WO2022270351A1 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents

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WO2022270351A1
WO2022270351A1 PCT/JP2022/023762 JP2022023762W WO2022270351A1 WO 2022270351 A1 WO2022270351 A1 WO 2022270351A1 JP 2022023762 W JP2022023762 W JP 2022023762W WO 2022270351 A1 WO2022270351 A1 WO 2022270351A1
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隆憲 小原
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method.
  • wafers semiconductor wafers
  • Wafers are cleaned before and after various manufacturing processes to maintain a high degree of wafer cleanliness.
  • particles can be effectively removed from the surface of the wafer by spraying a mixed fluid of gas and liquid onto the surface of the wafer.
  • the substrate cleaning apparatus disclosed in Patent Document 1 discharges cleaning liquid such as two fluids toward the surface of the substrate while forming a liquid film on the surface of the substrate. This prevents the mist-like cleaning liquid rebounding inside the cup from directly adhering to the surface of the substrate, thereby suppressing adhesion of particles to the surface of the substrate.
  • the processing liquid when a processing liquid such as a cleaning liquid is discharged toward the surface of a substrate (wafer) covered with liquid, the processing liquid may splash against the liquid on the substrate.
  • the liquid splashed from the substrate by this splashing (that is, the splashed liquid containing the liquid and/or the processing liquid) may bounce off a peripheral member such as a cup positioned around the substrate and land on the substrate.
  • the splashed liquid that lands on the substrate in this way can bring particles to the substrate.
  • the processing liquid When the processing liquid is discharged toward the substrate surface, the amount of the liquid on the substrate surface is reduced to reduce the thickness of the liquid film. Particles tend to adhere to the substrate. Therefore, the adhesion of particles to the substrate can be more effectively suppressed by suppressing the occurrence of liquid splashing when the processing liquid is discharged toward the substrate surface covered with a sufficient amount of liquid.
  • the present disclosure provides an advantageous technology for suppressing adhesion of particles to the substrate.
  • a substrate holding portion that holds a substrate
  • a rotation driving portion that rotates the substrate held by the substrate holding portion
  • a liquid supply nozzle that discharges liquid toward a processing surface of the substrate
  • an ejection section a treatment liquid ejection section having a treatment liquid supply nozzle for ejecting mist-like treatment liquid toward a processing surface
  • a first drive section for moving the treatment liquid supply nozzle
  • a treatment liquid ejection section and a first drive and a control unit for controlling the liquid ejection unit, wherein the control unit controls the liquid ejection unit to eject the liquid from the liquid supply nozzle toward the processing surface of the rotating substrate, and the processing liquid ejection unit.
  • the present invention relates to a substrate liquid processing apparatus.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an example of a processing system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a processing unit according to the first embodiment;
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an example of a processing system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a processing unit according to the first embodiment;
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of the substrate liquid processing method according to the
  • FIG. 9A is a diagram showing an example of how the rinsing liquid and the cleaning liquid spread on the processing surface of the substrate.
  • FIG. 9B is a diagram showing an example of the segmented area of the processing surface of the substrate.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of driving the liquid supply nozzles for changing the landing position of the rinse liquid on the processing surface.
  • FIG. 11 is a flowchart showing an example of changing the landing position of the rinse liquid on the processing surface using the monitoring result of the monitoring unit.
  • FIG. 12 is a schematic diagram of an example of a processing unit according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 17 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 18 is a diagram showing an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of an example of the processing system 80.
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of an example of the processing system 80.
  • the processing system 80 shown in FIG. 1 has a loading/unloading station 91 and a processing station 92 .
  • the loading/unloading station 91 includes a loading section 81 having a plurality of carriers C, and a transport section 82 provided with a first transport mechanism 83 and a delivery section 84 .
  • Each carrier C accommodates a plurality of substrates W in a horizontal state.
  • the processing station 92 is provided with a plurality of processing units 10 installed on both sides of the transport path 86 and a second transport mechanism 85 that reciprocates on the transport path 86 .
  • the substrate W is picked up from the carrier C by the first transport mechanism 83 and placed on the delivery section 84 , and taken out from the delivery section 84 by the second transport mechanism 85 . Then, the substrate W is carried into the corresponding processing unit 10 by the second transport mechanism 85 and subjected to a predetermined liquid processing in the corresponding processing unit 10 . After that, the substrate W is taken out from the corresponding processing unit 10 by the second transport mechanism 85 and placed on the transfer section 84 , and then returned to the carrier C of the placing section 81 by the first transport mechanism 83 .
  • the processing system 80 includes a control section 93 .
  • the control unit 93 is configured by a computer, for example, and has an arithmetic processing unit and a storage unit.
  • the storage unit of the control unit 93 stores programs and data for various processes performed by the processing system 80 .
  • the arithmetic processing unit of the control unit 93 appropriately reads and executes programs stored in the storage unit, thereby controlling various mechanisms of the processing system 80 and performing various processes.
  • the programs and data stored in the storage unit of the control unit 93 may have been recorded on a computer-readable storage medium and may have been installed from the storage medium into the storage unit.
  • Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.
  • Two or more of the plurality of processing units 10 in the processing system 80 described above may have the same configuration and perform the same processing, or may have different configurations and perform different processing.
  • various liquid processing can be performed by applying various types of processing liquid (for example, chemical liquid, rinse liquid, and cleaning liquid) to the substrate W.
  • processing liquid for example, chemical liquid, rinse liquid, and cleaning liquid
  • FIG. 10 a plurality of types of liquid processing (for example, chemical liquid processing, rinsing processing, and cleaning processing) for substrates W may be performed in a single processing bath, or may be performed in separate processing baths. good.
  • the cleaning process of the substrate W performed in one or more processing units 10 will be exemplified below.
  • the substrate W is typically composed of a semiconductor wafer, a glass substrate, or the like, but is not limited thereto.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of the processing unit 10 according to the first embodiment.
  • various elements inside the processing tank 21 are shown viewed from above.
  • a processing unit 10 shown in FIG. 10 A processing unit 10 shown in FIG.
  • the substrate holding part 22 holds the substrate W in the inner space of the processing bath 21 .
  • the substrate holding part 22 shown in FIG. 2 holds the lower surface of the substrate W (especially the central portion) by suction.
  • a specific method of holding the substrate W by the substrate holding part 22 is not limited.
  • the substrate holding part 22 is provided so as to be rotatable about the rotation axis Ax together with the substrate W while holding the substrate W.
  • the substrate holding portion 22 is rotated by a rotation driving portion 23 (see FIG. 3) configured by a motor or the like. That is, the rotation driving section 23 rotates the substrate W held by the substrate holding section 22 around the rotation axis Ax under the control of the control section 93 (see FIG. 1).
  • the liquid discharger 32 has a liquid supply source 38a, a flow controller 38b, an on-off valve 38c, a supply line 38d and a liquid supply nozzle 33.
  • the liquid supply source 38a feeds the rinse liquid Lr (for example, DIW (Deionized water)) to the supply line 38d.
  • the flow controller 38b is provided in a portion of the supply line 38d between the liquid supply source 38a and the on-off valve 38c, and under the control of the controller 93, adjusts the flow rate of the rinse liquid Lr flowing through the supply line 38d.
  • the on-off valve 38 c is provided in a portion of the supply line 38 d between the flow controller 38 b and the liquid supply nozzle 33 , and opens and closes the flow path of the supply line 38 d under the control of the control section 93 .
  • the liquid supply nozzle 33 ejects the rinse liquid Lr supplied from the liquid supply source 38a through the supply line 38d.
  • the cleaning liquid discharge unit 30 has a processing liquid supply source 36a, a flow rate controller 36b, an on-off valve 36c, a supply line 36d, a gas supply source 37a, a flow rate controller 37b, an on-off valve 37c, a supply line 37d, and a cleaning liquid supply nozzle 31.
  • the processing liquid supply source 36a feeds the cleaning liquid (processing liquid; for example, DIW) Lp to the supply line 36d.
  • the flow controller 36b is provided in a portion of the supply line 36d between the processing liquid supply source 36a and the on-off valve 36c, and under the control of the controller 93, adjusts the flow rate of the cleaning liquid Lp flowing through the supply line 36d.
  • the on-off valve 36 c is provided in a portion of the supply line 36 d between the flow controller 36 b and the cleaning liquid supply nozzle 31 , and opens and closes the flow path of the supply line 36 d under the control of the control section 93 .
  • the gas supply source 37a feeds gas (for example, inert gas such as nitrogen) to the supply line 37d.
  • gas for example, inert gas such as nitrogen
  • the flow controller 37b is provided in a portion of the supply line 37d between the gas supply source 37a and the on-off valve 37c, and under the control of the controller 93, adjusts the flow rate of the gas flowing through the supply line 37d.
  • the on-off valve 37c is provided in a portion of the supply line 37d between the flow controller 37b and the cleaning liquid supply nozzle 31, and opens and closes the flow path of the supply line 37d under the control of the controller 93.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 ejects the cleaning liquid Lp supplied from the processing liquid supply source 36a through the supply line 36d and the gas supplied from the gas supply source 37a through the supply line 37d.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 of the present embodiment is configured as a two-fluid nozzle that ejects a gas (inert gas or the like) together with the cleaning liquid (processing liquid) Lp, and ejects the mist-like cleaning liquid Lp.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 is movably supported by the first driving section 24 .
  • the liquid supply nozzle 33 is movably supported by the second driving section 25 .
  • the first drive section 24 has a first drive body section 24a and a first drive arm 24b.
  • the second driving portion 25 has a second driving body portion 25a and a second driving arm 25b.
  • the first drive body section 24a and the second drive body section 25a move along the guide rails 26 linearly extending in the horizontal direction (that is, the X-axis direction).
  • the guide rail 26 is fixedly provided inside the processing tank 21 with respect to the processing tank 21 .
  • Each of the first drive arm 24b and the second drive arm 25b is driven under the control of the control unit 93 in each of the horizontal direction (that is, the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction) and the height direction (that is, the Z-axis direction). , is provided so as to be linearly extendable.
  • the first driving section 24 can move the cleaning liquid supply nozzle 31 in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction under the control of the control section 93 .
  • the second drive unit 25 can move the liquid supply nozzle 33 in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction under the control of the control unit 93 .
  • the control unit 93 performs cleaning processing of the substrate W by controlling the rotation driving unit 23, the cleaning liquid ejection unit 30, the liquid ejection unit 32, the first driving unit 24, and the second driving unit 25 as described above.
  • the processing unit 10 shown in FIG. 2 further includes a cup structure 29 and a monitor 35 provided inside the processing bath 21 .
  • the cup structure 29 is provided so as to horizontally surround the substrate W held by the substrate holding portion 22 .
  • the cup structure 29 typically includes one or more cup bodies having an annular planar shape. Each cup has a cylindrical shape with an upper and a lower opening, and the substrate holder 22 and/or the substrate W held by the substrate holder 22 is placed inside each cup.
  • the cup structure 29 receives the liquid (including the rinsing liquid Lr and the cleaning liquid Lp) splashed from the substrate W, and prevents the splashed liquid from leaking out of the processing tank 21 .
  • the monitoring unit 35 monitors the state of the liquid film formed on the processing surface (that is, the upper surface) of the substrate W held by the substrate holding unit 22 under the control of the control unit 93 .
  • a specific state of the liquid film monitored by the monitoring unit 35 is not limited.
  • the monitoring unit 35 may monitor the thickness of the liquid film on the processing surface of the substrate W, for example.
  • a monitoring result of the monitoring unit 35 is sent to the control unit 93 .
  • the monitoring unit 35 may include one or more measuring instruments using a camera (imaging device) or laser.
  • the monitoring unit 35 may be configured by a combination of a measuring instrument and an arithmetic processing unit (for example, the control unit 93) provided separately.
  • measurement data is sent from the measuring device of the monitoring unit 35 to the control unit 93 functioning as an arithmetic processing unit. The state of the membrane may be obtained.
  • the processing unit 10 may be equipped with other devices.
  • the processing unit 10 can include a bottom surface cleaning unit (not shown) for cleaning the bottom surface of the substrate W held by the substrate holding part 22 .
  • the bottom surface cleaning unit includes, for example, a cleaning body composed of a brush or sponge that is pressed against the bottom surface of the substrate W, a cleaning liquid discharge nozzle that discharges the cleaning liquid, and a bottom cleaning moving device that moves the cleaning body and the cleaning liquid discharge nozzle.
  • the lower surface cleaning moving device moves the cleaning body and the cleaning liquid discharge nozzle, and the cleaning body is pressed against the lower surface of the substrate W while applying the cleaning liquid to clean the lower surface of the substrate W. can be done.
  • one or a plurality of suction pads capable of holding a portion other than the central portion of the lower surface of the substrate W may be provided. While the substrate W is being held by the suction pads, the portion of the bottom surface of the substrate W with which the substrate holding portion 22 contacts (that is, the central portion) can be cleaned. On the other hand, while the substrate W is being held by the substrate holding part 22, the portion of the bottom surface of the substrate W which the suction pad contacts can be cleaned.
