JP4656308B2 - 反射防止剤固化物の除去用洗浄液および洗浄方法 - Google Patents
反射防止剤固化物の除去用洗浄液および洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4656308B2 JP4656308B2 JP2005148877A JP2005148877A JP4656308B2 JP 4656308 B2 JP4656308 B2 JP 4656308B2 JP 2005148877 A JP2005148877 A JP 2005148877A JP 2005148877 A JP2005148877 A JP 2005148877A JP 4656308 B2 JP4656308 B2 JP 4656308B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solidified product
- component
- cleaning liquid
- cleaning
- solidified
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
1.(A)プロピレングリコールアルキルエーテルの中から選ばれる少なくとも1種と、(B)ベンゼンスルホン酸またはアルキルベンゼンスルホン酸の中から選ばれる少なくとも1種とを含有する反射防止剤固化物の除去用洗浄液。
2.(A)成分と(B)成分の合計量中、(A)成分が70〜99質量%で、(B)成分が1〜30質量%である上記1に記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液。
3.(A)成分のプロピレングリコールアルキルエーテルが、プロピレングリコールモノメチルエーテルである上記1または上記2に記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液。
4.(B)成分のアルキルベンゼンスルホン酸が、パラトルエンスルホン酸である上記1乃至上記3のいずれかに記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液。
6.半導体ウエハの加工工程において、(1)コーターカップ部、(2)コーター配管部、および(3)ウエハ裏面部のいずれか少なくとも一部に付着した、反射防止剤固化物を除去する際に、上記1乃至上記4のいずれかに記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液を用いて、反射防止剤固化物を溶解除去する洗浄方法。
本発明は、半導体素子の製造における半導体ウエハの加工工程において、反射防止剤の塗布時に生じる、不要物な固化物を除去洗浄するのに適した除去用洗浄液である。
当該洗浄液は、(A)成分としてプロピレングリコールアルキルエーテルと、(B)成分としてベンゼンスルホン酸またはアルキルベンゼンスルフォン酸とを含有する。
(B)成分が1質量%未満だと除去洗浄効果が生じ難く、30質量%を越えると(B)成分が溶解し難くなり、反射防止剤固化物の除去用洗浄液として、取り扱い難くなる。
また、好ましい、(A)成分と(B)成分の割合は、合計量中(A)成分が70〜90質量%で、(B)成分が30〜10質量%の範囲である。
水溶性有機溶剤としては、ジエチレングリコールメチルエーテルなどのグリコールエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド化合物および、ジメチルスルフォキシドなどを用いることができる。
日産化学工業(株)会社製の反射防止剤DUV42P(商品名)を用い、図1に示すトップコート塗布装置にて30日間連続塗布後(長期使用により固化物が厚く形成された過酷な状況)、図1の符号2に示した装置配管に付着した固化物を削り取った。この固形物(1g)を表1および表2に示す各溶剤組成の洗浄液(0.1L)に浸漬し、溶解実験を行った。溶解性の試験方法は、これらの濃度で、削り取った固化物を含んだ各溶剤組成の洗浄液を、ガラスのサンプル瓶に入れ、温度23℃で5日間放置し、溶解性の有無を判断した。固化物の溶解性は目視により判断した。
表2に、比較例1〜7として各溶剤組成の洗浄液とその溶解性の結果を示す。
なお、固化物の溶解性は以下のように評価した。
○:目視により、溶解している。
△:目視により、部分的に溶解している。
×:目視により、ほとんど溶解していない。
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
P−TSA:パラトルエンスルホン酸
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
BZG:ベンジルグリコール
DMSO:ジメチルスルフォキシド
なお、P−TSAは、一水和物を使用した。
2:配管
3:ウエハ
4:付着物
5:スピンヘッド
Claims (6)
- (A)プロピレングリコールアルキルエーテルの中から選ばれる少なくとも1種と、(B)アルキルベンゼンスルホン酸またはベンゼンスルホン酸の中から選ばれる少なくとも1種とを含有する反射防止剤固化物の除去用洗浄液。
- (A)成分と(B)成分の合計量中、(A)成分が70〜99質量%で、(B)成分が1〜30質量%である請求項1に記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液。
- (A)成分のプロピレングリコールアルキルエーテルが、プロピレングリコールモノメチルエーテルである請求項1または請求項2に記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液。
- (B)成分のアルキルベンゼンスルホン酸が、パラトルエンスルホン酸である請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液。
- 半導体ウエハの加工工程における反射防止剤固化物の除去において、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液を用いて反射防止剤固化物を溶解除去する洗浄方法。
- 半導体ウエハの加工工程において、(1)コーターカップ部、(2)コーター配管部、および(3)ウエハ裏面部のいずれか少なくとも一部に付着した反射防止剤固化物を除去する際に、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の反射防止剤固化物の除去用洗浄液を用いて反射防止剤固化物を溶解除去する洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005148877A JP4656308B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 反射防止剤固化物の除去用洗浄液および洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005148877A JP4656308B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 反射防止剤固化物の除去用洗浄液および洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006332082A JP2006332082A (ja) | 2006-12-07 |
JP4656308B2 true JP4656308B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=37553502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005148877A Expired - Fee Related JP4656308B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 反射防止剤固化物の除去用洗浄液および洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4656308B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102423325B1 (ko) | 2016-03-01 | 2022-07-20 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판 또는 장치의 세정액 및 세정 방법 |
TW201936575A (zh) | 2018-01-25 | 2019-09-16 | 德商馬克專利公司 | 光阻移除劑組合物 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1144960A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-02-16 | Kurarianto Japan Kk | リソグラフィー用洗浄剤 |
JPH11181489A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Neos Co Ltd | 塗料移送配管内洗浄用組成物及び洗浄方法 |
JPH11218933A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Fuji Film Olin Kk | レジスト洗浄除去用溶剤および電子部品製造用基材の製造方法 |
-
2005
- 2005-05-23 JP JP2005148877A patent/JP4656308B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1144960A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-02-16 | Kurarianto Japan Kk | リソグラフィー用洗浄剤 |
JPH11181489A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Neos Co Ltd | 塗料移送配管内洗浄用組成物及び洗浄方法 |
JPH11218933A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Fuji Film Olin Kk | レジスト洗浄除去用溶剤および電子部品製造用基材の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006332082A (ja) | 2006-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6546080B2 (ja) | クリーニング用組成物 | |
JP4741315B2 (ja) | ポリマー除去組成物 | |
EP1813667B1 (en) | Cleaning formulations | |
JP6612891B2 (ja) | 洗浄配合 | |
MXPA03003353A (es) | Composiciones alcalinas estabilizadas para limpiar substratos microelectronicos. | |
JP6588150B2 (ja) | 半導体基板又は装置の洗浄液及び洗浄方法 | |
US6635118B2 (en) | Aqueous cleaning of polymer apply equipment | |
CN114940926A (zh) | 清洁制剂 | |
JP6909251B2 (ja) | フォトレジスト剥離剤 | |
TWI752528B (zh) | 用於半導體基材的清潔組合物 | |
CN107406697B (zh) | 在低pka驱动的聚合物剥离过程中促进电荷络合铜保护的组合物和方法 | |
JP4656308B2 (ja) | 反射防止剤固化物の除去用洗浄液および洗浄方法 | |
KR101341701B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
JP4236198B2 (ja) | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いた半導体基材形成方法 | |
KR101341746B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
KR101292497B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
JP2004239986A (ja) | レジスト剥離液組成物 | |
JPH10260537A (ja) | レジスト剥離液 | |
JP2002162755A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP4170710B2 (ja) | 剥離剤組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100317 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101214 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |