KR20080051864A - 감광성 수지 제거용 씬너 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 및 박막 트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 제거용 씬너(thinner) 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알킬 아마이드 및 알킬 피롤리돈을 포함하는 감광성 수지 제거용 씬너 조성물에 관한 것이다.
감광성 수지, 씬너, 포토리소그래피, 반도체 소자, 패시베이션, 알킬 아마이드, 알킬 피롤리돈

Description

감광성 수지 제거용 씬너 조성물{THINNER COMPOSITION FOR REMOVING PHOTOSENSITIVE RESIN}
본 발명은 반도체 소자 및 박막 트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 제거용 씬너(Thinner) 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알킬 아마이드 및 알킬 피롤리돈를 포함하는 감광성 수지 제거용 씬너 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정 중 포토 리소그래피(photo lithography) 공정은 웨이퍼 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 사전에 설계된 패턴을 전사한 후 전사된 패턴에 따라 적절하게 식각 공정을 통하여 전자회로를 구성해나가는 작업으로 매우 중요한 작업중의 하나이다.
이러한 포토 리소그래피 공정은 (1) 웨이퍼의 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 도포공정, (2) 도포된 감광막으로부터 용제를 증발시켜 감광막이 웨이퍼의 표면에 달라붙게하는 소프트 베이킹(soft baking) 공정, (3) 자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로패턴을 반복적, 순차적으로 축소 투영하면서 감광막을 노광시켜 마스크의 패턴을 감광막 상으로 전사하는 노광(露光)공정, (4) 광원에의 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상(現像) 공정, (5) 현상작업 후 웨이퍼 상에 잔류하는 감광막을 웨이퍼에 보다 긴밀하게 고착시키기 위한 하드 베이킹(hard baking) 공정, (6) 현상된 감광막의 패턴에 따라 소정부위를 에칭하는 식각(蝕刻) 공정 및 (7) 상기 공정 후 불필요하게 된 감광막을 제거하는 박리(剝離) 공정 등으로 진행된다.
상기 포토 리소그래피 공정 중에서 웨이퍼 상에 감광막을 공급하고 기판을 회전시켜 원심력에 의해 표면을 고르게 퍼지게 하는 회전도포 공정은 원심력으로 인해 기판의 에지 부위와 후면에 감광막이 몰리게 되어 작은 구형물질이 형성된다. 상기 구형물질은 베이크 공정을 거친 후 기판의 이송도중 박리되어 장치내의 파티클의 원인이 되기도 하고, 노광 시 디포커스(defocus)의 원인이 되기도 한다. 이런 불필요한 감광물질이 장비오염의 원인이 되어 반도체 소자의 제조공정에 있어서 수율을 저하시키므로, 이를 제거하기 위하여 기판의 에지 부위와 후면 부위의 상하에 분사노즐을 설치하고 상기 노즐을 통하여 에지 부위과 후면 부위에 유기용제 성분으로 구성된 씬너(Thinner) 조성물을 분사하여 이를 제거하고 있다.
상기 씬너 조성물의 성능을 결정짓는 요소로 용해속도 및 휘발성 등을 들 수 있다. 씬너 조성물의 용해속도는 감광성 수지를 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있느냐 하는 능력으로 매우 중요하다. 구체적으로 에지 부위의 린스에 있어서, 적절한 용해속도를 가져야만 매끄러운 처리단면을 가질 수 있으며, 용해속도가 너무 높은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어 택(attack)이 나타날 수 있다. 반대로 용해속도가 너무 낮은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라는 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail) 흐름 현상이 나타날 수 있다. 특히 최근들어 반도체 직접회로의 고집적화, 고밀도화에 따른 기판의 대구경화로 인해 회전도포기를 이용한 린스 공정의 경우 회전속도의 저회전(rpm)화는 필연적이라고 할 수 있다. 이런 린스의 공정에서 저회전 속도에 따른 기판의 요동과 분사되는 씬너 조성물의 접촉속도에서 적절한 용해속도를 지니지 못할 경우 튐(bounding) 현상이 나타나며, 불필요한 씬너 조성물의 사용이 늘게 된다. 이와 같은 기판의 대구경화로 인한 저회전 린스 공정에서는 종래의 고회전 린스 공정보다 더욱 씬너의 강력한 용해 속도가 요구되고 있다.
