JP2997717B2 - 真空処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の真空処理装置としては、被処理体
をカセット単位で真空雰囲気下にローディングした後、
各被処理体をカセットから被処理体を１枚ずつ取り出し
て所定の真空処理を行なうように構成された枚葉式のも
のがある。このような真空処理装置の具体的なものとし
ては、例えば特開平３−１９２５２号公報に記載された
多段真空隔離式処理装置が知られている。この処理装置
は、エッチング、デポジション等の処理を行なう複数の
真空処理チャンバーと、選択された各真空処理チャンバ
ーで所定の処理を行なうように被処理体を搬送する移送
ロボットステーションと、移送ロボットステーションに
連設され上記各真空処理の前処理、後処理等を行なう中
間処理チャンバーと、中間処理チャンバーとロードロッ
クチャンバーとの間で被処理体を遣取りするバッファロ
ボットチャンバーとを備えて構成されている。そして、
被処理体を処理する場合には、上述したように、上記各
チャンバー及びロボットステーションは、いずれも多段
階に真空引きされ、それぞれの処理を真空下で行なうよ
うに構成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
真空処理装置の場合には、ロードロックチャンバーと中
間処理チャンバー間の被処理体の遣取りに伴う搬送を真
空中で行なうため、摩擦力で被処理体を支持体上に保持
した状態で被処理体を搬送する必要があり、被処理体の
カセットからの取り出し動作やカセットへの被処理体の
収納動作に伴って被処理体が位置ずれを起こすなどして
搬送動作が不正確になり、時には被処理体の取りこぼし
を生じ搬送の信頼性に欠け、また、中間処理チャンバー
とロードロックチャンバーが個別に設けられているた
め、被処理体の搬送効率が悪くスループットが低下する
という課題があった。

【０００４】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、真空処理前後の被処理体の予熱及び冷却を
搬送途中で効率良く行うことができると共に省スペース
化を実現することができ、ひいては真空処理のスループ
ットを向上させることができる真空処理装置を提供する
ことを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の真空処理装置は、少なくとも一つの真空処理室と、こ
の真空処理室に気密を保持して連通可能で連設された移
載室と、この移載室に連通可能に連設された少なくとも
一つの予備真空処理室と、この予備真空処理室に連通可
能に連設された少なくとも一つのローダ室とを備え、上
記ローダ室と上記予備真空処理室との間の被処理体の搬
送を上記ローダ室に設けられた移載装置により大気圧以
上の不活性ガス中で行なう真空処理装置であって、上記
予備真空処理室は上下に配置された上記被処理体の加熱
手段及び冷却手段を備え、上記予備真空処理室と上記移
載室の間及び上記予備真空処理室と上記ローダ室の間に
それぞれ仕切り弁を設けたことを特徴とするものであ
る。

【０００６】また、本発明の請求項２に記載の真空処理
装置は、請求項１に記載の発明において、上記ローダ室
が、上記被処理体を収納するカセットを載置する載置部
と、上記被処理体を位置決めする位置決め装置とを備え
たことを特徴とするものである。

【０００７】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、大気
圧以上の不活性ガス雰囲気でローダ室の移載装置が駆動
してこのローダ室から被処理体を上記ローダ室に連通す
る予備真空処理室内へ移載した後、上記予備真空処理室
を真空引きすると共に上記被処理体に予熱処理を施し、
その後、移載室を介して上記予備真空処理室から加熱後
の被処理体を少なくとも一つの真空処理室内へ移載して
この真空処理室内で上記被処理体に真空処理を施した
後、この被処理体を上記移載室を介して上記真空処理室
から上記予備真空処理室内へ移載した後、この予備真空
処理室の真空状態を解除すると共に上記被処理体に冷却
処理を施し、その後、上記移載装置を駆動して上記予備
真空処理室から上記ローダ室内へ冷却後の被処理体を移
載することによって一連の真空処理を行なうことができ
る。

