JP2002175973A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2002175973A JP2002175973A JP2000374253A JP2000374253A JP2002175973A JP 2002175973 A JP2002175973 A JP 2002175973A JP 2000374253 A JP2000374253 A JP 2000374253A JP 2000374253 A JP2000374253 A JP 2000374253A JP 2002175973 A JP2002175973 A JP 2002175973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- chuck
- air cylinder
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高粘度のレジストや濡れ性の悪い基板に対し
ても少量のレジストで塗布可能な半導体製造装置及び半
導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ウエハ１はチャック１３の上面に保持さ
れ，チャック１３は，スピンモータ１５，モータ台座１
７，エアシリンダ軸１９に連結されている。スピンモー
タ１５は鉛直軸まわりに回転可能であり，エアシリンダ
軸１９は上下方向に移動可能である。ウエハ１上にレジ
スト５が滴下されると，スピンモータ１５が回転すると
同時に，エアシリンダ２１にエアが供給されてエアシリ
ンダ軸１９が上方向に移動する。これらの動作により，
チャック１３は回転しながら上方向に移動する。レジス
ト５はウエハ１に押し付けられながら広がり，ウエハ１
上に塗布される。
ても少量のレジストで塗布可能な半導体製造装置及び半
導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ウエハ１はチャック１３の上面に保持さ
れ，チャック１３は，スピンモータ１５，モータ台座１
７，エアシリンダ軸１９に連結されている。スピンモー
タ１５は鉛直軸まわりに回転可能であり，エアシリンダ
軸１９は上下方向に移動可能である。ウエハ１上にレジ
スト５が滴下されると，スピンモータ１５が回転すると
同時に，エアシリンダ２１にエアが供給されてエアシリ
ンダ軸１９が上方向に移動する。これらの動作により，
チャック１３は回転しながら上方向に移動する。レジス
ト５はウエハ１に押し付けられながら広がり，ウエハ１
上に塗布される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体集積回路の
製造工程の一部であるホトリソグラフィ工程においてレ
ジスト塗布に用いられる半導体製造装置及び該半導体製
造装置を用いた半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
製造工程の一部であるホトリソグラフィ工程においてレ
ジスト塗布に用いられる半導体製造装置及び該半導体製
造装置を用いた半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路を製造するホトリソグラ
フィ工程においては，半導体ウエハにレジストを塗布す
る工程が必要である。従来，レジスト塗布に用いられて
いる装置の原理を図３に示す。前工程より搬送されてき
たウエハ１はセンタリングされ，チャック３により保持
される。ウエハ１の上にレジスト５を滴下し，チャック
３を鉛直軸まわりに回転させる。回転することにより，
レジスト５はウエハ１の全面に広げられ，ウエハ１上に
塗布される。チャック３の回転速度，回転時間を適宜設
定することにより，レジスト５の膜厚を所望量にする。
フィ工程においては，半導体ウエハにレジストを塗布す
る工程が必要である。従来，レジスト塗布に用いられて
いる装置の原理を図３に示す。前工程より搬送されてき
たウエハ１はセンタリングされ，チャック３により保持
される。ウエハ１の上にレジスト５を滴下し，チャック
３を鉛直軸まわりに回転させる。回転することにより，
レジスト５はウエハ１の全面に広げられ，ウエハ１上に
塗布される。チャック３の回転速度，回転時間を適宜設
定することにより，レジスト５の膜厚を所望量にする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，図３に示し
た構成の装置では，高粘度のレジストや濡れ性の悪い基
板にレジストを塗布しようとした場合，図４に示すよう
な不都合が発生していた。すなわち，レジスト液が上に
飛び散って塗布不良が発生したり，レジストとウエハと
の界面に気泡を巻き込んで欠陥の原因となったりしてい
た。また，これらのことを防ぐためには，必要以上の量
