JP2008211196A - 基板処理装置およびパーティクル付着防止方法 - Google Patents

基板処理装置およびパーティクル付着防止方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板処理装置内を搬送される被処理基板の表面上にパーティクルが付着することを防止する。
【解決手段】カセット容器４００から搬送室２００に搬入される直前のウエハＷの温度が搬送室内の温度よりも高く（例えば，＋２〜１２℃）なるように，ウエハの温度と搬送室内の温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段を備え，温度調整手段は例えば暖気供給部５００によって搬送室内の温度よりも高い温度に調整された暖気をカセット容器内に供給し，ウエハの表面上の雰囲気に温度勾配を生じさせる。
【選択図】図３

Description

本発明は，被処理基板の表面上へのパーティクルの付着を防止可能な基板処理装置およびパーティクル付着防止方法に関する。
ガラス基板（例えば液晶基板）や半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）などの被処理基板に対してエッチング処理，成膜処理などの所定のプロセス処理を施す基板処理装置は，例えばウエハに所定の処理を施すための処理室にロードロック室を接続してなる処理ユニットを備える。また，装置内に搬入される未処理ウエハや装置外に搬出される処理済ウエハを収容するカセット容器がセットされるカセット台，カセット容器の蓋を脱着する蓋外し機構（例えば特許文献１参照），カセット容器と処理ユニットとの間のウエハの受け渡しを行う搬送アームなどの搬送機構を有する搬送室を備える。
このような基板処理装置において，カセット容器に収容された未処理ウエハがカセット台にセットされると，カセット容器の蓋が蓋外し機構によって外される。そして，搬送室に備えられた搬送機構によってカセット容器から未処理ウエハが取り出され，処理ユニットへ受け渡される。この未処理ウエハはロードロック室を介して処理室に搬送されて，ここで所定の処理が施される。処理室での処理が終了した処理済ウエハは，処理室からロードロック室に戻される。搬送室に備えられた搬送機構は，ロードロック室に戻された処理済ウエハを受け取って，カセット容器へ搬送する。
このように，搬送室内では搬送機構による未処理ウエハや処理済ウエハの搬送が行われるため，これらウエハの搬送等の動作によって搬送室内にパーティクル（例えば塵，ゴミ，付着物，反応生成物など）が浮遊する。このため，ウエハの搬送中にそのウエハの表面上にパーティクルが付着する虞があり，もしパーティクルが付着した状態でウエハのプロセス処理が行われると，それが歩留り低下を招く可能性がある。例えばエッチングプロセスでは，ウエハの表面上に付着したパーティクルがマスクとなってエッチング残りを発生させるおそれがあり，また成膜プロセスでは，ウエハの表面上に付着したパーティクルが核となって成長することにより膜質を低下させるおそれがある。このため，搬送室内には，一般に，Ｎ２などの不活性ガスや清浄空気がＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ）フィルタやＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ）フィルタを介して供給されている。
ところが，搬送室内にＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィルタを介して清浄空気などを供給させるだけでは，除去しきれない汚染物質もある。例えば搬送機構や蓋外し機構などの駆動系に用いられるグリースなどの潤滑剤の分子，処理済ウエハ上に付着してウエハとともに入り込む配線材などから発生する有機物成分，水分子やアンモニア等の不純なガス分子などは除去しきれずに，搬送室内に浮遊する虞がある（例えば特許文献２参照）。
このため，従来は，ＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィルタの他に活性炭を用いたケミカルフィルタを設けて搬送室内の汚染物質量を軽減させたり，パーツの選定や装置調整によって搬送室内のパーティクルの発生を抑えたりする試みも続けられている。
ところで，上述したように基板処理装置は，カセット容器に収容されたウエハを処理する際には，少なくとも１つ以上の室，すなわち搬送室，ロードロック室を介して処理室まで搬送する。また，処理ユニットがいわゆるクラスタツールで構成される基板処理装置では，共通搬送室の周囲に複数の処理室が接続され，共通搬送室はロードロック室を介して上述の搬送ユニットにおける搬送室に接続される。このような基板処理装置では，カセット容器に収容されたウエハを処理する際には，例えば上述の搬送室，ロードロック室，共通搬送室を介して処理室まで搬送する。従って，ウエハがカセット容器から処理室まで搬送されて処理室内で処理されるまでに，上述した搬送室のみならず，その他の各室でパーティクルが発生する可能性がある。このため，従来，各室内においてパーティクルを発生させないための様々な技術が案出されている。例えば特許文献３には，反応室（処理室）と搬送室の内部の温度を調整することによって各内壁に反応副生成物を付着させないようにする技術が記載されている。この技術によれば，反応室と搬送室の各内壁に付着した反応副生成物に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
特開平１０−１２５７６３号公報 特開２００３−７７９９号公報 特開平９−８２７８１号公報 特開２００５−３５４０２５号公報
しかしながら，上記のような対策を採ったとしても，半導体処理装置の各室内からパーティクルを完全に排除することは極めて困難である。近年では半導体集積回路におけるデザインルールの微細化がますます進み，極僅かのパーティクルでも，処理室内で処理を行う前の段階（カセット容器から最終的に処理室まで搬送して処理を行うまでの段階）で，できる限りウエハの表面上に付着させないような技術が所望されている。すなわち，パーティクルが付着していない清浄なウエハを処理室へ搬送するために，各室内のパーティクル量を低減する技術だけでなく，各室内においてウエハの表面上にパーティクルを付着させない技術も重要となってきている。
なお，特許文献４には，搬送アームのウエハ載置部に所定の温度勾配を形成することによって，この載置部に載置されたウエハ表面上に付着したパーティクルを剥離して除去する方法が開示されている。これによれば，搬送アームのウエハ載置部にウエハを載置させたたまま，パーティクルを除去することができるので，スループットを向上させることができる。
ところが，特許文献４に記載の技術は，ウエハに付着してしまったパーティクルを剥離して除去するものであり，ウエハの表面上にパーティクルを付着させないようにするものではない。特許文献４に記載のように，いったんウエハに付着したパーティクルを効果的に剥離して除去するためには，ある程度のエネルギーが必要になるので，ウエハ載置部に加える温度を比較的高く（例えば処理室の温度よりも３０Ｋ以上）に設定することが必要となる。ただし，ウエハに対して高い熱を加えることは，ウエハ品質の維持や省エネルギー化の観点からもできるだけ回避したいものである。また，微小なパーティクルほど付着力が強い傾向にある。したがって，この技術を用いてもすべてのパーティクルを除去することは不可能である。このため，ウエハを高い温度にすることなくウエハの表面上にパーティクルを付着させないようにして，清浄な状態のウエハを処理室へ搬送して所定の処理を施すことができる技術がより望まれている。
本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，最終的に処理室まで搬送される被処理基板の表面上にパーティクルが付着することを，処理室での処理を行う前の段階で効果的に防止することができる基板処理装置およびパーティクル付着防止方法を提供することにある。
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行う搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段と，を備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。なお，前記ロードロック室は，前記処理室に直接接続されている場合のみならず，また共通搬送室を介して接続されている場合も含まれる。
また，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行う搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，を備える基板処理装置における前記被処理基板の表面上へのパーティクルの付着を防止する方法であって，前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整することを特徴とするパーティクル付着防止方法が提供される。
このような本発明にかかる装置または方法によれば，搬入しようとする室の室内温度よりも高い温度の被処理基板がその室に搬入されるので，その室内では被処理基板の表面上の雰囲気に温度勾配が生じる。この温度勾配によって，その室内で浮遊するパーティクルが被処理基板の表面に近づくほど，そのパーティクルには被処理基板から離れる方向の力が大きく働くので，被処理基板の表面にパーティクルが付着することを防止できる。
また，上記温度調整手段には，前記基板収容容器から前記搬送室に搬送する直前の前記被処理基板の温度が前記搬送室の室内温度よりも高くなるように，前記基板収容容器に収容された前記被処理基板の温度と前記搬送室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する手段が含まれる。これによって，基板収容容器から搬送室に被処理基板を搬送したときに，搬送室内においてこの被処理基板の表面にパーティクルが付着することを防止できる。
また，上記温度調整手段には，さらに前記搬送室から前記ロードロック室に搬送する直前の前記被処理基板の温度が前記ロードロック室の室内温度よりも高くなるように，前記搬送室内の前記被処理基板の温度と前記ロードロック室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する手段が含まれる。これによって，搬送室からロードロック室に被処理基板を搬送したときに，ロードロック室内においてこの被処理基板の表面にパーティクルが付着することを防止できる。
また，上記温度調整手段には，さらに前記ロードロック室から前記搬送室に搬送する直前の前記被処理基板の温度が前記搬送室の室内温度よりも高くなるように，前記ロードロック室内の前記被処理基板の温度と前記搬送室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する手段が含まれる。これにより，処理室で処理された処理済基板を基板収容容器まで戻す場合においても，ロードロック室から搬送室に搬入される際にその処理済基板の表面上にパーティクルが付着することを防止できる。
また，上記温度調整手段は，前記被処理基板に対して所定の波長を含む光を照射して，前記被処理基板の温度を調整する光照射部を含むようにしてもよい。これによれば，光エネルギーによって，被処理基板を暖めることができる。この場合，所定の波長の光としては，例えば近赤外線光などの熱線を用いる。これにより，被処理基板が例えばシリコン基板の場合にも，その被処理基板に近赤外線光を吸収させて熱作用を起こさせることができるため，被処理基板を効率よく暖めることができる。
また，上記温度調整手段は，搬入する直前の前記被処理基板の温度よりも低い温度に調整された冷気を，前記被処理基板を搬入しようとする室に供給して，その室の室内温度を調整する冷気供給部を含むようにしてもよい。これによれば，前記被処理基板を搬入しようとする室の室内温度を下げることによって，被処理基板の温度がその室の室内温度よりも相対的に高くなるように調整することができる。
この場合，上記冷気供給部は，前記被処理基板を搬入しようとする室の室内へ外気を導入する給気部と，前記給気部が導入した前記外気を冷却して前記冷気を生成する冷却部と，を含むように構成され得る。これによれば，前記被処理基板を搬入しようとする室の室内に冷気の流れ（例えばダウンフロー）を形成しつつその部屋の室内温度を下げることができる。この結果，その室の室内のパーティクル量を低減させるとともに，被処理基板の表面上にパーティクルが付着しないようにすることができる。
また，上記温度調整手段は，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも２〜１２℃高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整することが好ましい。このように，２〜１２℃という比較的小さい温度差を設けるだけでよいので，基板処理装置内を搬送される被処理基板に対して温度による影響を与えることなく，被処理基板の表面上へパーティクルが付着することを極めて効果的に防止することができる。また，２〜１２℃という比較的小さい温度差を設けるだけでよいので，極めて短時間で被処理基板とこの被処理基板を搬入しようとする室との温度調整を行うことができる。これにより，スループットを低下させることなく，被処理基板の表面上へパーティクルが付着することを防止することができる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器を搬出入口にセットし，この基板収容容器内の被処理基板を搬出入口を介して搬送室内に搬入して，前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって，前記基板収容容器から前記搬送室に搬入される直前の前記被処理基板の温度が前記搬送室内の温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度と前記搬送室内の温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段を備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
また，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器を搬出入口にセットし，この基板収容容器内の被処理基板を搬出入口を介して搬送室内に搬入して，前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置における前記被処理基板の表面上へのパーティクルの付着を防止する方法であって，前記基板収容容器から前記搬送室に搬入される直前の前記被処理基板の温度が前記搬送室内の温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度と前記搬送室内の温度のうちの少なくとも一方を調整することを特徴とするパーティクル付着防止方法が提供される。
このような本発明にかかる装置または方法によれば，搬送室内の温度よりも高い温度の被処理基板が搬送室に搬入されるので，搬送室内では被処理基板の表面上の雰囲気に温度勾配が生じる。この温度勾配によって，搬送室内で浮遊するパーティクルが被処理基板の表面に近づくほど，そのパーティクルには被処理基板から離れる方向の力が大きく働くので，被処理基板の表面にパーティクルが付着することを防止できる。特に，本発明によれば，大気圧雰囲気の搬送室内でも大きなパーティクル付着防止効果を得ることができる。
また，上記温度調整手段は，例えば前記搬送室内の温度よりも高い温度に調整された暖気を前記基板収容容器内に供給して，前記被処理基板の温度を調整する暖気供給部を含むように構成され得る。これによれば，温度調整された暖気によって，カセット容器から搬送室に搬入される直前の被処理基板の温度が搬送室内の温度よりも高くなるように被処理基板を暖めることができる。
この場合，上記暖気供給部は，例えば前記基板収容容器の近傍に配設し，前記基板収容容器に形成される通気口から前記暖気を前記基板収容容器内に供給するように構成され得る。これによれば，基板収容容器に形成された通気口から暖気を基板収容容器内に供給するので，基板収容容器の開閉蓋を閉じたまま被処理基板を暖めることができる。したがって，搬送室内の温度を上昇させることなく，基板収容容器から搬送室に搬送する直前に被処理基板だけを暖めることができる。また，基板収容容器に形成された通気口を利用するので，比較的簡単な構成で被処理基板を暖めることができる。
なお，上記搬送室は，その内側に前記搬出入口内に前記暖気を案内する気体流路を備え，前記暖気供給部は，前記気体流路を介して前記暖気を前記搬出入口から前記基板収容容器内に供給するように構成してもよい。これによれば，基板収容容器の開閉蓋を開けると同時に基板収容容器と開閉蓋の隙間から基板収容容器内に暖気を供給することができるので，基板収容容器から搬送室に搬送する直前に被処理基板を暖めることができる。
