JP2015060919A - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】柔軟に搬送スケジュールを変更することが可能な塗布、現像装置等を提供する。
【解決手段】塗布、現像装置１は、基板Ｗに対してレジスト膜を含む塗布膜を形成する共に、露光後の基板に対して現像を行い、互いに同一の処理を行う複数の単位ブロックＢ１〜Ｂ６は、複数種類の処理モジュールＳＣＰＬ、ＣＯＴ、ＰＡＢを各々備える。制御部６は、単位ブロックＢ３、Ｂ４に振り分けられる一の基板Ｗを単位ブロックＢ３、Ｂ４の各々に搬入した場合に、その状況に応じて当該一の基板Ｗについての個別搬送スケジュールを作成するステップと、各単位ブロックＢ３、Ｂ４に一の基板Ｗが搬入されてから搬出されるまでの滞留時間を求めるステップと、滞留時間が最短の単位ブロックＢ３、Ｂ４に一の基板Ｗを搬入し、個別搬送スケジュールに基づいて基板Ｗを搬送するステップと、を実行するように制御信号を出力する。
【選択図】図６

Description

本発明は、複数種類の処理モジュールを各々備え、互いに同一の処理を行う複数の単位ブロックを利用して基板に対する塗布膜の形成や露光後の現像を行う技術に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布して得たレジスト膜を所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、レジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。

塗布、現像装置には、異なる処理を実行する複数種類の処理モジュールが搭載され、キャリア内に収容された複数枚のウエハは、予め設定された順番で各処理モジュールへと順次、搬送され、正確な処理が実行される。また、単位時間当たりの処理可能枚数を増やすため、これらの処理モジュールは、塗布、現像装置内に複数台ずつ用意されている。

一方、塗布、現像装置においては、各ウエハが搬送される処理モジュールと搬送のタイミングとの関係を示す搬送スケジュールを予め作成し、この搬送スケジュールに基づいてウエハの搬送を実行することがある（例えば特許文献１）。搬送スケジュールを用いることにより、多種、多数の処理モジュールが設けられた塗布、現像装置にて、複数のウエハを並行して処理する場合であっても効率的で安定したウエハ搬送を実現できる。

特開２００４−３１１５１１号公報：段落００５３、図７

一方、塗布、現像装置においては、キャリア内のウエハを処理している途中でトラブルが発生したり、ロットが変更になったりすることにより、一部の処理モジュールが使えなくなる場合もある。このような場合に、予め作成した搬送モジュールに基づいてウエハの搬送が制御されていると、トラブルやロット変更に伴う処理内容の変更を反映した新たな搬送スケジュールを作成しなければならない。また当該塗布、現像装置内には、古い搬送スケジュールを用いて搬送制御され、途中まで処理されたウエハが残っており、新しい搬送スケジュールを用いた搬送制御への切り替えも難しい。

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、柔軟に搬送スケジュールを変更することが可能な塗布、現像装置、塗布、現像方法及びこの方法を記憶した記憶媒体を提供することにある。

本発明の塗布、現像装置は、基板が複数枚収納されたキャリアから取り出された基板に対してレジスト膜を含む塗布膜を形成する共に、露光後の基板に対して現像を行う塗布、現像装置において、
露光前の基板に対して塗布膜を形成するかまたは露光後の基板に対して現像を行うための複数種類の処理モジュールを各々備え、互いに同一の処理を行う複数の単位ブロックと、
前記複数の単位ブロックごとに設けられ、前記複数種類の処理モジュールの間で予め決められた順番で基板の搬送を行うための基板搬送機構と、
前記複数の単位ブロックの間で基板を振り分けて搬入するための基板振り分け機構と、
前記基板振り分け機構により基板を振り分ける前に、振り分けの対象である一の基板を前記複数の単位ブロックの各々に搬入した場合に、単位ブロックごとに単位ブロック内の状況に応じて当該一の基板についての搬送経路を時系列に沿って並べた個別搬送スケジュールを作成するステップと、各単位ブロックに対応する個別搬送スケジュールに基づいて当該一の基板が単位ブロック内に搬入されてから搬出されるまでの滞留時間を求めるステップと、前記基板振り分け機構により、前記滞留時間が最短の単位ブロックに前記一の基板を搬入し、当該単位ブロックについて作成した個別搬送スケジュールに基づいて基板を搬送するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。

前記塗布、現像装置は、下記の構成を備えていてもよい。
（ａ）前記複数種類の処理モジュールは、露光前の基板に対して塗布液を塗布するかまたは露光後の基板に対して現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、を含み、前記液処理モジュール及び加熱モジュールの各々は、同じ処理モジュールが複数用意されて複数の処理モジュールの中から選択できるように構成されていること。
（ｂ）前記基板搬送機構は、上流側の処理モジュールから基板を受け取り、当該基板と下流側の処理モジュール内の基板とを交換するように第１の基板保持体及び第２の基板保持体を備えていること。
（ｃ）前記単位ブロック外の他の処理モジュールを備え、前記キャリア内の基板は、前記単位ブロック内の処理モジュールと他の処理モジュールとに予め設定された順番で搬送されて処理が行われ、前記制御部は、前記キャリア内の各基板に対して前記単位ブロック内の処理モジュール及び他の処理モジュールに対する基板の搬送経路を時系列に沿って並べた全体搬送スケジュールを予め作成するステップと、前記滞留時間が最短の単位ブロックに一の基板を搬入する際に、前記全体搬送スケジュールに含まれる単位ブロックの搬送スケジュールに替えて、当該最短の単位ブロックについての個別搬送スケジュールに基づいて基板を搬送するステップと、を実行するように制御信号を出力すること。
（ｄ）互いに異なる一連の処理を実行するために、前記複数の単位ブロックが複数組設けられ、前記キャリア内の基板は、各組の単位ブロックに予め設定された順番で搬送されて処理が行われ、前記制御部は、各組の単位ブロックごとに前記各ステップを実行するように制御信号を出力すること。
（ｅ）前記複数の単位ブロックは、互いに上下に積層されていること。

