第二抗蚀剂层312(DPT2)在旋涂工艺期间在对准标记的上方形成了不保形的轮廓。由得到的标记拓扑，如基于如在图5C中显示的对于各种波长所产生的对准信号在图5B中的模拟中显示的，产生了对准误差。这是由第二抗蚀剂层312(DPT2)的旋涂引起的，其引入了导致对准和重叠误差的标记不对称。更具体地，不对称地旋涂第二抗蚀剂层312(DPT2)导致晶片放大率(缩放比例)和晶片旋转，其导致在晶片上和晶片之间的负面的变化。
本发明的实施例通过采用两个步骤来形成被处理的抗蚀剂对准标记(例如“冻结的”抗蚀剂对准标记)来解决上文的问题。在第二抗蚀剂层312(DPT2)的旋涂之后，第一步骤形成平坦化的标记轮廓，使得未引入标记不对称性。在第二抗蚀剂层312(DPT2)的“软焙烤”步骤期间，第二步骤提供标记拓扑，而没有产生如图5之前显示的不对称性。在第二抗蚀剂312(DPT2)的软焙烤步骤期间，由于溶剂蒸发和抗蚀剂收缩导致第二抗蚀剂层312(DPT2)的厚度减小。如下文讨论的，在标记附近处厚度减小是最大的。
图6以图示的方式提供了由于溶剂蒸发和抗蚀剂收缩导致在软焙烤(涂覆后焙烤或PAB)期间抗蚀剂层厚度变化的蒙特卡洛模拟的结果。预软焙烤抗蚀剂层的厚度越大，收缩就越大。由于标记的原因，在软焙烤之前，在标记的沟道中的第二抗蚀剂层312(DPT2)的厚度较大。结果，在软焙烤期间所获得的第二抗蚀剂层312(DPT2)的收缩将较大。因此，在第二抗蚀剂层312(DPT2)中形成了标记拓扑。
图7显示出形成对称性对准标记的工艺。图7A描绘出晶片层的堆叠，其中第二抗蚀剂层712沉积到第一抗蚀剂层702上。第一抗蚀剂层702又依次地沉积到底部抗反射涂覆层(BARC)704和硬掩模(HM)层706的顶部上。HM层706沉积到产品层708和衬底710上。对准标记被在第一抗蚀剂层702中处理。另外，在第二抗蚀剂层712(DPT2)的旋涂期间使得对准标记平坦化。图7B描绘出第二抗蚀剂层712的软焙烤步骤(PAB)，其利用第二抗蚀剂层712的溶剂蒸发和收缩作用。最终，图7C描绘出由第二抗蚀剂层712的软焙烤步骤所导致的最终的对称性对准标记拓扑。在此之后，通过使用用于对准目的的对称性对准标记，进行双重图案化工艺中的第二图案化步骤。
图8显示出针对在上述的软焙烤步骤中所形成的具有20nm凹陷的对称性对准标记的工艺引入的对准误差和模拟对准信号(WQ)。这样的对准标记产生足够的对准信号(WQ)，同时使得所述工艺引入的对准误差最小化。图8显示出对于从绿光(532nm)、红光(633nm)、近红外(780nm)和远红外(850nm)范围变化的各种对准波长的特性。图8A显示作为这些对准波长的深度的函数的对准信号(WQ)。图8B示出作为上述的对准波长的深度的函数的对准误差。如图8B所示，对称性对准标记导致在不同的波长上基本上没有对准误差。
为了最大化本发明的各种实施例的实用性，可以采用至少三种工艺调整。首先，可以通过选择溶剂含量(聚合物浓度)、抗蚀剂粘度、旋涂持续时间、旋涂速度、旋速斜坡率、软焙烤持续时间以及温度参数来实现对两个第二抗蚀剂层712(DPT2)处理步骤(例如涂覆和焙烤)进行调整。仔细选择这些参数，同时保持最终的第二抗蚀剂层712(DPT2)厚度不变化，允许在软焙烤工艺期间形成对称性的对准标记。
其次，可以使用标记偏置和/或标记细分(sub-segmentation)。例如，对准标记段的尺寸可以适合于第一抗蚀剂层702(DPT1)和第二抗蚀剂层712(DPT2)的厚度，使得改善的平坦化导致在第二抗蚀剂层712(DPT2)的软焙烤期间产生的标记拓扑。图9显示标记偏置的示例。标记偏置导致标准对准标记的占空比(duty cycle)的改变，其中占空比通过计算空间尺寸对节距的比来确定且之后典型地表示为百分数。图9A显示出50％的占空比，而图9B显示出超过50％的占空比。通过相对于对应的抗蚀剂层厚度精细地选择对准标记的占空比，可以实现对准的另外的改善。
第三，可以调整第一抗蚀剂层702(DPT1)和第二抗蚀剂层712(DPT2)的厚度，以在第二抗蚀剂层712(DPT2)的软焙烤步骤中实现改善的标记拓扑。例如，在第二抗蚀剂层712(DPT2)的涂覆之前，几个处理步骤影响第一抗蚀剂层702(DPT1)的最终厚度。这些处理步骤包括第一抗蚀剂层702(DPT1)的焙烤、曝光和显影。通过精细地选择这些工艺步骤，可以在第二抗蚀剂层712(DPT2)的软焙烤期间，在对准标记中实现改善的拓扑。
最终，可以同时采用上述的三种工艺调整，即标记偏置和/或细分，第一抗蚀剂层702和第二抗蚀剂层712的调整，以及第二抗蚀剂层712(DPT2)处理步骤调整。一起应用这些精细改进甚至导致双重图案化工艺的标记拓扑的更大的改善。这样的改善导致更大的对准精度，同时避免额外的昂贵的且耗时的处理步骤。
图10是根据本发明的实施例的示例性方法1000的流程图。例如，方法100可以用于在双重图案化工艺中提供对准。例如，可以使用如在图1A和1B中上述的一个或更多的系统来进行方法1000。
工艺以步骤1010开始。在步骤1010中，用第一抗蚀剂层涂覆衬底。在步骤1020中，使用图案化的辐射束曝光第一抗蚀剂层，以形成具有一个或更多的第一对准标记的第一光刻图案，且之后对第一抗蚀剂层进行显影。如图1A和1B所示，例如通过辐射源SO和掩模MA提供图案化的辐射束。在步骤1030中，具有第一光刻图案的第一抗蚀剂层被冻结。在步骤1040中，用第二抗蚀剂层涂覆冻结的第一光刻图案。在步骤1050中，第二抗蚀剂层被焙烤，以基于第一对准标记形成一个或更多的第二对准标记。在步骤1060中，所述一个或更多的第二对准标记被用于第二曝光步骤(DPT2)相对于在第一曝光步骤(DPT1)中曝光的图案的对准。在步骤1070中，方法1000结束。注意到，术语“一个或更多的第二对准标记”并不意味着在第二曝光步骤(DPT2)期间形成这些标记。而是，在第二曝光步骤(DPT2)之前形成所述“一个或更多的第二对准标记”。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。另外，所述计算机可读指令可以嵌入到两个或更多的计算机程序中。所述两个或更多的计算机程序可以被存储到一个或更多的不同的存储器上和/或数据存储介质上。这样的计算机程序可以被结合使用或用于控制执行上述的方法的一些或全部设备。
