JP3723398B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関し、特に、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットを備えた基板処理装置およびこの基板処理装置を利用した基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような基板処理装置における熱処理ユニットは、例えば半導体製造工程において、基板上に形成されたフォトレジスト膜の露光処理前の加熱処理（プリベーク処理）や露光後の加熱処理（ポストエクスポージャベーク処理）、あるいは、現像後の加熱処理（ポストベーク処理）等に用いられる。
【０００３】
このような熱処理ユニットは、加熱手段としてのマイカヒータ等のヒータを内蔵した熱処理プレートを処理室内に備え、この熱処理プレートの上面に基板を載置した状態で基板を加熱する構成となっている。また、例えば実開昭６３−１９３８３３号公報に記載されたように、熱処理プレートの上面より微小高さ突出する球体を配設し、熱処理プレート上に、いわゆるプロキシミティギャップと称される微小な間隔を保って基板を近接支持させた状態で、基板を加熱するものもある。
【０００４】
ところで、近年においては、基板上に形成されるパターンの特性に応じて種々のフォトレジストが使用されており、これに対応して熱処理装置における基板の処理温度も異なっている。
【０００５】
このため、従来の基板処理装置においては、基板の処理温度の種類毎に複数台の熱処理装置を設置し、基板をその処理温度と対応する熱処理装置により熱処理する構成をとっている。しかしながら、このような構成をとった場合においては、多数の熱処理装置を設置する必要が生じ、その専有面積と設備費用が増大するという問題が生ずる。
【０００６】
一方、このような問題に対応するため、熱処理プレートの温度を任意の温度に調整しうるように構成することにより、基板を任意の処理温度で処理可能な熱処理ユニットを有する基板処理装置も提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような熱処理プレートの温度を任意の温度に調整しうるようにした熱処理ユニットを有する基板処理装置を使用して基板を処理する場合においては、従来、熱処理ユニットにおける熱処理プレートの温度が、次に処理を行うべき基板の処理温度と一致した後に、次に処理を行うべき基板の搬入を開始している。
【０００８】
このため、熱処理プレートの温度が次に処理を行うべき基板の処理温度となるまでの間、基板処理装置による基板の処理動作が停止されることになり、基板の処理効率が低下する。この基板の処理効率の低下は、処理温度を変更する熱処理ユニットが、基板処理装置における基板の処理フローの後工程に位置する程、顕著となる。
【０００９】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、熱処理ユニットにおける基板の処理温度が変更された場合においても、基板を効率よく処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、前段の処理工程から搬送されてきた基板を搬入するための基板搬送ユニットと、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットと、基板に液体を供給して処理する液体処理ユニットとを備えた基板処理装置であって、現在の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第１の処理温度Ａと、次の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第２の温度Ｂと基づき、前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を演算する演算手段と、前記基板搬送ユニットが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板を搬入した後、この基板が前記熱処理ユニットに到達するまでに要する時間ｔ２を演算する演算手段と、現在の基板処理工程において第１の温度Ａで処理すべき最後の基板が前記熱処理ユニットから排出されるのに要する時間ｔ３を演算する演算手段と、［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］を演算する演算手段と、［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］時間が経過した以降に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させる搬送制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、［ｔ１−ｔ２］を演算する演算手段と、基板処理装置におけるタクトタイムをＴとし、［ｔ１−ｔ２］／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとて［ｎＴ＋ｔ３］を演算する演算手段とを備え、前記搬送制御手段は、［ｎＴ＋ｔ３］時間が経過した後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させている。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前段の処理工程から搬送されてきた基板を搬入するための基板搬送ユニットと、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットと、基板に液体を供給して処理する液体処理ユニットとを備えた基板処理装置であって、現在の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第１の処理温度Ａと、次の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第２の温度Ｂとに基づき、前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を演算する演算手段と、前記基板搬送ユニットが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板を搬入した後、この基板が前記熱処理ユニットに到達するまでに要する時間ｔ２を演算する演算手段と、［ｔ１−ｔ２］を演算する演算手段と、［ｔ１＞ｔ２］である場合には前記第１の処理温度Ａで処理される最後の基板が前記熱処理ユニットにおける熱処理を完了した後［ｔ１−ｔ２］時間が経過した後に、また、［ｔ１＜ｔ２］である場合には前記第１の処理温度Ａで処理される