本発明は、処理モジュールの種類が共通する複数の単位ブロックのいずれかに基板を搬入して処理を行うにあたり、当該基板を各単位ブロックに搬入した場合の個別搬送スケジュールを作成し、その結果に基づいて基板の滞留時間が最短となる単位ブロックを選択するので、各単位ブロックの稼働状況に応じて柔軟で効率的な基板の搬送を行うことができる。

実施の形態に係る塗布、現像装置の外観斜視図である。 前記塗布、現像装置の横断平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置の電気的構成を示すブロック図である。 前記塗布、現像装置の動作を示すフロー図である。 ウエハの処理を実行する単位ブロックを選択する動作を示すフロー図である。 前記塗布、現像装置全体の搬送スケジュールの概要を示す説明図である。 ウエハ処理時のＣＯＴ層の稼働状況を示す第１の説明図である。 個別搬送スケジュールの作成例を示す第１の説明図である。 ウエハ処理時のＣＯＴ層の稼働状況を示す第２の説明図である。 個別搬送スケジュールの作成例を示す第２の説明図である。 ウエハ処理時のＣＯＴ層の稼働状況を示す第３の説明図である。 個別搬送スケジュールの作成例を示す第３の説明図である。 ウエハ処理時のＣＯＴ層の稼働状況を示す第４の説明図である。 個別搬送スケジュールの作成例を示す第４の説明図である。 採用された個別搬送スケジュールに基づきＣＯＴ層にて実行される搬送スケジュールの例である。 ＢＣＴ層やＤＥＶ層の選択にも本発明を適用した例を模式的に示した説明図である。

本発明が適用される塗布、現像装置１の構成について図１〜図４を参照しながら説明する。図１に示すように、本例の塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、が直線状に接続されている。インターフェイスブロックＤ３にはさらに露光装置Ｄ４が接続されている。以下、ブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向を前後方向、キャリアブロックＤ１が配置されている一端側を手前側として説明を行う。

キャリアブロックＤ１は、同一ロットのウエハＷを複数枚収容したＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）などからなるキャリアＣと、塗布、現像装置１との間でウエハＷを搬入出する役割を有する。図２に示すようにキャリアブロックＤ１は、キャリアＣの載置台２１と、キャリアＣの蓋の開閉を行う開閉部２２と、キャリアＣからウエハＷを取り出して搬送するための搬送アーム２３とを備えている。

図１、図３に示すように、処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合がある。本例では、下からＢＣＴ層Ｂ１、Ｂ２、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４、ＤＥＶ層Ｂ５、Ｂ６が２層ずつ積み上げられている。同種の単位ブロックにおいては、互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。

これらの単位ブロックを代表して、図２にはＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）を例示してある。ＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）には、キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう方向に伸びるように搬送領域３１が設けられ、この前記搬送領域３１には、搬送アームＦ３（Ｆ４）が設けられている。搬送アームＦ３（Ｆ４）は本例の基板搬送機構に相当し、ＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）内の上流側の処理モジュールからウエハＷを受け取り、下流側の処理モジュール内のウエハＷと交換するための２枚のフォーク（第１の基板保持体及び第２の基板保持体）を備えている。

搬送領域３１の一方側（例えば手前側から見て左手）の側方には複数の棚ユニットＵからなり、レジスト膜塗布後の加熱処理を行う処理モジュールである加熱モジュールＰＡＢ１〜ＰＡＢ４（ＰＡＢ５〜ＰＡＢ８）が前後方向に並んで配置されている。また、前記搬送領域３１の他方側（例えば手前側から見て右手）の側方には回転するウエハＷの表面にレジスト液（塗布液）を含む各種薬液を供給して液処理を行う液処理モジュールであるレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３（ＣＯＴ４〜ＣＯＴ６）が前後方向に並べて設けられている。
ここで、本明細書では塗布、現像装置１内にてウエハＷが置かれる場所をモジュールと呼び、置かれたウエハＷに対して処理が行われる場所を処理モジュールと呼ぶ。

他の単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ５及びＢ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックＢ３、Ｂ４とほぼ同様に構成される。単位ブロックＢ１、Ｂ２は、液処理モジュールとして、レジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに反射防止膜形成用の塗布液を供給する反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＢ５、Ｂ６は、現像液を供給する現像モジュールを備える。図３では各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームはＦ１〜Ｆ６と示している。
これら単位ブロックＢ１〜Ｂ６は、各々、複数種類の処理モジュール（例えばＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）は加熱モジュールＰＡＢとレジスト膜形成モジュールＣＯＴ）を備えている。

処理ブロックＤ２における前方側には、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨って上下方向に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に設けられた複数のモジュール間でのウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡しアーム３２とが設けられている。受け渡しアーム３２は、単位ブロックＢ３、Ｂ４にウエハＷを振り分けて搬入するための基板振り分け機構としての役割も果たしている。

タワーＴ１には、複数のモジュールが上下方向に互いに積層されて設けられており、これらのモジュールのうち、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の高さに対応して設けられている受け渡しモジュールＴＲＳは、単位ブロックＢ１〜Ｂ６内の搬送アームＦ１〜Ｆ６との間でウエハＷの受け渡しを行う際に用いられる。

タワーＴ１に設けられているモジュールの具体例を挙げると、単位ブロックＢ１〜Ｂ６との間でのウエハＷを受け渡す際に用いられる既述の受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュールＢＵ、ウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールＡＤＨなどがある。説明を簡単にするため、前記疎水化処理モジュールＡＤＨ、温調モジュールＣＰＬ、バッファモジュールＢＵについては一部の図示を省略してある。

