KR20230132532A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230132532A
KR20230132532A KR1020237027599A KR20237027599A KR20230132532A KR 20230132532 A KR20230132532 A KR 20230132532A KR 1020237027599 A KR1020237027599 A KR 1020237027599A KR 20237027599 A KR20237027599 A KR 20237027599A KR 20230132532 A KR20230132532 A KR 20230132532A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cleaning
unit
substrate holding
cleaning jig
Prior art date
Application number
KR1020237027599A
Other languages
English (en)
Inventor
유이치로 이나토미
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20230132532A publication Critical patent/KR20230132532A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판 유지부와, 회전 구동부와, 덮개체와, 반송 기구와, 세정액 공급부와, 제어부를 구비한다. 기판 유지부는, 기판을 유지한다. 회전 구동부는, 기판 유지부를 회전시킨다. 덮개체는, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 상면을 덮는다. 반송 기구는, 세정용 지그를 기판 유지부로 반송한다. 세정액 공급부는, 기판 유지부에 유지된 세정용 지그의 하면을 향해 세정액을 공급한다. 제어부는, 회전 구동부를 제어하는 것에 의해, 기판 유지부를 회전시킨다. 세정용 지그에는, 세정액 공급부로부터 토출되는 세정액을 덮개체를 향해 통과시키는 홀이 적어도 1 개 형성된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 기판의 상방을 덮는 덮개체를 가지는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
일본특허공개공보 2018-003097호
본 개시는, 덮개체를 효율적으로 세정하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 기판 유지부와, 회전 구동부와, 덮개체와, 반송 기구와, 세정액 공급부와, 제어부를 구비한다. 기판 유지부는, 기판을 유지한다. 회전 구동부는, 기판 유지부를 회전시킨다. 덮개체는, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 상면을 덮는다. 반송 기구는, 세정용 지그를 기판 유지부로 반송한다. 세정액 공급부는, 기판 유지부에 유지된 세정용 지그의 하면을 향해 세정액을 공급한다. 제어부는, 회전 구동부를 제어하는 것에 의해, 기판 유지부를 회전시킨다. 세정용 지그에는, 세정액 공급부로부터 토출되는 세정액을 덮개체를 향해 통과시키는 홀이 적어도 1 개 형성된다.
본 개시에 따르면, 덮개체를 효율적으로 세정할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 처리 유닛의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 세정용 지그의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 세정용 지그의 도 3의 IV-IV에 있어서의 단면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 세정용 지그의 도 3의 V-V에 있어서의 단면도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 세정용 지그의 도 3의 VI-VI에 있어서의 단면도이다.
도 7은 실시 형태에 따른 도금 처리를 설명하는 순서도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 가열부 세정 처리를 설명하는 순서도이다.
도 9는 실시 형태의 변형예에 따른 세정용 지그의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 10은 실시 형태의 변형예에 따른 세정용 지그에 있어서의 날개부의 단면을 나타내는 도이다.
도 11은 실시 형태의 변형예에 따른 세정용 지그의 제 1 벽부의 단면을 나타내는 도이다.
도 12는 실시 형태의 변형예에 따른 세정용 지그의 제 2 벽부의 단면을 나타내는 도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다.
<전체 구성>
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 도이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다. 또한, X축 방향을 좌우 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입반출 스테이션(2)은 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는 복수 매의 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, Y축 방향에 있어서 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 암, 및 암을 이동시키는 모터, 및 암의 위치를 검출하는 센서 등을 포함한다. 기판 반송 장치(17)는, 후술하는 세정용 지그(40)를 반송 가능하다. 기판 반송 장치(17)(반송 기구의 일례)는, 웨이퍼(W), 또는 세정용 지그(40)를 후술하는 기판 유지부(21)로 반송한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 웨이퍼 처리를 행한다. 구체적으로, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)에 대하여 도금 처리를 행한다. 처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 세정용 지그(40)를 이용하여 정해진 가열부 세정 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 장치(1)는 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행하는 것에 의해 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 예를 들면, 제어부(18)는, 후술하는 회전 구동부(22)를 제어하는 것에 의해, 기판 유지부(21)를 회전시킨다.
또한 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기와 같이 구성된 기판 처리 장치(1)에서는, 먼저, 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)으로 반입된다.
처리 유닛(16)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 되돌려진다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 예를 들면, 미리 정해진 소정 매수의 웨이퍼(W)에 대하여 도금 처리를 행하면, 세정용 지그(40)를 처리 유닛(16)으로 반입하고, 처리 유닛(16)에 대하여 가열부 세정 처리를 행한다. 기판 처리 장치(1)는, 가열부 세정 처리가 종료되면, 처리 유닛(16)으로부터 세정용 지그(40)를 반출한다. 세정용 지그(40)는, 가열부 세정 처리가 실행되지 않는 경우에는, 예를 들면 전달부(14)의 상방, 또는 하방에 마련되는 배치부(14a)에 배치된다.
<처리 유닛의 구성>
다음으로, 처리 유닛(16)의 구성에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)의 구성을 나타내는 도이다. 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)에 도금 처리를 행하는 유닛이다. 구체적으로, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)에 무전해 도금 처리를 행하는 유닛이다.
처리 유닛(16)은 챔버(20)와, 기판 유지부(21)와, 회전 구동부(22)와, 도금액 공급부(23)와, 제 1 세정액 공급부(24)와, 린스액 공급부(25)와, 제 2 세정액 공급부(26)와, 가열부(27)와, 회수 컵(28)을 구비한다.
