JP2021039971A - 基板処理システムおよび基板搬送方法 - Google Patents

基板処理システムおよび基板搬送方法 Download PDF

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Abstract

【課題】フットプリントを抑えることができる基板処理システムおよび基板搬送方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板処理システムおよび基板搬送方法に関して、インデクサブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２（ＭＨＵ１）は、載置台１６に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗを出し入れ可能である。更に、基板搬送機構ＭＨＵ２（ＭＨＵ１）は、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の異なる高さ位置にある例えば２つの処理層Ａ１，Ｂ１間で基板Ｗを搬送する。そのため、従来技術のように、インデクサブロックと処理ブロックの間に、上下方向の２つの処理層間で基板を移動させるための受渡ブロックを設けなくてもよい。そのため、基板処理システムのフットプリントを抑えることができる。
【選択図】図１０

Description

本発明は、基板を処理する基板処理システムおよび、この基板処理システムの基板搬送方法に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。
従来の基板処理装置（基板処理システム）は、インデクサブロック（以下適宜、「ＩＤブロック」と呼ぶ）と、処理ブロックとを備えている（例えば、特許文献１，２参照）。
処理ブロックは、ＩＤブロックに連結される。処理ブロックとＩＤブロックの間には、基板を互いに引き渡すための基板載置部が設けられている。ＩＤブロックには、キャリアを載置するキャリア載置台が設けられている。キャリアは基板を収納する。ＩＤブロックは、インデクサ機構を備えている。インデクサ機構は、キャリア載置台に載置されたキャリアから基板を取り出して、取り出した基板を基板載置部に搬送する。また、インデクサ機構は、処理ブロックで処理された基板を基板載置部からキャリアに戻す。
特許文献１には、ＩＤブロックと処理ブロックの間に配置された受渡ブロックを備えた基板処理システムが開示されている。受渡ブロックは、上下方向に並べて配置された複数の基板載置部（バッファ部を含む）と、複数の基板載置部を挟んで配置された２つの移し換え装置とを備えている。２つの移し換え装置は、ＩＤブロックと処理ブロックが並んで配置される方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に並んで配置されている。２つの移し換え機構は各々、鉛直方向に移動することにより、上下方向に並べて配置された複数の基板載置部に対して基板の搬入出を行う。
また、特許文献２には、塗布処理ブロック、カセットステーション（ＩＤブロックに相当する）および現像処理ブロックがこの順番で水平方向に直線状に連結された基板処理装置が開示されている。カセットステーションは、未処理の基板および処理済の基板のいずれかを収容する４個のカセットが配置できるように構成されている。また、塗布処理ブロックとカセットステーションとの境界部分には、基板の位置合わせ用の第１基板載置部が設けられていると共に、カセットステーションと現像処理ブロックとの境界部分には、基板の位置合わせ用の第２基板載置部が設けられている。カセットステーションの１つの搬送機構は、それらの基板載置部を介して、塗布処理ブロックおよび現像処理ブロックに基板を搬送する。なお、各ブロックは、上下方向に複数の処理層でなく単一の処理層で構成されている。
特開２０１６−２０１５２６号公報 特開平０９−０４５６１３号公報
しかしながら、従来装置は、次の問題を有する。すなわち、従来装置は、特許文献１に記載されるように、上下方向に並んで配置された２つの処理層を備えている。移し換え装置は、２つの処理層間で基板を移動させるために、上下方向に並べて配置された複数の基板載置部で基板を移し換えている。ここで、移し換え装置および複数の基板載置部は、ＩＤブロックと処理ブロックの間に配置された受渡ブロックに設けられている。そのため、受渡ブロックは基板処理システムのフットプリントを大きくさせている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、フットプリントを抑えることができる基板処理システムおよび基板搬送方法を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理システムは、基板を収納することが可能なキャリアを載置するための載置台が設けられたインデクサブロックと、上下方向に配置された複数の処理層を有する第１処理装置と、上下方向に配置された複数の処理層を有する第２処理装置と、を備え、前記第１処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第２処理装置は、この順番で水平方向に連結されており、前記インデクサブロックは、前記載置台に載置されたキャリアに対して基板を出し入れすることができ、基板を搬送する第１インデクサ機構と、複数の基板を載置する基板バッファとを内部に有し、前記第１インデクサ機構は、前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送することを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理システムによれば、基板処理システムのフットプリントを抑えることができる。すなわち、インデクサブロックの第１インデクサ機構は、載置台に載置されたキャリアに対して基板を出し入れすることができる。更に、第１インデクサ機構は、第１処理装置および第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する。そのため、従来技術のように、インデクサブロックと処理ブロックの間に、上下方向の２つの処理層間で基板を移動させるための受渡ブロックを設けなくてもよい。そのため、基板処理システムのフットプリントを抑えることができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１処理装置および前記第２処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、前記第１処理装置および前記第２処理装置の同じ高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、各処理層にある基板搬送機構は、前記基板バッファを介して基板を受け渡し、また、前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第１インデクサ機構は、各処理層に対応する高さ位置にある前記基板バッファの２つのバッファ部間で基板を搬送することが好ましい。
インデクサブロックを横断して、同じ高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、第１インデクサ機構を用いずに、基板バッファを用いて基板の受け渡しを行うことができる。また、異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、第１インデクサ機構および基板バッファを用いて基板の受け渡しを行うことができる。なお、第１インデクサ機構を用いずに基板を搬送することができると、第１インデクサ機構の負担を軽減することができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１処理装置および前記第２処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第１インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記２つの処理層の２つの処理ユニット間で基板を直接搬送することが好ましい。
これにより、第１処理装置の処理層の基板搬送機構は、第１処理装置内の処理ユニットから基板を取り出して、取り出した基板を基板バッファに搬送する動作を省略することができる。また、第２処理装置の処理層の基板搬送機構は、第２処理装置内の処理ユニットから基板を取り出して、取り出した基板を基板バッファに搬送する動作を省略することができる。そのため、２つの処理層の基板搬送機構の負担を軽減することができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１処理装置および前記第２処理装置の同じ高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、各処理層にある基板搬送機構は、前記基板バッファを介して基板を受け渡しすることが好ましい。これにより、インデクサブロックを横断して同じ高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、第１インデクサ機構を用いずに基板を搬送することができる。そのため、第１インデクサ機構の負荷を軽減することができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記載置台に載置されたキャリアから、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくとも一方の処理層の処理ユニットに基板を直接搬送することが好ましい。これにより、処理層の基板搬送機構は、基板バッファから基板を取り出して、取り出した基板を処理層の処理ユニットに搬送する動作を省略することができる。そのため、処理層の基板搬送機構の負担を軽減することができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１インデクサ機構は、前記載置台に載置されたキャリアから複数枚の基板を同時に取り出し、前記基板バッファを介さずに、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくとも一方の処理層の処理ユニットに１枚ずつ基板を直接搬送することが好ましい。