TWI418956B - 顯影裝置、顯影方法及記憶媒體 - Google Patents

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Description

顯影裝置、顯影方法及記憶媒體
本發明，係關於將於其表面塗佈有抗蝕劑且經曝光的基板進行顯影處理的顯影裝置、顯影方法及記憶媒體。
半導體製造步驟之一的光阻步驟中，在半導體晶圓(以下稱為晶圓)的表面塗佈抗蝕劑，並將此抗蝕劑以既定的圖案曝光後顯影，形成光阻圖案。如此的處理，一般係使用於塗佈‧顯影裝置連接有曝光裝置的系統進行，該塗佈‧顯影裝置實施顯影液的塗佈與顯影。
此塗佈‧顯影裝置中，設置有供給顯影液至塗佈有抗蝕劑的晶圓而實施顯影的顯影模組(顯影裝置)。顯影模組，包含：基板保持部，其保持晶圓；顯影處理部，係具有液體排除機構及氣體排除機構，且包含以包圍保持於其基板保持部的晶圓的方式而設置的杯狀體者。又，在顯影模組設置有：顯影液流出噴嘴，其係為了供給顯影液至晶圓；純水流出噴嘴，其供給純水至晶圓。
簡單地說明關於前述顯影裝置的處理步驟，首先，例如透過前述基板保持部，由純水流出噴嘴供給純水至以繞鉛直軸方向旋轉的晶圓的中心部，藉由離心力使該純水由前述中心部往周緣部擴散。藉此，濕潤晶圓表面，提高顯影時顯影液的可濕潤性，即進行所謂的預濕處理。就此預濕而言，有使用顯影液取代純水的情況，在此情況，使用前述顯影液的目的並非為了顯影，而是為了在形成前述液膜時提高晶圓表面的可濕潤性。
預濕處理後，由顯影液流出噴嘴流出顯影液至晶圓表面，同時使其顯影液流出噴嘴往晶圓W的徑向移動，以漩渦狀供給顯影液至晶圓W。被供給的顯影液濕潤擴散預濕的晶圓的表面而形成液膜。然後，由純水流出噴嘴供給純水至晶圓，將前述顯影液由晶圓W沖洗掉並去除。
另外，就利用曝光裝置進行的曝光而言，浸潤式曝光變得廣為使用，隨著該傾向，為了抑制浸潤式曝光時使用的液體的影響，抗蝕劑的高斥水性化正在進展中。然而，將如此般具有高斥水性的抗蝕劑進行顯影時，每當進行前述預濕或前述液膜的形成時，顯影液或純水因其表面張力，或多或少聚集於可濕潤性良好的部分。
使用圖16之晶圓W的示意圖具體地說明。首先，開始前述的預濕，純水由晶圓W表面的中心部朝著周緣部擴散時，圖中帶有斜線顯示被該純水濕潤的區200雖然可濕潤性高，但未供給有純水的區201可濕潤性仍然低。如此般若在晶圓W形成可濕潤性高的區200，則即使持續供給純水至晶圓W，因為其表面張力，該純水聚集在區200，並通過該區200而由晶圓W的周緣部滴落。其結果為，在區201未被純水潤濕的狀況預濕結束。接著，即使在預濕結束後供給顯影液，顯影液雖然在可濕潤性高的區200擴散，與預濕的純水同樣地，因其表面張力，無法遍布到區201，結果為，顯影液未遍布的區201在未顯影的狀況處理結束。
又，為了企圖提升生產量，晶圓有大型化的傾向，現在正在研究例如直徑450mm的晶圓的使用，但是在使用那樣大型晶圓的情況，恐有如上述般產生多處顯影液未濕潤的部分而變得較易引起顯影缺陷之虞。
作為如上述地一邊使晶圓旋轉一邊供給顯影液之替代方式，有如下的顯影方法：將晶圓置於靜止狀態，使具有涵蓋晶圓直徑之狹縫狀流出口的顯影液流出噴嘴，一邊由晶圓的一端開始往另一端移動，一邊供給顯影液，而形成該顯影液的液膜，之後使晶圓W保持於静止狀態。然而，當抗蝕劑的斥水性變高，則即使使用此方法，亦有可能因上述的理由變得難以形成均一的液膜。於是，為了在此等的顯影方法中形成均一的液膜，也有人考慮到增加供給至晶圓的顯影液之量，但需要的顯影處理時間變長、生產量降低且成本變高。
在專利文獻1中記載關於噴霧顯影液水氣的顯影裝置，然而並未記載關於上述的問題，未能解決該問題。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2000-232058
本發明係為了因應這種情況而產生者，其目的在於提供可高均一性地供給顯影液至基板而抑制良品率低下的顯影裝置、顯影方法及記憶媒體。
本發明之顯影裝置包含：基板保持部，其水平保持表面塗佈有抗蝕劑且曝光後的基板；表面處理液霧化機構，其為了提高顯影液對前述基板的可濕潤性，而霧化表面處理液；第1噴霧噴嘴，其將霧化後的前述表面處理液噴霧至前述基板；顯影液流出噴嘴，其為了進行顯影而將顯影液流出至經前述表面處理液噴霧後的基板。
本發明之顯影裝置包含：基板保持部，其水平保持表面塗佈有抗蝕劑且曝光後的基板；表面處理液霧化機構，其為了提高顯影液對前述基板的可濕潤性，而霧化表面處理液；第1噴霧噴嘴，其將霧化後的前述表面處理液噴霧至前述基板；顯影液霧化機構，其霧化顯影液；第二噴霧噴嘴，其為了進行顯影而將霧化的顯影液噴霧至前述基板；又，尚可包含：洗淨液流出噴嘴，其為了洗淨基板而供給洗淨液至已供給有前述顯影液的基板；控制部，其控制前述顯影液流出噴嘴或是前述第2噴霧噴嘴與前述洗淨液流出噴嘴的動作；也可由前述控制部輸出控制信號，而使以下步驟反覆進行：顯影液供給步驟，由顯影液流出噴嘴或是第2噴霧噴嘴供給顯影液至基板；然後，洗淨液流出步驟，由洗淨液流出噴嘴流出洗淨液。前述基板表面之對水的靜態接觸角為例如80°以上。