最後の基板が前記熱処理ユニットにおける熱処理を完了する前の［ｔ１−ｔ２］時間後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させる搬送制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、基板処理装置におけるタクトタイムをＴとし、［ｔ１−ｔ２］／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとしてｎＴを演算する演算手段を備え、前記搬送制御手段は、［ｔ１＞ｔ２］である場合には、前記第１の処理温度Ａで処理される最後の基板が前記熱処理ユニットにおける熱処理を完了するｎＴ時間後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させ、また、［ｔ１＜ｔ２］である場合には、前記第１の処理温度Ａで処理される最後の基板が前記熱処理ユニットにおける熱処理を完了する前のｎＴ時間後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させている。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４いずれかに記載の発明において、前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を、式ｔ１＝ｋ１（Ｂ−Ａ）＋ｋ２（但し、ｋ１、ｋ２は定数）に基づいて演算する。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、前段の処理工程から搬送されてきた基板を搬入するための基板搬送ユニットと、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットと、基板に液体を供給して処理する液体処理ユニットとを備えた基板処理装置により基板を処理する基板処理方法であって、現在の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第１の処理温度Ａと、次の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第２の温度Ｂとに基づき、前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を演算し、前記基板搬送ユニットが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板を搬入した後、この基板が前記熱処理ユニットに到達するまでに要する時間ｔ２を演算し、現在の基板処理工程において第１の温度Ａで処理すべき最後の基板が前記熱処理ユニットから排出されるのに要する時間ｔ３を演算し、［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］を演算し、［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］時間が経過した後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始することを特徴とする。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、［ｔ１−ｔ２］を演算し、基板処理装置におけるタクトタイムをＴとし、［ｔ１−ｔ２］／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとして［ｎＴ＋ｔ３］を演算し、［ｎＴ＋ｔ３］時間が経過した後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させている。
【００１７】
請求項８に記載の発明は、前段の処理工程から搬送されてきた基板を搬入するための基板搬送ユニットと、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットと、基板に液体を供給して処理する液体処理ユニットとを備えた基板処理装置により、第１の処理温度Ａで処理すべき基板と第２の処理温度Ｂで処理すべき基板とを同一処理工程で処理する基板処理方法であって、前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂになるまでに要するを時間ｔ１、基板処理装置におけるタクトタイムをＴ、ｔ１／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとしてｎＴを演算し、前記基板搬送ユニットによる基板の搬入動作を、第１の処理温度Ａで処理すべき基板と第２の処理温度Ｂで処理すべき基板との間で、ｎＴ時間だけ停止させることを特徴とする。
【００１８】
なお、この明細書における「切り上げ」とは、「［ｔ１−ｔ２］／Ｔあるいはｔ１／Ｔにおける小数点以下の端数を取り去り、その代わりに末位に１を加える」ことを指す。このとき、［ｔ１−ｔ２］／Ｔの値が負となった場合においても、同様に、［ｔ１−ｔ２］／Ｔにおける小数点以下の端数を取り去り、その代わりに末位に１を加えることとする。
【００１９】
また、この明細書における「タクトタイム」とは、「基板搬送ユニットが熱処理ユニットまたは液体処理ユニットにおける動作開始から順次動作を行って次に同一の熱処理ユニットまたは液体処理ユニットにおいて同一動作の開始を行うまでの時間」を意味する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理装置を模式的に示す平面概要図である。
【００２１】
この基板処理装置は、前段の処理工程での処理が終了した複数枚の基板を収納したカセットから基板を１枚ずつ搬出するとともに処理を終えた基板を再度カセット内に搬入するためのインデクサ部ＩＤと、基板に対してフォトレジストを塗布する第１、第２のスピンコータＳＣ１、ＳＣ２と、露光後の基板を現像する第１、第２のスピンデベロッパＳＤ１、ＳＤ２と（以下、第１、第２のスピンコータＳＣ１、ＳＣ２および第１、第２のスピンデベロッパＳＤ１、ＳＤ２を総称して「液体処理ユニット」という）、基板に対して熱処理を行う複数の熱処理ユニットを有する熱処理部２と、図示を省略した露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェース部ＩＦと、インデクサ部ＩＤ、各液体処理ユニット、熱処理部２の各熱処理ユニットおよびインターフェース部ＩＦの間で基板を搬送する基板搬送ユニットＴＲとを備える。
【００２２】
なお、第１のスピンコータＳＣ１の上方には、熱処理部２を構成する熱処理ユニットとしてのクールプレートユニットＣＰ１と密着強化ユニットＡＨＬとが配設されており、第２のスピンコータＳＣ２の上方には、熱処理部２を構成する熱処理ユニットとしてのクールプレートユニットＣＰ２とホットプレートユニットＨＰ１とが配設されている。また、第１のスピンデベロッパＳＤ１の上方には、熱処理部２を構成する熱処理ユニットとしての第３のクールプレートユニットＣＰ３と第２のホットプレートユニットＨＰ２とが配設されており、第２のスピンデベロッパＳＤ２の上方には、熱処理部２を構成する熱処理ユニットとしての第４のクールプレートユニットＣＰ４と第３のホットプレートユニットＨＰ３とが配設されている。
【００２３】
ここで、各クールプレートユニットＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４は基板を冷却して処理するためのものであり、また、各ホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３は基板を加熱して処理するためのものであり、さらに、密着強化ユニットＡＨＬは、基板を加熱して密着強化処理を行うものである。
【００２４】
基板処理装置の中央部に配設された基板搬送ユニットＴＲは、インデクサ部ＩＤ、各液体処理ユニット、熱処理部２の各熱処理ユニットおよびインターフェース部ＩＦにアクセスして、これらとの間で基板の受け渡しをするためのものである。この基板搬送ユニットは、後述するように、鉛直方向（Ｚ軸方向）、水平方向（Ｘ方向）および回転方向（θ方向）に移動可能な一対の基板搬送アーム５ａ、５ｂを備える。
【００２５】
基板処理装置の一端に配設されたインデクサ部ＩＤは、複数枚の基板を収納したカセットを複数個載置可能な載置台と、載置台上に載置されたカセットから処理を行うべき基板を取り出して基板搬送ユニットＴＲに搬送し、あるいは、処理が完了した基板を基板搬送ユニットＴＲから受け取って載置台に載置されたカセット内に収納する搬送機構とを有する。
【００２６】
また、基板処理装置の他端に配設されたインターフェース部ＩＦは、フォトレジストが塗布された基板を基板搬送ユニットＴＲから受け取って図示を省略した露光装置に搬送し、あるいは、露光が終了した基板を露光装置から受け取る搬送機構と、基板を一時的に収納するバッファカセットを載置するための載置台とを有する。
【００２７】
次に、基板搬送ユニットＴＲの構成について説明する。図２は、この基板搬送ユニットＴＲの要部を示す斜視図である。
【００２８】
この基板搬送ユニットＴＲは、基板Ｗを保持して搬送するための上下一対の基板搬送アーム５ａ、５ｂと、これらの基板搬送アーム５ａ、５ｂを互いに独立して水平方向（Ｘ方向）に移動させるための水平移動機構と、これらの基板搬送アーム５ａ、５ｂを同期して鉛直方向（Ｚ方向）に移動させるための伸縮昇降機構と、これらの基板搬送アーム５ａ、５ｂを鉛直軸まわり（θ方向）に同期して回転させるための回転駆動機構とを備える。
【００２９】
上述した伸縮昇降機構は、カバー２４をカバー２３内に、カバー２３をカバー２２内に、カバー２２をカバー２１内に、各々収納可能なテレスコピック型の多段入れ子構造を有する。基板搬送アーム５ａ、５ｂを下降させる際には、カバー２４をカバー２３内に、カバー２３をカバー２２内に、カバー２２をカバー２１内に、各々収納する。また、基板搬送アーム５ａ、５ｂを上昇させる際には、カバー２４をカバー２３内から、カバー２３をカバー２２内から、カバー２２をカバー２１内から、各々引き出すようにする。
【００３０】
また、上述した回転駆動機構は、テレスコピック型の伸縮昇降機構を基台２５に対してθ方向に回転させる構成を有する。なお、基台２５には、カバー２６が付設されている。
【００３１】
次に、上述した基板搬送アーム５ａ、５ｂ、および、これらの基板搬送アーム５ａ、５ｂを互いに独立して水平方向に移動させるための水平移動機構の構成について説明する。図３は基板搬送アーム５ａ、５ｂの斜視図である。
【００３２】
これらの基板搬送アーム５ａ、５ｂは、各々、基台５０上方において、基板Ｗを保持するための基板保持部５１と、第１連結部材５２と、第２連結部材５３とを備え、この第１、第２連結部材５２、５３が屈伸動作を行うことにより、基板保持部５１を水平方向であるＸ方向に直進させる構成を有する。なお、図４に示すように、基板保持部５１の上面における基板Ｗとの当接部には、そこに保持した基板Ｗの位置決めを行うためのテーパ構造を有する当たり部材６０が付設されている。
【００３３】
図５は、基板搬送アーム５ａの内部構造を示す側断面図である。なお、基板搬送アーム５ｂも、この基板搬送アーム５ａと同様の構造を有する。
【００３４】
この基板搬送アーム５ａは、基板Ｗを保持するための先端側に設けられた基板保持部５１と、この基板保持部５１を水平面内で回動自在に支持する第１連結部材５２と、この第１連結部材５２を水平面内で回動自在に支持する第２連結部材５３と、この第２連結部材５３を水平面内で回動させるモータ５４を有する水平移動機構とを備える。
【００３５】
基板保持部５１の基端部には軸５５が配設されており、この軸５５にはプーリ６１が固定されている。また、第１連結部材５２の基端部には軸５６が配設されており、この軸５６には２個のプーリ６２、６３が固定されている。さらに、第２連結部材５３の基端部にはモータ５４と連結する軸５７が配設されており、この軸５７にはプーリ６４が回転自在に装着されている。また、プーリ６１とプーリ６２との間には同期ベルト５８が、プーリ６３とプーリ６４との間には同期ベルト５９が、各々掛架されている。
【００３６】
ここで、プーリ６１の径とプーリ６２の径とは２対１に設定され、プーリ６３の径とプーリ６４の径とは１対２に設定されている。また、軸５５から軸５６までの距離と軸５６から軸５７までの距離とは、いずれもＲに設定されている。
【００３７】
図６は、上述した構成を有する基板搬送アーム５ａ、５ｂの動作を概念的に説明する説明図である。
【００３８】
モータ５４の駆動により軸５７を介して第２連結部材５３を角度αだけ反時計回りの方向に回動させる。これにより、第２連結部材５３の先端部に位置する軸５６は、同期ベルト５９およびプーリ６３を介して駆動を受け、軸５７の回転角度の２倍の角度β＝２αだけ時計回りの方向に回転する。これによって、第１連結部材５２の先端部に位置する軸５５は、図６に示すＸ方向に直進する。
【００３９】
このとき、軸５５は、プーリ６１、６２および同期ベルト５８により回転角を制御されている。ここで、第１連結部材５２を基準とすると、軸５５は軸５６の１／２の角度γ＝αだけ反時計回りの方向に回転することになるが、第１連結部材５２自体も回転していることから、基板保持部５１は基台５０に対して同一姿勢を維持した状態でＸ方向に直進することになる。
【００４０】