结论
可以理解，意图用于诠释权利要求的是“具体实施方式”部分，而不是发明内容和摘要部分。发明内容和摘要部分可以阐述一个或更多的本发明的示例性实施例，但是不能阐述如发明人所设想的所有的示例性的实施例，因此其不是要以任何方式限制本发明和随附的权利要求。
在用于说明其特定功能和关系的实施方式的功能模块的帮助下，在上文对本发明进行了描述。为了便于描述，在此处随意地限定了这些功能模块的界限。只要它们的特定功能和关系能被适当地执行，就可以限定可替代的界限。
对特定实施例的上述描述如此全面地揭示了本发明的一般属性，使得在不背离本发明的整体思想的情况下，其他人通过使用本领域中的技术知识可以容易地为各种应用修改和/或改编这样的特定的实施例，而没有过多的试验。因此，基于此处提出的教导和引导，这样的改编和修改认为是落入到所公开的实施例的等价物的含义和范围中。可以理解，此处的措词或术语是为了描述的目的，而不是限制性的，使得本说明书中的术语或措词可以鉴于所述教导和引导由本领域技术人员来进行解释。
本发明的广度和范围不应当受任何上述的示例性实施例的限制，而是仅应当根据随附的权利要求和它们的等价物来进行限定。

Claims (15)

1.一种方法，所述方法包括以下步骤：
用第一抗蚀剂层对衬底进行第一涂覆；
通过使用图案化的辐射束来曝光所述第一抗蚀剂层；
对所述被曝光的第一抗蚀剂层进行显影，以形成具有一个或更多的第一对准标记的第一光刻图案；
冻结所述第一光刻图案；
用第二抗蚀剂层对所述被冻结的第一光刻图案进行第二涂覆；和
固化所述第二抗蚀剂层，基于所述一个或更多的第一对准标记形成一个或更多的第二对准标记。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二抗蚀剂层的特征在于粘度和聚合物特征，所述第二涂覆步骤的特征在于旋涂持续时间、旋涂速度和旋速斜坡率，以及所述固化步骤的特征在于焙烤持续时间和焙烤温度，其中，所述固化步骤包括：基于所述粘度、所述聚合物特征、所述旋涂持续时间、所述旋涂速度、所述旋速斜坡率、所述焙烤持续时间和所述焙烤温度中的一个或更多个之间的关系形成对称的一个或更多的第二对准标记。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于第一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中所述第二对准标记中的特征尺寸基于所述第一厚度和所述第二厚度之间的关系。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于第一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中基于所述第一厚度和所述第二厚度，所述第一对准标记的细分被部分地使用，以形成所述一个或更多的第二对准标记。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于第一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中所述固化步骤包括基于所述第一厚度和所述第二厚度之间的关系形成对称的一个或更多的第二对准标识。
6.一种制造品，所述制造品包括：
衬底；
用于涂覆所述衬底的第一抗蚀剂层；
在所述第一抗蚀剂层中形成的第一光刻图案，其中所述第一光刻图案包括一个或更多的第一对准标记；
在所述第一抗蚀剂层上的第二抗蚀剂层；和
通过焙烤所述第二抗蚀剂层在所述第二抗蚀剂层中形成的一个或更多的第二对准标记，其中所述一个或更多的第二对准标记基于所述一个或更多的第一对准标记且被用于支持所述第二抗蚀剂层的光刻图案化对所述第一光刻图案的对准。
7.根据权利要求6所述的制造品，其中所述一个或更多的第二对准标记是对称的。
8.根据权利要求6所述的制造品，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于第一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中所述第二对准标记中的特征尺寸基于所述第一厚度和所述第二厚度之间的关系。
9.根据权利要求6所述的制造品，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于第一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中，基于所述第一厚度和所述第二厚度，所述第一对准标记的细分被部分地使用，以形成所述一个或更多的第二对准标记。
10.根据权利要求6所述的制造品，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中对称的一个或更多的第二对准标识基于所述第一厚度和所述第二厚度之间的关系。
11.一种光刻系统，所述光刻系统包括：
照射源，所述照射源被配置以提供辐射束；和
被处理的衬底，所述被处理的衬底被设置以接收所述辐射束，且所述被处理的衬底包括：
衬底；
用于涂覆所述衬底的第一抗蚀剂层；
在所述第一抗蚀剂层中形成的第一光刻图案，其中所述第一光刻图案包括一个或更多的第一对准标记；
用于涂覆所述第一抗蚀剂层的第二抗蚀剂层；和
通过焙烤所述第二抗蚀剂层而在所述第二抗蚀剂层中形成的一个或更多的第二对准标记，其中所述一个或更多的第二对准标记基于所述一个或更多的第一对准标记且被用于支持所述第二抗蚀剂层的光刻图案化对所述第一光刻图案的对准。
12.根据权利要求11所述的光刻系统，其中所述一个或更多的第二对准标记是对称的。
13.根据权利要求11所述的光刻系统，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于第一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中所述第二对准标记中的特征尺寸基于所述第一厚度和所述第二厚度之间的关系。