챔버(20)는 기판 유지부(21), 가열부(27) 및 회수 컵(28) 등을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(20a)가 마련된다. FFU(20a)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
기판 유지부(21)는, 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 유지한다. 구체적으로, 기판 유지부(21)는, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 반입된 웨이퍼(W)의 하면을 지지하고, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 기판 유지부(21)는, 웨이퍼(W)의 하면에 진공 흡착하는 진공 척 타입이다. 기판 유지부(21)는, 웨이퍼(W)의 중앙 부근을 흡착한다. 기판 유지부(21)는, 웨이퍼(W)와 마찬가지로, 세정용 지그(40)를 유지한다.
기판 유지부(21)는, 회전 샤프트(21a)를 개재하여 회전 구동부(22)에 장착된다. 회전 구동부(22)는, 예를 들면 모터이다. 회전 구동부(22)가 구동되고, 회전 구동부(22)에서 발생한 회전이 회전 샤프트(21a)를 개재하여 기판 유지부(21)에 전달됨으로써, 기판 유지부(21)가 회전한다. 즉, 회전 구동부(22)는, 기판 유지부(21)를 회전시킨다. 기판 유지부(21)가 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 회전함으로써, 웨이퍼(W)는 기판 유지부(21)와 함께 회전한다. 기판 유지부(21)가 세정용 지그(40)를 유지한 상태로 회전함으로써, 세정용 지그(40)는 기판 유지부(21)와 함께 회전한다. 기판 유지부(21)의 회전 속도, 즉 웨이퍼(W)의 회전 속도, 및 세정용 지그(40)의 회전 속도는, 회전 구동부(22)에 의해 조정된다.
또한 이하에서는, 기판 유지부(21)의 회전축을 중심으로 한 회전 좌표계를 이용하여 설명하는 경우가 있다. 예를 들면, 기판 유지부(21)의 회전축을 중심으로 한 직경 방향을 규정하여, 설명하는 경우가 있다.
또한, 기판 유지부(21)는 모터 및, 실린더 등의 이동 기구(미도시)에 의해, 상하 방향을 따라 이동 가능하다. 구체적으로, 기판 유지부(21)는, 전달 위치와, 처리 위치와의 사이를 상하 방향을 따라 이동한다. 전달 위치는, 회수 컵(28)보다 상방의 위치이며, 기판 반송 장치(17)와 기판 유지부(21)와의 사이에서, 웨이퍼(W) 또는 세정용 지그(40)의 전달을 행하는 위치이다. 처리 위치는, 전달 위치보다 하방이며, 기판 유지부(21)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 도금 처리 등을 행하는 위치이다. 또한, 처리 위치는, 세정용 지그(40)를 이용하여 가열부 세정 처리를 행하는 위치이다. 또한, 웨이퍼(W)에 도금 처리 등을 행하는 위치와, 세정용 지그(40)를 이용하여 가열부 세정 처리를 행하는 위치는, 상이한 위치여도 된다.
도금액 공급부(23)는, 기판 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면에 도금액(처리액의 일례)을 공급한다. 도금액 공급부(23)는 도금액 공급 노즐(23a)과, 도금액 공급원(23b)을 구비한다. 도금액 공급 노즐(23a)은, 노즐 암(30)에 유지된다. 노즐 암(30)은, 좌우 방향(X축 방향) 및 상하 방향(Z축 방향)을 따라 이동 가능하다.
노즐 암(30)은 모터 및, 실린더 등의 이동 기구(미도시)에 의해, 좌우 방향, 및 상하 방향을 따라 이동한다. 노즐 암(30)은, 제 1 퇴피 위치와 제 1 상승 위치와의 사이를 좌우 방향을 따라 이동한다. 제 1 퇴피 위치는, 노즐 암(30)이 회수 컵(28)보다 직경 방향 외측이 되는 위치이며, 가열부(27)의 상하 방향으로의 이동을 방해하지 않는 위치이다. 제 1 상승 위치는, 기판 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방이 되는 위치이며, 제 1 퇴피 위치로부터 X축 방향을 따라 이동한 위치이다.
또한, 노즐 암(30)은, 제 1 상승 위치와 제 1 강하 위치와의 사이를 상하 방향을 따라 이동한다. 제 1 강하 위치는, 제 1 상승 위치보다 하방이며, 기판 유지부(21)에 의해 유지된 웨이퍼(W)보다 상방이 되는 위치이다.
도금액 공급 노즐(23a)은, 도금액 공급 라인(23c)을 개재하여 도금액 공급원(23b)에 접속된다. 도금액 공급 노즐(23a)은, 도금액 공급원(23b)으로부터, 정해진 온도로 가열된 도금액이 공급되고, 도금액을 웨이퍼(W)에 토출한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면에는, 도금액이 액 축적된다.
도금액은, 무전해 도금용의 도금액이다. 도금액은, 예를 들면 코발트(Co) 이온, 니켈(Ni) 이온, 텅스텐(W) 이온, 구리(Cu) 이온, 팔라듐(Pd) 이온, 금(Au) 이온 등의 금속 이온과, 차아인산, 디메틸 아민보란 등의 환원제를 함유한다. 도금액은, 첨가제 등을 함유하고 있어도 된다. 도금액을 사용한 도금 처리에 의해 형성되는 도금막으로서는, 예를 들면 CoWB, CoB, CoWP, CoWBP, NiWB, NiB, NiWP, NiWBP 등을 들 수 있다.
제 1 세정액 공급부(24)는 제 1 세정액 공급 노즐(24a)과, 제 1 세정액 공급원(24b)을 구비한다. 제 1 세정액 공급 노즐(24a)은, 노즐 암(30)에 유지된다.
제 1 세정액 공급 노즐(24a)은, 제 1 세정액 공급 라인(24c)을 개재하여 제 1 세정액 공급원(24b)에 접속된다. 제 1 세정액 공급 노즐(24a)은, 제 1 세정액 공급원(24b)으로부터 제 1 세정액이 공급되고, 제 1 세정액을 웨이퍼(W)의 상면에 토출한다. 제 1 세정액은, 예를 들면 포름산, 사과산, 호박산, 구연산 등의 유기산, 또는 웨이퍼(W)의 피도금면을 부식시키지 않을 정도의 농도로 희석된 불화 수소(DHF) 등이다.
린스액 공급부(25)는 린스액 공급 노즐(25a)과, 린스액 공급원(25b)을 구비한다. 린스액 공급 노즐(25a)은, 노즐 암(30)에 유지된다.
린스액 공급 노즐(25a)은, 린스액 공급 라인(25c)을 개재하여 린스액 공급원(25b)에 접속된다. 린스액 공급 노즐(25a)은, 린스액 공급원(25b)으로부터 린스액이 공급되고, 린스액을 웨이퍼(W)에 토출한다. 린스액은, 예를 들면 순수이다.
제 2 세정액 공급부(26)는, 기판 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)(기판의 일례)의 하면을 향해 제 2 세정액(세정액의 일례)을 공급한다. 제 2 세정액 공급부(26)(세정액 공급부의 일례)는, 기판 유지부(21)에 유지된 세정용 지그(40)의 하면을 향해 제 2 세정액(세정액의 일례)을 공급한다. 제 2 세정액은, 예를 들면 린스액이며, 순수이다. 이하에서는, 제 2 세정액을 린스액으로서 설명한다.
제 2 세정액 공급부(26)는 제 2 세정액 공급 노즐(26a)과, 제 2 세정액 공급원(26b)을 구비한다. 제 2 세정액 공급 노즐(26a)은, 노즐 유지부(미도시)에 의해 유지된다. 제 2 세정액 공급 노즐(26a)은, 제 2 세정액 공급 라인(26c)을 개재하여 제 2 세정액 공급원(26b)에 접속된다.
제 2 세정액 공급 노즐(26a)은, 제 2 세정액 공급원(26b)으로부터 린스액이 공급되고, 제 2 세정액을 웨이퍼(W)의 하면, 또는 세정용 지그(40)의 하면에 토출한다. 제 2 세정액 공급 노즐(26a)은, 직경 방향 내측으로부터, 직경 방향 외측으로 비스듬히 상방을 향해 린스액을 토출하도록 마련된다. 또한, 제 2 세정액 공급 노즐(26a)은, 린스액 공급원(25b)으로부터 린스액이 공급되어도 된다.
가열부(27)는 판 형상이며, 원형 형상으로 형성된다. 가열부(27)는, 내부에 히터(27a)를 구비한다. 가열부(27)(덮개체의 일례)는, 후술하는 가열 위치에 있어서, 기판 유지부(21)에 의해 유지된 웨이퍼(W)(기판의 일례), 또는 기판 유지부(21)에 의해 유지된 세정용 지그(40)의 상면을 덮도록 마련된다. 가열부(27)는, 도금액이 공급된 웨이퍼(W)를 상면측으로부터 가열한다. 가열부(27)는, 웨이퍼(W)에 액 축적된 도금액을 가열하여, 웨이퍼(W)의 상면에 도금막을 형성한다. 가열부(27)의 직경은, 웨이퍼(W)의 직경보다 크다. 또한, 가열부(27)의 직경은, 회수 컵(28)의 개구 직경보다 작다. 또한, 가열부(27)는 원환 형상이어도 된다.
가열부(27)는, 암(31)을 개재하여 지지부(32)에 장착된다. 암(31)은 모터 및, 실린더 등의 이동 기구(미도시)에 의해, 지지부(32)를 중심으로 회동 가능하며, 또한, 상하 방향을 따라 이동 가능하다.
예를 들면, 회동 모터(미도시)에서 발생한 회전이 암(31)에 전달되면, 가열부(27)는, 암(31)과 함께 회동한다. 가열부(27)는, 제 2 퇴피 위치와 제 2 상승 위치와의 사이를 회동한다. 제 2 퇴피 위치는, 회수 컵(28)보다 직경 방향 외측이 되는 위치이며, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)와, 기판 유지부(21)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 가능하게 되는 위치이다. 제 2 상승 위치는, 웨이퍼(W)의 상방을 덮는 위치이며, 예를 들면, 가열부(27)가 기판 유지부(21)와 대략 동일한 축 상이 되는 위치이다. 도 2에서는, 제 2 상승 위치에 있는 가열부(27) 및 암(31)을 실선으로 나타낸다.
또한, 가열부(27)는, 제 2 상방 위치와, 가열 위치와의 사이를 상하 방향을 따라 이동한다. 가열 위치는, 제 2 상방 위치보다 하방이며, 웨이퍼(W)에 액 축적된 도금액에 접촉하지 않는 위치이다. 가열 위치는, 도금액이 액 축적된 웨이퍼(W)를 가열하는 위치이다. 도 2에서는, 가열 위치에 있는 가열부(27), 및 암(31)을 파선으로 나타낸다.
회수 컵(28)은, 기판 유지부(21)보다 직경 방향 외측에 마련되고, 기판 유지부(21)의 주위에 마련된다. 회수 컵(28)은, 웨이퍼(W)로부터 비산한 액, 예를 들면, 도금액을 받는다. 회수 컵(28)은, 세정용 지그(40)로부터 비산한 린스액을 받는다. 회수 컵(28)에 의해 회수된 액은, 드레인 라인(28a)을 거쳐 외부로 배출된다. 또한, 드레인 라인(28a)은, 복수의 경로를 가지고 있어, 회수하는 액에 따라 경로가 전환된다. 회수 컵(28)은, 웨이퍼(W), 또는 세정용 지그(40)를 유지한 기판 유지부(21), 및 가열부(27)가 상하 방향을 따라 이동 가능하게 되도록, 상방이 개구되어 있다.
<세정용 지그>
다음으로, 세정용 지그(40)의 구성에 대하여 도 3 ~ 도 6을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시 형태에 따른 세정용 지그(40)의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 4는 실시 형태에 따른 세정용 지그(40)의 도 3의 IV-IV에 있어서의 단면도이다. 도 5는 실시 형태에 따른 세정용 지그(40)의 도 3의 IV-IV에 있어서의 단면도이다. 도 6은 실시 형태에 따른 세정용 지그(40)의 도 3의 IV-IV에 있어서의 단면도이다.
세정용 지그(40)는 판부(41)와, 적어도 1 개의 벽부(42)와, 적어도 1 개의 날개부(43)를 구비한다.
판부(41)는, 웨이퍼(W)와 동일한 외형 형상이며, 예를 들면 원형이다. 예를 들면, 판부(41)의 직경은, 웨이퍼(W)의 직경과 동일하다. 판부(41)는, 기판 유지부(21)에 유지되는 판부(41)에는, 적어도 1 개의 홀(44)이 형성된다. 홀(44)은, 제 2 세정액 공급부(26)(세정액 공급부의 일례)로부터 토출된 린스액(세정액의 일례)을 가열부(27)(덮개체의 일례)를 향해 통과시키도록 마련된다. 홀(44)은, 예를 들면 원형으로 형성된다.
판부(41)에는, 복수의 홀(44)이 형성된다. 구체적으로, 판부(41)에는, 4 개의 홀(44)이 형성된다. 4 개의 홀(44)은, 예를 들면, 판부(41)의 둘레 방향에 대하여 등간격으로 형성된다. 즉, 4 개의 홀(44)은, 판부(41)의 둘레 방향으로 90도의 간격으로 형성된다. 또한, 홀(44)의 수는 이에 한정되는 것은 아니며, 1 개여도 되고, 2 개 또는 3 개여도 된다. 홀(44)의 수는, 5 개 이상이어도 된다.
벽부(42)는, 제 2 세정액 공급부(26)로부터 토출되어 홀(44)을 통과한 린스액(세정액의 일례)이 충돌하도록 형성된다. 구체적으로, 벽부(42)는, 홀(44)보다 직경 방향 외측의 판부(41)로부터 가열부(27)(덮개체의 일례)측으로 연장되도록 형성된다. 예를 들면, 벽부(42)는, 판부(41)에 대하여 직교하도록 형성된다. 벽부(42)는, 복수 마련된다. 벽부(42)는, 예를 들면 2 개 마련된다. 벽부(42)는, 판부(41)의 중심에 대하여 대향하는 홀(44)의 근방에 마련된다. 또한, 벽부(42)의 수는 이에 한정되는 것은 아니며, 1 개여도 되고, 3 개 이상이어도 된다.
이하에서는, 판부(41)에 형성된 복수의 홀(44) 중, 홀(44)의 근방에 벽부(42)가 형성되는 홀(44)을 ‘제 1 홀(44a)'이라 칭하고, 홀(44)의 근방에 벽부(42)가 형성되지 않는 홀(44)을 ‘제 2 홀(44b)'이라 칭하는 경우가 있다.
날개부(43)는, 세정용 지그(40)가 챔버(20) 내에서 회전하는 것에 의해, 세정용 지그(40)의 상방에 선회류를 발생시킨다. 날개부(43)는, 판부(41)로부터 가열부(27)(덮개체의 일례)측으로 연장되도록 형성된다. 날개부(43)는, 판부(41)의 직경 방향을 따라 연장되도록 마련된다. 날개부(43)는, 2 개의 홀(44)의 사이의 판부(41)로부터, 비스듬히 상방으로 연장되도록 형성된다. 날개부(43)는, 판부(41)에 대하여 경사지는 경사면(45)을 가진다. 경사면(45)은, 세정용 지그(40)의 회전 방향에 있어서 상류측의 면에 형성된다. 날개부(43)는, 예를 들면 복수 마련된다. 날개부(43)는, 예를 들면 4 개 마련된다. 또한, 날개부(43)의 수는 이에 한정되는 것은 아니며, 1 개여도 되고, 2 개 또는 3 개여도 된다. 날개부(43)의 수는, 5 개 이상이어도 된다.
<도금 처리>
다음으로, 실시 형태에 따른 도금 처리에 대하여 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 실시 형태에 따른 도금 처리를 설명하는 순서도이다.
기판 처리 장치(1)는, 반입 처리를 행한다(S10). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 기판 반송 장치(17)에 의해, 웨이퍼(W)를 챔버(20)로 반입하고, 웨이퍼(W)를 기판 유지부(21)에 의해 유지한다. 기판 유지부(21)는, 웨이퍼(W)의 하면을 흡착하고, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다.