  • a plurality of (for example, three) lifting pins may be provided around the substrate holding portion 22 .
  • These elevating pins are provided so as to be movable up and down by an elevating mechanism (not shown).
  • the substrate W can be transferred between these elevating pins and a transport mechanism (second transport mechanism 85 (see FIG. 1)) provided outside the processing unit 10 .
  • the substrate W can be transferred between these elevating pins and the substrate holding section 22 or the suction pads described above.
  • a treatment liquid ejection unit (not shown) may be provided that ejects another treatment liquid (for example, a chemical liquid) under the control of the control unit 93 and applies it to the substrate W.
  • another treatment liquid for example, a chemical liquid
  • the rinsing liquid Lr (liquid) is supplied to the center or near the center of the substrate W in order to cover the entire processing surface (upper surface) of the substrate W with the rinsing liquid Lr (liquid).
  • the mist-like cleaning liquid Lp is also applied to the entire processing surface of the substrate W. Specifically, while rotating the substrate W, the cleaning liquid Lp is directly sprayed onto the entire processing surface by moving the spraying position of the cleaning liquid Lp on the processing surface in the radial direction of the processing surface.
  • the cleaning liquid Lp when the cleaning liquid Lp is supplied to the center or near the center of the substrate W, the cleaning liquid Lp collides with the rinsing liquid Lr supplied to the center or near the center of the substrate W, and liquid splashing is likely to occur. Such splashing can bring particles to the substrate W and is preferably avoided as much as possible.
  • the following countermeasures are effective in suppressing the above-described liquid splashing caused by the collision of the cleaning liquid Lp and the rinse liquid Lr.
  • the amount of the rinsing liquid Lr applied to the processing surface of the substrate W and thinning the film of the rinsing liquid Lr on the processing surface splashing of the cleaning liquid Lp when applied onto the substrate W is suppressed. be able to.
  • the amount of the rinsing liquid Lr on the processing surface of the substrate W becomes insufficient to prevent particles caused by the splashed liquid rebounded from a cup or the like, and as a result, defects ( Defect) may occur more easily.
  • the amount of the rinsing liquid Lr on the processing surface of the substrate W becomes insufficient, and defects tend to occur on the processing surface of the substrate W.
  • the mist liquid is swept up by the substrate W rotating at high speed, and the liquid tends to scatter from the substrate W. As shown in FIG. As a result, the splashed liquid rebounded by the cup or the like may adhere to the processing surface of the substrate W, making it easier for particles to adhere to the processing surface.
  • the cleaning liquid Lp is discharged toward the substrate W together with the gas as in two-fluid cleaning, the occurrence of liquid splashing can be suppressed by reducing the flow rate of the gas.
  • the performance of removing particles from the processing surface of the substrate W deteriorates.
  • the substrate liquid processing method described below is performed by the controller 93 appropriately controlling each section of the processing system 80 (processing unit 10).
  • 3 to 8 are diagrams showing an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • the liquid supply nozzle 33 discharges the rinse liquid Lr toward the processing surface Ws of the substrate W held by the substrate holding part 22 (pre-rinse process).
  • the liquid supply nozzle 33 directs the rinse liquid Lr toward an area including the center of the processing surface Ws (that is, the position through which the rotation axis Ax passes) and the vicinity of the center (that is, the first liquid supply area Ws1). to dispense.
  • the rinse liquid Lr spreads over the entire processing surface Ws of the rotating substrate W, and the entire processing surface Ws is covered with the liquid film of the rinse liquid Lr.
  • the main discharge direction of the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 is the vertical direction (downward direction of the Z-axis). However, the ejection direction of all rinse liquids Lr ejected from the liquid supply nozzles 33 does not have to be strictly vertical. At least part of the rinse liquid Lr ejected from the liquid supply nozzle 33 may fly in a direction inclined with respect to the vertical direction.
  • the first liquid supply area Ws1 where the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 lands does not necessarily include the center of the processing surface Ws.
  • the first liquid supply area Ws1 includes the center of the processing surface Ws. Even without it, it is possible to cover the entire processing surface Ws with the rinse liquid Lr.
  • the substrate W is rotated by the rotation driving unit 23. 22 continuously around the rotation axis Ax.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 directs the cleaning liquid toward the processing surface Ws.
  • Lp is ejected (see FIG. 4).
  • the main discharge direction of the cleaning liquid Lp from the cleaning liquid supply nozzle 31 is the vertical direction.
  • the ejection direction of all the cleaning liquids Lp ejected from the cleaning liquid supply nozzles 31 does not have to be strictly vertical. At least part of the cleaning liquid Lp ejected from the cleaning liquid supply nozzle 31 may fly in a direction inclined with respect to the vertical direction.
  • the rotation drive unit 23 rotates the substrate W at a rotation speed that sufficiently reduces the thickness of the liquid film on the outer peripheral portion of the processing surface Ws.
  • the above-described atomization cleaning process is started from a portion of the processing surface Ws where the liquid film is sufficiently thin, and the occurrence of liquid splashing at the beginning of the atomization cleaning process can be suppressed.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 of this example starts discharging the gas after starting to discharge the cleaning liquid Lp toward the outer peripheral portion of the processing surface Ws. That is, under the control of the control unit 93, after the flow path of the supply line 36d (see FIG. 2) is switched from the closed state to the open state by the on-off valve 36c, the flow path of the supply line 37d is opened from the closed state by the on-off valve 37c. Switched to the open state.
  • the gas is started to be discharged from the cleaning liquid supply nozzle 31 while the cleaning liquid Lp is being discharged from the cleaning liquid supply nozzle 31 toward the outer peripheral portion of the processing surface Ws.
  • the mist-like cleaning liquid Lp discharged from the cleaning liquid supply nozzle 31 together with the gas cleans the outer peripheral portion of the processing surface Ws.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 ejects the cleaning liquid Lp and the gas from the outer peripheral side of the substrate W toward the central side. Move in the horizontal direction (X-axis direction).
  • control unit 93 controls the liquid ejection unit 32 and the second driving unit 25 to direct the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 toward the processing surface Ws (especially the first liquid supply area Ws1) of the rotating substrate W. Let it spit out. Further, the control unit 93 controls the cleaning liquid ejection unit 30 and the first driving unit 24 to cause the cleaning liquid Lp from the cleaning liquid supply nozzle 31 to flow onto the processing surface Ws on which the liquid film (including the rinse liquid Lr) is formed. The landing position is moved from the outer periphery of the processing surface Ws toward the center.
  • the central portion referred to here can include not only the center of the processing surface Ws (the point through which the rotation axis Ax passes), but also the vicinity of the center. Therefore, the landing position of the cleaning liquid Lp on the processing surface Ws may move toward the center of the processing surface Ws or may move toward the vicinity of the center of the processing surface Ws.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 moves from the outer peripheral side toward the center side of the substrate W, the cleaning liquid supply nozzle 31 does not necessarily have to move strictly toward the center of the processing surface Ws (that is, the rotation axis Ax). That is, the cleaning liquid supply nozzle 31 may move along the radial direction of the processing surface Ws having a circular planar shape, or may move not along the radial direction. However, it is preferable that the cleaning liquid supply nozzle 31 moves from the outer peripheral side toward the center side of the substrate W along a path that allows the cleaning liquid Lp to be directly sprayed onto the entire processing surface Ws of the rotating substrate W.
  • the liquid supply nozzle 33 directs the landing position of the cleaning liquid Lp from the outer peripheral portion of the processing surface Ws to the first intermediate portion located between the outer peripheral portion and the central portion of the processing surface Ws. While moving, the rinsing liquid Lr is discharged toward the center of the processing surface Ws (see FIG. 4). That is, the control unit 93 controls the second driving unit 25 so that while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the outer peripheral portion of the processing surface Ws toward the first intermediate portion, the first portion of the processing surface Ws is The rinse liquid Lr is discharged from the liquid supply nozzle 33 toward the liquid supply area Ws1.
  • the liquid supply nozzle 33 moves the cleaning liquid Lp onto the processing surface Ws while the cleaning liquid Lp lands on the processing surface Ws from the first intermediate portion toward the center of the processing surface Ws.
  • the rinsing liquid Lr is discharged toward a region other than the center of the (see FIG. 5). That is, the control unit 93 controls the second drive unit 25 so that while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the first intermediate portion toward the central portion of the processing surface Ws, the second driving unit 25 of the processing surface Ws is moved.
  • the rinse liquid Lr is discharged from the liquid supply nozzle 33 toward the liquid supply area Ws2.
  • the distance of the second liquid supply area Ws2 from the center of the processing surface Ws (that is, the rotation axis Ax) is greater than the distance of the first liquid supply area Ws1 from the center of the processing surface Ws.
  • the second driving unit 25 moves the liquid supply nozzle 33 in the horizontal direction, thereby changing the landing position of the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 on the processing surface Ws. That is, by moving the liquid supply nozzle 33 by the second driving unit 25, the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 is discharged toward the first liquid supply area Ws1 and the second liquid supply area Ws2. Switch between the state in which the liquid is discharged toward the target.
  • the cleaning liquid Lp discharged from the cleaning liquid supply nozzle 31 and the rinse liquid Lr discharged from the liquid supply nozzle 33 continuously cover the entire processing surface Ws with a liquid film. Ws2 is determined.
  • the moving speed of the cleaning liquid supply nozzle 31 toward the center of the processing surface Ws is reduced during the whole or part of the time when the landing position of the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 is switched in this way. .
  • the landing position of the rinse liquid Lr is switched, and splashing can be suppressed in a state in which the landing of the rinse liquid Lr on the processing surface Ws is unstable.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 whose moving speed has been temporarily reduced in this manner moves toward the center of the processing surface Ws again at its original moving speed (that is, relatively high moving speed).
  • the amount of the rinse liquid Lr discharged from the liquid supply nozzle 33 toward the second liquid supply area Ws2 per unit time is It is smaller than the amount per unit time of the rinse liquid Lr.
  • the amount of the rinse liquid Lr in the vicinity of the landing position of the cleaning liquid Lp on the processing surface Ws is reduced, and splashing of the rinse liquid Lr and/or the cleaning liquid Lp can be suppressed.
  • the number of revolutions of the substrate W in this example is higher than that while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the outer peripheral portion toward the second intermediate portion located between the outer peripheral portion and the central portion of the processing surface Ws. It is higher while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the second intermediate portion of Ws toward the central portion.
  • the distance from the center (rotational axis Ax) of the processing surface Ws of the second intermediate portion referred to here may be the same as or different from the distance from the center of the processing surface Ws of the first intermediate portion described above. good too.
  • the lower the number of revolutions of the substrate W the more the portion of the liquid film on the processing surface Ws with a greater thickness tends to be closer to the center side of the processing surface Ws (for example, the landing position side of the rinse liquid Lr and/or the cleaning liquid Lp). be.
  • the rinse liquid Lr on the processing surface Ws may spread on the processing surface Ws so as to bypass the landing position of the cleaning liquid Lp on the processing surface Ws (described later). 9A). Therefore, while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the second intermediate portion toward the central portion of the processing surface Ws as described above, the number of revolutions of the substrate W is relatively reduced to suppress liquid splashing. sell.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 is turned back to the center of the processing surface Ws. from toward the outer periphery in the X-axis direction. Note that the cleaning liquid supply nozzle 31 may be folded back without being moved directly above the center of the processing surface Ws.
  • the liquid supply nozzle 33 is moved by the second driving section 25, and the landing position of the rinse liquid Lr is shifted from the second liquid supply area Ws2 to the first liquid supply area Ws1.
  • the distance from the center of the processing surface Ws of the third intermediate portion referred to here may be the same as or different from the distance from the center of the processing surface Ws of the first intermediate portion and/or the second intermediate portion. may be
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 is directed toward the outer peripheral portion of the processing surface Ws. may be reduced. This can suppress splashing of the rinse liquid Lr and/or the cleaning liquid Lp.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31, whose moving speed is temporarily reduced in this way, moves toward the outer peripheral portion of the processing surface Ws again at the original moving speed (that is, a relatively high moving speed).
  • the number of revolutions of the substrate W is higher than that of the processing surface Ws while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the center toward the fourth intermediate portion located between the outer peripheral portion and the center of the processing surface Ws. It may be lower while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the fourth intermediate portion toward the outer peripheral portion.
  • the distance from the center of the processing surface Ws of the fourth intermediate portion referred to here is the same as the distance from the center of the processing surface Ws of the first intermediate portion, the second intermediate portion and/or the third intermediate portion described above. may be different.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 moves toward the outer periphery of the processing surface Ws until the cleaning liquid Lp from the cleaning liquid supply nozzle 31 lands on the processing surface Ws and reaches the outer peripheral portion (especially the edge) of the processing surface Ws. (See FIG. 8). At this time, the liquid supply nozzle 33 continues to discharge the rinse liquid Lr toward the first liquid supply area Ws1.
