JPH06212193A - レジスト剥離剤除去用洗浄剤 - Google Patents
レジスト剥離剤除去用洗浄剤Info
- Publication number
- JPH06212193A JPH06212193A JP35542992A JP35542992A JPH06212193A JP H06212193 A JPH06212193 A JP H06212193A JP 35542992 A JP35542992 A JP 35542992A JP 35542992 A JP35542992 A JP 35542992A JP H06212193 A JPH06212193 A JP H06212193A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lactate
- detergent
- resist
- methyl
- cleaning agent
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 微細パタ−ン形成工程において、基板上に付
着しているジスト剥離剤等残査を洗浄する際、洗浄力が
優れているうえ、従来の親油性溶媒と親水性溶媒の両方
を用いる方法に比べて洗浄の工程数が短縮され、且つ毒
性や不快臭がなく安全性にすぐれ、操作性の良いレジス
ト剥離剤除去用洗浄剤を提供することにある。 【構成】 乳酸アルキルエステルを含有するレジスト剥
離剤除去用洗浄剤。
着しているジスト剥離剤等残査を洗浄する際、洗浄力が
優れているうえ、従来の親油性溶媒と親水性溶媒の両方
を用いる方法に比べて洗浄の工程数が短縮され、且つ毒
性や不快臭がなく安全性にすぐれ、操作性の良いレジス
ト剥離剤除去用洗浄剤を提供することにある。 【構成】 乳酸アルキルエステルを含有するレジスト剥
離剤除去用洗浄剤。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細パターン形成工程
における基板の洗浄剤に関するものであり、更に詳しく
はレジスト剥離後の基板上に付着している剥離剤残査等
の洗浄に適した洗浄剤に関するものである。微細パター
ン形成工程は半導体製造、液晶ディスプレイ製造など多
くの場面で用いられている。
における基板の洗浄剤に関するものであり、更に詳しく
はレジスト剥離後の基板上に付着している剥離剤残査等
の洗浄に適した洗浄剤に関するものである。微細パター
ン形成工程は半導体製造、液晶ディスプレイ製造など多
くの場面で用いられている。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】微細パターン形成工程に
おいて、基板上に微細パターンを形成させる際、レジス
トを塗布し、露光、現像、エッチング等のプロセスを経
て最終的には不要となったレジストを、レジスト剥離液
を用いて基板上から除去している。レジスト剥離液に
は、通常、ポジ型およびネガ型レジスト用として塩素系
溶剤（テトラクロルエチレン、Ｏージクロルベンゼン
等）とアルキルベンゼンスルホン酸、あるいはアルキル
ベンゼンとアルキルベンゼンスルホン酸との組合せが広
く使用されている。ポジ型レジスト用としてはグライコ
ールエーテル類（ブチルジグリコール、メチセロソルブ
等）、ピロリドン類（Ｎーメチルピロリドン等）あるい
はスルホキシド類（ジメチルスルホキシド等）とアルカ
ノールアミンの組合せが広く使用されている。
おいて、基板上に微細パターンを形成させる際、レジス
トを塗布し、露光、現像、エッチング等のプロセスを経
て最終的には不要となったレジストを、レジスト剥離液
を用いて基板上から除去している。レジスト剥離液に
は、通常、ポジ型およびネガ型レジスト用として塩素系
溶剤（テトラクロルエチレン、Ｏージクロルベンゼン
等）とアルキルベンゼンスルホン酸、あるいはアルキル
ベンゼンとアルキルベンゼンスルホン酸との組合せが広
く使用されている。ポジ型レジスト用としてはグライコ
ールエーテル類（ブチルジグリコール、メチセロソルブ
等）、ピロリドン類（Ｎーメチルピロリドン等）あるい
はスルホキシド類（ジメチルスルホキシド等）とアルカ
ノールアミンの組合せが広く使用されている。
【０００３】上記剥離液を用いてレジストを除去する工
程としては、ポジ・ネガ用はまず加温した剥離液に基板
を浸漬した後、親油性溶剤のアルキルベンゼン等で洗浄
し、次に親水性溶剤のメタノールやイソプロピルアルコ
ール等で洗浄、その後水洗する工程が採られている。ポ
ジ型用は加温した剥離液に基板を浸漬した後、直ぐに親
水性溶剤のメタノールやイソプロピルアルコール等で洗
浄、その後水洗する工程が採られている。
程としては、ポジ・ネガ用はまず加温した剥離液に基板
を浸漬した後、親油性溶剤のアルキルベンゼン等で洗浄
し、次に親水性溶剤のメタノールやイソプロピルアルコ
ール等で洗浄、その後水洗する工程が採られている。ポ
ジ型用は加温した剥離液に基板を浸漬した後、直ぐに親
水性溶剤のメタノールやイソプロピルアルコール等で洗
浄、その後水洗する工程が採られている。
【０００４】しかし、このような方法では工程が煩雑で
あり、アルキルベンゼン等は不快臭があり、毒性が大き
く安全衛生上問題があり、親水性のメタノールやイソプ
ロピルアルコール等は引火点が低く取扱い上問題があ
る。
あり、アルキルベンゼン等は不快臭があり、毒性が大き
く安全衛生上問題があり、親水性のメタノールやイソプ
ロピルアルコール等は引火点が低く取扱い上問題があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、洗浄
力にすぐれているのみならず、毒性や不快臭がなく安全
性にすぐれ、しかも基板上の剥離剤残査を容易に洗浄除
去でき、工程を短縮することができる新規なレジスト剥
離剤除去用洗浄剤を提供することにある。
力にすぐれているのみならず、毒性や不快臭がなく安全
性にすぐれ、しかも基板上の剥離剤残査を容易に洗浄除
去でき、工程を短縮することができる新規なレジスト剥
離剤除去用洗浄剤を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の一つ
は、乳酸アルキルエステルを含有するレジスト剥離剤除
去用洗浄剤に関する。
は、乳酸アルキルエステルを含有するレジスト剥離剤除
去用洗浄剤に関する。
【０００７】本発明の他の一つは、乳酸アルキルエステ
ルと水、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸メチル、酢
酸エチル、γーブチロラクトン、ジメチルスルフォキシ
ドおよびスルホランから選ばれた少なくとも１種以上と
を含有するレジスト剥離剤除去用洗浄剤に関する。
ルと水、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸メチル、酢
酸エチル、γーブチロラクトン、ジメチルスルフォキシ
ドおよびスルホランから選ばれた少なくとも１種以上と
を含有するレジスト剥離剤除去用洗浄剤に関する。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おける洗浄剤は、乳酸アルキルエステルが主成分であ
る。乳酸アルキルエステルとしては乳酸メチル、乳酸エ
チル、乳酸イソプロピルおよび乳酸ブチルなどが用いら
れる。これらの乳酸アルキルエステルは単独で用いても
よいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
おける洗浄剤は、乳酸アルキルエステルが主成分であ
る。乳酸アルキルエステルとしては乳酸メチル、乳酸エ
チル、乳酸イソプロピルおよび乳酸ブチルなどが用いら
れる。これらの乳酸アルキルエステルは単独で用いても
よいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０００９】本発明に用いられる乳酸アルキルエステル
の濃度は５０％以上であることが好ましい。乳酸アルキ
ルエステル濃度が５０％未満の場合は、本発明の特長で
ある洗浄性、安全性、操作性の良さなどが次第に損なわ
れていく。
の濃度は５０％以上であることが好ましい。乳酸アルキ
ルエステル濃度が５０％未満の場合は、本発明の特長で
ある洗浄性、安全性、操作性の良さなどが次第に損なわ
れていく。
【００１０】本発明における洗浄剤は、前記の乳酸アル
キルエステルに加えて、他の親水性有機溶媒または水な
どの第２成分の溶媒を併用することもでき、それにより
洗浄能力を制御することができる。
キルエステルに加えて、他の親水性有機溶媒または水な
どの第２成分の溶媒を併用することもでき、それにより
洗浄能力を制御することができる。
【００１１】併用される親水性有機溶媒は特に制限され
るものでないが、好ましいものとしては例えばピロリド
ン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブ
チロラクトン、ジメチルスルホキシドまたはスルホラン
などが挙げられる。これらの第２成分の溶媒は２種類以
上を組み合わせて用いることもできる。第２成分の溶媒
の濃度は５０重量％以下が好ましい。
るものでないが、好ましいものとしては例えばピロリド
ン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブ
チロラクトン、ジメチルスルホキシドまたはスルホラン
などが挙げられる。これらの第２成分の溶媒は２種類以
上を組み合わせて用いることもできる。第２成分の溶媒
の濃度は５０重量％以下が好ましい。
【００１２】また、洗浄力の向上などのため、界面活性
剤を併用することもできる。界面活性剤としては、例え
ばアルキル硫酸エステル塩、アルキルフェノ−ルのポリ
アルキレンエ−テル、スルホコハク酸塩などが挙げられ
る。
剤を併用することもできる。界面活性剤としては、例え
ばアルキル硫酸エステル塩、アルキルフェノ−ルのポリ
アルキレンエ−テル、スルホコハク酸塩などが挙げられ
る。
【００１３】本発明の洗浄剤に適用できるレジストおよ
びレジスト剥離剤は特に制限されず、通常使用されてい
るものの中から任意に選ぶことができるが、特に顕著な
洗浄効果を示すレジスト剥離剤としては、アルキルベン
ゼンスルフォン酸、アルキルベンゼン、アルキルナフタ
リン、フェノール、アルキルフェノール、塩素系溶剤、
クロルベンゼンを成分として含むもの或いは、エタノー
ルアミン、グライコールエーテル、ピロリドン系溶剤、
アルキルスルフォキシド、スルフォラン等を成分とする
ものを挙げることができる。
びレジスト剥離剤は特に制限されず、通常使用されてい
るものの中から任意に選ぶことができるが、特に顕著な
洗浄効果を示すレジスト剥離剤としては、アルキルベン
ゼンスルフォン酸、アルキルベンゼン、アルキルナフタ
リン、フェノール、アルキルフェノール、塩素系溶剤、
クロルベンゼンを成分として含むもの或いは、エタノー
ルアミン、グライコールエーテル、ピロリドン系溶剤、
アルキルスルフォキシド、スルフォラン等を成分とする
ものを挙げることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例によって
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。
【００１５】実施例１〜１０ シリコンウェハー上に市販のポジ型フォトレジストをス
ピンコートにて厚さ１．５μに塗布し１００℃の温度で
２分間ホットプレート上にてベークしてフォトレジスト
膜を形成した。このフォトレジスト付シリコンウェハー
を〔Ａ〕ドデシルベンゼンスルホン酸２０重量％＋アル
キルベンゼン８０重量％、あるいは〔Ｂ〕モノエタノー
ルアミン５０重量％＋ブチルジグリコール５０重量％の
剥離液中に８０℃で１０分間浸漬し、その後、第１表に
示す本発明の各洗浄剤にて洗浄、ついで水洗した後、ウ
ェハー上の残存物付着量を測定し、洗浄力を評価した。
ピンコートにて厚さ１．５μに塗布し１００℃の温度で
２分間ホットプレート上にてベークしてフォトレジスト