また，上記搬送室は，前記基板収容容器をセットする前記搬出入口を複数備え，前記搬出入口ごとに前記気体流路を備えることが好ましい。これによれば，各基板収容容器に効率よく暖気を案内することができる。
また，上記搬送室は，前記被処理基板を保持する基板保持部を有する搬送機構を備え，前記温度調整手段は，前記基板収容容器から被処理基板を取り出すために前記基板収容容器内に前記基板保持部を挿入して前記被処理基板を保持したときに，この被処理基板を加温する加温部を含むことが好ましい。これによれば，基板収容容器から搬送室に搬送する直前に被処理基板を暖めることができる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器を搬出入口にセットし，この基板収容容器内の被処理基板を搬出入口を介して搬送室内に搬入して，前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって，前記搬送室に接続され，前記被処理基板を一時的に収容する収容室を備え，前記収容室は，その内部に収容された前記被処理基板の温度が前記搬送室内の温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段を備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
本発明にかかる装置によれば，被処理基板を収容室に収容して，そこで被処理基板の温度を搬送室内の温度よりも高い温度に暖めることができる。したがって，その後，被処理基板を搬送室内で搬送したとき被処理基板の表面近傍の雰囲気に温度勾配が生じるため，被処理基板の表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
また，上記収容室は，例えば前記被処理基板の位置合わせを行う位置合わせ室とすることができる。そして，前記温度調整手段は，前記位置合わせ室内に設けられた載置台に載置された前記被処理基板の温度を調整するように構成され得る。
これによれば，位置合わせのために被処理基板を位置合わせ室に収容したとき，そこで被処理基板の温度を搬送室内の温度よりも高い温度に暖めることができる。したがって，その後，被処理基板を搬送室内で搬送したとき被処理基板の表面近傍の雰囲気に温度勾配が生じるため，被処理基板の表面上にパーティクルが付着することを防止できる。また，被処理基板の位置合わせを行いながら被処理基板を暖めることができるため，これらを別々に行う場合に比してスループットを向上させることができる。
この場合，上記温度調整手段は，例えば前記載置台を加温して前記被処理基板の温度を調整する加温部を含むようにしてもよく，また，前記載置台に載置された前記被処理基板に対して，所定の波長を含む光を照射して前記被処理基板の温度を調整する光照射部を含むようにしてもよい。これによれば，比較的簡単な構成で被処理基板の温度が搬送室内の温度よりも高くなるように被処理基板を暖めることができる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板収容容器に収容された被処理基板を少なくとも１つ以上の室を介して処理室まで搬送し，前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって，前記基板収容容器から前記処理室までの間に搬入される室のうちの少なくとも一室又は各室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段を備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
このような装置によれば，搬入しようとする室の室内温度よりも高い温度の被処理基板がその室に搬入されるので，その室内では被処理基板の表面上の雰囲気に温度勾配が生じる。この温度勾配によって，その室内で浮遊するパーティクルが被処理基板の表面に近づくほど，そのパーティクルには被処理基板から離れる方向の力が大きく働くので，被処理基板の表面にパーティクルが付着することを防止できる。
また，上述した装置又は方法において，被処理基板を搬入しようとする室の内部の圧力は２００Ｔｏｒｒ以上であることが好ましく，さらに３００Ｔｏｒｒ以上であることがより好ましい。２００Ｔｏｒｒ以上，または３００Ｔｏｒｒ以上の室では，その室にその室内温度よりも高い温度の被処理基板が搬入されることによって，被処理基板の表面にパーティクルが付着することをより効果的に防止できる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行い，前記搬送室内を移動して前記被処理基板を搬送する搬送機構を設けた搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，前記搬送機構によって前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段とを備え，前記搬送機構は，前記被処理基板を保持する基板保持部と，前記被処理基板を保持したまま前記基板保持部を水平軸回りに回転可能な回転機構とを有し，前記搬送室内で前記被処理基板を搬送する際は，前記被処理基板をその被処理面が下向きになるように保持しながら前記搬送室内を移動することを特徴とする基板処理装置が提供される。
また，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行い，前記搬送室内を移動して前記被処理基板を搬送する搬送機構を設けた搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，を備える基板処理装置における前記被処理基板の被処理面へのパーティクルの付着を防止する方法であって，前記搬送機構は，前記被処理基板を保持する基板保持部と，前記被処理基板を保持したまま前記基板保持部を水平軸回りに回転可能な回転機構とを備え，前記搬送機構によって前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整し，前記搬送機構によって前記搬送室内で前記被処理基板を搬送する際は，前記被処理基板をその被処理面が下向きになるように保持しながら前記搬送室内を移動することを特徴とするパーティクル付着防止方法が提供される。
このような本発明にかかる装置または方法によれば，搬入しようとする室の室内温度よりも高い温度の被処理基板がその室に搬入されるので，その室内では被処理基板の表面上の雰囲気に温度勾配が生じる。この温度勾配によって，被処理基板の表面にパーティクルが付着することを防止できる。
この場合，パーティクルのサイズが小さいほど搬送室の室内温度と被処理基板の温度との温度差を大きくすると被処理基板の被処理面に付着し難くすることができる。ところが，実際には上記温度差が大きくなるほど被処理基板の被処理面上に自然対流が生じ，この自然対流に起因して乱流が発生し易くなるので，極僅かではあるがパーティクルが付着し易くなってしまうことが発明者らの実験等により判明した。
この点，本発明によれば，搬送室内で被処理基板を搬送する際は被処理基板をその被処理面が下向きになるように保持しながら搬送室内を移動するので，搬送室内の温度と被処理基板の温度との温度差を大きくしても被処理基板の被処理面上に乱流が発生することを防止できる。これにより，パーティクルの付着防止効果をより一層高めることができる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行い，前記搬送室内を移動して前記被処理基板を搬送する搬送機構を設けた搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，前記搬送機構によって前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段とを備え，前記搬送室は，少なくとも前記搬送機構が前記搬送室内で移動する領域に，前記搬送機構によって搬送される前記被処理基板の被処理面に沿った気体の流れを強制的に形成する流れ形成手段を設けたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
また，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行い，前記搬送室内を移動して前記被処理基板を搬送する搬送機構を設けた搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，を備える基板処理装置における前記被処理基板の被処理面へのパーティクルの付着を防止する方法であって，前記搬送機構によって前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整し，前記搬送機構によって前記搬送室内で前記被処理基板を搬送する際は，前記搬送機構によって搬送される前記被処理基板の被処理面に沿った気体の流れを強制的に形成することを特徴とするパーティクル付着防止方法が提供される。
このような本発明にかかる装置または方法によれば，搬入しようとする室の室内温度よりも高い温度の被処理基板がその室に搬入されるので，その室内では被処理基板の表面上の雰囲気に温度勾配が生じる。この温度勾配によって，被処理基板の表面にパーティクルが付着することを防止できる。さらに，搬送室内で被処理基板を搬送する際は，被処理基板の被処理面に沿った気体の流れが形成される。これにより，搬送室内の温度と被処理基板の温度との温度差が所定の温度よりも大きくしても被処理基板の被処理面上に乱流が発生することを防止できる。これにより，パーティクルの付着防止効果をより一層高めることができる。
本発明によれば，処理室まで搬送される被処理基板の表面上へのパーティクルの付着を防止することができるため，処理室に清浄な状態の被処理基板を搬入し，この被処理基板に対して所定の処理を的確に施すことができる。また，処理済みの基板が基板収容容器まで戻される際にその搬送中の処理済基板の表面上にパーティクルが付着することを防止することもできる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１実施形態にかかる基板処理装置の構成例）
まず，本発明の第１実施形態にかかる基板処理装置１００の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは，搬送室に１つまたは２つ以上の真空処理ユニットが接続された基板処理装置１００を例に挙げて説明する。図１は第１実施形態に係る基板処理装置１００の概略構成を示す断面図である。
基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう）Ｗに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う１つまたは２つ以上の真空処理ユニット１１０と，この真空処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。搬送ユニット１２０は，ウエハＷを搬送する際に共用される搬送室２００を有している。
図１には，２つの真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂを搬送ユニット１２０の側面に配設した例を示す。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは，それぞれ処理室１４０Ａ，１４０Ｂと，これらのそれぞれに連設され，真空引き可能に構成されたロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂを有している。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内でウエハＷに対して例えば同種の処理または異種の処理を施すようになっている。各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内には，ウエハＷを載置するための載置台１４２Ａ，１４２Ｂがそれぞれ設けられている。なお，この処理室１４０およびロードロック室１５０よりなる真空処理ユニット１１０は２つに限定されるものではなく，さらに追加して設けてもよい。
上記搬送ユニット１２０の搬送室２００は，例えばＮ２ガス等の不活性ガスや清浄空気が供給される断面略矩形状の箱体により構成されている。搬送室２００における断面略矩形状の長辺を構成する一側面には，基板収容容器としてのカセット容器４００Ａ〜４００Ｃがそれぞれセットされる複数のカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃが並設されている。図１では，例えば各カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃに３台のカセット容器４００Ａ〜４００Ｃをそれぞれ１つずつ載置することができる例を挙げているが，カセット台とカセット容器の数はこれに限られず，例えば１台または２台であってもよく，また４台以上設けてもよい。
各カセット容器４００Ａ〜４００Ｃは，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できる密閉構造を有しており，内部は例えばＮ２ガス雰囲気で満たされている。そして，開閉ドア２２０Ａ〜２２０Ｃを開くことによって，各カセット容器４００Ａ〜４００Ｃと搬送室２００との間のウエハＷの搬出入が可能になる。
搬送室２００内には，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する搬送機構（搬送手段）１６０が設けられている。この搬送機構１６０は，例えば基台１６２上に固定され，この基台１６２は搬送室２００内の中心部を長手方向に沿って設けられた案内レール１６８上を例えばリニアモータ駆動機構によりスライド移動可能に構成されている。搬送機構１６０は例えば図１に示すような２つの多関節アーム１６４Ａ，１６４Ｂと２つの基板保持部としてのピック１６６Ａ，１６６Ｂを備えるダブルアーム機構であってもよく，また１つのピックを備えるシングルアーム機構であってもよい。
搬送室２００における断面略矩形状の長辺を構成する他側面には，上記２つのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの基端が，開閉可能に構成されたゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）１５２Ａ，１５２Ｂをそれぞれ介して連結されている。各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの先端は，開閉可能に構成されたゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）１４４Ａ，１４４Ｂを介してそれぞれ上記処理室１４０Ａ，１４０Ｂに連結されている。
各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂ内には，それぞれウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａおよび１５４Ｂ，１５６Ｂが設けられる。ここで搬送室２００側のバッファ用載置台１５４Ａ，１５４Ｂを第１バッファ用載置台とし，反対側のバッファ用載置台１５６Ａ，１５６Ｂを第２バッファ用載置台とする。そして，両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ間および１５４Ｂ，１５６Ｂ間には，屈伸，旋回および昇降可能になされた多関節アームよりなる個別搬送機構（真空側搬送機構）１７０Ａ，１７０Ｂが設けられている。
これら個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂの先端にはピック１７２Ａ，１７２Ｂが設けられ，このピック１７２Ａ，１７２Ｂを用いて第１，第２の両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａおよび１５４Ｂ，１５６Ｂ間でウエハＷの受け渡し移載を行い得るようになっている。なお，ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂから処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内へのウエハＷの搬出入は，それぞれ上記個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂを用いて行われる。
搬送室２００の一端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する一方の側面には，ゲートバルブ２２８を介してウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１８０が接続されている。オリエンタ１８０は，例えば内部に回転載置台１８２とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１８４とを備え，ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合わせを行う。