本發明之顯影方法包含：基板保持步驟，其水平保持表面塗佈有抗蝕劑且經曝光的基板；表面處理液霧化步驟，其為了提高顯影液的可濕潤性而霧化表面處理液；表面處理液噴霧步驟，其由第1噴霧噴嘴將霧化的表面處理液噴霧至前述基板；顯影步驟，其由顯影液流出噴嘴流出顯影液至經前述表面處理液噴霧的基板而進行顯影。
本發明之顯影方法包含：基板保持步驟，其水平保持表面塗佈有抗蝕劑且經曝光的基板；表面處理液霧化步驟，其為了提高顯影液的可濕潤性而霧化表面處理液；表面處理液噴霧步驟，其由第1噴霧噴嘴將霧化的表面處理液噴霧至前述基板；顯影液霧化步驟，其霧化顯影液；顯影步驟，其由第2噴霧噴嘴將霧化的顯影液噴霧至前述基板而進行顯影。
也可反覆進行以下步驟而替代：顯影液供給步驟，其由顯影液流出噴嘴或是第2噴霧噴嘴供給顯影液至基板；然後，基板洗淨步驟，其由洗淨液流出噴嘴流出洗淨液至基板而洗淨基板。
又，本發明之記憶媒體係記憶有電腦程式者，該電腦程式使用於對基板進行顯影處理的顯影裝置，其特徵為該電腦程式係為了實施上述之顯影方法者。
本發明的顯影裝置具有：表面處理液霧化機構，為了提高顯影液對基板的可濕潤性而霧化表面處理液；噴霧噴嘴，將霧化後的前述表面處理液噴霧至前述基板。將霧化的表面處理液與維持液狀的表面處理液相比，因為對基板的表面張力低，在基板上的凝集受到抑制，故可輕易地供給至基板整體，而可提高前述的可濕潤性。就其結果而言，因為可將顯影液高均一性地供給至基板，而可抑制顯影缺陷和良品率的低下。
【實施發明之形態】
以下參考圖1及圖2說明關於實施本發明的顯影方法的顯影裝置1。此顯影裝置1設置有吸著晶圓W的背面側中央部，以水平方式保持晶圓的基板保持部之旋轉夾盤11。旋轉夾盤11為透過旋轉軸12與驅動機構13連接，以使晶圓W的中心位於旋轉夾盤11旋轉軸上的方式設定。又，旋轉夾盤11為透過驅動機構13，在保持晶圓W的狀態，以鉛直軸方向可旋轉及可升降的方式構成，在顯影處理中其旋轉速度係以由後述的控制部100輸出的控制信號為基準而被控制。
以包圍旋轉夾盤11上的晶圓W的方式，設置上方側形成開口的杯狀體21。此杯狀體21，係由上部側為四方形，而下部側為圓筒狀的外杯狀體22，與上部側為往內側傾斜之筒狀的內杯狀體23構成，藉由連接於外杯狀體22下端部的升降部24，升降外杯狀體22；又，內杯狀體23係以形成於外杯狀體22的下端側內周面的段差部所往上推而可升降的方式構成。
旋轉夾盤11的下方側設置圓形板25，於此圓形板25外側的全圓周範圍，設置有剖面形成凹狀部的受液部26。於受液部26的底面形成排液排出口27，由晶圓W溢出而落下或是甩落而儲存於受液部26的顯影液或沖洗液，係透過此排液排出口27排出至裝置的外部。又，於圓形板25的外側設置有剖面山形的環狀構件28。又，雖然省略圖示，設置有貫穿圓形板25的例如3支基板支持銷之升降銷，藉由此升降銷與未圖示的基板輸送機構間的協同作用，將輸送至顯影裝置1的晶圓W傳遞至旋轉夾盤11。
顯影裝置1具有：顯影液流出噴嘴31、第1噴霧噴嘴之顯影水氣噴霧噴嘴41、純水流出噴嘴51。如圖3(a)所示，於顯影液流出噴嘴31的下端設置有在鉛直下方形成開口，且與晶圓W的表面以對向方式形成的狹縫狀流出口32，其對保持於旋轉夾盤11的晶圓W帶狀地流出顯影液。此流出口32的長邊方向，係由前述晶圓W的周緣部朝向中央部側形成。其長邊方向的大小L1係例如：8mm~15mm，寬度方向的大小L2係例如：0.1mm~1mm。又，對晶圓W流出顯影液時，流出口32與晶圓W間的距離為例如1~20mm。
顯影液供給管33的一端連接於顯影液流出噴嘴31，其另一端透過由閥或質量流量控制器等構成的流量控制部34，連接於顯影液供給源35。流量控制部34係藉由接收來自控制部100輸出的控制信號(d)，控制由前述流出口32對晶圓W之顯影液的供應或停止。
如圖3(b)所示，在顯影水氣噴霧噴嘴41的下端，設置有於鉛直下方形成開口，且與晶圓的表面成對向方式形成的圓形細孔狀的流出口42，其將霧化的顯影液(以下，稱顯影水氣)噴霧至保持於旋轉夾盤11的晶圓W。流出口42的口徑L3為例如10mm~30mm。水氣供給管43的一端連接於顯影水氣噴霧噴嘴41，其另一端以閥V1、霧化部40、流量控制部44的順序連接於前述顯影液供給源35。
又，氣體供給管45的一端連接於霧化部40，氣體供給管45的另一端透過流量控制部46，連接於儲存有惰性氣體，例如：N2 氣體之N2 氣供給源47。流量控制部44、46係由閥或質量流量控制器等構成，根據由控制部100輸出的控制信號(c、b)，控制往下流側輸送的顯影液、N2 氣體的流量。閥V1係根據由控制部100輸出的控制信號(e)，控制其開或關。