또한, 휘발성은 감광성 수지를 제거하고 난 후, 쉽게 휘발하여 기판의 표면에 잔류하지 않을 것이 요구되며, 휘발성이 너무 낮아 씬너 조성물이 휘발되지 못하고 잔류하는 경우 잔류하는 씬너 조성물 자체가 각종의 공정, 특히 후속 식각 공정 등에서 오염원으로 작용하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있으며, 휘발성이 너무 높으면 기판이 급속히 냉각하여 도포된 감광막의 두께 편차가 심해지는 현상과 사용중에 대기 중으로 쉽게 휘발되어 청정성 자체를 오염시킬 수 있는 원인이 될 수 있다. 이로 인한 각종 테일링이나 감광막 어택 등의 불량은 모두 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키는 직접적인 원인이 되고 있다.
종래의 씬너 조성물들을 살펴보면 다음과 같다.
일본공개 특허공보 소63-69563호는 씬너 조성물을 기판의 주도부(edge upside part), 연도부(edge side part), 배면부(edge back side part)의 불필요한 감광막에 접촉시켜 제거하는 방법을 제안하고 있다. 상기 방법의 감광막 제거용 용제로 예를 들면, 셀로솔브 셀로볼브 아세테이트, 프로필렌글리콜 에테르, 프로필렌 글리콜 에테르 등의 에테르 및 에테르 아세테이트류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸 케톤, 씨클로 헥사논, 등의 케톤류, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트 등의 에스테르류를 사용한다. 상기 용제를 씬너 조성물로 하여, 상기 씬너 조성물을 기판의 주도부, 연도부, 배면부의 불필요한 감광막에 접촉시켜 제거하는 방법에 대하여 개시하고 있으며, 일본공개 특허 공보 평4-42523호는 씬너 조성물로 알킬 알콕시 프로피오네이트를 사용하는 방법에 대하여 개시하고 있다.
상기에서 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트의 경우 용해속도는 우수하나, 휘발성과 인화성이 높고, 특히 백혈구 감소증, 태아유산 유발 등의 생식 독성을 나타내는 문제점이 있다. 또한 에틸락테이트는 점도가 높고 용해속도가 낮기 때문에 단독으로는 충분한 세정 효과를 얻을 수 없다는 문제점이 있다.
이를 해결하기 위해 종래의 단일용제들을 혼합하여 사용하는 방법 등이 연구개발 되었으며 이는 다음과 같다.
일본 공개 특허공보 평4-130715호는 피루핀산 알킬계 용제와 메틸 에틸 케톤으로 이루어진 혼합용제로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본 공개 특허 공보 평7-146562호는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르와 3-알콕시 프로피온산 알킬류의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본 공개 특허공보 평7-128867호는 프로필렌글리콜 알킬에테르와 부틸 아세테이트와 에틸 락테이트의 혼합물 또는 부틸 아세테이트와 에틸락테이트, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본공개특허공보 평7-160008호는 프로필렌글리콜 알킬에테르 프로피오네이트와 메틸 에틸 케톤의 혼합물, 혹은 프로필렌 글리콜 알킬에테르 프로피오네이트와 초산부틸의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 미국특허 제4,983,490호는 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트와 프로필렌 글리콜 알킬 에테르로 이루어진 혼합용제를 씬너 조성물로 사용하였으며, 미국특허 제4,886,728호에서는 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤으로 이루어진 혼합물을 씬너 조성물로 사용한바 있다.
그러나 상기에서 서술된 혼합용제들로도 점차 고집적화, 대구경화 되고 있는 반도체 소자와 박막 트랜지스터 액정표시소자의 적용에는 많은 어려움이 있다.
