TW202304601A - 基板液處理裝置及基板液處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種抑制微粒之對於基板的附著之有利技術。 本發明之基板液處理裝置，具備：基板固持部，固持基板；旋轉驅動部，使由基板固持部所固持的基板旋轉；液體噴吐部，具備向基板之處理面噴吐液體的液體供給噴嘴；處理液噴吐部，具備向處理面噴吐霧狀之處理液的處理液供給噴嘴；第1驅動部，移動處理液供給噴嘴；以及控制部，控制處理液噴吐部、第1驅動部及液體噴吐部；而控制部，控制液體噴吐部，從液體供給噴嘴向旋轉的基板之處理面噴吐液體，並控制處理液噴吐部及第1驅動部，使來自處理液供給噴嘴之處理液的在形成有包含液體之液膜的處理面上之降落位置，從處理面的外周部向中心部移動。

Description

基板液處理裝置及基板液處理方法
本發明係關於一種基板液處理裝置及基板液處理方法。
於半導體元件之製造中，要求高度維持半導體晶圓（下稱「晶圓」）之正反面的潔淨度，尤其是形成半導體元件的晶圓之正面的潔淨度。為了高度維持晶圓的潔淨度，而可在各式各樣的製造程序前後施行晶圓之清洗。
於晶圓之清洗中，藉由對晶圓之正面吹附氣體及液體的混合流體，而可從晶圓之正面將微粒有效地去除。
專利文獻1所揭露的基板清洗裝置，於在基板之正面上形成液膜的狀態下，向基板之正面噴吐雙流體等清洗液。藉此，防止被杯部的內側回濺之霧狀的清洗液直接附著於基板之正面，抑制微粒的對於基板之正面的附著。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-203892號公報
[本發明所欲解決的問題]
如同上述，向以液體覆蓋的基板（晶圓）之正面噴吐清洗液等處理液的情況，可能因處理液碰撞基板上之液體而導致飛濺。因此一飛濺而從基板飛散出之液體（即包含液體及／或處理液之飛散液體），有被位於基板周邊的杯部等周邊構件回濺而降落在基板上之情形。如此地降落在基板上之飛散液，可能將微粒帶至基板。
另，向基板正面噴吐處理液時，藉由將基板正面上之液體的量減少、減小液膜厚度而使飛濺不易發生，但若基板上之液體的量少，則微粒變得容易附著於基板。因而，藉由在往以足夠量之液體覆蓋的基板正面噴吐處理液之狀況下抑制飛濺的發生，而可更有效地抑制微粒之對於基板的附著。
本發明提供一種抑制微粒之對於基板的附著之有利技術。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣係關於一種基板液處理裝置，包含：基板固持部，固持基板；旋轉驅動部，使由基板固持部所固持的基板旋轉；液體噴吐部，具備向基板之處理面噴吐液體的液體供給噴嘴；處理液噴吐部，具備向處理面噴吐霧狀之處理液的處理液供給噴嘴；第1驅動部，移動處理液供給噴嘴；以及控制部，控制處理液噴吐部、第1驅動部及液體噴吐部；控制部，控制液體噴吐部，從液體供給噴嘴向旋轉的基板之處理面噴吐液體，並控制處理液噴吐部及第1驅動部，使來自處理液供給噴嘴之處理液的在形成有包含液體之液膜的處理面上之降落位置，從處理面的外周部向中心部移動。 [本發明之效果]
依本發明，則有利於抑制微粒之對於基板的附著。
以下，參考圖式，針對本發明之實施形態予以說明。
圖1係顯示處理系統80的一例之概略的圖。
圖1所示的處理系統80，具備搬出入站91及處理站92。搬出入站91，包含具有複數載具C之載置部81、及設置有第1搬運機構83與傳遞部84之搬運部82。將複數基板W以水平狀態收納於各載具C。於處理站92，設置有於搬運路86的兩側設置之複數處理單元10、及在搬運路86來回移動之第2搬運機構85。
將基板W，藉由第1搬運機構83從載具C取出而載置於傳遞部84，藉由第2搬運機構85從傳遞部84取出。而後，將基板W，藉由第2搬運機構85往對應的處理單元10搬入，於對應的處理單元10中施行既定之液處理。其後，將基板W，藉由第2搬運機構85從對應的處理單元10取出而載置於傳遞部84，其後，藉由第1搬運機構83返回載置部81之載具C。
處理系統80具備控制部93。控制部93例如由電腦構成，具備運算處理部及記憶部。於控制部93之記憶部，記憶有用於在處理系統80施行之各種處理的程式及資料。控制部93之運算處理部，藉由適當讀取並實行記憶部所記憶的程式，而控制處理系統80之各種機構，施行各種處理。
控制部93之記憶部所記憶的程式及資料，記錄在可由電腦讀取之記錄媒體，亦可從該記錄媒體安裝至記憶部。作為可由電腦讀取之記錄媒體，例如有硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）及記憶卡等。
於上述處理系統80中，複數處理單元10中的2個以上之處理單元10，可彼此具有相同的構成且施行相同的處理，亦可彼此具有不同的構成且施行不同的處理。在各處理單元10，可藉由對基板W給予各種處理液（例如藥液、沖洗液及清洗液）而施行各式各樣的液處理。於各處理單元10中，可將對於基板W之複數種液處理（例如藥液處理、沖洗處理及清洗處理），在單一處理槽施行，亦可分別在個別的處理槽施行。
以下，針對在1個以上之處理單元10中施行的基板W之清洗處理予以例示。另，基板W，一般而言係由半導體晶圓或玻璃基板等構成，但並無限定。
［第1實施形態］ 圖2係顯示第1實施形態之處理單元10的一例之概略的圖。圖2中，處理槽21之內側的各種要素，顯示由上方觀察之狀態。
圖2所示的處理單元10，具備基板固持部22、液體噴吐部32、清洗液噴吐部（處理液噴吐部）30、第1驅動部24及第2驅動部25。
基板固持部22，於處理槽21之內側空間中固持基板W。圖2所示的基板固持部22，將基板W之底面（特別是中心部）吸附保持。然則，以基板固持部22進行的基板W之具體保持方式並無限定。
基板固持部22，設置為固持基板W，且可與該基板W一同以旋轉軸線Ax為中心而旋轉。基板固持部22，藉由以馬達等構成的旋轉驅動部23（參考圖3）而旋轉。亦即，旋轉驅動部23，在控制部93（參考圖1）的控制下，使由基板固持部22所固持之基板W以旋轉軸線Ax為中心而旋轉。
液體噴吐部32，具備液體供給源38a、流量控制器38b、開閉閥38c、供給管線38d及液體供給噴嘴33。
液體供給源38a，在控制部93的控制下，對供給管線38d送出沖洗液Lr（例如DIW（Deionized water, 去離子水））。流量控制器38b，設置於供給管線38d中的液體供給源38a與開閉閥38c之間的部分，在控制部93的控制下，調整在供給管線38d流動之沖洗液Lr的流量。開閉閥38c，設置於供給管線38d中的流量控制器38b與液體供給噴嘴33之間的部分，在控制部93的控制下，將供給管線38d之流路開啟關閉。
液體供給噴嘴33，噴吐從液體供給源38a經由供給管線38d而供給之沖洗液Lr。
清洗液噴吐部30，具備處理液供給源36a、流量控制器36b、開閉閥36c、供給管線36d、氣體供給源37a、流量控制器37b、開閉閥37c、供給管線37d及清洗液供給噴嘴31。
處理液供給源36a，在控制部93的控制下，對供給管線36d送出清洗液（處理液；例如DIW）Lp。流量控制器36b，設置於供給管線36d中的處理液供給源36a與開閉閥36c之間的部分，在控制部93的控制下，調整在供給管線36d流動之清洗液Lp的流量。開閉閥36c，設置於供給管線36d中的流量控制器36b與清洗液供給噴嘴31之間的部分，在控制部93的控制下，將供給管線36d之流路開啟關閉。
氣體供給源37a，在控制部93的控制下，對供給管線37d送出氣體（例如氮等惰性氣體）。流量控制器37b，設置於供給管線37d中的氣體供給源37a與開閉閥37c之間的部分，在控制部93的控制下，調整在供給管線37d流動之氣體的流量。開閉閥37c，設置於供給管線37d中的流量控制器37b與清洗液供給噴嘴31之間的部分，在控制部93的控制下，將供給管線37d之流路開啟關閉。
清洗液供給噴嘴31，噴吐從處理液供給源36a經由供給管線36d而供給之清洗液Lp、及從氣體供給源37a經由供給管線37d而供給之氣體。如此地，本實施形態的清洗液供給噴嘴31，構成為將氣體（惰性氣體等）與清洗液（處理液）Lp一同噴出的雙流體噴嘴，噴吐霧狀之清洗液Lp。
清洗液供給噴嘴31，以可藉由第1驅動部24移動的方式支持。液體供給噴嘴33，以可藉由第2驅動部25移動的方式支持。
第1驅動部24，具備第1驅動本體部24a及第1驅動臂24b。第2驅動部25，具備第2驅動本體部25a及第2驅動臂25b。
第1驅動本體部24a及第2驅動本體部25a，在控制部93的控制下，沿著往水平方向（即X軸方向）直線狀地延伸的導軌26而移動。導軌26，於處理槽21之內側中，對處理槽21固定地設置。第1驅動臂24b及第2驅動臂25b，各自設置為在控制部93的控制下，可往水平方向（即和X軸方向呈垂直之Y軸方向）及高度方向（即Z軸方向）分別直線狀地伸縮。
因此，第1驅動部24，在控制部93的控制下，可使清洗液供給噴嘴31沿著X軸方向、Y軸方向及Z軸方向移動。此外，第2驅動部25，在控制部93的控制下，可使液體供給噴嘴33沿著X軸方向、Y軸方向及Z軸方向移動。
控制部93，藉由如同上述地控制旋轉驅動部23、清洗液噴吐部30、液體噴吐部32、第1驅動部24及第2驅動部25，而施行基板W之清洗處理。
圖2所示的處理單元10，更具備設置於處理槽21之內側的杯構造體29及監視部35。
杯構造體29，設置為將藉由基板固持部22固持的基板W，於水平方向包圍。杯構造體29，一般而言，包含具有圓環狀之平面形狀的一或複數個杯體。各杯體，具有上方部及下方部開口的筒狀形狀，於各杯體之內側，配置基板固持部22及／或藉由基板固持部22保持的基板W。杯構造體29，承擋從基板W飛散的液體（包含沖洗液Lr及清洗液Lp），防止飛散液從處理槽21漏出。
監視部35，在控制部93的控制下，監視於藉由基板固持部22保持的基板W之處理面（即頂面）上形成的液膜之狀態。藉由監視部35監視之液膜的具體狀態並無限定。監視部35，例如亦可監視基板W之處理面上的液膜之厚度。將監視部35的監視結果，往控制部93發送。
監視部35的具體構成並無限定，一般而言，監視部35可包含攝影機（拍攝元件）、利用雷射之一或複數個量測器。此外，亦可藉由設置為不同構件之量測器及運算處理部（例如控制部93）的組合，而構成監視部35。例如，亦可從監視部35的量測器，對作為運算處理部運作之控制部93發送量測資料，使控制部93解析該量測資料，藉以取得在基板W之處理面上形成的液膜之狀態。
處理單元10，亦可具備其他裝置。
例如，處理單元10，可具備底面清洗單元（圖示省略），用於清洗藉由基板固持部22固持的基板W之底面。底面清洗單元，例如具備：清洗體，由推抵基板W之底面的刷子或海綿等構成；清洗液噴吐噴嘴，噴吐清洗液；以及底面清洗移動裝置，使清洗體及清洗液噴吐噴嘴移動。在控制部93的控制下，可藉由使底面清洗移動裝置移動清洗體及清洗液噴吐噴嘴，對基板W之底面給予清洗液並推抵清洗體，而清洗基板W之底面。
此外，亦可設置一或複數個吸附墊（圖示省略），其等可固持基板W之底面的中心部以外之處。可在將基板W藉由吸附墊固持的期間，清洗基板W之底面中的基板固持部22所接觸之處（即中心部）。另一方面，可在將基板W藉由基板固持部22固持的期間，清洗基板W之底面中的吸附墊所接觸之處。
此外，亦可於基板固持部22之周圍，設置複數根（例如3根）升降銷（圖示省略）。此等升降銷，設置為可藉由升降機構（圖示省略）升降。藉此，可在此等升降銷、與設置於處理單元10之外部的搬運機構（第2搬運機構85（參考圖1））之間，進行基板W的傳遞。此外，可在此等升降銷、與基板固持部22或上述吸附墊之間，進行基板W的傳遞。
此外，亦可設置處理液噴吐部（圖示省略），在控制部93的控制下噴吐其他處理液（例如藥液）而給予至基板W。
接著，針對於圖2所示的處理單元10中施行之基板液處理方法的一例予以說明。
於使用霧狀之清洗液Lp的清洗處理中，為了以沖洗液Lr（液體）覆蓋基板W之處理面（頂面）全體，而將沖洗液Lr往基板W之中心或中心附近供給。
另一方面，由於清洗處理必須對基板W之處理面全體施行，因而亦將霧狀之清洗液Lp給予至基板W之處理面全體。具體而言，藉由使基板W旋轉，並使在處理面之清洗液Lp的吹附位置沿處理面之半徑方向移動，而對處理面全體直接吹附清洗液Lp。
因而，將清洗液Lp往基板W之中心或中心附近供給時，由於清洗液Lp碰撞供給至基板W之中心或中心附近的沖洗液Lr，而容易產生飛濺。此等飛濺，可能將微粒帶至基板W，因而宜盡可能地避免。
為了抑制起因於清洗液Lp及沖洗液Lr的碰撞之上述飛濺，以下對應為有效方式。
例如，藉由減少給予至基板W的處理面之沖洗液Lr的量、使處理面上之沖洗液Lr的膜減薄，而可抑制將清洗液Lp給予至基板W上時之飛濺。然則，此一情況，基板W的處理面上之沖洗液Lr的量，變得不足以防止由受到杯部等回濺的飛散液帶來之微粒，結果而言，有容易在基板W之處理面產生缺陷（Defect）的情形。
此外，藉由增高基板W的轉速、使基板W的處理面上之沖洗液Lr的膜減薄，而可抑制將清洗液Lp給予至基板W上時之飛濺。然則，在此一情況，基板W的處理面上之沖洗液Lr的量仍變得不足，有容易在基板W之處理面產生缺陷的情形。此外，此一情況，霧液因高速旋轉的基板W而被捲起，液體變得容易從基板W飛散。此一結果，有被杯部等回濺的飛散液附著於基板W之處理面，微粒容易附著至處理面的情形。此外，此一情況，在基板W的處理面中之中心或中心附近以外處有沖洗液Lr的膜厚局部性地變大之傾向，清洗液Lp與沖洗液Lr容易在該處碰撞而引起飛濺。
此外，沖洗液Lr的對於基板W之處理面的噴吐方向，有越接近對處理面垂直的方向，則越不易產生飛濺的傾向。亦即，沖洗液Lr的對於基板W之處理面的噴吐方向，越遠離對處理面垂直的方向（即相對於垂直方向之傾斜變得越大），則越容易發生飛濺。
此外，如同雙流體清洗般，將清洗液Lp與氣體一同向基板W噴吐之情況，藉由減少該氣體的流量，而可抑制飛濺的發生。然則此一情況，從基板W之處理面將微粒去除的性能降低。
以下，針對抑制微粒之對於基板W的附著並往基板W給予清洗液（處理液）Lp之有利的基板液處理方法之一例予以說明。
以下所示之基板液處理方法，係藉由使控制部93適當控制處理系統80（處理單元10）的各部而施行。
圖3～圖8係顯示第1實施形態之基板液處理方法的一例之圖。
首先，如圖3所示，使液體供給噴嘴33，向藉由基板固持部22固持的基板W之處理面Ws噴吐沖洗液Lr（預沖洗處理）。
於此預沖洗處理中，液體供給噴嘴33，向處理面Ws中的包含中心（即旋轉軸線Ax通過的位置）及中心附近之範圍（即第1液體供給範圍Ws1），噴吐沖洗液Lr。藉此，沖洗液Lr涵蓋旋轉的基板W之處理面Ws全體而擴散，以沖洗液Lr之液膜覆蓋處理面Ws全體。
另，來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的主要噴吐方向，為鉛直方向（Z軸向下方向）。然則，從液體供給噴嘴33噴吐之全部沖洗液Lr的噴吐方向，不必為嚴格的鉛直方向。從液體供給噴嘴33噴吐之沖洗液Lr的至少一部分，亦可往對鉛直方向傾斜的方向飛翔。
來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr所降落的第1液體供給範圍Ws1，亦可不必非得包含處理面Ws的中心。例如，從液體供給噴嘴33噴吐出之沖洗液Lr的一部分，於降落至處理面Ws後往包含處理面Ws的中心之範圍擴散的情況，即便第1液體供給範圍Ws1未包含處理面Ws的中心，仍可將處理面Ws全體以沖洗液Lr覆蓋。
另，於從清洗液供給噴嘴31及液體供給噴嘴33往處理面Ws給予沖洗液Lr及清洗液Lp之期間（參考圖3～圖8），藉由旋轉驅動部23，使基板W與基板固持部22一同以旋轉軸線Ax為中心而持續地旋轉。
而後，對藉由基板固持部22固持並旋轉的基板W之處理面Ws，使液體供給噴嘴33供給沖洗液Lr，並使清洗液供給噴嘴31向該處理面Ws噴吐清洗液Lp（參考圖4）。藉此，可在基板W之處理面Ws上維持液膜，並藉由清洗液Lp清洗該處理面Ws（霧化清洗處理）。另，來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的主要噴吐方向，為鉛直方向。然則，從清洗液供給噴嘴31噴吐之全部清洗液Lp的噴吐方向，不必為嚴格的鉛直方向。從清洗液供給噴嘴31噴吐之清洗液Lp的至少一部分，亦可往對鉛直方向傾斜的方向飛翔。
具體而言，首先，如圖4所示，從液體供給噴嘴33向第1液體供給範圍Ws1噴吐沖洗液Lr，並從清洗液供給噴嘴31向處理面Ws的外周部（特別是邊緣）開始清洗液Lp之噴吐。
此時，旋轉驅動部23，以使處理面Ws的外周部上之液膜的厚度變得非常小的轉速，使基板W旋轉。藉此，從處理面Ws中的液膜非常薄之處開始上述霧化清洗處理，可抑制霧化清洗處理的最初開始時之飛濺的發生。
本例的清洗液供給噴嘴31，在向處理面Ws之外周部開始清洗液Lp的噴吐後，開始氣體的噴吐。亦即，在控制部93的控制下，藉由開閉閥36c將供給管線36d（參考圖2）之流路從關閉狀態切換為開啟狀態後，藉由開閉閥37c將供給管線37d之流路從關閉狀態切換為開啟狀態。
一般而言，在從雙流體噴嘴向處理面Ws噴吐液體之前先噴吐氣體的情況，有處理面Ws的液膜消失而容易在處理面Ws產生水漬等微粒之傾向。因此，如同本例，藉由在開始清洗液Lp的噴吐後開始氣體的噴吐，而避免從清洗液供給噴嘴31在清洗液Lp之前先噴吐氣體，抑制處理面Ws之水漬等微粒的產生。
在本例中，於將從清洗液供給噴嘴31噴吐之清洗液Lp向處理面Ws的外周部噴吐之狀態下，開始來自清洗液供給噴嘴31之氣體的噴吐。此一結果，藉由與氣體一同從清洗液供給噴嘴31噴吐的霧狀之清洗液Lp，清洗處理面Ws的外周部。
而後，於從液體供給噴嘴33往處理面Ws持續地供給沖洗液Lr的狀態下，使清洗液供給噴嘴31噴出清洗液Lp及氣體，並從基板W之外周側沿水平方向（X軸方向）向中心側移動。
亦即，控制部93，控制液體噴吐部32及第2驅動部25，從液體供給噴嘴33向旋轉的基板W之處理面Ws（特別是第1液體供給範圍Ws1）噴吐沖洗液Lr。此外，控制部93，控制清洗液噴吐部30及第1驅動部24，使來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在形成液膜（包含沖洗液Lr）之處理面Ws上的降落位置，從處理面Ws的外周部向中心部移動。此一結果，從液體供給噴嘴33向旋轉的基板W之處理面Ws噴吐沖洗液Lr，並從清洗液供給噴嘴31向處理面Ws噴吐霧狀之清洗液Lp（處理液掃描處理）。
另，此處所述的中心部，不僅包含處理面Ws的中心（旋轉軸線Ax所通過的點），可包含該中心之附近範圍。因此，清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置，可向處理面Ws的中心移動，亦可向處理面Ws的中心之附近移動。
此外，清洗液供給噴嘴31從基板W之外周側向中心側移動時，清洗液供給噴嘴31亦可不必非得嚴格地向處理面Ws的中心（即旋轉軸線Ax）移動。亦即，清洗液供給噴嘴31，可沿著具有圓形平面形狀之處理面Ws的半徑方向移動，亦可不沿著該半徑方向移動。然則，宜以對旋轉的基板W之處理面Ws全體直接吹附清洗液Lp的路徑，使清洗液供給噴嘴31從基板W之外周側向中心側移動。
液體供給噴嘴33，在控制部93的控制下，於使清洗液Lp之降落位置，從處理面Ws的外周部朝向位於處理面Ws的外周部與中心部之間的第1中間部移動之期間，向處理面Ws的中心部噴吐沖洗液Lr（參考圖4）。亦即，控制部93，藉由控制第2驅動部25，而於使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的外周部向第1中間部移動之期間，從液體供給噴嘴33向處理面Ws中的第1液體供給範圍Ws1噴吐沖洗液Lr。
另一方面，液體供給噴嘴33，在控制部93的控制下，於使清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置，從處理面Ws的第1中間部向中心部移動之期間，向處理面Ws的中心部以外之區域噴吐沖洗液Lr（參考圖5）。亦即，控制部93，藉由控制第2驅動部25，而於使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的第1中間部向中心部移動之期間，從液體供給噴嘴33向處理面Ws中的第2液體供給範圍Ws2噴吐沖洗液Lr。此處，從處理面Ws的中心（即旋轉軸線Ax）算起之第2液體供給範圍Ws2的距離，較從處理面Ws的中心算起之第1液體供給範圍Ws1的距離更大。
如此地，在本例中，藉由使第2驅動部25將液體供給噴嘴33沿水平方向移動，而變更來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的在處理面Ws上之降落位置。亦即，藉由使第2驅動部25移動液體供給噴嘴33，而切換將來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr向第1液體供給範圍Ws1噴吐的狀態、及向第2液體供給範圍Ws2噴吐的狀態。另，以藉由從清洗液供給噴嘴31噴吐之清洗液Lp、及從液體供給噴嘴33噴吐之沖洗液Lr將處理面Ws全體持續地以液膜覆蓋的方式，決定沖洗液Lr的降落範圍Ws1、Ws2。
在本例中，如此地，於切換來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的降落位置之時間的全體或一部分中，降低清洗液供給噴嘴31之前往處理面Ws的中心部之移動速度。藉此，可抑制切換沖洗液Lr的降落位置而使處理面Ws上之沖洗液Lr的降落不穩定之狀態下的飛濺。另，使如此地暫降低移動速度的清洗液供給噴嘴31，再度以原本之移動速度（即相對較快之移動速度）前往處理面Ws的中心部。
此外，於本例中，從液體供給噴嘴33向第2液體供給範圍Ws2噴吐的沖洗液Lr之每單位時間的量，較從液體供給噴嘴33向第1液體供給範圍Ws1噴吐的沖洗液Lr之每單位時間的量更小。藉此，可減少處理面Ws上之清洗液Lp的降落位置附近之沖洗液Lr的量，抑制沖洗液Lr及／或清洗液Lp之飛濺。
本例中之基板W的轉速，相較於使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的外周部朝向位於外周部與中心部之間的第2中間部移動之期間，在使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的第2中間部向中心部移動之期間更高。此處所述的第2中間部之從處理面Ws的中心（旋轉軸線Ax）算起之距離，可和上述第1中間部之從處理面Ws的中心算起之距離相同，亦可不同。
一般而言，基板W的轉速越低，則有處理面Ws上的液膜中之厚度大處越靠近處理面Ws的中心側（例如沖洗液Lr及／或清洗液Lp的降落位置側）之傾向。此外，藉由將基板W的轉速減小，而有處理面Ws上之沖洗液Lr，以繞過清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置的方式，在處理面Ws上擴散之情形（參考後述圖9A）。因而，藉由如同上述地於清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的外周部向第2中間部移動之期間，將基板W的轉速相對地減小，而可抑制飛濺。
而後，如圖6所示，於來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置到達處理面Ws的中心部後，使清洗液供給噴嘴31折返，從處理面Ws的中心部沿X軸方向朝外周部移動。另，清洗液供給噴嘴31，亦可不移動至處理面Ws的中心之正上方而折返。
而後，如圖7所示，於來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置到達處理面Ws的中心部與外周部之間的第3中間部後，變更來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的在處理面Ws上之降落位置。
亦即，於清洗液Lp之降落位置到達第3中間部後，藉由第2驅動部25使液體供給噴嘴33移動，將沖洗液Lr的降落位置從第2液體供給範圍Ws2切換為第1液體供給範圍Ws1。此處所述的第3中間部之從處理面Ws的中心算起之距離，可和上述第1中間部及／或第2中間部之從處理面Ws的中心算起之距離相同，亦可不同。
另，亦可於來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的降落位置從第2液體供給範圍Ws2切換為第1液體供給範圍Ws1之時間的全體或一部分中，降低清洗液供給噴嘴31之前往處理面Ws的外周部之移動速度。藉此，可抑制沖洗液Lr及／或清洗液Lp的飛濺。使如此地暫降低移動速度的清洗液供給噴嘴31，再度以原本之移動速度（即相對較快之移動速度）前往處理面Ws的外周部。
此外，基板W的轉速，相較於使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的中心部朝向位於外周部與中心部之間的第4中間部移動之期間，在使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的第4中間部向外周部移動之期間亦可更低。此處所述的第4中間部之從處理面Ws的中心算起之距離，可和上述第1中間部、第2中間部及／或第3中間部之從處理面Ws的中心算起之距離相同，亦可不同。
其後，使清洗液供給噴嘴31向處理面Ws的外周側移動，直至來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置到達處理面Ws的外周部（特別是邊緣）（參考圖8）。此時，液體供給噴嘴33，向第1液體供給範圍Ws1持續噴吐沖洗液Lr。
其後，停止來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp及氣體的噴吐，另一方面，使從液體供給噴嘴33向處理面Ws（特別是第1液體供給範圍Ws1）之沖洗液Lr的噴吐持續一段時間（後沖洗處理）。其後，停止來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的噴吐。
藉由經過上述一連串的處理（參考圖3～圖8），而可抑制飛濺並施行基板W之處理面Ws的清洗，此一結果，可有效地抑制處理面Ws之微粒的產生。
圖9A係顯示基板W之處理面Ws上的沖洗液Lr及清洗液Lp之擴散狀態的一例之圖。圖9B係顯示基板W之處理面Ws的劃分區域R1～R4的一例之圖。
如同上述，根據來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置，而變更來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的在處理面Ws上之降落位置，藉以抑制飛濺。
本案發明人屢次用心檢討的結果，獲得關於有利於抑制飛濺並效率良好地施行處理面Ws的清洗之「沖洗液Lr的在處理面Ws之降落位置」的新發現。
亦即，將基板W之處理面Ws，藉由通過處理面Ws的旋轉中心（旋轉軸線Ax）且相互正交之直線狀的X軸及Y軸，劃分為4個區域R1～R4。此處，使從清洗液供給噴嘴31噴吐之清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置，從處理面Ws的外周部，往X軸所延伸的方向朝中心部移動。
在處理面Ws中的藉由Y軸劃分之2個區域中的一方（參考圖9B所示的第3劃分區域R3及第4劃分區域R4）中，存在清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的外周部向中心部移動之期間的清洗液Lp之降落位置。此一情況，在處理面Ws中的藉由Y軸劃分之2個區域中的另一方（參考圖9B所示的第1劃分區域R1及第2劃分區域R2）中，若存在第2液體供給範圍Ws2，則有利於抑制飛濺並效率良好地施行處理面Ws的清洗。
此外，藉由以旋轉驅動部23（參考圖3等）使基板W沿旋轉方向Dr旋轉，而使處理面Ws中的中心以外之區域，如圖9B所示地依序反複通過X軸之正側、Y軸之負側、X軸之負側、Y軸之正側。此一情況，於處理面Ws中的藉由X軸劃分之2個區域中的位於Y軸之負側的區域（參考圖9B所示的第2劃分區域R2及第3劃分區域R3）中，宜存在第2液體供給範圍Ws2。此一情況，有利於抑制飛濺並效率良好地施行處理面Ws的清洗。
綜合考慮上述發現，則當圖9B所示的第3劃分區域R3及／或第4劃分區域R4存在有來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的降落位置之情況，來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的降落位置宜存在於第2劃分區域R2。
如同以上說明，依本實施形態，則根據清洗液Lp的在處理面Ws之降落位置，變更沖洗液Lr的在處理面Ws之降落位置，藉而可抑制飛濺、抑制微粒的產生。
此外，根據沖洗液Lr的在處理面Ws之降落位置的變更，變更清洗液Lp的在處理面Ws之降落位置的移動速度，藉而可抑制飛濺、抑制微粒的產生。
進一步，根據清洗液Lp的在處理面Ws之降落位置，變更基板W的轉速，藉而可涵蓋處理面Ws全體地形成液膜，並抑制飛濺、抑制微粒的產生。
圖10係顯示變更處理面Ws上之沖洗液Lr的降落位置所用之液體供給噴嘴33的驅動例之圖。
在上述例子中，雖為了變更處理面Ws上之沖洗液Lr的降落位置，而藉由第2驅動部25變更液體供給噴嘴33之水平方向位置，但並未限定於此一形態。
例如，亦可如圖10所示，藉由使第2驅動部25（參考圖2所示的「方位調整部25c」）調整液體供給噴嘴33之位態（特別是噴吐口之朝向），而變更來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的噴吐方向。亦即，藉由使第2驅動部25變更來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的噴吐方向，而切換將來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr向第1液體供給範圍Ws1噴吐的狀態、及向第2液體供給範圍Ws2噴吐的狀態。
圖11係顯示利用監視部35的監視結果變更處理面Ws上之沖洗液Lr的降落位置之流程圖。
控制部93，亦可根據監視處理面Ws上之液膜的狀態之監視部35的監視結果，而變更處理面Ws上之沖洗液Lr的降落位置。
例如，藉由監視部35開始處理面Ws上之液膜的狀態之監視後（圖11的S1），從液體供給噴嘴33向第1液體供給範圍Ws1開始沖洗液Lr的噴吐（S2）。此外，從清洗液供給噴嘴31向處理面Ws開始清洗液Lp的噴吐。
而後，控制部93，依據從監視部35送至的監視結果，判定處理面Ws上的液膜是否處於容易誘發飛濺之狀態（即「飛濺誘發狀態」）（S3）。例如，在處理面Ws上的液膜厚度大之處接近處理面Ws上的清洗液Lp之降落位置的情況，可判定為處理面Ws上的液膜處於飛濺誘發狀態。
於判定為處理面Ws上的液膜並非為飛濺誘發狀態之期間（S3的N），持續監視部35的監視，並持續從液體供給噴嘴33向第1液體供給範圍Ws1之沖洗液Lr的噴吐。
另一方面，於判定為處理面Ws上的液膜處於飛濺誘發狀態之情況（S3的Y），控制部93，控制第2驅動部25，將來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的降落位置從第1液體供給範圍Ws1變更為第2液體供給範圍Ws2（S4）。
其後，控制部93，依據監視部35的監視結果，判定處理面Ws上的液膜是否脫離飛濺誘發狀態（S5）。
於判定為處理面Ws上的液膜未脫離飛濺誘發狀態之期間（S5的N），持續監視部35的監視，並持續從液體供給噴嘴33向第2液體供給範圍Ws2之沖洗液Lr的噴吐。
另一方面，於判定為處理面Ws上的液膜脫離飛濺誘發狀態之情況（S5的Y），控制部93，控制第2驅動部25，將來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的降落位置從第2液體供給範圍Ws2變更為第1液體供給範圍Ws1（S6）。
其後，於作為處理對象的基板W之清洗處理尚未結束的期間（S7的N），在控制部93的控制下，重複上述處理S3～S6。
另一方面，於作為對象的基板W之清洗處理結束的情況（S7的Y），控制部93，控制清洗液噴吐部30及液體噴吐部32，停止來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的噴吐、及來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的噴吐（S8）。
如同上述，控制部93，根據監視部35的監視結果控制第2驅動部25，移動液體供給噴嘴33，藉而可變更處理面Ws之沖洗液Lr的降落位置。藉此，根據監視部35的監視結果，而切換從液體供給噴嘴33向第1液體供給範圍Ws1噴吐沖洗液Lr的狀態、及從液體供給噴嘴33向第2液體供給範圍Ws2噴吐沖洗液Lr的狀態。
另，上述監視部35，監視處理面Ws上之液膜的狀態，但監視部35亦可監視其他狀態。例如監視部35，亦可監視清洗液供給噴嘴31及液體供給噴嘴33的位置、從清洗液供給噴嘴31噴吐之清洗液Lp的狀態、及／或從液體供給噴嘴33噴吐之沖洗液Lr的狀態。
控制部93，亦可依據監視部35所監視的清洗液供給噴嘴31及液體供給噴嘴33之位置、清洗液Lp及沖洗液Lr之狀態，而施行各種控制。
例如，控制部93，亦可依據監視部35所監視的處理面Ws上之液膜厚的部分與液體供給噴嘴33之間的相對位置，而控制旋轉驅動部23，調整基板W的轉速。藉由如此地調整基板W的轉速，而可使處理面Ws上的液膜全體的厚度或液膜厚的部分與液體供給噴嘴33之間的相對位置最佳化，抑制飛濺、抑制微粒的產生。
［第2實施形態］ 於本實施形態中，對於與上述第1實施形態相同或相對應的要素給予相同符號，將其詳細的說明省略。
圖12係顯示第2實施形態之處理單元10的一例之概略的圖。圖12中，處理槽21之內側的各種要素，顯示由上方觀察之狀態。
在上述第1實施形態，使控制部93控制第2驅動部25，切換將來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr向第1液體供給範圍Ws1噴吐的狀態、及向第2液體供給範圍Ws2噴吐的狀態。另一方面，在本實施形態，藉由使控制部93切換噴吐沖洗液Lr的噴嘴，而切換將來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr向第1液體供給範圍Ws1噴吐的狀態、及向第2液體供給範圍Ws2噴吐的狀態。
本實施形態之液體供給噴嘴33，包含第1液體供給噴嘴33a、第2液體供給噴嘴33b及流路調整部33c。
第1液體供給噴嘴33a，向基板W之處理面Ws中的第1液體供給範圍Ws1噴吐沖洗液Lr。第2液體供給噴嘴33b，向處理面Ws中的第2液體供給範圍Ws2噴吐沖洗液Lr。
流路調整部33c，在控制部93的控制下，調整將第1液體供給噴嘴33a、第2液體供給噴嘴33b及供給管線38d相互連結之流路。亦即，流路調整部33c，藉由調整流路，而將經由供給管線38d送至之沖洗液Lr，僅供給至第1液體供給噴嘴33a、或僅供給至第2液體供給噴嘴33b。另，流路調整部33c，亦可藉由調整流路，而將經由供給管線38d送至之沖洗液Lr，供給至第1液體供給噴嘴33a及第2液體供給噴嘴33b雙方。
在圖12所示的例子中，雖一體地設置第1液體供給噴嘴33a及第2液體供給噴嘴33b，但亦可將第1液體供給噴嘴33a及第2液體供給噴嘴33b設置為彼此不同的構件。
此外，在圖12所示的例子中，與上述第1實施形態之液體供給噴嘴33同樣地，將第1液體供給噴嘴33a及第2液體供給噴嘴33b設置為可藉由第2驅動部25移動。然則，第1液體供給噴嘴33a及第2液體供給噴嘴33b，亦可對處理槽21固定地設置。抑或，亦可將第1液體供給噴嘴33a及第2液體供給噴嘴33b設置為於X軸方向固定，但可於Y軸方向及／或Z軸方向移動。
在圖12所示的例子中，藉由共通之液體供給源38a、流量控制器38b、開閉閥38c及供給管線38d，對第1液體供給噴嘴33a及第2液體供給噴嘴33b供給沖洗液Lr。然則，亦可對於第1液體供給噴嘴33a及第2液體供給噴嘴33b，分別分配個別的液體供給源38a、流量控制器38b、開閉閥38c及／或供給管線38d。
圖12所示的處理單元10之其他構成，與上述第1實施形態之處理單元10相同。
本實施形態的控制部93（參考圖1），於使來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的降落位置，從基板W之處理面Ws的外周部向第1中間部移動之期間，從第1液體供給噴嘴33a噴吐沖洗液Lr。此外，控制部93，於使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的第1中間部向中心部移動之期間，從第2液體供給噴嘴33b噴吐沖洗液Lr。
圖13～圖18係顯示第2實施形態之基板液處理方法的一例之圖。以下所示之基板液處理方法，係藉由使控制部93適當控制處理系統80（處理單元10）的各部而施行。
首先，如圖13所示，使第1液體供給噴嘴33a，向藉由基板固持部22固持的基板W之處理面Ws（特別是第1液體供給範圍Ws1）噴吐沖洗液Lr（預沖洗處理）。藉此，使沖洗液Lr涵蓋旋轉的基板W之處理面Ws全體而擴散，以沖洗液Lr的液膜覆蓋處理面Ws的全體。
而後，如圖14所示，對藉由基板固持部22固持並旋轉的基板W之處理面Ws，使第1液體供給噴嘴33a供給沖洗液Lr，並使清洗液供給噴嘴31向該處理面Ws噴吐清洗液Lp。具體而言，首先，如圖14所示，從液體供給噴嘴33向第1液體供給範圍Ws1噴吐沖洗液Lr，並從清洗液供給噴嘴31向處理面Ws的外周部（特別是邊緣）開始清洗液Lp之噴吐。
而後，使清洗液供給噴嘴31，噴出清洗液Lp及氣體，並從基板W之外周側沿水平方向（X軸方向）向中心側移動。亦即，控制部93，控制液體噴吐部32，從第1液體供給噴嘴33a向旋轉的基板W之處理面Ws噴吐沖洗液Lr。此外，控制部93，控制清洗液噴吐部30及第1驅動部24，使來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在形成有液膜之處理面Ws上的降落位置，從處理面Ws的外周部向中心部移動。此一結果，從第1液體供給噴嘴33a向旋轉的基板W之處理面Ws噴吐沖洗液Lr，並從清洗液供給噴嘴31向處理面Ws噴吐霧狀之清洗液Lp（處理液掃描處理）。
液體供給噴嘴33，在控制部93的控制下，於使清洗液Lp之降落位置，從處理面Ws的外周部向第1中間部（參考圖15）移動之期間，向處理面Ws的中心部噴吐沖洗液Lr（參考圖14）。亦即，控制部93，控制流路調整部33c，於使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的外周部向第1中間部移動之期間，從第1液體供給噴嘴33a向第1液體供給範圍Ws1噴吐沖洗液Lr。
另一方面，液體供給噴嘴33，在控制部93的控制下，於使清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置，從處理面Ws的第1中間部向中心部移動之期間，向處理面Ws的中心部以外之區域噴吐沖洗液Lr（參考圖15）。亦即，控制部93，控制流路調整部33c，於使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的第1中間部向中心部移動之期間，從第2液體供給噴嘴33b向第2液體供給範圍Ws2噴吐沖洗液Lr。
如此地，在本例中，藉由將沖洗液Lr的噴吐在第1液體供給噴嘴33a與第2液體供給噴嘴33b之間切換，而變更沖洗液Lr的在處理面Ws上之降落位置。亦即，藉由使流路調整部33c調整流路，而從將沖洗液Lr向第1液體供給範圍Ws1噴吐的狀態，切換為將沖洗液Lr向第2液體供給範圍Ws2噴吐的狀態。
在本例中，於如此地切換沖洗液Lr的降落位置之時間的全體或一部分中，降低清洗液供給噴嘴31之前往處理面Ws的中心部之移動速度。而後，使如此地暫降低移動速度的清洗液供給噴嘴31，再度以原本之移動速度（即相對較快之移動速度）前往處理面Ws的中心部。
此外，於本例中，從第1液體供給噴嘴33a噴吐之沖洗液Lr的流量，較從第2液體供給噴嘴33b噴吐之沖洗液Lr的流量更多。因此，從第2液體供給噴嘴33b向第2液體供給範圍Ws2噴吐的沖洗液Lr之每單位時間的量，較從第1液體供給噴嘴33a向第1液體供給範圍Ws1噴吐的沖洗液Lr之每單位時間的量更少。
本例中之基板W的轉速，相較於在使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的外周部朝向位於外周部與中心部之間的第2中間部移動之期間，在使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的第2中間部向中心部移動之期間更高。
而後，如圖16所示，於來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置到達處理面Ws的中心部後，使清洗液供給噴嘴31折返，從處理面Ws的中心部沿X軸方向朝外周部移動。
而後，如圖17所示，於來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置到達處理面Ws的中心部與外周部之間的第3中間部後，變更來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的在處理面Ws上之降落位置。亦即，於清洗液Lp之降落位置到達第3中間部後，藉由流路調整部33c，將噴吐沖洗液Lr的噴嘴從第2液體供給噴嘴33b切換為第1液體供給噴嘴33a。此一結果，將處理面Ws上的沖洗液Lr之降落位置，從第2液體供給範圍Ws2切換為第1液體供給範圍Ws1。
另，亦可於沖洗液Lr的降落位置從第2液體供給範圍Ws2切換為第1液體供給範圍Ws1之時間的全體或一部分中，降低清洗液供給噴嘴31之前往處理面Ws的外周部之移動速度。使如此地暫降低移動速度的清洗液供給噴嘴31，再度以原本之移動速度（即相對較快之移動速度）前往處理面Ws的外周部。
此外，基板W的轉速，相較於使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的中心部朝向位於外周部與中心部之間的第4中間部移動之期間，在使清洗液Lp之降落位置從處理面Ws的第4中間部向外周部移動之期間亦可更低。
其後，使清洗液供給噴嘴31向處理面Ws的外周側移動，直至來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp的在處理面Ws上之降落位置到達處理面Ws的外周部（特別是邊緣）（參考圖18）。
其後，停止來自清洗液供給噴嘴31之清洗液Lp及氣體的噴吐，另一方面，使從第1液體供給噴嘴33a向處理面Ws（即第1液體供給範圍Ws1）之沖洗液Lr的噴吐持續一段時間（後沖洗處理）。其後，停止來自液體供給噴嘴33之沖洗液Lr的噴吐。
藉由經過上述一連串的處理（參考圖13～圖18），而可抑制飛濺並施行基板W之處理面Ws的清洗，此一結果，可有效地抑制處理面Ws之微粒的產生。
［變形例］ 在上述例子中，使清洗液供給噴嘴31及／或液體供給噴嘴33沿水平方向直線地移動，但清洗液供給噴嘴31及／或液體供給噴嘴33亦可非直線地移動。例如，亦可將清洗液供給噴嘴31及／或液體供給噴嘴33，安裝至在控制部93的控制下，以沿著高度方向延伸的驅動軸線為中心而在水平面中擺動之驅動臂。此一情況，清洗液供給噴嘴31及／或液體供給噴嘴33，隨著驅動臂的擺動，而沿著以驅動軸線為中心之圓弧而移動。
此外，在上述例子中，雖使清洗液供給噴嘴31構成為雙流體噴嘴，但亦可構成為噴出清洗液（處理液）Lp而不噴出氣體的單流體噴嘴。
此外，在上述例子中，雖使用清洗液Lp作為處理液，但對於使用清洗液以外之處理液的案例，亦可適當應用上述技術（裝置及方法）。同樣地，對於使用其他液體取代沖洗液Lr（例如DIW）的案例，亦可適當應用上述技術（裝置及方法）。
應注意在本說明書揭露之實施形態及變形例，其全部觀點僅為例示，並非用以限定地解釋本發明。上述實施形態及變形例，可不脫離添附之發明申請專利範圍及其要旨地，進行各式各樣的形態之省略、置換及變更。例如，亦可將上述實施形態及變形例組合，或亦可將上述以外之實施形態，與上述實施形態或變形例組合。
此外，將上述技術思想具體實現之技術範疇並無限定。例如，亦可將上述基板液處理裝置應用在其他裝置。此外，亦可藉由用於使電腦實行上述基板液處理方法（包含基板W之清洗方法）所包含之一或複數個程序（步驟）的電腦程式，將上述技術思想具體實現。此外，亦可藉由記錄有此等電腦程式之電腦可讀取可能的非暫態式（non-transitory）記錄媒體，將上述技術思想具體實現。
10:處理單元 21:處理槽 22:基板固持部 23:旋轉驅動部 24:第1驅動部 24a:第1驅動本體部 24b:第1驅動臂 25:第2驅動部 25a:第2驅動本體部 25b:第2驅動臂 25c:方位調整部 26:導軌 29:杯構造體 30:清洗液噴吐部(處理液噴吐部) 31:清洗液供給噴嘴 32:液體噴吐部 33:液體供給噴嘴 33a:第1液體供給噴嘴 33b:第2液體供給噴嘴 33c:流路調整部 35:監視部 36a:處理液供給源 36b,37b,38b:流量控制器 36c,37c,38c:開閉閥 36d,37d,38d:供給管線 37a:氣體供給源 38a:液體供給源 80:處理系統 81:載置部 82,84:搬運部 83:第1搬運機構 85:第2搬運機構 86:搬運路 91:搬出入站 92:處理站 93:控制部 Ax:旋轉軸線 C:載具 Dr:旋轉方向 Lp:清洗液(處理液) Lr:沖洗液 R1~R4:劃分區域 W:基板 Ws:處理面 Ws1:第1液體供給範圍 Ws2:第2液體供給範圍
圖1係顯示處理系統的一例之概略的圖。 圖2係顯示第1實施形態之處理單元的一例之概略的圖。 圖3係顯示第1實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖4係顯示第1實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖5係顯示第1實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖6係顯示第1實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖7係顯示第1實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖8係顯示第1實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖9A係基板之處理面上的沖洗液及清洗液之擴散狀態的一例之圖。 圖9B係顯示基板的處理面之劃分區域的一例之圖。 圖10係顯示用於變更處理面上之沖洗液的降落位置之液體供給噴嘴的驅動例之圖。 圖11係顯示利用監視部的監視結果變更處理面上之沖洗液的降落位置之例子的流程圖。 圖12係顯示第2實施形態之處理單元的一例之概略的圖。 圖13係顯示第2實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖14係顯示第2實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖15係顯示第2實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖16係顯示第2實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖17係顯示第2實施形態之基板液處理方法的一例之圖。 圖18係顯示第2實施形態之基板液處理方法的一例之圖。
