JPH09506185A - 改良された反射防止表面処理塗膜 - Google Patents
改良された反射防止表面処理塗膜Info
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Abstract
(57)【要約】
フォトレジスト用の反射防止塗料組成物、及び屈折率が約1.20より大きく、約1.40までであり、四分の一波長厚さに塗布することができ、また下層のフォトレジスト用の現像液で除去可能な塗膜を得る方法。この塗料組成物は、以下の単位を有するコポリマーを含んでなる。a)
ここでXはCO2L、SO3L、OH、CO(OC2H4)xOH、CONHC(CH3)2CH2SO3L、PO3L2もしくはCONH2である。ここでLはH、I族もしくはII族のカチオン、又はNH4 +であり、xは0〜10である。b)
ここでYはフッ素、もしくはフッ素を含有する脂肪族有機置換基であり、好ましくはCOO(CH2)x(CF2)nCF3、SO2O(CH2)x(CF2)nCF3、SO2(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、CO(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、もしくは
から選ばれるものである。ここで脂肪鎖は枝分かれしていても、いなくてもよい。ここで、RはH、ハロゲン、CF3、C1〜C8アルキル、もしくはCNであり、nは0〜14、xは0〜10である。
Description
【発明の詳細な説明】
改良された反射防止表面処理塗膜 発明の分野
本発明は、基材にパターンを形成する際に、反射により非平面形上に生じるパ
ターンの歪みを実質的に排除することで水性現像可能なフォトレジストの性能を
高める為の、改良された組成物に関する。本発明は、塗布が容易であり、画像形
成のプロセス制御をより良く行うことができ、水に可溶であり、その為に現行の
リトグラフ加工により容易に除去され、環境に対する危険性を最小限にとどめる
ことができ、またリトグラフ加工のコストを著しく高めることのない、改良され
た水溶性の反射防止表面処理塗料組成物に関する。発明の背景
写真用やその他の装置に用いられるレンズのような光学装置に、反射防止塗膜
を使用することは、先行技術に於いて良く知られている。これらの塗膜は、フレ
ネルの式に示される関係を利用したものである。上塗り物質の屈折率は、その下
の層の物質の屈折率の平方根とほぼ等しくなければならず、また塗膜、もしくは
層の厚さは、入射線の波長の四分の一を奇数(整数)倍したもの、いわゆる「四
分の一波長厚さ」でなければならないとうことが、十分に立証されている。
Y-T.Yenの米国特許第4,759,990号では、反射防止塗膜の概念は、半
導体ウエファーの製造に用いられる光学膜エレメント(ペリクル)への使用にま
で広げられている。ペリクルは一般的に、ペリクルホルダー上で延ばしたニトロ
セルロースフィルムから作られる。芳香族ビニルポリマー、例えばポリビニルナ
フタリン、ポリメチルスチレン、もしくはポリスチレン、を第一塗布層として用
い、その後、フルオロカーボン層、例えば3M社のFC−721もしくはFC−
77、を用いることが開示されている。ペリクルは、機械的に破壊されるか、表
面が汚染されるまで、何回も使用できる。破壊されたり汚染されたペリクルは、
洗浄するか、再生するか、取り替える。
田中等はJ.Electrochem.Soc.、137号、3900頁(1990年)(田中I
)に、フォトレジストの表面に反射防止塗料を直接塗布する方法を開示している
。この技術は、サブ0.5μmの形状寸法を有するULSIを得ようとする際に
、パターンの高密度化の程度を高めた時に反射能の為に生じていた問題を解消す
ることを目的とするものである。
光の干渉によりライン幅が変化し、スルー・ザ・レンズ(TTL)心合わせマ
ークの検知が難しくなる。田中Iには、レジスト膜で入射光が繰り返し反射する
為に生じる多重干渉の効果を抑制するのに十分な反射防止膜を、フォトレジスト
表面に形成させることが開示されている。この反射防止膜は透明であって、その
最適化された厚さと屈折率を有し、また従来の方法でフォトレジストをコーティ
ングし、ベーキングし、そのフォトレジスト上に反射防止塗料の膜をスピンコー
ティングし、得られた複合構造物に画像を形成させ、反射防止膜を除去し、フォ
トレジストを現像する工程を伴う方法に於いて用いられる。この方法には、反射
防止膜をスピンコーティングする工程と、それを除去する工程が加えられている
。
田中Iでは、フレネルの式を用いて、反射防止物質の屈折率は、用いられる画
像形成用フォトレジストの屈折率の平方根にほぼ等しいべきであると規定した。
田中Iでは、屈折率が1.64のフォトレジストが使用されたので、反射防止塗
膜の理想的な屈折率は1.28であった。田中Iの物質は、(1)反射効果を抑
制し、有機溶剤による剥離を必要とするものと、(2)水で剥離可能であるが、
方法的には殆ど利益をもたらさないもの(屈折率≧1.48)の二つに分類され
る。田中等はJ.App.Phys.、67巻、2617頁(1990年)(田中II)に
、界面反射能をコントロールする為に、反射防止物質として、ペルフルオ
ロアルキルポリエーテル、及びジプロポキシビス(アセチル−アセトナート)チ
タニウムを、一層、及び二層の膜として使用することを、またそのような反射能
を測定する方法を開示している。田中IIは、開示されている一層、及び二層の
塗膜を定着させるベーキング工程を必要とする。彼は、反射防止層を除去する為
の、後露光法、後現像法の使用については何も記していない。
田中等のChem.Abs.、107:87208y(1987年)(田中III)は、JP 62 62,
520の要旨に関するものである。それには、ペルフルオロアルキル−ポリエーテ
ルフィルム、ペルフルオロアルキルアミンフィルム、もしくはペルフルオロアル
キル−ポリエーテル−ペルフルオロアルキルアミン混合フィルムを含んでなって
いる反射防止塗膜を、フォトレジストに塗被する方法が開示されている。この反
射防止膜は、パターン状に露光した後に、クロロ−フルオロカーボン(「CFC
」)溶剤であるフレオンRを用いて除去する。
所望の屈折率を有する田中の物質は、使用するには不経済である。反射防止物
質を除去する為の工程が更に必要である。その上、この除去工程には、製造価格
もしくは販売価格が高く、また安全に取扱い、廃棄するには時間とコストのかか
る有機溶剤が必要である。最後に、CFCのような田中の溶剤は、その性質ゆえ
に、環境破壊を防止する為に非常な注意を要する。田中の反射防止物質の廃棄物
管理は、それらを使用するにあたって、大きな重荷となる。
Grunwald等の米国特許第4,701,390号明細書には、基材上に形成されたフォト
レジスト画像層を、熱により安定化させる方法が開示されている。この方法では
、現像後ベーキングを行う前に、画像層に、フォトレジストと結合はするが、後
ベーキングの後、露光した基材から容易に洗い落とされ、またフォトレジスト画
像の最終的な除去を包含する、その後のいかなるパターン形成工程の所望の操作
も妨げない保護物質を塗布する。この保護(熱により安定化する)物質は、クロ
モトロープ酸、ペルフルオロカーボンカルボン酸、ペルフルオロカーボンスルホ
ン
酸、ペルフルオロカーボンリン酸(並びにこれらの酸のアルカリ金属塩、アンモ
ニウム塩、及びアミン塩)、エトキシル化ペルフルオロカーボンアルコール、及
びN−ペルフルオロ−N’,N”−ジアルキルアミンの第四アンモニウム塩から
選ばれる化合物、もしくはそれらから選ばれる二種またはそれより多い化合物の
混合物である。発明の要旨
先行技術の物質、及び表面の反射防止方法の欠点を解消する為に、本発明は、
屈折率が約1.20より大きく、約1.40まで、好ましくは約1.29〜約1
.40、であり、四分の一波長厚さに塗布することができ、水、もしくは下層の