예를 들면, 피루핀산 알킬류의 용제와 메틸 에틸케톤으로 이루어진 혼합용제를 씬너 조성물로 사용한 경우, 감광막의 중요 성분 중 하나인 감광제 중 에스테르화율이 높은 1,2-나프타퀴논디아지드계 감광제에 대한 용해성이 떨어지며, 프로필렌글리콜 알킬 에테르 프로피오네이트와 초산 부틸의 혼합용제 등의 휘발성이 높은 용제를 씬너 조성물로 사용하여 후면 세정에 적용할 경우, 기판이 냉각되면서 감광막의 두께편차가 심해지는 현상이 발생하며, 에틸 락테이트와 메틸 에틸 케톤의 혼합용제와 같이 휘발성이 낮은 용제를 씬너 조성물로 사용한 경우, 기판 가장자리 부위의 세정능력이 떨어진다. 특히, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트 등의 용제를 씬너 조성물로 사용한 경우, 장기간 사용시 감광막 회전도포기에 부착된 감광 폐액 저장조 내의 금속부위를 부식시키는 것으로 알려져 있다.
본 발명은 상기 종래의 씬너 조성물의 단점을 보완하여, 반도체 소자 및 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인해 기판의 에지 부위나 후면 부위에서 발생하는 불필요한 감광막에 대해 균일한 제거 성능을 지닌 씬너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정중 특히 패시베이션(passivation) 공정 중에 기판의 에지 부위나 후면 부위에 발생되는 불필요한 감광성 수지에 대한 균일한 제거 성능을 지닌 씬너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 인체에 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높으며, 부식성이 낮은 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 이용한 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 하기 화학식 1로 표시되는 알킬 아마이드 및 하기 화학식 2로 표시되는 알킬 피롤리돈을 포함하는 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112006090694918-PAT00001
여기서,
R1, R2, R3는 수소이거나 적어도 하나 이상의 알킬기이며, 상기 알킬기는 탄소수가 1 또는 2인 직쇄 알킬기이다.
[화학식 2]
Figure 112006090694918-PAT00002
여기서,
R4 및 R5는 탄소수가 1 또는 2인 직쇄 알킬기이다.
또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지 부위 및 후면 부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법을 제공한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은
하기 화학식 1로 표시되는 알킬 아마이드 및 하기 화학식 2로 표시되는 알킬 피롤리돈을 포함하는 포토레지스트 제거용 씬너 조성물을 제공한다.
상기 알킬 아마이드는 하기 화학식 1로 표시할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112006090694918-PAT00003
여기서,
R1, R2, R3는 수소이거나 적어도 하나 이상의 알킬기이며, 상기 알킬기는 탄소수가 1 또는 2인 직쇄 알킬기이다.
상기 화학식 1로 표시되는 알킬 아마이드는 감광성 수지 제거용 씬너 조성물 내에서 초기 용해 속도를 높여 반도체 소자 및 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조공정에 사용되는 글라스 기판의 에지 부위 및 후면 부위에 발생하는 감광성 물질로 이루어진 구형물질을 제거하는 역할을 한다.
상기 화학식 1로 표시되는 알킬 아마이드는 감광성 수지 제거용 씬너 조성물 총 중량에 대해 1 내지 99중량%를 첨가하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 30 내지 50중량%이다. 상기 화학식 1로 표시되는 알킬 아마이드의 함량이 30중량% 미만이면 용해속도가 낮아서 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail)의 흐름 현상이 나타날 수 있고, 50중량%를 초과하면 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 알킬 아마이드의 구체적인 예로, N-메틸 아세트 아마이드, 디메틸 포름 아마이드, 및 디메틸 아세트 아마이드로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 사용할 수 있으며, 특히 디메틸 포름 아마이드가 바람직하다.
상기 알킬 피롤리돈은 하기 화학식 2로 표시할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112006090694918-PAT00004
여기서,
R4 및 R5는 탄소수가 1 또는 2인 직쇄 알킬기이다.
상기 화학식 2로 표시되는 알킬 피롤리돈은 포토레지스트용 씬너 조성물 내에서 알킬 피롤리돈도감광성 수지의 용해속도를 증가시키는 역할을 한다.