【０００８】 また、本発明の請求項２によれば、請求
項１に記載の発明において、上記移載装置により載置部
のカセットから予備真空処理装置内へ上記被処理体を移
載する際に、位置決め装置により上記被処理体を真空処
理に必要な方向へ正確に位置決めしてから上記予備真空
処理室内へ収納することができる。

【０００９】

【実施例】以下、図１〜図３に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。本実施例の真空処理装置は、図１に示
すように、所定の真空処理を行なう、第１真空処理室１
１、第２真空処理室１２及び第３真空処理室１３と、各
真空処理室１１、１２、１３に気密を保持して連通可能
で連設された移載室２０と、この移載室２０に連通可能
に連設された第１予備真空処理室３１及び第２予備真空
処理室３２と、各予備真空処理室３１、３２に連通可能
に連設された一つのローダ室４０とを備え、上記ローダ
室４０と上記各予備真空処理室３１、３２との間の被処
理体（例えば、半導体ウエハ）Ｗの搬送を上記ローダ室
４０に設けられた第１移載装置４１により大気圧に調整
された気体（例えば、窒素ガス）中で行なうように構成
されている。

【００１０】そして、上記各真空処理室１１、１２、１
３は、それぞれ処理内容を異にしており、例えば、第１
真空処理室１１では半導体ウエハＷにエッチング処理を
施して不要な薄膜を除去し、第２真空処理室１２では第
１真空処理室１１でのエッチング処理に続いて半導体ウ
エハＷにスパッタリング処理を施して配線膜との薄膜を
形成し、第３真空処理室１３では第２真空処理室１２で
のスパッタリング処理に続いて半導体ウエハＷに更に別
のスパッタリング処理を施して上記薄膜とは別の薄膜を
形成するように構成されている。そして、上記各真空処
理室１１、１２、１３は、略矩形状に形成された移載室
２０を三方向から囲むように配置され、この移載室２０
との間で半導体ウエハＷを遣取りするように構成されて
いる。また、上記各真空処理室１１、１２、１３と上記
移載室２０の間にはゲートバルブ５１、５２、５３がそ
れぞれ配設され、各ゲートバルブ５１、５２、５３の開
放時に上記各真空処理室１１、１２、１３が上記移載室
２０にそれぞれ連通するように構成されている。

【００１１】また、上記移載室２０は、図１に示すよう
に、上記各真空処理室１１、１２、１３及び上記各予備
真空処理室３１、３２との間で半導体ウエハＷを遣取り
する第２移載装置２１と、この室内を１０−７〜１０−
８Torrに真空引きする真空ポンプ（図示せず）を備えて
構成されている。そして、この第２移載装置２１は、リ
ンク機構によって屈伸自在に構成されたアーム２１Ａ
と、このアーム２１Ａの先端に連結されたハンド２１Ｂ
とを備え、上記アーム２１Ａを屈伸させてハンド２１Ｂ
上に半導体ウエハＷを摩擦力で保持するように構成され
ている。つまり、上記移載室２０は、真空処理装置の稼
動時には常に真空状態に保持され、真空雰囲気下で上記
各真空処理室１１、１２、１３と上記予備真空処置室３
１、３２との間で半導体ウエハＷを効率良く移載できる
ように構成されている。

【００１２】また、上記各予備真空処理室３１、３２
は、それぞれ同一構成を有した処理室で、上記移載室２
０の残る一方向にそれぞれ配置されており、上記移載室
２０を介して上記各真空処理室１１、１２、１３との間
で半導体ウエハＷを遣取りするように構成されている。
また、上記各予備真空処理室３１、３２と上記移載室２
０の間にはゲートバルブ５４、５５がそれぞれ配設さ
れ、各ゲートバルブ５４、５５の開放時に上記各予備真
空処理室３１、３２が上記移載室２０にそれぞれ連通す
るように構成され、また、上記各予備真空処理室３１、
３２と上記ローダ室４０との間にはゲートバルブ５６、
５７がそれぞれ配設され、各ゲートバルブ５６、５７の
開放時に上記各予備真空処理室３１、３２が上記ローダ
室４０にそれぞれ連通するように構成されている。