また本実施の形態においては、タワーＴ１と単位ブロックＢ３、Ｂ４（ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４）との間でウエハＷの受け渡しを行う際に用いられる受け渡しモジュールＴＲＳは、処理モジュールである温調モジュールＣＰＬとしての機能も兼ね備えている。図３には、ＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）との間でウエハＷの受け渡し及び温調を行う温調モジュールＣＰＬを各々「ＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２（ＳＣＰＬ３、ＳＣＰＬ４）」と記載してある。ＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）にウエハＷを振り分けて搬入する観点において、これらの温調モジュールＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２（ＳＣＰＬ３、ＳＣＰＬ４）は、ＣＯＴ層Ｂ３（Ｂ４）内のレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３（ＣＯＴ４〜ＣＯＴ６）、加熱モジュールＰＡＢ１〜ＰＡＢ４（ＰＡＢ５〜ＰＡＢ８）と共通の単位ブロックを構成している。

図２、図３に示すようにインターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨って上下方向に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えている。インターフェイスブロックＤ３には、タワーＴ２とタワーＴ３との間でウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在なインターフェイスアーム４１と、タワーＴ２とタワーＴ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在なインターフェイスアーム４２と、タワーＴ２と露光装置Ｄ４との間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム４３とが設けられている。

タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュールＢＵ、露光後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュールＢＵ、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬなどが互いに積層されて構成されているが、タワーＴ１の場合と同様に、バッファモジュールＢＵ及び温調モジュールＣＰＬの図示は省略する。

また、手前側から見てタワーＴ２の右手に配置されているタワーＴ３には、露光後のウエハＷの洗浄処理を行う複数台の露光後洗浄モジュールＰＩＲが上下方向に積層されて配置されている。一方、タワーＴ２の左手に配置されているタワーＴ４には露光装置Ｄ４に搬入される前のウエハＷの裏面洗浄を行う複数台の裏面洗浄モジュールＢＳＴが上下方向に積層されて配置されている。これらのモジュールの記載についても図示は省略してある。

以上に説明した構成を備えた塗布、現像装置１は制御部６とメモリ７とを有するコンピュータを備えている。制御部６はＣＰＵ（Central Processing Unit）６１とプログラム格納部６２とからなり、プログラム格納部６２には各塗布、現像装置１の作用、即ち、キャリアＣからウエハＷを取り出し、搬送経路に沿ってウエハＷを搬送しながら、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６にて処理を実行し、処理後のウエハＷをキャリアＣに格納するまでの動作に係わる制御についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。なお図４においては、プログラム格納部６２と後述のメモリ７とは別々の記憶媒体として記載しているが、これらを共通の記憶媒体により構成してもよい。

ここで本実施の形態に係る塗布、現像装置１は、キャリアＣ内に収納されているウエハＷの搬送及び処理に用いる全モジュールを対象とした全体搬送スケジュールに基づいてウエハＷの搬送制御を実行する機能を備えている。そして、一部の単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４と温調モジュールＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ４）については、個別のウエハＷを搬入する度に、当該ウエハＷの滞留時間が短い単位ブロックＢ３、Ｂ４を搬送先として選択できるように、単位ブロック個別の個別搬送スケジュールに基づいてウエハＷの搬送制御を行う。
なお、ウエハＷの搬送先の単位ブロックＢ３、Ｂ４の選択に関する記載においては、温調モジュールＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２は、ＣＯＴ層Ｂ３に含まれ、温調モジュールＳＣＰＬ３、ＳＣＰＬ４はＣＯＴ層Ｂ４に含まれているものとする。

上述の搬送制御を実施するため、本実施の形態のプログラム格納部６２には、キャリアＣ内の各ウエハＷの搬送先及び搬送順序（即ち、各ウエハＷの搬送経路）を時系列に沿って並べた、塗布、現像装置１全体の搬送スケジュールを作成するスケジューラプログラム６２１と、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４にてウエハＷの処理を行う際に、個別のＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４について各ウエハＷの搬送経路を時系列に沿って並べた個別搬送スケジュールを作成する個別スケジュール作成プログラムと、各ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に対して作成された個別搬送スケジュールに基づいて、ウエハＷの滞留時間が最短となるＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４を当該ウエハＷの搬入先として選択する単位ブロック選択プログラム６２３と、スケジューラプログラム６２１や個別スケジュール作成プログラムにて作成された各搬送スケジュールに基づいてウエハＷの搬送機構を稼働させ、ウエハＷの搬送制御を実行する搬送制御プログラム６２４と、を備えている。

またウエハＷの搬送スケジュールを作成するためのデータとして、メモリ７には搬送レシピ７２、処理レシピ７１が記憶されている。搬送レシピ７２はキャリアＣから搬出されたウエハＷが塗布、現像装置１及び露光装置Ｄ４で処理されて元のキャリアＣに搬入されるまでの搬送経路を設定するための情報が設定されている。同種のモジュールが複数台設けられている場合には、各モジュールを識別して搬送先を選択し、塗布、現像装置１全体の搬送スケジュールを作成することができる。また、搬送レシピ７２に設定されているＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４内の搬送経路は、個別搬送スケジュールの作成にも活用できる。

処理レシピ７１には、各処理モジュールにて実行される処理の内容（例えば液処理モジュールの場合には、ウエハＷの回転速度や薬液の供給時間など、加熱モジュールや温調モジュールＣＰＬの場合には、温度設定値や温調時間など）に関する情報が設定されている。処理レシピ７１は、キャリアＣ内のウエハＷに設定されている情報に応じて、複数種類の中から選択することができる。

一方、工場内を搬送され、各処理装置にて処理が実行されるキャリアＣ内のウエハＷには、予め塗布、現像装置１、露光装置Ｄ４にて実行される処理の内容が設定されている。この処理内容を管理する情報として、キャリアＣ内のウエハＷには、コントロールジョブ（ＣＪ）及びプロセスジョブ（ＰＪ）が設定されている。ＣＪは、各ウエハＷに対して設定されるＰＪのグループ単位であり、本例ではロットごとに設定される。ＰＪは、各ウエハＷに対して実施される処理レシピを特定する情報などが設定される。

例えば各キャリアＣはウエハＷを水平姿勢で保持する２５段のスロットを上下方向に積み重ねた構成となっている。ＣＪには、各ＣＪの個別番号であるＩＤと、当該ＩＤを持つＣＪが設定されるキャリアＣを特定する情報とが含まれる。
各ＣＪには、複数のＰＪを設定することが可能であり、ＰＪには、各ＰＪの個別番号であるＩＤと、当該ＩＤを持つＰＪが設定されるウエハＷを特定する情報（例えば図７に示した搬送スケジュールの「Ａ０１、Ａ０２、…」の符号に相当する）や実施される処理レシピ７１を特定する情報が含まれる。各ＰＪが実施されるウエハＷは、キャリアＣのスロットの位置によって特定される。

これらのＣＪやＰＪに係る情報は、各キャリアＣやその内部に格納されたウエハＷに対して個別に設定されており、制御部６は、工場内の装置を管理するホストコンピュータとの通信などによってこれらの情報を取得する。

以上に説明した構成を備える塗布、現像装置１の作用について説明する。初めに、塗布、現像装置１を用いて実行される処理の概要について説明しておく。
ウエハＷは、キャリアＣからロットごとに１枚ずつ搬出され、搬送アーム２３により、処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。受け渡しモジュールＴＲＳ０のウエハＷは、受け渡しアーム３２により、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２を介してＢＣＴ層Ｂ１、Ｂ２に振り分けられる。

ＢＣＴ層Ｂ１、Ｂ２内に搬入されたウエハＷは、反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送されつつ処理が行われ、続いて受け渡しアーム３２により、温調モジュールＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ４にて温度調整が行われた後、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に振り分けられる。
ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４内に搬入されたウエハＷは、レジスト膜形成モジュール→加熱モジュール→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳの順に搬送されつつ処理が行われる。

タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳに搬入されたウエハＷは、不図示のバッファモジュールＳＢＵに搬入された後、インターフェイスアーム４２によってタワーＴ４の裏面洗浄モジュールＢＳＴに搬入され裏面洗浄が行われる。裏面洗浄後のウエハＷは、各インターフェイスアーム４２、４１、４３によりタワーＴ２の温調モジュールＣＰＬ（不図示）を介して露光装置Ｄ４へ搬入される。

露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム４３、４１によりタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ→タワーＴ３の露光後洗浄モジュールＰＩＲに搬入され、洗浄が行われた後、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６を介してＤＥＶ層Ｂ５、Ｂ６に振り分けられる。
ＤＥＶ層Ｂ５、Ｂ６に搬入されたウエハＷは、加熱モジュール→現像モジュール→加熱モジュール→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳの順に搬送されつつ処理が行われ、搬送アーム２３を介してキャリアＣに戻される。

キャリアＣ内の各ウエハＷに対して上述の処理を実行するにあたり、ウエハＷを各モジュールに搬送する搬送制御の内容について図５〜図１６を参照しながら説明する。
初めに、処理対象のウエハＷを収納したキャリアＣがキャリアブロックＤ１の載置台２１に載置されると（図５のスタート）、制御部６は外部のホストコンピュータからウエハＷの処理に係る情報（ＣＪ及びＰＪ）を取得する。制御部６は、ＰＪに設定されている情報に基づいて当該ウエハＷに実行される処理レシピ７１を選択し、この処理レシピ７１に設定されている処理を実行可能な処理モジュールを選択する。そして、これらの処理モジュールを含み、各処理モジュールに搬入されるまでにウエハＷが通過する受け渡しモジュールＴＲＳやバッファモジュールＢＵなどを含んだ搬送レシピ７２選択し、この搬送レシピ７２に基づいて各ウエハＷの搬送経路を決定する。

こうしてロット内のウエハＷに対して搬送経路を決定し、各ウエハＷの搬送先及び搬送順序を時間経過に沿って並べると、図７に概要を示すように当該ロットに係る塗布、現像装置１の全体搬送スケジュールが作成される（図５のステップＳ１０１）。
ここで図７〜図１６に示す各搬送スケジュール中の左右方向の列は搬送先のモジュールを表し、上下方向の行は各搬送ステップを示しており、カラム内には各モジュールに載置されているウエハＷの識別符号が記載されている。本例の搬送ステップは１０秒単位で下方側の行へ向けて進行する。

ここで、本実施の形態に係る塗布、現像装置１は、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４（タワーＴ１の温調モジュールＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ４を含む。以下同じ）におけるウエハＷの搬送制御については、予め作成した全体搬送スケジュールを用いず、各ウエハＷを搬入時に最適な搬入先を判断している。このため、図７に示した全体搬送スケジュールのうち、破線で囲んだＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の搬送スケジュール部分は、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４よりも後段の各モジュールにおける搬送スケジュールを作成するための模擬的な搬送スケジュールとして機能している。

塗布、現像装置１の全体搬送スケジュールを作成したら、当該全体搬送スケジュールに基づいてウエハＷを搬送し、各処理モジュールにてウエハＷの処理を実行する。一方、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４へのウエハＷの搬入、及び処理は、各ウエハＷの搬入時に作成した個別搬送スケジュールに基づいて実行される（ステップＳ１０２）

この個別搬送スケジュールを作成して、最適なＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４を選択する動作の流れについて図６を参照しながら説明する。
初めに、キャリア内のウエハＷの処理が開始されると（スタート）、予め作成された全体搬送スケジュールに基づいてウエハＷを搬送し、各処理モジュールで処理を実行する（ステップＳ２０１）。

そして、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に搬入されるウエハＷがあれば（ステップＳ２０２；ＹＥＳ）、両ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の処理モジュール（ＳＣＰＬ１〜４、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ６、加熱モジュールＰＡＢ１〜ＰＡＢ８）の稼働状況を把握する（ステップＳ２０３）。把握する稼働状況の具体例としては、処理モジュールの使用状況や、当該ウエハＷの処理レシピ７１にて設定されている処理を実行することができるか否かなどの情報が挙げられる。

次いで、これら取得した稼働情報、及びウエハＷに対して選択された搬送レシピ７２などに基づいて、各ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４にて実行可能な個別搬送スケジュールを作成する（ステップＳ２０４）。個別搬送スケジュールを作成したら、各ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４にウエハＷが搬入されてから搬出されるまでの滞留時間を算出し（ステップＳ２０５）、滞留時間の短いＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４を当該ウエハＷの搬入先として選択する（ステップＳ２０６）。そして、選択されたＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に当該ウエハＷを搬入し、個別搬送スケジュールに基づいてウエハＷの搬送、処理を実行する（ステップＳ２０７）。

以上に述べたＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の稼働状況を取得する動作から、個別搬送スケジュールを作成して各ウエハＷの搬入、処理を行うまでの具体的な動作内容について、図８〜図１６を参照しながら説明する。
今、図８に示すように、「Ａ０１〜Ａ０５」までの５枚のウエハＷがＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に振り分けて搬入されているとする。この５枚目の「Ａ０５」がＣＯＴ層Ｂ３側の温調モジュールＳＣＰＬ１に搬入された直後の「搬送ステップ６」（図８に記載のカラムをグレーで塗り潰して示した。以下図１０、１２、１４において同じ）にて、６枚目の「Ａ０６」のウエハＷの搬入先を決定する場合について考える。

まず、先行して搬入されたウエハＷによって各処理モジュールがいつまで占有されるかなどの処理の進行状況や、使用することができない処理モジュールの有無に関する情報が取得され、これらの稼働状況に基づいて個別スケジュールが作成される。

図９（ａ）、（ｂ）に示すように、「搬送ステップ６」にて「Ａ０６」のウエハＷを搬入した場合の個別搬送スケジュールは、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の双方について作成される。即ち、図９（ａ）に示したＣＯＴ層Ｂ３では、「Ａ０１、Ａ０３」のウエハＷに対するレジスト膜の塗布が６０秒間行われた後、これらのウエハＷが順次、加熱モジュールＰＡＢ１〜ＰＡＢ３に搬入されて処理され（８０秒間）、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳに搬送される。

また、温調モジュールＳＣＰＬ１にて温調が行われている「Ａ０５」のウエハＷは、２０秒間、温調が行われた後、搬入可能な処理モジュールに搬入され、先行のウエハＷと同様の処理が行われた後、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳに搬送される。ここで、事前に把握した稼働状況に対し、個別搬送スケジュールにて新たに追加された搬送ステップおけるウエハＷの載置位置は、カラムをグレーで塗り潰して示してある（以下、図１１、１３、１５において同じ）。また、各処理モジュールにおける処理時間は、一例を示したものであり、ウエハＷの搬送動作は十分に速く、搬送に起因する処理の待ち時間は発生しないものとした。さらに、各モジュールにてウエハＷの入れ替え動作に要する時間は処理時間の内数として示した。

なお、ウエハＷの搬送時間が律速となる場合には、処理モジュール間のウエハＷの搬送に要する時間から、当該搬送と並行して処理モジュール内で他のウエハＷの処理が行われている時間を差し引き、搬送のみに要する時間（処理モジュールがウエハＷの搬送を待っている時間）を加味して滞留時間を算出すればよい。

このように、先行するウエハＷについての搬送スケジュールが作成されると、次に搬入される「Ａ０６」のウエハＷの搬送スケジュールも決まる。即ち、図９（ａ）に示すように、先行するウエハＷの処理が行われていない温調モジュールＳＣＰＬ２に搬入された後、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３にて先行するウエハＷの処理が終わるのを１０秒間待つ。次いで、最も早く処理が終了したレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１に当該ウエハＷを搬入してレジスト膜の塗布を行った後、まだ処理が開始されていない加熱処理モジュールＰＡＢ４に搬入して加熱処理を行う。この結果、温調モジュールＳＣＰＬ２に搬入してから、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳに受け渡すまでの「Ａ０６」のウエハＷの滞留時間は１７０秒であることが特定される。
ここで図９、１１、１３、１５の各図においては、新たに搬入されるウエハＷの各搬送ステップにおける載置位置は、カラムをグレーで塗り潰すと共に、枠線を太線で示してある。

一方、図９（ｂ）に示すように他方側のＣＯＴ層Ｂ４についても同様の手法で個別搬送スケジュールを作成する。この結果、温調モジュールＳＣＰＬ３で温調を終えた「Ａ０６」のウエハＷをレジスト膜形成モジュールＣＯＴ６に搬入する際の待ち時間がないことから、当該ＣＯＴ層Ｂ４における「Ａ０６」のウエハＷの滞留時間は１６０秒であることが特定される。
よって「Ａ０６」のウエハＷは、滞留時間の短いＣＯＴ層Ｂ４に搬入され、図９（ｂ）の個別搬送スケジュールに基づいて先行する「Ａ０２、Ａ０４」及び新たに搬入される「Ａ０６」のウエハＷの搬送制御が行われる。また、他方側のＣＯＴ層Ｂ３においては、「Ａ０５」のウエハＷの搬入時に作成された個別搬送スケジュールに基づくウエハＷの搬送制御が継続される。