基板処理装置１００には，装置全体の動作を制御する制御部３００が設けられている。制御部３００は，所定の設定情報に基づいて所定のプログラムを実行して各部を制御する。これによって，例えば，処理室１４０Ａ，１４０Ｂにおけるプロセス処理，搬送室２００，ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂにおけるウエハ搬送処理，オリエンタ１８０における位置合わせ処理が行われる。また，制御部３００は，後述の温度調整手段を制御する。
（第１実施形態にかかる温度調整手段の構成例）
次に，第１実施形態にかかる温度調整手段の構成例について，図２を参照しながら詳しく説明する。図２は，第１実施形態にかかる温度調整手段が接続されたカセット台１３２と，このカセット台１３２が接続された搬送室２００の概略構成を示す縦断面図であって，搬送室２００の端部方向から見た図である。なお，本実施形態では，カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃは相互に略同一の構成を有しており，またカセット容器４００Ａ〜４００Ｃも相互に略同一の構成を有しているものとする。図２には代表的にカセット台１３２とカセット容器４００のみを示す。
まず，搬送室２００の構成例について説明する。搬送室２００は，例えばステンレスやアルミ製の筐体２１０により区画形成されている。この筐体２１０の一側壁には，カセット容器４００を載置するカセット台１３２が接続されている。また，筐体２１０の側壁のカセット容器４００に対応する位置には，基板搬出入口２１２が形成されている。カセット容器４００と搬送室２００内との間のウエハＷの受け渡しは，この基板搬出入口２１２を介して行われる。
基板搬出入口２１２には，この基板搬出入口２１２を開閉する開閉ドア２２０が設けられている。この開閉ドア２２０は，後述する開閉ドア駆動機構とともに，カセット容器４００を閉塞する開閉蓋４０２を外したり，取り付けたりする蓋外し機構としても機能する。
以下，このような開閉ドア２２０の構成例について具体的に説明する。開閉ドア２２０には，例えばカセット容器４００の開閉蓋４０２のカギ溝（図示せず）に嵌装されてこれを回転することにより，ロック・アンロックを行う蓋開閉機構２２６が内蔵されている。なお，このような蓋開閉機構２２６の詳細は，例えば特開２００１−７７１７７号公報に示されている。
また，開閉ドア２２０は，カセット容器４００の開閉蓋４０２を開閉ドア２２０とともに開閉する方向に水平駆動させるとともに，昇降駆動させる開閉ドア移動機構に接続されている。開閉ドア移動機構は，例えば図２に示すように，開閉ドア２２０を水平駆動および昇降駆動するためのアクチュエータ２２２，開閉ドア２２０を取り付けるための伸縮ロッド２２４を備える。
伸縮ロッド２２４はアクチュエータ２２２によって伸縮し，開閉ドア２２０を昇降させることができるようになっている（図２の上下矢印方向）。また，伸縮ロッド２２４はアクチュエータ２２２によって開閉ドア２２０を基板搬出入口２１２に対して前後方向（カセット容器４００の開閉蓋４０２を開閉する方向，すなわち図２の左右矢印方向）に駆動させることができるようになっている。例えば開閉ドア２２０を伸縮ロッド２２４によって基板搬出入口２１２の方向に前進させることにより，搬出入口２１２が閉塞する。
蓋開閉機構２２６によって開閉蓋４０２がアンロックされて，アクチュエータ２２２の動作によって開閉ドア２２０が開閉蓋４０２とともに後退することにより，開閉蓋４０２はカセット容器４００から取り外されて開閉ドア２２０とともに搬送室２００内に入り込む。そして，伸縮ロッド２２４が縮むと開閉ドア２２０は開閉蓋４０２とともに降下して待避され，基板搬出入口２１２はウエハＷの搬出入が可能な開口状態となる。
搬送室２００には，搬送室２００内に一方向の空気の流れを形成するダウンフロー形成手段が設けられている。以下，ダウンフロー形成手段の具体的構成例について説明する。筐体２１０の天井部には複数の給気口２１４が形成されており，筐体２１０の底部には複数の排気口２１６が形成されている。複数の給気口２１４の下方には，外気を複数の給気口２１４から搬送室２００内に導入するための給気ファン２３０が設けられており，給気ファン２３０の下方には給気ファン２３０によって導入された外気をフィルタリングする給気フィルタ２３２が設けられている。
給気フィルタ２３２は，給気口２１４から導入される外気に含まれるパーティクルを除去するパーティクル除去フィルタにより構成される。パーティクル除去フィルタとしては例えばＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ）フィルタ，ＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ）フィルタなどが挙げられる。
なお，給気フィルタ２３２としては，上記のものに限られるものではない。例えば給気フィルタ２３２は，ケミカルフィルタ，活性炭フィルタなどにより構成してもよく，また，これらのフィルタをパーティクル除去フィルタと組み合わせて構成してもよい。
このような構成の給気ファン２３０によって複数の給気口２１４から搬送室２００内に導入され，給気フィルタ２３２によって清浄化された外気は，複数の排気口２１６を通って搬送室２００外へ排気される。このとき，搬送室２００内には，天井部から底部へ向う空気の流れ，すなわちダウンフロー２３４が形成される。このダウンフロー２３４は，搬送室２００内で発生したパーティクルを搬送室２００外へ排出する役割を果たす。なお，複数の排気口２１６の上側（搬送室２００の内側）または下側（搬送室２００の外側）に，搬送室２００内を積極的に排気するための排気ファンを備えるようにしてもよい。
また，筐体２１０の天井部には，筐体２１０の大きさに応じて複数の給気ファン２３０と複数の給気フィルタ２３２を配設することが好ましい。これによって，搬送室２００内全体にわたり均一な流量のダウンフロー２３４が形成されることになる。
このような構成の搬送室２００においては，給気フィルタ２３２を介して外気を導入することによって，外気とともに搬送室２００内に入り込むパーティクルの量や大きさを抑えることができる。ところが，搬送室２００内には，例えば基板搬送機構や蓋開閉機構などの駆動系の動作により，グリースなどの潤滑剤，部材間の摩擦などによりパーティクルが発生する。給気フィルタ２３２によるダウンフローだけでは，このような搬送室２００内で発生するパーティクルの発生を完全には抑えきれない。このため，給気フィルタ２３２による搬送室２００内で未処理のウエハＷを搬送している間に，ウエハＷの表面にパーティクルが付着する問題は依然として残ってしまう。
特に，近年では半導体集積回路におけるデザインルールの微細化がますます進み，極僅かのパーティクルでも，プロセス処理を行う前の段階でウエハＷの表面上に付着させないような技術が所望されている。
そこで，本実施形態では，カセット容器４００からみてウエハＷの搬送方向の次室となる搬送室２００に搬入される直前のウエハＷの温度が搬送室２００内の温度よりも高くなるように，ウエハＷの温度と搬送室２００内の温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段を設ける。これによれば，搬送室２００内の温度よりも高い温度のウエハＷが搬送室２００に搬入されるので，搬送室２００内ではウエハＷ表面上の雰囲気に温度勾配が生じる。この温度勾配によって，搬送室２００内で浮遊するパーティクルがウエハＷの表面に近づくほど，そのパーティクルにはウエハＷから離れる方向の力が大きく働くので，ウエハＷ表面にパーティクルが付着することを防止できる。このような温度調整手段の具体的構成例については後述する。
（第１実施形態にかかる温度調整手段）
次に，第１実施形態にかかる温度調整手段の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。第１実施形態にかかる温度調整手段は，次室としての搬送室２００内の温度よりも高い温度に調整された暖気をカセット容器４００内に供給して，カセット容器４００内のウエハＷの温度を調整する暖気供給部５００を備える。
図３に暖気供給部５００とその近傍の拡大図を示す。暖気供給部５００は，カセット容器４００の近傍，例えば図２，図３に示すようにカセット台１３２の下側に設けられる。暖気供給部５００は，例えば基板処理装置１００の各部を制御する制御部３００によって制御される。
具体的には例えば制御部３００は，搬送室２００に設けられた温度センサＴＳ１によって測定された搬送室２００内の温度に基づいて，ウエハＷの温度が搬送室２００内の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるように，暖気供給部５００を制御してカセット容器４００に供給する暖気の温度を調整する。これにより，搬送室２００内の温度に応じて，カセット容器４００内のウエハＷの温度を調整することができる。
なお，この場合の温度センサＴＳ１による搬送室２００内の温度の測定は，基板処理装置１００の設置場所の温度環境が変化しない場合，例えばクリーンルーム内に設置した場合などには，基板処理装置１００の稼働を開始する際に行うようにすれば足りる。但し，基板処理装置１００の設置場所の温度環境が変化し易い場合には，定期的に搬送室２００内の温度を測定するようにしてもよい。
本実施形態にかかるカセット容器４００の底部には，例えばカセット容器４００が搬送されているときの周辺環境の圧力変動に対応するための複数の通気口４０４が形成されている。また，カセット台１３２には，暖気供給部５００が噴出する暖気５０２を，カセット容器４００の通気口４０４を通じてカセット容器４００内に導くための暖気供給口１３４と，カセット容器４００内に入り込んだ暖気５０２を，別の通気口４０４を通じて暖気供給部５００に戻すための暖気排出口１３６が形成されている。
このような構成によれば，暖気供給部５００は，制御部３００からの指令に従って所定の温度に調整された暖気５０２をカセット容器４００内に供給する。このとき，暖気５０２は，暖気供給口１３４と通気口４０４を経由して，カセット台１３２にセットされているカセット容器４００内に導入される。暖気５０２はカセット容器４００内に入り込んだ後，通気口４０４と暖気排出口１３６を経由して暖気供給部５００に戻る。このような暖気５０２によって，カセット容器４００内の雰囲気の温度が上昇し，収容されているウエハＷの温度は所定の温度に調整される。なお，ドライエアーを暖めて暖気５０２を生成することが好ましい。
（第１実施形態にかかる基板処理装置の動作例）
ここで，以上のような構成を有する第１実施形態にかかる基板処理装置１００の動作例を説明する。まず，複数のウエハＷを収容するカセット容器４００がカセット台１３２にセットされると，制御部３００は，暖気供給部５００を制御して，所定温度の暖気５０２を暖気供給口１３４と通気口４０４を経由してカセット容器４００内に供給する。
このとき，制御部３００は，温度センサＴＳ１から取得した搬送室２００内の温度情報に基づいて目標温度を定め，カセット容器４００内に収容されているウエハＷが目標温度に達するために必要な暖気５０２の温度と供給時間を算出するようにしてもよい。そして，制御部３００はこの算出結果に基づいて，暖気供給部５００を制御する。この場合，ウエハＷが目標温度に調整されたか否かは，暖気５０２の供給時間が経過したか否かで判断するようにしてもよい。本実施形態では，制御部３００は，カセット容器４００内に収容されているウエハＷの温度が搬送室２００内の温度よりも例えば３℃だけ高くなるように暖気供給部５００を制御する。
制御部３００は，カセット容器４００内に収容されている処理前のウエハＷが目標温度に調整されたと判断（例えば暖気５０２の所定の供給時間が経過したと判断）すると，開閉ドア２２０と開閉蓋４０２が搬送室２００内に格納されるように伸縮ロッド２２４を水平方向および垂直方向に動作させる。これによって，基板搬出入口２１２が開放状態となる。
次に，搬送機構１６０は，カセット容器４００から処理を行うウエハＷを取り出し，このウエハＷをカセット容器４００からみてウエハＷの搬送方向の次室にあたる搬送室２００に搬入する。そして，搬送機構１６０は，ウエハＷをさらにオリエンタ１８０まで搬送する。ウエハＷはここで位置合わせされる。上記搬送機構１６０は，再度，位置合わせされたウエハＷをオリエンタ１８０から受け取って保持し，このウエハＷに対して処理を行う真空処理ユニット１１０Ａまたは１１０Ｂのロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂの直前まで搬送する。
続いて，ゲートバルブ１５２Ａまたは１５２Ｂが開放されると，搬送機構１６０は，保持しているウエハＷを搬送室２００からロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂ内へ搬入する。ロードロック室１５０Ａまたは１５０ＢへのウエハＷの搬入が終了すると，ゲートバルブ１５２Ａまたは１５２Ｂが閉塞される。
個別搬送機構１７０Ａまたは１７０Ｂは，ゲートバルブ１４４Ａまたは１４４Ｂが開放されると，ロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂ内へ搬入されたウエハＷを処理室１４０Ａまたは１４０Ｂへ搬入する。処理室１４０Ａまたは１４０ＢへのウエハＷの搬入が終了すると，ゲートバルブ１４４Ａまたは１４４Ｂが閉塞され，処理室１４０Ａまたは１４０ＢにおいてウエハＷに対してエッチング処理や成膜処理などの所定の処理が施される。
そして，処理室１４０Ａまたは１４０ＢでのウエハＷの処理が終了して，ゲートバルブ１４４Ａまたは１４４Ｂが開放されると，個別搬送機構１７０Ａまたは１７０Ｂは，ウエハＷをロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂへ搬出する。ロードロック室１５０Ａまたは１５０ＢへのウエハＷの搬出が終了すると，ゲートバルブ１４４Ａまたは１４４Ｂが閉塞され，搬送室２００へのウエハＷの搬出動作が行われる。すなわち，大気圧状態にある搬送室２００とロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂ内との圧力差をなくすために，ロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂ内の大気開放が行われた上で，ゲートバルブ１５２Ａまたは１５２Ｂが開放される。すると，搬送機構１６０は，処理済ウエハＷをロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂから搬送室２００へ搬出し，さらに元のカセット容器４００に戻す。以上のようにして，ウエハＷに対する所定の処理が完了する。
このように，カセット容器４００から取り出されたウエハＷは，ロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂに搬入されるまで搬送室２００内を移動することになる。このとき，ウエハＷの温度は搬送室２００内の温度よりも所定温度（例えば３℃）高くなるように調整されているので，搬送室２００内では常にウエハＷの表面上に温度勾配が生じる。これにより，搬送室２００内で搬送中のウエハＷの表面上にパーティクルが付着することを防止できる。この結果，表面上にパーティクルが付着していない清浄な状態の未処理ウエハＷを真空処理ユニット１１０すなわちロードロック室１５０Ａまたは１５０Ｂから処理室１４０Ａまたは１４０Ｂへ搬送することができる。
（実験結果）
ここで，搬送室２００内の温度よりウエハＷの温度を高く調整することによって，ウエハＷの表面上にパーティクルが付着することを防止できる効果を確認した実験結果について，図４と図５を参照しながら説明する。ここでは，同じ種類の２枚の実験用ウエハＷａ，Ｗｂを用意し，一方の実験用ウエハＷａは実験室の室温のまま，他方の実験用ウエハＷｂは実験室の室温よりも高くなるように暖めて，同様のパーティクルが浮遊する大気圧雰囲気の実験室内に一定時間おいたときの両ウエハＷａ，Ｗｂの表面上に付着したパーティクルの数を測定した。
図４は，一方の実験用ウエハＷａを実験室の室温（２４℃）のままとし，他方の実験用ウエハＷｂを実験室の室温より３℃高い２７℃になるように暖めて実験を行った場合の両ウエハＷａ，Ｗｂの表面上に付着したパーティクルの数を比較した結果を示すグラフである。図５は，同実験において両ウエハＷａ，Ｗｂの表面上に付着したパーティクルをサイズごとに分類し，サイズごとの数をまとめた表である。
図４のグラフと図５の表から，ウエハＷを暖めることによって表面に付着するパーティクルの量を大幅に減らすことができることが理解できる。この実験では，実験室の室温よりも３℃高い実験用ウエハＷｂへのパーティクルの付着量は，実験室の室温のままの実験用ウエハＷａへのパーティクルの付着量の約３％に抑えられた。このように，ウエハＷの温度を実験室の室温よりも３℃高くするだけで，パーティクルの付着量を全体で２桁も減少させることができることがわかる。また，この実験では特に，０．１０〜０．２０μｍのパーティクルをウエハＷｂの表面にほとんど付着させないようにすることができた。実際に搬送室２００内に浮遊するパーティクルのサイズとしては，この０．１０〜０．２０μｍのものが最も多いと考えられるので，このサイズのパーティクルをほとんど付着させない本実施形態の効果は非常に大きい。
