CN101261442A

CN101261442A - 器件制造方法、计算机程序和光刻设备

Info

Publication number: CN101261442A
Application number: CN200810083206.XA
Authority: CN
Inventors: 马库斯·亚得里亚内斯·范德柯霍夫; 默罕默德·阿克塞; 马默·欧奥斯达得; 阿塞斯·奥斯格瑞
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2007-03-05
Filing date: 2008-03-04
Publication date: 2008-09-10
Anticipated expiration: 2028-03-04
Also published as: JP4787282B2; KR20080081824A; US20080220345A1; TW200846841A; US7829249B2; JP2008219010A; KR100941361B1; CN101261442B; TWI383268B; US20110013163A1; US8068212B2

Abstract

本发明公开了一种器件制造方法、一种计算机程序和一种光刻设备。在采用光刻设备的器件制造方法中，在场内和/或场之间采用对剂量的修正，以补偿由于光刻设备的投影系统的元件的预测的加热所造成的CD变化。

Description

器件制造方法、计算机程序和光刻设备

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和用于制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯的部分)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。

在投影光刻中，公知地，在曝光过程中，投影系统中的元件吸收辐射、温升，并因此将像差引入投影系统，导致在衬底水平面上的图像质量降低。当采用诸如双极照射和四极照射等照射方式时，其中在所述照射方式中，光强分布于照射系统的光瞳平面和/或采用深紫外辐射(DUV)，例如198nm、157nm或126nm，由于能够制成在这些波长下使用的透镜的材料的选择十分受限，甚至最好的材料对这些波长也有明显的吸收系数，因此该问题就尤其尖锐。该问题尤其影响由衍射透镜元件形成的投影系统，并因此经常被称为透镜加热。即使用冷却系统将投影系统维持在恒定的温度上，足够的局部温度变化也可以出现，以造成成像质量的显著损失。

因此，光刻投影设备中的许多投影系统设置有至少一个致动的可调整的元件，在曝光过程中或曝光之间，所述可调整元件的形状、位置和/或取向在至少一个自由度上可以被调整用于对透镜加热效应进行补偿。计算机模型预测所期望的透镜加热效应，并计算被可调整元件影响的合适的修正。现有技术的计算机模型已经以泽尼克(Zernike)多项式计算了透镜加热效应，其中所述泽尼克多项式描述在投影系统的光瞳平面上的像差，并经由投影系统上的控制“旋钮”应用修正，其中所述修正调整至少一个可调整元件，以给出对应于相关的泽尼克多项式的修正。然而，现有技术的透镜加热修正方法还不总是完全有效的，且经常出现一些残余像差。

用于处理非均匀透镜加热问题的其他尝试包括提供附加的光源(例如红外)加热投影系统的元件的“凉”的部分，即那些没有被投影束的强度高的部分穿过的部分，参见US6,504,597和JP-A-08-221261。前一篇文献解决了由狭缝形的照射场造成的非均匀加热问题，后一篇文献解决了由带状的或改进的照射造成的非均匀加热问题。提供这种附加的光源和用于将附加的加热辐射引导到修正位置的引导装置，增加了设备的复杂度，且在投影系统中所增加的热载荷要求必须提供更高能力的冷却系统。

发明内容

旨在例如提供一种用于至少降低或减少投影系统的元件的非均匀加热效应的改进方法。

根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，在所述器件制造方法中，给定图案的图像包括具有临界尺寸的特征，并且采用具有至少一个光学元件的投影系统将给定图案的图像投影到衬底上，所述至少一个光学元件对热敏感，所述方法包括：

预测当以标称剂量投影图像时由于加热光学元件造成的、所预期会出现的特征的临界尺寸的变化；

确定用于改变所述特征的临界尺寸的剂量修正，以至少部分地补偿所预测的临界尺寸的变化；以及

在采用所确定的剂量修正的同时，将图案的图像投影到衬底上。

根据本发明的一个方面，提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括记录在计算机可读介质上的指令，所述指令例如将控制具有投影系统的光刻设备，以实现器件制造方法，其中所述投影系统具有至少一个对热敏感的光学元件，在所述器件制造方法中，给定图案的图像包括具有临界尺寸的特征，并且所述给定图案的图像被投影到衬底上，所述方法包括：

根据本发明的一个方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括：

照射系统，配置用于调节辐射束，以便照射图案形成装置；

支撑件，配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；

衬底台，配置用于保持衬底；

投影系统，配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，所述投影系统具有对热敏感的至少一个光学元件；以及

控制系统，配置用于控制所述照射系统、所述支撑件和衬底台，以采用经过修正的剂量将图案的图像投影到衬底上，所述经过修正的剂量与标称剂量相差一定的数量，所述一定数量被确定用于补偿由于所预测的光学元件的加热所造成的被投影的特征的临界尺寸的变化。