【００１３】そこで、上記予備真空処理室３１について
更に説明する。上記予備真空処理室３１は、図示しない
が例えば、その内部を１０−５〜１０−６Torrに真空引
きできる真空ポンプと、内部で昇降可能に構成された半
導体ウエハＷの載置具と、この載置具の上下にそれぞれ
配設された加熱装置及び冷却装置とを備えて構成されて
いる。そして、上記予備真空処理室３１と上記ローダ室
４０との間で半導体ウエハＷを遣取りする際には、上記
ゲートバルブ５４を閉止し、他のゲートバルブ５６を開
放した大気圧の窒素ガス中で半導体ウエハＷを授受する
ように構成されている。また、上記予備真空処理室３１
と上記各真空処理室１１、１２、１３との間で上記移載
室２０を介して半導体ウエハＷを遣取りする際には、上
記ゲートバルブ５４を開放し、他のゲートバルブ５６を
閉止した真空中で半導体ウエハＷを遣取りするように構
成されている。尚、上記予備真空処理室３１は、単に半
導体ウエハＷを上記ローダ室４０と上記移載室２０間で
半導体ウエハＷを遣取りする際の仮置き室として用いる
こともできる。

【００１４】また、上記ローダ室４０は、上記第１移載
装置４１の他、例えば２５枚の半導体ウエハＷが収納さ
れたカセットＣを載置する左右２箇所の載置部４２、４
２と、これら両載置部４２、４２から上記第１移載装置
４１により移載された半導体ウエハＷをそのオリエンテ
ーションフラット（以下、単に「オリフラ」と称す。）
を介して真空処理時の結晶方向に１枚ずつ位置決めする
位置決め装置４３と、これらが収納された室内の窒素ガ
スを大気圧に調整して保持する気圧調整装置（図示せ
ず）とを備えて構成されている。そして、上記気圧調整
装置によって大気圧に調整された窒素ガス中で、上記第
１移載装置４１を用いて上記ローダ室４０のカセットＣ
と上記各予備真空処理室３１、３２の間での半導体ウエ
ハＷを搬送するように構成されている。また、上記第１
移載装置４１は、上記カセットＣから上記各予備真空処
理室３１、３２へ半導体ウエハＷを移載する途上で、上
記位置決め装置４３で半導体ウエハＷのオリフラを基準
にして真空処理時の結晶方向に位置決めを行なった後、
上記位置決め装置４３から上記各予備真空処理室３１、
３２へ移載するように構成されている。

【００１５】そして、上記ローダ室４０に用いられる不
活性ガスは、半導体ウエハＷを形成するシリコン等と反
応しないものであればよく、この不活性ガスとしては、
例えば、窒素、炭酸ガス、及びアルゴンなどの希ガス等
を挙げることができる。尚、図１において、５８、５９
はカセットＣを出し入れする際に用いられるゲートバル
ブである。

【００１６】また、上記第１移載装置４１は、図１、図
２に示すように、リンク機構によって屈伸自在に構成さ
れたアーム４１Ａと、このアーム４１Ａの先端に連結さ
れたハンド４１Ｂと、このハンド４１Ｂの上面に形成さ
れた孔４１Ｃで半導体ウエハＷを真空吸着するように真
空排気管４１Ｄを介して排気する真空ポンプ（図示せ
ず）とを備えて構成されている。そして、上記第１移載
装置４１は、半導体ウエハＷを移載する際には、そのア
ーム部４１Ａを伸ばしてカセットＣ内の半導体ウエハＷ
間へ挿入し、ハンド４１Ｂに半導体ウエハＷを載せると
共に真空ポンプにより真空排気管４１Ｄを介して排気し
て半導体ウエハＷをハンド４１Ｂの孔４１Ｃを介して正
確に吸着固定して半導体ウエハＷを脱落させることなく
搬送し、搬送後には真空吸着を解除して所定の位置へ半
導体ウエハＷを正確に載置するように構成されている。