22:基板固持部
23:旋轉驅動部
29:杯構造體
31:清洗液供給噴嘴
33:液體供給噴嘴
Ax:旋轉軸線
Lp:清洗液(處理液)
Lr:沖洗液
W:基板
Ws:處理面
Ws1:第1液體供給範圍

Claims (14)

  1. 一種基板液處理裝置，包含： 基板固持部，用以固持基板； 旋轉驅動部，使由該基板固持部所固持的該基板旋轉； 液體噴吐部，具備向該基板之處理面噴吐液體的液體供給噴嘴； 處理液噴吐部，具備向該處理面噴吐霧狀之處理液的處理液供給噴嘴； 第1驅動部，移動該處理液供給噴嘴；以及 控制部，控制該處理液噴吐部、該第1驅動部及該液體噴吐部； 該控制部，控制該液體噴吐部，從該液體供給噴嘴向旋轉的該基板之該處理面噴吐該液體，並控制該處理液噴吐部及該第1驅動部，使來自該處理液供給噴嘴之該處理液的在形成包含該液體之液膜的該處理面上之降落位置，從該處理面的外周部向中心部移動。
  2. 如請求項1之基板液處理裝置，其中， 該處理液供給噴嘴，將氣體與該處理液一同噴吐。
  3. 如請求項2之基板液處理裝置，其中， 該處理液供給噴嘴，在向該處理面之該外周部開始進行該處理液的噴吐後，開始進行該氣體的噴吐。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板液處理裝置，其中， 該液體供給噴嘴，在該控制部的控制下， 於使該處理液之該降落位置，從該處理面的該外周部朝向位於該處理面的該外周部與該中心部之間的第1中間部移動之期間，向該處理面的第1液體供給範圍噴吐該液體； 於使該處理液之該降落位置，從該第1中間部朝向該中心部移動之期間，向該處理面的第2液體供給範圍噴吐該液體； 從該處理面的中心算起之該第2液體供給範圍的距離，較從該處理面的中心算起之該第1液體供給範圍的距離更大。
  5. 如請求項4之基板液處理裝置，其中， 更包含：第2驅動部，用以移動該液體供給噴嘴； 該控制部，藉由控制該第2驅動部，而切換下述二狀態：從該液體供給噴嘴向該第1液體供給範圍噴吐該液體的狀態、及從該液體供給噴嘴向該第2液體供給範圍噴吐該液體的狀態。
  6. 如請求項5之基板液處理裝置，其中， 藉由以該第2驅動部使該液體供給噴嘴移動，而切換下述二狀態：從該液體供給噴嘴向該第1液體供給範圍噴吐該液體的狀態、及從該液體供給噴嘴向該第2液體供給範圍噴吐該液體的狀態。
  7. 如請求項5之基板液處理裝置，其中， 藉由以該第2驅動部使來自該液體供給噴嘴的該液體之噴吐方向變更，而切換下述二狀態：從該液體供給噴嘴向該第1液體供給範圍噴吐該液體的狀態、及從該液體供給噴嘴向該第2液體供給範圍噴吐該液體的狀態。
  8. 如請求項4之基板液處理裝置，其中， 該液體供給噴嘴，包含： 第1液體供給噴嘴，朝向該處理面中的第1液體供給範圍噴吐該液體；以及 第2液體供給噴嘴，朝向該處理面中的第2液體供給範圍噴吐該液體； 該控制部， 於使該處理液之該降落位置從該處理面的該外周部向該第1中間部移動之期間，從該第1液體供給噴嘴噴吐該液體； 於使該處理液之該降落位置從該處理面的該第1中間部朝向該中心部移動之期間，從該第2液體供給噴嘴噴吐該液體。
  9. 如請求項8之基板液處理裝置，其中， 從該第1液體供給噴嘴噴吐之該液體的流量，較從該第2液體供給噴嘴噴吐之該液體的流量更多。
  10. 如請求項4之基板液處理裝置，其中， 該處理面，藉由通過該處理面的旋轉中心且相互正交之直線狀的X軸及Y軸劃分為4個區域； 使從該處理液供給噴嘴噴吐之該處理液的在該處理面上之該降落位置，往該X軸所延伸的方向，從該處理面的該外周部朝向該中心部移動； 在該處理面中的藉由該Y軸劃分之2個區域中的一方中，具有使該處理液之該降落位置從該處理面的該外周部朝向該中心部移動之期間的該處理液之該降落位置，在另一方中，具有該第2液體供給範圍。
  11. 如請求項10之基板液處理裝置，其中， 藉由以該旋轉驅動部使該基板旋轉，而使該處理面中的中心以外之區域，依序反複通過該X軸之正側、該Y軸之負側、該X軸之負側、及該Y軸之正側； 於該處理面中的藉由該X軸劃分之2個區域中的位於該Y軸之負側的區域中，具有該第2液體供給範圍。
  12. 如請求項4之基板液處理裝置，其中， 更包含：監視部，其監視形成於該處理面上之該液膜的狀態； 該控制部，根據該監視部的監視結果，而切換下述二狀態：從該液體供給噴嘴向該第1液體供給範圍噴吐該液體的狀態、及從該液體供給噴嘴向該第2液體供給範圍噴吐該液體的狀態。
  13. 如請求項1至3中任一項之基板液處理裝置，其中， 該基板的轉速，相較於使該處理液之該降落位置從該處理面的該外周部朝向位於該外周部與該中心部之間的第2中間部移動之期間，在使該處理液之該降落位置從該處理面的該第2中間部朝向該中心部移動之期間較高。
  14. 一種基板液處理方法，包含如下步驟： 一面從液體供給噴嘴向旋轉的基板之處理面噴吐液體，一面從處理液供給噴嘴朝向該處理面噴吐霧狀之處理液，藉以使在形成有包含該液體之液膜的該處理面上之該處理液的降落位置，從該處理面的外周部向中心部移動。
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JP2006086415A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP6103429B2 (ja) * 2013-03-15 2017-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2021057503A (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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