JP2006070244A - 高分子化合物,レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。
請求項2:
請求項1記載の高分子化合物を含有することを特徴とするレジスト保護膜材料。
請求項3:
液浸リソグラフィーとして、180〜250nmの範囲の露光波長を用い、投影レンズとウエハーの間に水を成分とする液体を挿入させるパターン形成方法において、レジスト膜上に形成するレジスト上層膜材料として、請求項2記載のレジスト保護膜材料からなる保護膜を用いることを特徴とするパターン形成方法。
請求項4:
レジスト膜上に請求項2記載のレジスト保護膜材料からなる保護膜を作製し、液浸露光、ポストエクスポージャベーク(PEB)を行った後にアルカリ水によってレジスト膜の現像膜と保護膜の剥離を同時に行うことを特徴とする請求項3記載のパターン形成方法。
このようなフッ素置換された溶媒を例示すると、2−フルオロアニソール、3−フルオロアニソール、4−フルオロアニソール、2,3−ジフルオロアニソール、2,4−ジフルオロアニソール、2,5−ジフルオロアニソール、5,8−ジフルオロ−1,4−ベンゾジオキサン、2,3−ジフルオロベンジルアルコール、1,3−ジフルオロ−2−プロパノール、2’,4’−ジフルオロプロピオフェノン、2,4−ジフルオロトルエン、トリフルオロアセトアルデヒドエチルヘミアセタール、トリフルオロアセトアミド、トリフルオロエタノール、2,2,2−トリフルオロエチルブチレート、エチルヘプタフルオロブチレート、エチルヘプタフルオロブチルアセテート、エチルヘキサフルオログルタリルメチル、エチル3−ヒドロキシ−4,4,4−トリフルオロブチレート、エチル2−メチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、エチルペンタフルオロベンゾエート、エチルペンタフルオロプロピオネート、エチルペンタフルオロプロピニルアセテート、エチルパーフルオロオクタノエート、エチル4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、エチル4,4,4−トリフルオロブチレート、エチル4,4,4−トリフルオロクロトネート、エチルトリフルオロスルホネート、エチル3−(トリフルオロメチル)ブチレート、エチルトリフルオロピルベート、S−エチルトリフルオロアセテート、フルオロシクロヘキサン、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロ−1−ブタノール、1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−7,7−ジメチル−4,6−オクタンジオン、1,,1,1,3,5,5,5−ヘプタフルオロペンタン−2,4−ジオン、3,3,4,4,5,5,5−ヘプタフルオロ−2−ペンタノール、3,3,4,4,5,5,5−ヘプタフルオロ−2−ペンタノン、イソプロピル4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、メチルパーフルオロデナノエート、メチルパーフルオロ(2−メチル−3−オキサヘキサノエート)、メチルパーフルオロノナノエート、メチルパーフルオロオクタノエート、メチル2,3,3,3−テトラフルオロプロピオネート、メチルトリフルオロアセトアセテート、メチルトリフルオロアセトアセテート、1,1,1,2,2,6,6,6−オクタフルオロ−2,4−ヘキサンジオン、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール、1H,1H,2H,2H−パーフルオロ−1−デカノール、パーフルオロ(2,5−ジメチル−3,6−ジオキサンアニオニック)酸メチルエステル、2H−パーフルオロ−5−メチル−3,6−ジオキサノナン、1H,1H,2H,3H,3H−パーフルオロノナン−1,2−ジオール、1H,1H,9H−パーフルオロ−1−ノナノール、1H,1H−パーフルオロオクタノール、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクタノール、2H−パーフルオロ−5,8,11,14−テトラメチル−3,6,9,12,15−ペンタオキサオクタデカン、パーフルオロトリブチルアミン、パーフルオロトリヘキシルアミン、パーフルオロ−2,5,8−トリメチル−3,6,9−トリオキサドデカン酸メチルエステル、パーフルオロトリペンチルアミン、パーフルオロトリプロピルアミン、1H,1H,2H,3H,3H−パーフルオロウンデカン−1,2−ジオール、トルフルオロブタノール1,1,1−トリフルオロ−5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、1,1,1−トリフルオロ−2−プロパノール、3,3,3−トリフルオロ−1−プロパノール、1,1,1−トリフルオロ−2−プロピルアセテート、パーフルオロブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロ(ブチルテトラヒドロフラン)、パーフルオロデカリン、パーフルオロ(1,2−ジメチルシクロヘキサン)、パーフルオロ(1,3−ジメチルシクロヘキサン)、プロピレングリコールトリフルオロメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルトリフルオロメチルアセテート、トリフルオロメチル酢酸ブチル、3−トリフルオロメトキシプロピオン酸メチル、パーフルオロシクロヘキサノン、プロピレングリコールトリフルオロメチルエーテル、トリフルオロ酢酸ブチル、1,1,1−トリフルオロ−5,5−ジメチル−2,4−ヘキサンジオン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−メチル−2−プロパノール、2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオロ−1−ブタノール、2−トリフルオロメチル−2−プロパノール,2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール、メチルノナフルオロブチルエーテル、エチルノナフルオロブチルエーテル、プロピルノナフルオロブチルエーテル、ブチルノナフルオロブチルエーテルなどが挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。
ArF露光におけるバイレイヤーレジストは、シルセスキオキサンによる珪素含有ポリマーをベースとしたレジストが好ましく用いられる。
200mlのフラスコにモノマー1の45g、モノマー2の7g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー1とした。
200mlのフラスコにモノマー1の45g、モノマー3の7g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー2とした。
200mlのフラスコにモノマー1の25g、モノマー2の5g、モノマー4の15g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー3とした。
200mlのフラスコにモノマー1の25g、モノマー5の4g、モノマー4の15g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー4とした。
200mlのフラスコにモノマー1の25g、モノマー5の4g、モノマー6の10g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー5とした。
200mlのフラスコにモノマー1の25g、モノマー5の4g、モノマー7の19g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー6とした。
200mlのフラスコにモノマー1の20g、モノマー2の3g、モノマー4の16g、メタクリル酸5g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー7とした。
200mlのフラスコにモノマー1の25g、モノマー8の4g、モノマー4の14g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー8とした。
200mlのフラスコにモノマー1の25g、モノマー9の5g、モノマー4の14g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー9とした。
200mlのフラスコにモノマー1の25g、モノマー10の7g、モノマー4の14g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー10とした。
常法により、下記式に示す比較例ポリマー1,2を得た。
200mlのフラスコにモノマー1の40g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、比較ポリマー3とした。
200mlのフラスコにモノマー1の28g、モノマー4の14g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、比較ポリマー4とした。
Claims (4)
- 請求項1記載の高分子化合物を含有することを特徴とするレジスト保護膜材料。
- 液浸リソグラフィーとして、180〜250nmの範囲の露光波長を用い、投影レンズとウエハーの間に水を成分とする液体を挿入させるパターン形成方法において、レジスト膜上に形成するレジスト上層膜材料として、請求項2記載のレジスト保護膜材料からなる保護膜を用いることを特徴とするパターン形成方法。