なお、上述の手法で求めた両ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の滞留時間が同じであった場合は、例えば、１つ前のウエハＷが搬入されたＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４とは反対側のＣＯＴ層Ｂ４、Ｂ３を選択するなど、上位の選択ルールを定めておけばよい。また、１枚目のウエハＷの搬入時には、既述の全体搬送スケジュールに基づいて搬入先のＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４を選択するとよい。

次いで、図１０、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、「Ａ０７」のウエハＷ等、後続のウエハＷについて順次、個別搬送スケジュールを作成する。そして、新たにウエハＷが搬入される場合には個別搬送スケジュールを更新しながら各ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に搬入されたウエハＷの搬送制御、及び各処理モジュール内での処理を実行する。

この結果、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４内の処理モジュール側にトラブルなどが発生していない条件下で、個別搬送スケジュールに基づいてＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４にウエハＷを振り分けていくと、図７の全体の搬送スケジュール中に破線で囲んで示した模擬の搬送スケジュールが実現されることになる。

次に、ウエハＷの処理を行っている途中に、トラブルなどの発生によってＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４内の一部の処理モジュールが使用できなくなった場合の動作について説明する。
図１２〜図１５には、図８〜図１１を用いて説明した状態から引き続き同様の手順でウエハＷの搬入を実行し、「Ａ１２」のウエハＷの処理を実行する直前（「Ａ０６」のウエハＷの処理の終了直後）の「搬送ステップ１４」にてレジスト膜形成モジュールＣＯＴ６が使用できなくなる場合の動作を示している。

この例において、先行して処理されている「Ａ０６」のウエハＷの処理に影響を与えないタイミングにてレジスト膜形成モジュールＣＯＴ６が使用できなくなる前提としたのは、処理が中断されたウエハＷの取り扱いに関する説明を省略するためである。
仮に、あるウエハＷの処理の途中で処理モジュールが使用できなくなった場合は、処理が中断したウエハＷを回収したり、再処理を行ったりする動作が加わる他は、ウエハＷの搬入先を決定する動作に違いはない。

今、図１２に示した「Ａ１２」のウエハＷの搬入先を決定するにあたり、稼働情報を取得した結果、例えば処理液の不足などによりＣＯＴ層Ｂ４のレジスト膜形成モジュールＣＯＴ６が、「Ａ０６」の処理完了後の「搬送ステップ１４」のタイミングで使用できなくなることが分かったとする。図１２には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ６が使用できなくなっている状態を斜線のハッチで示してある（図１３（ｂ）、１４、１５（ｂ）、１６において同じ）。

この場合においても既述の例と同様に稼働状況を取得した結果に基づいて両ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に「Ａ１２」のウエハＷを搬入した場合の個別搬送スケジュールを作成する。その結果、ＣＯＴ層Ｂ３における「Ａ１２」のウエハＷの滞留時間は１７０秒であった（図１３（ａ））。

一方、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ６を使用できないＣＯＴ層Ｂ３に「Ａ１２」のウエハＷを搬入した場合には、温調モジュールＳＣＰＬ４にて温調を行った後、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ４にて当該ウエハＷの処理が開始可能になるまで２０秒の待ち時間が発生する。この結果、ＣＯＴ層Ｂ４における「Ａ１２」のウエハＷの滞留時間は１８０秒となり（図１３（ａ））、当該ウエハＷの搬入先としては滞留時間の短いＣＯＴ層Ｂ３が選択される。従ってＣＯＴ層Ｂ３には、「Ａ１１、Ａ１２」のウエハＷが連続して搬入されることとなる。なお、後述の図１６に示すように、ＣＯＴ層Ｂ３への「Ａ１２」のウエハＷの実際の搬入タイミングは、図１３（ａ）に示されている「搬送ステップ１４」の待ち時間分だけ遅らせて実行し、受け渡しアーム３２の負荷を平準化している。

次いで図１４、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、続く「Ａ１３」のウエハＷについても個別搬送スケジュールを作成し、滞留時間を比較した結果、当該ウエハＷの搬入先としてＣＯＴ層Ｂ３が選択される。
こうして後続のウエハＷについて順次、個別搬送スケジュールの作成、搬送先のＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の選択を行うと、図１６に示すように一方側のＣＯＴ層Ｂ３には「Ａ１１→Ａ１２→Ａ１４→Ａ１６→Ａ１７→…」の順にウエハＷが搬入され、他方側のＣＯＴ層Ｂ４には「Ａ１０→Ａ１３→Ａ１５→Ａ１８→…」の順にウエハＷが搬送される。

この結果、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ６が使用できなくなった後は、予め作成した模擬の搬送スケジュール（図７中に破線で囲んで示してある）とは異なるＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４を選択する個別搬送スケジュールに基づいて搬送制御が実行される。これらの個別搬送スケジュールは、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４へのウエハＷの搬入動作を実行する度に作成され、その都度、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４におけるウエハＷの滞留時間が短い個別搬送スケジュールが選択されている。従って、キャリアＣ内のウエハＷを順次、処理している途中で、一部の処理モジュールが使用できなくなるなどした場合であっても、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の稼働状況に応じて最適な（単位時間当たりのウエハＷの処理枚数が多い）搬送制御を実現できる。

ここで稼働状況に応じて搬送スケジュールが変化するＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４層の後段側の処理モジュールのウエハＷ搬送について述べておく。予め作成した全体の搬送スケジュール（図７）は、各ウエハＷを識別して実行されるので、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳに搬送されたウエハＷは、この搬送スケジュールに基づいて各処理モジュールへ搬送され、処理が行われる。