第１インデクサ機構がキャリアから同時に２枚の基板を取り出したとする。この２枚の基板を１枚ずつ処理ユニットに搬送することで、キャリアから処理ユニットまでの往復移動回数を少なくすることができる。そのため、基板の搬送効率を向上させることができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくとも一方の処理層の前記処理ユニットから前記載置台に載置されたキャリアに基板を直接搬送することが好ましい。これにより、処理層の基板搬送機構は、処理ユニットから基板を取り出して、取り出した基板を基板バッファに搬送する動作を省略することができる。そのため、処理層の基板搬送機構の負担を軽減することができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１処理装置および前記第２処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第１インデクサ機構は、前記基板バッファと前記２つの処理層の一方の処理ユニットと間で基板を直接搬送することが好ましい。これにより、２つの処理層の一方の処理ユニットがある処理層の基板搬送機構は、そのユニットと基板バッファとの間で基板を搬送する動作を省略することができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記インデクサブロックは、基板を搬送する第２インデクサ機構を更に備え、前記第２インデクサ機構は、前記基板バッファを挟んで前記第１インデクサ機構の反対側に配置されており、前記第１インデクサ機構および前記第２インデクサ機構は、前記第１処理装置および第２処理装置が並んで配置される方向と直交する方向に配置されていることが好ましい。これにより、第１インデクサ機構の負担を軽減することができる。また、基板処理システム内に多数の基板を送り込むことができ、基板処理システム内から多数の基板を取り出すことができる。
また、上述の基板処理システムにおいて、前記第１インデクサブロックに隣接し、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくとも一方の処理層に配置され、前記第１インデクサ機構により前記基板バッファを介さずに、基板が直接搬送される隣接処理ユニットを更に備えていることが好ましい。これにより、処理層の基板搬送機構は、基板バッファから基板を取り出して、取り出した基板を処理層の隣接処理ユニットに搬送する動作を省略することができる。そのため、処理層の基板搬送機構の負担を軽減することができる。
また、本発明に係る基板搬送方法は、基板を収納することが可能なキャリアを載置するための載置台が設けられたインデクサブロックと、上下方向に配置された複数の処理層を有する第１処理装置と、上下方向に配置された複数の処理層を有する第２処理装置と、を備え、前記第１処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第２処理装置が、この順番で水平方向に連結されている基板処理システムの基板搬送方法において、前記インデクサブロックは、前記載置台に載置されたキャリアに対して基板を出し入れすることができ、基板を搬送する第１インデクサ機構と、複数の基板を載置する基板バッファとを内部に有し、前記第１インデクサ機構によって、前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する工程を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理方法によれば、基板処理システムのフットプリントを抑えることができる。すなわち、インデクサブロックの第１インデクサ機構は、載置台に載置されたキャリアに対して基板を出し入れすることができる。更に、第１インデクサ機構は、第１処理装置および第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する。そのため、従来技術のように、インデクサブロックと処理ブロックの間に、上下方向の２つの処理層間で基板を移動させるための受渡ブロックを設けなくてもよい。そのため、基板処理システムのフットプリントを抑えることができる。
本発明に係る基板処理システムおよび基板搬送方法によれば、フットプリントを抑えることができる。
実施例１に係る基板処理装置の縦断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の横断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の平面図である。 インデクサブロックの基板搬送機構を示す図である。 ２つのハンドおよび進退駆動部の平面図である。 実施例１に係る基板処理装置の右側面図である。 実施例１に係る基板処理装置の左側面図である。 ２方向から基板を搬送できる熱処理部を説明するための図である。 基板処理装置の処理工程の一例を示すフローチャートである。 基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。 実施例２に係る基板処理装置を示す左側面図である。 実施例２に係る基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。 実施例３に係る基板処理装置を示す右側面図である。 実施例３に係る基板処理装置を示す左側面図である。 基板処理装置の処理工程の一例を示すフローチャートである。 実施例３に係る基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。 （ａ）、（ｂ）は、変形例に係る動作を説明するための図である。 変形例に係る構成を説明するための図である。 変形例に係る基板処理装置を示す左側面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置１の縦断面図である。図２は、実施例１に係る基板処理装置１の横断面図である。図３は、実施例１に係る基板処理装置１の平面図である。
＜基板処理装置１の構成＞
図１を参照する。基板処理装置（基板処理システム）１は、ＩＤブロック（インデクサブロック）２、第１処理ブロック３、第２処理ブロック５、インターフェースブロック（以下適宜、「ＩＦブロック」と呼ぶ）６およびキャリアバッファ装置８を備えている。第１処理ブロック３、ＩＤブロック２、第２処理ブロック５およびＩＦブロック６は、この順番で水平方向に直線状に連結されている。
なお、図１、図２において、符号ＰＰは、例えば、処理液を送るための配管および電気配線などを収容するための収容ブロックを示す。また、本実施例において、第１処理ブロック３は、本発明の第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５およびＩＦブロック６は、本発明の第２処理装置に相当する。
また、基板処理装置１は、図２に示すように、制御部９と、操作部１０とを備えている。制御部９は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）を備えている。制御部９は、基板処理装置１の各構成を制御する。操作部１０は、表示部（例えば液晶モニタ）、記憶部および入力部を備えている。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。入力部は、キーボード、マウス、タッチパネルおよび各種ボタンの少なくとも１つを備えている。記憶部には、基板処理の各種条件および基板処理装置１の制御に必要な動作プログラム等が記憶されている。
（１−１）ＩＤブロック２の構成
ＩＤブロック２は、図２、図３に示すように、４つのオープナ（キャリア載置部）１１〜１４と、２つの基板搬送機構（ロボット）ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と、基板バッファＢＦとを備えている。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２と基板バッファＢＦは、ＩＤブロック２の内部に配置されている。なお、基板搬送機構ＭＨＵ１は、本発明の第１インデクサ機構に相当する。基板搬送機構ＭＨＵ２は、本発明の第２インデクサ機構に相当する。
（１−１−１）オープナ１１〜１４等の構成
４つのオープナ１１〜１４は、ＩＤブロック２の外壁に設けられている。２つのオープナ１１，１２は、第１基板搬送機構ＭＨＵ１がキャリアＣに基板Ｗを出し入れできるように、第１基板搬送機構ＭＨＵ１の周囲に配置されている。図２、図３において、２つのオープナ１１，１２は、基板搬送機構ＭＨＵ１を挟み込むよう前後方向（Ｘ方向）に配置されている。２つのオープナ１１，１２と同様に、２つのオープナ１３，１４は、第２基板搬送機構ＭＨＵ２がキャリアＣに基板Ｗを出し入れできるように、第２基板搬送機構ＭＨＵ２の周囲に配置されている。２つのオープナ１３，１４は、第２基板搬送機構ＭＨＵ２を挟み込むように前後方向に配置されている。
４つのオープナ１１〜１４は各々、図１に示すように、載置台１６、開口部１８、シャッタ部材（図示しない）、およびシャッタ部材駆動機構（図示しない）を備えている。載置台１６は、キャリアＣを載置するために用いられる。
キャリアＣは、複数（例えば２５枚）の基板Ｗを収納することができる。キャリアＣは、例えば、フープ（ＦＯＵＰ：Front Open Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドが用いられる。すなわち、キャリアＣは、例えば、基板Ｗを出し入れするための開口部が設けられ、基板Ｗが収納されるキャリア本体と、開口部を塞ぐための蓋部とを備えているものが用いられる。
開口部１８は、基板Ｗを通すために用いられる。シャッタ部材は、開口部１８の開閉を行うと共に、キャリアＣのキャリア本体に対して蓋部の着脱を行う。シャッタ部材駆動部は、電動モータを備えており、シャッタ部材を駆動する。シャッタ部材は、キャリア本体から蓋部を外した後、例えば開口部１８に沿って水平方向（Ｙ方向）、あるいは下方向（Ｚ方向）に移動される。