さらに，ウエハＷの温度をより高くしたときの効果について，上記と同様の実験を行った。その結果について図６と図７を参照しながら説明する。この実験でも，同じ種類の２枚の実験用ウエハＷｃ，Ｗｄを用意する。図６は，一方の実験用ウエハＷｃを実験室の室温（２４℃）のままとし，他方の実験用ウエハＷｄを実験室の室温より１１℃高い３５℃になるように暖めて実験を行った場合の両ウエハＷｃ，Ｗｄの表面上に付着したパーティクルの数を比較した結果を示すグラフである。図７は，同実験において両ウエハＷｃ，Ｗｄの表面上に付着したパーティクルをサイズごとに分類し，サイズごとの数をまとめた表である。
図６のグラフと図７の表と，図４のグラフと図５の表を比較すると，ウエハＷの温度をさらに上昇させることによって，ウエハＷ表面へのパーティクルの付着を防止する効果が一層高まっていることがわかる。この実験では，実験用ウエハＷｄを実験室の室温との温度差が１１℃になるように暖めた場合には，温度差が３℃になるように暖めた場合よりも少ない約２％にまでパーティクルの付着量が減少した。
上記の実験結果から，ウエハＷの温度とウエハＷ表面へのパーティクル付着量との間に相関関係があると推定される。そこでさらに，室温に対して−４．２℃，−２．１℃，＋１．０℃，＋２．２，＋４．７℃，＋１２．０℃，＋１５．７℃，＋１８．８℃に温度調整した実験用ウエハと，室温に調整した実験用ウエハとのパーティクル付着量を，パーティクルサイズ別（０．０６μｍ，０．０８μｍ，０．１０μｍ）に比較する実験を行った。この実験結果を図８のグラフに示す。
図８のグラフから，ウエハＷの温度を実験室の室温よりも高くすれば，パーティクルのサイズにかかわらず，ウエハＷへのその付着量を減少させることができることがわかる。そして，室温を基準としてその室温とウエハＷとの温度差が０℃から＋１２℃程度までの範囲では，ウエハＷの温度を室温よりも高くするほど，パーティクルの付着量をより抑えることができることがわかる。これは，周囲の雰囲気の温度に対してウエハＷの温度を高くすると，ウエハＷ表面近傍の雰囲気の温度勾配がより急になり，パーティクルの付着防止効果が高まるからであると考えられる。
ところが，実験用ウエハＷの温度と実験室の室温との温度差を１２℃よりもさらに高くすると，パーティクルの付着率が僅かながら悪化してしまう。したがって，ウエハＷの温度と搬送室２００内の温度との温度差の調整範囲（本実施形態ではウエハＷの温度調整範囲）としては，２〜１２℃程度が好ましいと考えられる。
この場合，ウエハＷの温度と搬送室２００内の温度差を大きくしようとするほど，温度調整に時間がかかるため，スループットを考慮すれば，ウエハＷの温度調整値として例えば＋２〜３℃とすることができる。この程度の温度差でもパーティクルの付着量を１０％にまで低減させることができる。なお，ウエハＷを＋２〜１２℃程度に暖めても，ウエハＷの品質に影響を与えることはなく，また温度調整を行う際の消費電力も抑えることができる。
このように搬送室２００内の温度よりウエハＷの温度を高く調整することによって，ウエハＷの表面上にパーティクルが付着することを防止できることが実験でも確認することができた。その理由については例えば以下のように考えられる。
ウエハＷの表面近傍に浮遊するパーティクルは，例えば重力や静電気力などの引力が作用してウエハＷの表面上に引きつけられる。このとき，ウエハＷの温度がその周囲温度よりも高いと，ウエハＷの表面近傍の雰囲気に温度勾配が形成され，その温度勾配の傾きに応じて例えば熱泳動力などの斥力が働く。
この温度勾配はウエハＷの表面に近づくほど温度が高くなるように形成されるので，ウエハＷの表面上に浮遊するパーティクルには，ウエハＷの表面に近づくほど熱泳動力などの斥力が大きく働く。このため，ウエハＷの表面近傍のパーティクルには，ウエハＷの表面に近づくほど，温度勾配による熱泳動力などの斥力が重力や静電気力などの引力を上回るように働き，その結果ウエハＷの表面にパーティクルが付着することを防止できると考えられる。
熱泳動力は，雰囲気圧力によってその大きさが変化することが知られている。その相関関係を確認するために，室温よりも高い温度に調整した実験用ウエハと，室温に調整した実験用ウエハとのパーティクル付着量を，雰囲気圧力別（１０Ｔｏｒｒ，１００Ｔｏｒｒ，２００Ｔｏｒｒ，３００Ｔｏｒｒ）に比較する実験を行った。この実験結果を図９のグラフに示す。図９に示す実験結果からもわかるように，１０Ｔｏｒｒ，１００Ｔｏｒｒと真空度が高い場合には，室温よりも高い温度に調整した実験用ウエハと，室温に調整した実験用ウエハとの温度差に関わらず，パーティクル相対付着率は１倍に近い。すなわち，両者へのパーティクル付着量に顕著な差が見られない。
これに対して，２００Ｔｏｒｒ，３００Ｔｏｒｒのように真空度が低くなると，パーティクル付着率が低くなることがわかる。特に，ウエハ表面に２℃以上の温度勾配が形成されていると，ウエハ表面へのパーティクルの付着率が著しく減少することがわかる。
また，ウエハＷが真空雰囲気にある場合と大気圧雰囲気にある場合のウエハＷ表面近傍（例えばウエハＷ表面から１ｃｍ程度）の雰囲気に現れる温度勾配の特性曲線はそれぞれ図１０（Ａ），（Ｂ）のようになると推定される。このようなウエハＷ表面近傍の温度勾配に着目すれば，ウエハＷが真空雰囲気にある場合には，図１０（Ａ）に示すようにウエハＷ表面から１ｃｍ程度までほぼ一定の傾きになるような温度勾配が生じるのに対して，ウエハＷが大気圧雰囲気にある場合には，図１０（Ｂ）に示すようにウエハＷ表面直上で傾きが急峻になるような温度勾配が生じると考えられる。このため，このような温度勾配により生じる熱泳動力などの斥力も，ウエハＷが大気圧雰囲気にある場合の方が，真空圧雰囲気にある場合に比して，ウエハＷ表面に近づくほど急激に大きくなると考えられる。
したがって，たとえウエハＷが大気圧雰囲気にある場合の熱泳動力が，真空圧雰囲気にある場合ほど大きくなくても，ウエハＷ表面に近づくほどその力が急激に大きくなるので，ウエハＷの表面近傍のパーティクルには，ウエハＷの表面に近づくほどその表面から離れる力が急峻に強くなる。この結果，ウエハＷが大気圧雰囲気中にある場合でも，ウエハＷの温度を周囲温度よりも２〜１２℃程度高く調整するだけで，ウエハＷの表面にパーティクルが付着することを防止できると考えられる。
なお，特許文献４に記載のように，一旦ウエハＷ表面上に付着してしまったパーティクルを剥離して除去するためには，大きなエネルギーが必要である。これに対して，本実施形態のように真空度の低い室内のウエハＷ表面に接近してくるパーティクルを付着させないようにするには，それほど大きな熱泳動力を与えなくても十分であると考えられる。
以上のように，第１実施形態によれば，ウエハＷが収容されているカセット容器４００に暖気５０２を供給することによって，ウエハＷを次室となる搬送室２００に搬入する前にウエハＷの温度を所定温度だけ上昇させることができる。これによって，搬送室２００内において，ウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。そして，パーティクルが付着していない清浄なウエハＷをロードロック室１５０に送ることができる。この結果，付着したパーティクルに起因するウエハＷの処理不良の発生を防止できるので，歩留りを高めることができる。
特に，第１実施形態では，搬送室２００に搬入される前にウエハＷの温度を上昇させるため，搬送室２００内にウエハＷが入った瞬間からパーティクルの付着を防止することができる。また，第１実施形態によれば，カセット容器４００に形成された通気口を利用してカセット容器４００内に暖気５０２を供給するという比較的簡単な構成でウエハＷを暖めることができる。
（第２実施形態にかかる温度調整手段）
次に，本発明の第２実施形態にかかる温度調整手段について，図１１と図１２を参照しながら説明する。第１実施形態ではカセット容器４００の内部に通気口４０４から暖気５０２を供給する温度調整手段について説明したが，第２実施形態では搬送室内に形成した気体流路を介してカセット容器４００の内部に基板搬出入口２１２から暖気を供給する温度調整手段について説明する。
図１１は，第２実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室２０１の概略構成を示す縦断面図であって，搬送室２０１の端部方向から見た図である。図１１に示すように，第２実施形態にかかる搬送室２０１には，その内側に基板搬出入口２１２内に暖気供給部５１０からの暖気を案内する気体流路が設けられている。具体的には，基板搬出入口２１２を覆うように，上下方向に延出する隔壁２４０を設け，側壁２１０Ａと隔壁２４０との間で気体流路を形成する。図１１に示す隔壁２４０は，上側は筐体２１０の天井部まで延出し，下側は筐体２１０の底部まで延出している。気体流路は，この隔壁２４０によってロードロック室１５０側の搬送室２０１内の雰囲気と隔離される。なお，本実施形態では，上記気体流路のうち，基板搬出入口２１２よりも上側を上部気体流路２４２と称し，基板搬出入口２１２よりも下側を下部気体流路２５２と称する。
隔壁２４０の基板搬出入口２１２と対向する部位には，内側基板搬出入口２６０が開口しており，この内側基板搬出入口２６０は，カセット容器４００の開閉蓋４０２を開閉ドア２２０で開いたときに，開閉ドア２２０の裏側で閉塞されるようになっている。
上部気体流路２４２の上端部には，暖気導入管５１４を介して暖気供給部５１０が接続されている。暖気供給部５１０は，制御部３００から送信される制御信号に従って所定温度の暖気５１２を生成して，暖気導入管５１４を介して上部気体流路２４２に供給する。そして，カセット容器４００の開閉蓋４０２を開閉ドア２２０で開いたときに，暖気供給部５１０から暖気５１２が供給されると，その暖気５１２は上部気体流路２４２に案内されてカセット容器４００に入り込むようになっている。
暖気供給部５１０は，空気を暖め，ＵＬＰＡフィルタを通じて暖気５１２を生成するようにしてもよいが，Ｎ２ガスなどの不活性ガスを暖めて暖気５１２を生成するようにしてもよい。なお，上部気体流路２４２内には，例えばＵＬＰＡフィルタを備えるようにしてもよい。
また，下部気体流路２５２は，筐体２１０の底部に形成されている排気口２１６に接続されている。これにより，カセット容器４００から流れ出た暖気５１２を下部気体流路２５２を介して排気口２１６から搬送室２０１外へ排出することができる。また，本実施形態では，アクチュエータ２２２と伸縮ロッド２２４を備えた開閉ドア移動機構を下部気体流路２５２内に設けている。
なお，下部気体流路２５２には，暖気５１２を排気口２１６から積極的に排気するための排気ファンを設けるようにしてもよい。また，暖気５１２をＮ２ガスなどの不活性ガスを暖めて生成する場合には，排気口２１６から排気された暖気５１２を暖気供給部５１０に戻すための循環路を設けるようにしてもよい。
また，第２実施形態にかかる搬送室２０１には，カセット台１３８が備えられている。このカセット台１３８は，第１実施形態にかかる搬送室２００に備えられたカセット台１３２に対して暖気供給口１３４と暖気排出口１３６が省略されたものである。
このような図１１に示す搬送室２０１においては，開閉ドア２２０と開閉蓋４０２が搬送室２０１の内側方向に移動して，開閉ドア２２０がその裏側で内側基板搬出入口２６０を閉塞すると，図１２に示すように気体流路（上部気体流路２４２，下部気体流路２５２）はロードロック室１５０側の搬送室２０１内の雰囲気と完全に隔離される。
この状態で，暖気供給部５１０から暖気５１２を供給すると，暖気５１２は上部気体流路２４２に案内されて基板搬出入口２１２からカセット容器４００内に入り込む。すなわち，図１２に示すようにカセット容器４００の開閉蓋４０２が開放されると，カセット容器４００と開閉蓋４０２との間に隙間ができるので，その隙間から上部気体流路２４２により案内された暖気５１２が入り込む。
その後，暖気５１２は，カセット容器４００内に充満され，カセット容器４００と開閉蓋４０２との隙間から下部気体流路２５２へ流れ，排気口２１６から搬送室２０１外へ排出される。こうして，カセット容器４００内に入り込む暖気５１２によって，カセット容器４００内の各ウエハＷが暖められる。
なお，暖気５１２を供給している間は，上記のように開閉ドア２２０によって内側基板搬出入口２６０が閉塞されているため，カセット容器４００内に流れ込んだ暖気５１２が搬送室２０１内のダウンフロー２３４が形成されている空間に流れ出すことはない。このため，暖気５１２の供給によって搬送室２０１内の温度が上昇することもない。
そして，所定時間経過すると，暖気供給部５１０からの暖気５１２の供給を停止する。これにより，カセット容器４００内の各ウエハＷの温度は搬送室２０１内の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるように上昇する。次いで，伸縮ロッド２２４によって開閉ドア２２０と開閉蓋４０２を下降させて，内側基板搬出入口２６０を開放する。こうして，基板搬出入口２１２と内側基板搬出入口２６０とが開放され，カセット容器４００からウエハＷを搬出できるようになる。搬送機構１６０は，カセット容器４００から処理を行うウエハＷを取り出し，第１実施形態と同様にウエハＷを次室である搬送室２０１内に搬入する。
以上のように，第２実施形態によれば，ウエハＷが収容されているカセット容器４００に基板搬出入口２１２から暖気５１２を供給することによって，ウエハＷを搬送室２０１に搬入する前にウエハＷの温度を所定温度だけ上昇させることができる。これによって，第１実施形態と同様に，搬送室２０１内において，ウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
また，搬送室２０１に複数のカセット台１３８（図１のカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃ参照）が備えられ，各カセット台に対応する複数の基板搬出入口２１２が設けられる場合には，複数の基板搬出入口２１２をすべて覆うように隔壁２４０を設けてもよく，また基板搬出入口２１２ごとに隔壁２４０を設け，それぞれに気体流路（上部気体流路２４２，下部気体流路２５２）を構成してもよい。このように，基板搬出入口２１２ごとに気体流路を形成すれば，最小限の流量の暖気５１２で各カセット容器４００（４００Ａ〜４００Ｃ）内のウエハＷを効率よく暖めることができる。
（第３実施形態にかかる温度調整手段）
次に，本発明の第３実施形態にかかる温度調整手段について，図１３と図１４を参照しながら説明する。第２実施形態ではアクチュエータ２２２と伸縮ロッド２２４を備えた開閉ドア移動機構を気体流路内に設けた場合について説明したが，第３実施形態では開閉ドア移動機構を気体流路の外側に設けた場合について説明する。
図１３は，第３実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室２０２の概略構成を示す縦断面図であって，搬送室２０２の端部方向から見た図である。図１３に示す隔壁２４４の上側は給気フィルタ２３２よりも下側であって，少なくとも基板搬出入口２１２の上端部よりも上までを覆うように延出し，隔壁２４４の下側は少なくとも基板搬出入口２１２の下端部よりも下側までを覆うように延出している。なお，本実施形態では，上記気体流路のうち，基板搬出入口２１２よりも上側を上部気体流路２４６と称し，基板搬出入口２１２よりも下側を下部気体流路２５６と称する。
隔壁２４４の基板搬出入口２１２と対向する部位には，内側基板搬出入口２６２が開口しており，この内側基板搬出入口２６２は，開閉ドア２２０によって閉塞されるようになっている。
図１３に示す暖気供給部５１０は，側壁２１０Ａを通る暖気導入管５１４を介して上部気体流路２４６に接続されている。これにより，カセット容器４００の開閉蓋４０２を開閉ドア２２０で開いたときに，暖気供給部５１０から暖気５１２が供給されると，その暖気５１２は上部気体流路２４６に案内されてカセット容器４００に入り込むようになっている。
また，下部気体流路２５６には側壁２１０Ａを通る暖気導出管５１６が接続されている。
これにより，カセット容器４００から流れ出た暖気５１２を下部気体流路２５６を介して暖気導出管５１６から搬送室２０２外へ排出することができる。なお，下部気体流路２５６には，暖気５１２を積極的に排気するための排気ファンを設けるようにしてもよい。また，暖気５１２をＮ２ガスなどの不活性ガスを暖めて生成する場合には，排気された暖気５１２を暖気供給部５１０に戻すための循環路を暖気導出管５１６に接続するようにしてもよい。
このような図１３に示す搬送室２０２においては，開閉ドア２２０と開閉蓋４０２が搬送室２０２の内側方向に移動しても，開閉ドア２２０が内側基板搬出入口２６２を閉塞したままとなり，図１４に示すように気体流路（上部気体流路２４６，下部気体流路２５６）はロードロック室１５０側の搬送室２０２内の雰囲気と完全に隔離される。
この状態で，暖気供給部５１０から暖気５１２を供給すると，暖気５１２は上部気体流路２４６に案内されて基板搬出入口２１２からカセット容器４００内に入り込む。すなわち，図１４に示すようにカセット容器４００の開閉蓋４０２が開放されると，カセット容器４００と開閉蓋４０２との間に隙間ができるので，その隙間から上部気体流路２４６により案内された暖気５１２が入り込む。