【００１７】次に、上記真空処理装置を用いた本発明の
真空処理方法の好ましい実施例について説明する。本実
施例方法は、例えば、窒素ガスによって大気圧に保持さ
れたローダ室４０からこのローダ室４０に連通する第２
予備真空処理室３２内へ半導体ウエハＷを移載する第１
工程と、第２予備真空処理室３２の真空引きを行なうと
共に上記半導体ウエハＷの温度調整を行なう第２工程
と、第２予備真空処理室３２から第３真空処理室１３内
へ温度調整後の半導体ウエハＷを移載して真空処理を行
なう第３工程と、上記第３真空処理室１３から上記第２
予備真空処理室３２内へ真空処理後の半導体ウエハＷを
移載した後、上記第２予備真空処理室３２の真空状態を
解除すると共に上記半導体ウエハＷの温度調整を行なう
第４工程と、上記第１予備真空処理室３２から上記ロー
ダ室４０内へ温度調整後の半導体ウエハＷを移載する第
５工程とを備えて構成されている。

【００１８】そこで、本実施例方法として、例えば、第
１真空処理室１１、第２真空処理室１２及び第３真空処
理室１３でそれぞれの真空処理をこの順序で行なった
後、この処理後の半導体ウエハＷと新たな半導体ウエハ
Ｗとを交換する場合について説明する。

【００１９】例えば、上記第１工程及び第２工程はそれ
ぞれ各真空処理室１１、１２、１３での真空処理と並行
して行なわれる。それにはまず、第１工程が以下のよう
にして行なわれる。即ち、ローダ室４０の第１移載装置
４１は、そのアーム４１Ａを左側の載置部４２に置かれ
たカセットＣ内に挿入し、ハンド４１Ｂの孔４１Ｃを介
して半導体ウエハＷを真空吸着した後、アーム４１Ａを
曲げてカセットＣから半導体ウエハＷを矢印(1)で示す
ように取り出し、更に、アーム４１Ａを回転させながら
矢印(2)で示す方向へ伸ばして半導体ウエハＷの真空吸
着を解除して位置決め装置４３上に半導体ウエハＷを載
置する。この位置決め装置４３は半導体ウエハＷのオリ
フラを所定の方向への位置決めを行なう。その後、第１
移載装置４１は、そのハンド４１Ｂによって位置決め後
の半導体ウエハＷを真空吸着した状態でアーム４１Ａを
曲げて矢印(3)で示す方向へ取り出し、更に、アーム４
１Ａを回転させながら矢印(4)で示す方向へ伸ばした
後、真空吸着を解除してハンド４１Ｂから半導体ウエハ
Ｗを解放して第２予備真空処理室３２内に収納する。

【００２０】上記第１工程に引き続いて第１移載装置４
１は、そのハンド４１Ｂ上に真空処理後の半導体ウエハ
Ｗを真空吸着して第２予備真空処理室３２からこの半導
体ウエハＷを矢印(5)で示すように取り出し、そのまま
アーム４１Ａを回転させた後、アーム４１Ａを伸ばして
カセットＣの空いた箇所に半導体ウエハＷを収納する。
その後、第２工程が行なわれる。即ち、第２予備真空処
理室３２では、そのゲートバルブ５７が閉止する一方、
その真空ポンプが駆動して内圧を１０−５〜１０−６To
rrの真空度に真空引きすると共に半導体ウエハＷの温度
調整として加熱装置によって半導体ウエハＷを予熱す
る。また、必要に応じて上記第２予備真空処理室３２と
他の第１予備真空処理室３１とを交互に用いることによ
ってローダ室４０の第１移載装置４１及び移載室２０の
第２移載装置２１をより効率良く稼動させて真空処理を
更に効率的且つ短時間で行なうことができ、真空処理装
置のスループットを更に向上させることができる。