フォトレジスト用の現像液で除去可能な、反射防止塗料組成物を提供する。
本発明は、フォトレジスト用の新しい、水溶性の反射防止表面処理物質に関す
る。この新規物質は、新規フッ素含有ポリマー群、及び、好ましくは、このよう
なポリマーの水に対する溶解度を高める為の添加剤からなる。好ましくは、この
ような添加剤は界面活性剤であり、最も好ましくはフッ素含有界面活性剤である
。この表面処理塗料をフォトレジスト上にスピンコーティングし、画像形成を通
常の方法で行う。表面処理用のこの独自の物質は水溶性である為、表面処理溶液
をフォトレジスト上にスピンコーティングする際、二層が混じり合うことがない
。その上、水をベースとする表面処理塗料は、有機溶剤をベースとする溶液より
も環境的に安全である。フッ素含有ポリマーそれ自体が水溶性であるか、もしく
は加熱すれば水に溶ける場合には、添加剤は必要ない。
本発明の反射防止塗料を含んでなるポリマーの一群は、屈折率が約1.20よ
り大きく、約1.40までであり、四分の一波長厚さに塗布することができ、水
、もしくはォトレジスト用の現像液で除去可能であり、以下の単位を有するコポ
リマーである。
a)
ここでXはCO2L、SO3L、OH、CO(OC2H4)xOH、CONHC(
CH3)2CH2SO3L、PO3L2もしくはCONH2である。ここでLはH、I
族もしくはII族のカチオン、又はNH4 +であり、Xは0〜10である。
b)
ここでYはフッ素、もしくはフッ素を含有する脂肪族有機置換基であり、
好ましくはCOO(CH2)x(CF2)nCF3、
SO2O(CH2)x(CF2)nCF3、
SO2(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、
CO(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、もしくは
から選ばれるものである。ここで脂肪鎖は枝分かれしていても、していなくても
よい。
ここで、RはH、ハロゲン、CF3、C1〜C8アルキル、もしくはCNであり
、nは0〜14、xは0〜10である。
本発明はまた、塗膜の屈折率が約1.20より大きく、約1.40までであり
、四分の一波長厚さに塗布することができ、水、もしくは下層のフォトレジスト
用の現像液で除去可能な、フォトレジスト用の反射防止塗料組成物を製造する方
法
にも関する。この方法による組成物には、以下の単位を有するコポリマーを用い
る。
a)
ここでXはCO2L、SO3L、OH、CO(OC2H4)xOH、CONHC(
CH3)2CH2SO3L、PO3L2もしくはCONH2である。ここでLはH、I
族もしくはII族のカチオン、又はNH4 +であり、xは0〜10である。
b)
ここでYはフッ素、もしくはフッ素を含有する脂肪族有機置換基であり、
好ましくはCOO(CH2)x(CF2)nCF3、
SO2O(CH2)x(CF2)nCF3、
SO2(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、
CO(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、もしくは
から選ばれるものである。ここで脂肪鎖は枝分かれしていても、していなくても
よい。
ここで、RはH、ハロゲン、CF3、C1〜C8アルキル、もしくはCNであり
、nは0〜14、xは0〜10である。
好ましいポリマーは、CH2=CH−CO−O−(CH2)2(CF2)x−
CF3(xは7〜11)とアクリル酸とのコポリマーである。
添加剤は、ポリマー自体が水に不溶であるか、もしくは水に十分に溶解しない
場合に、ポリマーを可溶化させる助けとなる化合物である。これらの化合物は一
般的には界面活性剤、乳化剤、もしくは分散剤である。水溶性の界面活性剤を用
いるのが好ましい。利用可能な添加剤は、ペンタデカフルオロオクタン酸アンモ
ニウム、ペルフルオロオクタン酸のアミン塩、ペルフルオロオクタノスルホン酸