附图说明

在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中：

图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；

图2示出图1的设备的光学布置；

图3示出用于改变横跨照射狭缝的长度的辐射束的强度的装置；

图4示出用于改变横跨照射狭缝的长度的在衬底水平面上释放的剂量的装置；以及

图5示出根据本发明的方法中的步骤。

具体实施方式

图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括：

照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外辐射或深紫外辐射)；

支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位器PM相连；

衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位器PW相连；以及

投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

支撑结构支撑图案形成装置，即承受图案形成装置的重量。其以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底目标部分上所需的图案完全相对应(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、衰减相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其他台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。

所述光刻设备也可以是其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖的类型，以便填充投影系统和衬底之间的空隙。浸没液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系统之间)。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径在本领域是公知的。这里所使用的该术语“浸没”并不意味着结构(例如衬底)必须浸在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中，液体位于投影系统和衬底之间。

参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的辐射路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位器PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于将掩模MA相对于所述辐射束B的辐射路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对齐标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对齐标记可以位于所述管芯之间。

可以将所述设备用于以下模式的至少一种：

1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将掩模台MT和所述衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。

3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

图2示出图1的设备的基本光学布置。其采用科勒(Koehler)照射，由此在照射系统IL中的光瞳平面PP_i是物平面的傅里叶变换平面，图案形成装置MA被定位于所述物平面上，且所述光瞳平面PP_i与投影系统Ps的光瞳平面PP_p共轭(投影系统可以具有多于一个光瞳平面)。常规地，该设备的照射方式可以参照照射系统的光瞳平面PP_i中的投影束的辐射强度的分布进行描述。应当理解，经过图案形成装置MA中存在的图案的衍射效应，投影系统PS的光瞳平面PP_p中的强度分布将与照射系统的光瞳平面PP_i中的强度分布相同。

对于主要由沿着一个方向的线构成的图案，良好的成像和大的工艺窗口可以利用双极照射而获得，在所述双极照射中，设置极使得在投影系统的光瞳平面PP_p中，来自照射系统中的两个极中的每一个极的第一级衍射束中的一个与来自另一个极的第零级衍射束相重合。另外的第一级束和更高级次的束没有被投影透镜捕捉到。于是，应当理解，投影束的能量在投影系统PS中被强烈地局部化，至少在接近光瞳平面的元件中。强度的该局部化造成投影系统的元件LE的局部加热，所述局部加热经常随时间改变，由于局部加热可能在投影系统PS中产生不可被公知的可调整透镜元件AE修正的像差。

在许多情况下，透镜加热造成最佳焦平面的位置相对于其标称位置的变化，引起所投影的图像的聚焦误差(通常称为离焦)。这些误差可能横跨场变化，在单个衬底上的场之间变化和在单批中的衬底之间变化。在场之间和衬底之间的变化可能由透镜加热效应随时间的变化而造成；场内的变化可能是透镜加热效应自身固有的(即，最佳焦平面的形状的变化，而不仅仅是其位置的变化)和/或由被投影的图案所造成的。

在一定的范围内，离焦表示在所印刷的图像中所印刷的特征的尺寸的变化，尤其是以临界尺寸(CD)印刷的、通常是图案中最重要的特征的那些特征。根据本发明，提出改变释放到衬底上的剂量，以补偿透镜加热效应。在一定的范围内，类似于在其中离焦表示CD改变的所述范围，剂量的变化造成CD的改变。剂量和CD之间的确切的关系通常依赖于被曝光的图案的参数，尤其是节距。于是，透镜加热效应所造成的CD变化可以被补偿的剂量改变所修正。该方法与用于处理透镜加热的现有技术的方法形成对比，其中所述现有技术的方法已经涉及投影系统的温度控制(例如用于降低受影响的元件中的温度梯度的冷却系统和附加加热)，或者光学修正(例如采用可调整的光学元件产生补偿的像差)。

在衬底水平面上的剂量被以多种方式控制。在步进机中，可以通过控制辐射源的输出，采用可变衰减器或者改变曝光持续时间，横跨整个场控制剂量。在扫描器中，或是在步进扫描光刻设备中，也可以控制所述场内的剂量。在扫描方向上(例如Y)，可以通过改变辐射源的输出、可变衰减器的设定、照射狭缝的宽度或扫描过程中的扫描速度来影响剂量变化。

