JP6437805B2 - 積層体の製造方法、封止基板積層体の製造方法及び積層体 - Google Patents

Description

本発明は、積層体の製造方法、封止基板積層体の製造方法、封止基板積層体及び封止基板に関する。

携帯電話、デジタルＡＶ機器及びＩＣカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップ（以下、チップ）を小型化及び薄型化することによって、パッケージ内にシリコンを高集積化する要求が高まっている。例えば、ＣＳＰ（chip size package）又はＭＣＰ（multi-chip package）に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路において、薄型化が求められている。パッケージ内のチップの高集積化を実現するためには、チップの厚さを２５〜１５０μｍの範囲にまで薄くする必要がある。

ウエハ基板は、薄板化により強度が低下するので、薄板化したウエハ基板の破損を防ぐために、製造プロセス中は、ウエハ基板にサポートプレートを貼り合わされた状態で自動搬送しながら、ウエハ基板上に回路等の構造物を実装する。また、ウエハ基板は、光、熱、湿気、埃、及び物理的衝撃から実装された構造物を保護するために、封止材によって封止される。

特許文献１には、キャビティを形成する一対の金型と、ポーラスフィルムと、前記ポーラスフィルムを介してワークを吸引して固定する吸引固定部とを備え、吸引固定部が、ワーク載置領域内に形成されたワーク吸引孔からポーラスフィルムの微細孔を通じてワークを吸引して固定したまま、一対の金型を型閉じして樹脂封止する樹脂封止装置について記載されている。

特許文献２には、複数のパッケージ領域によって構成されるワークに対応する容積を有するキャビティ凹部が形成されたモールド金型を用いる樹脂封止方法について記載されている。

特許文献３には、上下に対向して設けられた第１および第２金型を近接させてクランプし、ポットに供給された樹脂を上下動するプランジャで押し出して、カルおよびゲートを通じてキャビティに樹脂を圧送し、キャビティでワークを樹脂封止する樹脂封止装置について記載されている。

特開２０１３−１２３８４９号公報（２０１３年６月２４日公開） 特開２０１２−１８７９０２号公報（２０１２年１０月４日公開） 特開２０１２−１６６４３０号公報（２０１２年９月６日公開）

しかしながら、特許文献１〜３に記載の技術は、基板と支持体とを接着層を介して貼り付けた積層体における基板を封止する技術について何ら開示するものではない。

積層体を形成し、当該積層体の基板に実装された素子を封止するときには、積層体の基板と金型のキャビティとによって形成される空間に封止材を注入することにより、基板の素子を封止する。このため、金型側から基板側に対して押圧力が加えられ、基板と支持体との間に形成された接着層に力が加わり、接着層がはみ出すという問題がある。

本発明は、上記の問題に鑑みて成されたものであり、その目的は、基板を封止するときに、基板と支持体との間に形成された接着層に力が加わることによって接着層がはみ出すことを防止することかできる積層体の製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明に係る積層体の製造方法は、基板における周縁部を研削して段差を形成することで、当該段差よりも内側の面の大きさを、金型のキャビティに収容することができる大きさにする、段差形成工程と、上記段差形成工程の後に、上記基板と、接着層と、光を吸収することによって変質する分離層と、光を透過する材料からなる支持体とをこの順に積層して積層体を形成する積層体形成工程とを包含し、上記積層体形成工程では、上記基板の段差よりも内側の面が上記支持体に対向するように上記基板を積層することを特徴としている。

本発明によれば、基板を封止するときに、基板と支持体との間に形成された接着層に力が加わることによって接着層がはみ出すことを防止することができる積層体を製造することができるという効果を奏する。

本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法における積層体形成工程までの概略を説明する模式図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法における積層体形成工程より後の工程、封止基板積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法の概略を説明する模式図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法が包含している段差形成工程において基板に形成する段差の概略、及び、積層体を金型に載置した状態の概略を説明する模式図である。

＜積層体の製造方法＞
図１〜図３を用いて、本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法をより詳細に説明する。

本実施形態に係る積層体１０の製造方法は、基板１における周縁部を研削して段差を形成することで、当該段差よりも内側の面の大きさを、金型のキャビティに収容することができる大きさにする、段差形成工程（図１の（ａ）及び（ｂ））を包含している。

また、本実施形態に係る積層体１０の製造方法では、図１の（ｃ）に示すように、段差形成工程において形成した基板１における段差の内側において、電極ｄを形成する。

また、本実施形態に係る積層体１０の製造方法では、段差形成工程の後、基板１における段差が形成された側の面に接着層３を形成する接着層形成工程（図１の（ｄ））と、サポートプレート（支持体）２上に分離層４を形成する分離層形成工程（図１の（ｅ）及び（ｆ））と、基板１と、接着層３と、光を吸収することによって変質する分離層４と、光を透過する材料からなるサポートプレート（支持体）２とをこの順に積層して積層体１０を形成する積層体形成工程（図１の（ｇ））とを包含しており、積層体形成工程では、基板１の段差よりも内側の面がサポートプレート２に対向するように基板１を積層する。

また、図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る積層体１０の製造方法は、積層体形成工程の後に、上記段差を形成した対向面の裏側から段差がなくなるまで基板１を薄化する薄化工程をさらに包含している。

図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、薄化工程において、段差がなくなるまで基板１を薄化することによって、積層体１０における基板１の幅を、予め形成されている段差の内側の幅にすることができる。つまり、サポートプレート２の外径よりも小さい外径を備えた基板１を積層した積層体１０を製造することができる（図３の（ａ）及び（ｂ））。また、薄化工程により、基板１を所定の厚さにまで薄化することで、積層体１０における基板１の薄化された表面に電極ｄを露出させることができる。

また、本実施形態に係る積層体１０の製造方法では、図２の（ｃ）に示すように、積層体１０の基板１に露出した電極ｄの上に、素子ｃを実装する。

〔段差形成工程〕
図１の（ａ）及び（ｂ）に示すように、段差形成工程では、基板１の周端部を研削することによって、段差を形成する。図１の（ａ）は、基板１の厚さ方向における断面を示す模式図であり、図１の（ｂ）は、段差が形成された後の基板１の厚さ方向における断面を示す模式図である。また、本実施形態に係る積層体の製造方法では、段差形成工程において、基板１に段差を形成した後に、基板１における段差を形成した側の面において電極ｄを形成する（図１の（ｃ））。

なお、段差形成工程において、基板１の周端部に段差を形成するための方法としては、例えば、基板１を回転可能な固定台に固定し、基板１を回転させつつ、グラインダ等によって基板１の周端部を所望の深さまで研削する方法が挙げられる。

（基板１）
基板１は、典型的には、Ｓｉインターポーザー等である。また、限定されるものではないが、図１の（ａ）に示すように、本実施形態に係る積層体１０の製造方法において用いられる基板１は、平面視における形状が円形の平板であり、基板１の周端部には、基板１の向きを特定するためのノッチ（切り欠き部、不図示）が形成されている。なお、図１の（ｂ）に示すように、段差形成工程では、基板１における一方の面の周端部を研削することによって、基板１の周端部に段差を形成する。このため、基板１における周端部を研削していない側の面の周端部において、ノッチの形状を残すことができる。

（段差）
図３の（ａ）及び（ｂ）を用いて、基板１に形成される段差についてより詳細に説明する。図３の（ａ）は基板１に形成される段差の概略を説明する図である。

図３の（ａ）に示すように、外径Ｗ０の平板状の基板１の一方の面において、水平方向における幅が幅Ｗａであり、厚さ方向における幅が幅ｈ１である段差を当該基板１の周端部において削り出す。これによって、基板１における段差を削り出した側の面における段差よりも内側の面を外径Ｗ２にする。つまり、図３の（ｂ）に示すように、基板１の段差よりも内側の面の外径Ｗ２を、金型のキャビティの内径Ｗ３よりも小さくなるように、基板１に段差を形成する。

また、基板１における段差の幅Ｗａは、積層体を形成するサポートプレート及び金型２０のキャビティの内径Ｗ３を考慮して適宜調整すればよい。一例として、外径が３００ｍｍである基板を用いて基板に段差を形成する場合、基板１における幅Ｗａは、４ｍｍ以上の幅であることが好ましく、５ｍｍ以上の幅であることがより好ましい。基板１における幅Ｗａが４ｍｍ以上の幅であれば、サポートプレート２の外径Ｗ１と基板の外径Ｗ２との差を十分に設けることができる。このため、金型のキャビティの内部に基板１を収容し、サポートプレート２によって当該キャビティを好適に塞ぐことができる積層体を形成するために基板１を好適に加工することができる。また、基板１における幅Ｗａは、１０ｍｍ以下の範囲内の幅にすることがより好ましい。これによって、基板１における段差より内側の面において歩留よく素子を実装することができる。

また、図３の（ａ）に示す、基板１の厚さ方向における段差の幅ｈ１は、後の薄化工程において基板１を、基板１の段差を形成した面の裏面から、当該段差がなくなるまで基板１を研削したときに、基板１が所定の厚さに確保できる程度の幅であればよい。つまり、基板１の段差における幅ｈ１は、薄化工程を行なった後の基板１の厚さを２０μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内の厚さに確保することができる幅であればよい。

（電極ｄの形成）
また、図１の（ｃ）に示すように、基板１は段差を形成された側の面における、当該段差よりも内側の平面部において電極ｄを形成する。基板１は、図３の（ａ）に示す幅Ｗ０側の面において、ノッチ（不図示）の形状を残しているため、当該ノッチを基準に基板１の向きを特定して、基板１の段差よりも内側の平面部に電極ｄを形成することができる。なお、電極ｄは、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程及び化学蒸着（ＣＶＤ）等の周知の工程を行なうことによって形成するとよい。

〔接着層形成工程〕
図１の（ｄ）に示すように、接着層形成工程では、基板１における段差を形成した側の面に接着剤を塗布することによって接着層３を形成する。

〔接着層３〕
接着層３の形成方法としては、基板１に接着剤を塗布してもよいし、基板１に接着剤が両面に塗布された接着テープを貼り付けてもよい。接着剤の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズル法による塗布法等が挙げられる。また、接着剤を塗布した後、加熱により乾燥させてもよい。また、接着剤を直接、基板１に塗布する代わりに、接着剤が両面に予め塗布されているフィルム（いわゆる、ドライフィルム）を、基板１に貼付してもよい。

接着層の厚さは、貼り付けの対象となる基板１及びサポートプレート２の種類、貼り付け後の基板１に施される処理等に応じて適宜設定すればよいが、１０〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、１５〜１００μｍの範囲内であることがより好ましい。

また、基板１における段差に形成された接着層及び、基板１の幅Ｗ２の周端から内側に向かって０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下の範囲に形成された接着層は、例えば、溶剤などによって溶解することによって除去してもよい。このように周端部を除去する場合、接着層３の膜厚は、例えば５０μｍ程度にすればよい。これにより、積層体形成工程において、接着層３が、積層体１０からはみ出すことを好適に抑制することができる。

〔接着層３〕
接着層３は、基板１とサポートプレート２とを貼り付けるために用いられる接着剤によって形成される層である。

接着剤として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が、本発明に係る接着層３を構成する接着剤として使用可能であり、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせた熱可塑性樹脂を含むもの等を挙げることができる。

（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。

樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。

なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。

樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。

例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（２）で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。

（化学式（２）中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。

樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着層３の軟化をさらに抑制することができる。

樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。

樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０〜１６０℃であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。

樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、炭化水素系溶剤への接着層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後の基板上の接着層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。

なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。

（アクリル−スチレン系樹脂）
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。

炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。

（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。

（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。

スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易且つ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。

なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。

重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ：末端水酸基変性）等が挙げられる。エラストマーのスチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

接着層３を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

接着層３を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着層３を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着層３を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着層３を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、且つ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。

なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層３を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着層３の剥離又は除去の後に、被支持基板の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着層３を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板１に物理的な力を加えることなく、接着層３を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層３の除去に際して、強度が低下した基板１からでさえ、基板１を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層３を除去することができる。

（希釈溶剤）
接着層３を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

（その他の成分）
接着層３を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

〔分離層形成工程〕
分離層形成工程では、図１の（ｅ）に示す光を透過する材料からなるサポートプレート２上に、光を照射することによって変質する分離層４を形成する（図１の（ｆ））。

分離層４は、サポートプレート２における、接着層３を介して基板１が貼り合わされる側の表面に設けられる。

分離層４の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層４の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層４に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層４の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。

なお、積層体１０において、分離層４とサポートプレート２との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層４への光の入射を妨げることなく、積層体１０に好ましい性質等を付与する層を、適宜追加することができる。分離層４を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層４を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。

また、分離層４は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層４を形成してもよい。また、分離層４における接着層３に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層４の形成が容易に行なえ、且つ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。

〔サポートプレート２〕
図１の（ｅ）に示すサポートプレート（支持体）２は、分離層４を変質させるための光を透過するものであればよい。以上の観点から、サポートプレート２としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂からなるものが挙げられる。

また、サポートプレート２は、基板１と同じく平面視における形状が円形の平板であり、サポートプレート２の周端部には、サポートプレート２の向きを特定するためのノッチ（切り欠き部、不図示）が形成されている。なお、本実施形態に係る積層体１０の製造方法では、サポートプレート２は、基板１の外径と同じ大きさの外径のものを用いる。

〔分離層４〕
分離層４とは、サポートプレート２を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。

分離層４を構成する材料は、プラズマＣＶＤ法によりサポートプレート２上に形成することができ、かつ、光を吸収することによって変質するようになっていればよく、特に限定されないが、例えば、フルオロカーボン、無機物、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体、赤外線吸収性の構造を有する化合物、赤外線吸収物質等が挙げられる。

（フルオロカーボン）
分離層４は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層４は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。分離層４を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層４における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。

分離層４に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。

（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
分離層４は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層４は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であり（ここで、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−若しくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。

（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の“化２”に示した式のいずれかであり、（ｆ）において上記の“化２”に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）
上記の“化２”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。

上記の“化２”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ_２−である場合の例としては、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。

上記の“化２”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。

上記の“化２”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４−アミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジエチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−４’−メトキシ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４−ジメチルアミノ−３’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層４の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層４が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体１０からのサポートプレート２の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。

上述した分離層４は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層４はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート２の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（無機物）
分離層４は、無機物からなっていてもよい。分離層４は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。

無機物からなる分離層４に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。

無機物からなる分離層４は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、サポートプレート２上に形成され得る。無機物からなる分離層４の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層４を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、サポートプレート２及び基板１に貼り付けてもよい。

なお、分離層４として金属膜を使用する場合には、分離層４の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層４の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。

（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
分離層４は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層４は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。

上記Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_２−、Ｓｉ−Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２、及びＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記Ｐ−Ａ^２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ−ＣＨ_３、Ｐ−ＣＨ_２−、Ｐ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３−Ｐ−Ｏ（Ａ^３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ^４Ｏ）_３−Ｐ−Ｏ（Ａ^４はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ_３、Ｐ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、及びＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。

分離層４の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層４における化合物を効果的に変質させ、サポートプレート２と基板１との分離を容易にするには、分離層４における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層４に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層４における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（３）で表される繰り返し単位及び下記化学式（４）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式（３）で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（４）中、Ｒ^３は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式（３）で表される繰り返し単位及び下記化学式（５）で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式（３）で表される繰り返し単位及び下記化学式（５）で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（６）で表される繰り返し単位及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（６）中、Ｒ^４は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、化学式（７）中、Ｒ^５は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）及び特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式（８）で表される繰り返し単位及び下記化学式（９）で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式（８）で表される繰り返し単位及び下記化学式（９）で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。

また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２−Ｏ−］_ｎ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７、及びｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２−Ｏ−］_ｎ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。

中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上述した分離層４は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層４はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート２の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（赤外線吸収物質）
分離層４は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層４は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート２を持ち上げる等）ことによって、分離層４が破壊されて、サポートプレート２と基板１とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層４に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層４に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

〔積層体形成工程〕
図１の（ｇ）に示すように、積層体形成工程では、基板１とサポートプレート２とを仮止めすることによって基板１、接着層３、分離層４及びサポートプレート２を、この順に積層する。

積層体形成工程では、基板１に形成された接着層３とサポートプレート２に形成された分離層４とが向き合うように重ね合わせる。また、基板１に形成されたノッチとサポートプレート２に形成されたノッチとが重なるようにして、基板１とサポートプレート２とを重ね合わせる。これによって、積層体１０においても、基板１及びサポートプレート２におけるノッチを基準にして、基板１において形成された電極ｄの配置を特定することができる。

その後、積層体１０を加熱された一対のプレート部材（不図示）によって、挟み込むようにして貼り合わせる。これによって、積層体１０を形成する。なお、積層体形成工程では、基板１とサポートプレート２とを貼り付ける貼付温度、貼付圧力、及び貼付時間は、接着層３の種類に応じて適宜調整すればよい。

〔薄化工程〕
図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る積層体１０の製造方法では、基板１における段差がなくなるまで基板１を薄化する。また、図２の（ｃ）に示すように、本実施形態に係る積層体１０の製造方法では、薄化工程を行なった後の積層体１０における基板１に素子ｃを取り付ける。

薄化工程では、図２の（ａ）に示すように、積層体１０におけるサポートプレート２側を固定し、積層体１０における基板１が上になるようにして積層体１０を配置する。その後、図２の（ｂ）に示すように、積層体１０の基板１における段差を形成した対向面を裏面から、グラインダ等の公知の手段を用いて研削することで、基板１を薄化する。

薄化工程では、図３の（ａ）に示す、基板１の厚さ方向における幅ｈ２を研削することによって、厚さがｈ１よりも薄くなるように基板１を薄化する。これによって、基板１の厚さを所定の厚さにまで薄化しつつ、積層体１０における基板１の外径を、Ｗ２にすることができる。つまり、基板１の外径Ｗ２が図３の（ｂ）に示す金型２０のキャビティの内径Ｗ３よりも小さくなるように、積層体１０の基板１を加工することができる。また、薄化工程において、基板１を所定の厚さにまで研削することによって、積層体１０における基板１の電極ｄを、基板１の研削された表面に露出させることができる。

（素子ｃの実装）
図２の（ｃ）に示すように、本実施形態に係る積層体１０の製造方法では、薄化工程を行なった後、積層体１０における基板１の研削された面に露出した電極ｄ上に、素子ｃを実装する。

積層体１０は、基板１に形成されたノッチとサポートプレート２に形成されたノッチとが重なるように形成されている。このため、基板薄化工程において、基板１側の周端部に形成されていたノッチが研削されることによって消滅していても、サポートプレート２側のノッチを基準にして、基板１の向きを特定することができる。これにより、積層体１０の基板１における電極ｄの位置を特定して、基板１上に素子ｃを実装することができる。

＜封止基板積層体の製造方法＞
図１〜図３を用いて、本発明の一実施形態に係る封止基板積層体１１の製造方法について、より詳細に説明する。

本実施形態に係る封止基板積層体１１の製造方法は、一実施形態に係る積層体の製造方法によって、積層体１０を製造する積層体製造工程と、薄化工程とを行なった後（図１及び図２の（ａ）〜（ｃ））、金型２０のキャビティの内側に積層体１０の基板１を収容し、積層体１０のサポートプレート２によって、金型２０のキャビティを塞ぐ。その後、金型２０と積層体１０との間の空間に封止材を注入することで、少なくとも基板１を当該封止材で封止して封止基板積層体１１を形成する封止基板形成工程（図２の（ｄ））と、封止基板形成工程の後に、金型２０から封止基板積層体１１を離型する離型工程と、を包含している。なお、本実施形態に係る封止基板積層体１１の製造方法において、積層体製造工程は、上記実施形態に係る積層体の製造方法と同じであるため、その説明を省略する。

〔封止基板形成工程〕
図２の（ｄ）に示すように、本実施形態に係る封止基板積層体１１の製造方法では、金型２０のキャビティに基板１が収容されるようにして積層体１０を金型２０に載置することで当該キャビティをサポートプレート（支持体）２で塞ぎ、これによって形成された金型２０と積層体１０との間の空間に供給された封止材５によって、少なくとも基板１を封止する。なお、封止基板形成工程では、金型２０と積層体１０との間の空間から封止材が漏出することを防止するために、金型２０のキャビティを塞いでいるサポートプレート２に対して、金型２０を介して押圧力を加えながら、当該キャビティの内側に封止材を注入してもよく、積層体１０における基板１上に封止材５を供給し、金型２０を用いて積層体１０に対して押し圧力を加えることによって、基板１上に実装された素子ｃを封止してもよい。また、封止基板形成工程では、封止材５を金型２０に注入した後、封止材５を加熱によって反応硬化させてもよい。これによって基板１上に実装された素子ｃを封止する。

本実施形態に係る封止基板積層体１１の製造方法では、積層体１０におけるサポートプレート２によって、金型２０のキャビティを塞いでいるため、金型２０によって加えられる押圧力を基板１に加えることなく、基板１に実装された素子ｃを封止材５によって封止することができる（図２の（ｄ））。このため、金型２０のキャビティに注入された封止材５を加熱することで積層体１０における接着層３が軟化しても、金型２０によって加えられる押圧力によって積層体１０の周端部から接着層３がはみ出すことを好適に防止することができる。従って、積層体１０における基板１が、歪むことを好適に防止することができる。また、本実施形態に係る封止基板積層体１１の製造方法では、積層体１０から封止基板積層体１１を製造する。つまり、基板１をサポートプレート２によって支持した状態で、基板１に実装された素子ｃを封止することができるため、２０〜１５０μｍの厚さにまで薄化された基板１が衝撃などにより破損することを防止しつつ、基板１に実装された素子ｃを封止することができる。

また、図２の（ｄ）に示すように、金型２０のキャビティは、積層体１０のサポートプレート２における分離層４が形成された側の面によって塞がれる。従って、封止基板形成工程において、封止材５がサポートプレート２に直接付着し、硬化することを防止することができる。

（封止材５）
封止基板形成工程において、基板１に実装された素子ｃを封止するための封止材には、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、及び酸無水物を含む樹脂等を含んでいるものを用いることができる。

（金型２０）
金型２０は、基板１を封止する封止材を成型するためのものである。例えば、金型２０は、その内部から外部に連通する注入口（不図示）を通じて、基板１に実装された素子ｃを封止するための封止材５を金型２０のキャビティの内側に注入して基板１を封止するものであってもよい。また、金型２０は、封止材５を基板１上に供給し、金型によって封止材５を供給された積層体１０対して押圧力を加えることで基板１に実装された素子ｃを封止するものであってもよい。また、金型２０のキャビティには、封止基板積層体を離型し易くするために離型剤を塗布するなどの処理が施されていてもよい。金型の種類は、封止材の種類や積層体の種類などによって適宜選択すればよい。

図３の（ｂ）に示すように、金型２０におけるキャビティの内径はＷ３で表され、内径Ｗ３は、サポートプレート２の外径Ｗ１よりも小さく、基板１の外径Ｗ２よりも大きければよい。これにより、サポートプレート２によって金型２０のキャビティを好適に塞ぐことができる（図２の（ｄ）及び図３の（ｂ））。従って、金型２０のキャビティの内径は、薄化工程を行なった後の基板の外径、及びサポートプレートの外径に応じて適宜調整すればよいが、基板１の外径Ｗ２よりも０．５ｍｍ〜２ｍｍ大きい内径Ｗ３のキャビティを備えていれば、過度なアライメントを設定せずとも、キャビティの内側に基板１を好適に収容することができ、サポートプレート２によって金型２０のキャビティを好適に塞ぐことができる。

また、金型２０のキャビティの深さは、積層体１０における基板１の幅ｈ１に接着層３の厚さを加えた幅ｈ、及び実装された素子の大きさを考慮して適宜調整すればよい（図３の（ｂ））。

〔離型工程〕
図２の（ｅ）に示すように、離型工程では、金型２０から封止基板積層体１１を離型する。これによって、基板１における歪みを低減した封止基板積層体１１を製造することができる。なお、図２の（ｆ）に示すように、離形工程の後、封止基板積層体１１における封止材５の余剰部分は、研削することによって除去すればよい。

＜封止基板積層体１１＞
図２の（ｆ）に示すように、基板１、接着層３、光を吸収することによって変質する分離層４、及び光を透過する材料からなるサポートプレート（支持体）２をこの順に積層してなる積層体１０と、基板１、接着層３及び分離層４を封止する封止材５と、を備え、封止材５の周縁が、サポートプレート２の周縁よりも内側に位置している封止基板積層体１１も本発明の範疇である。

上記構成を備えた封止基板積層体を用いれば、基板の歪みを低減した封止基板を好適に製造することができる。

＜封止基板の製造方法＞
本発明の一実施形態に係る封止基板６の製造方法は、本発明の一実施形態に係る封止基板積層体１１を製造する封止基板積層体製造工程と、封止基板積層体製造工程との後に、サポートプレート２を介して分離層４に光を照射して分離層４を変質させることによって、封止基板積層体１１からサポートプレート２を分離する分離工程（図２の（ｇ）及び（ｆ））を包含している。なお、封止基板積層体製造工程については、上記実施形態にかかる封止基板積層体の製造方法と同じであるため、その説明を省略する。

〔分離工程〕
図２の（ｇ）に示すように、分離工程では、サポートプレート２を介して分離層４に光を照射する。これによって、封止基板積層体１１の分離層４を変質させる。

本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。また、分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう分離層の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。

このように、分離層４を変質させることによって、分離層４の接着力を低下させることができる。ここで、図２の（ｇ）に示すように、封止基板積層体１１は、分離層４によって、封止材５がサポートプレート２に直接付着することが防止されている。このため、分離工程を行なうことによって、接着層３とサポートプレート２との間における分離層４のみならず、封止材５とサポートプレート２との間における分離層４も変質させることができる。従って、封止基板積層体１１にわずかな力を加えることで、封止基板６からサポートプレート２を分離することが可能になる（図２の（ｈ））。

分離工程において、分離層４に照射する光を発射するレーザは、分離層４を構成している材料に応じて適宜選択することが可能であり、分離層４を構成する材料を変質させ得る波長の光を照射するレーザを選択すればよい。

分離工程における、レーザ光照射条件は、分離層の種類によって適宜調整すればよく、限定されないが、レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下の範囲であることが好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下の範囲であることがより好ましい。また、レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下の範囲であることが好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下の範囲であることがより好ましい。また、レーザ光の波長は、３００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下であることが好ましく、４５０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。このような条件によれば、分離層４に照射するパルス光のエネルギーを、分離層４を変質させるための適切な条件にすることができる。このため、封止基板６がレーザ光によってダメージを受けることを防止することができる。

また、パルス光のビームスポット径及びパルス光の照射ピッチは、隣接するビームスポットが重ならず、かつ分離層４を変質させることが可能なピッチであればよい。

＜封止基板６＞
本発明に係る封止基板６の製造方法によって製造された封止基板６も、本発明の範疇である（図２の（ｈ））。なお、封止基板６は、後の工程において、接着層３及び分離層４の残渣を除去し、ダイシング工程を行なうことによって、半導体チップを形成する。

図２の（ｈ）に示す封止基板６は、金型２０を基板１に押し当てることなく、基板１の素子ｃを封止材５によって封止されている。従って、封止基板６における基板１は、素子ｃを封止するときに生じる歪みが低減されている。また、封止基板６は、基板１及びサポートプレート２に形成されたノッチを基準にして、基板１の向きを特定しつつ、基板１を加工されている。このため、封止基板６は、素子ｃが適切な位置に実装されている。

これに対して、積層体における基板に形成された素子を封止する公知の方法では、歩留りよく半導体チップを形成するために、大きさが等しい基板とサポートプレートと貼り合わせて積層体を形成すると、基板上の素子を封止するときに、基板の外径よりも小さい内径のキャビティを備えた金型を当該基板に押し当てつつ、封止材をキャビティに注入することで基板の素子を封止する方法か、又は、基板及びサポートプレートの外径よりも大きい内径のキャビティを備えた金型の内側に積層体を配置し、封止材を注入することで当該基板の素子を封止する方法が採用されている。

前者の方法では、基板に対して金型により押圧力が加えられるため、接着層が積層体の周端部からはみ出し、基板に歪が生じる。また、後者の方法では、基板を封止するために金型によって構成される空間が広くなるため、基板の素子を封止するために用いられる封止材の使用量が多くなる。

また、例えば、商業的に入手可能な、外径が３００ｍｍである基板には、薄化工程でのチッピングを防止するために、０．５ｍｍ程度の幅で、基板の外周部分の端部から内側に向かって予めトリミングされているものがある。このような基板を用いて積層体を形成し、当該基板を薄化すると１ｍｍ程度、基板の外径がサポートプレートの外径よりも小さくなることがあるが、そのような積層体において、サポートプレートで金型のキャビティを塞ぎ、基板上の素子を封止することは困難である。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

＜封止基板の製造評価＞
封止基板の製造評価として、周端部において段差を形成した基板を用いて作製した積層体と、周端部において段差を形成していない基板を用いて作製した積層体とにおいて、同じ金型を用いて基板に封止し、封止基板積層体における接着剤のはみ出しの有無を評価した。また、基板を封止した封止基板積層体について分離工程を行ない、封止基板の分離性を評価した。

〔積層体の作製〕
まず、実施例１の積層体を形成するために用いる基板の周端部に段差を形成した。基板としては、厚さ７７５μｍの半導体ウエハ基板（外径３００ｍｍ、シリコン）を用い、トリマー・グラインダ（ＤＩＳＣＯ社製）を用いて、図３の（ａ）に示す基板の幅Ｗ２が２９０ｍｍ、幅ｈ１が１５０μｍとなるように、基板１に段差を形成した（段差成形工程）。

次いで、半導体ウエハ基板における段差が形成された側の面に、ＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４００４（東京応化工業株式会社製）をスピン塗布し、９０℃、１６０℃、２２０℃の温度で各４分間ベークし、接着層を形成した（膜厚５０μｍ）。その後、接着層を形成した半導体ウエハ基板を１，５００ｒｐｍで回転させつつ、ＥＢＲノズルによって、ＴＺＮＲ（登録商標）−ＨＣシンナー（東京応化工業株式会社製）を１０ｃｃ／分の供給量で３〜５分間、供給することによって、半導体ウエハ基板の外周部分に形成された接着層の外周部分における、ウエハ基板の端部を基準にして内側に向かってトリム幅（Ｗａ）まで接着層を除去した。

次いで、支持体として、ベアガラス支持体（外径３００ｍｍ、厚さ７００μｍ）を用い、フルオロカーボンを用いたプラズマＣＶＤ法により支持体の上に分離層を形成した。分離層形成の条件としては、流量４００ｓｃｃｍ、圧力７００ｍＴｏｒｒ、高周波電力２５００Ｗ及び成膜温度２４０℃の条件下において、反応ガスとしてＣ_４Ｆ_８を使用した。ＣＶＤ法を行なうことによって、分離層であるフルオロカーボン膜（厚さ１μｍ）を支持体上に形成した（分離層形成工程）。

次いで、ウエハ基板、接着層、分離層及びガラス支持体がこの順になるように重ね合わせ、真空下、２１５℃で、１８０秒間予熱し、その後、４，０００ｋｇｆの貼付圧力で３００秒間押圧することでガラス支持体とウエハ基板とを貼り付けた。これによって、実施例１に用いる積層体を作製した（積層体形成工程）。

次に、接着剤にＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０２７（東京応化工業株式会社製）を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、実施例２の積層体を製造した。また、接着剤にＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０１７（東京応化工業株式会社製）を用いた以外は、実施例１及び２と同様の手順に従って、実施例３の積層体を製造した。

次に、半導体ウエハ基板に段差を形成していない以外は実施例１〜３と同様の手順に従って、比較例１〜３の積層体を形成した。実施例１〜３及び比較例１〜３の積層体について、以下の表１に示す。

〔封止基板積層体の評価〕
上記実施例１〜３及び比較例１〜３の積層体において、バックグラインド装置（ＤＩＳＣＯ社製）にて、厚さが５０μｍになるまで基板を薄化した（薄化工程）。なお、実施例１〜３及び比較例１〜３の積層体における、薄化工程を行なった後の基板の外径Ｗ２は、域の表１に示す通りである。

次に、内径が２９２ｍｍであるキャビティを備えた金型を備えたモールド成形機（アピックヤマダ社製）を用いて、実施例１〜３及び比較例１〜３の積層体における基板を封止した（封止基板形成工程）。

なお、実施例１〜３の積層体では、半導体ウエハ基板の外径（２９０ｍｍ）が金型のキャビティの内径（２９２ｍｍ）よりも小さいため、半導体ウエハ基板をキャビティの内部に配置し、ベアガラス支持体によって当該キャビティを塞ぐことにより形成した空間に封止材を注入し、半導体ウエハ基板の封止を行なった。また、比較例１〜３の積層体では、半導体ウエハ基板の外径（２９９ｍｍ）が金型のキャビティの内径（２９２ｍｍ）よりも大きいため、半導体ウエハ基板によって当該キャビティを塞ぐことにより形成した空間に封止材を注入し、半導体ウエハ基板の封止を行なった。

その後、各積層体の周端部における接着層のはみ出しの有無を評価した。接着層のはみ出しの有無の評価は目視により行ない、積層体の周端部において接着層のはみ出しが認められなかったものを「○」と評価し、接着層のはみ出しが認められたものを「×」と評価した。各積層体の基板を封止するときに金型に加えた押圧力及び温度、並びに、接着剤のはみ出しの有無についての評価結果を以下の表１に示す。

表１に示すように、１２０℃の温度条件下、金型による積層体への押圧力１５０ｋＮとして、半導体ウエハ基板を封止した場合、実施例１〜３の積層体及び比較例１〜３の積層体のいずれにおいても、接着層のはみ出しは認められなかった（○）。これに対して、１２０℃の温度条件下、金型による積層体への押圧力１５０ｋＮとして、半導体ウエハ基板を封止した場合、実施例１〜３の積層体では、接着剤のはみ出しが認められなかったが（○）、比較例１〜３の積層体ではいずれも接着層のはみ出しが認められた（×）。これらの結果から、実施例１〜３の積層体では、高い温度条件下において半導体ウエハ基板を封止する場合においても、接着層のはみ出しを防止することができることを確認することができた。

〔分離性の評価〕
つぎに、実施例１の積層体を用いて、分離工程を行ない、ガラス支持体と封止基板との分離性の評価を行なった。分離工程における分離層へのレーザ光照射の条件は、波長５３２ｎｍ、繰り返し周波数４０ｋＨｚ、レーザ走査速度６５００ｍｍ／秒、レーザスポットのピッチ１８０μｍの条件であった。

〔評価結果〕
実施例１の積層体は、分離工程を行なうことによって、ガラス支持体と接着層との間の接着力を低下させるのみならず、ガラス支持体と封止材との間の接着力も低下させることができ、封止基板積層体から封止基板を好適に分離することができることを確認することができた。従って、分離層が形成されたガラス支持体によって、金型のキャビティを塞ぐことにより、ガラス支持体と封止材との間における接着力も分離層を変質させることにより低下させることができることを確認することができた。

本発明は、微細化された半導体装置の製造工程において好適に利用することができる。

１ 基板
２ サポートプレート（支持体）
３ 接着層
４ 分離層
５ 封止材
６ 封止基板
１０ 積層体
１１ 封止基板積層体
２０ 金型

Claims (5)

1. 基板における周縁部を研削して段差を形成することで、当該段差よりも内側の面の大きさを、金型のキャビティに収容することができる大きさにする、段差形成工程と、
   上記段差形成工程の後に、上記基板と、接着層と、光を吸収することによって変質する分離層と、光を透過する材料からなる支持体とをこの順に積層して積層体を形成する積層体形成工程とを包含し、
   上記積層体形成工程では、前記支持体には、前記基板の段差よりも内側の面より広い表面を有する支持体を用い、前記分離層を前記支持体の表面を覆うように形成し、上記基板の段差よりも内側の面が上記支持体に対向するように上記基板を積層することを特徴とする積層体の製造方法。
2. 上記積層体形成工程の後に、上記段差を形成した対向面の裏側から上記段差がなくなるまで上記基板を薄化する薄化工程をさらに包含することを特徴とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 請求項２に記載の製造方法によって積層体を製造する積層体製造工程と、
   上記薄化工程の後に、上記金型のキャビティに上記基板が収容されるようにして上記積層体を当該金型に載置することで当該キャビティを上記支持体で塞ぎ、これによって形成された金型と積層体との間の空間に供給された封止材により、少なくとも上記基板を封止して封止基板積層体を形成する封止基板形成工程と、
   上記封止基板形成工程の後に、上記金型から上記封止基板積層体を離型する離型工程と、を包含することを特徴とする封止基板積層体の製造方法。
4. 請求項３に記載の製造方法によって封止基板積層体を製造する封止基板積層体製造工程と、
   封止基板積層体製造工程の後に、上記支持体を介して上記分離層に光を照射して上記分離層を変質させることによって、上記封止基板積層体から上記支持体を分離する分離工程と、を包含していることを特徴とする封止基板の製造方法。
5. 封止基板積層体の製造に用いられる積層体であって、
   基板、接着層、光を吸収することによって変質する分離層、及び光を透過する材料からなる支持体をこの順に積層してなる積層体であって、
   前記基板は、表面と、前記表面よりも外側まで広がっている裏面と、前記表面の外縁部における前記表面および前記裏面との間に形成されている段差と、を有し、
   前記支持体は、前記支持体に対向する前記基板の段差よりも内側の面より広い表面を有し、かつ
   前記分離層は、前記支持体の表面を覆っていることを特徴とする積層体。

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