アンモニウム、及びラウリル硫酸アンモニウムである。
例1
還流冷却器と攪拌機を取り付けた0.5リットルのフラスコに、以下の化学物
質を添加した。
シクロヘキサン185ml、
「フルオウエットEA812」アクリレート(エステルアルコール基中の
炭素数が8〜12であるアクリル酸ペルフルオロアルキルエステル)16g、
アクリル酸4g、及び
ジラウロイルペルオキシド0.4g。
その後、還流する迄(80℃)、反応混合物を加熱した。20〜30分後に、
沈殿してくる白色の粉末により重合を確認した。還流させながら更に3時間攪拌
して、重合を完了させた。得られたポリマー(白色の細かい粉末)をろ過により
分離し、80℃で真空中で乾燥させた。
例2
例1の手順に従って、アクリル酸とCH2=CHCO−O−(CH2)2−(C
F2)xCF3(ここでxは7〜11)とを32/68の比率で重合させて、樹脂
を合成した。配合を以下のように行った。
樹脂 − 0.31g
添加剤 − 0.68g
水 − 18.0g
使用した添加剤は、ペンタデカフルオロオクタン酸のテトラメチルアンモニウ
ム塩であった。
例3
例1の手順に従って、アクリル酸とCH2=CHCO−O−(CH2)2−(C
F2)xCF3(ここでxは7〜11)とを32/68の比率で重合させて、樹脂
を合成した。配合を以下のように行った。
樹脂 − 0.33g
添加剤 − 4.0g(25%活性)
水 − 16.0g
使用した添加剤は、ペルフルオロオクタノスルホン酸のアミン塩であった。
例4
例1の手順に従って、アクリル酸とCH2=CHCO−O−(CH2)2−(C
F2)xCF3(ここでxは7〜11)とを39/61の比率で重合させて、樹脂
を合成した。配合を以下のように行った。
樹脂 − 0.32g
添加剤 − 4.0g(25%活性)
水 − 16.0g
使用した添加剤は、ペルフルオロオクタノスルホン酸のアミン塩であった。
例5
例1の手順に従って、アクリル酸とCH2=CHCO−O−(CH2)2−(C
F2)xCF3(ここでxは7〜11)とを39/61の比率で重合させて、樹脂
を合成した。配合を以下のように行った。
樹脂 − 1.0g
添加剤 − 0.65g
水 − 15.0g
使用した添加剤は、ペルフルオロオクタン酸アンモニウムであった。
例6
例1の手順に従って、アクリル酸とCH2=CHCO−O−(CH2)2−(C
F2)xCF3(ここでxは7〜11)とを39/61の比率で重合させて、樹脂
を合成した。配合を以下のように行った。
樹脂 − 0.33g
添加剤 − 2.3g(25%活性)
水 − 17.4g
使用した添加剤は、ペルフルオロオクタノスルホン酸のアミン塩であった。
例7
例1の手順に従って、アクリル酸とCH2=CHCO−O−(CH2)2−(C
F2)xCF3(ここでxは7〜11)とを39/61の比率で重合させて、樹脂
を合成した。配合を以下のように行った。
樹脂 − 0.3g
添加剤 − 0.68g
水 − 18.0g
使用した添加剤は、ペルフルオロオクタン酸のテトラメチルアンモニウム塩で
あった。
例8
例1の手順に従ってアクリル酸とCH2=CHCO−O−(CH2)2−(CF2
)xCF3(ここでxは7〜11)とを20/80の比率で重合させて、樹脂を合
成した。配合を以下のように行った。
樹脂 − 0.2g
添加剤 − 0.68g
水 − 18.0g
使用した添加剤は、ペルフルオロオクタン酸のテトラメチルアンモニウム塩で
あった。
例9
例1の手順に従って、アクリル酸とCH2=CHCO−O−(CH2)2−(C
F2)xCF3(ここでxは7〜11)とを20/80の比率で重合させて、樹脂
を合成した。配合を以下のように行った。
樹脂 − 0.32g
添加剤 − 2.3g(25%活性)
水 − 17.4g
使用した添加剤は、ペルフルオロオクタノスルホン酸のアミン塩であった。
比較例10
数枚のシリコン基材に、AZ7500Rレジスト(ヘキストセラニーズ社から
入手可能)を、膜厚が0.9〜1.3μmとなるようにスピンコーティングした