その後，暖気５１２は，カセット容器４００内に充満され，カセット容器４００と開閉蓋４０２との隙間から下部気体流路２５６へ流れ，暖気導出管５１６から搬送室２０２外へ排出される。こうして，カセット容器４００内に入り込む暖気５１２によって，カセット容器４００内の各ウエハＷが暖められる。
なお，第３実施形態の場合においても，第２実施形態の場合と同様に，暖気５１２を供給している間は，上記のように開閉ドア２２０によって内側基板搬出入口２６２が閉塞されているため，カセット容器４００内に流れ込んだ暖気５１２が搬送室２０２内のダウンフロー２３４が形成されている空間に流れ出すことはない。このため，暖気５１２の供給によって搬送室２０２内の温度が上昇することもない。
そして，所定時間経過すると，暖気供給部５１０からの暖気５１２の供給を停止する。これにより，カセット容器４００内の各ウエハＷの温度は，所定温度（例えば３℃）だけ上昇する。次いで，伸縮ロッド２２４によって開閉ドア２２０と開閉蓋４０２をさらに搬送室２０２の内側方向へ水平移動させて内側基板搬出入口２６２から出した後，これらを下降させて内側基板搬出入口２６２を開放する。こうして，基板搬出入口２１２と内側基板搬出入口２６２とが開放され，カセット容器４００からウエハＷを搬出できるようになる。すなわち，搬送機構１６０によってカセット容器４００から処理を行うウエハＷを取り出し，第１実施形態と同様にウエハＷを次室である搬送室２０２内に搬入する。
以上のように，第３実施形態によれば，第２実施形態と同様に，ウエハＷが収容されているカセット容器４００に基板搬出入口２１２から暖気５１２を供給することによって，ウエハＷを搬送室２０２に搬入する前にウエハＷの温度を搬送室２０２の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ上昇させることができる。これによって，第１実施形態と同様に，搬送室２０２内において，ウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。また，第３実施形態にかかる気体流路は，少なくとも基板搬出入口２１２の上端から下端を覆う程度に短くなるので，効率よく暖気５１２を供給することができる。
また，第３実施形態の場合においては，第２実施形態の場合と同様に，搬送室２０２に複数のカセット台１３８（図１のカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃ参照）が備えられ，各カセット台に対応する複数の基板搬出入口２１２が設けられる場合には，基板搬出入口２１２をすべて覆うように隔壁２４４を設けてもよく，また基板搬出入口２１２ごとに隔壁２４４を設け，それぞれに気体流路（上部気体流路２４６，下部気体流路２５６）を構成してもよい。このように，基板搬出入口２１２ごとに気体流路を形成すれば，最小限の流量の暖気５１２で各カセット容器４００（４００Ａ〜４００Ｃ）内のウエハＷを効率よく暖めることができる。
なお，第３実施形態では，カセット容器４００内に導入された暖気５１２は，下部気体流路２５６を経由して搬送室２０２外に排出されるが，これに代えて，カセット容器４００に通気口（図示せず）が形成されている場合には，その通気口から排出するようにしてもよい。この場合，通気口がカセット容器４００の底部に形成されている場合には，第１実施形態にかかるカセット台１３２の暖気排出口１３６と同様に，カセット台１３８に通気口に連通する暖気排出口を設けるようにしてもよい。この構成によっても，カセット容器４００内に収容されているウエハＷを効率よく暖めることができる。
（第４実施形態にかかる温度調整手段）
次に，本発明の第４実施形態にかかる温度調整手段について，図１５と図１６を参照しながら説明する。第１〜第３実施形態ではカセット容器４００の内部に暖気を供給してウエハＷを暖める温度調整手段について説明したが，第４実施形態では光によってウエハＷを暖める温度調整手段について説明する。
図１５は，第４実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室２０３の概略構成を示す縦断面図であって，搬送室２０３の端部方向から見た図である。第４実施形態にかかる搬送室２０３は，図１５に示すように，カセット台１３８の上方に光照射部２７０と，この光照射部２７０を搬送室２０３の筐体２１０に固定するためのブラケット２７２を備えている。光照射部２７０は，制御部３００から送信される制御信号に従って所定の波長を含む光２７４を所定のパワーで射出する。
図１６は，第４実施形態にかかる光照射部２７０とカセット容器４００の拡大図である。図１６に示すように，ブラケット２７２は，光照射部２７０から発せられた光２７４がカセット容器４００の上面に照射されるように筐体２１０に取り付けられる。
光照射部２７０は，例えばウエハＷの材質であるシリコンに吸収されて熱作用を起こすことができる熱線（例えば近赤外線）を光２７４として照射する光源から構成される。この場合，カセット容器４００の全体，または光２７４が照射される上面部分が近赤外線を透過する材料で構成されることが好ましい。これによって，光２７４はカセット容器４００の壁を通過してウエハＷに到達し，ウエハＷに吸収される。こうして，ウエハＷは暖められて，所定時間が経過すると，ウエハＷの温度が搬送室２０３内の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるように上昇する。このような光照射部２７０は，温度センサＴＳ１，制御部３００などとともに，カセット容器４００内のウエハＷの温度を搬送室２０３内の温度に応じて調整する温度調整手段を構成する。
なお，図１６に示すように光照射部２７０をカセット容器４００の上側に設けた場合には，最上段に載置されているウエハＷが先に暖められるため，暖められた最上段のウエハＷから順番にカセット容器４００から搬出するようにしてもよい。また，光照射部２７０は，ウエハＷの材質に応じて他の波長の光を光２７４として照射する光源を用いてもよく，また，光照射部２７０によって，例えばカセット容器４００を加熱して，間接的にウエハＷを暖めるようにしてもよい。この場合，光照射部２７０としては，遠赤外線や可視光，その他の波長の光を光２７４として照射する光源を用いるようにしてもよい。
以上のように，第４実施形態によれば，ウエハＷが収容されているカセット容器４００に熱線などの光２７４を照射することによって，カセット容器４００内のウエハＷを効率よく暖めることができる。また，カセット容器４００の開閉蓋４０２を閉じたままウエハＷを暖めることができるので，ウエハＷを搬送室２０３に搬入する前にウエハＷの温度を所定温度だけ上昇させることができる。これにより，第１実施形態と同様に，次室である搬送室２０３内において，ウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
（第５実施形態にかかる温度調整手段）
次に，本発明の第５実施形態にかかる温度調整手段について，図１７を参照しながら説明する。第１〜第３実施形態ではカセット容器４００内に供給した暖気によってウエハＷを暖める温度調整手段について説明し，第４実施形態ではカセット容器４００に照射した光によってウエハＷを暖める温度調整手段について説明したが，第５実施形態では搬送機構１６０のピック１６６を加熱することによって，ウエハＷを暖める温度調整手段について説明する。
図１７は，第５実施形態にかかるピック１６６の内部構造を示す図であって，カセット容器４００内のウエハＷを搬出するためにピック１６６がカセット容器４００内に進入したところを示している。
図１７に示すように，ピック１６６の内部には，加温部の１例としてヒートエレメント２８０が埋め込まれている。ヒートエレメント２８０は，多関節アーム１６４に埋め込まれた電力供給ライン２８２を介して電源２８４に接続されている。電源２８４は，制御部３００から送信される制御信号に従って所定の電力を，電力供給ライン２８２を介してヒートエレメント２８０に供給する。これにより，ピック１６６が加熱され，ピック１６６上に載置されたウエハＷを暖めることができる。このような電源２８４，電力供給ライン２８２，ヒートエレメント２８０は，温度センサＴＳ１，制御部３００などとともに，カセット容器４００内に収容されているウエハＷの温度を搬送室２０４内の温度に応じて調整する温度調整手段を構成する。
このような構成の第５実施形態では，カセット容器４００からウエハＷを取り出すために，カセット容器４００内にピック１６６を挿入してウエハＷを保持したときに，ピック１６６を加熱する。これにより，ピック１６６に保持されているウエハＷが暖められ，ウエハＷの温度が搬送室２０４の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるように上昇させることができる。ウエハＷが所定の温度に暖められた後，ヒートエレメント２８０への電力の印加を停止してピック１６６の加熱を停止するとともに，多関節アーム１６４を縮ませてカセット容器４００からウエハＷを搬出する。なお，ウエハＷの搬出する際に，ヒートエレメント２８０への電力の印加を停止せずに，いったん暖めたウエハＷの温度が低下しない程度の電力に低減するようにしてもよい。
以上のように，第５実施形態によれば，カセット容器４００からウエハＷを搬出するためにピック１６６がカセット容器４００内に進入したときにこのピック１６６を加熱することによって，ウエハＷを次室である搬送室２０４に搬入する直前にウエハＷの温度を所定温度だけ上昇させることができる。これによって，第１実施形態と同様に，搬送室２０４内において，ウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
また，第５実施形態によれば，カセット容器４００に収容されている複数のウエハＷのうち搬送室２０４に搬入されるウエハＷのみを暖めることができる。したがって，より小さい消費エネルギーでウエハＷを所定温度に暖めてウエハＷの表面上に対するパーティクル付着を防止することができる。
（第６実施形態にかかる温度調整手段）
次に，本発明の第６実施形態にかかる温度調整手段について，図１８を参照しながら説明する。第１〜第５実施形態ではカセット容器４００のウエハＷを暖めることによって，搬送室２００〜２０４内の温度に比べてウエハＷの温度を高く調整する温度調整手段について説明したが，第６実施形態では逆に，搬送室内の雰囲気を冷やすことによって，搬送室内の温度に比べてウエハＷの温度を相対的に高くなるように調整する温度調整手段について説明する。
図１８は，第６実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室２０５の概略構成を示す縦断面図であって，搬送室２０５の端部方向から見た図である。本実施形態にかかる温度調整手段は，カセット容器４００内のウエハＷの温度よりも低い温度に調整された冷気を搬送室２０５内に供給して，搬送室２０５の温度を調整する冷気供給部としてダウンフロー冷却手段２９０を備える。
ダウンフロー冷却手段２９０は，搬送室２０５内へ外気を導入する給気部としての給気ファン２３０と，給気ファン２３０によって導入された外気を冷却して冷気を生成する冷却部を備える。冷却部は，例えば給気ファン（給気部）２３０と給気フィルタ２３２との間に設けられる室内熱交換部２９２と，室外熱交換部２９４と，これらの間で冷媒を循環させる冷媒管２９６から構成されている。
このような構成のダウンフロー冷却手段２９０は，制御部３００から送信される制御信号に従って熱交換効率を変化させ，ダウンフロー２３６の温度を調整することができる。ダウンフロー冷却手段２９０は，温度センサＴＳ１，制御部３００などとともに，カセット容器４００内に収容されているウエハＷの温度に応じて搬送室２０５内の温度を調整する温度調整手段を構成する。
第６実施形態によれば，ダウンフロー冷却手段２９０によって冷却されたダウンフロー２３６によって搬送室２０５内の雰囲気が冷却される。これにより，搬送室２０５内に搬入されるウエハＷの温度が相対的に所定温度（例えば３℃）だけ高くなるように，搬送室２０５の温度を調整することができる。これによって，カセット容器４００から次室である搬送室２０５内にウエハＷが搬入されたときには，ウエハＷの温度が所定温度だけ高くなるので，搬送室２０５内において，ウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
また，第６実施形態によれば，ウエハＷを暖める必要がない。したがって，カセット容器４００から搬送室２０５に搬入されたウエハＷのみならず，ロードロック室１５０から搬送室２０５に搬入された処理済のウエハＷに所定の温度差が生じていれば，その処理済のウエハＷについてもパーティクルの付着を防止することができる。
なお，第６実施形態の温度調整手段の構成と第１〜第５実施形態のいずれかの温度調整手段の構成とを組み合わせて，温度調整手段を構成するようにしてもよい。これによって，ウエハＷの温度と搬送室の温度との両方を調整することができるので，ウエハＷの温度と搬送室内の温度の差をより正確に調整することができる。
（第７実施形態にかかる温度調整手段）
次に，本発明の第７実施形態にかかる温度調整手段について，図１９を参照しながら説明する。第１〜第５実施形態では，カセット容器４００内のウエハＷをカセット容器４００からみて搬送方向の次室にあたる搬送室２００〜２０４に搬入する直前に，カセット容器４００内においてウエハＷを暖める温度調整手段について説明した。これに対して，第７実施形態では，搬送室２００に接続されている収容室内のウエハＷをその収容室からみて搬送方向の次室にあたる搬送室２００に搬入する直前に，その収容室内においてウエハＷを暖める温度調整手段について説明する。このような収容室としては，搬送室２００に接続されて，ウエハＷを収容するものであれば，どのような形状および機能を有するものであってもよい。ここでは，収容室として，ウエハＷの位置合わせを行う位置合わせ室例えばオリエンタに適用した場合を例に挙げて説明する。
図１９は，第７実施形態にかかるオリエンタ１８０の概略構成を示す縦断面図であって，ウエハＷが回転載置台１８２に載置されているところを示している。なお，図１９では，図１に示す光学センサ１８４を省略している。図１９に示すように，オリエンタ１８０内に備えられた回転載置台１８２の内部には，回転載置台１８２を加温してウエハＷの温度を調整する加温部としてのヒートエレメント１９０が埋め込まれている。
ヒートエレメント１９０は，支柱１８６に埋め込まれた電力供給ライン１９２を介して電源１９４に接続されている。電源１９４は，制御部３００から送信される制御信号に従って所定の電力を，電力供給ライン１９２を介してヒートエレメント１９０に供給する。このような電源１９４，電力供給ライン１９２，ヒートエレメント１９０は，温度センサＴＳ１，制御部３００などとともに，回転載置台１８２に載置されているウエハＷの温度を搬送室２００内の温度に応じて調整する温度調整手段を構成する。
第７実施形態にかかるオリエンタ１８０によれば，位置合わせのために回転載置台１８２にウエハＷが載置されているときに回転載置台１８２を加熱して，ウエハＷの温度が搬送室２００の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるようにウエハＷを暖めることができる。これによって，位置合わせが終了したウエハＷが次室である搬送室２００内に再び搬入されたとき，搬送室２００内において，そのウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
また，第７実施形態によれば，オリエンタ１８０内でウエハＷの位置合わせを行いながらウエハＷを暖めることができるため，これらを別々に行う場合に比してスループットを向上させることができる。
なお，第７実施形態の温度調整手段の構成と第１〜第６の実施形態のいずれかの温度調整手段の構成とを組み合わせて，温度調整手段を構成するようにしてもよい。この場合，例えば暖気などによってカセット容器４００内で既にウエハＷの温度が調整されていても，オリエンタ１８０においてウエハＷの温度を再調整することができる。したがって，その後にウエハＷを，搬送室２００内をロードロック室１５０まで搬送するまでそのウエハＷの温度をより正確に保持することができる。
（第８実施形態にかかる温度調整手段）
次に，本発明の第８実施形態にかかる温度調整手段について，図２０を参照しながら説明する。第７実施形態では回転載置台１８２を加熱することによってウエハＷを暖める温度調整手段について説明したが，第８実施形態ではオリエンタ１８０内において光によってウエハＷを暖める温度調整手段について説明する。
図２０は，第８実施形態にかかるオリエンタ１８８の概略構成を示す縦断面図であって，ウエハＷが回転載置台１８２に載置されているところを示している。なお，図２０では，図１に示す光学センサ１８４の記載を省略している。図２０に示すように，オリエンタ１８８は，光照射部１９６を備えている。