以上のように、基板搬送ユニットＴＲは、基板Ｗを保持して搬送するための上下一対の基板搬送アーム５ａ、５ｂと、これらの基板搬送アーム５ａ、５ｂを互いに独立して水平方向に移動させるための水平移動機構と、これらの基板搬送アーム５ａ、５ｂを同期して鉛直方向に移動させるための伸縮昇降機構と、これらの基板搬送アーム５ａ、５ｂを鉛直軸まわりに同期して回転させるための回転駆動機構とを備え、基板保持部５１に保持した基板Ｗを任意の基板処理ユニットに搬送することが可能な構成となっている。
【００４１】
次に、熱処理部２を構成する熱処理ユニットのうち、密着強化ユニットＡＨＬおよびホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３の構成について説明する。図７は、熱処理ユニットとしてのホットプレートユニットＨＰ１の概要図であり、図８はその熱処理プレート７１の平面図である。なお、密着強化ユニットＡＨＬおよび他のホットプレートユニットＨＰ２、ＨＰ３も、このホットプレートユニットＨＰ１と同様の構成を有する。
【００４２】
このホットプレートユニットＨＰ１は、熱処理プレート７１と、この熱処理プレート７１の下面に配設されたヒータ７２と、このヒータ７２のさらに下面に配設された冷却ジャケット７３と、熱処理プレート７１の温度を検出するための温度センサ７４とを備える。
【００４３】
前記熱処理プレート７１は、その上方に基板Ｗを載置して熱処理するためのものであり、例えば、アルミニュウム等の伝熱性が良好な金属材料によって円筒状に形成されている。なお、図示を省略しているが、熱処理プレート７１の表面には、アルミナ、マテアタイト等の低伝熱部材から構成された３個の球体が配設されている。この球体の上端は、熱処理プレート７１の表面より微小量だけ突出する状態で配設されており、基板Ｗと熱処理プレート７１の表面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔を保った状態で、基板Ｗを熱処理プレート７１の球体上に載置、支持して、この基板Ｗを加熱するよう構成されている。
【００４４】
なお、基板Ｗを、熱処理プレート７１の表面と直接接触する状態で熱処理プレート上に載置してもよい。
【００４５】
前記ヒータ７２は、熱処理プレート７１を加熱するためのものであり、例えば、マイカヒータ等の平面状のヒータが使用される。
【００４６】
前記冷却ジャケット７３は、熱処理プレート７１の温度を直前の設定温度より低い設定温度まで降温するために熱処理プレート７１を冷却するためのものである。
【００４７】
この冷却ジャケット７３の下面には、後述する冷却用気体供給源８４から供給される冷却用気体を注入するための４個の注入口８１が配設されている。これらの注入口８１は、平面視において熱処理プレート７１の中心部付近に中心部を中心として等距離の位置に形成されている。また、熱処理プレート７１の周縁部側には、４個の排出口８２が形成されており、各注入口８１と排出口８２とは、気体流路８３により連通接続されている。なお、各気体流路８３は、冷却ジャケット７３に接する面積を増大させるため、図８に示すように、多数の屈曲部を有する形状に形成されている。
【００４８】
上記各注入口８１は、気体配管８７により、流量調整弁８６および電磁開閉弁８５を介して、冷却用気体を供給するための冷却用気体供給源８４と接続されている。なお、この冷却用気体としては、例えばクリーンルームのユーティリティとして一般的に配備されているドライエア供給源から供給されるドライエアを使用することができる。
【００４９】
このような構成を有するホットプレートユニットＨＰ１においては、熱処理プレート７１の温度を直前の設定温度より低い温度に変更する際には、この冷却ジャケット７３により熱処理プレート７１を急速に強制冷却することで、熱処理プレート７１の温度を直前の設定温度より低い温度に迅速に変更することが可能となる。
【００５０】
次に、この基板処理装置の主要な電気的構成について説明する。図９は、この基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【００５１】
この基板処理装置は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ９１と、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ９２と、論理演算を実行するＣＰＵ９３とからなる制御部９を備える。
【００５２】
この制御部９は、インターフェース９４を介して、図９に示すホットプレートユニットＨＰ１を含む各熱処理ユニットにおける各々のヒータ７２、センサ７４および電磁開閉弁８５と接続されている。また、この制御部９は、インターフェース９４を介して、基板搬送アーム５ａ、５ｂを水平移動するためのモータ５４と、基板搬送アーム５ａ、５ｂを昇降するために伸縮昇降機構を駆動する図示しないモータと、基板搬送アーム５ａ、５ｂを回転するために回転駆動機構を駆動する図示しないモータ等とに接続されている。
【００５３】
なお、この制御部９は、後述するいずれかのホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３または密着強化ユニットＡＨＬにおける熱処理プレート７１が第１の温度Ａから第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１と、基板搬送ユニットＴＲが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗを搬入した後この基板Ｗが前記いずれかのホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３または密着強化ユニットＡＨＬに到達するまでに要する時間ｔ２と、現在の基板処理工程において第１の温度Ａで処理すべき最後の基板Ｗが前記いずれかのホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３または密着強化ユニットＡＨＬから排出されるのに要する時間ｔ３とを演算するための演算手段として機能する。
【００５４】
また、この制御部９は、［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］時間が経過した以降に、基板搬送ユニットＴＲにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗの搬入を開始させる搬送制御手段としても機能する。
【００５５】
次に、上述した構成を有する基板処理装置による基板Ｗの処理工程について説明する。図１０は、この基板処理装置による基板Ｗの処理フローを示すフロー図である。
【００５６】
前段の処理工程からキャリアに収納された状態でインデクサ部ＩＤに搬入された基板Ｗは、このインデクサ部ＩＤにおいて図示しない基板移載手段によりキャリアから取り出され、基板搬送ユニットＴＲに受け渡され、基板搬送ユニットＴＲにより密着強化ユニットＡＨＬに搬送される。そして、この基板Ｗは、密着強化ユニットＡＨＬにおいて加熱による密着強化処理を施された後、基板搬送ユニットＴＲによりクールプレートユニットＣＰ１に搬送されて冷却される。
【００５７】
冷却後の基板Ｗは、基板搬送ユニットＴＲによりスピンコータＳＣ１またはＳＣ２のいずれかに搬送されてその表面にフォトレジストを塗布される。そして、この基板Ｗは、ホットプレートユニットＨＰ１において加熱によるプリベーク処理を施された後、基板搬送ユニットＴＲによりクールプレートユニットＣＰ２に搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは、基板搬送ユニットＴＲによりインターフェースＩＦに搬送される。
【００５８】
インタフェースＩＦに搬送された基板Ｗは、図示しない移載ロボットによりステッパＳＴＰに搬送され、その表面のフォトレジストに対してパターン露光が施される。パターン露光後の基板Ｗは、移載ロボットにより、再度、インターフェースＩＦに搬送される。
【００５９】
インターフェースＩＦに搬送された基板Ｗは、基板搬送ユニットＴＲによりホットプレートユニットＨＰ２に搬送される。そして、この基板Ｗは、ホットプレートユニットＨＰ２において加熱によるポストエクスポージャベーク処理を施された後、基板搬送ユニットＴＲによりクールプレートユニットＣＰ３に搬送されて冷却される。
【００６０】
冷却後の基板Ｗは、基板搬送ユニットＴＲによりスピンデベロッパＳＤ１またはＳＤ２のいずれかに搬送されてパターン露光後のフォトレジストを現像処理される。そして、この基板Ｗは、ホットプレートユニットＨＰ３において加熱によるポストベーク処理を施された後、基板搬送ユニットＴＲによりクールプレートユニットＣＰ４に搬送されて冷却される。そして、冷却後の基板Ｗは、基板搬送ユニットＴＲにより、インデクサ部ＩＤに搬送され、キャリアに収納された後、後段の処理工程に向けて搬出される。
【００６１】
なお、上述した基板処理工程においては、基板搬送ユニットＴＲにおける一対の基板搬送アーム５ａ、５ｂのうち、一方の基板搬送アームが各処理ユニット中の基板Ｗを処理ユニットから搬出した後、他方の基板搬送アームがその処理ユニットに基板Ｗを搬入するという動作を実行する。
【００６２】
一方、このような基板処理工程においては、基板処理装置はタクト管理を行いつつ複数枚の基板Ｗからなるロットを連続して処理する構成となっている。ここで、タクト管理とは、基板Ｗの処理手順に沿って基板搬送ユニットＴＲを循環させるにあたって、タクトタイムＴが一定に保たれるように制御することをいう。これにより、例えば、特許第２６３８６６８号や、特開平８−１５３７６５号公報に記載されているように、基板Ｗの熱履歴を一定に保つことが可能となる。
【００６３】
ここで、タクトタイムＴは、基板Ｗの処理フローに従ってインデクサ部ＩＤから所定の処理ユニットを経て再びインデクサ部ＩＤに戻るまでに、ある基板Ｗを基板搬送ユニットＴＲによって次の行程に移す一連の繰り返し作業（循環搬送）の周期をいう。すなわち、タクトタイムＴとは、基板搬送ユニットＴＲがある処理ユニットにおける動作開始後、順次動作を行って再度同一の処理ユニットで同一の動作を開始するまでの時間をいう。このタクトタイムＴは、同一の基板処理フローで処理すべき基板Ｗを連続投入して基板処理装置を無限に連続動作させた場合のスループットタイムと一致する。
【００６４】
タクトタイムＴの決定は、基板Ｗの搬送順序、処理時間等に基づいて搬送時間によって律速される搬送律速であるか、各処理ユニットにおける処理時間によって律速される処理律速であるか等を判定し、その判定結果に基づいて基板処理フローに要する全処理時間を最小とすることによって行う。
【００６５】
ところで、上述したように、近年においては、基板Ｗ上に形成されるパターンの特性に応じて種々のフォトレジストが使用されており、これに対応して各熱処理ユニット、特に、ホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３および密着強化ユニットＡＨＬにおける基板Ｗの処理温度も異なっている。このため、ホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３および密着強化ユニットＡＨＬにおける各熱処理プレート７１の温度を任意の温度に調整することにより、基板Ｗを任意の処理温度で処理する必要がある。
【００６６】
このような場合においては、熱処理プレート７１の温度が次に処理を行うべき基板Ｗの処理温度と一致した後に、次に処理を行うべき基板Ｗの搬入を開始した場合には、熱処理プレート７１の温度が次に処理を行うべき基板Ｗの処理温度となるまでの間、基板処理装置による基板Ｗの処理動作が停止されることになる。
【００６７】
この基板Ｗ処理動作の停止時間は、処理温度を変更する熱処理ユニットが、基板処理装置における基板Ｗの処理フローの後工程に位置する程、顕著となる。例えば、図１０に示す処理フローにおいてクールプレートユニットＣＰ２における処理温度を変更する場合においては、基板Ｗがインデクサ部ＩＤからクールプレートユニットＣＰ２まで処理／搬送されるのに要する時間だけ、基板Ｗの処理動作が停止することになる。
【００６８】
このため、この発明に係る基板処理装置においては、次のような手順により、基板搬送ユニットＴＲによるインデクサ部ＩＤからの基板Ｗの搬入動作を開始している。なお、以下の説明においては、プリベーク処理を行うホットプレートユニットＨＰ１により基板Ｗを処理する温度が、現在処理中の第１の処理温度Ａから新たな第２の処理温度Ｂに変更された場合について説明する。
【００６９】
この場合においては、先ず、第１の処理温度Ａと第２の温度Ｂと基づき、ホットプレートユニットＨＰ１における熱処理プレート７１が第１の温度Ａから第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を演算する。この演算は、制御部９において、下記の式を演算することにより行われる。
【００７０】
ｔ１＝ｋ１（Ｂ−Ａ）＋ｋ２（但し、ｋ１、ｋ２は定数）
【００７１】
このような式を利用するのは、熱処理プレート７１が第１の温度Ａから第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１は、第１の処理温度Ａと第２の温度Ｂとの温度差にほぼ比例することが判明しているためである。なお、定数ｋ１、ｋ２の値は、熱処理プレート７１の昇降温度を予め実験的に測定することにより求められる。
【００７２】
次に、基板搬送ユニットＴＲが、第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗをインデクサ部ＩＤから搬入した後、この基板ＷがホットプレートユニットＨＰ１に到達するまでに要する時間ｔ２を演算する。この演算は、制御部９において、タクト時間Ｔと、インデクサ部ＩＤからホットプレートユニットＨＰ１至るまでの工程数を乗算することにより行われる。
【００７３】
なお、この工程数は、第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗが図１０に示す処理フローに従って処理される場合には３となる。第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗの処理フローが変更された場合においては、第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗがインデクサ部ＩＤからホットプレートユニットＨＰ１至るまでの工程数をカウントすればよい。
【００７４】
次に、現在ホットプレートユニットＨＰ１において第１の温度Ａで処理すべき最後の基板ＷがこのホットプレートユニットＨＰ１から排出されるのに要する時間ｔ３を演算する。この演算は、例えば、インデクサ部ＩＤからホットプレートユニットＨＰ１からスピンコータＳＣ１またはＳＣ２までの間に存在する第１の温度Ａで処理すべき基板Ｗの枚数とタクトタイムＴとを乗算することにより行われる。
【００７５】
そして、［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］時間が経過した以降に、基板搬送ユニットＴＲにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗのインデクサ部ＩＤからの搬入を開始させる。このとき、［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］時間が経過した後できるだけ早く基板搬送ユニットＴＲにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗのインデクサ部ＩＤからの搬入を開始させることが好ましく、［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］時間が経過した直後に基板搬送ユニットＴＲにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗのインデクサ部ＩＤからの搬入を開始させることが好ましい。
【００７６】
このような手順により基板搬送ユニットＴＲによるインデクサ部ＩＤからの基板Ｗの搬入動作を開始した場合には、熱処理プレート７１が第１の温度Ａから第２の温度Ｂまで変更された後すぐに、第２の処理温度Ｂで処理すべき基板ＷがホットプレートユニットＨＰ１に到達する。このため、基板Ｗに対する処理温度が変更された場合においても、基板Ｗを効率よく処理することが可能となる。
【００７７】
なお、上述した基板処理装置は、タクト管理を行いつつ複数内の基板Ｗからなるロットを連続して処理する構成となっている。このような場合には、基板処理装置におけるタクトタイムをＴとし、［ｔ１−ｔ２］／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとしたとき、［ｎＴ＋ｔ３］時間が経過した後に、基板搬送ユニットＴＲにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗのインデクサ部ＩＤからの搬入を開始させる必要がある。
【００７８】
このような構成とすることにより、第１の処理温度Ａで処理すべき基板Ｗと第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗとが同一基板処理装置内で混在した場合においても、基板搬送ユニットＴＲにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗのインデクサ部ＩＤからの搬入動作の開始時期がタクトタイムの始期と一致することになり、上述したタクト管理を有効に実行せしめることが可能となるためである。
【００７９】
以上のような手順による基板搬送ユニットＴＲのインデクサ部ＩＤからの基板Ｗの搬入動作は、別の観点から見れば、次のように表現することができる。
【００８０】
すなわち、上述した動作は、第１の処理温度Ａで処理される最後の基板ＷがホットプレートユニットＣＰ１における熱処理を完了した後、［ｔ１−ｔ２］時間が経過した以降に、基板搬送ユニットＴＲにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗのインデクサ部ＩＤからの搬入を開始させることと同義である。
【００８１】
このとき、熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１が、基板搬送ユニットＴＲが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗを搬入した後この基板ＷがホットプレートユニットＨＰ１に到達するまでに要する時間ｔ２よりも小さい場合には、第１の処理温度Ａで処理される最後の基板ＷがホットプレートユニットＨＰ１における熱処理を完了する［ｔ１−ｔ２］時間前以降に、基板搬送ユニットＴＲにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗのインデクサ部ＩＤからの搬入を開始させることと同義となる。
【００８２】
なお、このように、熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１が、基板搬送ユニットＴＲが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗを搬入した後この基板ＷがホットプレートユニットＨＰ１に到達するまでに要する時間ｔ２よりも小さい場合には、上述した［ｔ１−ｔ２］の値は負となるが、この場合においても［ｔ１−ｔ２］／Ｔの小数点以下を切り上げるとは、［ｔ１−ｔ２］が正の場合と同様、「［ｔ１−ｔ２］／Ｔあるいはｔ１／Ｔにおける小数点以下の端数を取り去り、その代わりに末位に１を加える」ことを指す。これにより、基板Ｗが１タクトタイム分だけ早く搬入されてしまうという現象を防止することができる。
【００８３】
ここで、例えば特開平１１−５４５８７号公報に記載されているように、各処理ユニットのうち同一種類の処理を行う複数の熱処理ユニット（例えば、ホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３および密着強化ユニットＡＨＬ）を同一種類処理群として取り扱い、この同一種類処理群のうち最短時間で処理を開始することができる熱処理ユニットを優先して使用するカテゴリー制御を行った場合には、最短時間で処理を開始することができる熱処理ユニット（ホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３および密着強化ユニットＡＨＬ）を上述したホットプレートユニットＨＰ１として使用すればよい。