後、100℃のホットプレート上で60秒間ソフトベーキングを行った。このシ
リコン基材を、0.54ニコンi−線ステッパーでi−線エネルギーの量を変え
て露光し、加熱炉中で120℃で60秒間露光後ベーキングを行い、2.38重
量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)現像液で現像した。
フォトレジストが十分に現像された時の露光エネルギーを、レジストの膜厚に対
してプロットした。得られた正弦波図の振幅曲線は、一定の節について、
であると考えられた。ここでEmaxとEminは、節の極大と極小に於けるそれぞれ
の露光エネルギーである。振幅曲線の値は35.3であった。
例11
数枚のシリコン基材に、膜厚が0.9〜1.3μmとなるようにAZR750
0フォトレジストをスピンコーティングし、100℃のホットプレート上で60
秒間ソフトベーキングを行った。例8の溶液を、その表面処理塗料の膜厚が68
0オングストロームとなるようAZ7500レジスト上に塗布した。このレジス
トを、0.54ニコンi−線ステッパーでi−線の線量を変えて露光した。レジ
ストに、加熱炉中で120℃で60秒間露光後ベーキングを行い、2.38%の
TMAH現像液で現像した。フォトレジストが十分に現像された時の露光エネル
ギーを、レジストの膜厚に対してプロットした。振幅曲線は例10に記載の通り
であると確かめられ、9.4という値が得られた。
【手続補正書】特許法第184条の8
【提出日】1995年10月11日
【補正内容】
この反射防止膜は、パターン状に露光した後に、クロロ−フルオロカーボン(「
CFC」)溶剤であるフレオンRを用いて除去する。
所望の屈折率を有する田中の物質は、使用するには不経済である。反射防止物
質を除去する為の工程が更に必要である。その上、この除去工程には、製造価格
もしくは販売価格が高く、また安全に取扱い、廃棄するには時間とコストのかか
る有機溶剤が必要である。最後に、CFCのような田中の溶剤は、その性質ゆえ
に、環境破壊を防止する為に非常な注意を要する。田中の反射防止物質の廃棄物
管理は、それらを使用するにあたって、大きな重荷となる。
Grunwald等の米国特許第4,701,390号明細書には、基材上に形成されたフォト
レジスト画像層を、熱により安定化させる方法が開示されている。この方法では
、現像後ベーキングを行う前に、画像層に、フォトレジストと結合はするが、後
ベーキングの後、露光した基材から容易に洗い落とされ、またフォトレジスト画
像の最終的な除去を包含する、その後のいかなるパターン形成工程の所望の操作
も妨げない保護物質を塗布する。この保護(熱により安定化する)物質は、クロ
モトロープ酸、ペルフルオロカーボンカルボン酸、ペルフルオロカーボンスルホ
ン酸、ペルフルオロカーボンリン酸(並びにこれらの酸のアルカリ金属塩、アン
モニウム塩、及びアミン塩)、エトキシル化ペルフルオロカーボンアルコール、
及びN−ペルフルオロ−N’,N”−ジアルキルアミンの第四アンモニウム塩か
ら選ばれる化合物、もしくはそれらから選ばれる二種またはそれより多い化合物
の混合物である。
US-A 5,139,879には、架橋性のあるフッ素含有ターポリマーと、非晶質のフル
オロポリマーとの混合物からなる反射防止塗料組成物が開示されている。この塗
料は、加熱すると硬化する。この塗料組成物は特定のフッ素化された有機溶剤に
のみ溶解するが、水には溶解しない。それらは、眼鏡、窓、陳列棚、およびその
他に反射防止塗膜を形成するのに用いられる。
EP-A 522 990による反射防止塗料組成物は、1.3〜1.4のオーダーの屈折
率を有するフルオロカーボンポリマーを含んでなる。このフルオロカーボンポリ
マーは、水性媒体に於いて溶解性、もしくは剥離性をもたらすことはない。反射
防止塗膜を水溶性にする為には、ポリビニルアルコールやポリ(アクリル酸)の
ような適当なバインダーを、組成物に添加する。詳細については記載されていな