のレジストを滴下しなければならないという問題があっ
た。
た構成の装置では，高粘度のレジストや濡れ性の悪い基
板にレジストを塗布しようとした場合，図４に示すよう
な不都合が発生していた。すなわち，レジスト液が上に
飛び散って塗布不良が発生したり，レジストとウエハと
の界面に気泡を巻き込んで欠陥の原因となったりしてい
た。また，これらのことを防ぐためには，必要以上の量
のレジストを滴下しなければならないという問題があっ
た。
【０００４】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
もので，その目的とするところは，高粘度のレジストや
濡れ性の悪い基板に対しても少量のレジストで塗布可能
な半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
もので，その目的とするところは，高粘度のレジストや
濡れ性の悪い基板に対しても少量のレジストで塗布可能
な半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために第１の発明は，ウエハ上にレジストを滴下して前
記ウエハを保持した保持部を回転させることにより前記
ウエハ上に前記レジストを塗布する半導体製造装置であ
って，前記保持部を上下方向に移動可能な上下方向移動
手段を具備することを特徴とする半導体製造装置であ
る。
ために第１の発明は，ウエハ上にレジストを滴下して前
記ウエハを保持した保持部を回転させることにより前記
ウエハ上に前記レジストを塗布する半導体製造装置であ
って，前記保持部を上下方向に移動可能な上下方向移動
手段を具備することを特徴とする半導体製造装置であ
る。
【０００６】かかる構成によれば，ウエハ上にレジスト
を滴下した後，ウエハ保持部を回転させながら上方向に
移動させることができる。この動作により，レジストを
ウエハに押し付けながら広がらせることができ，塗布不
良や気泡の巻き込みを防止できる。よって，回転のみに
よって塗布する場合よりも少量のレジストで塗布可能と
なる。
を滴下した後，ウエハ保持部を回転させながら上方向に
移動させることができる。この動作により，レジストを
ウエハに押し付けながら広がらせることができ，塗布不
良や気泡の巻き込みを防止できる。よって，回転のみに
よって塗布する場合よりも少量のレジストで塗布可能と
なる。
【０００７】なお，その際に前記上下方向移動手段は，
移動速度を任意に設定可能なよう構成することが好まし
い。ここでいう速度の設定とは，速度変化の設定，つま
り加速度の設定も含む。加速度をもって移動することに
より，慣性力が発生し，慣性力でレジストをウエハに押
し付けることができる。
移動速度を任意に設定可能なよう構成することが好まし
い。ここでいう速度の設定とは，速度変化の設定，つま
り加速度の設定も含む。加速度をもって移動することに
より，慣性力が発生し，慣性力でレジストをウエハに押
し付けることができる。
【０００８】第２の発明は，保持部に保持されたウエハ
上にレジストを滴下する工程と，前記滴下する工程の
後，前記保持部を回転させながら，前記保持部を上昇さ
せる工程と，前記上昇された保持部より，前記ウエハを
横方向から搬送する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法である。
上にレジストを滴下する工程と，前記滴下する工程の
後，前記保持部を回転させながら，前記保持部を上昇さ
せる工程と，前記上昇された保持部より，前記ウエハを
横方向から搬送する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法である。
【０００９】かかる構成によれば，ウエハ上にレジスト
を滴下した後，ウエハ保持部を回転させながら上方向に
移動させることができる。この動作により，レジストを
ウエハに押し付けながら広がらせることができ，塗布不
良や気泡の巻き込みを防止できる。よって，回転のみに
よって塗布する場合よりも少量のレジストで塗布可能と
なる。さらに，上昇された保持部よりウエハを搬送する
ことにより，効率良くウエハの搬送を行うことができ
る。
を滴下した後，ウエハ保持部を回転させながら上方向に
移動させることができる。この動作により，レジストを
ウエハに押し付けながら広がらせることができ，塗布不
良や気泡の巻き込みを防止できる。よって，回転のみに
よって塗布する場合よりも少量のレジストで塗布可能と
なる。さらに，上昇された保持部よりウエハを搬送する
ことにより，効率良くウエハの搬送を行うことができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下，図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は，本発明の第１の実