例えば図７の搬送スケジュールにてタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳに「Ａ０１〜Ａ１２」のウエハＷが受け渡される場合と、図１６の個別搬送スケジューの実行結果において同受け渡しモジュールＴＲＳにこれらのウエハＷが受け渡される場合とを比較する。これらの例では、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ６が使用できなくなってから搬入された「Ａ１２〜Ａ２５」のウエハＷが受け渡される受け渡しモジュールＴＲＳに載置されるタイミングが遅れたり、受け渡される棚の位置が変化したりしている。

しかしながら、「Ａ１２〜Ａ２５」が受け渡しモジュールＴＲＳに受け渡される順番の入れ違い（例えば「Ａ１２」のウエハＷよりも早く「Ａ１３」のウエハＷが受け渡しモジュールＴＲＳに受け渡される現象）は発生していない。従って、「Ａ０１〜Ａ２５」の番号順にウエハＷを処理するように作成されている全体搬送スケジュールに基づいて、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳに受け渡されたウエハＷを搬送していけば、各ウエハＷに対して正確に処理を行うことができる。

なお、図１２〜図１６では、１台のレジスト膜形成モジュールＣＯＴ６が使用できなくなる場合を例に挙げて説明を行った。しかしながら処理モジュール（温調モジュールＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ４、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ６、加熱モジュールＰＡＢ１〜ＰＡＢ８）の種類や台数が異なる場合であっても同様の手順によってＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の選択を行うことができる。

こうして、キャリア内の全ウエハＷについて搬送、処理を行い（図６のステップＳ２０１、２０３〜２０７）、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に搬入するべきウエハＷがなくなったら（ステップＳ２０２；ＮＯ）、ウエハＷの搬入先の選択に関する動作を終える（エンド）。そして、塗布、現像装置１内の全ウエハＷに関する処理を実行し、処理されたウエハＷを元のキャリアＣに戻す（図５のエンド）。

本実施の形態に係る塗布、現像装置１によれば以下の効果がある。処理モジュールの種類（温調モジュールＳＣＰＬ１〜４、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ６、加熱モジュールＰＡＢ１〜ＰＡＢ８）が共通する複数の単位ブロックであるＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４（温調モジュールＳＣＰＬ１〜４を含む）のいずれかにウエハＷを搬入して処理を行うにあたり、当該ウエハＷを各ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に搬入した場合の個別搬送スケジュールを作成し、その結果に基づいてウエハＷの滞留時間が最短となるＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４を選択する。この結果、各ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の稼働状況に応じて柔軟で効率的なウエハＷの搬送を行うことができる。

ここで図６〜図１６を用いた手法により選択される単位ブロックはＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４に限定されない。例えばＢＣＴ層Ｂ１、Ｂ２の選択やＤＥＶ層Ｂ５、Ｂ６の単位ブロックの各組にウエハＷを搬入する際に個別スケジュールを作成し、ウエハＷの滞留時間が最短となる搬入先を選択してもよい。さらに、予め塗布、現像装置１全体の搬送スケジュールを作成することも必須の要件ではなく、例えば図１７に示すようにＢＣＴ層Ｂ１、Ｂ２、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４、ＤＥＶ層Ｂ５、Ｂ６の単位ブロックの各組にウエハＷが搬入される（１）〜（３）のタイミングにて個別スケジュールを作成して搬送先を決定してもよい。

また、図１２〜図１６を用いて説明した一部の処理モジュール（本例ではレジスト膜形成モジュールＣＯＴ６）が使用できなくなる場合のＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の選択動作は、トラブル発生時の対応として実行される場合に限られない。例えば、共通のキャリアＣ内に複数のロットが設定され、「Ｗ０１〜Ｗ１１」のウエハＷと、「Ｗ１２〜Ｗ２５」のウエハＷとで処理の内容が異なる場合などにも同様の動作でＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４を選択できる。例えばレジスト膜形成モジュールＣＯＴ６は「Ｗ１２〜Ｗ２５」のウエハＷに対して行われる処理を実行する機能を備えていない場合には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ６を除外して個別搬送スケジュールが作成され、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４の選択が行われることになる。

この他、ウエハＷごとに個別搬送スケジュールを作成して搬送先の選択が行われる単位ブロックの構成や各単位ブロックに設けられる処理モジュールの台数や種類は適宜、変更してよい。例えば、ＣＯＴ層Ｂ３、Ｂ４内に各々２台ずつレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴを設け、さらにレジスト膜の上層に保護膜を形成する液処理モジュールである保護膜形成モジュールＩＴＣ１〜ＩＴＣ４を２台ずつ設けてもよい。また、ＢＣＴ層Ｂ１、Ｂ２を設ける代わりに２層のＩＴＣ層を設け、これらのＩＴＣ層に対するウエハＷの搬入先を選択する判断を行ってもよい。

さらには、複数の中から選択される単位ブロックの数も２つに限られるものではない。例えば３組以上の単位ブロックが設けられている場合においても、各単位ブロックについての個別搬送スケジュールを作成し、ウエハＷの滞留時間が最も短い単位ブロックがウエハＷの搬送先として選択されることになる。

これらに加え、単位ブロックは上下に層状に積層されている場合に限られない。例えばＢＣＴ単位ブロックＢ１、Ｂ２と、ＣＯＴ単位ブロックＢ３、Ｂ４と、ＤＥＶ単位ブロックＢ５、Ｂ６とを備える場合において、同種の単位ブロック同士が隣り合うようにこれらの単位ブロックを横方向に並べてもよい。

Ｂ１、Ｂ２ ＢＣＴブロック
Ｂ３、Ｂ４ ＣＯＴブロック
Ｂ５、Ｂ６ ＤＥＶブロック
Ｆ１〜Ｆ６ 搬送アーム
ＣＯＴ１〜ＣＯＴ６
レジスト膜形成モジュール
ＰＡＢ１〜ＰＡＢ８
加熱モジュール
ＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ４
温調モジュール
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
３２ 受け渡しアーム
６１ ＣＰＵ
６２ プログラム格納部
６２１ スケジューラプログラム
６２２ 個別スケジュール作成プログラム
６２３ 単位ブロック選択プログラム
６２４ 搬送制御プログラム
７ メモリ