載置台１６は、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の上方に配置されている。具体的には、２つのオープナ１１，１３の各載置台１６は、第１処理ブロック３よりも上に配置されている。また、２つのオープナ１２，１４の各載置台１６は、第２処理ブロック５よりも上に配置されている。なお、２つのオープナ１１，１３の各載置台１６は、第１処理ブロック３の上面または屋上に設けられていてもよい。また、２つのオープナ１２，１４の各載置台１６は、第２処理ブロック５の上面または屋上に設けられていてもよい。
（１−１−２）基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の構成
図２に示すように、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は、基板バッファＢＦを挟み込むように配置されている。すなわち、第２基板搬送機構ＭＨＵ２は、基板バッファＢＦを挟んで第１基板搬送機構ＭＨＵ１の反対側に配置されている。また、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５が並んで配置される方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に配置されている。
第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのオープナ１１，１２の各載置台１６に載置されたキャリアＣと、基板バッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送することができる。また、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのオープナ１１，１２の各載置台１６に載置されたキャリアＣと、後述する熱処理部３７との間で基板Ｗを直接搬送することができる。一方、第２基板搬送機構ＭＨＵ２は、２つのオープナ１３，１４の各載置台１６に載置されたキャリアＣと、基板バッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送することができる。
図４、図５を参照する。２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、２つのハンド２１、進退駆動部２３、および昇降回転駆動部２５を備えている。２つのハンド２１は各々、基板Ｗを保持する。２つのハンド２１は個々に水平方向に進退可能である。そのため、キャリアＣから１枚の基板Ｗを取り出したり、２枚の基板Ｗを同時に取り出したりすることができる。
ハンド２１は、図５に示すように、１つの基礎部分２１Ａと、その基礎部分２１Ａから分かれた２つの先端部分２１Ｂ，２１Ｃとを有し、Ｙ字状、Ｕ字状または二叉フォーク状のように構成されている。基礎部分２１Ａおよび、２つの先端部分２１Ｂ，２１Ｃには、基板Ｗを吸着することで基板Ｗを保持するための吸着部２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃが設けられている。３つの吸着部２７Ａ〜２７Ｃは、例えば、配管を介して接続されるポンプによって吸着力が与えられるように構成されている。なお、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２は各々、２つのハンド２１を備えているが、３つ以上のハンド２１を備えていてもよい。
進退駆動部２３は、各ハンド２１を移動可能に支持すると共に、各ハンド２１を進退移動させる。進退駆動部２３は、１つのハンド２１を駆動するために、例えば、電動モータと、直線状のねじ軸と、ねじ軸と噛み合う孔部を有する可動部材と、可動部材をガイドするガイド部とを備えている。
昇降回転駆動部２５は、進退駆動部２３を昇降および回転させることで、２つのハンド２１を昇降および回転させる。昇降回転駆動部２５は、図４に示すように、支柱部２５Ａと回転部２５Ｂを備えている。支柱部２５Ａは、上下方向に延びるように設けられている。支柱部２５Ａは、ＩＤブロック２の床部に固定されている。そのため、支柱部２５Ａ、すなわち昇降回転駆動部２５の水平方向（ＸＹ方向）の位置は、移動されずに固定されている。回転部２５Ｂは、進退駆動部２３を鉛直軸ＡＸ１周りに回転させる。昇降回転駆動部２５による昇降および回転は、電動モータによって駆動される。
（１−１−３）基板バッファＢＦの構成
基板バッファＢＦは、複数の基板Ｗを載置する。基板バッファＢＦは、図２に示すように、第１処理ブロック３と第２処理ブロック５の中間（中央）に配置されている。これにより、第１処理ブロック３の基板搬送機構ＭＨＵ３および第２処理ブロック５の基板搬送機構ＭＨＵ４は共に、基板バッファＢＦに対して基板Ｗを出し入れすることができる。すなわち、ＩＤブロック２の２台の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を加えた４台の基板搬送機構ＭＨＵ１〜ＭＨＵ４は、基板バッファＢＦに載置されている基板Ｗを４方向から取り合うことができる。
基板バッファＢＦは、図１に示すように、３つのバッファ部ＢＵ１〜ＢＵ３を備えている。３つのバッファ部ＢＵ１〜ＢＵ３は、上下方向に１列で配置されている。３つのバッファ部ＢＵ１〜ＢＵ３は各々、基板Ｗを載置するために、上下方向に配置された複数（例えば１５個）の基板載置部（図示しない）を備えている。
第１バッファ部ＢＵ１は、第１処理ブロック３の処理層Ｂ２および第２処理ブロック５の処理層Ｃ２と同じ階層（すなわち１階）に設けられている。第２バッファ部ＢＵ２は、第１処理ブロック３の処理層Ｂ１および第２処理ブロック５の処理層Ｃ１と同じ階層（すなわち２階）に設けられている。第３バッファ部ＢＵ３は、第１処理ブロック３の処理層Ａ１および第２処理ブロック５の処理層Ａ２と同じ階層（すなわち３階）に設けられている。
なお、図１において、第１処理ブロック３の３つの処理層Ｂ２，Ｂ１，Ａ１のうちの例えば処理層Ａ１は、第２処理ブロック５の３つの処理層Ｃ２，Ｃ１，Ａ２のうちの処理層Ａ２と同じ階層（同じ高さ位置）に配置されている。同様に、処理層Ｂ１は、処理層Ｃ１と同じ階層に配置されている。処理層Ｂ２は、処理層Ｃ２と同じ階層に配置されている。また、２つの処理層Ａ１，Ａ２は、４つの処理層Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２と階層が異なる。
（１−２）処理ブロック３，５の構成
図１、図２を参照する。第１処理ブロック３は、３つの処理層Ｂ２，Ｂ１，Ａ１を備えている。３つの処理層Ｂ２，Ｂ１，Ａ１は、積み重ねるように上下方向に配置されている。また、第２処理ブロック５は、３つの処理層Ｃ２，Ｃ１，Ａ２を備えている。３つの処理層Ｃ２，Ｃ１，Ａ２は、積み重ねるように上下方向に配置されている。例えば、２つの処理層Ａ１，Ａ２は、基板Ｗに対して反射防止膜を形成する。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は、基板Ｗに対してフォトレジスト膜を形成する。また、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、基板Ｗに対して現像処理を行う。３つの処理層Ａ１，Ｂ１，Ｃ１は、３つの処理層Ａ２，Ｂ２，Ｃ２の処理と同じ処理を基板Ｗに対して行う。
本実施例において、第１処理ブロック３は３つの処理層Ｂ２，Ｂ１，Ａ１を備え、第２処理ブロック５は３つの処理層Ｃ２，Ｃ１，Ａ２を備えている。しかし、処理層は３つに限定されない。すなわち、第１処理ブロック３は複数の処理層を備え、第２処理ブロック５は、複数の処理層を備えていればよい。
３つの処理層Ｂ２，Ｂ１，Ａ１は各々、基板搬送機構ＭＨＵ３、複数の液処理ユニット３６、複数の熱処理部３７、および搬送スペース３９を備えている。また、３つの処理層Ｃ２，Ｃ１，Ａ２は各々、基板搬送機構ＭＨＵ４、複数の液処理ユニット３６、複数の熱処理部３７、および搬送スペース３９を備えている。搬送スペース３９は、平面視でＸ方向に長手の長方形の空間である。基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は各々、搬送スペース３９に配置されている。液処理ユニット３６と熱処理部３７は、搬送スペース３９を挟み込むように配置されている。また、液処理ユニット３６と熱処理部３７は、搬送スペース３９の長手方向（Ｘ方向）に沿って各々配置されている。
（１−２−１）基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４の構成
基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は各々、基板Ｗを搬送する。基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は各々、２つのハンド４１、進退駆動部４３、回転駆動部４５、第１移動機構４７および第２移動機構４８を備えている。２つのハンド４１、進退駆動部４３および回転駆動部４５はそれぞれ、例えば第１基板搬送機構ＭＨＵ１の２つのハンド２１、進退駆動部２３、回転部２５Ｂと同じように構成されている。すなわち、２つのハンド４１は各々、基板Ｗを保持する。２つのハンド４１は各々、１つの基礎部分と、その基礎部分から分かれた２つの先端部分とを有している。基礎部分および、２つの先端部分には、それぞれ基板Ｗを吸着することで基板Ｗを保持するための吸着部が設けられている。
２つのハンド４１は各々、進退駆動部４３に移動可能に取り付けられている。進退駆動部４３は、２つのハンド４１を個々に進退させる。回転駆動部４５は、進退駆動部４３を鉛直軸ＡＸ３周りに回転させる。これにより、２つのハンド４１の向きを変えることができる。第１移動機構４７は、回転駆動部４５を図１の前後方向（Ｘ方向）に移動させることができる。第２移動機構４８は、第１移動機構４７を図１の上下方向（Ｚ方向）に移動させることができる。２つの移動機構４７，４８により、２つのハンド４１および進退駆動部４３をＸＺ方向に移動させることができる。
進退駆動部４３、回転駆動部４５、第１移動機構４７および第２移動機構４８は各々、電動モータを備えている。
（１−２−２）液処理ユニット３６の構成
図６は、基板処理装置１の右側面図である。６つの処理層Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２（以下適宜、「６つの処理層（Ａ１等）」と呼ぶ）は各々、８つの液処理ユニット３６を備えている。８つの液処理ユニット３６は、上下方向に２段×水平方向に４列で配置することが可能である。図６において、例えば、２つの処理層Ａ１，Ａ２は各々、８つの塗布ユニットＢＡＲＣを備えている。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は各々、８つの塗布ユニットＰＲを備えている。また、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は各々、８つの現像ユニットＤＥＶを備えている。なお、液処理ユニット３６の個数および種類は、必要に応じて変更される。
液処理ユニット３６（塗布ユニットＢＡＲＣ，ＰＲおよび現像ユニットＤＥＶ）は各々、図２に示すように、保持回転部５１、ノズル５２およびノズル移動機構５３を備えている。保持回転部５１は、例えば真空吸着によって基板Ｗの下面を保持して、保持した基板Ｗを鉛直軸（Ｚ方向）周りに回転させる。ノズル５２は、処理液（例えば反射防止膜を形成するための液、フォトレジスト液、または現像液）を基板Ｗに対して吐出する。ノズル５２は、配管を介して処理液供給源に接続されており、配管には、ポンプおよび開閉弁が設けられている。ノズル移動機構５３は、ノズル５２を任意の位置に移動させる。保持回転部５１およびノズル移動機構５３は各々、例えば電動モータを備えている。
（１−２−３）熱処理部３７の構成
図７は、基板処理装置１の左側面図である。６つの処理層（Ａ１等）は各々、２４個の熱処理部３７を備えることが可能である。２４個の熱処理部３７は、４段×６列で配置される。熱処理部３７は、基板Ｗに対して熱処理（所定の処理）を行うために、基板Ｗを載置するプレート５７（図２参照）を備えている。熱処理部３７は、プレート５７を加熱するために例えば電熱器などのヒータを備えている。また、熱処理部３７は、プレート５７を冷却するために例えば水冷式の循環機構またはペルチェ素子を備えている。
熱処理部３７は、加熱処理および冷却処理を主に行う本来の熱処理部と、加熱処理および冷却処理を行わない処理ユニットであるエッジ露光部ＥＥＷおよび検査部ＬＳＣＭ１，ＬＳＣＭ２とを含んでいる。本実施例において、液処理ユニット３６以外の処理ユニットを熱処理部３７と呼んでいる。
図７において、２つの処理層Ａ１，Ａ２は各々、例えば、４つの冷却部ＣＰ、および８つの加熱処理部ＰＡＢを備えている。冷却部ＣＰは基板Ｗを冷却する。加熱処理部ＰＡＢは、塗布後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。図７において、２つの処理層Ａ１，Ａ２の各々の４つの冷却部ＣＰは、ＩＤブロック２に隣接して配置されている。このようにＩＤブロック２に隣接して配置されているユニットを本実施例では「隣接処理ユニットＡＤ」と呼ぶ。この４つの冷却部ＣＰ（隣接処理ユニットＡＤ）には、２方向から基板Ｗの出し入れを行うために、例えば２つの基板搬入口５９Ａ，５９Ｂが設けられている（図８参照）。
図７、図８に示すように、４つの冷却部ＣＰが配置される処理層Ａ１では、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３が冷却部ＣＰのプレート５７Ａに基板Ｗを搬送することできると共に、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１がそのプレート５７Ａに基板Ｗを搬送することができる。また、処理層Ａ２では、処理層Ａ２の基板搬送機構ＭＨＵ４が冷却部ＣＰのプレート５７Ｂに基板を搬送することができると共に、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１がそのプレート５７Ｂに基板Ｗを搬送することができる。なお、熱処理部３７が冷却部ＣＰである場合、図８に示すように、プレート５７は、１つであってもよい。
また、２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は各々、例えば、４つの冷却部ＣＰ、および８つの加熱処理部ＰＡＢを備えている。更に、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は各々、４つの冷却部ＣＰ、４つの露光後ベーク処理部ＰＥＢ、８つのポストベーク部ＰＢ、２つのエッジ露光部ＥＥＷ、および２つの検査部ＬＳＣＭ１，ＬＳＣＭ２を備えている。
露光後ベーク処理部ＰＥＢは、露光後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。ポストベーク部ＰＢは、現像処理後の基板Ｗに対してベーク処理を行う。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗの周辺部の露光処理を行う。２つの検査部ＬＳＣＭ１，ＬＳＣＭ２は各々、ＣＣＤカメラまたはイメージセンサを備えている。検査部ＬＳＣＭ１は塗布膜（例えばフォトレジスト膜）を検査する。検査部ＬＳＣＭ２は現像後の基板Ｗを検査する。
なお、６つの処理層（Ａ１等）の少なくとも１つは、密着強化処理部ＡＨＰを備えていてもよい。密着強化処理部ＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の密着強化剤を基板Ｗに塗布して加熱する。加熱処理部ＰＡＢ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、ポストベーク部ＰＢ、および密着強化処理部ＡＨＰは各々、冷却機能を有する。また、熱処理部３７の個数、種類および位置は適宜変更される。
（１−３）ＩＦブロック６の構成
ＩＦブロック６は、第２処理ブロック５に連結されている。ＩＦブロック６は、外部装置である露光装置ＥＸＰに基板Ｗの搬出および搬入を行う。図１、図２、図６、図７に示すように、ＩＦブロック６は、３つの基板搬送機構ＨＵ５〜ＨＵ７、露光前洗浄ユニット１６１、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、バッファ部ＰＳＢ４，ＰＳＢ５、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９を備えている。
なお、洗浄ユニット１６１，ＳＯＡＫは、基板Ｗを保持する保持回転部と、例えば洗浄液を基板Ｗに吐出するノズルとを備えている。また、処理前洗浄ユニット１６１は、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。なお、基板Ｗの裏面は、例えば回路パターンが形成された面の反対側の面を言う。バッファ部ＰＳＢ４，ＰＳＢ５は各々、複数の基板Ｗを載置可能である。
図２に示すように、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は、Ｘ方向と直交するＹ方向に並んで配置されている。また、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は、複数の基板Ｗを載置可能なバッファ部ＰＳＢ４を挟んで配置されている。第７基板搬送機構ＨＵ７は、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６を挟んで（横切って）第２処理ブロック５の反対側に配置されている。すなわち、第７基板搬送機構ＨＵ７と第２処理ブロック５の間には、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６が配置されている。３つの基板搬送機構ＨＵ５〜ＨＵ７の間には、複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９が配置されている。複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９は上下方向に配置されている。基板載置部ＰＳ９は、複数の基板Ｗを載置できるように構成されている。
第５基板搬送機構ＨＵ５は、露光前洗浄ユニット１６１（図２の矢印ＲＳ側、図６参照）、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ（矢印ＲＳ側）、露光後ベーク処理部ＰＥＢ（矢印ＲＳ側）、バッファ部ＰＳＢ４，ＰＳＢ５、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９の間で基板Ｗを搬送する。第６基板搬送機構ＨＵ６は、露光前洗浄ユニット１６１（図２の矢印ＬＳ側、図７参照）、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ（矢印ＬＳ側）、露光後ベーク処理部ＰＥＢ（矢印ＬＳ側）、バッファ部ＰＳＢ４，ＰＳＢ５、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９の間で基板Ｗを搬送する。第７基板搬送機構ＨＵ７は、露光装置ＥＸＰ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび基板載置部ＰＳ９の間で基板Ｗを搬送する。
３つの基板搬送機構ＨＵ５〜ＨＵ７は各々、ハンド２１、進退駆動部２３および昇降回駆動部５８を備えている。ハンド２１および進退駆動部２３は、例えば基板搬送機構ＭＨＵ１のハンド２１および進退駆動部２３と同様に構成されている。昇降回転駆動部５８は電動モータを備えており、ハンド２１および進退駆動部２３を昇降させ、またハンド２１および進退駆動部２３を鉛直軸周りに回転させる。
（１−４）キャリアバッファ装置８の構成
キャリアバッファ装置８は、図１、図３のように、キャリア搬送機構６１とキャリア保管棚６３とを備えている。キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３（すなわちキャリアバッファ装置８）は、ＩＤブロック２および２つの処理ブロック３，５の上に搭載されている。キャリア搬送機構６１は、４つのオープナ１１〜１４の各々の載置台１６とキャリア保管棚６３との間でキャリアＣを搬送する。キャリア保管棚６３は、キャリアＣを保管する。なお、キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３は各々、ＩＤブロック２および２つの処理ブロック３，５の少なくとも１つの上に搭載されていてもよい。また、キャリア搬送機構６１およびキャリア保管棚６３は各々、ＩＦブロック６の上に搭載されていてもよい。
図３を参照する。キャリア搬送機構６１は、２つの多関節アーム６５，６６を備えている。第１多関節アーム６５の一端には把持部６７が設けられ、第２多関節アーム６６の一端には把持部６８が設けられている。第１多関節アーム６５の他端は、支柱状の昇降駆動部６９に上下方向（Ｚ方向）に移動可能に支持され、第２多関節アーム６６の他端は、昇降駆動部６９に上下方向に移動可能に支持されている。
２つの把持部６７，６８は各々、例えば、キャリアＣの上面に設けられた突起部を把持するように構成されている。昇降駆動部６９は、２つの多関節アーム６５，６６を個別に昇降できるように構成されている。２つの把持部６７，６８、２つの多関節アーム６５，６６および昇降駆動部６９は各々、電動モータを備えている。
前後駆動部７０は、昇降駆動部６９を支持する支持部７０Ａと、前後方向（Ｘ方向）に長手に延びる長手部７０Ｂと、電動モータとを備えている。例えば、長手部７０Ｂがレール（ガイドレール）であり、支持部７０Ａが台車であってもよい。この場合、電動モータによって台車（支持部７０Ａ）がレール（長手部７０Ｂ）に沿って移動するように構成されていてもよい。
また、例えば電動モータ、複数のプーリ、ベルトおよびガイドレールが、長手部７０Ｂに内蔵され、支持部７０Ａがベルトに固定されていてもよい。この場合、電動モータによってプーリが回転し、複数のプーリに掛けられたベルトが移動することによって、ガイドレールに沿って支持部７０Ａを移動させるようにしてもよい。また、例えば電動モータ、ねじ軸およびガイドレールが、長手部７０Ｂに内蔵され、ねじ軸と噛み合うナット部が支持部７０Ａに設けられていてもよい。この場合、電動モータによってねじ軸が回転されることにより、ガイドレールに沿って支持部７０Ａを移動させるようにしてもよい。
また、キャリア保管棚６３は、未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣを外部搬送機構ＯＨＴ（Overhead Hoist Transport）から受け取る。また、キャリア保管棚６３は、処理後の基板Ｗが収納されたキャリアＣを外部搬送機構ＯＨＴに引き渡す。外部搬送機構ＯＨＴは、工場内でキャリアＣを搬送するものである。未処理の基板Ｗは、本実施例における基板処理装置１による基板処理が行われていない基板Ｗをいい、処理後の基板Ｗは、本実施例における基板処理装置１による基板処理が行われている基板Ｗをいう。キャリア保管棚６３の一部の上方には、外部搬送機構ＯＨＴのレール７７が設けられている。外部搬送機構ＯＨＴは、キャリア保管棚６３に対してキャリアＣの受け渡しを行う。キャリア搬送機構６１は、載置台１６および各棚６３の間でキャリアＣを自在に移動することができる。
（２）基板処理装置１の動作
次に、基板処理装置１の動作について説明する。図９は、基板処理装置１の処理工程の一例を示すフローチャートである。図１０は、基板処理装置１の動作を説明するためのフローチャートである。
図３に示すキャリア搬送機構６１は、外部搬送機構ＯＨＴにより搬送された未処理の基板Ｗが収納されたキャリアＣをオープナ１１，１２の一方に搬送する。この説明では、キャリアＣは、オープナ１１に搬送されているものとする。シャッタ部材およびシャッタ部材駆動機構（共に図示しない）は、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣの蓋部を外しつつ、開口部１８を解放する。
〔ステップＳ１１〕キャリアＣから処理層Ａ１（Ａ２）に基板Ｗの直接搬送
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ３（基板バッファＢＦ）を介さずに、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから第１処理ブロック３の処理層Ａ１の４つの冷却部ＣＰの少なくとも１つに基板Ｗを直接搬送する。そのため、キャリアＣから取り出された基板Ｗは、図８に示す基板搬入口５９Ｂを通って、冷却部ＣＰのプレート５７Ａに搬送される。これにより、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３がバッファ部ＢＵ３から基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを、基板搬入口５９Ａを通って、冷却部ＣＰのプレート５７Ａに搬送する動作を省略することができる。そのため、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３の基板搬送の負荷が軽減される。
なお、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのハンド２１を有している。基板搬送機構ＭＨＵ１は、２つのハンド２１を用いて、キャリアＣから２枚の基板Ｗを同時に取り出し、バッファ部ＢＵ３を介さずに、第１処理ブロック３の処理層Ａ１の２つの冷却部ＣＰの各プレート５７Ａに１枚ずつ基板Ｗを直接搬送する。これにより、基板搬送機構ＭＨＵ１の往復移動回数を減らすことができる。また、基板搬送機構ＭＨＵ１が処理層Ａ１に２枚の基板Ｗを搬送した後、基板搬送機構ＭＨＵ１は、処理層Ａ２の４つの冷却部ＣＰ（隣接処理ユニットＡＤ）のうちの２つの冷却部ＣＰの各プレート５７Ｂに、キャリアＣから同時に取り出した２枚の基板Ｗを１枚ずつ直接搬送する。すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ１は、キャリアＣから取り出した２枚の基板Ｗを、２つの処理層Ａ１，Ａ２に交互に搬送する。なお、同時に取り出した２枚の基板Ｗを処理層Ａ１の冷却部ＣＰに１枚、処理層Ａ２の冷却部ＣＰに１枚搬送してもよい。
また、キャリアＣから全ての基板Ｗが取り出された後、空になったキャリアＣは、２つのオープナ１３，１４の一方（例えばオープナ１３）に搬送される。
〔ステップＳ１２〕処理層Ａ１（Ａ２）による反射防止膜の形成
処理層Ａ１は、キャリアＣから搬送された基板Ｗ上に反射防止膜を形成する。具体的に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１によって直接搬送された基板Ｗは、冷却部ＣＰによって、冷却処理される。処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、冷却部ＣＰから基板Ｗを取り出し、取り出された基板Ｗを、塗布ユニットＢＡＲＣ、加熱処理部ＰＡＢ、バッファ部ＢＵ３の順番に搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗに対して反射防止膜を形成する。なお、処理層Ａ２は、処理層Ａ１と同様の処理が行われる。
〔ステップＳ１３〕異なる高さ位置にある２つの処理層間の基板搬送
基板搬送機構ＭＨＵ３は、反射防止膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ３に搬送する。ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ３からバッファ部ＢＵ２に基板Ｗを搬送する。すなわち、異なる高さ位置にある２つの処理層Ａ１，Ｂ１間で基板Ｗを搬送する場合、基板搬送機構ＭＨＵ２は、各処理層Ａ１，Ｂ１に対応する高さ位置にある２つのバッファ部ＢＵ３，ＢＵ２間で基板Ｗを搬送する。その後、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ２から基板Ｗを取り出す。なお、異なる高さ位置にある２つの処理層Ａ２，Ｂ２間で基板Ｗを搬送する場合、基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ３からバッファ部ＢＵ１に基板Ｗを搬送する。これらの動作により、処理層Ａ１，Ａ２の階層（３階）と異なる階層（１階、２階）の処理層Ｂ１，Ｂ２に基板Ｗを搬送することができる。また、バッファ部ＢＵ３からバッファ部ＢＵ２（ＢＵ１）への基板搬送は、基板搬送機構ＭＨＵ１が行ってもよい。
〔ステップＳ１４〕処理層Ｂ１（Ｂ２）によるフォトレジスト膜の形成
処理層Ｂ１は、異なる高さ位置の処理層Ａ１から搬送された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する。すなわち、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ２から取り出した基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＰＲ、加熱処理部ＰＡＢの順番に搬送する。塗布ユニットＰＲは、基板Ｗ上（すなわち反射防止膜上）にフォトレジスト膜を形成する。なお、処理層Ｂ２は、処理層Ｂ１と同様の処理が行われる。
〔ステップＳ１５〕同じ高さ位置にある２つの処理層間の基板搬送
その後、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ２に搬送する。処理層Ｃ１は、処理層Ｂ１と同じ高さ位置（２階）にある。処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ３が搬送した基板Ｗをバッファ部ＢＵ２から受け取る。すなわち、同じ高さ位置にある２つの処理層Ｂ１，Ｃ１間で基板Ｗを搬送する場合、各処理層Ｂ１，Ｃ１にある基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ２を介して基板Ｗを受け渡しする。処理層Ｂ１から処理層Ｃ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。これにより、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の基板搬送の負担を軽減することができる。
なお、同様に、処理層Ｂ２の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１に基板Ｗを搬送する。その後、処理層Ｃ２の基板搬送機構ＭＨＵ４は、処理層Ｂ２の基板搬送機構ＭＨＵ３が搬送した基板Ｗをバッファ部ＢＵ１から受け取る。
〔ステップＳ１６〕処理層Ｃ１（Ｃ２）による基板搬送
処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ２から受け取った基板Ｗを、検査部ＬＳＣＭ１、エッジ露光部ＥＥＷ、バッファ部ＰＳＢ４の順番に搬送する。同様に、処理層Ｃ２の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ１から受け取った基板Ｗを、検査部ＬＳＣＭ１、エッジ露光部ＥＥＷ、バッファ部ＰＳＢ５の順番に搬送する。検査部ＬＳＣＭ１は、フォトレジスト膜（塗布膜）を検査および測定する。
〔ステップＳ１７〕ＩＦブロック６による基板搬送
ＩＦブロック６は、処理層Ｃ１（Ｃ２）により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入する。
２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は各々、バッファ部ＰＳＢ４（ＰＳＢ５）から基板Ｗを受け取る。２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は各々、受け取った基板Ｗを、露光前洗浄ユニット１６１（図６，図７）、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１）の順番で搬送する。基板搬送機構ＨＵ７は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。搬出された基板Ｗに対して、露光装置ＥＸＰは、露光処理を行う。ＩＦブロック６の基板搬送機構ＨＵ７は、露光装置ＥＸＰで処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入し、搬入した基板Ｗを基板載置部ＰＳ９に搬送する。その後、２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は各々、基板載置部ＰＳ９から基板Ｗを受け取る。２つの基板搬送機構ＨＵ５，ＨＵ６は各々、受け取った基板Ｗを、露光後洗浄ユニットＳＯＡＫ、露光後ベーク処理部ＰＥＢ、バッファ部ＰＳＢ４（ＰＳＢ５）の順番で搬送する。
なお、処理層Ｃ１から搬送された基板Ｗは、処理層Ｃ１に戻される。処理層Ｃ２から搬送された基板Ｗは、処理層Ｃ２に戻される。
〔ステップＳ１８〕処理層Ｃ１（Ｃ２）による現像処理
処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＰＳＢ４から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＰＢ、検査部ＬＳＣＭ２、バッファ部ＢＵ２の順番に搬送する。現像ユニットＤＥＶは、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板Ｗに対して現像処理を行う。検査部ＬＳＣＭ２は、現像後の基板Ｗを検査する。
なお、処理層Ｃ２は、処理層Ｃ１と同様の処理を行う。処理層Ｃ２は、現像後の基板Ｗを最終的にバッファ部ＢＵ１に搬送する。また、ステップＳ１７において、露光後ベーク処理部ＰＥＢによる処理が行われていたが、本ステップで露光後のベーク処理を行ってもよい。
〔ステップＳ１９〕処理層Ｃ１（Ｃ２）からキャリアＣへの基板搬送
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ２（ＢＵ１）から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、２つのオープナ１３，１４の一方（例えばオープナ１３）の載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。なお、基板搬送機構ＭＨＵ２は、２つのバッファ部ＢＵ１，ＢＵ２から交互に基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを載置台１６に載置されたキャリアＣに搬送する。キャリアＣに全ての基板Ｗが戻されると、シャッタ部材およびシャッタ駆動機構は、キャリアＣに蓋を取り付けつつ、開口部１８を塞ぐ。その後、キャリア搬送機構６１は、外部搬送機構ＯＨＴに引き渡すため、オープナ１３から処理後の基板Ｗが収納されたキャリアＣを搬送する。
本実施例によれば、基板処理装置１のフットプリントを抑えることができる。具体的に説明する。ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２（ＭＨＵ１）は、載置台１６に載置されたキャリアＣに対して基板Ｗを出し入れすることができる。更に、基板搬送機構ＭＨＵ２（ＭＨＵ１）は、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の異なる高さ位置にある例えば２つの処理層Ａ１，Ｂ１間で基板Ｗを搬送する。そのため、従来技術のように、インデクサブロックと処理ブロックの間に、上下方向の２つの処理層間で基板を移動させるための受渡ブロックを設けなくてもよい。そのため、基板処理装置１のフットプリントを抑えることができる。
また、ＩＤブロック２を横断して、同じ高さ位置にある例えば２つの処理層Ｂ１，Ｃ１間で基板Ｗを搬送する場合、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに、基板バッファＢＦを用いて基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、異なる高さ位置にある例えば２つの処理層Ａ１，Ｂ１間で基板Ｗを搬送する場合、例えば第１基板搬送機構ＭＨＵ１および基板バッファＢＦを用いて基板Ｗの受け渡しを行うことができる。なお、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに基板Ｗを搬送することができると、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の負担を軽減することができる。
なお、本実施例では、ＩＤブロック２は、２台の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を備えていた。この点、ＩＤブロック２は、図２において、熱処理部３７側に配置される第１基板搬送機構ＭＨＵ１だけを備えていてもよい。図１０に示すフローチャートのステップＳ１９では、第２基板搬送機構ＭＨＵ２は、例えば処理層Ｃ１から載置台１６に載置されたキャリアＣに基板Ｗを搬送する際に、バッファ部ＢＵ２を介して基板Ｗを搬送していた。次のように構成されていてもよい。例えば処理層Ｃ１の検査部ＬＳＣＭ２は、隣接処理ユニットＡＤとして、２方向（図８参照）から基板Ｗを出し入れできるように構成されていてもよい。そして、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、その処理層Ｃ１の検査部ＬＳＣＭ２からキャリアＣに基板Ｗを直接搬送するようにしてもよい。
また、ＩＤブロック２は、２台の基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を備えるが、通常は、第１基板搬送機構ＭＨＵ１だけで基板搬送を行ってもよい。そして、非常時に、第２基板搬送機構ＭＨＵ２だけで、あるいは２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の協働で基板搬送するようにしてもよい。
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図１１は、実施例２に係る基板処理装置１を示す左側面図である。図１２は、実施例２に係る基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。
実施例２では、実施例１と異なる動作を説明する。なお、図１１において、２つの処理層Ａ１，Ａ２は各々、ＩＤブロック２に隣接する隣接処理ユニットＡＤとして、４つの加熱処理部ＰＡＢを備えている。また、２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は各々、隣接処理ユニットＡＤとして、４つの冷却部ＣＰを備えている。更に２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、隣接処理ユニットＡＤとして、１つの検査部ＬＳＣＭ２を備えている。なお、図１１に示す熱処理部３７に対して、液処理ユニット３６は、実施例１の図６のように配置されている。
実施例１では、基板搬送機構ＭＨＵ１がキャリアＣから基板Ｗを取り出し、基板搬送機構ＭＨＵ２がキャリアＣに基板Ｗを収納していた。この点、実施例２では、実施例１とは逆、すなわち、基板搬送機構ＭＨＵ２がキャリアＣから基板Ｗを取り出し、基板搬送機構ＭＨＵ１がキャリアＣに基板Ｗを収納する。なお、基板搬送機構ＭＨＵ１がキャリアＣから基板Ｗを取り出すように構成されていてもよい。
〔ステップＳ２１〕キャリアＣから処理層Ａ１（Ａ２）に基板搬送
キャリアＣは、例えばオープナ１３の載置台１６に載置されている。ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、オープナ１３の載置台１６に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをバッファ部ＢＵ３に搬送する。
〔ステップＳ２２〕処理層Ａ１（Ａ２）による反射防止膜の形成
処理層Ａ１は、キャリアＣから搬送された基板Ｗ上に反射防止膜を形成する。処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ３から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＡＲＣ、加熱処理部ＰＡＢの順番に搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗに対して反射防止膜を形成する。なお、処理層Ａ２は、処理層Ａ１と同様の処理が行われる。
〔ステップＳ２３〕異なる高さ位置にある２つの処理層間の基板Ｗの直接搬送
異なる高さ位置にある例えば２つの処理層Ａ１，Ｂ１間で基板Ｗを搬送する場合、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ３，ＢＵ２を介さずに、処理層Ａ１の加熱処理部ＰＡＢと処理層Ｂ１の冷却部ＣＰとの間（２つの処理ユニット間）で基板Ｗを直接搬送する。すなわち、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、処理層Ａ１の加熱処理部ＰＡＢから処理層Ｂ１の冷却部ＣＰに基板Ｗを直接搬送する。これにより、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、加熱処理部ＰＡＢから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをバッファ部ＢＵ３に搬送する動作を省略することができる。また、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ２から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを冷却部ＣＰに搬送する動作を省略することができる。そのため、２つの処理層Ａ１，Ｂ１の２つの基板搬送機構ＭＨＵ３の基板搬送の負担を軽減することができる。
なお、異なる高さ位置にある２つの処理層Ａ２，Ｂ２間で基板Ｗを搬送する場合、基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ３，ＢＵ１を介さずに、処理層Ａ２の加熱処理部ＰＡＢから処理層Ｂ２の冷却部ＣＰに基板Ｗを直接搬送する。
〔ステップＳ２４〕処理層Ｂ１（Ｂ２）によるフォトレジスト膜の形成
処理層Ｂ１は、異なる高さ位置の処理層Ａ１から搬送された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する。具体的に説明する。基板搬送機構ＭＨＵ１によって直接搬送された基板Ｗは、冷却部ＣＰによって、冷却処理される。処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、冷却部ＣＰから取り出した基板Ｗを、塗布ユニットＰＲ、加熱処理部ＰＡＢの順番に搬送する。塗布ユニットＰＲは、基板Ｗ上（すなわち反射防止膜上）にフォトレジスト膜を形成する。なお、処理層Ｂ２は、処理層Ｂ１と同様の処理が行われる。
〔ステップＳ２５〕同じ高さ位置にある２つの処理層間の基板搬送
その後、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ２に搬送する。処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ３が搬送した基板Ｗをバッファ部ＢＵ２から受け取る。この処理層Ｂ１から処理層Ｃ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。これにより、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の基板搬送の負担を軽減することができる。
なお、同様に、処理層Ｂ２の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１に基板Ｗを搬送する。その後、処理層Ｃ２の基板搬送機構ＭＨＵ４は、処理層Ｂ２の基板搬送機構ＭＨＵ３が搬送した基板Ｗをバッファ部ＢＵ１から受け取る。
〔ステップＳ２６〕処理層Ｃ１（Ｃ２）による基板搬送
処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ２から受け取った基板Ｗを、検査部ＬＳＣＭ１、エッジ露光部ＥＥＷ、バッファ部ＰＳＢ４の順番に搬送する。同様に、処理層Ｃ２の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ１から受け取った基板Ｗを、検査部ＬＳＣＭ１、エッジ露光部ＥＥＷ、バッファ部ＰＳＢ５の順番に搬送する。検査部ＬＳＣＭ１は、フォトレジスト膜（塗布膜）を検査および測定する。
〔ステップＳ２７〕ＩＦブロック６による基板搬送
ＩＦブロック６は、処理層Ｃ１（Ｃ２）により搬送された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬出する。また、ＩＦブロック６は、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板ＷをＩＦブロック６に搬入する。
露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ｃ１に搬送するためにバッファ部ＰＳＢ４に搬送される。また、露光処理が行われた基板Ｗは、処理層Ｃ２に搬送するためにバッファ部ＰＳＢ５に搬送される。なお、処理層Ｃ１から搬送された基板Ｗは、処理層Ｃ１に戻される。処理層Ｃ２から搬送された基板Ｗは、処理層Ｃ２に戻される。
〔ステップＳ２８〕処理層Ｃ１（Ｃ２）による現像処理
処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＰＳＢ４から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを、冷却部ＣＰ、現像ユニットＤＥＶ、ポストベーク部ＰＢ、検査部ＬＳＣＭ２の順番に搬送する。現像ユニットＤＥＶは、露光装置ＥＸＰで露光処理された基板Ｗに対して現像処理を行う。検査部ＬＳＣＭ２は、現像後の基板Ｗを検査する。なお、処理層Ｃ２は、処理層Ｃ１と同様の処理を行う。
〔ステップＳ２９〕処理層Ｃ１（Ｃ２）からキャリアＣに基板Ｗの直接搬送
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ２（ＢＵ１）を介さずに、第２処理ブロック５の処理層Ｃ１（Ｃ２）の検査部ＬＳＣＭ２から２つのオープナ１１，１２の一方（例えばオープナ１１）の載置台１６に載置されたキャリアＣに基板Ｗを直接搬送（直接収納）する。これにより、処理層Ｃ１（Ｃ２）の基板搬送機構ＭＨＵ４は、検査部ＬＳＣＭ２から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、バッファ部ＢＵ２（ＢＵ１）に搬送する動作を省略することができる。
基板搬送機構ＭＨＵ１は、第１処理ブロック３および第２処理ブロック５の少なくとも一方（例えば第２処理ブロック５）の２つの処理層Ｃ１，Ｃ２の２つの検査部ＬＳＣＭ２から１枚ずつ取り出す。そして、基板搬送機構ＭＨＵ１は、取り出した２枚の基板Ｗを、バッファ部ＢＵ１，ＢＵ２を介さずに、載置台１６に載置されたキャリアＣに同時に直接搬送する。これにより、基板搬送機構ＭＨＵ１の往復移動回数を減らすことができる。そのため、基板Ｗの搬送効率を向上させることができる。
本実施例によれば、実施例１と同様に、基板処理装置１のフットプリントを抑えることができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。図１３は、実施例３に係る基板処理装置１を示す右側面図である。図１４は、実施例３に係る基板処理装置１を示す左側面図である。
実施例１，２では、基板処理装置１はＩＦブロック６を備えていた。この点、実施例３では、基板処理装置１はＩＦブロック６を備えていない。なお、本実施例において、第１処理ブロック３は、本発明の第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５は、本発明の第２処理装置に相当する。
図１３を参照する。第１処理ブロック３は、３つの処理層Ｃ１，Ａ２，Ａ１を備えている。一方、第２処理ブロック５は、３つの処理層Ｃ２，Ｂ２，Ｂ１を備えている。２つの処理層Ａ１，Ａ２は各々、基板Ｗに対して下層膜（例えばＳＯＣ（Spin On Carbon）膜）を形成する。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は各々、基板Ｗに対して中間膜（例えばＳＯＧ（Spin On Glass）膜）を形成する。そして、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、基板Ｗに対してフォトレジスト膜を形成する。
そのため、図１３に示すように、２つの処理層Ａ１，Ａ２は各々、８つの塗布ユニットＢＬを備えている。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は各々、８つの塗布ユニットＭＬを備えている。そして、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は各々、８つの塗布ユニットＰＲを備えている。
次に図１４を参照する。２つの処理層Ａ１，Ａ２は各々、４つの密着強化処理部ＡＨＰ、３つの冷却部ＣＰ、および７つの加熱処理部ＰＡＢを備えている。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は各々、１６個の加熱処理部ＰＡＢおよび３つの冷却部ＣＰを備えている。そして、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は、６つの加熱処理部ＰＡＢ、９つの冷却部ＣＰおよび２つの検査部ＬＳＣＭ１を備えている。なお、密着強化処理部ＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の密着強化剤を基板Ｗに塗布して加熱する。
ここで、２つの処理層Ａ１，Ａ２において、４つの密着強化処理部ＡＨＰは、隣接処理ユニットＡＤとして配置されている。２つの処理層Ｂ１，Ｂ２において、４つの加熱処理部ＰＡＢは、隣接処理ユニットＡＤとして配置されている。そして、２つの処理層Ｃ１，Ｃ２において、４つの冷却部ＣＰは、隣接処理ユニットＡＤとして配置されている。
（２）基板処理装置１の動作
次に、基板処理装置１の動作について説明する。図１５は、基板処理装置１の処理工程の一例を示すフローチャートである。図１６は、実施例３に係る基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。
〔ステップＳ３１〕キャリアＣから処理層Ａ１（Ａ２）に基板Ｗの直接搬送