14.根据权利要求11所述的光刻系统，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于第一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中，基于所述第一厚度和所述第二厚度，所述第一对准标记的细分被部分地使用，以形成所述一个或更多的第二对准标记。
15.根据权利要求11所述的光刻系统，其中所述第一抗蚀剂层的特征在于第一厚度，所述第二抗蚀剂层的特征在于第二厚度，其中对称的一个或更多的第二对准标记基于所述第一厚度和所述第二厚度之间的关系。
CN2010101904880A 2009-05-29 2010-05-26 用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法 Pending CN101900938A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18241109P 2009-05-29 2009-05-29
US61/182,411 2009-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101900938A true CN101900938A (zh) 2010-12-01

Family

ID=43226583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101904880A Pending CN101900938A (zh) 2009-05-29 2010-05-26 用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8329366B2 (zh)
JP (1) JP5065441B2 (zh)
KR (1) KR101156076B1 (zh)
CN (1) CN101900938A (zh)
NL (1) NL2004531A (zh)
TW (1) TW201100978A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102866578A (zh) * 2011-07-06 2013-01-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻方法
CN102967996A (zh) * 2012-11-02 2013-03-13 上海华力微电子有限公司 一种改善光刻机对准精度的方法
CN107219721A (zh) * 2012-07-10 2017-09-29 株式会社尼康 标记形成方法和器件制造方法
CN110546571A (zh) * 2017-02-15 2019-12-06 法国国家科学研究中心 适用于包含至少一个脆弱纳米结构体的样品的电子束光刻过程
CN113794105A (zh) * 2021-07-15 2021-12-14 华芯半导体研究院(北京)有限公司 基于自对准技术的vcsel芯片柱面刻蚀方法及其应用

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010145951A2 (en) * 2009-06-17 2010-12-23 Asml Netherlands B.V. Method of overlay measurement, lithographic apparatus, inspection apparatus, processing apparatus and lithographic processing cell
JP5961429B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-02 株式会社アドテックエンジニアリング 露光描画装置及び露光描画方法
US8948495B2 (en) 2012-08-01 2015-02-03 Kla-Tencor Corp. Inspecting a wafer and/or predicting one or more characteristics of a device being formed on a wafer
WO2014140047A2 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Micronic Mydata AB Method and device for writing photomasks with reduced mura errors
KR102253995B1 (ko) 2013-03-12 2021-05-18 마이크로닉 아베 기계적으로 생성된 정렬 표식 방법 및 정렬 시스템
KR102223035B1 (ko) 2014-03-05 2021-03-04 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성 방법
US11595321B2 (en) 2021-07-06 2023-02-28 Vmware, Inc. Cluster capacity management for hyper converged infrastructure updates

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040214112A1 (en) * 2003-04-23 2004-10-28 Taiwan Semicondutor Manufacturing Co. Maintaining photoresist planarity at hole edges
JP2006019696A (ja) * 2004-05-31 2006-01-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20080241742A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5815233A (ja) * 1981-07-20 1983-01-28 Nippon Denso Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS6450420A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Canon Kk Alignment mark
