JP2010039260A - レジスト層上に積層させるのに適当なコーティング組成物 - Google Patents
レジスト層上に積層させるのに適当なコーティング組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010039260A JP2010039260A JP2008202845A JP2008202845A JP2010039260A JP 2010039260 A JP2010039260 A JP 2010039260A JP 2008202845 A JP2008202845 A JP 2008202845A JP 2008202845 A JP2008202845 A JP 2008202845A JP 2010039260 A JP2010039260 A JP 2010039260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating composition
- organic solvent
- photoresist
- coating
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
【解決手段】フォトレジスト樹脂を含んでなる被膜上に直接被覆層を形成させるための、特定の有機意溶剤を含むコーティング組成物。フォトレジスト樹脂のハンセン溶解度パラメーターの分散項をσd、極性項をσp、水素結合項をσhとし、前記組成物に含まれる有機溶剤のハンセン溶解度パラメーターの分散項をσS d、極性項をσS p、水素結合項をσS hとしたとき、
R=[(σd−σS d)2+(σp−σS p)2+(σh−σS h)2]1/2
により定義されるパラメーターRが7.5以上である有機溶剤を、無機および有機溶剤の総重量を基準として90重量%より多く用いる。
【選択図】なし
Description
一方で、有機溶剤を用いることも検討されていたが、フォトレジスト層とのインターミキシングによりフォトレジスト層へのダメージが発生することがあり、改良の余地があった。
R=[(σd−σS d)2+(σp−σS p)2+(σh−σS h)2]1/2
により定義されるパラメーターRが7.5以上である有機溶剤を、組成物中の溶剤の総重量を基準として90重量%より多く含むことを特徴とするものである。
R=[(σd−σS d)2+(σp−σS p)2+(σh−σS h)2]1/2
により定義されるパラメーターRにより特定される。本発明に用いられる有機溶剤は、パラメーターRが7.5以上であることが必要であり、7.8以上であることが好ましい。
1. ウェハー上にコーティングされた膜の膜厚を測定する。
2. 膜を有機溶剤に60秒浸漬した後、スピンドライさせる。
3. スピンドライ後の膜厚を測定する。
4. 浸漬前の膜厚に対する、浸漬後の膜厚の比率を残膜率とする。
上面反射防止膜は、液晶表示素子などのフラットパネルディスプレー(FPD)、半導体デバイス、電荷結合素子(CCD)、カラーフィルター等をフォトリソグラフィー法を用いて製造する場合、フォトレジスト層を露光する際に、レジスト膜の上側に設けられるものである。この上面反射防止膜により、フォトレジストと基板との界面、およびフォトレジスト層の外側表面における光反射に起因する定在波効果を低減し、より微細なレジストパターンを実現することが可能となる。
−[CF2CF(OR)]− (1)
(式中、Rはエーテル性酸素原子を含んでもよい直鎖状または分岐状のパーフルオロアルキル基あるいはアルキル基を表す。)
で表される重合単位を含むフッ素ポリマー、あるいは上記一般式(I)と一般式(2):
−[CF2CFX]− (2)
(式中、Xはフッ素原子または塩素原子を表す。)
で表される重合単位とを含むフッ素ポリマーが好ましいものとして挙げられる。フッ素系ポリマーを用いると、より低い屈折率が得られる傾向があり好ましい。また、フッ素ポリマーの分子量としては、ポリスチレン換算で求められる重量平均分子量が1,000〜100,000であるものが好ましい。
微細パターン形成用コーティング組成物は、樹脂および必要に応じて添加剤を含む組成物を用いて、形成済みのレジストパターン上にレジスト層の表面に存在する凹凸に沿って被覆層を形成させるものである。この被覆層によってレジストパターンを太らせ、形成された溝は場を狭くし、またはホールの口径を小さくすることにより、レジストパターンを微細化させる。一般的には、被覆層のうち、フォトレジスト層に近接した部分だけを、例えばフォトレジスト層から拡散してくる酸などを触媒として硬化させ、その後未硬化部分だけを除去することによりフォトレジスト層の凹凸に沿った硬化被覆層を形成させる。
用いることができる樹脂としては、アクリル酸エステルポリマー、メタクリル酸エステルポリマー、飽和ポリエステルポリマー、またはこれらのいずれかにケイ素が導入されたポリマーのような水にも可溶である樹脂などが挙げられる。
より微細なパターンを形成させるために液浸露光工程を含むリソグラフィー技術が開発されているが、この方法においては、露光に用いられるレンズとフォトレジストの間に空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する液浸媒体で満たした状態で露光が行われる。このような方法によれば、露光高言の短波長化よりも低いコストで微細なレジストパターンを形成できるが、フォトレジストが液浸媒体に接触するため、フォトレジスト層への液浸媒体の浸透や、フォトレジスト膜からの昇華物質によるレンズの汚染などが問題となることがある。
フォトレジスト樹脂を含む組成物として、ArFレジストAX1120P(商品名、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)を用い、スピン塗布装置MK8型(商品名、東京エレクトロン株式会社製)により塗布し、さらにスピンドライ、および熱乾燥を行なった。得られた、フォトレジスト被膜つきシリコンウェハーを用いて、表1に示された各種の有機溶剤による残膜率を測定した。得られた結果は表1に示すとおりであった。
フォトレジスト樹脂を含む組成物を、KrFレジストDX5250P(商品名、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)を用いたほかは、実施例1と同様にして評価を行った。得られた結果は表2に示すとおりであった。
アントラセン骨格含有化合物(9−アントラセニルメチルメタクリレート)と、イソプロピルエチレンと、ブチルビニルエーテルとを、モル比9.4:60:30.6の割合で配合し、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル/酢酸ブチル混合溶媒中で重合反応させ、得られた固形分を再結晶し、乾燥させることでアントラセン骨格含有ポリマーAを得た。
得られたアントラセン骨格含有ポリマーAをジブチルエーテルに1.5重量%の濃度で溶解させ、孔径100nmのフィルターでろ過して応用実施例1のコーティング組成物を得た。
応用実施例1のジブチルエーテルをヘプタンとオクチルアルコールとの混合溶媒(重量比80:20)に変更したほかは同様にして、応用比較例1のコーティング組成物を得た。
アントラセン骨格含有化合物(9−アントラセニルメチルメタクリレート)とメタクリル酸とをモル比9.4:90.6(重量比25:75)の割合で配合し、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル/プロピレングリコールモノメチルエーテル混合溶媒中で重合反応させ、得られた固形分を再結晶し、乾燥することでアントラセン骨格含有ポリマーBを得た。
シリコン基板上に、フォトレジスト樹脂を含む組成物としてKrFレジストDX5250P(商品名、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)をスピン塗布装置MK8型(商品名、東京エレクトロン株式会社製)により塗布し、さらにスピンドライ、および熱乾燥を行なった。得られた、フォトレジスト被膜つきシリコン基板上に、さらに応用実施例1ならびに応用比較例1および2のコーティング組成物を、膜厚が最適になるように回転数を調整して塗布を行い、試料を作成した。
得られた各試料に対して、それぞれマスクを介して露光し、さらに露光後の焼成処理を行い、引き続き現像した。現像後のレジストパターン形状を走査型電子顕微鏡で観察した。
(1)応用実施例1の組成物に含まれる溶媒は、表2からRが7.8であり、本発明によるコーティング組成物である。このコーティング組成物が用いられたレジストパターンは、形状が矩形であり、表面にも欠陥等がなかった。
(2)応用比較例1の組成物には、表2でRが13.3であるヘプタンが含まれているが、水溶性である高沸点アルコールを20重量%含んでいる。このため、フォトレジスト層が溶解してしまい、レジストパターンが得られなかった。
(3)応用比較例2の組成物には溶媒として水が含まれている。このため、フォトレジスト層を溶解することは無かったが、レジストパターンの表面に、コーティング組成物を塗布したときに付着した気泡が原因と思われる欠陥が認められた。
応用実施例1および応用比較例1および2のコーティング組成物に含まれる0.3μm以上の微粒子数をそれぞれ測定した。測定にはパーティクルカウンタ(KL−20A型、リオン株式会社製)を用いた。測定後、各試料を振とう機(TS−10型、タイテック株式会社製)を用いて、150rpmで8時間振とうさせ、振とう後に再度微粒子数を測定した。
Claims (9)
- フォトレジスト樹脂を含んでなる被膜上に直接被覆層を形成させるコーティング組成物であって、前記フォトレジスト樹脂のハンセン溶解度パラメーターの分散項をσd、極性項をσp、水素結合項をσhとし、前記組成物に含まれる有機溶剤のハンセン溶解度パラメーターの分散項をσS d、極性項をσS p、水素結合項をσS hとしたとき、
R=[(σd−σS d)2+(σp−σS p)2+(σh−σS h)2]1/2
により定義されるパラメーターRが7.5以上である有機溶剤を、組成物中の無機および有機溶剤の総重量を基準として90重量%より多く含むことを特徴とするコーティング組成物。 - 前記フォトレジスト樹脂が、波長が250nm以下の光に対する感度を有するものである、請求項1に記載のコーティング組成物。
- 前記有機溶剤の水への溶解度が、20℃で0.1重量%以下である、請求項1または2に記載のコーティング組成物。
- 前記有機溶剤が、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、デカリン、ジエチルエーテル、シクロヘキサン、ヘキサン、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1または2に記載のコーティング組成物。
- 前記有機溶剤が、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、デカリン、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1〜4のいずれか1項に記載のコーティング組成物。
- 前記コーティング組成物が、アルコールを含まないものである、請求項1〜5のいずれか1項に記載のコーティング組成物。
- フッ素系またはケイ素系界面活性剤および前記有機溶剤に可溶な樹脂をさらに含んでなる、上面反射防止膜の形成に用いられる、請求項1〜6のいずれか1項に記載のコーティング組成物。
- 前記有機溶剤に可溶な樹脂をさらに含んでなる、予め形成されたレジストパターンをさらに微細化させたパターンを形成させるための被覆層形成に用いられる、請求項1〜6のいずれか1項に記載のコーティング組成物。
- 前記有機溶剤に可溶な樹脂をさらに含んでなる、液浸用レジストのトップコート層の形成に用いられる、請求項1〜6のいずれか1項に記載のコーティング組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008202845A JP2010039260A (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | レジスト層上に積層させるのに適当なコーティング組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008202845A JP2010039260A (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | レジスト層上に積層させるのに適当なコーティング組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010039260A true JP2010039260A (ja) | 2010-02-18 |
Family
ID=42011878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008202845A Pending JP2010039260A (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | レジスト層上に積層させるのに適当なコーティング組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010039260A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011215546A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Daikin Industries Ltd | コーティング組成物 |
JP2011215405A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Jsr Corp | 液浸用上層膜形成用組成物 |
JP2012215721A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Jsr Corp | 液浸用上層膜形成用組成物 |
JPWO2011118644A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-07-04 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
CN105321804A (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-10 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005157259A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト上層膜形成材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2005316352A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Central Glass Co Ltd | トップコート組成物 |
JP2006070244A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物,レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
WO2007049637A1 (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Jsr Corporation | 上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 |
JP2007241109A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | 保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2008102429A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法およびネガ型レジスト組成物 |
JP2008158448A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Maruzen Petrochem Co Ltd | 液浸リソグラフィー用レジスト保護膜形成用材料及び該保護膜 |
JP2008166416A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Az Electronic Materials Kk | 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
-
2008
- 2008-08-06 JP JP2008202845A patent/JP2010039260A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005157259A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト上層膜形成材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2005316352A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Central Glass Co Ltd | トップコート組成物 |
JP2006070244A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物,レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
WO2007049637A1 (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Jsr Corporation | 上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 |
JP2007241109A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | 保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2008102429A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法およびネガ型レジスト組成物 |
JP2008158448A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Maruzen Petrochem Co Ltd | 液浸リソグラフィー用レジスト保護膜形成用材料及び該保護膜 |
JP2008166416A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Az Electronic Materials Kk | 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2011118644A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-07-04 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP5234221B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-07-10 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2011215405A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Jsr Corp | 液浸用上層膜形成用組成物 |
JP2011215546A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Daikin Industries Ltd | コーティング組成物 |
JP2012215721A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Jsr Corp | 液浸用上層膜形成用組成物 |
CN105321804A (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-10 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗方法 |
KR20160016671A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 세정 방법 및 기억 매체 |
JP2016034006A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法および記憶媒体 |
KR102039720B1 (ko) | 2014-07-31 | 2019-11-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 세정 방법 및 기억 매체 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3950584B2 (ja) | 水溶性樹脂組成物 | |
TWI309756B (en) | Water-soluble resin composition, pattern forming method and resist pattern inspection method | |
TWI374342B (en) | Water soluble resin composition and method for pattern formation using the same | |
KR101681524B1 (ko) | 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 | |
KR101900660B1 (ko) | 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 | |
JP5306755B2 (ja) | 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法 | |
KR101873727B1 (ko) | 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 | |
JP2005227770A (ja) | シンナー組成物及びこれを用いたフォトレジストの除去方法 | |
WO2005008340A1 (ja) | 微細パターン形成材料およびそれを用いた微細パターン形成方法 | |
JP2008102348A (ja) | 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液 | |
US6878500B2 (en) | Stripping method | |
TW583517B (en) | Surface treatment process for chemically amplified resist and the material thereof | |
JP2005283991A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP5323698B2 (ja) | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法 | |
JP2003167352A (ja) | ホトレジストパターンの形成方法およびホトレジスト積層体 | |
JP2010039260A (ja) | レジスト層上に積層させるのに適当なコーティング組成物 | |
TW201030480A (en) | Resist surface modifying liquid, and method for formation of resist pattern using the same | |
KR101820310B1 (ko) | 포토레지스트 도포장비 세정용 씬너 조성물 | |
JP2008166416A (ja) | 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4786636B2 (ja) | 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JP6790107B2 (ja) | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法 | |
JP4717612B2 (ja) | スプレー塗布用ホトレジスト組成物および積層体 | |
TW200928592A (en) | Method for forming patterns and material for coating film | |
JP4588590B2 (ja) | リソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤 | |
JP2010128464A (ja) | レジストパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110506 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120302 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120321 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130520 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131203 |