- レジスト膜上に請求項2記載のレジスト保護膜材料からなる保護膜を作製し、液浸露光、ポストエクスポージャベーク(PEB)を行った後にアルカリ水によってレジスト膜の現像膜と保護膜の剥離を同時に行うことを特徴とする請求項3記載のパターン形成方法。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006053300A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2006163248A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト材料、バリア膜形成用材料及びそれらを用いたパターン形成方法 |
JP2006184574A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト保護膜形成用材料およびこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2007264459A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Daikin Ind Ltd | レジストパターン形成法 |
WO2007122977A1 (ja) | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Asahi Glass Company, Limited | イマージョンリソグラフィー用レジスト保護膜材料 |
JP2007316581A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-12-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
WO2008032716A1 (fr) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Asahi Glass Company, Limited | Matériau de résist pour une lithographie et procédé de formation d'un motif de résist |
JP2008158149A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Daicel Chem Ind Ltd | レジスト保護膜形成用樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2008180895A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2008532067A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 改善された性能を有する液浸トップコート材料 |
JP2009033147A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-02-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法及びそれにより製造されたデバイス |
JP2010039260A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Az Electronic Materials Kk | レジスト層上に積層させるのに適当なコーティング組成物 |
WO2010071081A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | セントラル硝子株式会社 | トップコート組成物 |
JP2012103738A (ja) * | 2005-10-27 | 2012-05-31 | Jsr Corp | 上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 |
JP2012215722A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Jsr Corp | 液浸用上層膜形成用組成物 |
KR20150112960A (ko) | 2013-01-24 | 2015-10-07 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 리소그래피용 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법 |
KR20160126970A (ko) | 2014-02-26 | 2016-11-02 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200424767A (en) * | 2003-02-20 | 2004-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Immersion exposure process-use resist protection film forming material, composite film, and resist pattern forming method |
JP4484603B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-06-16 | セントラル硝子株式会社 | トップコート組成物 |
JP4989047B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2012-08-01 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス |
JP5203575B2 (ja) * | 2005-05-04 | 2013-06-05 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | コーティング組成物 |
US8323872B2 (en) * | 2005-06-15 | 2012-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist protective coating material and patterning process |
US7691559B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-04-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography edge bead removal |
KR101321150B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2013-10-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 보호막 재료 및 패턴 형성 방법 |
JP2007178885A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Az Electronic Materials Kk | パターンおよび配線パターンならびにそれらの製造法 |
US20070166640A1 (en) * | 2006-01-19 | 2007-07-19 | Yayi Wei | Defect reduction in immersion lithography |
EP2535744A3 (en) * | 2006-04-03 | 2013-10-09 | Nikon Corporation | Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids used in an immersion microlithography system |
US7771913B2 (en) * | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
US8034532B2 (en) * | 2006-04-28 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | High contact angle topcoat material and use thereof in lithography process |
US7759047B2 (en) * | 2006-05-26 | 2010-07-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist protective film composition and patterning process |
US8435719B2 (en) * | 2006-08-08 | 2013-05-07 | International Business Machines Corporation | Tunable contact angle process for immersionlithography topcoats and photoresists |
JP4739150B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-08-03 | 富士通株式会社 | レジストカバー膜形成材料、レジストパターンの形成方法、電子デバイス及びその製造方法 |
JP4554665B2 (ja) | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
US8637229B2 (en) * | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8530148B2 (en) * | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
EP2138898B1 (en) | 2007-04-13 | 2014-05-21 | FUJIFILM Corporation | Method for pattern formation, and use of resist composition in said method |