施の形態に係る半導体製造装置を示す図である。ウエハ
１はチャック１３の上面に保持されている。チャック１
３は，スピンモータ１５に接続されている。スピンモー
タ１５は，鉛直軸まわりに回転可能であり，スピンモー
タ１５の回転に伴ないチャック１３も鉛直軸まわりに回
転する。
施の形態を詳細に説明する。図１は，本発明の第１の実
施の形態に係る半導体製造装置を示す図である。ウエハ
１はチャック１３の上面に保持されている。チャック１
３は，スピンモータ１５に接続されている。スピンモー
タ１５は，鉛直軸まわりに回転可能であり，スピンモー
タ１５の回転に伴ないチャック１３も鉛直軸まわりに回
転する。
【００１１】スピンモータ１５はモータ台座１７を介し
て，エアシリンダ軸１９に連結されている。エアシリン
ダ軸１９は，筒状のエアシリンダ２１の内面に摺動しな
がら上下方向に移動可能である。エアシリンダ２１の内
部は不図示のエア供給装置に連通している。
て，エアシリンダ軸１９に連結されている。エアシリン
ダ軸１９は，筒状のエアシリンダ２１の内面に摺動しな
がら上下方向に移動可能である。エアシリンダ２１の内
部は不図示のエア供給装置に連通している。
【００１２】エア供給装置によるエアの供給，排出に伴
ない，エアシリンダ軸１９が上下方向に移動する。エア
供給圧力を変えることにより，エアシリンダ軸１９の上
方向への移動速度および加速度を変化できる。エアシリ
ンダ軸１９の上下方向の移動に伴ない，ウエハ１，チャ
ック１３，スピンモータ１５，モータ台座１７が一体的
に上下方向に移動する。
ない，エアシリンダ軸１９が上下方向に移動する。エア
供給圧力を変えることにより，エアシリンダ軸１９の上
方向への移動速度および加速度を変化できる。エアシリ
ンダ軸１９の上下方向の移動に伴ない，ウエハ１，チャ
ック１３，スピンモータ１５，モータ台座１７が一体的
に上下方向に移動する。
【００１３】モータ台座１７の周囲には，下端を装置底
板２３に固定され，モータ台座１７の移動経路に沿うよ
う十分な長さを有する棒状の上下動ガイド２５が設けら
れている。図１では図を簡単にするため，上下動ガイド
２５は１本しか示されていないが，実際には，モータ台
座１７の側面に対向するよう側面と同数の４本が設けら
れている。上下動ガイド２５とモータ台座１７の間隔は
微小であるか，あるいは軽く接触するよう構成されてい
る。上下動ガイド２５はモータ台座１７が傾いて上下動
するのを防ぎ，モータ台座１７がまっすぐ上下動するた
めのガイドとしての機能を果たす。
板２３に固定され，モータ台座１７の移動経路に沿うよ
う十分な長さを有する棒状の上下動ガイド２５が設けら
れている。図１では図を簡単にするため，上下動ガイド
２５は１本しか示されていないが，実際には，モータ台
座１７の側面に対向するよう側面と同数の４本が設けら
れている。上下動ガイド２５とモータ台座１７の間隔は
微小であるか，あるいは軽く接触するよう構成されてい
る。上下動ガイド２５はモータ台座１７が傾いて上下動
するのを防ぎ，モータ台座１７がまっすぐ上下動するた
めのガイドとしての機能を果たす。
【００１４】また，装置側板２７には，一端が装置側板
２７に固定され，水平方向に長辺を有する棒状のストッ
パ２９が設けられている。ストッパ２９の他端は，モー
タ台座１７の上方に位置しており，モータ台座１７が上
方向に移動してストッパ２９に当接すると，モータ台座
１７の移動が停止するよう構成されている。すなわち，
ストッパ２９により，モータ台座１７の移動上限位置が
定められる。なお，ストッパ２９の装置側板２７に対す
る固定位置は鉛直方向に変更可能なよう構成されてい
る。したがって，モータ台座１７の移動上限位置も変更
可能である。
２７に固定され，水平方向に長辺を有する棒状のストッ
パ２９が設けられている。ストッパ２９の他端は，モー
タ台座１７の上方に位置しており，モータ台座１７が上
方向に移動してストッパ２９に当接すると，モータ台座
１７の移動が停止するよう構成されている。すなわち，
ストッパ２９により，モータ台座１７の移動上限位置が
定められる。なお，ストッパ２９の装置側板２７に対す
る固定位置は鉛直方向に変更可能なよう構成されてい
る。したがって，モータ台座１７の移動上限位置も変更
可能である。
【００１５】本実施の形態においては，ウエハ１の上方
向への移動経路は，次工程へのウエハ１の搬送経路にな
るよう構成されている。また，不図示の装置により，上
方向へ移動したウエハを横方向から搬送できるよう構成
されている。
向への移動経路は，次工程へのウエハ１の搬送経路にな
るよう構成されている。また，不図示の装置により，上
方向へ移動したウエハを横方向から搬送できるよう構成
されている。
【００１６】次に，本実施の形態の動作について説明す
る。前工程より搬送されてきたウエハ１はセンタリング
された後，チャック３により保持され，ウエハ１上にレ
ジスト５が滴下される。この状態では，エアシリンダ軸
１９は移動範囲の最下位置に位置している。そして，ス
ピンモータ１５が回転すると同時に，エアシリンダ２１
にエアが供給されて，エアシリンダ軸１９が上下動ガイ
ド２５に沿って上方向に所定の加速度をもって移動す
る。
る。前工程より搬送されてきたウエハ１はセンタリング
された後，チャック３により保持され，ウエハ１上にレ
ジスト５が滴下される。この状態では，エアシリンダ軸
１９は移動範囲の最下位置に位置している。そして，ス
ピンモータ１５が回転すると同時に，エアシリンダ２１
にエアが供給されて，エアシリンダ軸１９が上下動ガイ
ド２５に沿って上方向に所定の加速度をもって移動す
る。
【００１７】上記動作に伴ない，チャック１３は回転し
ながら上方向に移動する。回転により，レジスト５はウ
エハ１の全面に広げられる。上方向への加速度をもった
移動により，レジスト５には下向きの慣性力が働き，レ
ジスト５はウエハ１に押し付けられる。これらの動作に
より，レジスト塗布が行われる。
ながら上方向に移動する。回転により，レジスト５はウ
エハ１の全面に広げられる。上方向への加速度をもった
移動により，レジスト５には下向きの慣性力が働き，レ
ジスト５はウエハ１に押し付けられる。これらの動作に
より，レジスト塗布が行われる。
【００１８】そして，上方向へ所定距離移動したところ
で，モータ台座１７がストッパ２９に当接し，上方向の
移動が停止する。また，スピンモータ１５の回転も停止
し，レジスト塗布が終了する。このようにレジスト塗布
が終了したウエハは，不図示の装置により，横方向から
搬送され，次工程のための処理が施される。
で，モータ台座１７がストッパ２９に当接し，上方向の
移動が停止する。また，スピンモータ１５の回転も停止
し，レジスト塗布が終了する。このようにレジスト塗布
が終了したウエハは，不図示の装置により，横方向から
搬送され，次工程のための処理が施される。
【００１９】以上述べたように，本実施の形態によれ
ば，レジスト５はウエハ１に押し付けられながら広がる
ため，高粘度のレジストや濡れ性の悪い基板に対して
も，塗布不良や気泡巻き込みを防止できる。よって，必
要量以上のレジストを滴下する必要も無く，従来の回転
のみによって塗布する装置に比べ，少量のレジストで塗
布可能となる。
ば，レジスト５はウエハ１に押し付けられながら広がる
ため，高粘度のレジストや濡れ性の悪い基板に対して
も，塗布不良や気泡巻き込みを防止できる。よって，必
要量以上のレジストを滴下する必要も無く，従来の回転
のみによって塗布する装置に比べ，少量のレジストで塗
布可能となる。
【００２０】本実施の形態では，エア供給圧力を変える
ことにより，上下方向の移動速度および加速度を任意に
設定できる。また，ストッパ２９の固定位置を変更する
ことにより，移動上限位置を変化でき，上下方向の移動
距離を任意に設定できる。
ことにより，上下方向の移動速度および加速度を任意に
設定できる。また，ストッパ２９の固定位置を変更する
ことにより，移動上限位置を変化でき，上下方向の移動
距離を任意に設定できる。
【００２１】したがって，使用するレジスト５の粘度お
よびウエハ１の濡れ性に応じて移動速度および加速度，
移動距離を設定することが可能である。例えば，粘度が
低く広がりやすいレジスト５の場合は加速度を小さくし
移動距離を短くし，粘度が高く広がりにくいものでは加
速度を大きくし移動距離を長くする。このように，レジ
ストやウエハのそれぞれの特性に合わせて，最適な条件
を設定することができる。よって，従来の装置よりも少
量のレジスト量でよりいっそう良好に塗布することが可
能になる。
よびウエハ１の濡れ性に応じて移動速度および加速度，
移動距離を設定することが可能である。例えば，粘度が
低く広がりやすいレジスト５の場合は加速度を小さくし
移動距離を短くし，粘度が高く広がりにくいものでは加
速度を大きくし移動距離を長くする。このように，レジ
ストやウエハのそれぞれの特性に合わせて，最適な条件
を設定することができる。よって，従来の装置よりも少
量のレジスト量でよりいっそう良好に塗布することが可
能になる。
【００２２】また，上方向への移動経路が次工程へのウ
エハの搬送経路にもなるよう構成されているため，レジ
スト塗布工程およびウエハ搬送工程を同時に行うことが
できる。よって，ウエハ搬送時間を短縮することができ
る。
エハの搬送経路にもなるよう構成されているため，レジ
スト塗布工程およびウエハ搬送工程を同時に行うことが
できる。よって，ウエハ搬送時間を短縮することができ
る。
【００２３】なお，上下方向に移動させる手段として，
ここでは，エアシリンダ２１を用いたが，これに限定す
るものではない。上下方向移動手段としては様々なもの
が考えられる。例えば，エアシリンダ２１の代わりにス
テッピングモータを使用して，移動距離をステッピング