JP2674093B2 (ja) * 1988-05-27 1997-11-05 富士通株式会社 位置合わせ方法
JPH02165616A (ja) * 1988-12-19 1990-06-26 Mitsubishi Electric Corp 露光装置
JPH02304914A (ja) * 1989-05-19 1990-12-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP3173173B2 (ja) * 1992-10-05 2001-06-04 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0754795B2 (ja) * 1993-01-28 1995-06-07 日本電気株式会社 レジスト現像方法
DE4440230C2 (de) * 1993-11-10 1999-03-18 Hyundai Electronics Ind Verfahren zur Bildung feiner Strukturen eines Halbleiterbauelements
KR970009858B1 (ko) * 1994-01-12 1997-06-18 엘지반도체 주식회사 다층 레지스트 패턴 형성방법
TW329539B (en) * 1996-07-05 1998-04-11 Mitsubishi Electric Corp The semiconductor device and its manufacturing method
JPH11283920A (ja) * 1997-06-18 1999-10-15 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
US6136662A (en) * 1999-05-13 2000-10-24 Lsi Logic Corporation Semiconductor wafer having a layer-to-layer alignment mark and method for fabricating the same
JP3503888B2 (ja) * 2000-09-01 2004-03-08 沖電気工業株式会社 アライメントマーク及びその形成方法
US6489068B1 (en) * 2001-02-21 2002-12-03 Advanced Micro Devices, Inc. Process for observing overlay errors on lithographic masks
JP4039036B2 (ja) * 2001-11-06 2008-01-30 日立金属株式会社 アライメントマーク作製方法
US7190823B2 (en) * 2002-03-17 2007-03-13 United Microelectronics Corp. Overlay vernier pattern for measuring multi-layer overlay alignment accuracy and method for measuring the same
US7108946B1 (en) * 2004-01-12 2006-09-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method of lithographic image alignment for use with a dual mask exposure technique
US7582413B2 (en) * 2005-09-26 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Substrate, method of exposing a substrate, machine readable medium
US7687209B2 (en) * 2006-03-21 2010-03-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with double exposure overlay control
JP5138916B2 (ja) 2006-09-28 2013-02-06 東京応化工業株式会社 パターン形成方法
JP2008268855A (ja) * 2007-03-26 2008-11-06 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
JP2009130184A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Canon Inc アライメント方法、露光方法、パターン形成方法および露光装置
US7981592B2 (en) * 2008-04-11 2011-07-19 Sandisk 3D Llc Double patterning method
US8389206B2 (en) * 2009-09-22 2013-03-05 Tokyo Electron Limited High normality solution for removing freeze material in lithographic applications

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040214112A1 (en) * 2003-04-23 2004-10-28 Taiwan Semicondutor Manufacturing Co. Maintaining photoresist planarity at hole edges