  • the processing surface Ws of the substrate W can be cleaned while suppressing liquid splashing, and as a result, the generation of particles on the processing surface Ws can be reduced. can be effectively suppressed.
  • FIG. 9A is a diagram showing an example of how the rinsing liquid Lr and the cleaning liquid Lp spread on the processing surface Ws of the substrate W.
  • FIG. 9B is a diagram showing an example of the segmented regions R1 to R4 of the processing surface Ws of the substrate W. As shown in FIG.
  • the processing surface Ws of the substrate W is divided into four regions R1 to R4 by linear X-axis and Y-axis that pass through the rotation center (rotational axis Ax) of the processing surface Ws and are perpendicular to each other.
  • the landing position of the cleaning liquid Lp discharged from the cleaning liquid supply nozzle 31 on the processing surface Ws is moved from the outer periphery toward the center of the processing surface Ws in the direction in which the X axis extends.
  • the cleaning liquid Lp lands on the outer periphery of the processing surface Ws. There is a landing position of the cleaning liquid Lp while being moved from toward the center.
  • the second liquid supply area Ws2 exists in the other of the two regions divided by the Y axis on the processing surface Ws (see the first divided region R1 and the second divided region R2 shown in FIG. 9B), This is advantageous for efficiently cleaning the processing surface Ws while suppressing liquid splashing.
  • the regions other than the center of the processing surface Ws are shifted to the positive side of the X axis, as shown in FIG. 9B. It repeatedly passes through the minus side of the Y axis, the minus side of the X axis, and the plus side of the Y axis.
  • the second A liquid supply area Ws2 is preferably present in the region (see the second segmented region R2 and the third segmented region R3 shown in FIG. 9B) of the two regions segmented by the X axis on the processing surface Ws. In this case, it is advantageous for efficiently cleaning the processing surface Ws while suppressing liquid splashing.
  • the landing position of the cleaning liquid Lp from the cleaning liquid supply nozzle 31 exists in the third segmented region R3 and/or the fourth segmented region R4 shown in FIG.
  • the landing position of the liquid Lr is preferably present in the second segmented region R2.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of driving the liquid supply nozzle 33 for changing the landing position of the rinse liquid Lr on the processing surface Ws.
  • the horizontal position of the liquid supply nozzle 33 is changed by the second driving section 25 in order to change the landing position of the rinse liquid Lr on the processing surface Ws, but it is not limited to this.
  • the second driving unit 25 adjusts the orientation of the liquid supply nozzle 33 (in particular, the orientation of the ejection port) to thereby supply the liquid.
  • the ejection direction of the rinse liquid Lr from the nozzle 33 may be changed. That is, by changing the direction in which the rinse liquid Lr is ejected from the liquid supply nozzle 33 by the second driving unit 25, the rinse liquid Lr is ejected from the liquid supply nozzle 33 toward the first liquid supply area Ws1. It can be switched between the state of being discharged toward the two-liquid supply area Ws2.
  • FIG. 11 is a flowchart showing an example of changing the landing position of the rinse liquid Lr on the processing surface Ws using the monitoring result of the monitoring unit 35.
  • the control unit 93 may change the landing position of the rinse liquid Lr on the processing surface Ws according to the monitoring result of the monitoring unit 35 that monitors the state of the liquid film on the processing surface Ws.
  • the liquid supply nozzle 33 starts discharging the rinse liquid Lr toward the first liquid supply area Ws1. (S2). Also, the cleaning liquid Lp is started to be discharged from the cleaning liquid supply nozzle 31 toward the processing surface Ws.
  • the control unit 93 determines whether or not the liquid film on the processing surface Ws is in a state in which liquid splashing is likely to be induced (that is, a "liquid splashing induced state"). Determine (S3). For example, when a thick portion of the liquid film on the processing surface Ws is close to the landing position of the cleaning liquid Lp on the processing surface Ws, it can be determined that the liquid film on the processing surface Ws is in a liquid splashing induced state.
  • control section 93 controls the second driving section 25 to cause the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 to is changed from the first liquid supply area Ws1 to the second liquid supply area Ws2 (S4).
  • control unit 93 determines whether or not the liquid film on the processing surface Ws has escaped from the liquid splashing induced state based on the monitoring result of the monitoring unit 35 (S5).
  • the liquid supply nozzle 33 directs toward the second liquid supply area Ws2. The discharge of the rinsing liquid Lr is continued.
  • the control section 93 controls the second driving section 25 to cause the rinse liquid from the liquid supply nozzle 33 to flow.
  • the landing position of Lr is changed from the second liquid supply area Ws2 to the first liquid supply area Ws1 (S6).
  • control unit 93 controls the cleaning liquid ejection unit 30 and the liquid ejection unit 32 to eject the cleaning liquid Lp from the cleaning liquid supply nozzle 31 and the liquid. Discharge of the rinse liquid Lr from the supply nozzle 33 is stopped (S8).
  • control unit 93 can change the landing position of the rinse liquid Lr on the processing surface Ws by controlling the second driving unit 25 according to the monitoring result of the monitoring unit 35 to move the liquid supply nozzle 33. can. Accordingly, depending on the monitoring result of the monitoring unit 35, the state in which the rinse liquid Lr is discharged from the liquid supply nozzle 33 toward the first liquid supply area Ws1 and the state in which the rinse liquid Lr is discharged from the liquid supply nozzle 33 toward the second liquid supply area Ws2 The state in which the rinse liquid Lr liquid is discharged can be switched.
  • the monitoring unit 35 may monitor other states.
  • the monitoring unit 35 monitors the positions of the cleaning liquid supply nozzle 31 and the liquid supply nozzle 33, the state of the cleaning liquid Lp discharged from the cleaning liquid supply nozzle 31, and/or the state of the rinse liquid Lr discharged from the liquid supply nozzle 33.
  • the control section 93 may perform various controls based on the positions of the cleaning liquid supply nozzle 31 and the liquid supply nozzle 33 monitored by the monitoring section 35 and the states of the cleaning liquid Lp and the rinse liquid Lr.
  • control unit 93 controls the rotation driving unit 23 to rotate the substrate W based on the relative position between the thick portion of the liquid film on the processing surface Ws monitored by the monitoring unit 35 and the liquid supply nozzle 33. You can adjust the number. By adjusting the rotation speed of the substrate W in this way, the overall thickness of the liquid film on the processing surface Ws or the relative position between the thick portion of the liquid film and the liquid supply nozzle 33 is optimized. It is possible to suppress the generation of particles by suppressing liquid splashing.
  • FIG. 12 is a diagram schematically showing an example of the processing unit 10 according to the second embodiment.
  • various elements inside the processing tank 21 are shown viewed from above.
  • the control unit 93 controls the second driving unit 25 to discharge the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 toward the first liquid supply area Ws1, The state is switched between the state in which the liquid is discharged toward the liquid supply area Ws2.
  • the controller 93 switches the nozzle for discharging the rinse liquid Lr, whereby the rinse liquid Lr from the liquid supply nozzle 33 is discharged toward the first liquid supply area Ws1, and the second liquid supply area Ws1 is discharged. 2 Switches between the state in which the liquid is discharged toward the liquid supply area Ws2.
  • the liquid supply nozzle 33 of this embodiment includes a first liquid supply nozzle 33a, a second liquid supply nozzle 33b, and a flow path adjusting section 33c.
  • the first liquid supply nozzle 33a discharges the rinse liquid Lr toward the first liquid supply area Ws1 of the processing surface Ws of the substrate W.
  • the second liquid supply nozzle 33b ejects the rinse liquid Lr toward the second liquid supply area Ws2 of the processing surface Ws.
  • the flow path adjustment section 33c adjusts the flow path that interconnects the first liquid supply nozzle 33a, the second liquid supply nozzle 33b, and the supply line 38d. That is, by adjusting the flow path, the flow path adjustment unit 33c supplies the rinse liquid Lr sent via the supply line 38d only to the first liquid supply nozzle 33a or only to the second liquid supply nozzle 33b. supply. By adjusting the flow path, the flow path adjusting unit 33c can supply the rinse liquid Lr sent through the supply line 38d to both the first liquid supply nozzle 33a and the second liquid supply nozzle 33b. good.
  • the first liquid supply nozzle 33a and the second liquid supply nozzle 33b are provided integrally, but the first liquid supply nozzle 33a and the second liquid supply nozzle 33b are provided separately from each other. may
  • the first liquid supply nozzle 33a and the second liquid supply nozzle 33b are provided movably by the second driving section 25, like the liquid supply nozzle 33 of the first embodiment described above.
  • the first liquid supply nozzle 33 a and the second liquid supply nozzle 33 b may be fixedly provided with respect to the processing tank 21 .
  • the first liquid supply nozzle 33a and the second liquid supply nozzle 33b may be fixed in the X-axis direction but movable in the Y-axis direction and/or the Z-axis direction.
  • the rinse liquid Lr is supplied to the first liquid supply nozzle 33a and the second liquid supply nozzle 33b by the common liquid supply source 38a, flow controller 38b, on-off valve 38c and supply line 38d.
  • a separate liquid supply source 38a, flow controller 38b, on-off valve 38c and/or supply line 38d may be assigned to each of the first liquid supply nozzle 33a and the second liquid supply nozzle 33b.
  • FIG. 12 Other configurations of the processing unit 10 shown in FIG. 12 are the same as those of the processing unit 10 according to the first embodiment described above.
  • the controller 93 controls the position of the cleaning liquid Lp from the cleaning liquid supply nozzle 31 to move from the outer peripheral portion of the processing surface Ws of the substrate W toward the first intermediate portion.
  • the rinse liquid Lr is discharged from the liquid supply nozzle 33a.
  • the controller 93 causes the second liquid supply nozzle 33b to discharge the rinse liquid Lr while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the first intermediate portion toward the central portion of the processing surface Ws.
  • FIG. 13 to 18 are diagrams showing an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • the substrate liquid processing method described below is performed by the controller 93 appropriately controlling each section of the processing system 80 (processing unit 10).
  • the first liquid supply nozzle 33a discharges the rinse liquid Lr toward the processing surface Ws (especially the first liquid supply area Ws1) of the substrate W held by the substrate holding section 22. (pre-rinse treatment). As a result, the rinse liquid Lr spreads over the entire processing surface Ws of the rotating substrate W, and the entire processing surface Ws is covered with the liquid film of the rinse liquid Lr.
  • the first liquid supply nozzle 33a supplies the rinse liquid Lr to the processing surface Ws of the substrate W held and rotated by the substrate holder 22, while the cleaning liquid supply nozzle 31 A cleaning liquid Lp is discharged toward the processing surface Ws.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 discharges the outer peripheral portion (especially the edge) of the processing surface Ws. discharge of the cleaning liquid Lp is started.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 moves in the horizontal direction (X-axis direction) from the outer peripheral side of the substrate W toward the central side while ejecting the cleaning liquid Lp and the gas. That is, the control unit 93 controls the liquid ejection unit 32 to eject the rinse liquid Lr from the first liquid supply nozzle 33a toward the processing surface Ws of the rotating substrate W. As shown in FIG. Further, the control unit 93 controls the cleaning liquid ejection unit 30 and the first driving unit 24 to set the landing position of the cleaning liquid Lp from the cleaning liquid supply nozzle 31 on the processing surface Ws on which the liquid film is formed. Move from the outer periphery to the center.
  • the liquid supply nozzle 33 moves toward the center of the processing surface Ws while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the outer peripheral portion of the processing surface Ws toward the first intermediate portion (see FIG. 15).
  • the rinse liquid Lr is discharged toward the part (see FIG. 14).
  • the control unit 93 controls the flow path adjustment unit 33c to move the landing position of the cleaning liquid Lp from the outer peripheral portion of the processing surface Ws toward the first intermediate portion, while the first liquid supply nozzle 33a moves toward the first intermediate portion.
  • the rinse liquid Lr is discharged toward the liquid supply area Ws1.
  • the liquid supply nozzle 33 moves the cleaning liquid Lp onto the processing surface Ws while the cleaning liquid Lp lands on the processing surface Ws from the first intermediate portion toward the center of the processing surface Ws.
  • the rinsing liquid Lr is discharged toward a region other than the central portion of (see FIG. 15). That is, the control unit 93 controls the flow path adjustment unit 33c to move the landing position of the cleaning liquid Lp from the first intermediate portion toward the central portion of the processing surface Ws, while the second liquid supply nozzle 33b moves toward the second liquid supply nozzle 33b.
  • the rinse liquid Lr is discharged toward the liquid supply area Ws2.
  • the landing position of the rinse liquid Lr on the processing surface Ws can be changed by switching the ejection of the rinse liquid Lr between the first liquid supply nozzle 33a and the second liquid supply nozzle 33b. That is, the flow path adjustment unit 33c adjusts the flow path so that the rinse liquid Lr is discharged toward the second liquid supply area Ws2 from a state in which the rinse liquid Lr is discharged toward the first liquid supply area Ws1. state can be switched.