기판 처리 장치(1)는, 세정 처리를 행한다(S11). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 기판 유지부(21)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 제 1 세정액 공급 노즐(24a)로부터 세정액을 토출하여, 웨이퍼(W)의 세정을 행한다. 또한, 세정 처리, 및 이하에서 설명하는 각 처리에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 처리마다 조정된다. 각 처리에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 처리 중에 변경되어도 된다.
기판 처리 장치(1)는, 제 1 린스 처리를 행한다(S12). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 린스액 공급 노즐(25a)로부터 린스액을 토출하여, 웨이퍼(W)에 잔존하는 세정액을 씻어낸다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 제 2 세정액 공급 노즐(26a)로부터 린스액을 토출하여, 웨이퍼(W)의 하면을 세정한다.
기판 처리 장치(1)는, 도금 처리를 행한다(S13). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 도금액 공급 노즐(23a)로부터 도금액을 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에는, 도금액이 액 축적된다.
기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)에 도금액이 액 축적된 후에, 가열부(27)를 가열 위치까지 강하시켜, 웨이퍼(W)에 액 축적된 도금액을 가열한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)의 가열 위치를 변경하여, 도금액을 가열해도 된다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 불활성 가스 공급부(미도시)를 마련하여, 불활성 가스 공급부에 의해 불활성 가스를 챔버(20)에 토출한 후에, 가열부(27)에 의해 도금액을 가열해도 된다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고, 도금액을 가열해도 된다.
기판 처리 장치(1)는, 제 2 린스 처리를 행한다(S14). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)를 퇴피 위치까지 이동시킨 후에, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 린스액 공급 노즐(25a), 및 제 2 세정액 공급 노즐(26a)로부터 린스액을 토출하여, 웨이퍼(W)를 린스액에 의해 세정한다.
기판 처리 장치(1)는, 건조 처리를 행한다(S15). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 상승시켜, 웨이퍼(W)에 잔존하는 린스액을 털어내, 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는, 반출 처리를 행한다(S16). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고, 기판 반송 장치(17)에 의해, 웨이퍼(W)를 챔버(20)로부터 반출한다.
상기하는 도금 처리를 행함으로써, 가열부(27)에, 도금액의 증기, 또는 미스트 등이 부착한다. 이 때문에, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 이하에서 설명하는 가열부 세정 처리를 행한다.
<가열부 세정 처리>
다음으로, 실시 형태에 따른 가열부 세정 처리에 대하여 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은 실시 형태에 따른 가열부 세정 처리를 설명하는 순서도이다. 가열부 세정 처리는, 예를 들면, 정해진 매수의 웨이퍼(W)에 도금 처리를 행한 후에 행해진다. 가열부 세정 처리는, 예를 들면, 도금 처리의 누적 시간이 정해진 시간이 된 후에 행해져도 된다. 또한, 가열부 세정 처리는, 작업자 등의 조작, 예를 들면 메인터넌스 모드에 있어서의 세정 조작 버튼의 조작에 의해, 임의의 타이밍에 의해 행해져도 된다.
기판 처리 장치(1)는, 반입 처리를 행한다(S20). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 기판 반송 장치(17)에 의해, 세정용 지그(40)를 챔버(20)로 반입하고, 세정용 지그(40)를 기판 유지부(21)에 의해 유지한다. 기판 유지부(21)는, 세정용 지그(40)의 판부(41)의 하면을 흡착하고, 세정용 지그(40)를 수평으로 유지한다.
기판 처리 장치(1)는, 세정 처리를 행한다(S21). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)를 가열 위치까지 강하시켜, 세정용 지그(40)를 회전시키면서, 제 2 세정액 공급 노즐(26a)로부터 린스액을 토출한다. 제 2 세정액 공급 노즐(26a)로부터 토출된 린스액은, 세정용 지그(40)의 홀(44)을 통과하여, 세정용 지그(40)의 판부(41)보다 상방에 공급된다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)의 위치를 가열 위치에 대하여 변경해도 된다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)의 위치를 변경하면서, 제 2 세정액 공급 노즐(26a)로부터 린스액을 토출해도 된다.
세정용 지그(40)의 제 1 홀(44a)을 통과한 린스액은, 도 4에 있어서 파선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 벽부(42)에 충돌하여, 직경 방향 내측을 향해 공급된다. 직경 방향 내측을 향해 공급된 린스액은, 가열부(27)의 중심측에 충돌하여, 확산된다. 이에 의해, 직경 방향 내측의 가열부(27)가, 린스액에 의해 세정된다.
세정용 지그(40)의 제 2 홀(44b)을 통과한 린스액은, 도 5에 있어서 파선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 직경 방향 외측을 향해 공급된다. 직경 방향 외측을 향해 공급된 린스액은, 가열부(27)의 외주측에 충돌하여, 확산된다. 이에 의해, 직경 방향 외측의 가열부(27)가, 린스액에 의해 세정된다. 이와 같이, 린스액은, 직경 방향에 있어서 광범위의 가열부(27)로 공급되어, 광범위의 가열부(27)를 세정한다.
세정용 지그(40)가 회전하는 것에 의해 날개부(43)에 닿은 린스액은, 가열부(27)의 광범위에 확산된다. 이 때문에, 린스액은, 직경 방향에 있어서 광범위의 가열부(27)로 공급되어, 광범위의 가열부(27)를 세정한다.
또한, 세정용 지그(40)가 회전하는 것에 의해 날개부(43)에 의해 선회류가 형성되어, 린스액의 미스트가 확산된다. 이 때문에, 린스액은, 광범위의 가열부(27)를 세정한다.