光照射部１９６は，制御部３００から送信される制御信号に従って所定の波長を含む光１９８を所定のパワーで射出する。光照射部１９６は，回転載置台１８２上のウエハＷの表面に光１９８が照射されるように，オリエンタ１８８の筐体の天井部に取り付けられている。光照射部１９６は，例えばウエハＷに吸収される近赤外線を光１９８として照射する光源を用いることが好ましい。このような光照射部１９６は，温度センサＴＳ１，制御部３００などとともに，回転載置台１８２に載置されているウエハＷの温度を搬送室２００内の温度に応じて調整する温度調整手段を構成する。
第８実施形態にかかるオリエンタ１８８によれば，位置合わせのために回転載置台１８２にウエハＷが載置されているときにウエハＷに光１９８を照射して，ウエハＷの温度が搬送室２００の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるようにウエハＷを暖めることができる。これによって，位置合わせが終了したウエハＷが次室である搬送室２００内に再び搬入されたとき，搬送室２００内において，そのウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
なお，第８実施形態によれば，オリエンタ１８８の筐体内に光照射部１９６を組み込むだけで，例えば回転載置台１８２の構成を変えることなくウエハＷを暖めることができる。したがって，基板処理装置１００の製品コスト上昇を抑えつつ，搬送室２００内でのウエハＷへのパーティクルの付着を防止することができる。
（第９実施形態）
続いて，本発明の第９実施形態にかかる温度調整手段について，図２１を参照しながら説明する。第１〜第８実施形態として，カセット容器４００内またはオリエンタ１８０内のウエハＷをカセット容器４００またはオリエンタ１８０からみて搬送方向の次室にあたる搬送室２００〜２０５に搬入する直前に，カセット容器４００内またはオリエンタ１８０内においてウエハＷを暖める温度調整手段について説明した。これに対して，第９実施形態として，搬送室内のウエハＷを搬送室からみて搬送方向の次室にあたるロードロック室１５０に搬入する直前に，その搬送室内においてウエハＷを暖める温度調整手段について説明する。
図２１は，第９実施形態にかかる搬送室２０６の概略構成を示す縦断面図である。図２１に示すように，この搬送室２０６は，第１実施形態にかかる搬送室２００に対して，光照射部５２０を追加した構成を有する。また，第９実施形態においては，ロードロック室１５０に温度センサＴＳ２を取り付けてロードロック室１５０内の温度を測定し，その測定データを制御部３００に送信するようにしてもよい。
光照射部５２０は，制御部３００から送信される制御信号に従って所定の波長の光５２２を所定のパワーで射出する。光照射部５２０は，搬送機構１６０のピック１６６に保持されているウエハＷの表面に光５２２が照射されるように，搬送室２０６の筐体の側壁面内側に取り付けられている。光照射部５２０は，例えばウエハＷに吸収される近赤外線を光５２２として照射する光源を用いることが好ましい。このような光照射部５２０は，温度センサＴＳ２，制御部３００などとともに，ピック１６６に保持されているウエハＷの温度をロードロック室１５０内の温度に応じて調整する温度調整手段を構成する。
第９実施形態にかかる温度調整手段によれば，ピック１６６に保持されているウエハＷに光５２２を照射して，ウエハＷの温度がロードロック室１５０の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるようにウエハＷを暖めることができる。これによって，ウエハＷが次室であるロードロック室１５０内に搬入されたとき，ロードロック室１５０内において，そのウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
なお，第９実施形態によれば，搬送室２０６の筐体内に光照射部５２０を組み込むだけで，例えばピック１６６の構成を変えることなく，ウエハＷを暖めることができる。したがって，基板処理装置１００の製品コスト上昇を抑えつつ，ロードロック室１５０内でのウエハＷへのパーティクルの付着を防止することができる。
（第１０実施形態）
次いで，本発明の第１０実施形態にかかる温度調整手段について，図面を参照しながら説明する。上記の第９実施形態にかかる温度調整手段は，搬送室２００からロードロック室１５０に搬送されたウエハＷにパーティクルを付着させないためのものである。これに対して，第１０実施形態にかかる温度調整手段は，ウエハＷをロードロック室１５０から搬送室２００に搬送した（戻した）際に，搬送室２００内においてウエハＷにパーティクルを付着させないためのものである。
図２２は，第１０実施形態にかかるロードロック室１５０の概略構成を示す縦断面図である。既に図１を参照しながら説明したように，ロードロック室１５０は，ウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台１５４，１５６を備えている。また，両バッファ用載置台１５４，１５６間には，個別搬送機構１７０が設けられている。さらに，ロードロック室１５０は光照射部５３０を備えている。なお，ロードロック室１５０は，図２２に示した構成要素の他にも例えば，ロードロック室１５０内の圧力を調整する手段を備えている。この圧力調整手段などについては図示を省略する。
光照射部５３０は，制御部３００から送信される制御信号に従って所定の波長を含む光５３２を所定のパワーで射出する。光照射部５３０は，一対のバッファ用載置台１５４，１５６のうちいずれか一方（例えばバッファ用載置台１５４）に載置されているウエハＷの表面に光５３２が照射されるように，例えばロードロック室１５０の筐体の天井面内側に取り付けられている。光照射部５３０は，例えばウエハＷに吸収される近赤外線を光５３２として照射する光源を用いることが好ましい。このような光照射部５３０は，温度センサＴＳ１，制御部３００などとともに，バッファ用載置台１５４に載置されているウエハＷの温度を，次室としての搬送室２００内の温度に応じて調整する温度調整手段を構成する。
第１０実施形態にかかる温度調整手段によれば，ロードロック室１５０内のバッファ用載置台１５４に載置されているウエハＷに光５３２を照射して，ウエハＷの温度が搬送室２００の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるようにウエハＷを暖めることができる。これによって，ウエハＷが次室である搬送室２００内に搬入されたとき，搬送室２００内において，そのウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
なお，第１０実施形態にかかる温度調整手段は，ロードロック室１５０内のバッファ用載置台１５４に載置されているウエハＷに光５３２を照射してこれを暖める構成を有しているが，例えばバッファ用載置台１５４に発熱機構を組み込んで，バッファ用載置台１５４に載置されたウエハＷを暖めるようにしてもよい。この構成によっても，ロードロック室１５０から次室である搬送室２００に搬送されたウエハＷへのパーティクルの付着を防止することができる。
（第１１実施形態にかかる基板処理装置の構成例）
次に，本発明の第１１実施形態にかかる基板処理装置１０２の構成例について図面を参照しながら説明する。図２３は第１１実施形態に係る基板処理装置１０２の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置１０２は，クラスタツールタイプであり，ウエハＷに対して成膜処理，エッチング処理などの各種の処理を行う真空処理ユニット６００と，この真空処理ユニット６００に対してウエハＷを搬出入する搬送ユニットと，基板処理装置１０２全体の動作を制御する制御部７００を備える。なお，基板処理装置１０２が備える搬送ユニットの基本機能構成は，上記第１実施形態にかかる基板処理装置１００が備える搬送ユニット１２０と共通点が多い。したがって，ここでは基板処理装置１０２が備える搬送ユニットおよびその構成要素に，搬送ユニット１２０と同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
真空処理ユニット６００は，図２３に示すように，断面多角形（例えば六角形）に形成された共通搬送室６１０と，その周囲に気密に接続された複数の処理室６２０（第１〜第４処理室６２０Ａ〜６２０Ｄ）および第１，第２ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎから構成されている。
第１〜第４処理室６２０Ａ〜６２０Ｄはそれぞれ，ゲートバルブ６４０Ａ〜６４０Ｄを介して共通搬送室６１０に接続されている。また，第１，第２ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎの先端はそれぞれ，ゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）６４０Ｍ，６４０Ｎを介して共通搬送室６１０に接続されており，第１，第２ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎの基端はそれぞれ，ゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）６４２Ｍ，６４２Ｎを介して搬送室２００の他側面に接続されている。
処理室６２０Ａ〜６２０Ｄはそれぞれ，内部に載置台（サセプタ）６２２Ａ〜６２２Ｄを備えており，これに載置されたウエハＷに例えば成膜処理（例えばプラズマＣＶＤ処理）やエッチング処理（例えばプラズマエッチング処理）などの所定の処理が施される。また，各処理室６２０Ａ〜６２０Ｄには，内部に処理ガスやパージガスなど所定のガスを導入するためのガス導入系（図示せず）および内部を排気するための排気系（図示せず）が接続されている。なお，処理室６２０の数は，図２３に示す例に限られない。
第１，第２ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力を調整した後に，次段へパスする機能を有している。各第１，第２ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎの内部にはそれぞれ，ウエハＷを載置可能な受渡台６３２Ｍ，６３２Ｎが設けられている。
共通搬送室６１０内には，２つのアーム部を備えたいわゆるダブルアーム構造を採用した処理ユニット側搬送機構６１２が設けられている。そして，処理ユニット側搬送機構６１２の各アーム部は，例えば屈伸・昇降・旋回が可能な多関節構造を有しており，各アームの先端にはウエハＷを保持するためのピック６１２Ａ，６１２Ｂが備えられている。このような処理ユニット側搬送機構６１２は一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができ，各ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎおよび各処理室６２０Ａ〜６２０Ｄとの間でウエハＷを搬送することができる。処理ユニット側搬送機構６１２のピック６１２Ａ，６１２Ｂはそれぞれ，ウエハＷを保持しているか否かを検出するためのセンサ（図示せず）を備えている。なお，処理ユニット側搬送機構６１２のアーム部の数は上記のものに限られず，例えば１つのアーム部を有するシングルアーム機構としてもよい。
制御部７００は，所定の設定情報に基づいて所定のプログラムを実行して各部を制御する。これによって，例えば，第１〜第４処理室６２０Ａ〜６２０Ｄにおけるプロセス処理，搬送室２００と共通搬送室６１０におけるウエハ搬送処理，オリエンタ１８０における位置合わせ処理が行われる。また，制御部７００は，後述の温度調整手段を制御する。
（第１１実施形態にかかる温度調整手段の構成例）
続いて，第１１実施形態にかかる温度調整手段の構成例について，図２４を参照しながら詳しく説明する。第１１実施形態にかかる温度調整手段は，ウエハＷを第１，第２ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎから搬送室２００に搬送した（戻した）際に，搬送室２００内においてウエハＷにパーティクルを付着させないためのものである。
図２４は，第１１実施形態にかかる第１，第２ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎの概略構成を示す縦断面図である。なお，本実施形態では，第１，第２ロードロック室６３０Ｍ，６３０Ｎは相互に略同一の構成を有している。したがって，図２４には代表的に第１ロードロック室６３０Ｍのみを示す。
既に図２３を参照しながら説明したように，第１ロードロック室６３０Ｍは，ウエハＷを一時的に載置して待機させる受渡台６３２Ｍおよび光照射部６５０を備えている。また，第１１実施形態においては，搬送室２００に取り付けられている温度センサＴＳ１によって搬送室２００内の温度を測定し，その測定データを制御部７００に送信するようにしてもよい。なお，第１ロードロック室６３０Ｍは，図２４に示した構成要素の他にも例えば，第１ロードロック室６３０Ｍ内の圧力を調整する手段を備えている。この圧力調整手段などについては図示を省略する。
光照射部６５０は，制御部７００から送信される制御信号に従って所定の波長を含む光６５２を所定のパワーで射出する。光照射部６５０は，受渡台６３２Ｍに載置されているウエハＷの表面に光６５２が照射されるように，例えば第１ロードロック室６３０Ｍの筐体の天井面内側に取り付けられている。光照射部６５０は，例えばウエハＷに吸収される近赤外線を光６５２として照射する光源を用いることが好ましい。このような光照射部６５０は，温度センサＴＳ１，制御部７００などとともに，受渡台６３２Ｍに載置されているウエハＷの温度を，次室としての搬送室２００内の温度に応じて調整する温度調整手段を構成する。
第１１実施形態にかかる温度調整手段によれば，第１ロードロック室６３０Ｍ内の受渡台６３２Ｍに載置されているウエハＷに光６５２を照射して，ウエハＷの温度が搬送室２００の温度よりも所定温度（例えば３℃）だけ高くなるようにウエハＷを暖めることができる。これによって，ウエハＷが次室である搬送室２００内に搬入されたとき，搬送室２００内において，そのウエハＷの表面上へパーティクルが付着することを防止できる。
なお，第１１実施形態にかかる温度調整手段は，第１ロードロック室６３０Ｍ内の受渡台６３２Ｍに載置されているウエハＷに光６５２を照射してこれを暖める構成を有しているが，例えば受渡台６３２Ｍに発熱機構を組み込んで，受渡台６３２Ｍに載置されたウエハＷを暖めるようにしてもよい。この構成によっても，第１ロードロック室６３０Ｍから次室である搬送室２００に搬送されたウエハＷへのパーティクルの付着を防止することができる。
また，ここでは第１ロードロック室６３０Ｍから搬送室２００へウエハＷを搬送する場合について本実施形態を説明したが，第２ロードロック室６３０Ｎから搬送室２００へウエハＷを搬送する場合についても同様に，ウエハＷへのパーティクルの付着を防止することができる。
以上のように，第１〜第９実施形態によれば，カセット容器４００（４００Ａ〜４００Ｃ）に収容されている未処理のウエハＷをロードロック室１５０（１５０Ａ，１５０Ｂ），６３０（６３０Ｍ，６３０Ｎ）内まで搬送する過程で，次室にウエハＷを搬入したときにその室内でウエハＷ上へのパーティクルの付着を防止することができる。これにより，清浄な状態のウエハＷをロードロック室１５０，６３０に搬送することができる。
さらに，第１０，第１１実施形態によれば，処理済のウエハＷをロードロック室１５０，６３０からカセット容器４００まで搬送する過程でもウエハＷ上へのパーティクルの付着を防止することができる。
また，第１〜第１１実施形態を組み合わせることによって，カセット容器４００からロードロック室１５０，６３０まで各基板処理装置１００，１０２内の全域にわたってウエハＷ上へのパーティクルの付着を防止することができる。なお，基板処理装置１００，１０２の各室におけるパーティクル発生状況に応じて，第１〜第１１実施形態を選択的に組み合わせるようにしてもよい。
また，カセット容器４００に収容されている未処理のウエハＷをロードロック室１５０，６３０まで搬送していく過程におけるウエハＷへのパーティクルの付着を防止する場合について第１〜第９実施形態を説明したが，本発明は，このウエハＷの搬送方向に限定されない。例えば，処理済のウエハＷをロードロック室１５０，６３０からカセット容器４００に戻す場合にも本発明の適用は可能である。この場合，パーティクルの付着を防止するウエハＷが存在する室と次室との位置関係は，上記の第１〜第９実施形態の逆となる。
ところで，ウエハＷの温度とウエハＷ表面へのパーティクル付着量との関係について，図８に示す実験結果によれば，ウエハＷの温度と搬送室２００内の温度との温度差を大きくするほど，ウエハＷ表面へのパーティクル付着量が減少することがわかった。図８ではパーティクルのサイズが０．０６μｍ以上の場合の実験結果を示したが，０．０６μｍよりもさらに小さいサイズのパーティクルについても，ウエハＷ表面近傍の雰囲気の温度勾配により，ウエハＷ表面への付着量が減少できることが推察される。
実験装置の精度等により，０．０６μｍよりもさらに小さいサイズについてのパーティクル付着量を検出するのは困難ではあるものの，ウエハＷ表面近傍のパーティクルに働く力（例えばパーティクルの重力，静電気力，熱泳動力など）を考慮した計算式に基づいて計算することにより，ウエハＷの温度とウエハＷ表面へのパーティクル付着量との関係を導くことができる。