  • the moving speed of the cleaning liquid supply nozzle 31 toward the center of the processing surface Ws is reduced during the whole or part of the time during which the landing position of the rinse liquid Lr is switched in this way. Then, the cleaning liquid supply nozzle 31, whose movement speed is temporarily reduced in this way, moves toward the center of the processing surface Ws again at the original movement speed (that is, a relatively high movement speed).
  • the flow rate of the rinse liquid Lr discharged from the first liquid supply nozzle 33a is greater than the flow rate of the rinse liquid Lr discharged from the second liquid supply nozzle 33b. Therefore, the amount of the rinse liquid Lr discharged from the second liquid supply nozzle 33b toward the second liquid supply area Ws2 per unit time is equal to the amount discharged from the first liquid supply nozzle 33a toward the first liquid supply area Ws1. It is less than the amount per unit time of the rinse liquid Lr.
  • the number of revolutions of the substrate W in this example is higher than that while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the outer peripheral portion toward the second intermediate portion located between the outer peripheral portion and the central portion of the processing surface Ws. It is higher while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the second intermediate portion of Ws toward the central portion.
  • the moving speed of the cleaning liquid supply nozzle 31 toward the outer peripheral portion of the processing surface Ws is reduced.
  • the number of revolutions of the substrate W is higher than that of the processing surface Ws while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the center toward the fourth intermediate portion located between the outer peripheral portion and the center of the processing surface Ws. It may be lower while the landing position of the cleaning liquid Lp is moving from the fourth intermediate portion toward the outer peripheral portion.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 moves toward the outer periphery of the processing surface Ws until the cleaning liquid Lp from the cleaning liquid supply nozzle 31 lands on the processing surface Ws and reaches the outer peripheral portion (especially the edge) of the processing surface Ws. (See FIG. 18).
  • the processing surface Ws of the substrate W can be cleaned while suppressing liquid splashing, and as a result, the generation of particles on the processing surface Ws can be effectively suppressed. can be effectively suppressed.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 and/or the liquid supply nozzle 33 move linearly in the horizontal direction, but the cleaning liquid supply nozzle 31 and/or the liquid supply nozzle 33 may move non-linearly.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 and/or the liquid supply nozzle 33 may be attached to a drive arm that swings in the horizontal plane about a drive axis that extends in the height direction. In this case, the cleaning liquid supply nozzle 31 and/or the liquid supply nozzle 33 move along an arc around the drive axis in accordance with the swinging of the drive arm.
  • the cleaning liquid supply nozzle 31 is configured as a two-fluid nozzle, but it may be configured as a one-fluid nozzle that ejects the cleaning liquid (processing liquid) Lp without ejecting gas.
  • the cleaning liquid Lp is used as the processing liquid, but it is possible to appropriately apply the above-described techniques (apparatus and method) to cases where processing liquids other than the cleaning liquid are used. Similarly, the above-described techniques (apparatus and method) can be appropriately applied to cases where other liquids are used instead of the rinse liquid Lr (eg, DIW).
  • the rinse liquid Lr eg, DIW
  • the technical category that embodies the above technical idea is not limited.
  • the substrate liquid processing apparatus described above may be applied to other apparatuses.
  • the above technical ideas may be embodied by a computer program for causing a computer to execute one or more procedures (steps) included in the substrate liquid processing method (including the substrate cleaning method).
  • the above technical idea may be embodied by a computer-readable non-transitory recording medium in which such a computer program is recorded.

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Abstract

基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板を回転させる回転駆動部と、基板の処理面に向けて液体を吐出する液体供給ノズルを有する液体吐出部と、処理面に向けて、ミスト状の処理液を吐出する処理液供給ノズルを有する処理液吐出部と、処理液供給ノズルを動かす第１駆動部と、処理液吐出部、第１駆動部及び液体吐出部を制御する制御部と、を備え、制御部は、液体吐出部を制御して、回転する基板の処理面に向けて液体供給ノズルから液体を吐出させつつ、処理液吐出部及び第１駆動部を制御して、処理液供給ノズルからの処理液の、液体を含む液膜が形成されている処理面上における着地位置を、処理面の外周部から中心部に向けて動かす。

Description

基板液処理装置及び基板液処理方法
　本開示は、基板液処理装置及び基板液処理方法に関する。
　半導体デバイスの製造において、半導体ウェハ（以下「ウェハ」と称する）の表裏面、特に半導体デバイスが形成されるウェハの表面、の清浄度を高く維持することが求められる。ウェハの清浄度を高く維持するため、様々な製造プロセスの前後でウェハの洗浄が行われる。
　ウェハの洗浄において、気体及び液体の混合流体をウェハの表面に吹き付けることで、ウェハの表面からパーティクルを効果的に除去できる。
　特許文献１が開示する基板洗浄装置は、基板の表面上に液膜を形成した状態で、２流体等の洗浄液を基板の表面に向けて吐出する。これにより、カップの内側で跳ね返ったミスト状の洗浄液が基板の表面に対して直接的に付着するのを防いで、基板の表面に対するパーティクルの付着が抑えられる。
特開２００３－２０３８９２号公報
　上述のように、液体により覆われている基板（ウェハ）の表面に向けて洗浄液等の処理液を吐出する場合、処理液が基板上の液体に衝突することで液跳ねをもたらしうる。この液跳ねにより基板から飛散した液（すなわち液体及び／又は処理液を含む飛散液）は、基板の周辺に位置するカップ等の周辺部材で跳ね返って、基板上に着地することがある。このようにして基板上に着地した飛散液は、基板にパーティクルをもたらしうる。
　なお、処理液を基板表面に向けて吐出する際、基板表面上の液体の量を少なくして液膜厚を小さくすることで液跳ねが生じにくくなるが、基板上の液体の量が少ないと基板にパーティクルが付着しやすくなる。そのため、十分量の液体により覆われている基板表面に向けて処理液を吐出する状況で液跳ねの発生を抑えることで、基板に対するパーティクルの付着を一層効果的に抑制することができる。
　本開示は、基板に対するパーティクルの付着を抑えるのに有利な技術を提供する。
　本開示の一態様は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持されている基板を回転させる回転駆動部と、基板の処理面に向けて液体を吐出する液体供給ノズルを有する液体吐出部と、処理面に向けて、ミスト状の処理液を吐出する処理液供給ノズルを有する処理液吐出部と、処理液供給ノズルを動かす第１駆動部と、処理液吐出部、第１駆動部及び液体吐出部を制御する制御部と、を備え、制御部は、液体吐出部を制御して、回転する基板の処理面に向けて液体供給ノズルから液体を吐出させつつ、処理液吐出部及び第１駆動部を制御して、処理液供給ノズルからの処理液の、液体を含む液膜が形成されている処理面上における着地位置を、処理面の外周部から中心部に向けて動かす基板液処理装置に関する。
　本開示によれば、基板に対するパーティクルの付着を抑えるのに有利である。
図１は、処理システムの一例の概略を示す図である。 図２は、第１実施形態に係る処理ユニットの一例の概略を示す図である。 図３は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図４は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図５は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図６は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図７は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図８は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図９Ａは、基板の処理面上におけるリンス液及び洗浄液の広がり状態の一例を示す図である。 図９Ｂは、基板の処理面の区分領域の一例を示す図である。 図１０は、処理面上におけるリンス液の着地位置を変えるための液体供給ノズルの駆動例を示す図である。 図１１は、監視部の監視結果を利用して、処理面上におけるリンス液の着地位置を変える例を示すフローチャートである。 図１２は、第２実施形態に係る処理ユニットの一例の概略を示す図である。 図１３は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図１４は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図１５は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図１６は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図１７は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。 図１８は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。
　以下、図面を参照して本開示の実施形態について説明する。
　図１は、処理システム８０の一例の概略を示す図である。
　図１に示す処理システム８０は、搬入出ステーション９１及び処理ステーション９２を有する。搬入出ステーション９１は、複数のキャリアＣを具備する載置部８１と、第１搬送機構８３及び受渡部８４が設けられている搬送部８２とを含む。各キャリアＣには、複数の基板Ｗが水平状態で収容されている。処理ステーション９２には、搬送路８６の両側に設置されている複数の処理ユニット１０と、搬送路８６を往復移動する第２搬送機構８５とが設けられている。
　基板Ｗは、第１搬送機構８３によりキャリアＣから取り出されて受渡部８４に載せられ、第２搬送機構８５によって受渡部８４から取り出される。そして基板Ｗは、第２搬送機構８５によって対応の処理ユニット１０に搬入され、対応の処理ユニット１０において所定の液処理が施される。その後、基板Ｗは、第２搬送機構８５によって対応の処理ユニット１０から取り出されて受渡部８４に載せられ、その後、第１搬送機構８３によって載置部８１のキャリアＣに戻される。
　処理システム８０は制御部９３を備える。制御部９３は、例えばコンピュータによって構成され、演算処理部及び記憶部を具備する。制御部９３の記憶部には、処理システム８０で行われる各種処理のためのプログラム及びデータが記憶される。制御部９３の演算処理部は、記憶部に記憶されているプログラムを適宜読み出して実行することにより、処理システム８０の各種機構を制御して各種処理を行う。
　制御部９３の記憶部に記憶されるプログラム及びデータは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）及びメモリカードなどがある。
　上述の処理システム８０において複数の処理ユニット１０のうちの２以上は、お互いに同じ構成を有し且つ同じ処理を行ってもよいし、お互いに異なる構成を有し且つ異なる処理を行ってもよい。各処理ユニット１０では、各種の処理液（例えば薬液、リンス液及び洗浄液）を基板Ｗに付与することで様々な液処理を行うことが可能である。各処理ユニット１０において、基板Ｗに対する複数種類の液処理（例えば薬液処理、リンス処理及び洗浄処理）が、単一の処理槽で行われてもよいし、それぞれ別々の処理槽で行われてもよい。
　以下、１以上の処理ユニット１０において行われる基板Ｗの洗浄処理について例示する。なお基板Ｗは、典型的には半導体ウェハやガラス基板等によって構成されるが、限定されない。
［第１実施形態］
　図２は、第１実施形態に係る処理ユニット１０の一例の概略を示す図である。図２において、処理槽２１の内側の各種要素は、上方から見た状態が示される。
　図２に示す処理ユニット１０は、基板保持部２２、液体吐出部３２、洗浄液吐出部（処理液吐出部）３０、第１駆動部２４及び第２駆動部２５を備える。
　基板保持部２２は、処理槽２１の内側スペースにおいて基板Ｗを保持する。図２に示す基板保持部２２は、基板Ｗの下面（特に中心部）を吸着保持する。ただし、基板保持部２２による基板Ｗの具体的な保持方式は限定されない。
　基板保持部２２は、基板Ｗを保持しつつ、当該基板Ｗとともに回転軸線Ａｘを中心に回転可能に設けられている。基板保持部２２は、モータ等により構成される回転駆動部２３（図３参照）によって回転される。すなわち回転駆動部２３は、制御部９３（図１参照）の制御下で、基板保持部２２に保持されている基板Ｗを、回転軸線Ａｘを中心に回転させる。
　液体吐出部３２は、液体供給源３８ａ、流量制御器３８ｂ、開閉弁３８ｃ、供給ライン３８ｄ及び液体供給ノズル３３を有する。
　液体供給源３８ａは、制御部９３の制御下で、供給ライン３８ｄにリンス液Ｌｒ（例えばＤＩＷ(Deionized water)）を送り出す。流量制御器３８ｂは、供給ライン３８ｄのうち液体供給源３８ａと開閉弁３８ｃとの間の部分に設けられ、制御部９３の制御下で、供給ライン３８ｄを流れるリンス液Ｌｒの流量を調整する。開閉弁３８ｃは、供給ライン３８ｄのうち流量制御器３８ｂと液体供給ノズル３３との間の部分に設けられ、制御部９３の制御下で、供給ライン３８ｄの流路を開閉する。
　液体供給ノズル３３は、液体供給源３８ａから供給ライン３８ｄを介して供給されるリンス液Ｌｒを吐出する。
　洗浄液吐出部３０は、処理液供給源３６ａ、流量制御器３６ｂ、開閉弁３６ｃ、供給ライン３６ｄ、ガス供給源３７ａ、流量制御器３７ｂ、開閉弁３７ｃ、供給ライン３７ｄ及び洗浄液供給ノズル３１を有する。
　処理液供給源３６ａは、制御部９３の制御下で、供給ライン３６ｄに洗浄液（処理液；例えばＤＩＷ）Ｌｐを送り出す。流量制御器３６ｂは、供給ライン３６ｄのうち処理液供給源３６ａと開閉弁３６ｃとの間の部分に設けられ、制御部９３の制御下で、供給ライン３６ｄを流れる洗浄液Ｌｐの流量を調整する。開閉弁３６ｃは、供給ライン３６ｄのうち流量制御器３６ｂと洗浄液供給ノズル３１との間の部分に設けられ、制御部９３の制御下で、供給ライン３６ｄの流路を開閉する。
　ガス供給源３７ａは、制御部９３の制御下で、供給ライン３７ｄにガス（例えば窒素などの不活性ガス）を送り出す。流量制御器３７ｂは、供給ライン３７ｄのうちガス供給源３７ａと開閉弁３７ｃとの間の部分に設けられ、制御部９３の制御下で、供給ライン３７ｄを流れるガスの流量を調整する。開閉弁３７ｃは、供給ライン３７ｄのうち流量制御器３７ｂと洗浄液供給ノズル３１との間の部分に設けられ、制御部９３の制御下で、供給ライン３７ｄの流路を開閉する。
　洗浄液供給ノズル３１は、処理液供給源３６ａから供給ライン３６ｄを介して供給される洗浄液Ｌｐと、ガス供給源３７ａから供給ライン３７ｄを介して供給されるガスと、を吐出する。このように本実施形態の洗浄液供給ノズル３１は、洗浄液（処理液）Ｌｐとともにガス（不活性ガス等）を噴出する２流体ノズルとして構成され、ミスト状の洗浄液Ｌｐを吐出する。
　洗浄液供給ノズル３１は、第１駆動部２４によって移動可能に支持される。液体供給ノズル３３は、第２駆動部２５によって移動可能に支持される。
　第１駆動部２４は、第１駆動本体部２４ａ及び第１駆動アーム２４ｂを有する。第２駆動部２５は、第２駆動本体部２５ａ及び第２駆動アーム２５ｂを有する。
　第１駆動本体部２４ａ及び第２駆動本体部２５ａは、制御部９３の制御下で、水平方向（すなわちＸ軸方向）へ直線的に延びるガイドレール２６に沿って移動する。ガイドレール２６は、処理槽２１の内側において、処理槽２１に対して固定的に設けられている。第１駆動アーム２４ｂ及び第２駆動アーム２５ｂの各々は、制御部９３の制御下で、水平方向（すなわちＸ軸方向と垂直を成すＹ軸方向）及び高さ方向（すなわちＺ軸方向）の各々へ、直線的に伸縮可能に設けられる。
　したがって第１駆動部２４は、制御部９３の制御下で、洗浄液供給ノズル３１を、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に動かすことができる。また第２駆動部２５は、制御部９３の制御下で、液体供給ノズル３３を、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に動かすことができる。
　制御部９３は、回転駆動部２３、洗浄液吐出部３０、液体吐出部３２、第１駆動部２４及び第２駆動部２５を上述のように制御することで、基板Ｗの洗浄処理を行う。
　図２に示す処理ユニット１０は、更に、処理槽２１の内側に設けられるカップ構造体２９及び監視部３５を備える。
　カップ構造体２９は、基板保持部２２により保持される基板Ｗを、水平方向に取り囲むように設けられる。カップ構造体２９は、典型的には、円環状の平面形状を有する１又は複数のカップ体を含む。各カップ体は、上方部及び下方部が開口した筒状の形状を有し、各カップ体の内側に、基板保持部２２及び／又は基板保持部２２により保持される基板Ｗが配置される。カップ構造体２９は、基板Ｗから飛散する液（リンス液Ｌｒ及び洗浄液Ｌｐを含む）を受け止めて、飛散液が処理槽２１から漏れ出すのを防ぐ。
　監視部３５は、制御部９３の制御下で、基板保持部２２により保持される基板Ｗの処理面（すなわち上面）上に形成される液膜の状態を監視する。監視部３５によって監視される液膜の具体的な状態は限定されない。監視部３５は、例えば基板Ｗの処理面上の液膜の厚みを監視してもよい。監視部３５の監視結果は制御部９３に送られる。
　監視部３５の具体的な構成は限定されず、典型的には、監視部３５はカメラ（撮像素子）やレーザを利用した１又は複数の計測器を含みうる。また別体として設けられる計測器及び演算処理部（例えば制御部９３）の組み合わせによって、監視部３５が構成されてもよい。例えば、演算処理部として機能する制御部９３に、監視部３５の計測器から計測データが送られ、制御部９３が当該計測データを解析することで、基板Ｗの処理面上に形成される液膜の状態を取得してもよい。
　処理ユニット１０は、他の装置を具備してもよい。
　例えば、処理ユニット１０は、基板保持部２２により保持される基板Ｗの下面を洗浄するための下面洗浄ユニット（図示省略）を備えることができる。下面洗浄ユニットは、例えば、基板Ｗの下面に押し当てられるブラシやスポンジなどにより構成される洗浄体と、洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、洗浄体及び洗浄液吐出ノズルを移動させる下面洗浄移動装置と、を具備する。制御部９３の制御下で、下面洗浄移動装置が洗浄体及び洗浄液吐出ノズルを移動させて、基板Ｗの下面に洗浄液を付与しつつ洗浄体を押し当てることで、基板Ｗの下面を洗浄することができる。
　また、基板Ｗの下面の中心部以外の箇所を保持可能な１又は複数の吸着パッド（図示省略）が設けられてもよい。基板Ｗを吸着パッドにより保持している間に、基板Ｗの下面のうち基板保持部２２が接触する箇所（すなわち中心部）を洗浄することができる。一方、基板Ｗを基板保持部２２により保持している間に、基板Ｗの下面のうち吸着パッドが接触する箇所を洗浄することができる。
　また基板保持部２２の周囲には複数（例えば３つ）の昇降ピン（図示省略）が設けられてもよい。これらの昇降ピンは、昇降機構（図示省略）により昇降可能に設けられる。これにより、これらの昇降ピンと、処理ユニット１０の外部に設けられる搬送機構（第２搬送機構８５（図１参照））との間で、基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、これらの昇降ピンと、基板保持部２２又は上述の吸着パッドとの間で、基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
　また、他の処理液（例えば薬液）を制御部９３の制御下で吐出して基板Ｗに付与する処理液吐出部（図示省略）が設けられてもよい。
　次に、図２に示す処理ユニット１０において行われる基板液処理方法の一例について説明する。
　ミスト状の洗浄液Ｌｐを使った洗浄処理において、基板Ｗの処理面（上面）の全体をリンス液Ｌｒ（液体）により覆うために、リンス液Ｌｒは基板Ｗの中心又は中心近傍に供給される。
　一方、洗浄処理は基板Ｗの処理面の全体に対して行われる必要があるため、ミスト状の洗浄液Ｌｐも、基板Ｗの処理面の全体に付与される。具体的には、基板Ｗを回転させつつ、処理面における洗浄液Ｌｐの吹き付け位置を処理面の半径方向に移動させることで、処理面の全体に対して洗浄液Ｌｐが直接的に吹き付けられる。
　そのため、洗浄液Ｌｐが基板Ｗの中心又は中心近傍に供給される際、洗浄液Ｌｐが、基板Ｗの中心又は中心近傍に供給されるリンス液Ｌｒと衝突することで、液跳ねが生じやすい。このような液跳ねは、基板Ｗにパーティクルをもたらしうるため、可能限り回避されることが好ましい。
　洗浄液Ｌｐ及びリンス液Ｌｒの衝突に起因する上述の液跳ねを抑えるためには、以下の対応が有効である。
　例えば、基板Ｗの処理面に付与されるリンス液Ｌｒの量を少なくして処理面上のリンス液Ｌｒの膜を薄くすることで、基板Ｗ上に洗浄液Ｌｐを付与した際の液跳ねを抑えることができる。ただしこの場合、基板Ｗの処理面上のリンス液Ｌｒの量が、カップ等で跳ね返った飛散液によりもたらされるパーティクルを防ぐのに不十分となって、結果的に基板Ｗの処理面にディフェクト（Defect）が発生しやすくなることがある。
　また基板Ｗの回転数を高くして、基板Ｗの処理面上のリンス液Ｌｒの膜を薄くすることで、基板Ｗ上に洗浄液Ｌｐを付与した際の液跳ねを抑えることができる。ただしこの場合にも、基板Ｗの処理面上のリンス液Ｌｒの量が不十分となって、基板Ｗの処理面にディフェクトが発生しやすくなることがある。またこの場合、高速回転する基板Ｗによりミスト液が巻き上げられて、基板Ｗから液体が飛散しやすくなる。その結果、カップ等で跳ね返った飛散液が、基板Ｗの処理面に付着し、処理面にパーティクルが付着しやすくなることがある。またこの場合、基板Ｗの処理面のうち中心又は中心近傍以外の箇所で局所的にリンス液Ｌｒの膜厚が大きくなる傾向があり、当該箇所で洗浄液Ｌｐとリンス液Ｌｒとが衝突して液跳ねが起きやすくなる。
　また基板Ｗの処理面に対するリンス液Ｌｒの吐出方向を、処理面に対して垂直な方向に近づけるほど、液跳ねが生じにくくなる傾向がある。すなわち、基板Ｗの処理面に対するリンス液Ｌｒの吐出方向が、処理面に対して垂直な方向から離れるほど（すなわち垂直方向に対する傾斜が大きくなるほど）、液跳ねが生じやすくなることが多い。