【００２１】上記第２工程が終了すると第４工程の前半
の工程が行なわれる。即ち、各真空処理室１１、１２、
１３での真空処理を終了と共に、第３真空処理室１３及
び第２予備真空処理室３２では、ゲートバルブ５３及び
ゲートバルブ５５がそれぞれ開放すると共に、移載室２
０がその第２移載装置２１を駆動してハンド２１Ｂを第
３真空処理室１３内に挿入し、スパッタリングによって
薄膜が形成された半導体ウエハＷをハンド２１Ｂ上に摩
擦力で保持する。そして、第２移載装置２１は、そのア
ーム２１Ａを曲げて第３真空処理室１３から半導体ウエ
ハＷを矢印で示すように取り出し、更に、アーム２１
Ａを回転させながら矢印で示す方向へ伸ばして半導体
ウエハＷを予備真空処理室３２内の載置具へ半導体ウエ
ハＷを搬入する。

【００２２】続いて以下の半導体ウエハＷの遣取りが行
なわれる。即ち、第２移載装置２１はそのアーム２１Ａ
を回転させてハンド２１Ｂをゲートバルブ５２が既に開
放された第２真空処理室１２内に挿入し、スパッタリン
グによって薄膜が形成された半導体ウエハＷをハンド２
１Ｂ上に載せた後、アーム２１Ａを曲げて第２真空処理
室１２から半導体ウエハＷを矢印で示すように取り出
し、更に、アーム２１Ａを回転させながら矢印で示す
方向へ伸ばして半導体ウエハＷを次の薄膜を形成するた
めに第３真空処理室１３へ搬入する。次いで、第２移載
装置２１はそのハンド２１Ｂをゲートバルブ５１が既に
開放された第１真空処理室１１内に挿入し、エッチング
によって不要な薄膜が除去された半導体ウエハＷをハン
ド２１Ｂ上に載せた後、アーム２１Ａを曲げて第１真空
処理室１１から半導体ウエハＷを矢印で示すように取
り出し、アーム２１Ａを回転させながら矢印で示す方
向へ伸ばして半導体ウエハＷを第２真空処理室１２内へ
搬入する。

【００２３】次いで、上記第３工程が行なわれる。この
時には、上述のように第２予備真空処理室３２では半導
体ウエハＷが加熱装置によって既に予熱されているた
め、第２移載装置２１はそのハンド２１Ｂを第２予備真
空処理室３２内に挿入し、ハンド２１Ｂで予熱された半
導体ウエハＷをハンド２１Ｂ上に載せ、アーム２１Ａを
曲げて第２予備真空処理室３２から半導体ウエハＷを矢
印で示すように取り出し、更に、アーム２１Ａを回転
させながら矢印で示す方向へ伸ばして半導体ウエハＷ
を第１真空処理室１１へ搬入する。そして、上述の各動
作が完了すると共にゲートバルブ５１〜５５を閉止して
各真空処理室１１〜１３ではそれぞれの真空処理を行な
う。このようにそれぞれ異なった真空処理、即ち、エッ
チング処理、スパッタリング処理を同一真空装置内にお
いて連続的に行なうことによって半導体ウエハＷに対し
て複数の真空処理を効率的に行なうことができる。

【００２４】上記真空処理の間に第４工程の後半の工程
及び第５工程がそれぞれ行なわれる。即ち、上記第２予
備真空処理室３２では、そのゲートバルブ５５が閉止す
ると共に、他のゲートバルブ５７が開放して上記第２予
備真空処理室３２をローダ室４０に連通して大気圧の窒
素雰囲気にすると共に移載室２０を介して受け取った真
空処理後の半導体ウエハＷを冷却装置によって冷却し、
冷却後の半導体ウエハＷと新たな半導体ウエハＷとを第
２予備真空処理室３２内で上述の第１工程に従って交換
し、以下同様にして上述の一連の動作が繰り返される。

【００２５】以上説明したように本実施例によれば、各
予備真空処理室３１、３２とローダ室４０との間の半導
体ウエハＷの遣取りを大気圧に調整された窒素ガス中で
行なうようにしたため、第１移載装置４１に真空吸着手
段を用いてそのハンド４１Ｂ上に半導体ウエハＷを取り
こぼしなく真空吸着して半導体ウエハＷを位置ずれさせ
たり脱落させたりすることなく所定の位置決め状態のま
ま正確且つ確実に移載することができ、もって半導体ウ
エハＷを高精度で信頼性の高い真空処理を行なうことが
できる。また、ローダ室４０を大気圧に保持するだけで
良いため、従来のように真空雰囲気を作る真空ポンプ及
び真空ゲージ等の付帯設備を設ける必要がなく、装置を
コンパクトして安価に製作することができる。

【００２６】また、上記各予備真空処理室３１、３２と
ローダ室４０との間の半導体ウエハＷの遣取りを窒素ガ
ス等の不活性ガス中で行なうため、特に真空処理後の半
導体ウエハＷを雰囲気ガスと反応させることなく化学的
に安定した状態で半導体ウエハＷを移載することができ
る。

【００２７】更に、上記各予備真空処理室３１、３２に
加熱装置をそれぞれ設けたため、真空処理前には半導体
ウエハＷを加熱装置で予熱することにより半導体ウエハ
Ｗを各真空処理室１１、１２、１３内に移載後真空処理
を短時間で行なうことができ、また、真空処理時の急激
な加熱による半導体ウエハＷの熱的損傷を防止すること
ができる。また、上記各予備真空処理室３１、３２に冷
却装置をそれぞれ設けたため、真空処理後には半導体ウ
エハＷを冷却装置で冷却するすることにより半導体ウエ
ハＷを予備真空処理室３１、３２からカセットＣへその
まま移載することができる。

【００２８】更にまた、上記ローダ室４０にカセットＣ
の載置部４２及び位置決め装置４３を設けたため、上記
ローダ室４０内に複数のカセットＣを収納して半導体ウ
エハＷを常に待機させて大量の半導体ウエハＷを時間的
ロスなく効率的に処理することができ、また位置決め装
置４３によって大気圧中でオリフラを正確に位置決めす
ることができる。

【００２９】また、二つの予備真空処理室３１、３２を
交互に効率良く使用するとにより真空処理装置のスルー
プットを向上させることができる。

【００３０】図３は本発明の他の実施例に真空処理装置
を示す図で、本実施例の真空処理装置は、同図に示すよ
うに、第１真空処理室１１１及び第２真空処理室１１２
と、各真空処理室１１１、１１２に気密を保持して連通
可能で連設された移載室１２０と、この移載室１２０に
連通可能に連設された第１予備真空処理室１３１及び第
２予備真空処理室１３２と、各予備真空処理室１３１、
１３２に連通可能に連設された一つのローダ室１４０と
を備え、上記ローダ室１４０と上記各予備真空処理室１
３１、１３２との間の半導体ウエハＷの搬送を上記ロー
ダ室１４０に設けられた第１移載装置１４１により大気
圧に調整された窒素ガス中で行なうように構成されてい
る。

【００３１】そして、本実施例では、上記各真空処理室
１１１、１１２は、それぞれ減圧ＣＶＤ装置として構成
され、それぞれ別異の薄膜を半導体ウエハＷに連続的に
積層形成するように構成されている。また、上記ローダ
室１４０は、上記実施例と同様に、真空吸着方式の第１
移載装置１４１、載置部１４２、１４２及び位置決め装
置１４３とを備え、また、上記移載室１２０は第２移載
装置１２１を備えて構成されている。

【００３２】従って本実施例によれば、ＣＶＤ法によっ
て半導体ウエハＷに薄膜を形成する以外は上記実施例と
同様の作用効果を期することができる。

【００３３】尚、上記各実施例では、各予備真空処理室
３１、３２とローダ室４０との半導体ウエハＷの遣取り
を、大気圧に調整した窒素ガス中で行なう場合について
説明したが、本発明では、窒素ガス以外の不活性ガスを
用いることができ、またこの不活性ガスの圧力を大気圧
よりも高い陽圧にしてもよい。