JP2006019696A (ja) * 2004-05-31 2006-01-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20080241742A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102866578A (zh) * 2011-07-06 2013-01-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻方法
CN102866578B (zh) * 2011-07-06 2016-08-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻方法
CN107219721A (zh) * 2012-07-10 2017-09-29 株式会社尼康 标记形成方法和器件制造方法
CN107219721B (zh) * 2012-07-10 2020-08-21 株式会社尼康 标记形成方法和器件制造方法
CN102967996A (zh) * 2012-11-02 2013-03-13 上海华力微电子有限公司 一种改善光刻机对准精度的方法
CN110546571A (zh) * 2017-02-15 2019-12-06 法国国家科学研究中心 适用于包含至少一个脆弱纳米结构体的样品的电子束光刻过程
CN110546571B (zh) * 2017-02-15 2021-10-22 法国国家科学研究中心 适用于包含至少一个脆弱纳米结构体的样品的电子束光刻过程
CN113794105A (zh) * 2021-07-15 2021-12-14 华芯半导体研究院(北京)有限公司 基于自对准技术的vcsel芯片柱面刻蚀方法及其应用
CN113794105B (zh) * 2021-07-15 2023-01-06 华芯半导体研究院(北京)有限公司 基于自对准技术的vcsel芯片柱面刻蚀方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100129212A (ko) 2010-12-08
US8329366B2 (en) 2012-12-11
NL2004531A (nl) 2010-11-30
US20100323171A1 (en) 2010-12-23
KR101156076B1 (ko) 2012-06-21
JP5065441B2 (ja) 2012-10-31
JP2010278434A (ja) 2010-12-09
US20130017378A1 (en) 2013-01-17
TW201100978A (en) 2011-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101900938A (zh) 用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法
JP5208981B2 (ja) リソグラフィ装置における格子変形の処理レシピを修正するための格子モデルの選択方法及び該方法を使用したリソグラフィ・アセンブリ
CN101533228B (zh) 测量和获取相对于衬底表面的高度数据的方法和设备
TWI431440B (zh) 提供對準標記之方法、器件製造方法和微影裝置
CN102129181A (zh) 利用步进扫描系统进行的整个晶片宽度扫描
JP5507387B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US6841786B2 (en) Method and configuration for compensating for unevenness in the surface of a substrate
CN101957567A (zh) 多头对准系统中的对准头的位置校准
US20060110687A1 (en) Pattern forming method and a semiconductor device manufacturing method
KR101120149B1 (ko) 리소그래피 방법 및 리소그래피 장비
CN106104387A (zh) 光刻设备和数据处理设备
JP2009152563A (ja) リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法
JP4405462B2 (ja) 較正用基板およびリソグラフィ装置の較正方法
CN101261442A (zh) 器件制造方法、计算机程序和光刻设备
CN101206688A (zh) 光刻系统、器件制造方法、定点数据优化方法及产生设备
JP2012104853A (ja) リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法
CN101196695B (zh) 光刻设备、器件制造方法和计算机程序产品
KR101694275B1 (ko) 패터닝 디바이스, 기판에 마커를 생성하는 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2005303312A (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び同方法によって製造されるデバイス
KR101288398B1 (ko) 리소그래피 장치, 컴퓨터 프로그램 제품, 및 디바이스 제조 방법
CN101339366A (zh) 衬底处理方法以及器件制造方法
CN101201554B (zh) 光刻器件制造方法和光刻单元
CN107810447A (zh) 用于将标记图案转印到衬底的方法、校准方法以及光刻设备
CN101165598A (zh) 光刻设备、光刻设备和处理模块的组合及器件制造方法
JP4567658B2 (ja) デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20101201

C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned