JP2006184574A - レジスト保護膜形成用材料およびこれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジスト保護膜形成用材料として、レジスト膜の上層保護膜を形成するための、アルカリに可溶なポリマー成分を含有し、前記ポリマー成分と水との接触角が90°以上であることを特徴とするレジスト保護膜形成用材料を用いる。このようなポリマーとしては、(メタ)アクリル酸構成単位と特定のアクリル酸エステル構成単位を少なくとも含むアクリル系ポリマーが好ましい。
【選択図】 なし
Description
このような中でも、従来のリソグラフィー法において用いられてきた材料系をそのまま転用可能な場合はあるが、レンズとレジスト膜との間に前記液浸露光用液体を介在させるという露光環境の違いから、前記従来のリソグラフィー法とは異なった材料系を使用することが示唆されている。
さらに、最近では水に不溶でかつアルカリに可溶なポリマーを、レジスト上層の保護膜形成用材料として使用するプロセスが注目されているが、この種の保護膜形成用材料に対して、上述の表面欠陥発生のリスクを、より一層排除し得る材料の開発が求められている。
また、本発明の保護膜形成用材料は、液浸露光用液体によるレジスト膜の浸襲およびレジスト膜からの溶出成分による液浸露光用液体自体の変質を同時に防止することができる。
本発明に係るレジスト保護膜形成用材料は、液浸露光プロセスに用いる液浸露光用液体に対する接触角が90°以上であるため、濡れ性が低く、液浸露光用液体による侵食を受けにくい。
」としては、(メタ)アクリル酸構成単位と下記一般式(1)で示されるアクリル酸エステル構成単位を少なくとも含むことが好ましい。(メタ)アクリル酸構成単位はアルカリ可溶性を付与する構成単位である。
前記作用をもたらす炭化フッ素化合物を以下に示すが、これら炭化フッ素化合物は、重要新規利用規則(SNUR)の対象となっておらず、使用可能な化学物質である。
下記一般式(5)
(CnF2n+1SO2)2NH・・・・・(5)
(式中、nは、1〜5の整数である。)で示される炭化フッ素化合物と、
CmF2m+1COOH・・・・・・(6)
(式中、mは、10〜15の整数である。)で示される炭化フッ素化合物と、
下記一般式(7)
(C4F9SO2)2NH・・・・・(9)
で表される化合物、または下記化学式(10)
(C3F7SO2)2NH・・・・・(10)
で表される炭化フッ素化合物が好適である。
C10F21COOH・・・・・(11)
で表される炭化フッ素化合物が好適である。
まず、シリコンウェーハ等の基板上に、慣用のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布した後、プレベーク(PAB処理)を行う。
なお、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けた2層積層体とすることもできる。
還流冷却器および攪拌機を備えた容量2リットルの4つ口フラスコに、750gのイソブチルアルコールを仕込み、窒素の吹き込みを開始した。攪拌しながら80℃まで昇温した後、(メタ)アクリル酸系単量体として、アクリル酸60g、ジシクロペンタニルメタクリレート40g、n−ブチルアクリレート40g、シクロヘキシルメタクリレート20g、ヘプタデカフルオロデシルメタクリレート40gの混合液と、溶剤として、イソブチルアルコール50g、および重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド1.7gからなる混合液を、別々の滴下ノズルより、それぞれ4時間かけて滴下した。滴下は連続的に行ない、滴下を通じて、各成分の滴下速度は一定とした。
滴下終了後、さらにそのまま4時間、重合反応液を80℃で熟成した後、溶剤の還流が認められるまで重合反応液を昇温して1時間熟成し、重合を完結させ、下記化学式(14)で示される共重合体ポリマーを得た。
得られた重合反応液の固形分濃度は20.2%、重量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算分子量で20,000であった。
下記の樹脂成分、酸発生剤、および含窒素有機化合物を有機溶剤に均一に溶解し、レジスト組成物を調製した。
樹脂成分としては、下記化学式(15)に示した構成単位からなる共重合体100質量部を用いた。樹脂成分の調製に用いた各構成単位f,g,hの比は、f=40モル%、g=40モル%、h=20モル%とした。
前記実施例1において、保護膜形成用材料として、製造例1で得られた上記化学式(14)に示した共重合体と、該共重合体に対して0.7質量%の(CF2)3(SO2)2NHを添加し、固形分質量濃度を2.5質量%とした組成物を用いた以外は、全て同様の手法にて、ブリッジなどに代表されるパターン欠陥数をそれぞれ3回測定し、その平均値を求めた。得られた結果について、後述の比較例1において得られた欠陥数100に対する割合として、下記表1に示す。
前記実施例1において、保護膜形成用材料として、製造例1で得られた上記化学式(14)に示した共重合体と、該共重合体に対して0.7質量%の(CF2)3(SO2)2NHと、該共重合体に対して0.7質量%のテトラブトキシメチル化グリコールウリルを添加し、固形分質量濃度を2.5質量%とした組成物を用いた以外は、全て同様の手法にて、ブリッジなどに代表されるパターン欠陥数をそれぞれ3回測定し、その平均値を求めた。結果を下記表1に示す。
前記実施例1において、レジスト膜上に保護膜を形成しなかったこと以外は、全て同様にして、ブリッジなどに代表されるパターン欠陥数をそれぞれ3回測定し、その平均値を求めた。得られた結果について、後述の比較例1において得られた欠陥数100に対する割合として、下記表1に示す。
Claims (19)
- レジスト膜の上層保護膜を形成するための、アルカリに可溶なポリマー成分を含有するレジスト保護膜形成用材料であって、
前記ポリマー成分と水との接触角が90°以上であることを特徴とするレジスト保護膜形成用材料。 - 前記レジスト膜が液浸露光プロセスに供するレジスト膜であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 前記ポリマー成分がアクリル系ポリマーであることを特徴とする請求項1または2に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 上記一般式(2)において、R''が、R''aまたはR''bを有する少なくとも2種の構成単位から構成され、前記R''aは多環式炭化水素基であり、R''bは単環式炭化水素基であることを特徴とする請求項5に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 前記多環式炭化水素基が、ジシクロペンタニル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロデシル基、およびテトラシクロドデシル基の中から選ばれる少なくとも1種の炭化水素基であることを特徴とする請求項6に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 前記単環式炭化水素基が、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、およびシクロヘプチル基の中から選ばれる少なくとも1種の炭化水素基であることを特徴とする請求項6に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 前記鎖式炭化水素基が、n−ブチル基、n−ペンチル基、2−エチルヘキシル基、およびn−ヘキシル基の中から選ばれる少なくとも1種の炭化水素基であることを特徴とする請求項9に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- さらに溶剤を含有することを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 前記溶媒がアルコール系溶剤であることを特徴とする請求項12に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- さらに架橋剤を含有することを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 前記架橋剤がヒドロキシアルキル基および/またはアルコキシアルキル基で置換されたアミノ基および/またはイミノ基を有する含窒素化合物であることを特徴とする請求項14に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- さらに酸性成分を含有していることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 前記酸性成分が炭化フッ素化合物であることを特徴とする請求項16に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 前記液浸露光プロセスが、リソグラフィー露光光がレジスト膜に到達するまでの経路の少なくとも前記レジスト膜上に、空気より屈折率が大きくかつ前記レジスト膜よりも屈折率が小さい所定厚さの液浸露光用液体を介在させた状態で、前記レジスト膜を露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる構成であることを特徴とする請求項2に記載のレジスト保護膜形成用材料。
- 液浸露光プロセスを用いたレジストパターン形成方法であって、
基板上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜の上に、請求項1〜18のいずれか一項に記載のレジスト保護膜形成用材料を用いて、保護膜を形成し、
前記レジスト膜と前記保護膜とが積層された前記基板の少なくとも前記保護膜上に直接所定厚みの前記液浸露光用液体を配置し、
前記液浸露光用液体および前記保護膜を介して前記レジスト膜に選択的に光を照射し、必要に応じて加熱処理を行い、
アルカリ現像液を用いて前記保護膜と前記レジスト膜とを現像処理することにより前記保護膜を除去すると同時に、レジストパターンを得ることを含むレジストパターン形成方法。
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