US8603733B2 (en) | 2007-04-13 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
US8034547B2 (en) * | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
US8476001B2 (en) | 2007-05-15 | 2013-07-02 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
KR100989567B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2010-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법 |
JP4590431B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP4617337B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US8632942B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-12-31 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
EP2157477B1 (en) * | 2007-06-12 | 2014-08-06 | FUJIFILM Corporation | Use of a resist composition for negative working-type development, and method for pattern formation using the resist composition |
US20090042148A1 (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Munirathna Padmanaban | Photoresist Composition for Deep UV and Process Thereof |
US8003309B2 (en) | 2008-01-16 | 2011-08-23 | International Business Machines Corporation | Photoresist compositions and methods of use in high index immersion lithography |
JP5398248B2 (ja) | 2008-02-06 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5401126B2 (ja) | 2008-06-11 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5172494B2 (ja) | 2008-06-23 | 2013-03-27 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物 |
TWI434142B (zh) * | 2008-07-25 | 2014-04-11 | Nanya Technology Corp | 具有光纖模組的微影裝置 |
US8227182B2 (en) * | 2008-08-11 | 2012-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a photosensitive film |
US7704674B1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-04-27 | Gilles Amblard | Method for patterning a photo-resist in an immersion lithography process |
JP5292133B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2013-09-18 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP5568258B2 (ja) | 2009-07-03 | 2014-08-06 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに含フッ素高分子化合物 |
JP5470053B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-04-16 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP2013061648A (ja) | 2011-09-09 | 2013-04-04 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法 |
JP2013061647A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-04 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトリソグラフィ方法 |
JP6459263B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2019-01-30 | セントラル硝子株式会社 | 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法 |
JP6134367B2 (ja) | 2014-10-31 | 2017-05-24 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトレジスト保護膜組成物 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003192733A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2003192734A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2004083900A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-18 | Central Glass Co Ltd | 含フッ素化合物とその高分子化合物 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6038821A (ja) | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
JPS6042411A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-06 | Central Glass Co Ltd | 含フツ素共重合体の製造法 |
JPH0799730B2 (ja) | 1985-09-13 | 1995-10-25 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法 |
JPS6262520A (ja) | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
JPH0574700A (ja) | 1991-07-17 | 1993-03-26 | Asahi Glass Co Ltd | パターン形成方法 |
JPH06272926A (ja) | 1993-03-19 | 1994-09-27 | Kimura Kohki Co Ltd | パーティションを利用した室内空気の還気方法とその機構 |
JP2803549B2 (ja) | 1993-12-21 | 1998-09-24 | 信越化学工業株式会社 | 光反射性防止材料及びパターン形成方法 |
JPH08328248A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Nippon Paint Co Ltd | 水現像性感光性樹脂組成物 |
EP1275666A4 (en) * | 2000-04-04 | 2007-10-24 | Daikin Ind Ltd | FLUOROPOLYMER COMPRISING A GROUP THAT REACTS TO ACIDS AND PHOTORESIST COMPOSITION WITH CHEMICAL AMPLIFICATION CONTAINING SAID FLUOROPOLYMER |
JP4105371B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2008-06-25 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型感光性平版印刷版 |
WO2002066526A1 (fr) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Daikin Industries, Ltd. | Fluoromonomere d'ethylene contenant un groupe hydroxyle ou fluoroalkylcarbonyle et fluoropolymere obtenu par polymerisation de ce monomere |
TW574607B (en) * | 2001-06-25 | 2004-02-01 | Shinetsu Chemical Co | Polymers, resist compositions and patterning process |
JP4083399B2 (ja) | 2001-07-24 | 2008-04-30 | セントラル硝子株式会社 | 含フッ素重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物 |
US7358027B2 (en) * | 2002-03-04 | 2008-04-15 | International Business Machines Corporation | Copolymer for use in chemical amplification resists |
JP4291638B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2009-07-08 | 富士フイルム株式会社 | アルカリ可溶性ポリマー及びそれを用いた平版印刷版原版 |
JP4484603B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-06-16 | セントラル硝子株式会社 | トップコート組成物 |
JP4621451B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7288362B2 (en) * | 2005-02-23 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Immersion topcoat materials with improved performance |
-
2005
- 2005-05-27 JP JP2005155103A patent/JP4697406B2/ja active Active
- 2005-08-03 TW TW094126361A patent/TWI333960B/zh active
- 2005-08-04 US US11/196,450 patent/US7354693B2/en active Active
- 2005-08-04 KR KR1020050071270A patent/KR100922782B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003192733A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2003192734A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2004083900A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-18 | Central Glass Co Ltd | 含フッ素化合物とその高分子化合物 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006053300A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4621451B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4499544B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2010-07-07 | パナソニック株式会社 | 液浸露光用化学増幅型ポジ型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2006163248A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト材料、バリア膜形成用材料及びそれらを用いたパターン形成方法 |
JP2006184574A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト保護膜形成用材料およびこれを用いたレジストパターン形成方法 |
US8278025B2 (en) | 2004-12-27 | 2012-10-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Material for forming resist protection films and method for resist pattern formation with the same |
JP2008532067A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 改善された性能を有する液浸トップコート材料 |
JP2012103738A (ja) * | 2005-10-27 | 2012-05-31 | Jsr Corp | 上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 |
JP2007316581A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-12-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
JP2007264459A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Daikin Ind Ltd | レジストパターン形成法 |
WO2007122977A1 (ja) | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Asahi Glass Company, Limited | イマージョンリソグラフィー用レジスト保護膜材料 |
WO2008032716A1 (fr) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Asahi Glass Company, Limited | Matériau de résist pour une lithographie et procédé de formation d'un motif de résist |
JP2008158149A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Daicel Chem Ind Ltd | レジスト保護膜形成用樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4680944B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2011-05-11 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2008180895A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2009033147A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-02-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法及びそれにより製造されたデバイス |
JP2010039260A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Az Electronic Materials Kk | レジスト層上に積層させるのに適当なコーティング組成物 |
WO2010071081A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | セントラル硝子株式会社 | トップコート組成物 |
JP2010164957A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-07-29 | Central Glass Co Ltd | トップコート組成物 |
US8592508B2 (en) | 2008-12-15 | 2013-11-26 | Central Glass Company, Limited | Top coat composition |
JP2012215722A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Jsr Corp | 液浸用上層膜形成用組成物 |
KR20150112960A (ko) | 2013-01-24 | 2015-10-07 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 리소그래피용 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법 |
US9746768B2 (en) | 2013-01-24 | 2017-08-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist overlayer film forming composition for lithography and method for producing semiconductor device using the same |
KR20160126970A (ko) | 2014-02-26 | 2016-11-02 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법 |
US9977331B2 (en) | 2014-02-26 | 2018-05-22 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist overlayer film forming composition and method for producing semiconductor device including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060049279A (ko) | 2006-05-18 |
TWI333960B (en) | 2010-12-01 |
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