Claims (11)

1. 基板が複数枚収納されたキャリアから取り出された基板に対してレジスト膜を含む塗布膜を形成する共に、露光後の基板に対して現像を行う塗布、現像装置において、
   露光前の基板に対して塗布膜を形成するかまたは露光後の基板に対して現像を行うための複数種類の処理モジュールを各々備え、互いに同一の処理を行う複数の単位ブロックと、
   前記複数の単位ブロックごとに設けられ、前記複数種類の処理モジュールの間で予め決められた順番で基板の搬送を行うための基板搬送機構と、
   前記複数の単位ブロックの間で基板を振り分けて搬入するための基板振り分け機構と、
   前記基板振り分け機構により基板を振り分ける前に、振り分けの対象である一の基板を前記複数の単位ブロックの各々に搬入した場合に、単位ブロックごとに単位ブロック内の状況に応じて当該一の基板についての搬送経路を時系列に沿って並べた個別搬送スケジュールを作成するステップと、各単位ブロックに対応する個別搬送スケジュールに基づいて当該一の基板が単位ブロック内に搬入されてから搬出されるまでの滞留時間を求めるステップと、前記基板振り分け機構により、前記滞留時間が最短の単位ブロックに前記一の基板を搬入し、当該単位ブロックについて作成した個別搬送スケジュールに基づいて基板を搬送するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
2. 前記複数種類の処理モジュールは、露光前の基板に対して塗布液を塗布するかまたは露光後の基板に対して現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、を含み、前記液処理モジュール及び加熱モジュールの各々は、同じ処理モジュールが複数用意されて複数の処理モジュールの中から選択できるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の塗布、現像装置。
3. 前記基板搬送機構は、上流側の処理モジュールから基板を受け取り、当該基板と下流側の処理モジュール内の基板とを交換するように第１の基板保持体及び第２の基板保持体を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の塗布、現像装置。
4. 前記単位ブロック外の他の処理モジュールを備え、前記キャリア内の基板は、前記単位ブロック内の処理モジュールと他の処理モジュールとに予め設定された順番で搬送されて処理が行われ、
   前記制御部は、前記キャリア内の各基板に対して前記単位ブロック内の処理モジュール及び他の処理モジュールに対する基板の搬送経路を時系列に沿って並べた全体搬送スケジュールを予め作成するステップと、前記滞留時間が最短の単位ブロックに一の基板を搬入する際に、前記全体搬送スケジュールに含まれる単位ブロックの搬送スケジュールに替えて、当該最短の単位ブロックについての個別搬送スケジュールに基づいて基板を搬送するステップと、を実行するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
5. 互いに異なる一連の処理を実行するために、前記複数の単位ブロックが複数組設けられ、前記キャリア内の基板は、各組の単位ブロックに予め設定された順番で搬送されて処理が行われ、
   前記制御部は、各組の単位ブロックごとに前記各ステップを実行するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
6. 前記複数の単位ブロックは、互いに上下に積層されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
7. 基板が複数枚収納されたキャリアから取り出された基板に対してレジスト膜を含む塗布膜を形成する共に、露光後の基板に対して現像を行う塗布、現像方法において、
   露光前の基板に対して塗布膜を形成するかまたは露光後の基板に対して現像を行うための複数種類の処理モジュールを各々備え、互いに同一の処理を行う複数の単位ブロックを用い、
   前記複数の単位ブロックの間で基板を振り分けて搬入する前に、振り分けの対象である一の基板を前記複数の単位ブロックの各々に搬入した場合に、単位ブロックごとに単位ブロック内の状況に応じて当該一の基板についての搬送経路を時系列に沿って並べた個別搬送スケジュールを作成する工程と、
   各単位ブロックに対応する個別搬送スケジュールに基づいて当該一の基板が単位ブロック内に搬入されてから搬出されるまでの滞留時間を求める工程と、
   前記滞留時間が最短の単位ブロックに前記一の基板を搬入し、当該単位ブロックについて作成した個別搬送スケジュールに基づいて基板を搬送する工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
8. 前記複数種類の処理モジュールは、露光前の基板に対して塗布液を塗布するかまたは露光後の基板に対して現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、を含み、前記液処理モジュール及び加熱モジュールの各々は、同じ処理モジュールが複数用意されて複数の処理モジュールの中から選択できるように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の塗布、現像方法。
9. 前記キャリア内の基板は、前記単位ブロック内の処理モジュールと、当該単位ブロック外の他の処理モジュールとに予め設定された順番で搬送されて処理が行われ、
   前記キャリア内の各基板に対して前記単位ブロック内の処理モジュール及び他の処理モジュールに対する基板の搬送経路を時系列に沿って並べた全体搬送スケジュールを予め作成する工程と、
   前記滞留時間が最短の単位ブロックに一の基板を搬入する際に、前記全体搬送スケジュールに含まれる単位ブロックの搬送スケジュールに替えて、当該最短の単位ブロックについての個別搬送スケジュールに基づいて基板を搬送する工程と、を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の塗布、現像方法。
10. 互いに異なる一連の処理を実行するために、前記複数の単位ブロックを複数組用い、前記キャリア内の基板は、各組の単位ブロックに予め設定された順番で搬送されて処理が行われ、
    前記各組の単位ブロックごとに前記各工程が実行されることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
11. 基板に対してレジスト膜を含む塗布膜を形成する共に、露光後の基板に対して現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは請求項７ないし１０のいずれか一つに記載された塗布、現像方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。