【００８４】
また、ホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３および密着強化ユニットＡＨＬのうちのいずれかの熱処理ユニットを使用しない処理工程により基板Ｗを処理している場合や、ホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３および密着強化ユニットＡＨＬ以外に現在未使用の熱処理ユニットが配設されている場合等においては、未使用の熱処理ユニットにおける熱処理プレート７１の温度を第２の処理温度Ｂに変更して使用すればよい。この場合においては、上述した時間ｔ３をゼロとして取り扱えばよい。
【００８５】
さらに、第１の処理温度Ａで処理すべき基板Ｗと第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗとを同一処理工程で処理する場合においては、上述した手順による基板搬送ユニットＴＲのインデクサ部ＩＤからの基板Ｗの搬入動作は、別の観点から見れば、次のように表現することができる。
【００８６】
すなわち、例えば、第１の処理温度Ａで処理すべき基板Ｗと第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗとを、共に、例えば図１０に示す処理工程で処理する場合においては、上記の場合と同様、ホットプレートユニットＨＰ１が第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂになるまでに要するを時間ｔ１、基板処理装置におけるタクトタイムをＴ、ｔ１／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとしたとき、基板搬送ユニットＴＲによるインデクサ部ＩＤからの基板Ｗの搬入動作を、第１の処理温度Ａで処理すべき基板Ｗと第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗとの間で、ｎＴ時間だけ停止させればよい。
【００８７】
これは、第１の処理温度Ａで処理すべき基板Ｗと第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗとを同一処理工程で処理する場合においては、第１の処理温度Ａで処理すべき基板Ｗと第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗとの間に、ホットプレートユニットＨＰ１の温度変更に要する時間だけラグタイムが存在すればよいためである。
【００８８】
なお、上述した実施の形態においては、いずれも、基板Ｗを加熱処理するホットプレートユニットＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３および密着強化ユニットＡＨＬにおける処理温度を変更しているが、基板Ｗを冷却処理するクールプレートユニットＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４の温度を変更するようにした基板処理装置にこの発明を適用することも可能である。
【００８９】
【発明の効果】
請求項１乃至請求項８に記載の発明によれば、熱処理ユニットにおける基板の処理温度が変更された場合においても、基板を効率よく処理することが可能となる。このため、互いに熱処理ユニットにおける処理温度が異なる複数のロットの基板を処理する際に、全体的なスループットを向上させることができる。
【００９０】
このとき、タクトタイムを考慮して基板の搬入を開始するようにした場合には、１の処理温度Ａで処理すべき基板Ｗと第２の処理温度Ｂで処理すべき基板Ｗとが同一基板処理装置内で混在した場合においても、タクト管理を有効に実行せしめることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る基板処理装置を模式的に示す平面概要図である。
【図２】基板搬送ユニットＴＲの要部を示す斜視図である。
【図３】基板搬送アーム５ａ、５ｂの斜視図である。
【図４】基板保持部５１に付設された当たり部材６０を示す正面図である。
【図５】基板搬送アーム５ａの内部構造を示す側断面図である。
【図６】基板搬送アーム５ａ、５ｂの動作を概念的に説明する説明図である。
【図７】ホットプレートユニットＨＰ１の概要図である。
【図８】熱処理プレート７１の平面図である。
【図９】基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図１０】基板処理装置による基板Ｗの処理フローを示すフロー図である。
【符号の説明】
２ 熱処理部
３ 第１の磁石
４ 第２の磁石
５ａ 基板搬送アーム
５ｂ 基板搬送アーム
９ 制御部
７１ 熱処理プレート
７２ ヒータ
７３ 冷却ジャケット
７４ 温度センサ
ＩＤ インデクサ部ＩＤ
ＩＦ インターフェース部ＩＦ
ＴＲ 搬送ユニット
ＳＣ１ 第１のスピンコータ
ＳＣ２ 第２のスピンコータ
ＳＤ１ 第１のスピンデベロッパ
ＳＤ２ 第２のスピンデベロッパ
ＡＨＬ 密着強化ユニット
ＨＰ１ ホットプレートユニット
ＨＰ２ ホットプレートユニット
ＨＰ３ ホットプレートユニット
ＣＰ１ クールプレートユニット
ＣＰ２ クールプレートユニット
ＣＰ３ クールプレートユニット
ＣＰ４ クールプレートユニット
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 前段の処理工程から搬送されてきた基板を搬入するための基板搬送ユニットと、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットと、基板に液体を供給して処理する液体処理ユニットとを備えた基板処理装置であって、
   現在の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第１の処理温度Ａと、次の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第２の温度Ｂと基づき、前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を演算する演算手段と、
   前記基板搬送ユニットが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板を搬入した後、この基板が前記熱処理ユニットに到達するまでに要する時間ｔ２を演算する演算手段と、
   現在の基板処理工程において第１の温度Ａで処理すべき最後の基板が前記熱処理ユニットから排出されるのに要する時間ｔ３を演算する演算手段と、