상기 화학식 2로 표시되는 알킬 피롤리돈은 포토레지스트용 씬너 조성물 총 중량에 대해 1 내지 99중량%를 첨가하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 50 내지 70중량%이다. 상기 화학식 2로 표시되는 알킬 피롤리돈의 함량이 50중량% 미만이면 용해속도가 낮아서 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail)의 흐름 현상이 나타날 수 있고, 70중량%를 초과하면 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 알킬 피롤리돈의 구체적의 예로, 1-메틸-2-피롤리 돈 및 1-에틸-2-피롤리돈로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으며, 특히 1-메틸-2-피롤리돈이 바람직하다.
또한 본 발명의 감광성 수지 제거용 씬너 조성물은 유기용매로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, n-부틸 아세테이트, γ-부틸로 락톤, 메틸 아밀 케톤 및 에틸 락테이트 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 사용되는 상기 알킬 아마이드 및 알킬 피롤리돈은 감광성 수지 제거용 씬너 조성물에서 용제로 사용되며, 각각 반도체 등급의 극히 순수한 것을 사용할 수 있으며, VLSI 등급의 0.1um 수준으로 여과한 것을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 이용한 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법을 제공한다.
상기 본 발명의 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 이용한 반도체 소자 및 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조 방법은 감광성 수지를 기판상에 도포하고 본 발명의 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 일정 성분비로 적절히 조합한 후 기판의 에지 부분 및 후면 부위에 분사하여 불필요한 감광막를 제거하는 단계를 포함한다.
상기 감광성 수지 제거용 씬너 조성물의 적하 및 분사량은 사용하는 감광성 수지의 종류 및 막의 두께에 따라 조절하여 사용하며, 특히 5 내지 50cc/min의 범위에서 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 씬너 조성물을 분사한 후 후속 포토리소그래피 공정을 거쳐 미세 회로패턴을 형성할 수 있다.
이후, 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조는 당기술 분 야에 알려진 일반적인 기술에 의하여 제조될 수 있다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정 되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2: 감광성 수지 제거용 씬너 조성물의 제조
실시예 1
교반기가 설치되어 있는 혼합조에 메틸피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone) 60중량%, 디메틸포름아마이드(dimethyl formamde) 40중량%를 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 제조 하였다.
실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 2
하기 표 1에 기재된 조성과 함량으로 혼합하여 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 제조하였다.
[표1]
씬너 조성물
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 비교예1 비교예2
NMP 60 50 50 50
DMF 40 50 40 30
PGMEA 85
PGME 10 10 15 80
n-BA 10 20
주) NMP: 1-메틸-2-피롤리돈(1-methyl-2-pyrrolidone)
DMF: 디메틸포름아마이드(dimethyl formamde)
PGMEA: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트
(propyleneglycol monomethylether acetate)
PGME: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르
(propyleneglycol monomethylether)
n-BA: n-부틸 아세테이트(n-butyl acetate)
실험예 : 감광성 수지 조성물에 대한 씬너 조성물의 불필요한 감광막 제거
4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 하기 표 2에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물을 도포한 후 상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2에 따른 씬너 조성물을 표 3에 기재되어 있는 조건으로 에지 부위의 불필요한 감광막을 제거하는 실험(Edge Bead Removing 실험: 이하 EBR 실험이라 함)을 진행하였다. 각 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2에 따른 감광성 수지 제거용 씬너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 압력은 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 씬너 조성물의 유량은 10 내지 30cc/min으로 하였다. 그리고 광학현미경 및 주사전자현미경을 이용하여 불필요한 감광막의 제거성을 평가하여, 그 결과를 하기의 표 4에 나타내었다.