霧化部40具有：顯影液儲槽，其儲存由顯影液供給源35供給的顯影液；振動器，其為了生成顯影水氣而根據由控制部100輸出的控制信號(f)，對儲存於其儲槽的顯影液施加例如超音波。就此顯影水氣的粒子徑而言，例如3μm以下；於此霧化部40生成的顯影水氣，係藉由供給至此霧化部40的載體氣體之前述N2 氣體，往水氣供給管43的下流側流通，與該N2 氣體一起由噴霧噴嘴41供給至晶圓W。
純水流出噴嘴51的下端具有於鉛直下方形成開口，而供給純水至晶圓W的流出口52。純水供給管53的一端連接於純水流出噴嘴51，純水供給管53的另一端透過由閥或質量流量控制器等構成的流量控制部54，連接於純水供給源55。流量控制部54係藉由接收來自控制部100的控制信號(a)，控制由前述流出口52對晶圓W之純水的供應或停止。純水流出噴嘴51的流出口52，與顯影水氣噴霧噴嘴的流出口42同樣地，形成圓形的細孔狀。
顯影液流出噴嘴31、顯影水氣噴霧噴嘴41、純水流出噴嘴51分別附著於噴嘴臂15a、15b、15c的一端側，噴嘴臂15a、15b、15c的另一端側連接於具有未圖示之升降機構的移動基台16a、16b、16c。又，移動基台16a及16c可沿著往橫向延伸的引導構件17a，移動基台16b可沿著與前述引導構件17a平行的引導構件17b，分別往橫向移動。
藉由前述移動基台16a~16c，各噴嘴31、41、51的流出口32、42、52對載置於旋轉夾盤11的晶圓W的投影區，可分別在該晶圓W的直徑上沿著晶圓W的徑向移動。圖4(a)係顯示進行顯影處理時，前述顯影液流出噴嘴31的流出口32的投影區域32a移動情況的圖，圖4(b)為顯示進行預濕時，前述顯影水氣噴霧噴嘴41的流出口42的投影區域42a移動情況的圖。圖中的P表示晶圓W的中心。
圖2中18a、18b、18c分別為顯影液流出噴嘴31、顯影水氣噴霧噴嘴41、純水流出噴嘴51的待機部，設置於外杯狀體22的外側。各噴嘴31、41、51不對晶圓W實施處理時，在這些待機部18a~18c等候。
接著，說明關於控制部100。控制部100係例如由電腦構成，有未圖示的程式容納部。此程式容納部中，容納有程式，該程式係指令之組合使能進行在後述作用所說明的顯影處理者，例如軟體構成的程式，此程式經控制部100讀取，藉而使控制部100可控制晶圓的旋轉速度、噴嘴的移動與對晶圓的顯影液、顯影水氣及純水的供給等。此程式係以收納於例如：硬碟、光碟、磁光磁片或是記憶卡等的記憶媒體的狀態，容納於程式容納部。
於移入此顯影裝置1之晶圓W的表面形成斥水性的抗蝕劑膜，前述抗蝕劑膜係按照既定的圖案受到曝光處理。此抗蝕劑之對水的靜態接觸角為例如80°以上。又，此晶圓W的大小為例如300mm~450mm。
參考圖5及圖6說明關於藉由顯影裝置1進行的一系列晶圓W的顯影處理程序。
(步驟S1：晶圓的移入)
首先，當藉由未圖示的基板輸送機構輸送上述的晶圓W至顯影裝置1，則因為此基板輸送機構與未圖示之升降銷間的協同作用，晶圓W被傳遞到旋轉夾盤11，接著，外杯狀體22及內杯狀體23設定為上昇位置。接著，旋轉夾盤11以既定的旋轉數例如50rpm~100rpm進行旋轉，同時使顯影水氣噴霧噴嘴41由待機部18b位於晶圓W的中心部上(圖5(a))。另一方面，對霧化部40中儲存的顯影液施加超音波，生成顯影水氣M。
(步驟S2：利用顯影水氣預濕的開始)
供給N2 氣體至霧化部40，並於其同時打開閥V1。霧化部40的顯影水氣M，係藉由N2 氣體供給至顯影水氣噴霧噴嘴41，由該顯影水氣噴霧噴嘴41，與N2 氣體-一起供給至晶圓W。
(步驟S3：步驟S3對晶圓整體的預濕)
顯影水氣噴霧噴嘴41由晶圓W的中心部上往周緣部上移動，供給顯影水氣M至晶圓W整體而進行預濕(圖5(c))。因為供給至晶圓W的顯影水氣M為霧狀，即小顆粒狀，故對於其抗蝕劑的表面張力較顯影液低，為了抑制在晶圓W平面內的抗蝕劑中可濕潤性高的地方凝集，對晶圓W平面內整體高均一性地供給，提高晶圓W表面整體的可濕潤性。
(步驟S4：顯影液供給的開始)
關閉閥V1，停止來自顯影水氣噴霧噴嘴41之顯影水氣M及N2 氣體的供給，顯影水氣噴霧噴嘴41退回至待機部18b，同時顯影液流出噴嘴31由待機部18a往晶圓W的周緣部上移動。晶圓W的旋轉數變成例如100rpm，顯影液流出噴嘴31對晶圓W之周緣部上帶狀地流出顯影液D(圖5(d))。
(步驟S5：顯影液液膜的形成)
顯影液流出噴嘴31一邊供給顯影液D一邊往晶圓W的中心部上移動，顯影液D由晶圓W的外側朝著內側螺旋狀地供給至晶圓W表面。接著，顯影液流出噴嘴31以流出顯影液D的狀態在晶圓W的中心部上停止，同時晶圓W的旋轉數變成例如2000rpm，供給至晶圓W的顯影液D，藉由該晶圓W在旋轉時離心力的作用，沒有空隙地濕潤擴散至附著有顯影水氣M且可濕潤性提高的晶圓W表面，於其表面整體形成顯影液D的液膜E(圖5(e))，而顯影液D滲透抗蝕劑。
(步驟S6：顯影液供給的停止)
顯影液流出噴嘴31在晶圓W中心部上停止並經過既定時間後，停止顯影液D的供給，顯影液流出噴嘴31退回至待機部18a，同時純水流出噴嘴51由待機部18c往晶圓W的中心部上移動(圖5(f))。
(步驟S7：晶圓的洗淨)