도 8로 돌아와, 기판 처리 장치(1)는, 건조 처리를 행한다(S22). 구체적으로, 기판 세정 장치는, 제 2 세정액 공급 노즐(26a)에 따른 린스액의 토출을 정지하고, 세정용 지그(40)를 회전시킨다. 예를 들면, 기판 세정 장치는, 세정용 지그(40)의 회전 속도를, 세정 처리에 있어서의 회전 속도보다 크게 한다. 세정용 지그(40)가 회전하는 것에 의해 날개부(43)에 의해 선회류가 발생하여, 가열부(27), 및 챔버(20) 내를 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는, 반출 처리를 행한다(S23). 구체적으로, 기판 처리 장치(1)는, 세정용 지그(40)의 회전을 정지하고, 기판 반송 장치(17)에 의해, 세정용 지그(40)를 챔버(20)로부터 반출한다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 기판 유지부(21)와, 회전 구동부(22)와, 가열부(27)(덮개체의 일례)와, 기판 반송 장치(17)(반송 기구의 일례)와, 제 2 세정액 공급부(26)(세정액 공급부의 일례)와, 제어부(18)를 구비한다. 기판 유지부(21)는, 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 유지한다. 회전 구동부(22)는, 기판 유지부(21)를 회전시킨다. 가열부(27)는, 기판 유지부(21)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 상면을 덮는다. 기판 반송 장치(17)는, 세정용 지그(40)를 기판 유지부(21)로 반송한다. 제 2 세정액 공급부(26)는, 기판 유지부(21)에 유지된 세정용 지그(40)의 하면을 향해 린스액(세정액의 일례)을 공급한다. 제어부(18)는, 회전 구동부(22)를 제어하는 것에 의해, 기판 유지부(21)를 회전시킨다. 세정용 지그(40)에는, 제 2 세정액 공급부(26)로부터 토출되는 린스액을 가열부(27)를 향해 통과시키는 홀(44)이 적어도 1 개 형성된다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 홀(44)을 통과하는 린스액을 가열부(27)의 하면에 닿게 하는 것에 의해, 가열부(27)를 린스액에 의해 효율적으로 세정할 수 있다. 예를 들면, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)의 하면을 린스액에 의해 효율적으로 세정할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 기판 유지부(21)에 세정용 지그(40)를 유지시킨 상태에서, 린스액을 공급하여, 가열부(27)를 세정한다. 기판 유지부(21)에 의해 웨이퍼(W)를 유지하는 개소, 예를 들면, 기판 유지부(21)의 진공 척의 흡착면에 린스액 등이 부착하면, 기판 유지부(21)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지력이 저하될 우려가 있다. 기판 처리 장치(1)는, 린스액에 의해 가열부(27)를 세정하는 경우에, 기판 유지부(21)의 흡착면에 린스액이 부착하는 것을 방지하여, 기판 유지부(21)에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지력의 저하를 방지할 수 있다.
세정용 지그(40)는, 판부(41)와, 적어도 1 개의 벽부(42)를 구비한다. 판부(41)는, 기판 유지부(21)에 유지된다. 벽부(42)는, 판부(41)로부터 가열부(27)측으로 연장된다. 벽부(42)는, 홀(44)을 통과한 린스액이 충돌하도록 형성된다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 린스액을 벽부(42)에 충돌시켜, 가열부(27)의 광범위에 린스액을 확산시킬 수 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)를 효율적으로 세정할 수 있다.
벽부(42)는, 판부(41)에 대하여 직교하도록 형성된다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 직경 방향 중심측의 가열부(27)에 린스액을 공급할 수 있어, 직경 방향 중심측의 가열부(27)를 세정할 수 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)를 효율적으로 세정할 수 있다.
세정용 지그(40)는, 판부(41)와, 적어도 1 개의 날개부(43)를 구비한다. 날개부(43)는, 판부(41)로부터 가열부(27)측으로 연장된다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 날개부(43)에 충돌하는 린스액을 확산시킬 수 있다. 기판 처리 장치(1)는, 날개부(43)에 의해 선회류를 발생시키는 것에 의해, 린스액을 확산시킬 수 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)의 광범위에 린스액을 공급할 수 있어, 가열부(27)를 효율적으로 세정할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 린스액의 공급을 정지한 후에, 세정용 지그(40)를 회전시키는 것에 의해, 날개부(43)에 의해 선회류를 발생시켜, 선회류에 의해 챔버(20) 내를 조기에 건조시킬 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 도금액 공급부(23)를 구비한다. 도금액 공급부(23)는, 기판 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면에 도금액을 공급한다. 제 2 세정액 공급부(26)는, 기판 유지부(21)에 유지되는 웨이퍼(W)의 하면을 향해 린스액을 공급한다.
이에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 하면을 세정하는 제 2 세정액 공급부(26)를 이용하여, 가열부(27)를 세정할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 가열부(27)의 하면을 세정하기 위한 린스액 공급 장치를 별도 마련하지 않고, 기존의 장치에 의해 가열부(27)를 세정할 수 있다.