ここで，例えばパーティクルのサイズが０．０２μｍの場合のパーティクル付着率を計算してグラフにした結果を図２５に示す。図２５は，パーティクルのサイズが０．０２μｍの場合についての実線グラフを図８のグラフに重ねて表わしたものである。
図２５に示すように，パーティクルのサイズが０．０２μｍの場合についても，パーティクルのサイズが０．０６μｍ以上の場合と同様に，ウエハＷの温度と搬送室２００内の温度との温度差を大きくするほど，ウエハＷ表面へのパーティクル付着量が減少することがわかる。図２５に示す実線グラフによれば，その室温とウエハＷとの温度差が０℃から＋１２℃程度までの範囲でパーティクル付着量が減少し，計算上では温度差が＋１２℃を超えるとさらにパーティクル付着量が減少している。従って，温度差が＋１２℃を超えるようにした方がパーティクル付着量もさらに減少させることができるとも考えられる。
ところが，実際には，搬送室２００の室内温度とウエハＷの温度との温度差が＋１２℃を超えると，ウエハＷ表面上に自然対流が発生し始め，温度差が大きくなるに連れて自然対流も大きくなることがわかってきた。この自然対流はウエハＷの表面（被処理面）から上昇する方向に発生する。このため，例えば図２に示すように搬送室２００内に形成されるダウンフロー２３４のように，ウエハＷの被処理面上の自然対流と反対向きに対向する強制気流があると，ウエハＷの被処理面上の所々に例えば図２６に示すようにプルームのような乱流が発生する。このような乱流が発生すると，パーティクルがウエハＷの被処理面上に付着し易くなるので，温度勾配による熱泳動力などの斥力によるパーティクル付着防止効果を十分に発揮できなくなる虞がある。
従って，ウエハＷの温度とウエハＷ表面へのパーティクル付着量との関係についても，温度差が＋１２℃を超える範囲では，実際には図２５に示す２点鎖線のように僅かではあるが徐々に悪化する傾向になると推察できる。なお，このような現象は，パーティクルのサイズが０．０２μｍの場合のみならず，パーティクルのサイズが０．０６μｍよりも小さい場合，さらには図８に示すパーティクルのサイズが０．０６μｍ以上の場合についても発生しているものと考えられる。すなわち，図８に示す実験結果についても，温度差が＋１２℃を超える範囲では，僅かではあるがパーティクル付着率が悪化しているが，これはウエハＷの被処理面上に発生した乱流にも起因していると推察できる。
このような乱流の影響は，パーティクルのサイズが小さいほど受け易いので，極微小のパーティクルほど極僅かではあるがウエハＷの表面に付着し易くなるものと考えられる。従って，特にパーティクルのサイズが０．０６μｍよりも小さい極微小なパーティクルの付着防止効果を更に高めるためには，搬送室２００の室内温度とウエハＷの温度との温度差が＋１２℃を超えても，ウエハＷの被処理面上に乱流が発生しないようにすればよいと考えられる。そこで，以下に，ウエハＷの被処理面上の乱流発生を防止できるように構成した基板処理装置の実施形態について説明する。
（第１２実施形態）
ここで，本発明の第１２実施形態について図面を参照しながら説明する。ここでは，ウエハＷを下向きにして搬送することにより，ウエハＷの被処理面上の乱流発生を防止する具体例について説明する。図２７（Ａ），（Ｂ）は，第１２実施形態にかかる搬送機構の概略構成を示す図である。第１２実施形態では，図２に示す搬送機構１６０の代わりに，ウエハＷの下向き搬送を可能とした搬送機構１６１を搬送室２００内に設けたものである。
具体的には搬送機構１６１は例えば図２７（Ａ）に示すように構成される。すなわち，搬送機構１６１のピック１６６の基端側には，ピック１６６を水平軸回りに回転させるための回転機構（例えばモータ）１６５が設けられている。また，ピック１６６の表面にはウエハＷを保持する図示しない保持機構が設けられ，ウエハＷを下向きにしても落ちないように保持できるようになっている。このような保持機構としては例えば静電吸着力によりウエハＷを保持する静電吸着機構によって構成される。
搬送機構１６１によれば，図２７（Ａ）に示すようにピック１６６の上側にウエハＷの被処理面を上方に向けて保持した状態から，回転機構１６５によりピック１６６を水平軸回りに１８０度回転することによって，図２７（Ｂ）に示すようにピック１６６の下側にウエハＷの被処理面を下方に向けて保持した状態にすることができる。さらに，ウエハＷの被処理面を下方に向けて保持したまま，例えば図２７に示すように搬送室２０７内を例えば水平方向に移動できる。
このような構成の第１２実施形態によれば，ウエハＷが収容されているカセット容器４００に暖気５０２を供給することによって暖められたウエハＷを搬送機構１６１で取り出して搬送室２００内でロードロック室１５０まで搬送する。このとき，本実施形態にかかる搬送機構１６１によれば，図２８に示すようにウエハＷの被処理面を下方に向けて保持した状態で搬送室２００内を例えば水平方向に移動させることができる。
具体的には例えば搬送機構１６１のピック１６６によってカセット容器４００から基板搬出入口２１２を介してウエハＷを搬出し，回転機構１６５によりピック１６６を１８０度回転してウエハＷの被処理面が下向きになるように保持し，その状態で搬送室２００内をロードロック室１５０の手前まで移動する。そして，回転機構１６５によりピック１６６を１８０度回転してウエハＷの被処理面が上向きになるようにしてロードロック室１５０内に搬入する。
なお，ウエハＷの搬送する方法はこれに限られるものではない。例えばウエハＷを下向きに保持したままロードロック室１５０内にピック１６６を挿入し，ロードロック室１５０内でピック１６６を１８０度回転してウエハＷの被処理面が上向きになるようにして搬入するようにしてもよい。
このように，搬送室２００内でウエハＷを下向きにして搬送することにより，たとえ搬送室２００の室内温度とウエハＷの温度との温度差が＋１２℃を超えて自然対流が発生したとしてもウエハＷの被処理面内で上昇気流が生じることはなく，しかもウエハＷの被処理面内の自然対流とダウンフロー２３４とが反対向きに対向しない状態で搬送できる。これにより，ウエハＷの被処理面内に乱流が発生することを防止できる。
従って，第１２実施形態のように搬送室２００内でウエハＷを下向きにして搬送することで，ウエハＷの温度を搬送室２００内との温度差が＋１２℃よりも高い温度になるように調整しても，ウエハＷの被処理面内に乱流が発生することを防止できる。このため，例えば温度差が１２℃〜２０℃になるようにウエハＷの温度を調整することもできるようになる。
これにより，例えば図２５の実線グラフのように，パーティクルのサイズが０．０６μｍよりも小さい極微小なパーティクルの付着防止効果を更に高めることができる。また，ウエハＷの被処理面上に乱流が発生しなければ，パーティクルのサイズが０．０６μｍ以上の場合でも，温度差が＋１２℃よりも高い範囲において図２５の実線グラフと同様にパーティクル付着率はさらに下がるものと推察できる。これにより，パーティクルのサイズに拘わらず，パーティクル付着防止効果をより一層高めることができる。従って，特にパーティクルのサイズが０．０６μｍよりも小さい極微小なパーティクルがウエハＷに付着することをより高い精度で防止したい場合には，ウエハＷの温度をより高く調整して搬送室２００内でウエハＷを下に向けて搬送することも効果的である。
なお，第１２実施形態では搬送機構１６１を搬送室２００に適用した場合について説明したが，これに限られるものではなく，上述した他の搬送室２０２〜２０６のいずれに適用してもよい。この場合，例えば搬送機構１６１を図１７に示す搬送室２０４に適用する際には，搬送機構１６１のピック１６６にヒートエレメント２８０を埋め込んで，ウエハＷを暖めることができるように構成してもよい。また，搬送機構１６１を図２１に示す搬送室２０６に適用する際には，光照射部５２０を搬送機構１６１よりも下方に設け，搬送機構１６１でウエハＷを下向きに保持した状態で光照射部５２０により加熱するようにしてもよい。
（第１３実施形態）
次に，本発明の第１３実施形態について図面を参照しながら説明する。ここでは，搬送中のウエハＷの被処理面に沿った気体の流れを形成することにより，ウエハＷの被処理面上の乱流発生を防止する具体例について説明する。図２９は，第１３実施形態にかかる搬送室２０７の概略構成を示す図であって，搬送機構１６０が水平に移動可能な領域の部分断面図である。
図２９に示す搬送室２０７は，搬送機構１６０に保持されるウエハＷの被処理面に沿った気体の流れを強制的に形成する流れ形成手段が設けられている。この流れ形成手段は，例えば図２９に示すように，搬送室２０７内を一方の側壁から他方の側面に向かうサイドフロー２３５を形成するサイドフロー形成手段として構成される。
以下，サイドフロー形成手段の具体的構成例について説明する。筐体２１０の互いに対向する一方の側壁には複数の給気口２１５が形成されており，他方の側壁には複数の排気口２１７が形成されている。複数の給気口２１５の内側には，これらの給気口２１５から外気を搬送室２０７内に導入するための給気ファン２３１が設けられており，給気ファン２３１のさらに内側には給気ファン２３１によって導入された外気をフィルタリングする給気フィルタ２３３が設けられている。なお，サイドフロー形成手段を設ける筐体２１０の側壁としては，搬送室２０７の断面略矩形状の短辺を構成する側壁であってもよく，また搬送室２０７の断面略矩形状の長辺を構成する側壁であってもよい。
このように，図２９に示す搬送室２０７は，図２に示す搬送室２００のダウンフロー形成手段を構成する給気口２１４，排気口２１６，給気ファン２３０，給気フィルタ２３２などの代わりに，サイドフロー形成手段を設けたものである。従って，その他の部分は図２に示す搬送室２００と同様の構成であるため，その詳細な説明を省略する。
このような構成の第１３実施形態によれば，ウエハＷが収容されているカセット容器４００に暖気５０２を供給することによって暖められたウエハＷを搬送機構１６０で取り出して搬送室２０７内でロードロック室１５０まで搬送する。このとき，本実施形態にかかるサイドフロー形成手段によれば，搬送機構１６０がウエハＷを保持して水平方向に移動している間は常にそのウエハＷの被処理面に沿ったサイドフロー２３５が形成される。
このため，たとえ搬送室２０７の室内温度とウエハＷの温度との温度差が＋１２℃を超えて自然対流が発生してウエハＷの被処理面内で上昇気流が生じたとしても，その上昇気流とサイドフロー２３５とが反対向きに対向しない状態で搬送できる。これにより，ウエハＷの被処理面内に乱流が発生することを防止できる。
従って，第１３実施形態のように少なくとも搬送機構１６０が水平に移動可能な領域にウエハＷの被処理面に沿った空気の流れ，すなわちサイドフロー２３５を形成することで，ウエハＷの温度を搬送室２０７内との温度差が＋１２℃よりも高い温度になるように調整しても，ウエハＷの被処理面内に乱流が発生することを防止できる。このため，例えば温度差が１２℃〜２０℃になるようにウエハＷの温度を調整することもできるようになる。
これにより，例えば図２５の実線グラフのように，パーティクルのサイズが０．０６μｍよりも小さい極微小なパーティクルの付着防止効果を更に高めることができるとともに，パーティクルのサイズが０．０６μｍ以上の場合でも，パーティクルの付着防止効果を更に高めることができる。これにより，パーティクルのサイズに拘わらず，パーティクル付着防止効果をより一層高めることができる。従って，特にパーティクルのサイズが０．０６μｍよりも小さい極微小なパーティクルがウエハＷに付着することをより高い精度で防止したい場合には，搬送室２０７内にサイドフローを形成することも効果的である。
なお，図２９に示す構成例では，サイドフロー形成手段を搬送機構１６０が水平に移動可能な領域，すなわち搬送室２０７における側壁の高さ方向の一部に設けた場合を例に挙げて説明したが，これに限定されるものではなく，サイドフロー形成手段を搬送室２０７における側壁の高さ方向の全体にわたって設けるようにしてもよい。また，上記サイドフロー形成手段とダウンフロー形成手段とを両方設けるようにしてもよい。この場合には，通常はダウンフロー形成手段によりダウンフローを形成し，搬送機構１６０でウエハＷを保持して水平に移動する場合にのみ，サイドフロー形成手段によりサイドフローを形成するようにしてもよい。また，第１３実施形態におけるサイドフロー形成手段は，他の第２〜第１２実施形態と組合せるようにしてもよい。この場合においても，上記サイドフロー形成手段はダウンフロー形成手段の代わりに設けるようにしてもよく，またダウンフロー形成手段とともに設けるようにしてもよい。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば，本発明を図１，図２３に示すような構成の基板処理装置１００，１０２に適用した場合についてその第１〜第１３実施形態を説明したが，本発明はこれに限られるものではない。上記第１〜第１３実施形態にかかる基板処理装置１００，１０２の他にも様々な種類の基板処理装置にも本発明を適用することができる。例えば，縦型熱処理装置，塗布現像装置などの基板処理装置に本発明を適用してもよい。
本発明は，基板処理装置およびパーティクル付着防止方法に適用可能である。
本発明の第１実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。 本発明の第１実施形態にかかる暖気供給部が接続されたカセット台と，このカセット台が接続された搬送室の概略構成を示す縦断面図である。 図２の暖気供給部とその近傍の拡大図である。 室温のウエハと２７℃のウエハについて，表面上に付着したパーティクルの量を比較した実験結果を示す図である。 図４の実験において各ウエハの表面上に付着したパーティクルをサイズごとに分類し，サイズごとの数を表にまとめた図である。 室温のウエハと３５℃のウエハについて，表面上に付着したパーティクルの量を比較した実験結果を示す図である。 図６の実験において各ウエハの表面上に付着したパーティクルをサイズごとに分類し，サイズごとの数を表にまとめた図である。 室温を基準としたウエハの温度とウエハ表面に付着したパーティクルの量との関係を示す図である。 雰囲気圧力とウエハ表面に付着したパーティクルの量との関係を示す図である。 ウエハ表面近傍の雰囲気に現れる温度勾配の特性曲線を概念的に示す図であって，同図（Ａ）はウエハが真空雰囲気にある場合であり，同図（Ｂ）はウエハが大気圧雰囲気にある場合である。 本発明の第２実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室の概略構成を示す縦断面図である。 同実施形態にかかる搬送室の基板搬出入口近傍の拡大図である。 本発明の第３実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室の概略構成を示す縦断面図である。 同実施形態にかかる搬送室の基板搬出入口近傍の拡大図である。 本発明の第４実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室の概略構成を示す縦断面図である。 同実施形態にかかる光照射部とカセット容器の拡大図である。 本発明の第５実施形態にかかるピックの内部構造を説明するための図である。 本発明の第６実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室の概略構成を示す縦断面図である。 本発明の第７実施形態にかかるオリエンタの概略構成を示す縦断面図である。 本発明の第８実施形態にかかるオリエンタの概略構成を示す縦断面図である。 本発明の第９実施形態にかかる温度調整手段を備えた搬送室の概略構成を示す縦断面図である。 本発明の第１０実施形態にかかる温度調整手段を備えたロードロック室の概略構成を示す縦断面図である。 本発明の第１１実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。 本発明の第１１実施形態にかかる温度調整手段を備えたロードロック室の概略構成を示す縦断面図である。 室温を基準としたウエハの温度とウエハ表面に付着したパーティクルの量との関係を示す図であって，パーティクルのサイズが０．０２μｍの場合についてのグラフを図８のグラフに重ねて表わしたものである。 室内温度とウエハの温度との温度差が大きい場合に，ウエハの被処理面上に発生する乱流の模式図である。 本発明の第１２実施形態における搬送機構の構成例を示す図であって，同図（Ａ）はウエハを上向きに保持している場合を示し，同図（Ｂ）はウエハを下向きに保持している場合を示す。 ウエハを下向きに保持したまま搬送している状態を示す図である。 本発明の第１３実施形態における搬送室の構成例を示す図である。
符号の説明
１００，１０２ 基板処理装置
１１０（１１０Ａ，１１０Ｂ） 真空処理ユニット
１２０ 搬送ユニット
１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ） カセット台
１３４ 暖気供給口
１３６ 暖気排出口
１３８ カセット台
１４０（１４０Ａ，１４０Ｂ） 処理室
１４２（１４２Ａ，１４２Ｂ） 載置台