在垂直方向上(例如X)，多个装置可以用于提供剂量变化。如图3所示的一个剂量改变装置10包括中间密度滤波器11，所述中间密度滤波器11具有不均匀的吸收图案。所述中间密度滤波器11可以被致动器12相对于照射狭缝IS移动，以便给出横跨所述狭缝的长度的强度变化。可以被该装置影响的强度变化的范围被滤波器11的吸收图案的适当选择所限制，(即使不总是完美的)对于所期望的透镜加热效应的有用修正可能被影响。图4示出另一个剂量变化装置10’。这被公知为可动态调整的狭缝并包括多个指13，所述指13可以由致动系统14独立地和可控地从其一侧或两侧延伸入照射狭缝。所述指可以是不透明的或部分吸收的，任选地具有沿着垂直于狭缝(X)长度的方向(Y)的透射梯度。通过该方法可实现的修正的精细度由所述指13的宽度确定，并可以根据需要进行设定。可动态调整的狭缝的变化对于极紫外尤其有用，其采用横跨狭缝延伸的导线或翼，并可以改变其位置、取向和/或有效宽度。在所述变化中，所述导线或翼被放在沿着所述辐射束路径的位置上，以使得它们在掩模上的焦点之外。

图2示意性地示出关于本发明的、图1所示的光刻设备的实施例的光学和控制布置。图5示出根据本发明的方法的步骤。首先，关于将被成像的图案的图案数据以及关于将被采用的照射方式的照射方式数据由控制单元CU接收(S1)，所述控制单元CU计算所预期的透镜加热效应(S2)，所述所预期的透镜加热效应当然可能在一个衬底或一批衬底的曝光中随着时间变化(例如参照透镜加热模型)。任选地，将采用的照射方式可以由控制单元基于图案数据被计算或选择。

接着，控制单元CU计算将被用于补偿透镜加热效应的修正(S2)。如以下进一步所述，考虑到任何其它修正需要被用于补偿设备中的或将在衬底上进行的工艺中的任何其它形式的误差，这些修正可以通过投影系统的任何可获得的可调整透镜元件AE以及通过调整所述剂量，而被所采用。在可调整元件AE之间的修正和剂量的分配将依赖于可调整元件AE的能力和将采用的其它修正。可能需要例如以可调整元件AE用于主要修正，而以剂量变化用于残余修正。一旦确定合适的修正，衬底以合适的剂量进行曝光(S4)。应当注意，步骤S1至S3可以在曝光步骤S4之间离线进行，以最大化生产量，并可以由与光刻设备分离的计算机进行，所述修正通过网络或数据载体传输至光刻设备。

剂量变化的应用可以通过来自荷兰Veldhoven的ASML NetherlandsB.V.的软件DoseMapper^TM得到帮助，所述软件配置用于将所需的剂量分布应用于衬底的曝光。根据本发明所计算的剂量变化可以与需要补偿其他效应(例如可以被在线CD度量装置测量的CD非均匀性的外部原因)的其他剂量变化相结合。

尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头的制造等。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种可替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、度量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语衬底也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。

尽管以上已经描述了本发明的具体的实施例，但是应该理解的是，本发明可以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。

以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims

1.一种器件制造方法，在所述器件制造方法中，给定图案的图像包括具有临界尺寸的特征，并采用具有至少一个光学元件的投影系统被投影到衬底上，所述至少一个光学元件对热敏感，所述方法包括：

预测当以标称剂量投影图像时由于加热光学元件而造成的、预期会出现的特征的临界尺寸的变化；

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案的图像被投影到衬底上的多个分离的目标部分上，且对于每个目标部分确定至少一个剂量修正。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述图案的图像被投影到多个分离的衬底上，且对于每个衬底确定至少一个剂量修正。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中所述剂量修正包括横跨图像变化的剂量修正。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的方法，其中预测临界尺寸的变化的步骤包括：采用投影系统上的加热效应的模型以及关于将被成像的图案和/或在投影步骤中将被使用的照射方式的信息，计算临界尺寸的变化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述图像被投影到多个衬底上，并且还包括：

测量由于在多个衬底中的至少第一个中的、光刻设备外部的原因造成的CD非均匀性；

确定用于补偿所测量到的CD非均匀性的第二剂量修正；

采用与所述第一剂量修正结合的第二剂量修正，曝光多个衬底中的至少第二个。

7.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括记录在计算机可读介质上的指令，所述指令将控制具有投影系统的光刻设备、以实现器件制造方法，所述投影系统具有至少一个对热敏感的光学元件，在所述器件制造方法中，给定图案的图像包括具有临界尺寸的特征，并被投影到衬底上，所述方法包括：

预测当以标称剂量投影图像时由于加热光学元件造成的、预期会出现的特征的临界尺寸的变化；

8.一种光刻设备，所述光刻设备包括：

照射系统，所述照射系统被配置用于调节辐射束，以便照射图案形成装置；

支撑件，所述支撑件被配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；

衬底台，所述衬底台被配置用于保持衬底；

投影系统，所述投影系统被配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，所述投影系统具有对热敏感的至少一个光学元件；以及

控制系统，所述控制系统被配置用于控制所述照射系统、所述支撑件和衬底台，以将图案的图像采用经过修正的剂量投影到衬底上，所述经过修正的剂量与标称剂量相差一定的数量，所述数量被确定用于补偿由于所预测的光学元件的加热所造成的被投影特征的临界尺寸的变化。