由純水流出噴嘴51對晶圓W流出純水F作為洗淨液，純水F藉由旋轉的晶圓W的離心力作用，沿著其晶圓W的表面往外側擴散。藉由此純水F的供給，由晶圓W表面沖洗掉抗蝕劑中因為顯影液D而變質的溶解性部分，而留下抗蝕劑膜中形成圖案的不溶解性部分(圖6(g))。
(步驟S8：乾燥處理)
由純水F流出開始經過既定的時間後，一方面停止該純水F的供給，使純水流出噴嘴51退回至待機部18c，一方面藉由晶圓W的旋轉，純水F由晶圓W被甩落以乾燥晶圓W(圖5(h))。然後，停止晶圓W的旋轉，將外杯狀體22及內杯狀體23降下，藉由未圖示的基板輸送機構將晶圓送出，結束顯影處理。
此顯影裝置1，具有：霧化部40，為了提高顯影液對晶圓W的可濕潤性，而將使用於預濕的顯影液霧化，生成顯影水氣；顯影水氣噴霧噴嘴41，將前述顯影水氣噴霧至前述晶圓W。將霧化的顯影液與維持液狀的顯影液相比，因為對晶圓W的表面張力小，在晶圓W上的凝集被抑制，故可輕易地供給至其表面整體，提高前述可濕潤性。就其結果而言，因為可將顯影液高均一性地供給至晶圓W，故可抑制一般無法顯影部分的發生，並抑制良品率的降低。又，與其供給大量顯影液至晶圓W使顯影液遍布其表面整體，可藉由透過顯影液的省液化而達成低成本化及使供給顯影液時間短縮化，進而達到生產量的提升。
另外，本案的發明人完成以下驗證：抗蝕劑中對顯影液溶解性部分，若只接觸到該顯影液，則不會溶出至液中而殘留於抗蝕劑膜的表面，在供給顯影液後，於晶圓W如上述添加例如水作為洗淨液時，則會溶出到液中並有分解的傾向。比起由抗蝕劑的材料組成考慮顯影時間，有時實際上需要較長的顯影時間，此情況下受該傾向影響，且顯影液朝抗蝕劑的深度方向滲透為止需耗費相當時間，又，圖案愈精細則此傾向表現得更明顯。因應如此的傾向，為了要抑制顯影液的消耗量與顯影處理所需時間變長，關於藉由上述的顯影裝置1將顯影液及水交互地反覆供給至晶圓W的顯影方法，以下參照圖7~圖9作說明。
圖7及圖8為此顯影處理的步驟圖，圖9為顯示晶圓W的縱剖面側面的變化之示意圖。圖9(a)為顯示輸送至顯影裝置1時之顯影前的晶圓W的圖，圖中61為抗蝕劑膜、62為對顯影液不溶解性部分、63為對顯影液溶解性部分。
按照上述的步驟S1~S4，預濕後開始由顯影液流出噴嘴31供給顯影液，顯影液流出噴嘴31一邊流出顯影液D，一邊往晶圓W的中心部上移動，當與步驟S5同樣地位於中心部上時，提高晶圓W的旋轉數，使供給至晶圓W的顯影液D濕潤擴散，於晶圓W表面整體形成顯影液D的液膜E(步驟T1：圖7(a))。
顯影液流出噴嘴31在晶圓W的中心部上停止，然後，純水流出噴嘴51由待機部18c朝向晶圓W的中心部上移動，同時停止顯影液D的流出(步驟T2：圖7(b))。
接著，顯影液流出噴嘴31往晶圓W的周緣部上移動，同時純水流出噴嘴51位於晶圓W中心部上，由該純水流出噴嘴51往晶圓W的中心部流出純水F，藉由離心力擴散至晶圓W的周緣部(步驟T3：圖7(c))。圖9(b)為顯示此時的晶圓W的表面狀態者，圖中64為溶解的抗蝕劑成分。如此般，與顯影液D接觸的溶解性部分63的表面溶出至液中，由抗蝕劑膜61被沖洗掉並去除。
以既定的時間持續流出純水後，停止其流出，純水流出噴嘴51往晶圓W的周緣部上移動，同時甩落晶圓W的純水(步驟T4：圖7(d))。接著，從停止純水的流出開始經過既定的時間後，在晶圓W的旋轉數降低的同時，再度由顯影液流出噴嘴31流出顯影液至晶圓W的周緣部上(步驟T5：圖7(e))，一邊持續流出一邊朝向晶圓W的中心部上。與步驟T1同樣地，當顯影液流出噴嘴31位於中心部上，同時晶圓W的旋轉數提高而顯影液D潤濕擴散，於晶圓W表面整體再度形成顯影液D的液膜E(步驟T6：圖7(f))。
從顯影液流出噴嘴31往晶圓W的中心部上移動開始經過既定的時間後，停止顯影液D的供給，顯影液流出噴嘴31往待機部18a移動，同時純水流出噴嘴51位於晶圓W的中心部上，由該純水流出噴嘴51流出純水F至晶圓W的中心部，純水F藉由離心力往晶圓W的周緣部擴散(步驟T7：圖8(g))。圖9(c)係顯示此時的晶圓W的表面之示意圖，如此圖所示，與顯影液D接觸的溶解性部分63溶出至液中，形成光阻圖案65，溶解成分64藉由純水F由抗蝕劑膜61沖洗掉並去除。洗淨晶圓W的表面後，按照上述的步驟S8，進行晶圓W的乾燥處理。
藉由如此的顯影方法，可抑制上述實施形態的未顯影部分之產生，除此效果之外，在去除與顯影液接觸的溶解性部分的表面後，再次供給顯影液而去除已接觸該顯影液的溶解性部分的表面，故可使其溶解性部分有效率地與顯影液接觸。從而，如上述般可實現顯影液使用量的減少，並可抑制顯影處理所需時間。又，可以高解析度進行顯影。也可以此實施形態所示的次數以上，反覆地供給顯影液與純水而實施。
接著，關於進行其他顯影方法的顯影裝置7，主要說明其與顯影裝置1之間的差異點。如圖10所示，此顯影裝置7具有連接於顯影水氣供給管73的顯影水氣噴霧噴嘴71，顯影水氣供給管73的上游側係透過霧化部70、流量控制部74，在流量控制部44的上游側，連接於水氣供給管43。