<변형예>
변형예에 따른 세정용 지그(50)의 홀(51)은, 예를 들면 도 9에 나타내는 바와 같이, 세정용 지그(50)의 둘레 방향, 구체적으로 판부(41)의 둘레 방향을 따라 형성되어도 된다. 도 9는 실시 형태의 변형예에 따른 세정용 지그(50)의 구성을 나타내는 평면도이다. 이에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 홀(51)을 통과하는 린스액의 유량을 많게 할 수 있어, 가열부(27)의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
변형예에 따른 세정용 지그(60)의 날개부(61)는, 예를 들면 도 10에 나타내는 바와 같이, 제 1 경사면(62)과, 제 2 경사면(63)을 구비해도 된다. 도 10은 실시 형태의 변형예에 따른 세정용 지그(60)에 있어서의 날개부(61)의 단면을 나타내는 도이다. 제 1 경사면(62)은, 판부(41)에 대하여 제 1 각도(θ1)를 가진다. 제 2 경사면(63)은, 판부(41)에 대하여 제 2 각도(θ2)를 가진다. 제 2 각도(θ2)는, 제 1 각도(θ1)보다 크다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)의 회전 구동부(22)는, 제 1 회전 방향, 및 제 1 회전 방향과는 반대 방향인 제 2 회전 방향으로 기판 유지부(21)를 회전 가능하다. 즉, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 세정용 지그(60)를 정역 회전시킬 수 있다. 세정용 지그(60)가 제 1 회전 방향으로 회전하는 경우에, 제 1 경사면(62)은, 제 2 경사면(63)보다 회전 방향에 있어서 상류측에 위치한다. 세정용 지그(60)가 제 2 회전 방향으로 회전하는 경우에, 제 2 경사면(63)은, 제 1 경사면(62)보다 회전 방향에 있어서 상류측에 위치한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 가열부 세정 처리에 있어서의 세정 처리 시에, 기판 유지부(21)를 제 1 회전 방향으로 회전시킨다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제 1 경사면(62)에 의해 형성되는 선회류에 의해 린스액을 확산시킨다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제 1 경사면(62)에 충돌하는 린스액을 확산시킨다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제 1 경사면(62)에 의해 린스액을 상방을 향해 확산시킬 수 있어, 린스액에 의해 가열부(27)를 효율적으로 세정할 수 있다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 가열부 세정 처리에 있어서의 건조 처리 시에, 기판 유지부(21)를 제 2 회전 방향으로 회전시킨다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제 2 경사면(63)에 의해 선회류를 발생시킨다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제 1 회전 방향의 회전에 의해 발생하는 선회류보다 유속이 큰 선회류를 제 2 경사면(63)에 의해 발생시킬 수 있어, 챔버(20) 내를 효율적으로 건조시킬 수 있다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 도금 처리에 있어서 웨이퍼(W)의 하면에 린스액을 공급하는 노즐과, 가열부 세정 처리에 있어서 린스액을 공급하는 노즐을 상이한 노즐로 해도 된다. 예를 들면, 도금 처리에 있어서 웨이퍼(W)의 하면에 린스액을 공급하는 노즐과, 가열부 세정 처리에 있어서 린스액을 공급하는 노즐은, 린스액을 토출하는 토출 각도가 상이하다. 이에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 각 처리에 있어서 적절한 토출 각도에 의해, 린스액을 토출할 수 있다.
변형예에 따른 세정용 지그(70)의 벽부(71)는, 판부(41)에 대하여 경사지도록 형성된다. 벽부(71)는, 도 11에 나타내는 제 1 벽부(72), 및 도 12에 나타내는 제 2 벽부(73) 중 적어도 1 개를 포함한다. 도 11은 실시 형태의 변형예에 따른 세정용 지그(70)의 제 1 벽부(72)의 단면을 나타내는 도이다. 도 12는 실시 형태의 변형예에 따른 세정용 지그(70)의 제 2 벽부(73)의 단면을 나타내는 도이다. 도 11 및 도 12는 도 3의 IV-IV에 대응하는 위치에 있어서의 단면도이다. 제 1 벽부(72)는, 상단이 세정용 지그(70)의 직경 방향 내측을 향하도록 형성된다. 제 2 벽부(73)는, 상단이 세정용 지그(70)의 직경 방향 외측을 향하도록 형성된다.
또한 벽부(71)는, 제 1 벽부(72)와 제 2 벽부(73)를 포함해도 된다. 벽부(71)는, 판부(41)에 대하여 직교하는 벽부(42)(도 4 참조), 제 1 벽부(72), 및 제 2 벽부(73) 중 2 개 이상을 포함해도 된다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제 1 벽부(72), 및 제 2 벽부(73) 중 적어도 1 개에 의해, 린스액을 광범위에 확산시킬 수 있어, 가열부(27)를 효율적으로 세정할 수 있다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 상이한 챔버에 의해, 도금액의 액 축적, 및 도금액의 가열을 행해도 된다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 도금 처리를 행하는 장치에 한정되는 것은 아니며, 웨이퍼(W)에 각종 처리액을 공급하여 처리를 행하는 장치여도 된다.
상기한 실시 형태 및 변형예는, 조합하여 적용할 수 있다. 예를 들면, 세정용 지그(40)는, 세정용 지그(40)의 둘레 방향에 홀(51)이 형성되고, 날개부(43)는, 제 1 경사면(62)과 제 2 경사면(63)을 구비해도 된다. 예를 들면, 세정용 지그(40)는, 세정용 지그(40)의 둘레 방향에 홀(51)이 형성되고, 벽부(42)는, 제 1 벽부(72) 및 제 2 벽부(73) 중 적어도 1 개를 포함해도 된다.