[표2]
감광성 수지 조성물 종류 및 막두께
구분 조성물 종류 조성물 제품명 막두께(um)
감광성 수지 조성물 A i-line 포지티브형 PFI-DW64 1.3um
감광성 수지 조성물 B Deep UV 포지티브형 SSK-500MA 1.45um
감광성 수지 조성물 C 폴리 이미드 수지 HD-8010-H3 12um
[표3]
EBR 실험 조건
구분 회전속도(rpm) 시간(Sec)
분배(dispense)조건 300~2000 7
스핀코팅 감광막 두께에 따라 조절 15
EBR 조건1 2000 20
EBR 조건2 2000 25
건조 조건 1300 6
[표4]
감광성 수지 조성물에 대한 EBR 실험 평가
구분 EBR조건 실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 비교예1 비교예2
I-line 포지티브 2000rpm 20s ◎ ◎ ◎ ◎ △ △
2000rpm 25s ◎ ○ ○ ○ × ×
Deep UV 포지티브 2000rpm 20s ◎ ○ ◎ ○ × △
2000rpm 25s ◎ ◎ ◎ ○ × △
폴리이미드 2000rpm 20s ◎ ◎ ○ ○ × ×
2000rpm 25s ◎ ○ ○ ○ × ×
[주] ◎: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성(line uniformity)이 일정
○: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성(line uniformity)이 75% 이상으로 양호한 직선 상태
△: EBR 후 에지 부분의 모양이 씬너의 용해작용을 받아서 일그러진 상태
× : EBR 후 에지 부위의 막에 테일링(tailing) 현상이 발생한 것
상기의 표 4를 통하여, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 감광성 수지 제거용 씬너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 EBR 성능을 나타내는 반면, 비교예 1 내지 2는 감광막에 대한 침투현상을 억제하는데 있어서 실시예 1 내지 4에 따른 본 발명의 감광성 수지 제거용 씬너 조성물에 비해 제거성이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있었다.
또한, EBR의 회전 속도(rpm)조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 감광성 수지 제거용 씬너 조성물이 특정조건에서만 효과를 보이는 것이 아니라 다양한 조건에서 동일한 성능을 보이는 것으로, 공정조건의 변화에 대해 종래의 씬너 조성물 보다 안정하다는 것을 의미한다.
본 발명에 따른 감광성 수지 제거용 씬너 조성물은 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터 액정표시소자 제조방법에 사용되는 기판의 에지 부위와 후면 부위에 사용되어 불필요하게 부착 되어진 감광막을 단시간에 효율적으로 제거할 수 있고, 특히 반도체 소자의 제조공정 중 패시베이션 공정에 적용이 가능하고 좋은 효과를 나타낸다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 제거용 씬너 조성물은 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높으며, 부식성이 낮은 특징을 갖고 있다.

Claims (8)

  1. 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터 액정표시소자용 감광막을 제거 하기 위한 씬너 조성물에 있어서,
    하기 화학식 1로 표시되는 알킬 아마이드, 및 하기 화학식 2로 표시되는 알킬 피롤리돈을 포함하는 감광막 수지 제거용 씬너 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112006090694918-PAT00005
    여기서,
    R1, R2, R3는 수소이거나 적어도 하나 이상의 알킬기이며, 상기 알킬기는 탄소수가 1 또는 2인 직쇄 알킬기이다.
    [화학식 2]
    Figure 112006090694918-PAT00006
    상기 화학식 2에서,
    R4, R5 는 탄소수가 1 또는 2인 직쇄 알킬기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 감광성 수지 제거용 씬너 조성물은 상기 알킬 아마이드 1 내지 99중량%; 및 상기 알킬 피롤리돈 1 내지 99중량%를 포함하는 것인 감광성 수지 제거용 씬너 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 감광성 수지 제거용 씬너 조성물은 상기 알킬 아마이드 30 내지 50중량%; 및 상기 알킬 피롤리돈 50 내지70 중량%를 포함하는 것인 감광성 수지 제거용 씬너 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 알킬 아마이드는 N-메틸 아세트 아마이드, 디메틸 포름 아마이드, 및 디메틸 아세트 아마이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물인 것인 감광성 수지 제거용 씬너 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 알킬 피롤리돈은 1-메틸-2-피롤리돈 및 1-에틸-2-피롤리돈로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물인 것인 감광성 수지 제거용 씬너 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 감광성 수지 제거용 씬너 조성물은 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, n-부틸 아세테이트, 감마 부틸로 락톤, 메틸 아밀 케톤 및 에틸 락테이트 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 추가로 포함하는 것인 감광성 수지 제거용 씬너 조 성물.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 감광성 수지 제거용 씬너 조성물을 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지 부위 및 후면 부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터 액정표시소자 장치의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 감광성 수지 제거용 씬너 조성물의 분사량은 5 내지 50cc/min인 것인 반도체 소자 또는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법.
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