霧化部70係與霧化部40同樣的方式構成，氣體供給管75的一端連接於霧化部70與。氣體供給管75的另一端係透過流量控制部76，連接於氣體供給管45的流量控制部46的上游側。流量控制部74、76係與上述的流量控制部44、46同樣的方式構成。
如圖11所示，顯影水氣噴霧噴嘴71取代顯影液流出噴嘴31，透過支持部15a連接於移動基台16a，如圖12(a)所示，狹縫狀的下方具有形成開口的流出口72。如圖12(b)所示，流出口72的長邊方向的長度以較晶圓W的直徑長的方式形成，使顯影水氣噴霧噴嘴71在晶圓W上橫向移動時，能供應顯影水氣M至晶圓W整體。
就透過此顯影裝置7進行顯影手法的一例而言，例如實施上述實施形態的步驟S1~S3，晶圓W經過預濕後，停止藉由旋轉夾盤11進行晶圓W的旋轉。然後，使顯影水氣噴霧噴嘴71位於晶圓W的一端側，使顯影水氣M一邊噴霧一邊往晶圓W的另一端側移動，供給顯影水氣M至晶圓W整體。在此，所噴霧的顯影水氣M，為例如較在預濕時所噴霧的顯影水氣M為高濃度者，就為了使晶圓W顯影而言，視為充分者。
因為藉由預濕，顯影水氣M對晶圓W表面的親和性變高，故由顯影水氣噴霧噴嘴71供給的顯影水氣M高效率地附著於晶圓W表面，使晶圓W表面的顯影水氣M的濃度變高，晶圓W的表面變質而發生顯影。然後，按照步驟S7洗淨晶圓W，去除抗蝕劑的溶解性部分，按照步驟S8進行晶圓W的乾燥。
可於此顯影裝置7中如上述的實施形態般，反覆地進行：由顯影水氣噴霧噴嘴71供給顯影水氣M；與由純水流出噴嘴51流出純水。又，為了進行顯影而供給顯影水氣的噴嘴的形狀，並不限於上述的示例，惟因為上述示例的顯影水氣噴霧噴嘴71的形狀可供給大量顯影水氣至晶圓W的大範圍，對於如此般透過水氣進行的顯影處理十分有効。又，也可與預濕時同樣地，一邊使晶圓W旋轉一邊供給顯影水氣。又，預濕使用的表面處理液並不限於顯影液，例如也可為純水或純水與顯影液的混合液。
以下，說明關於內裝有上述的顯影裝置1之塗佈‧顯影裝置101。圖13為顯示於塗佈‧顯影裝置101連接有例如進行液浸曝光的曝光裝置C4的光阻圖案形成系統的俯視圖，圖14為該系統的立體圖。又，圖15為塗佈‧顯影裝置101的縱剖面圖。此塗佈‧顯影裝置101設置有載持區C1：傳遞臂112由該裝載台111上裝載的密閉型載具110取出晶圓W而往處理區C2傳遞，傳遞臂112由處理區C2取出處理完畢的晶圓W並回到載具110。載具110含有多枚的晶圓W，各晶圓W依序被輸送至處理區C2。
前述處理區C2係如圖14所示，在此例中係從下開始順序堆疊而構成，包括：為了實施顯影處理的第1區(DEV層) B1；為了進行形成於抗蝕劑膜下層的反射防止膜的形成處理之第2區(BCT層) B2；為了實施抗蝕劑膜的塗佈的第3區(COT層) B3；為了進行形成於抗蝕劑膜上層側的保護膜之形成的第4區(ITC層) B4。
處理區C2的各層，係與俯視圖同樣的構成。若以第3區(COT層) B3為例說明，則COT層B3係由以下構成：抗蝕劑膜形成模組，係為了形成作為塗佈膜的抗蝕劑膜者；承載單元U1~U4構成加熱‧冷卻系統的處理模組群，加熱‧冷卻系統處理模組係實施在此抗蝕劑膜形成模組進行的處理的前處理及後處理；輸送臂A3，係設置於前述抗蝕劑膜形成模組與加熱‧冷卻系統的處理模組群之間，在此等之間進行晶圓的傳遞。
前述承載單元U1~U4係沿輸送臂A3移動的輸送區R1配置，藉由堆疊上述的加熱模組與冷卻模組而構成。加熱模組具有為了將裝載的晶圓加熱的加熱板，冷卻模組具有為了將裝載的晶圓冷卻的冷卻板。
第2區(BCT層) B2、第4區(ITC層) B4，分別設置相當於前述抗蝕劑膜形成模組的反射防止膜形成模組、保護膜形成模組，在此等模組中除了分別以反射防止膜形成用的藥液及保護膜形成用的藥液來取代光阻劑作為處理液供給至晶圓W以外，與COT層B3同樣的構成。
關於第1區(DEV層) B1，一個DEV層B1內堆疊2段對應於抗蝕劑膜形成模組的顯影模組113；各顯影模組113具有：3座相當於上述的顯影裝置1或7的顯影處理部；與包含此等顯影處理部之各顯影處理部共有的筐體。又，於DEV層B1設置有構成加熱‧冷卻系統的處理模組群之承載單元U1~U4，加熱‧冷卻系統處理模組係進行此顯影模組113的前處理及後處理。接著，DEV層B1內設置有輸送臂A1，以輸送晶圓W至此等2段的顯影模組與前述加熱‧冷卻系統的處理模組。亦即，對2段的顯影模組而言，輸送臂A1成為共有的構成。此輸送臂A1相當於上述的基板輸送機構。
又，於處理區C2，如圖13及圖15所示，設置有承載單元U5，來自載持區C1的晶圓W被依序搬往前述承載單元U5的其中之一的傳遞單元，例如對應於第2區(BCT層) B2的傳遞單元CPL2。第2區(BCT層) B2內的輸送臂A2由此傳遞單元CPL2接收晶圓W，往各單元(反射防止膜形成模組及加熱‧冷卻系統的處理單元群)輸送，晶圓在此等單元形成反射防止膜。