　また２流体洗浄のように、洗浄液Ｌｐがガスとともに基板Ｗに向けて吐出される場合、当該ガスの流量を低減することで、液跳ねの発生を抑えることができる。ただしこの場合、基板Ｗの処理面からのパーティクルの除去性能が低下する。
　以下、基板Ｗに対するパーティクルの付着を抑えつつ基板Ｗに洗浄液（処理液）Ｌｐを付与するのに有利な基板液処理方法の一例について説明する。
　以下に示す基板液処理方法は、制御部９３が処理システム８０（処理ユニット１０）の各部を適宜制御することで行われる。
　図３～図８は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。
　まず図３に示すように、液体供給ノズル３３が、基板保持部２２により保持されている基板Ｗの処理面Ｗｓに向けて、リンス液Ｌｒを吐出する（プリリンス処理）。
　このプリリンス処理において、液体供給ノズル３３は、処理面Ｗｓのうちの中心（すなわち回転軸線Ａｘが通過する位置）及び中心近傍を含むエリア（すなわち第１液体供給エリアＷｓ１）に向けて、リンス液Ｌｒを吐出する。これにより、リンス液Ｌｒは回転する基板Ｗの処理面Ｗｓの全体にわたって広がり、処理面Ｗｓの全体がリンス液Ｌｒの液膜により覆われる。
　なお、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの主たる吐出方向は、鉛直方向（Ｚ軸下向き方向）である。ただし、液体供給ノズル３３から吐出される全てのリンス液Ｌｒの吐出方向が、厳密に鉛直方向である必要はない。液体供給ノズル３３から吐出されるリンス液Ｌｒの少なくとも一部は、鉛直方向に対して傾斜する方向に飛翔してもよい。
　液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒが着地する第１液体供給エリアＷｓ１は、必ずしも処理面Ｗｓの中心を含まなくてもよい。例えば、液体供給ノズル３３から吐出されたリンス液Ｌｒの一部が、処理面Ｗｓに着地後に処理面Ｗｓの中心を含む範囲に広がる場合、第１液体供給エリアＷｓ１が処理面Ｗｓの中心を含まなくても、処理面Ｗｓの全体をリンス液Ｌｒで覆うことが可能である。
　なお、処理面Ｗｓに洗浄液供給ノズル３１及び液体供給ノズル３３からリンス液Ｌｒ及び洗浄液Ｌｐが付与されている間（図３～図８参照）、基板Ｗは、回転駆動部２３によって、基板保持部２２とともに回転軸線Ａｘを中心に継続的に回転させられる。
　そして、基板保持部２２より保持されて回転させられている基板Ｗの処理面Ｗｓに対し、液体供給ノズル３３がリンス液Ｌｒを供給しつつ、洗浄液供給ノズル３１が当該処理面Ｗｓに向けて洗浄液Ｌｐを吐出する（図４参照）。これにより、基板Ｗの処理面Ｗｓ上に液膜を維持しつつ、当該処理面Ｗｓを洗浄液Ｌｐによって洗浄することができる（アトマイズ洗浄処理）。なお、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの主たる吐出方向は、鉛直方向である。ただし、洗浄液供給ノズル３１から吐出される全ての洗浄液Ｌｐの吐出方向が、厳密に鉛直方向である必要はない。洗浄液供給ノズル３１から吐出される洗浄液Ｌｐの少なくとも一部は、鉛直方向に対して傾斜する方向に飛翔してもよい。
　具体的には、まず図４に示すように、液体供給ノズル３３から第１液体供給エリアＷｓ１に向けてリンス液Ｌｒが吐出されつつ、洗浄液供給ノズル３１から処理面Ｗｓの外周部（特にエッジ）に向けて洗浄液Ｌｐの吐出が開始される。
　この際、回転駆動部２３は、処理面Ｗｓの外周部上の液膜の厚みが十分に小さくなるような回転数で、基板Ｗを回転させる。これにより、処理面Ｗｓのうち液膜が十分に薄い箇所から上述のアトマイズ洗浄処理が開始され、アトマイズ洗浄処理の開始当初における液跳ねの発生を抑えることができる。
　本例の洗浄液供給ノズル３１は、処理面Ｗｓの外周部に向けて洗浄液Ｌｐの吐出を開始した後に、ガスの吐出を開始する。すなわち制御部９３の制御下で、供給ライン３６ｄ（図２参照）の流路が開閉弁３６ｃによって閉状態から開状態に切り換えられた後、供給ライン３７ｄの流路が開閉弁３７ｃによって閉状態から開状態に切り換えられる。
　一般に、２流体ノズルから処理面Ｗｓに向け、液体に先立ってガスが吐出される場合、処理面Ｗｓの液膜が無くなり処理面Ｗｓにウォータマーク等のパーティクルが生じやすい傾向がある。したがって本例のように、洗浄液Ｌｐの吐出を開始した後にガスの吐出を開始することで、洗浄液供給ノズル３１から、洗浄液Ｌｐに先立ってガスが吐出されることを回避し、処理面Ｗｓにおけるウォータマーク等のパーティクルの発生を抑えられる。
　本例では、洗浄液供給ノズル３１から吐出される洗浄液Ｌｐが処理面Ｗｓの外周部に向けて吐出されている状態で、洗浄液供給ノズル３１からのガスの吐出が開始される。その結果、ガスとともに洗浄液供給ノズル３１から吐出されるミスト状の洗浄液Ｌｐによって、処理面Ｗｓの外周部が洗浄される。
　そして液体供給ノズル３３から処理面Ｗｓにリンス液Ｌｒが継続的に供給されている状態で、洗浄液供給ノズル３１が、洗浄液Ｌｐ及びガスを噴出させつつ、基板Ｗの外周側から中心側に向かって水平方向（Ｘ軸方向）に移動する。
　すなわち制御部９３は、液体吐出部３２及び第２駆動部２５を制御して、回転する基板Ｗの処理面Ｗｓ（特に第１液体供給エリアＷｓ１）に向けて液体供給ノズル３３からリンス液Ｌｒを吐出させる。また制御部９３は、洗浄液吐出部３０及び第１駆動部２４を制御して、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの、液膜（リンス液Ｌｒを含む）が形成されている処理面Ｗｓ上における着地位置を、処理面Ｗｓの外周部から中心部に向けて動かす。その結果、回転している基板Ｗの処理面Ｗｓに向けて液体供給ノズル３３からリンス液Ｌｒが吐出されつつ、洗浄液供給ノズル３１から処理面Ｗｓに向けてミスト状の洗浄液Ｌｐが吐出される（処理液スキャン処理）。
　なお、ここで言う中心部は、処理面Ｗｓの中心（回転軸線Ａｘが通過するポイント）だけではなく、当該中心の近傍範囲を含みうる。したがって、洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置は、処理面Ｗｓの中心に向かって動いてもよいし、処理面Ｗｓの中心の近傍に向かって動いてもよい。
　また洗浄液供給ノズル３１が基板Ｗの外周側から中心側に向かって移動する際、洗浄液供給ノズル３１は必ずしも厳密に処理面Ｗｓの中心（すなわち回転軸線Ａｘ）に向かって移動しなくてもよい。すなわち、洗浄液供給ノズル３１は、円形の平面形状を有する処理面Ｗｓの半径方向に沿って移動してもよいし、当該半径方向には沿わずに移動してもよい。ただし、回転する基板Ｗの処理面Ｗｓの全体に対して洗浄液Ｌｐが直接的に吹き付けられるような経路で、洗浄液供給ノズル３１が基板Ｗの外周側から中心側に向かって移動することが好ましい。
　液体供給ノズル３３は、制御部９３の制御下で、洗浄液Ｌｐの着地位置が、処理面Ｗｓの外周部から、処理面Ｗｓの外周部と中心部との間に位置する第１中間部に向けて動いている間、処理面Ｗｓの中心部に向けてリンス液Ｌｒを吐出する（図４参照）。すなわち制御部９３は、第２駆動部２５を制御することで、洗浄液Ｌｐの着地位置が処理面Ｗｓの外周部から第１中間部に向けて動いている間、処理面Ｗｓのうちの第１液体供給エリアＷｓ１に向けて液体供給ノズル３３からリンス液Ｌｒを吐出させる。
　一方、液体供給ノズル３３は、制御部９３の制御下で、洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置が、処理面Ｗｓの第１中間部から中心部に向けて動いている間、処理面Ｗｓの中心部以外の領域に向けてリンス液Ｌｒを吐出する（図５参照）。すなわち制御部９３は、第２駆動部２５を制御することで、洗浄液Ｌｐの着地位置が処理面Ｗｓの第１中間部から中心部に向けて動いている間、処理面Ｗｓのうちの第２液体供給エリアＷｓ２に向けて液体供給ノズル３３からリンス液Ｌｒを吐出させる。ここで、処理面Ｗｓの中心（すなわち回転軸線Ａｘ）からの第２液体供給エリアＷｓ２の距離は、処理面Ｗｓの中心からの第１液体供給エリアＷｓ１の距離よりも大きい。
　このように本例では、第２駆動部２５が液体供給ノズル３３を水平方向に移動させることで、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの処理面Ｗｓ上での着地位置が変えられる。すなわち第２駆動部２５が液体供給ノズル３３を移動させることで、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒが、第１液体供給エリアＷｓ１に向けて吐出される状態と、第２液体供給エリアＷｓ２に向けて吐出される状態とを切り換える。なお、洗浄液供給ノズル３１から吐出される洗浄液Ｌｐ及び液体供給ノズル３３から吐出されるリンス液Ｌｒによって処理面Ｗｓの全体が継続的に液膜で覆われるように、リンス液Ｌｒの着地エリアＷｓ１、Ｗｓ２が決められる。
　本例では、このようにして液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの着地位置が切り換えられる時間の全体又は一部において、処理面Ｗｓの中心部に向かう洗浄液供給ノズル３１の移動速度が低減される。これにより、リンス液Ｌｒの着地位置が切り換えられて処理面Ｗｓ上におけるリンス液Ｌｒの着地が不安定な状態における液跳ねを抑制することができる。なお、このようにして移動速度が一旦低減された洗浄液供給ノズル３１は、再び元の移動速度（すなわち相対的に速い移動速度）で処理面Ｗｓの中心部に向かう。
　また本例において、液体供給ノズル３３から第２液体供給エリアＷｓ２に向けて吐出されるリンス液Ｌｒの単位時間当たりの量は、液体供給ノズル３３から第１液体供給エリアＷｓ１に向けて吐出されるリンス液Ｌｒの単位時間当たりの量よりも小さい。これにより、処理面Ｗｓ上における洗浄液Ｌｐの着地位置近傍におけるリンス液Ｌｒの量が低減され、リンス液Ｌｒ及び／又は洗浄液Ｌｐの液跳ねを抑制することができる。
　本例における基板Ｗの回転数は、処理面Ｗｓの外周部と中心部との間に位置する第２中間部に向けて外周部から洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間よりも、処理面Ｗｓの第２中間部から中心部に向けて洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間の方が、高い。ここで言う第２中間部の処理面Ｗｓの中心（回転軸線Ａｘ）からの距離は、上述の第１中間部の処理面Ｗｓの中心からの距離と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　一般に、基板Ｗの回転数が低いほど、処理面Ｗｓ上における液膜のうち厚みが大きい箇所が処理面Ｗｓの中心側（例えばリンス液Ｌｒ及び／又は洗浄液Ｌｐの着地位置側）に寄る傾向がある。そして、基板Ｗの回転数を小さくすることで、処理面Ｗｓ上のリンス液Ｌｒが、洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置を迂回するように、処理面Ｗｓ上で広がることがある（後述の図９Ａ参照）。そのため、上述のように処理面Ｗｓの第２中間部から中心部に向けて洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間、基板Ｗの回転数を相対的に小さくすることで、液跳ねを抑制しうる。
　そして図６に示すように、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置が、処理面Ｗｓの中心部に到達したら、洗浄液供給ノズル３１は、折り返し、処理面Ｗｓの中心部から外周部に向かってＸ軸方向に移動する。なお、洗浄液供給ノズル３１は、処理面Ｗｓの中心の直上に移動させることなく、折り返してもよい。
　そして図７に示すように、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置が、処理面Ｗｓの中心部と外周部との間の第３中間部に到達したら、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの処理面Ｗｓ上における着地位置が変えられる。
　すなわち洗浄液Ｌｐの着地位置が第３中間部に到達したら、液体供給ノズル３３は第２駆動部２５により移動させられ、リンス液Ｌｒの着地位置が第２液体供給エリアＷｓ２から第１液体供給エリアＷｓ１に切り換えられる。ここで言う第３中間部の処理面Ｗｓの中心からの距離は、上述の第１中間部及び／又は第２中間部の処理面Ｗｓの中心からの距離と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　なお液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの着地位置が第２液体供給エリアＷｓ２から第１液体供給エリアＷｓ１に切り換えられる時間の全体又は一部において、処理面Ｗｓの外周部に向かう洗浄液供給ノズル３１の移動速度が低減されてもよい。これにより、リンス液Ｌｒ及び／又は洗浄液Ｌｐの液跳ねを抑制しうる。このようにして移動速度が一旦低減された洗浄液供給ノズル３１は、再び元の移動速度（すなわち相対的に速い移動速度）で処理面Ｗｓの外周部に向かう。
　また基板Ｗの回転数は、処理面Ｗｓの外周部と中心部との間に位置する第４中間部に向けて中心部から洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間よりも、処理面Ｗｓの第４中間部から外周部に向けて洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間の方が低くてもよい。ここで言う第４中間部の処理面Ｗｓの中心からの距離は、上述の第１中間部、第２中間部及び／又は第３中間部の処理面Ｗｓの中心からの距離と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　その後、洗浄液供給ノズル３１は、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置が処理面Ｗｓの外周部（特にエッジ）に到達するまで、処理面Ｗｓの外周側に向かって移動する（図８参照）。この際、液体供給ノズル３３は第１液体供給エリアＷｓ１に向かってリンス液Ｌｒを吐出し続ける。