膜を形成した。このフォトレジスト付シリコンウェハー
を〔Ａ〕ドデシルベンゼンスルホン酸２０重量％＋アル
キルベンゼン８０重量％、あるいは〔Ｂ〕モノエタノー
ルアミン５０重量％＋ブチルジグリコール５０重量％の
剥離液中に８０℃で１０分間浸漬し、その後、第１表に
示す本発明の各洗浄剤にて洗浄、ついで水洗した後、ウ
ェハー上の残存物付着量を測定し、洗浄力を評価した。
【００１６】比較例１〜２ 比較のために、上記実施例と同様にして、フォトレジス
ト膜を形成したシリコンウェハーを前記〔Ａ〕あるいは
〔Ｂ〕の剥離液中に浸漬し、その後、キシレンあるいは
イソプロピルアルコ−ルで洗浄、ついで水洗した後、ウ
ェハー上の残存物付着量を測定し、洗浄力を評価した。
ト膜を形成したシリコンウェハーを前記〔Ａ〕あるいは
〔Ｂ〕の剥離液中に浸漬し、その後、キシレンあるいは
イソプロピルアルコ−ルで洗浄、ついで水洗した後、ウ
ェハー上の残存物付着量を測定し、洗浄力を評価した。
【００１７】これらの結果を第１表に示す。なお、残存
付着量の測定は目視および金属顕微鏡にて判断した。 〇：目視ならびに金属顕微鏡にて残渣なし △：目視では残渣ないが、金属顕微鏡にて有り ×：目視にて残渣有り
付着量の測定は目視および金属顕微鏡にて判断した。 〇：目視ならびに金属顕微鏡にて残渣なし △：目視では残渣ないが、金属顕微鏡にて有り ×：目視にて残渣有り
【００１８】
【００１９】
【発明の効果】本発明のレジスト剥離後の洗浄剤は、各
剥離剤に対する洗浄性に優れているうえ、水溶性である
ために、従来のように親油性溶剤から親水性溶剤への洗
浄工程無しに水洗工程に移ることができ、工程の大幅な
短縮がはかれる。また、乳酸アルキルエステルをベース
としているため低毒性で不快臭がなく、且つ引火点が比
較的高く、操作性や安全性も著しく向上する。
剥離剤に対する洗浄性に優れているうえ、水溶性である
ために、従来のように親油性溶剤から親水性溶剤への洗
浄工程無しに水洗工程に移ることができ、工程の大幅な
短縮がはかれる。また、乳酸アルキルエステルをベース
としているため低毒性で不快臭がなく、且つ引火点が比
較的高く、操作性や安全性も著しく向上する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土肥 俊一 東京都千代田区丸の内一丁目５番１号 日 東化学工業株式会社内 (72)発明者 塩津 信一郎 大阪府大阪市西区新町１丁目１番17号 ナ ガセ電子化学株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 乳酸アルキルエステルを含有するレジス
ト剥離剤除去用洗浄剤。 - 【請求項２】 乳酸アルキルエステルと水、ピロリド
ン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、酢酸メチル、酢酸エチル、γーブ
チロラクトン、ジメチルスルフォキシドおよびスルホラ
ンから選ばれた少なくとも１種以上とを含有するレジス
ト剥離剤除去用洗浄剤。 - 【請求項３】 乳酸アルキルエステルが、乳酸メチル、
乳酸エチル、乳酸イソプロピル、または乳酸ブチルであ
る請求項１または２記載の洗浄剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35542992A JPH06212193A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | レジスト剥離剤除去用洗浄剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35542992A JPH06212193A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | レジスト剥離剤除去用洗浄剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06212193A true JPH06212193A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=18443905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35542992A Pending JPH06212193A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | レジスト剥離剤除去用洗浄剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06212193A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866305A (en) * | 1996-09-21 | 1999-02-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thinner composition for washing a photoresist in a process for preparing semiconductors |
| DE19901002A1 (de) * | 1999-01-13 | 2000-07-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Schicht |
| KR20020037665A (ko) * | 2000-11-14 | 2002-05-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 제거용 씬너 조성물 |
| KR100363272B1 (ko) * | 2000-07-13 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 박막 트랜지스터 액정표시소자용 포토레지스트를 제거하기위한 씬너 조성물 |