いが、「バインダーポリマーにフッ素を配合することによっても、更なる利益が
もたらされる」とも述べられている。発明の要旨
先行技術の物質、及び表面の反射防止方法の欠点を解消する為に、本発明は、
屈折率が約1.20より大きく、約1.40まで、好ましくは約1.29〜約1
.40、であり、四分の一波長厚さに塗布することができ、水、もしくは下層の
フォトレジスト用の現像液で除去可能な、反射防止塗料組成物を提供する。
11. フォトレジスト層と反射防止表面処理塗膜とを有する基材であって、
該表面処理塗膜が、四分の一波長厚さに塗布されており、請求項1〜5のいずれ
か一項に記載の組成物からなり、水、もしくは下層のフォトレジスト層用の現像
液で除去可能であるもの。
【手続補正書】特許法第184条の8
【提出日】1995年10月12日
【補正内容】
請求の範囲
1. フォトレジスト用の水溶性反射防止塗料組成物であって、その塗膜の屈
折率が1.20より大きく、1.40までであり、以下の単位を有するコポリマ
ーを含んでなる反射防止塗料組成物。
a)
ここでXはCO2L、SO3L、OH、CO(OC2H4)xOH、CONHC(
CH3)2CH2SO3L、PO3L2もしくはCONH2である。ここでLはH、I
族もしくはII族のカチオン、又はNH4 +であり、xは0〜10である。
b)
ここでYはフッ素、もしくはフッ素含有脂肪族有機置換基である。
ここで、RはH、ハロゲン、CF3、C1〜C8アルキル、もしくはCNである
。
2. CH2=CH−CO−O−(CH2)2(CF2)x−CF3(xは7〜11
)とアクリル酸とのコポリマーからなる、請求項1の反射防止塗料組成物。
3. Yが下記のものである請求項1の反射防止塗料組成物。
COO(CH2)x(CF2)nCF3、
SO2O(CH2)x(CF2)nCF3、
SO2(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、
CO(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、もしくは
ここで脂肪鎖は枝分かれしていても、していなくてもよく、nは0〜14、xは
0〜10である。
4. 界面活性剤を更に含んでなる、請求項1の反射防止塗料組成物。
5. 該界面活性剤が、ペルフルオロオクタン酸アンモニウム、ペルフルオロ
オクタン酸のアミン塩、ペルフルオロオクタン酸のテトラメチルアンモニウム塩
、ペルフルオロオクタノスルホン酸アンモニウム、水酸化アンモニウム/テトラ
メルアンモニウムヒドロキシド、もしくはラウリル硫酸アンモニウムを含んでな
る、請求項4の反射防止塗料組成物。
6. フォトレジスト用の水溶性の反射防止塗料組成物を製造法であって、そ
の塗膜の屈折率が1.20より大きく、1.40までであり、処理用組成物が以
下の単位を有するコポリマーである、反射防止塗料組成物の製造法。
a)
ここでXはCO2L、SO3L、OH、CO(OC2H4)xOH、CONHC(
CH3)2CH2SO3L、PO3L2もしくはCONH2である。ここでLはH、I
族もしくはII族のカチオン、又はNH4 +であり、Xは0〜10である。
b)
ここでYはフッ素、もしくはフッ素含有脂肪族有機置換基である。
ここで、RはH、ハロゲン、CF3、C1〜C8アルキル、もしくはCNである
。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI
C09D 133/18 C09D 133/18
133/24 133/24
141/00 PGL 7824−4J 141/00 PGL
143/02 143/02
155/00 PGZ 7537−4J 155/00 PGZ
G02B 1/10 7055−2H G03F 7/004 506
G03F 7/004 506 9222−2H G02B 1/10 Z
H01L 21/027 9056−4M H01L 21/30 574
(72)発明者 フンク,ルーディゲル
ドイツ連邦共和国ビースバーデン、リリエ
ンシュトラーセ、22
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. フォトレジスト用の反射防止塗料組成物であって、その塗膜の屈折率が 約1.2より大きく、約1.40までであり、四分の一波長厚さに塗布すること ができ、また下層のフォトレジスト用の現像液で除去可能であり、以下の単位を 有するコポリマーを含んでなる反射防止塗料組成物。 a) ここでXはCO2L、SO3L、OH、CO(OC2H4)xOH、CONHC( CH3)2CH2SO3L、PO3L2もしくはCONH2である。ここでLはH、I 族もしくはII族のカチオン、又はNH4 +であり、xは0〜10である。 b) ここでYはフッ素、もしくはフッ素を含有する脂肪族有機置換基である。 ここで、RはH、ハロゲン、CF3、C1〜C8アルキル、もしくはCNである 。 2. CH2=CH−CO−O−(CH2)2(CF2)x−CF3(ここでxは7 〜11)とアクリル酸とのコポリマーからなる、請求項1の反射防止塗料。 3. Yが下記のものである、請求項1の反射防止塗料。 COO(CH2)x(CF2)nCF3、 SO2O(CH2)x(CF2)nCF3、 SO2(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、 CO(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、もしくは ここで脂肪鎖は枝分かれしていても、していなくてもよく、nは0〜14、xは 0〜10である。 4. 界面活性剤を更に含んでなる、請求項1の反射防止塗料。 5. 該界面活性剤が、ペルフルオロオクタン酸アンモニウム、ペルフルオロ オクタン酸のアミン塩、ペルフルオロオクタン酸のテトラメチルアンモニウム塩 、ペルフルオロオクタノスルホン酸アンモニウム、水酸化アンモニウム/テトラ メチルアンモニウムヒドロキシド、もしくはラウリル硫酸アンモニウムである、 請求項4の反射防止塗料。 6. フォトレジスト用の反射防止塗料組成物の製造法であって、その塗膜の 屈折率が約1.20より大きく、約1.40までであり、四分の一波長厚さに塗 布することができ、下層のフォトレジスト用の現像液で除去可能な、処理用組成 物が以下の単位を有するコポリマーを与えるものである、反射防止塗料組成物の 製造法。 a) ここでXはCO2L、SO3L、OH、CO(OC2H4)xOH、CONHC( CH3)2CH2SO3L、PO3L2もしくはCONH2である。ここでLはH、I 族もしくはII族のカチオン、又はNH4 +であり、xは0〜10である。 b) ここでYはフッ素、もしくはフッ素を含有する脂肪族有機置換基である。 ここで、RはH、ハロゲン、CF3、C1〜C8アルキル、もしくはCNである 。 7. 用いられるコポリマーが、CH2=CH−CO−O−(CH2)2(CF2 )x−CF3(ここでxは7〜11)とアクリル酸とのコポリマーである、請求項 6の方法。 8. Yが下記のものである、請求項6の方法。 COO(CH2)x(CF2)nCF3、 SO2O(CH2)x(CF2)nCF3、 SO2(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、 CO(OC2H4)xO(CH2)x(CF2)nCF3、もしくは ここで脂肪鎖は枝分かれしていても、していなくてもよく、nは0〜14、xは 0〜10である。 9. 界面活性剤を添加する工程を更に含む、請求項6の方法。 10. 該界面活性剤が、ペルフルオロオクタン酸アンモニウム、ペルフルオ ロオクタン酸のアミン塩、ペルフルオロオクタン酸のテトラメチルアンモニウム 塩、ペルフルオロオクタノスルホン酸アンモニウム、もしくはラウリル硫酸アン モニウムである、請求項9の方法。
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