　その後、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐ及びガスの吐出が停止される一方で、液体供給ノズル３３から処理面Ｗｓ（特に第１液体供給エリアＷｓ１）に向けてのリンス液Ｌｒの吐出はしばらく継続される（ポストリンス処理）。その後、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの吐出が停止される。
　上述の一連の処理（図３～図８参照）を経ることで、液跳ねを抑制しつつ基板Ｗの処理面Ｗｓの洗浄を行うことができ、その結果、処理面Ｗｓにおけるパーティクルの発生を効果的に抑えることができる。
　図９Ａは、基板Ｗの処理面Ｗｓ上におけるリンス液Ｌｒ及び洗浄液Ｌｐの広がり状態の一例を示す図である。図９Ｂは、基板Ｗの処理面Ｗｓの区分領域Ｒ１～Ｒ４の一例を示す図である。
　上述のように、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置に応じて、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの処理面Ｗｓ上における着地位置を変えることで、液跳ねが抑えられる。
　本件発明者は、鋭意研究の結果、液跳ねを抑えつつ処理面Ｗｓの洗浄を効率良く行うのに有利な「リンス液Ｌｒの処理面Ｗｓにおける着地位置」に関する新たな知見を得るに至った。
　すなわち、基板Ｗの処理面Ｗｓを、処理面Ｗｓの回転中心（回転軸線Ａｘ）を通り且つ相互に直交する直線状のＸ軸及びＹ軸によって、４つの領域Ｒ１～Ｒ４に区分する。ここで、洗浄液供給ノズル３１から吐出される洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置は、Ｘ軸が延びる方向へ、処理面Ｗｓの外周部から中心部に向けて動かされる。
　処理面ＷｓのうちＹ軸によって区分される２つの領域のうちの一方（図９Ｂに示す第３区分領域Ｒ３及び第４区分領域Ｒ４参照）において、洗浄液Ｌｐの着地位置が処理面Ｗｓの外周部から中心部に向けて動かされる間の洗浄液Ｌｐの着地位置が存在する。この場合、処理面ＷｓのうちＹ軸によって区分される２つの領域のうちの他方（図９Ｂに示す第１区分領域Ｒ１及び第２区分領域Ｒ２参照）において、第２液体供給エリアＷｓ２が存在すると、液跳ねを抑えつつ処理面Ｗｓの洗浄を効率良く行うのに有利である。
　また、回転駆動部２３（図３等参照）によって基板Ｗが回転方向Ｄｒに回転させられることで、処理面Ｗｓのうちの中心以外の領域は、図９Ｂに示すようにＸ軸のプラス側、Ｙ軸のマイナス側、Ｘ軸のマイナス側、Ｙ軸のプラス側を、順次繰り返し通過する。この場合、処理面ＷｓのうちＸ軸によって区分される２つの領域のうち、Ｙ軸のマイナス側が位置する領域（図９Ｂに示す第２区分領域Ｒ２及び第３区分領域Ｒ３参照）において、第２液体供給エリアＷｓ２が存在するのが好ましい。この場合、液跳ねを抑えつつ処理面Ｗｓの洗浄を効率良く行うのに有利である。
　上記知見を総合的に勘案すると、図９Ｂに示す第３区分領域Ｒ３及び／又は第４区分領域Ｒ４に洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの着地位置が存在する場合、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの着地位置は第２区分領域Ｒ２に存在するのが好ましい。
　以上説明したように本実施形態によれば、洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓにおける着地位置に応じて、リンス液Ｌｒの処理面Ｗｓにおける着地位置を変えることで、液跳ねを抑えてパーティクルの発生を抑制することができる。
　またリンス液Ｌｒの処理面Ｗｓにおける着地位置の変更に応じて、処理面Ｗｓにおける洗浄液Ｌｐの着地位置の移動速度を変えることで、液跳ねを抑えてパーティクルの発生を抑制することができる。
　さらに洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓにおける着地位置に応じて、基板Ｗの回転数を変えることで、処理面Ｗｓの全体にわたって液膜を形成しつつ、液跳ねを抑えてパーティクルの発生を抑制することができる。
　図１０は、処理面Ｗｓ上におけるリンス液Ｌｒの着地位置を変えるための液体供給ノズル３３の駆動例を示す図である。
　上述の例では、処理面Ｗｓ上におけるリンス液Ｌｒの着地位置を変えるために、第２駆動部２５によって液体供給ノズル３３の水平方向位置を変えているが、これに限定されない。
　例えば、図１０に示すように、第２駆動部２５（図２に示す「方位調整部２５ｃ」参照）が、液体供給ノズル３３の姿勢（特に吐出口の向き）を調整することで、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの吐出方向を変えてもよい。すなわち第２駆動部２５が液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの吐出方向を変えることで、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒが第１液体供給エリアＷｓ１に向けて吐出される状態と、第２液体供給エリアＷｓ２に向けて吐出される状態とを切り換えられる。
　図１１は、監視部３５の監視結果を利用して、処理面Ｗｓ上におけるリンス液Ｌｒの着地位置を変える例を示すフローチャートである。
　制御部９３は、処理面Ｗｓ上の液膜の状態を監視する監視部３５の監視結果に応じて、処理面Ｗｓ上におけるリンス液Ｌｒの着地位置を変えてもよい。
　例えば、監視部３５によって処理面Ｗｓ上の液膜の状態の監視が開始された後（図１１のＳ１）、液体供給ノズル３３から第１液体供給エリアＷｓ１に向けてリンス液Ｌｒの吐出が開始される（Ｓ２）。また洗浄液供給ノズル３１から処理面Ｗｓに向けて洗浄液Ｌｐの吐出が開始される。
　そして制御部９３は、監視部３５から送られてくる監視結果に基づいて、処理面Ｗｓ上の液膜が液跳ねを誘発しやすい状態（すなわち「液跳ね誘発状態」）にあるか否かを判定する（Ｓ３）。例えば、処理面Ｗｓ上の液膜の厚い箇所が、処理面Ｗｓ上における洗浄液Ｌｐの着地位置に近い場合には、処理面Ｗｓ上の液膜が液跳ね誘発状態にあると判定しうる。
　処理面Ｗｓ上の液膜が液跳ね誘発状態にないと判定される間（Ｓ３のＮ）、監視部３５による監視が継続されつつ、液体供給ノズル３３から第１液体供給エリアＷｓ１に向けてのリンス液Ｌｒの吐出が継続される。
　一方、処理面Ｗｓ上の液膜が液跳ね誘発状態にあると判定される場合（Ｓ３のＹ）、制御部９３は第２駆動部２５を制御して、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの着地位置を第１液体供給エリアＷｓ１から第２液体供給エリアＷｓ２に変える（Ｓ４）。
　その後、制御部９３は、監視部３５の監視結果に基づいて、処理面Ｗｓ上の液膜が液跳ね誘発状態から脱したか否かを判定する（Ｓ５）。
　処理面Ｗｓ上の液膜が液跳ね誘発状態から脱していないと判定される間（Ｓ５のＮ）、監視部３５による監視が継続されつつ、液体供給ノズル３３から第２液体供給エリアＷｓ２に向けてのリンス液Ｌｒの吐出が継続される。
　一方、処理面Ｗｓ上の液膜が液跳ね誘発状態から脱したと判定される場合（Ｓ５のＹ）、制御部９３は第２駆動部２５を制御して、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの着地位置を第２液体供給エリアＷｓ２から第１液体供給エリアＷｓ１に変える（Ｓ６）。
　その後、処理対象の基板Ｗの洗浄処理が終了しない間（Ｓ７のＮ）、制御部９３の制御下で、上述の処理Ｓ３～Ｓ６が繰り返される。
　一方、対象の基板Ｗの洗浄処理が終了する場合（Ｓ７のＹ）、制御部９３は、洗浄液吐出部３０及び液体吐出部３２を制御して、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの吐出及び液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの吐出を停止する（Ｓ８）。
　上述のように制御部９３は、監視部３５の監視結果に応じて第２駆動部２５を制御して液体供給ノズル３３を動かすことで、処理面Ｗｓにおけるリンス液Ｌｒの着地位置を変えることができる。これにより監視部３５の監視結果に応じて、第１液体供給エリアＷｓ１に向けて液体供給ノズル３３からリンス液Ｌｒが吐出される状態と、第２液体供給エリアＷｓ２に向けて液体供給ノズル３３からリンス液Ｌｒ液体が吐出される状態とを切り換えられる。
　なお、上述の監視部３５は処理面Ｗｓ上の液膜の状態を監視するが、監視部３５は、他の状態を監視してもよい。例えば監視部３５は、洗浄液供給ノズル３１及び液体供給ノズル３３の位置、洗浄液供給ノズル３１から吐出される洗浄液Ｌｐの状態、及び／又は液体供給ノズル３３から吐出されるリンス液Ｌｒの状態を監視してもよい。
　制御部９３は、監視部３５が監視する洗浄液供給ノズル３１及び液体供給ノズル３３の位置や洗浄液Ｌｐ及びリンス液Ｌｒの状態に基づいて、各種の制御を行ってもよい。
　例えば、制御部９３は、監視部３５が監視する処理面Ｗｓ上の液膜の厚い部分と液体供給ノズル３３との間の相対位置に基づいて、回転駆動部２３を制御して基板Ｗの回転数を調整してもよい。このようにして基板Ｗの回転数が調整されることで、処理面Ｗｓ上の液膜の全体的な厚みや液膜の厚い部分と、液体供給ノズル３３との間の相対位置を最適化し、液跳ねを抑えてパーティクルの発生を抑制することができる。
［第２実施形態］
　本実施形態において、上述の第１実施形態と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
　図１２は、第２実施形態に係る処理ユニット１０の一例の概略を示す図である。図２において、処理槽２１の内側の各種要素は、上方から見た状態が示される。
　上述の第１実施形態では、制御部９３が第２駆動部２５を制御して、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒが、第１液体供給エリアＷｓ１に向けて吐出される状態と、第２液体供給エリアＷｓ２に向けて吐出される状態とを切り換える。一方、本実施形態では、制御部９３がリンス液Ｌｒを吐出するノズルを切り換えることで、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒが、第１液体供給エリアＷｓ１に向けて吐出される状態と、第２液体供給エリアＷｓ２に向けて吐出される状態とを切り換える。
　本実施形態の液体供給ノズル３３は、第１液体供給ノズル３３ａ、第２液体供給ノズル３３ｂ及び流路調整部３３ｃを含む。
　第１液体供給ノズル３３ａは、基板Ｗの処理面Ｗｓのうちの第１液体供給エリアＷｓ１に向けてリンス液Ｌｒを吐出する。第２液体供給ノズル３３ｂは、処理面Ｗｓのうちの第２液体供給エリアＷｓ２に向けてリンス液Ｌｒを吐出する。
　流路調整部３３ｃは、制御部９３の制御下で、第１液体供給ノズル３３ａ、第２液体供給ノズル３３ｂ及び供給ライン３８ｄを相互につなぐ流路を調整する。すなわち流路調整部３３ｃは流路を調整することで、供給ライン３８ｄを介して送られてくるリンス液Ｌｒを、第１液体供給ノズル３３ａにのみ供給したり、第２液体供給ノズル３３ｂにのみ供給したりする。なお流路調整部３３ｃは流路を調整することで、供給ライン３８ｄを介して送られてくるリンス液Ｌｒを、第１液体供給ノズル３３ａ及び第２液体供給ノズル３３ｂの両方に供給してもよい。
　図１２に示す例では第１液体供給ノズル３３ａ及び第２液体供給ノズル３３ｂが一体的に設けられているが、第１液体供給ノズル３３ａ及び第２液体供給ノズル３３ｂはお互いに別体として設けられてもよい。
　また図１２に示す例では、上述の第１実施形態の液体供給ノズル３３と同様に、第１液体供給ノズル３３ａ及び第２液体供給ノズル３３ｂが第２駆動部２５によって移動可能に設けられる。ただし、第１液体供給ノズル３３ａ及び第２液体供給ノズル３３ｂは、処理槽２１に対して固定的に設けられてもよい。或いは、第１液体供給ノズル３３ａ及び第２液体供給ノズル３３ｂは、Ｘ軸方向には固定されるが、Ｙ軸方向及び／又はＺ軸方向には移動可能に設けられてもよい。
　図１２に示す例では、共通の液体供給源３８ａ、流量制御器３８ｂ、開閉弁３８ｃ及び供給ライン３８ｄによって、第１液体供給ノズル３３ａ及び第２液体供給ノズル３３ｂにリンス液Ｌｒが供給される。ただし第１液体供給ノズル３３ａ及び第２液体供給ノズル３３ｂのそれぞれに対して、別個の液体供給源３８ａ、流量制御器３８ｂ、開閉弁３８ｃ及び／又は供給ライン３８ｄが割り当てられてもよい。
　図１２に示す処理ユニット１０の他の構成は、上述の第１実施形態に係る処理ユニット１０と同様である。
　本実施形態の制御部９３（図１参照）は、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの着地位置が基板Ｗの処理面Ｗｓの外周部から第１中間部に向けて動いている間、第１液体供給ノズル３３ａからリンス液Ｌｒを吐出させる。また制御部９３は、洗浄液Ｌｐの着地位置が処理面Ｗｓの第１中間部から中心部に向けて動いている間、第２液体供給ノズル３３ｂからリンス液Ｌｒを吐出させる。
　図１３～図１８は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を示す図である。以下に示す基板液処理方法は、制御部９３が処理システム８０（処理ユニット１０）の各部を適宜制御することで行われる。
　まず図１３に示すように、第１液体供給ノズル３３ａが、基板保持部２２により保持されている基板Ｗの処理面Ｗｓ（特に第１液体供給エリアＷｓ１）に向けて、リンス液Ｌｒを吐出する（プリリンス処理）。これにより、リンス液Ｌｒは回転する基板Ｗの処理面Ｗｓの全体にわたって広がり、処理面Ｗｓの全体がリンス液Ｌｒの液膜により覆われる。
　そして図１４に示すように、基板保持部２２より保持されて回転させられている基板Ｗの処理面Ｗｓに対し、第１液体供給ノズル３３ａがリンス液Ｌｒを供給しつつ、洗浄液供給ノズル３１が当該処理面Ｗｓに向けて洗浄液Ｌｐを吐出する。具体的には、まず図１４に示すように、液体供給ノズル３３から第１液体供給エリアＷｓ１に向けてリンス液Ｌｒが吐出されつつ、洗浄液供給ノズル３１から処理面Ｗｓの外周部（特にエッジ）に向けて洗浄液Ｌｐの吐出が開始される。