之後，晶圓W往承載單元U5的傳遞單元BF2、傳遞臂D1、承載單元U5的傳遞單元CPL3輸送，在該處溫度調整至例如23℃後，透過輸送臂A3移入第3區(COT層)B3，在抗蝕劑膜形成模組形成抗蝕劑膜。又，晶圓W係輸送臂A3→承載單元U5的傳遞單元BF3傳遞。又，形成抗蝕劑膜的晶圓W，有時又在第4區(ITC層)B4形成保護膜。此情況，晶圓W係透過傳遞單元CPL4往輸送臂A4傳遞，形成保護膜後，藉由輸送臂A4往傳遞單元TRS4傳遞。
另一方面，DEV層B1內的上部設置有穿梭臂115，係為了將晶圓由設置於承載單元U5的傳遞單元CPL11，直接輸送至設置於承載單元U6的傳遞單元CPL12的專用輸送機構。形成抗蝕劑膜或保護膜的晶圓W透過傳遞臂D1，由傳遞單元BF3、TRS4接收並傳遞至傳遞單元CPL11，於此開始藉由穿梭臂115直接輸送至承載單元U6的傳遞單元CPL12，取入介面區C3。又，圖15中附有CPL的傳遞單元可兼為溫度調節用的冷卻單元，附有BF的傳遞單元可兼為裝載多枚晶圓W的緩衝單元。
接著，藉由介面臂116將晶圓W往曝光裝置C4輸送，在此進行既定的曝光處理後，裝載於承載單元U6的傳遞單元TRS6並回送到處理區C2。回送的晶圓W在第1區(DEV層)B1進行顯影處理，藉由輸送臂A1往承載單元U5的傳遞單元TRS1傳遞。之後，透過傳遞臂112退回到載具110。
1、7．．．顯影裝置
11．．．旋轉夾盤
12．．．旋轉軸
13．．．驅動機構
15a、15b、15c．．．噴嘴臂
16a、16b、16c．．．移動基台
17a、17b．．．引導部材
18a、18b、18c．．．待機部
21．．．杯狀體
22．．．外杯狀體
23．．．內杯狀體
24．．．升降部
25．．．圓形板
26．．．受液部
27．．．排液排出口
28．．．環狀部材
31．．．顯影液流出噴嘴
32、42、52、72．．．流出口
32a．．．顯影流出噴嘴31之流出口32的投影區
33．．．顯影液供給管
34．．．流量控制部
35．．．顯影液供給源
40、70．．．霧化部
41．．．顯影水氣噴霧噴嘴
42a．．．顯影水氣噴霧噴嘴41之流出口42的投影區
43．．．水氣供給管
44、46、54、74、76．．．流量控制部
45．．．氣體供給管
47．．．N2 氣體供給源
51．．．純水流出噴嘴
53．．．純水供給管
55．．．純水供給源
61．．．抗蝕劑膜
62．．．對顯影液不溶解性部分
63．．．對顯影液溶解性部分
64．．．溶解的抗蝕劑成分
65．．．光阻圖案
71．．．顯影水氣噴霧噴嘴
73．．．顯影水氣供給管
75．．．氣體供給管
100．．．控制部
101．．．佈顯影裝置
110．．．載具
111．．．載置台
112．．．傳遞臂
113．．．顯影模組
115．．．穿梭臂
116．．．介面臂
200．．．可濕潤性高的區
201．．．未濕潤的區
a~f．．．控制信號
A1、A2、A3、A4．．．輸送臂
B1．．．DEV層
B2．．．BCT層
B3．．．COT層
B4．．．ITC層
BF2、BF3、CPL2、CPL3、CPL4、CPL11、CPL12、TRS1、TRS4、TRS6．．．傳遞單元
C1．．．載持區
C2．．．處理區
C3．．．介面區
C4．．．曝光裝置
D．．．顯影液
D1．．．傳遞臂
E．．．液膜
F．．．純水
L1．．．流出口32的長邊方向的長度
L2．．．流出口32的短邊方向的長度
L3．．．流出口42的口徑
M．．．顯影水氣
P．．．晶圓W的中心
R1‧‧‧輸送裝置
U1~U6‧‧‧承載單元
V1‧‧‧閥
W‧‧‧半導體晶圓
圖1為顯示有關本發明之實施形態的顯影裝置的縱剖面側面圖。
圖2為顯示前述顯影裝置的俯視圖。
圖3為顯示設置於前述顯影裝置的顯影液流出噴嘴及噴霧噴嘴的立體圖。
圖4為顯示顯影液流出噴嘴及噴霧噴嘴移動情況的說明圖。
圖5(a)~(f)為顯示透過前述顯影裝置進行的顯影步驟的作用圖。
圖6(g)~(h)為顯示透過前述顯影裝置進行的顯影步驟的作用圖。
圖7(a)~(f)為顯示透過前述顯影裝置進行的其他顯影步驟的作用圖。
圖8(g)為顯示前述顯影裝置的其他顯影步驟的作用圖。
圖9(a)~(c)為顯示前述顯影步驟而造成的晶圓表面變化的情況之示意圖。
圖10為顯示其他顯影裝置的縱剖面側面圖。
圖11為顯示前述顯影裝置的橫剖面側面圖。
圖12(a)~(b)為顯示前述顯影裝置之顯影液噴霧噴嘴的立體圖。
圖13為顯示具有前述顯影裝置的塗佈‧顯影裝置的俯視圖。
圖14為顯示前述塗佈‧顯影裝置的立體圖。
圖15為顯示前述塗佈‧顯影裝置的縱剖面俯視圖。
圖16為顯示顯影的晶圓表面的示意圖。
1．．．顯影裝置
11．．．旋轉夾盤
12．．．旋轉軸
13．．．驅動機構
21．．．杯狀體
22．．．外杯狀體
23．．．內杯狀體
24．．．升降部
25．．．圓形板
26．．．受液部
27．．．排液排出口
28．．．環狀構件
31．．．顯影液流出噴嘴
33．．．顯影液供給管
34、44、46、54．．．流量控制部
35．．．顯影液供給源
40．．．霧化部
41．．．顯影水氣噴霧噴嘴
43．．．水氣供給管
45．．．氣體供給管
47．．．N2 氣體供給源
51．．．純水流出噴嘴
53．．．純水供給管
55．．．純水供給源
100．．．控制部
a~f．．．控制信號
V1．．．閥
W．．．半導體晶圓

Claims (2)

  1. 一種顯影裝置，包含：基板保持部，其以可繞鉛直旋轉軸方向旋轉的方式水平保持表面塗佈有抗蝕劑且曝光後的基板；表面處理液霧化機構，其具有儲槽來儲存用於提高顯影液對該基板的可濕潤性之該表面處理液，並具有振動器來施加超音波至該儲槽儲存之表面處理液體以產生霧化的表面處理液，其中該霧化的表面處理液之粒子徑在3μm以下，且該表面處理液霧化機構連結至供給用來載運該霧化的表面處理液之載體氣體的載體氣體供給源；第1噴霧噴嘴，其連接於該表面處理液霧化機構，將霧化的該表面處理液噴霧至該基板；移動機構，使該第1噴霧噴嘴在基板保持部所保持基板的中央部之上的位置與周緣部之上的位置之間移動；顯影液霧化機構，其霧化顯影液；第2噴霧噴嘴，其連接於該顯影液霧化機構，將霧化的顯影液噴霧至該基板而進行顯影，其中該表面處理液含有該顯影液，且來自該第2噴霧噴嘴之該霧化的顯影液之濃度高於該表面處理液中含有的該顯影液之濃度；洗淨液流出噴嘴，其位於基板保持部所保持基板之上，為了洗淨基板而供給洗淨液至已供給有顯影液的基板；及控制部，其控制該第2噴霧噴嘴與該洗淨液流出噴嘴的動作；該控制部輸出控制信號，而使以下步驟反覆進行：顯影液供給步驟，其由第2噴霧噴嘴供給顯影液至基板；然後，洗淨液流出步驟，其由洗淨液流出噴嘴流出洗淨液。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯影裝置，其中更包含：流量控制部，控制從載體氣體供給源供給至霧化部的載體氣體之流量；且該控制部輸出對應於載體氣體之流量的控制信號至該流量控制部。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4853537B2 (ja) * 2009-03-13 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP4893799B2 (ja) * 2009-10-23 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
CN102566326A (zh) * 2010-12-08 2012-07-11 无锡华润上华科技有限公司 显影装置
JP6272138B2 (ja) * 2014-05-22 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
KR101658969B1 (ko) * 2014-07-07 2016-09-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6545464B2 (ja) * 2015-01-07 2019-07-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像方法
US9589820B2 (en) * 2015-05-29 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus and adjustment method
CN104932209A (zh) * 2015-06-26 2015-09-23 湘能华磊光电股份有限公司 一种改进的图形化衬底显影方法
JP2019169624A (ja) * 2018-03-23 2019-10-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像方法
CN110127466B (zh) * 2019-05-21 2021-03-30 孙鹏宇 智能电梯系统及其控制方法
JP7291547B2 (ja) * 2019-06-11 2023-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7360973B2 (ja) 2020-02-27 2023-10-13 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
CN113391528A (zh) * 2020-03-11 2021-09-14 长鑫存储技术有限公司 改善光阻显影均匀性的方法
KR20210149961A (ko) * 2020-06-02 2021-12-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN113703291A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 长春长光圆辰微电子技术有限公司 一种显影模块及显影方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277268A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US20080305434A1 (en) * 2004-07-15 2008-12-11 Takanori Nishi Developing Apparatus and Developing Method