【００３４】また、上記各実施例では、真空処理室を３
室備えたもの、及び２室備えたものについて説明した
が、本発明では、必要に応じて真空処理室を増減するこ
とができる。また、上記各実施例では、異なった真空処
理室を全て利用して異なった真空処理を連続的に行なう
ものについて説明したが、処理内容に応じて異なった真
空処理室のうち必要に応じて適宜選択されたもののみを
用いて真空処理を行なうようにすることもできる。

【００３５】要するに、本発明の真空処理装置は、少な
くとも一つの真空処理室と、この真空処理室に気密を保
持して連通可能で連設された移載室と、この移載室に連
通可能に連設された少なくとも一つの予備真空処理室
と、この予備真空処理室に連通可能に連設された少なく
とも一つのローダ室とを備え、上記ローダ室と上記予備
真空処理室との間の被処理体の搬送を上記ローダ室に設
けられた移載装置により大気圧以上の不活性ガス中で行
なう真空処理装置であって、上記予備真空処理室は上下
に配置された上記被処理体の加熱手段及び冷却手段を備
え、上記予備真空処理室と上記移載室の間及び上記予備
真空処理室と上記ローダ室の間にそれぞれ仕切り弁を設
けたものであれば良く、このように構成された真空処理
装置であれば全て本発明に包含される。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載の発明によれば、大気圧以上の不活性ガス雰囲気の
ローダ室で被処理体を搬送すると共に移載室とローダ室
間に介在する一つの予備真空処理室内で真空処理前後の
被処理体の予熱または冷却を行えるようにしたため、搬
送途中の真空処理前後の被処理体の予熱または冷却を予
備真空処理室内で効率良く行なうことができると共にス
ループットを向上させることができ、しかも加熱手段及
び冷却手段が一つの予備真空処理室内に上下に配置され
ているため、装置の省スペース化を実現することができ
る真空処理装置を提供することができる。

【００３７】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明において、上記ローダ室に
カセットの載置部及び位置決め装置を設けたため、上記
ローダ室内に複数のカセットを収納して被処理体を常に
待機させて大量の被処理体を時間的ロスなく効率的に処
理することができ、また位置決め装置によって大気圧中
で被処理体のオリフラを正確に位置決めする真空処理装
置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空処理装置の一実施例を示す平面図
である。

【図２】図１に示すローダ室に用いられる移載装置を示
す図で、同図（ａ）はその平面図、同図（ｂ）は真空吸
着用の真空配管を示す側面図である。

【図３】本発明の真空処理装置の他の一実施例を示す平
面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １０ 真空処理室 １１ 第１真空処理室 １２ 第２真空処理室 １３ 第３真空処理室 ２０ 移載室 ３１ 第１予備真空処理室 ３２ 第２予備真空処理室 ４０ ローダ室 ４１ 第１移載装置 ４１Ｂ ハンド（真空吸着手段を有する） ４２ 載置部 ４３ 位置決め装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 成島 正樹 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ テル・バリアン株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−271139（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−20040（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−136345（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一つの真空処理室と、この真
   空処理室に気密を保持して連通可能で連設された移載室
   と、この移載室に連通可能に連設された少なくとも一つ
   の予備真空処理室と、この予備真空処理室に連通可能に
   連設された少なくとも一つのローダ室とを備え、上記ロ
   ーダ室と上記予備真空処理室との間の被処理体の搬送を
   上記ローダ室に設けられた移載装置により大気圧以上の
   不活性ガス中で行なう真空処理装置であって、上記予備
   真空処理室は上下に配置された上記被処理体の加熱手段
   及び冷却手段を備え、上記予備真空処理室と上記移載室
   の間及び上記予備真空処理室と上記ローダ室の間にそれ
   ぞれ仕切り弁を設けたことを特徴とする真空処理装置。
2. 【請求項２】 上記ローダ室が、上記被処理体を収納す
   るカセットを載置する載置部と、上記被処理体を位置決
   めする位置決め装置とを備えたことを特徴とする請求項
   １に記載の真空処理装置。