또한, 금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1 : 기판 처리 장치
4 : 제어 장치
16 : 처리 유닛
17 : 기판 반송 장치(반송 기구)
18 : 제어부
20 : 챔버
21 : 기판 유지부
22 : 회전 구동부
23 : 도금액 공급부
24 : 제 1 세정액 공급부
25 : 린스액 공급부
26 : 제 2 세정액 공급부(세정액 공급부)
27 : 가열부(덮개체)
40, 50, 60, 70 : 세정용 지그
41 : 판부
42, 71 : 벽부
43, 61 : 날개부
44, 51 : 홀
45 : 경사면
62 : 제 1 경사면
63 : 제 2 경사면
72 : 제 1 벽부
73 : 제 2 벽부

Claims (10)

  1. 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 상면을 덮는 덮개체와,
    세정용 지그를 상기 기판 유지부로 반송하는 반송 기구와,
    상기 기판 유지부에 유지된 상기 세정용 지그의 하면을 향해 세정액을 공급하는 세정액 공급부와,
    상기 회전 구동부를 제어하는 것에 의해, 상기 기판 유지부를 회전시키는 제어부
    를 구비하고,
    상기 세정용 지그에는, 상기 세정액 공급부로부터 토출되는 상기 세정액을 상기 덮개체를 향해 통과시키는 홀이 적어도 1 개 형성되는
    기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정용 지그는,
    상기 기판 유지부에 유지되는 판부와,
    상기 판부로부터 상기 덮개체측으로 연장되는 적어도 1 개의 벽부
    를 구비하고,
    상기 벽부는, 상기 홀을 통과한 상기 세정액이 충돌하도록 형성되는
    기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 벽부는, 상기 판부에 대하여 직교하도록 형성되는
    기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 벽부는, 상기 판부에 대하여 경사지도록 형성되는
    기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 벽부는,
    상단이 상기 세정용 지그의 직경 방향 내측을 향하도록 형성되는 제 1 벽부, 및 상단이 상기 세정용 지그의 직경 방향 외측을 향하도록 형성되는 제 2 벽부 중 적어도 하나를 포함하는
    기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정용 지그는,
    상기 기판 유지부에 유지되는 판부와,
    상기 판부로부터 상기 덮개체측으로 연장되는 적어도 1 개의 날개부
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 회전 구동부는, 제 1 회전 방향, 및 상기 제 1 회전 방향과는 반대 방향인 제 2 회전 방향으로, 상기 기판 유지부를 회전 가능하며,
    상기 날개부는,
    상기 판부에 대하여 제 1 각도를 가지는 제 1 경사면과,
    상기 판부에 대하여, 상기 제 1 각도보다 큰 제 2 각도를 가지는 제 2 경사면
    을 구비하고,
    상기 세정용 지그가 상기 제 1 회전 방향으로 회전하는 경우에, 상기 제 1 경사면은, 상기 제 2 경사면보다 회전 방향에 있어서 상류측에 위치하고,
    상기 세정용 지그가 상기 제 2 회전 방향으로 회전하는 경우에, 상기 제 2 경사면은, 상기 제 1 경사면보다 회전 방향에 있어서 상류측에 위치하는
    기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부
    를 구비하고,
    상기 세정액 공급부는, 상기 기판 유지부에 의해 유지되는 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 공급하는
    기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홀은, 상기 세정용 지그의 둘레 방향을 따라 형성되는
    기판 처리 장치.
  10. 기판을 유지 가능한 기판 유지부로, 세정용 지그를 반송하는 반송 공정과,
    상기 세정용 지그를 유지한 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 공정과,
    상기 기판 유지부에 유지된 상기 세정용 지그의 하면을 향해 세정액을 토출하는 토출 공정
    을 가지고,
    상기 세정용 지그에는, 세정액 공급부로부터 토출되는 상기 세정액을 상기 세정용 지그의 상면을 덮는 덮개체를 향해 통과시키는 홀이 적어도 1 개 형성되는
    기판 처리 방법.
KR1020237027599A 2021-01-19 2022-01-05 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20230132532A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021006709 2021-01-19
JPJP-P-2021-006709 2021-01-19
PCT/JP2022/000105 WO2022158286A1 (ja) 2021-01-19 2022-01-05 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230132532A true KR20230132532A (ko) 2023-09-15

Family

ID=82548811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237027599A KR20230132532A (ko) 2021-01-19 2022-01-05 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240066561A1 (ko)
JP (1) JPWO2022158286A1 (ko)
KR (1) KR20230132532A (ko)
TW (1) TW202244320A (ko)
WO (1) WO2022158286A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018003097A (ja) 2016-07-01 2018-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4990174B2 (ja) * 2008-02-04 2012-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2010016315A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 回転塗布装置の洗浄用治具および洗浄方法
JP5996425B2 (ja) * 2012-12-28 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置を洗浄するための洗浄治具および洗浄方法、および基板処理システム
JP6087772B2 (ja) * 2013-09-04 2017-03-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および洗浄用基板
JP7117392B2 (ja) * 2018-11-16 2022-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018003097A (ja) 2016-07-01 2018-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
TW202244320A (zh) 2022-11-16
JPWO2022158286A1 (ko) 2022-07-28
US20240066561A1 (en) 2024-02-29
WO2022158286A1 (ja) 2022-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102364189B1 (ko) 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기록 매체
WO2004046418A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5788349B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP5666419B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
WO2012102062A1 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記録媒体
JP2023169215A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230132532A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7221414B2 (ja) 基板液処理方法および基板液処理装置
WO2012056801A1 (ja) めっき処理装置及びめっき処理方法並びにめっき処理プログラムを記録した記録媒体
JP5667550B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP2018129476A (ja) 基板処理装置
JP7026801B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7282101B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP7267470B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2022220168A1 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP2017063130A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理装置の基板乾燥方法
CN115621162A (zh) 衬底洗净装置、衬底洗净系统、衬底处理系统、衬底洗净方法及衬底处理方法