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61259522A (ja) * 1985-05-13 1986-11-17 Sony Corp 現像装置
JPH01302725A (ja) * 1988-05-30 1989-12-06 Nec Corp フォトレジストの現像方法
JPH0320017A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp 半導体製造装置
JP2941085B2 (ja) * 1991-05-13 1999-08-25 共同印刷株式会社 フォトレジストの現像方法および現像装置
US5307992A (en) * 1992-11-18 1994-05-03 Usbi Co. Method and system for coating a substrate with a reinforced resin matrix
JPH08138997A (ja) * 1994-11-09 1996-05-31 Asahi Kasei Micro Syst Kk フォトレジストの現像方法
EP0769725A3 (en) * 1995-10-20 1997-10-15 Texas Instruments Inc Method and apparatus for developing photoresists
JPH10303106A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Toshiba Corp 現像処理装置およびその処理方法
US5933902A (en) * 1997-11-18 1999-08-10 Frey; Bernhard M. Wafer cleaning system
JP3612231B2 (ja) 1999-02-10 2005-01-19 東京エレクトロン株式会社 ノズル装置及び現像方法
JP2002016031A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 基板処理方法
JP3926544B2 (ja) * 2000-08-25 2007-06-06 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP3933576B2 (ja) * 2000-10-13 2007-06-20 旭化成ケミカルズ株式会社 感光性樹脂凸版の現像方法及び現像装置
DE10101367A1 (de) * 2001-01-13 2002-08-01 Itw Oberflaechentechnik Gmbh Sprühverfahren und Sprühvorrichtung für Beschichtungsflüssigkeit
JP2002292315A (ja) * 2001-03-29 2002-10-08 Kyocera Corp 噴霧装置およびそれを用いた現像方法
US20040250757A1 (en) * 2001-06-22 2004-12-16 Susumu Natsuyama Powder particle processing device
JP3774413B2 (ja) * 2002-03-04 2006-05-17 株式会社東芝 現像方法
JP3913633B2 (ja) * 2002-08-01 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
SG138212A1 (zh) * 2005-06-13 2008-01-28
JP2008034746A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4853537B2 (ja) * 2009-03-13 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277268A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US20080305434A1 (en) * 2004-07-15 2008-12-11 Takanori Nishi Developing Apparatus and Developing Method

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