   ［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］を演算する演算手段と、
   ［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］時間が経過した後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させる搬送制御手段と、
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   ［ｔ１−ｔ２］を演算する演算手段と、
   基板処理装置におけるタクトタイムをＴとし、［ｔ１−ｔ２］／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとして［ｎＴ＋ｔ３］を演算する演算手段と、
   を備え、
   前記搬送制御手段は、［ｎＴ＋ｔ３］時間が経過した後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させる基板処理装置。
3. 前段の処理工程から搬送されてきた基板を搬入するための基板搬送ユニットと、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットと、基板に液体を供給して処理する液体処理ユニットとを備えた基板処理装置であって、
   現在の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第１の処理温度Ａと、次の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第２の温度Ｂとに基づき、前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を演算する演算手段と、
   前記基板搬送ユニットが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板を搬入した後、この基板が前記熱処理ユニットに到達するまでに要する時間ｔ２を演算する演算手段と、
   ［ｔ１−ｔ２］を演算する演算手段と、
   ［ｔ１＞ｔ２］である場合には前記第１の処理温度Ａで処理される最後の基板が前記熱処理ユニットにおける熱処理を完了した後［ｔ１−ｔ２］時間が経過した後に、また、［ｔ１＜ｔ２］である場合には前記第１の処理温度Ａで処理される最後の基板が前記熱処理ユニットにおける熱処理を完了する前の［ｔ１−ｔ２］時間後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させる搬送制御手段と、
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   基板処理装置におけるタクトタイムをＴとし、［ｔ１−ｔ２］／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとしてｎＴを演算する演算手段を備え、
   前記搬送制御手段は、［ｔ１＞ｔ２］である場合には、前記第１の処理温度Ａで処理される最後の基板が前記熱処理ユニットにおける熱処理を完了するｎＴ時間後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させ、また、［ｔ１＜ｔ２］である場合には、前記第１の処理温度Ａで処理される最後の基板が前記熱処理ユニットにおける熱処理を完了する前のｎＴ時間後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させる基板処理装置。
5. 請求項１乃至請求項４いずれかに記載の基板処理装置において、
   前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を、式ｔ１＝ｋ１（Ｂ−Ａ）＋ｋ２（但し、ｋ１、ｋ２は定数）に基づいて演算する基板処理装置。
6. 前段の処理工程から搬送されてきた基板を搬入するための基板搬送ユニットと、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットと、基板に液体を供給して処理する液体処理ユニットとを備えた基板処理装置により基板を処理する基板処理方法であって、
   現在の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第１の処理温度Ａと、次の基板処理工程において前記熱処理ユニットにより基板を処理する第２の温度Ｂとに基づき、前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂとなるまでに要する時間ｔ１を演算し、
   前記基板搬送ユニットが第２の処理温度Ｂで処理すべき基板を搬入した後、この基板が前記熱処理ユニットに到達するまでに要する時間ｔ２を演算し、
   現在の基板処理工程において第１の温度Ａで処理すべき最後の基板が前記熱処理ユニットから排出されるのに要する時間ｔ３を演算し、
   ［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］を演算し、
   ［ｔ１−ｔ２＋ｔ３］時間が経過した後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始する
   ことを特徴とする基板処理方法。
7. 請求項６に記載の基板処理方法において、
   ［ｔ１−ｔ２］を演算し、
   基板処理装置におけるタクトタイムをＴとし、［ｔ１−ｔ２］／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとして［ｎＴ＋ｔ３］を演算し、
   ［ｎＴ＋ｔ３］時間が経過した後に、前記基板搬送ユニットにより第２の処理温度Ｂで処理すべき基板の搬入を開始させる基板処理方法。
8. 前段の処理工程から搬送されてきた基板を搬入するための基板搬送ユニットと、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットと、基板に液体を供給して処理する液体処理ユニットとを備えた基板処理装置により、第１の処理温度Ａで処理すべき基板と第２の処理温度Ｂで処理すべき基板とを同一処理工程で処理する基板処理方法であって、
   前記熱処理プレートが前記第１の温度Ａから前記第２の温度Ｂになるまでに要するを時間ｔ１、基板処理装置におけるタクトタイムをＴ、ｔ１／Ｔの小数点以下を切り上げた値をｎとしてｎＴを演算し、
   前記基板搬送ユニットによる基板の搬入動作を、第１の処理温度Ａで処理すべき基板と第２の処理温度Ｂで処理すべき基板との間で、ｎＴ時間だけ停止させることを特徴とする基板処理方法。

Images