１４４（１４４Ａ，１４４Ｂ） ゲートバルブ
１５０（１５０Ａ，１５０Ｂ） ロードロック室
１５２（１５２Ａ，１５２Ｂ） ゲートバルブ
１５４（１５４Ａ，１５４Ｂ） バッファ用載置台
１５６（１５６Ａ，１５６Ｂ） バッファ用載置台
１６０，１６１ 搬送機構
１６２ 基台
１６４（１６４Ａ，１６４Ｂ） 多関節アーム
１６５ 回転機構
１６６（１６６Ａ，１６６Ｂ） ピック
１６８ 案内レール
１７０（１７０Ａ，１７０Ｂ） 個別搬送機構
１７２（１７２Ａ，１７２Ｂ） ピック
１８０，１８８ オリエンタ
１８２ 回転載置台
１８４ 光学センサ
１８６ 支柱
１９０ ヒートエレメント
１９２ 電力供給ライン
１９４ 電源
１９６ 光照射部
１９８ 光
２００〜２０７ 搬送室
２１０ 筐体
２１０Ａ 側壁
２１２ 基板搬出入口
２１４，２１５ 給気口
２１６，２１７ 排気口
２２０（２２０Ａ〜２２０Ｃ） 開閉ドア
２２２ アクチュエータ
２２４ 伸縮ロッド
２２６ 蓋開閉機構
２２８ ゲートバルブ
２３０，２３１ 給気ファン
２３２，２３３ 給気フィルタ
２３４，２３６ ダウンフロー
２３５ サイドフロー
２４０，２４４ 隔壁
２４２，２４６ 上部気体流路
２４８ 暖気導入管
２５２，２５６ 下部気体流路
２６０，２６２ 内側基板搬出入口
２７０ 光照射部
２７２ ブラケット
２７４ 光
２８０ ヒートエレメント
２８２ 電力供給ライン
２８４ 電源
２９０ ダウンフロー冷却手段
２９２ 室内熱交換部
２９４ 室外熱交換部
２９６ 冷媒管
３００ 制御部
４００（４００Ａ〜４００Ｃ） カセット容器
４０２ 開閉蓋
４０４ 通気口
５００，５１０ 暖気供給部
５０２，５１２ 暖気
５１４ 暖気導入管
５１６ 暖気導出管
５２０ 光照射部
５２２ 光
５３０ 光照射部
５３２ 光
６００ 真空処理ユニット
６１０ 共通搬送室
６１２ 処理ユニット側搬送機構
６１２Ａ，６１２Ｂ ピック
６２０（６２０Ａ〜６２０Ｄ） 第１〜第４処理室
６２２Ａ〜６２２Ｄ 載置台（サセプタ，下部電極）
６２４ シャワーヘッド（上部電極）
６２６ ガス噴射孔
６２８ 処理ガス源
６３０Ｍ 第１ロードロック室
６３０Ｎ 第２ロードロック室
６３２Ｍ 受渡台
６３２Ｎ 受渡台
６４０Ａ〜６４０Ｄ ゲートバルブ
６４０Ｍ，６４０Ｎ ゲートバルブ
６４２Ｍ，６４２Ｎ ゲートバルブ
６５０ 光照射部
６５２ 光
６６０ 光照射部
６６２ 光
６７０ 高周波電源
６７２ 整合器
６７４ 高周波電源
６７６ 整合器
７００ 制御部
ＴＳ１，ＴＳ２ 温度センサ
Ｗ ウエハ

Claims (33)

  1. 被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行う搬送室と，
    前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，
    前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，
    前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段と，
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記温度調整手段は，前記基板収容容器から前記搬送室に搬送する直前の前記被処理基板の温度が前記搬送室の室内温度よりも高くなるように，前記基板収容容器に収容された前記被処理基板の温度と前記搬送室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記温度調整手段は，前記搬送室から前記ロードロック室に搬送する直前の前記被処理基板の温度が前記ロードロック室の室内温度よりも高くなるように，前記搬送室内の前記被処理基板の温度と前記ロードロック室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する手段を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記温度調整手段は，前記ロードロック室から前記搬送室に搬送する直前の前記被処理基板の温度が前記搬送室の室内温度よりも高くなるように，前記ロードロック室内の前記被処理基板の温度と前記搬送室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する手段を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記温度調整手段は，前記被処理基板に対して所定の波長を含む光を照射して，前記被処理基板の温度を調整する光照射部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記光は，近赤外線光であることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記温度調整手段は，搬入する直前の前記被処理基板の温度よりも低い温度に調整された冷気を，前記被処理基板を搬入しようとする室に供給して，その室の室内温度を調整する冷気供給部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 前記冷気供給部は，前記被処理基板を搬入しようとする室の室内へ外気を導入する給気部と，
    前記給気部が導入した前記外気を冷却して前記冷気を生成する冷却部と，
    を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記温度調整手段は，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも２〜１２℃高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 前記被処理基板を搬入しようとする室の内部の圧力は２００Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記被処理基板を搬入しようとする室の内部の圧力は３００Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  12. 被処理基板を収容する基板収容容器を搬出入口にセットし，この基板収容容器内の被処理基板を搬出入口を介して搬送室内に搬入して，前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって，
    前記基板収容容器から前記搬送室に搬入される直前の前記被処理基板の温度が前記搬送室内の温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度と前記搬送室内の温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  13. 前記温度調整手段は，前記搬送室内の温度よりも高い温度に調整された暖気を前記基板収容容器内に供給して，前記被処理基板の温度を調整する暖気供給部を含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記暖気供給部は，前記基板収容容器の近傍に配設し，前記基板収容容器に形成される通気口から前記暖気を前記基板収容容器内に供給するように構成したことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記搬送室は，その内側に前記搬出入口内に前記暖気を案内する気体流路を備え，
    前記暖気供給部は，前記気体流路を介して前記暖気を前記搬出入口から前記基板収容容器内に供給するように構成したことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  16. 前記搬送室は，前記基板収容容器をセットする前記搬出入口を複数備え，前記搬出入口ごとに前記気体流路を備えたことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記搬送室は，前記被処理基板を保持する基板保持部を有する搬送機構を備え，
    前記温度調整手段は，前記基板収容容器から被処理基板を取り出すために前記基板収容容器内に前記基板保持部を挿入して前記被処理基板を保持したときに，この被処理基板を加温する加温部を含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  18. 被処理基板を収容する基板収容容器を搬出入口にセットし，この基板収容容器内の被処理基板を搬出入口を介して搬送室内に搬入して，前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって，
    前記搬送室に接続され，前記被処理基板を一時的に収容する収容室を備え，
    前記収容室は，その内部に収容された前記被処理基板の温度が前記搬送室内の温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度を調整する温度調整手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  19. 前記収容室は，前記被処理基板の位置合わせを行う位置合わせ室であり，
    前記温度調整手段は，前記位置合わせ室内に設けられた載置台に載置された前記被処理基板の温度を調整するように構成したことを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
  20. 前記温度調整手段は，前記載置台を加温して前記被処理基板の温度を調整する加温部を含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
  21. 前記温度調整手段は，前記載置台に載置された前記被処理基板に対して，所定の波長を含む光を照射して前記被処理基板の温度を調整する光照射部を含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
  22. 前記温度調整手段は，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも２〜１２℃高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整することを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
  23. 前記被処理基板を搬入しようとする室の内部の圧力は２００Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項２２に記載の基板処理装置。
  24. 前記被処理基板を搬入しようとする室の内部の圧力は３００Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項２２に記載の基板処理装置。
  25. 被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行う搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，を備える基板処理装置における前記被処理基板の表面上へのパーティクルの付着を防止する方法であって，
    前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整することを特徴とするパーティクル付着防止方法。
  26. 被処理基板を収容する基板収容容器を搬出入口にセットし，この基板収容容器内の被処理基板を搬出入口を介して搬送室内に搬入して，前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置における前記被処理基板の表面上へのパーティクルの付着を防止する方法であって，
    前記基板収容容器から前記搬送室に搬入される直前の前記被処理基板の温度が前記搬送室内の温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度と前記搬送室内の温度のうちの少なくとも一方を調整することを特徴とするパーティクル付着防止方法。
  27. 基板収容容器に収容された被処理基板を少なくとも１つ以上の室を介して処理室まで搬送し，前記被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって，
    前記基板収容容器から前記処理室までの間に搬入される室のうち少なくとも一室又は各室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  28. 前記被処理基板を搬入しようとする室の内部の圧力は２００Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項２７に記載の基板処理装置。
  29. 前記被処理基板を搬入しようとする室の内部の圧力は３００Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項２７に記載の基板処理装置。
  30. 被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行い，前記搬送室内を移動して前記被処理基板を搬送する搬送機構を設けた搬送室と，
    前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，
    前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，
    前記搬送機構によって前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段と，を備え，
    前記搬送機構は，前記被処理基板を保持する基板保持部と，前記被処理基板を保持したまま前記基板保持部を水平軸回りに回転可能な回転機構とを有し，前記搬送室内で前記被処理基板を搬送する際は，前記被処理基板をその被処理面が下向きになるように保持しながら前記搬送室内を移動することを特徴とする基板処理装置。
  31. 被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行い，前記搬送室内を移動して前記被処理基板を搬送する搬送機構を設けた搬送室と，
    前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，
    前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，
    前記搬送機構によって前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整する温度調整手段と，を備え，
    前記搬送室は，少なくとも前記搬送機構が前記搬送室内で移動する領域に，前記搬送機構によって搬送される前記被処理基板の被処理面に沿った気体の流れを強制的に形成する流れ形成手段を設けたことを特徴とする基板処理装置。
  32. 被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行い，前記搬送室内を移動して前記被処理基板を搬送する搬送機構を設けた搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，を備える基板処理装置における前記被処理基板の被処理面へのパーティクルの付着を防止する方法であって，
    前記搬送機構は，前記被処理基板を保持する基板保持部と，前記被処理基板を保持したまま前記基板保持部を水平軸回りに回転可能な回転機構とを備え，
    前記搬送機構によって前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整し，
    前記搬送機構によって前記搬送室内で前記被処理基板を搬送する際は，前記被処理基板をその被処理面が下向きになるように保持しながら前記搬送室内を移動することを特徴とするパーティクル付着防止方法。
  33. 被処理基板を収容する基板収容容器がセットされる搬出入口を介して前記基板収納容器との間で前記被処理基板の受け渡しを行い，前記搬送室内を移動して前記被処理基板を搬送する搬送機構を設けた搬送室と，前記被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，前記処理室と前記搬送室とを接続するロードロック室と，を備える基板処理装置における前記被処理基板の被処理面へのパーティクルの付着を防止する方法であって，
    前記搬送機構によって前記搬送室と前記ロードロック室のうちの少なくとも一室に前記被処理基板を搬入する際に，搬入する直前の前記被処理基板の温度が搬入しようとする室の室内温度よりも高くなるように，前記被処理基板の温度とその室の室内温度のうちの少なくとも一方を調整し，
    前記搬送機構によって前記搬送室内で前記被処理基板を搬送する際は，前記搬送機構によって搬送される前記被処理基板の被処理面に沿った気体の流れを強制的に形成することを特徴とするパーティクル付着防止方法。
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