モータの回転数で，移動速度を回転速度で変えるように
してもよい。ステッピングモータを用いれば，高精度に
移動距離を制御できる。
ここでは，エアシリンダ２１を用いたが，これに限定す
るものではない。上下方向移動手段としては様々なもの
が考えられる。例えば，エアシリンダ２１の代わりにス
テッピングモータを使用して，移動距離をステッピング
モータの回転数で，移動速度を回転速度で変えるように
してもよい。ステッピングモータを用いれば，高精度に
移動距離を制御できる。
【００２４】図２は，本発明の第２の実施の形態にかか
る装置の主要部側面図である。本実施の形態の特徴は，
チャック１３の下に羽根４１を設けた点である。チャッ
ク１３を支える支柱４３は筒状であり，その中に回転軸
４７が挿入されている。チャック１３，支柱４３は，回
転軸４７に対し一体的に上下方向に移動可能である。回
転軸４７は不図示の回転手段に連結されており，鉛直軸
まわりに回転可能である。回転軸４７の回転に伴ない，
支柱４３，チャック１３も回転する。
る装置の主要部側面図である。本実施の形態の特徴は，
チャック１３の下に羽根４１を設けた点である。チャッ
ク１３を支える支柱４３は筒状であり，その中に回転軸
４７が挿入されている。チャック１３，支柱４３は，回
転軸４７に対し一体的に上下方向に移動可能である。回
転軸４７は不図示の回転手段に連結されており，鉛直軸
まわりに回転可能である。回転軸４７の回転に伴ない，
支柱４３，チャック１３も回転する。
【００２５】支柱４３の側面には鉛直方向に長辺を有す
る略長方形状の溝４５が設けられている。回転軸４７に
はストッパ４９が設けられており，ストッパ４９は溝４
５から外部に向かって突出している。支柱４３が上下方
向に移動すると，ストッパ４９が溝４５の縁に当接し，
支柱４３の移動が停止するよう構成されている。
る略長方形状の溝４５が設けられている。回転軸４７に
はストッパ４９が設けられており，ストッパ４９は溝４
５から外部に向かって突出している。支柱４３が上下方
向に移動すると，ストッパ４９が溝４５の縁に当接し，
支柱４３の移動が停止するよう構成されている。
【００２６】次に，本実施の形態の動作について説明す
る。ウエハ１がチャック３により保持され，ウエハ１上
にレジスト５が滴下される。この状態ではストッパ４９
は溝４５の上端に位置している。そして，回転手段によ
り回転軸４７が鉛直軸まわりに回転すると共に，チャッ
ク１３も回転する。
る。ウエハ１がチャック３により保持され，ウエハ１上
にレジスト５が滴下される。この状態ではストッパ４９
は溝４５の上端に位置している。そして，回転手段によ
り回転軸４７が鉛直軸まわりに回転すると共に，チャッ
ク１３も回転する。
【００２７】回転が起こると，羽根４１があるために，
揚力が生じ，チャック１３を上に押し上げる。その際
に，チャック１３と共に支柱４３も上方向に移動する。
すなわち，本実施の形態においても第1の実施の形態と
同様に，チャック１３は回転しながら上方向に移動し，
レジスト５はウエハ１に押し付けられながら広がり塗布
される。そして，上方向へ所定距離移動したところで，
溝４５の下辺がストッパ４９に当接することにより移動
が停止する。
揚力が生じ，チャック１３を上に押し上げる。その際
に，チャック１３と共に支柱４３も上方向に移動する。
すなわち，本実施の形態においても第1の実施の形態と
同様に，チャック１３は回転しながら上方向に移動し，
レジスト５はウエハ１に押し付けられながら広がり塗布
される。そして，上方向へ所定距離移動したところで，
溝４５の下辺がストッパ４９に当接することにより移動
が停止する。
【００２８】よって，本実施の形態においても，レジス
ト５はウエハ１に押し付けられながら広がるため，高粘
度のレジストや濡れ性の悪い基板に対しても，塗布不良
や気泡巻き込みを防止できる。よって，必要量以上のレ
ジストを滴下する必要も無く，従来の回転のみによって
塗布する装置に比べ，少量のレジストで塗布可能とな
る。
ト５はウエハ１に押し付けられながら広がるため，高粘
度のレジストや濡れ性の悪い基板に対しても，塗布不良
や気泡巻き込みを防止できる。よって，必要量以上のレ
ジストを滴下する必要も無く，従来の回転のみによって
塗布する装置に比べ，少量のレジストで塗布可能とな
る。
【００２９】本実施の形態によれば，羽根４１を設ける
ことにより，回転が起こると自動的にチャック１３が上
方向に移動する。よって，第１の実施の形態で必要とし
ていたエアシリンダ２１等の動力源が不要になるという
利点がある。
ことにより，回転が起こると自動的にチャック１３が上
方向に移動する。よって，第１の実施の形態で必要とし
ていたエアシリンダ２１等の動力源が不要になるという
利点がある。
【００３０】本実施の形態では，上下方向への移動速度
は，羽根４１の形状，回転速度により決められる。ま