| KR20030046868A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 주식회사 덕성 | 유기막 제거용 시너 |
| JP2006503972A (ja) * | 2002-10-22 | 2006-02-02 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | 半導体デバイスを洗浄するための水性リン酸組成物 |
| KR100807491B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2008-02-25 | 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 | 리소그래피용 세정액 |
| US7335319B2 (en) | 2002-02-06 | 2008-02-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Semiconductor stress buffer coating edge bead removal compositions and method for their use |
| JP2009202314A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Fujibo Holdings Inc | 保持具 |
| US8021490B2 (en) | 2007-01-04 | 2011-09-20 | Eastman Chemical Company | Substrate cleaning processes through the use of solvents and systems |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP35542992A patent/JPH06212193A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866305A (en) * | 1996-09-21 | 1999-02-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thinner composition for washing a photoresist in a process for preparing semiconductors |
| NL1006930C2 (nl) * | 1996-09-21 | 1999-06-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Verdunningsmiddelsamenstelling voor het wegwassen van een fotolak bij een werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiders. |
| DE19901002A1 (de) * | 1999-01-13 | 2000-07-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Schicht |
| DE19901002B4 (de) * | 1999-01-13 | 2005-09-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Schicht |
| KR100363272B1 (ko) * | 2000-07-13 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 박막 트랜지스터 액정표시소자용 포토레지스트를 제거하기위한 씬너 조성물 |
| KR20020037665A (ko) * | 2000-11-14 | 2002-05-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 제거용 씬너 조성물 |
| KR20030046868A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 주식회사 덕성 | 유기막 제거용 시너 |
| US7335319B2 (en) | 2002-02-06 | 2008-02-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Semiconductor stress buffer coating edge bead removal compositions and method for their use |
| JP2006503972A (ja) * | 2002-10-22 | 2006-02-02 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | 半導体デバイスを洗浄するための水性リン酸組成物 |
| KR100807491B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2008-02-25 | 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 | 리소그래피용 세정액 |
| US8021490B2 (en) | 2007-01-04 | 2011-09-20 | Eastman Chemical Company | Substrate cleaning processes through the use of solvents and systems |
| JP2009202314A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Fujibo Holdings Inc | 保持具 |
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