　そして洗浄液供給ノズル３１が、洗浄液Ｌｐ及びガスを噴出させつつ、基板Ｗの外周側から中心側に向かって水平方向（Ｘ軸方向）に移動する。すなわち制御部９３は、液体吐出部３２を制御して、回転する基板Ｗの処理面Ｗｓに向けて第１液体供給ノズル３３ａからリンス液Ｌｒを吐出させる。また制御部９３は、洗浄液吐出部３０及び第１駆動部２４を制御して、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの、液膜が形成されている処理面Ｗｓ上における着地位置を、処理面Ｗｓの外周部から中心部に向けて動かす。その結果、回転している基板Ｗの処理面Ｗｓに向けて第１液体供給ノズル３３ａからリンス液Ｌｒが吐出されつつ、洗浄液供給ノズル３１から処理面Ｗｓに向けてミスト状の洗浄液Ｌｐが吐出される（処理液スキャン処理）。
　液体供給ノズル３３は、制御部９３の制御下で、洗浄液Ｌｐの着地位置が、処理面Ｗｓの外周部から第１中間部（図１５参照）に向けて動いている間、処理面Ｗｓの中心部に向けてリンス液Ｌｒを吐出する（図１４参照）。すなわち制御部９３は、流路調整部３３ｃを制御して、洗浄液Ｌｐの着地位置が処理面Ｗｓの外周部から第１中間部に向けて動いている間、第１液体供給ノズル３３ａから第１液体供給エリアＷｓ１に向けてリンス液Ｌｒを吐出させる。
　一方、液体供給ノズル３３は、制御部９３の制御下で、洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置が、処理面Ｗｓの第１中間部から中心部に向けて動いている間、処理面Ｗｓの中心部以外の領域に向けてリンス液Ｌｒを吐出する（図１５参照）。すなわち制御部９３は、流路調整部３３ｃを制御して、洗浄液Ｌｐの着地位置が処理面Ｗｓの第１中間部から中心部に向けて動いている間、第２液体供給ノズル３３ｂから第２液体供給エリアＷｓ２に向けてリンス液Ｌｒを吐出させる。
　このように本例では、リンス液Ｌｒの吐出を第１液体供給ノズル３３ａと第２液体供給ノズル３３ｂとの間で切り換えることで、リンス液Ｌｒの処理面Ｗｓ上での着地位置が変えられる。すなわち流路調整部３３ｃが流路を調整することで、リンス液Ｌｒが第１液体供給エリアＷｓ１に向けて吐出される状態から、リンス液Ｌｒが第２液体供給エリアＷｓ２に向けて吐出される状態に切り換えられる。
　本例では、このようにしてリンス液Ｌｒの着地位置が切り換えられる時間の全体又は一部において、処理面Ｗｓの中心部に向かう洗浄液供給ノズル３１の移動速度が低減される。そして、このようにして移動速度が一旦低減された洗浄液供給ノズル３１は、再び元の移動速度（すなわち相対的に速い移動速度）で処理面Ｗｓの中心部に向かう。
　また本例において、第１液体供給ノズル３３ａから吐出されるリンス液Ｌｒの流量は、第２液体供給ノズル３３ｂから吐出されるリンス液Ｌｒの流量よりも多い。したがって第２液体供給ノズル３３ｂから第２液体供給エリアＷｓ２に向けて吐出されるリンス液Ｌｒの単位時間当たりの量は、第１液体供給ノズル３３ａから第１液体供給エリアＷｓ１に向けて吐出されるリンス液Ｌｒの単位時間当たりの量よりも少ない。
　本例における基板Ｗの回転数は、処理面Ｗｓの外周部と中心部との間に位置する第２中間部に向けて外周部から洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間よりも、処理面Ｗｓの第２中間部から中心部に向けて洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間の方が高い。
　そして図１６に示すように、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置が、処理面Ｗｓの中心部に到達したら、洗浄液供給ノズル３１は、折り返し、処理面Ｗｓの中心部から外周部に向かってＸ軸方向に移動する。
　そして図１７に示すように、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置が、処理面Ｗｓの中心部と外周部との間の第３中間部に到達したら、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの処理面Ｗｓ上における着地位置が変えられる。すなわち洗浄液Ｌｐの着地位置が第３中間部に到達したら、流路調整部３３ｃによって、リンス液Ｌｒを吐出するノズルが第２液体供給ノズル３３ｂから第１液体供給ノズル３３ａに切り換えられる。その結果、処理面Ｗｓ上におけるリンス液Ｌｒの着地位置が、第２液体供給エリアＷｓ２から第１液体供給エリアＷｓ１に切り換えられる。
　なおリンス液Ｌｒの着地位置が第２液体供給エリアＷｓ２から第１液体供給エリアＷｓ１に切り換えられる時間の全体又は一部において、処理面Ｗｓの外周部に向かう洗浄液供給ノズル３１の移動速度が低減されてもよい。このようにして移動速度が一旦低減された洗浄液供給ノズル３１は、再び元の移動速度（すなわち相対的に速い移動速度）で処理面Ｗｓの外周部に向かう。
　また基板Ｗの回転数は、処理面Ｗｓの外周部と中心部との間に位置する第４中間部に向けて中心部から洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間よりも、処理面Ｗｓの第４中間部から外周部に向けて洗浄液Ｌｐの着地位置が動いている間の方が低くてもよい。
　その後、洗浄液供給ノズル３１は、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐの処理面Ｗｓ上における着地位置が処理面Ｗｓの外周部（特にエッジ）に到達するまで、処理面Ｗｓの外周側に向かって移動する（図１８参照）。
　その後、洗浄液供給ノズル３１からの洗浄液Ｌｐ及びガスの吐出が停止される一方で、第１液体供給ノズル３３ａから処理面Ｗｓ（すなわち第１液体供給エリアＷｓ１）に向けてのリンス液Ｌｒの吐出はしばらく継続される（ポストリンス処理）。その後、液体供給ノズル３３からのリンス液Ｌｒの吐出が停止される。
　上述の一連の処理（図１３～図１８参照）を経ることで、液跳ねを抑制しつつ基板Ｗの処理面Ｗｓの洗浄を行うことができ、その結果、処理面Ｗｓにおけるパーティクルの発生を効果的に抑えることができる。
［変形例］
　上述の例では、洗浄液供給ノズル３１及び／又は液体供給ノズル３３が水平方向に直線的に移動するが、洗浄液供給ノズル３１及び／又は液体供給ノズル３３は非直線的に移動してもよい。例えば、制御部９３の制御下で、高さ方向に延びる駆動軸線を中心に水平面において揺動する駆動アームに、洗浄液供給ノズル３１及び／又は液体供給ノズル３３が取り付けられてもよい。この場合、洗浄液供給ノズル３１及び／又は液体供給ノズル３３は、駆動アームの揺動に応じて、駆動軸線を中心とした円弧に沿って移動する。
　また上述の例では、洗浄液供給ノズル３１が２流体ノズルとして構成されるが、ガスを噴出することなく洗浄液（処理液）Ｌｐを噴出する１流体ノズルとして構成されてもよい。
　また上述の例では、処理液として洗浄液Ｌｐが使われるが、洗浄液以外の処理液が用いられるケースに対しても、上述の技術（装置及び方法）を適宜応用することが可能である。同様に、リンス液Ｌｒ（例えばＤＩＷ）の代わりに他の液体が用いられるケースに対しても、上述の技術（装置及び方法）を適宜応用することが可能である。
　本明細書で開示されている実施形態及び変形例はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。
　また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の基板液処理装置が他の装置に応用されてもよい。また上述の基板液処理方法（基板Ｗの洗浄方法を含む）に含まれる１又は複数の手順（ステップ）をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的（non-transitory）な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。

Claims (14)

  1. 　基板を保持する基板保持部と、
    　前記基板保持部に保持されている前記基板を回転させる回転駆動部と、
    　前記基板の処理面に向けて液体を吐出する液体供給ノズルを有する液体吐出部と、
    　前記処理面に向けて、ミスト状の処理液を吐出する処理液供給ノズルを有する処理液吐出部と、
    　前記処理液供給ノズルを動かす第１駆動部と、
    　前記処理液吐出部、前記第１駆動部及び前記液体吐出部を制御する制御部と、を備え、　前記制御部は、前記液体吐出部を制御して、回転する前記基板の前記処理面に向けて前記液体供給ノズルから前記液体を吐出させつつ、前記処理液吐出部及び前記第１駆動部を制御して、前記処理液供給ノズルからの前記処理液の、前記液体を含む液膜が形成されている前記処理面上における着地位置を、前記処理面の外周部から中心部に向けて動かす
    　基板液処理装置。
  2. 　前記処理液供給ノズルは、前記処理液とともにガスを吐出する請求項１に記載の基板液処理装置。
  3. 　前記処理液供給ノズルは、前記処理面の前記外周部に向けて前記処理液の吐出を開始した後に、前記ガスの吐出を開始する請求項２に記載の基板液処理装置。
  4. 　前記液体供給ノズルは、前記制御部の制御下で、
    　前記処理液の前記着地位置が、前記処理面の前記外周部から、前記処理面の前記外周部と前記中心部との間に位置する第１中間部に向けて動いている間、前記処理面の第１液体供給エリアに向けて前記液体を吐出し、
    　前記処理液の前記着地位置が、前記第１中間部から前記中心部に向けて動いている間、前記処理面の第２液体供給エリアに向けて前記液体を吐出し、
    　前記処理面の中心からの前記第２液体供給エリアの距離は、前記処理面の中心からの前記第１液体供給エリアの距離よりも大きい請求項１～３のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  5. 　前記液体供給ノズルを動かす第２駆動部を備え、
    　前記制御部は、前記第２駆動部を制御することで、前記第１液体供給エリアに向けて前記液体供給ノズルから前記液体を吐出させる状態と、前記第２液体供給エリアに向けて前記液体供給ノズルから前記液体を吐出させる状態とを切り換える請求項４に記載の基板液処理装置。
  6. 　前記第２駆動部が前記液体供給ノズルを移動させることで、前記第１液体供給エリアに向けて前記液体供給ノズルから前記液体が吐出される状態と、前記第２液体供給エリアに向けて前記液体供給ノズルから前記液体が吐出される状態とを切り換える請求項５に記載の基板液処理装置。
  7. 　前記第２駆動部が前記液体供給ノズルからの前記液体の吐出方向を変えることで、前記第１液体供給エリアに向けて前記液体供給ノズルから前記液体が吐出される状態と、前記第２液体供給エリアに向けて前記液体供給ノズルから前記液体が吐出される状態とを切り換える請求項５に記載の基板液処理装置。
  8. 　前記液体供給ノズルは、
    　前記処理面のうちの第１液体供給エリアに向けて前記液体を吐出する第１液体供給ノズルと、
    　前記処理面のうちの第２液体供給エリアに向けて前記液体を吐出する第２液体供給ノズルと、を含み、
    　前記制御部は、
    　前記処理液の前記着地位置が前記処理面の前記外周部から前記第１中間部に向けて動いている間、前記第１液体供給ノズルから前記液体を吐出させ、
    　前記処理液の前記着地位置が前記処理面の前記第１中間部から前記中心部に向けて動いている間、前記第２液体供給ノズルから前記液体を吐出させる請求項４に記載の基板液処理装置。
  9. 　前記第１液体供給ノズルから吐出される前記液体の流量は、前記第２液体供給ノズルから吐出される前記液体の流量よりも多い請求項８に記載の基板液処理装置。
  10. 　前記処理面は、前記処理面の回転中心を通り且つ相互に直交する直線状のＸ軸及びＹ軸によって４つの領域に区分され、
    　前記処理液供給ノズルから吐出された前記処理液の前記処理面上における前記着地位置は、前記Ｘ軸が延びる方向へ、前記処理面の前記外周部から前記中心部に向けて動かされ、
    　前記処理面のうち前記Ｙ軸によって区分される２つの領域のうち、一方において、前記処理液の前記着地位置が前記処理面の前記外周部から前記中心部に向けて動かされる間の前記処理液の前記着地位置があり、他方において、前記第２液体供給エリアがある請求項４～９のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  11. 　前記回転駆動部によって前記基板が回転させられることで、前記処理面のうち中心以外の領域は、前記Ｘ軸のプラス側、前記Ｙ軸のマイナス側、前記Ｘ軸のマイナス側、及び前記Ｙ軸のプラス側を、順次繰り返し通過し、
    　前記処理面のうち前記Ｘ軸によって区分される２つの領域のうち、前記Ｙ軸のマイナス側が位置する領域において、前記第２液体供給エリアがある請求項１０に記載の基板液処理装置。
  12. 　前記処理面上に形成される前記液膜の状態を監視する監視部を備え、
    　前記制御部は、前記監視部の監視結果に応じて、前記第１液体供給エリアに向けて前記液体供給ノズルから前記液体が吐出される状態と、前記第２液体供給エリアに向けて前記液体供給ノズルから前記液体が吐出される状態とを切り換える請求項４～１１のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  13. 　前記基板の回転数は、前記処理面の前記外周部と前記中心部との間に位置する第２中間部に向けて前記外周部から前記処理液の前記着地位置が動いている間よりも、前記処理面の前記第２中間部から前記中心部に向けて前記処理液の前記着地位置が動いている間の方が高い請求項１～１２のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  14. 　回転している基板の処理面に向けて液体供給ノズルから液体を吐出させつつ、処理液供給ノズルから前記処理面に向けてミスト状の処理液を吐出することで、前記液体を含む液膜が形成されている前記処理面上における前記処理液の着地位置を、前記処理面の外周部から中心部に向けて動かす工程を含む、
    　基板液処理方法。
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