た，移動距離は溝４５の長さ，ストッパ４９の位置によ
り決められる。ここでは，ストッパ４９の位置は固定と
しているが，回転軸４７に対するストッパ４９の位置を
調整できるようにしておけば，移動距離を可変にするこ
ともできる。
は，羽根４１の形状，回転速度により決められる。ま
た，移動距離は溝４５の長さ，ストッパ４９の位置によ
り決められる。ここでは，ストッパ４９の位置は固定と
しているが，回転軸４７に対するストッパ４９の位置を
調整できるようにしておけば，移動距離を可変にするこ
ともできる。
【００３１】なお，上記実施の形態では，機械的機構に
より移動距離を設定した例について説明したが，タイマ
ー等を設けることにより，移動時間を任意に設定するよ
うにしてもよい。この場合は，粘度が低く広がりやすい
レジストの場合は移動時間を短くし，粘度が高く広がり
にくいものでは移動時間を長くする等の調節が可能にな
る。
より移動距離を設定した例について説明したが，タイマ
ー等を設けることにより，移動時間を任意に設定するよ
うにしてもよい。この場合は，粘度が低く広がりやすい
レジストの場合は移動時間を短くし，粘度が高く広がり
にくいものでは移動時間を長くする等の調節が可能にな
る。
【００３２】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように本発明によ
れば，高粘度のレジストや濡れ性の悪い基板に対しても
少量のレジストで塗布可能な半導体製造装置及び半導体
装置の製造方法を提供することができる。また，本発明
の別の観点によれば，レジスト塗布工程およびウエハ搬
送工程を同時に行い，ウエハ搬送時間の短縮が可能な半
導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供すること
ができる。
れば，高粘度のレジストや濡れ性の悪い基板に対しても
少量のレジストで塗布可能な半導体製造装置及び半導体
装置の製造方法を提供することができる。また，本発明
の別の観点によれば，レジスト塗布工程およびウエハ搬
送工程を同時に行い，ウエハ搬送時間の短縮が可能な半
導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装
置の斜視図
置の斜視図
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装
置の主要部側面図
置の主要部側面図
【図３】従来の装置の原理を説明する図
【図４】従来の装置の問題点を示す図
１ ウエハ ３，１３ チャック ５ レジスト １５ スピンモータ １７ モータ台座 １９ エアシリンダ軸 ２１ エアシリンダ ２３ 装置底板 ２５ 上下動ガイド ２７ 装置側板 ２９ ストッパ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA05 4D075 AC64 AC86 AC93 CA48 DA08 DB14 DC22 EA45 4F042 AA07 BA08 EB08 5F046 JA11
Claims (6)
- 【請求項１】 ウエハ上にレジストを滴下して前記ウエ
ハを保持した保持部を回転させることにより前記ウエハ
上に前記レジストを塗布する半導体製造装置であって，
前記保持部を上下方向に移動可能な上下方向移動手段を
具備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記上下方向移動手段は，移動速度を任
意に設定可能なことを特徴とする請求項１記載の半導体
製造装置。 - 【請求項３】 前記上下方向の移動距離を任意に設定可
能なよう構成されていることを特徴とする請求項１記載
の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記上下方向の移動時間を任意に設定可
能なよう構成されていることを特徴とする請求項１記載
の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記上下方向が工程における前記ウエハ
の搬送方向と一致することを特徴とする請求項１から４
のいずれか１項に記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 保持部に保持されたウエハ上にレジスト
を滴下する工程と，前記滴下する工程の後，前記保持部
を回転させながら，前記保持部を上昇させる工程と，前
記上昇された保持部より，前記ウエハを横方向から搬送
する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374253A JP2002175973A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| US09/987,744 US6689419B2 (en) | 2000-12-08 | 2001-11-15 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374253A JP2002175973A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002175973A true JP2002175973A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=18843477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000374253A Pending JP2002175973A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6689419B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002175973A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032496A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Sony Corp | 反射防止膜の形成方法及び塗膜形成装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6916503B2 (en) * | 2001-09-06 | 2005-07-12 | Konica Corporation | Base material to be coated, coating apparatus, coating method and element producing method |
| KR20030096851A (ko) * | 2002-06-18 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 높이 조절이 가능한 패디스틀 |
| KR100596783B1 (ko) * | 2004-05-03 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 감광액 도포장치 |
| CN103657953B (zh) * | 2013-11-28 | 2017-09-29 | 四川石油射孔器材有限责任公司 | 一种射孔弹药型罩自动喷胶装置 |
| CN105543977B (zh) * | 2015-12-07 | 2018-01-12 | 天津中环半导体股份有限公司 | 自动硅片匀胶机 |
| CN105396754A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-03-16 | 天津中环半导体股份有限公司 | 自动硅片匀胶机用涂胶装置 |
| CN106733338A (zh) * | 2017-02-25 | 2017-05-31 | 中信戴卡股份有限公司 | 一种微正压轮毂喷粉转台 |
| CN107866344A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-04-03 | 江阴市永昌交通机械部件有限公司 | 一种操纵线五金件喷漆后快速风干装置 |
| JP2019115962A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル修正方法及び切削装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4590094A (en) * | 1984-10-29 | 1986-05-20 | International Business Machines Corporation | Inverted apply using bubble dispense |
| KR0167572B1 (ko) * | 1991-09-20 | 1999-02-01 | 이노우에 아키라 | 기판도포장치 |
| JP2715775B2 (ja) | 1992-01-10 | 1998-02-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPH09213769A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの搬送装置 |
| TW357389B (en) * | 1996-12-27 | 1999-05-01 | Tokyo Electric Ltd | Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed |
| JP4513999B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2010-07-28 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板塗布装置 |
-
2000
- 2000-12-08 JP JP2000374253A patent/JP2002175973A/ja active Pending
-
2001
- 2001-11-15 US US09/987,744 patent/US6689419B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032496A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Sony Corp | 反射防止膜の形成方法及び塗膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6689419B2 (en) | 2004-02-10 |
| US20020072251A1 (en) | 2002-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4822639A (en) | Spin coating method and device | |
| JP2845738B2 (ja) | 回転式基板処理装置の基板回転保持具 | |
| KR20160071330A (ko) | 도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치 | |
| JP2002175973A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR102404965B1 (ko) | 도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치 | |
| US6982002B2 (en) | Apparatus and method for forming coating film | |
| KR101621487B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 처리액 도포 방법 | |
| KR20190013951A (ko) | 도포 방법 | |
| JP2000208591A (ja) | 回転式基板処理装置 | |
| JP2000173906A (ja) | 現像液供給方法及び現像装置 | |
| CN107833847B (zh) | 蚀刻装置、基板处理装置、蚀刻方法以及基板处理方法 | |
| KR20160141248A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP4570001B2 (ja) | 液供給装置 | |
| JP2005211767A (ja) | スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法 | |
| JP2001196300A (ja) | 液処理装置 | |
| JPH01192117A (ja) | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 | |
| JPH1167624A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002059060A (ja) | 塗布方法、塗布装置および被膜の作製方法 | |
| JP2802636B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JPH11246241A (ja) | ガラス基板の表面処理方法および表面処理装置 | |
| KR102315661B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
| CN100482358C (zh) | 制造光掩膜坯料、光掩膜及半导体装置或液晶装置的方法 | |
| JPH11186367A (ja) | 基板保持装置 | |
| JPH1176918A (ja) | 基板処理装置および方法 | |
| US20080176004A1 (en) | Coating treatment apparatus, substrate treatment system, coating treatment method, and computer storage medium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031211 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040113 |