キャリアＣは、２つのオープナ１１，１２の一方（例えばオープナ１１）の載置台１６に載置されている。ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ３（ＢＵ２）を介さずに、オープナ１１の載置台１６に載置されたキャリアＣから第１処理ブロック３の処理層Ａ１（Ａ２）の４つの密着強化処理部ＡＨＰの少なくとも１つに基板Ｗを直接搬送する。２つの処理層Ａ１，Ａ２には、交互に基板が搬送される。
〔ステップＳ３２〕処理層Ａ１（Ａ２）による下層膜の形成
２つの処理層Ａ１，Ａ２は各々、キャリアＣから搬送された基板Ｗ上に下層膜を形成する。具体的に説明する。密着強化処理部ＡＨＰは、基板搬送機構ＭＨＵ１によって直接搬送された基板Ｗに対して、密着強化処理を行う。処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、密着強化処理部ＡＨＰから基板Ｗを取り出し、取り出された基板Ｗを、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＢＬ、加熱処理部ＰＡＢ（１段目）の順番に搬送する。ここで、塗布ユニットＢＬは、基板Ｗ上に下層膜を形成する。処理層Ａ２は、処理層Ａ１と同様の処理を行う。
〔ステップＳ３３〕同じ高さ位置にある２つの処理層間の基板搬送
その後、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、下層膜が形成された基板Ｗをバッファ部ＢＵ３に搬送する。処理層Ｂ１は、処理層Ａ１と同じ高さ位置（３階）にある。処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、処理層Ａ１の基板搬送機構ＭＨＵ３が搬送した基板Ｗをバッファ部ＢＵ３から受け取る。すなわち、同じ高さ位置にある２つの処理層Ａ１，Ｂ１間で基板Ｗを搬送する場合、各処理層Ａ１，Ｂ１にある基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ３を介して基板Ｗを受け渡しする。この処理層Ａ１から処理層Ｂ１への基板搬送は、ＩＤブロック２の２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに行われる。これにより、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の基板搬送の負担を軽減することができる。
なお、同様に、処理層Ａ２の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ２に基板Ｗを搬送する。その後、処理層Ｂ２の基板搬送機構ＭＨＵ４は、処理層Ａ２の基板搬送機構ＭＨＵ３が搬送した基板Ｗをバッファ部ＢＵ２から受け取る。
〔ステップＳ３４〕処理層Ｂ１（Ｂ２）による中間膜の形成
２つの処理層Ｂ１，Ｂ２は各々、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２を用いずに搬送された基板Ｗ上に中間膜を形成する。具体的に説明する。処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、バッファ部ＢＵ３から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、加熱処理部ＰＡＢ（２段目）、冷却部ＣＰ、塗布ユニットＭＬ、加熱処理部ＰＡＢの順番に搬送される。ここで、塗布ユニットＭＬは、基板Ｗ上（すなわち下層膜上）に中間膜を形成する。また、２段目の加熱処理部ＰＡＢによる処理は、１段目の加熱処理部ＰＡＢによる処理よりも高温で行われる。なお、処理層Ｂ２は、処理層Ｂ１と同様の処理を行う。
〔ステップＳ３５〕異なる高さ位置にある２つの処理層間の基板Ｗの直接搬送
異なる高さ位置にある例えば２つの処理層Ｂ１，Ｃ１間で基板Ｗを搬送する場合、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ３，ＢＵ１を介さずに、処理層Ｂ１の加熱処理部ＰＡＢと処理層Ｃ１の冷却部ＣＰとの間（２つの処理ユニット間）で基板Ｗを直接搬送する。すなわち、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、処理層Ｂ１の加熱処理部ＰＡＢから処理層Ｃ１の冷却部ＣＰに基板Ｗを直接搬送する。これにより、処理層Ｂ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、加熱処理部ＰＡＢから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをバッファ部ＢＵ３に搬送する動作を省略することができる。また、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ１から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを冷却部ＣＰに搬送する動作を省略することができる。そのため、２つの処理層Ｂ１，Ｃ１の２つの基板搬送機構ＭＨＵ３，ＭＨＵ４の基板搬送の負担を軽減することができる。
なお、異なる高さ位置にある２つの処理層Ｂ２，Ｃ２間で基板Ｗを搬送する場合、基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ２，ＢＵ１を介さずに、処理層Ｂ２の加熱処理部ＰＡＢから処理層Ｃ２の冷却部ＣＰに基板Ｗを直接搬送する。
〔ステップＳ３６〕処理層Ｃ１（Ｃ２）によるフォトレジスト膜の形成
２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は各々、搬送された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する。具体的に説明する。冷却部ＣＰは、基板搬送機構ＭＨＵ１によって直接搬送された基板Ｗを冷却処理する。処理層Ｃ１（Ｃ２）の基板搬送機構ＭＨＵ３（ＭＨＵ４）は、冷却部ＣＰから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、塗布ユニットＰＲ、加熱処理部ＰＡＢ、冷却部ＣＰ、検査部ＬＳＣＭ１、バッファ部ＢＵ１の順番に基板Ｗを搬送する。ここで、塗布ユニットＰＲは、基板Ｗ上（すなわち中間膜上）にフォトレジスト膜を形成する。
〔ステップＳ３７〕処理層Ｃ１（Ｃ２）からキャリアＣへの基板搬送
ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ１から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを、２つのオープナ１３，１４の一方（例えばオープナ１３）の載置台１６に載置されたキャリアＣに収納する。基板搬送機構ＭＨＵ２は、処理層Ｃ１からバッファ部ＢＵ１に搬送された基板Ｗと、処理層Ｃ２からバッファ部ＢＵ１に搬送された基板Ｗとを交互にキャリアＣに収納する。
本実施例によれば、実施例１と同様に、基板処理装置１のフットプリントを抑えることができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例１のステップＳ１３（図１０参照）では、第２基板搬送機構ＭＨＵ２は、バッファ部ＢＵ３から２つのバッファ部ＢＵ１，ＢＵ２の一方に基板Ｗを搬送していた。この点、図１７（ａ）に示すように、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ３から、隣接処理ユニットＡＤとしての冷却部ＣＰに基板Ｗを直接搬送してもよい。これにより、例えば、隣接処理ユニットＡＤに冷却部ＣＰが設けられた処理層Ｂ１において、基板搬送機構ＭＨＵ３は、バッファ部ＢＵ３から基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗを冷却部ＣＰに搬送する動作を省略することができる。
また、図１７（ｂ）に示すように構成されていてもよい。図７に示す２つの処理層Ａ１，Ａ２は各々、隣接処理ユニットＡＤとして、４つの冷却部ＣＰを有している。この４つの冷却部ＣＰのうちの２つの冷却部ＣＰを２つの加熱処理部ＰＡＢに置き換えてもよい。この場合、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えば処理層Ａ１の加熱処理部ＰＡＢからバッファ部ＢＵ３に基板Ｗを直接搬送してもよい。これにより、２つの処理層Ａ１，Ａ２の各々の基板搬送機構ＭＨＵ３は、加熱処理部ＰＡＢから基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗをバッファ部ＢＵ３に送る動作を省略することができる。
（２）上述した実施例１のステップＳ１９では、第２基板搬送機構ＭＨＵ２は、例えば処理層Ｃ１から載置台１６に載置されたキャリアＣに、バッファ部ＢＵ２を介して、基板Ｗを搬送していた。この点、ＩＤブロック２の第２基板搬送機構ＭＨＵ２は、キャリアＣに直接搬送できるように構成してもよい。図１８を参照する。検査部ＬＳＣＭ２は、１つの現像ユニットＤＥＶに代えて配置されていてもよい。これにより、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ４は、検査部ＬＳＣＭ２から基板Ｗを取り出して、取り出した基板Ｗをバッファ部ＢＵ２に搬送する動作を省略することができる。そのため、処理層Ｃ１の基板搬送機構ＭＨＵ４の基板搬送の負担を軽減させることができる。また、第２基板搬送機構ＭＨＵ２も基板Ｗの直接搬送を行うことができ、２つの基板搬送機構ＭＨＵ１，ＭＨＵ２の稼働率のバランスを整えることができる。
また、第２基板搬送機構ＭＨＵ２が各処理層の隣接処理ユニットＡＤの少なくとも１つに基板Ｗを直接搬送するために、次のように構成してもよい。２つの処理ブロック３，５は、図２の紙面上側において、熱処理部３７が設けられ、図２の紙面下側において、液処理ユニット３６が設けられていた。この点、第１処理ブロック３において、熱処理部３７が図２の紙面上側に、液処理ユニット３６が紙面下側に配置されている。これに対し、第２処理ブロック５において、液処理ユニット３６が図２の紙面上側に、熱処理部３７が図２の紙面下側に配置されていてもよい。すなわち、第１処理ブロック３の液処理ユニット３６と熱処理部３７の配置は、第２処理ブロック５の液処理ユニット３６と熱処理部３７の配置と搬送スペース３９を挟んで逆であってもよい。
（３）上述した実施例１では、ＩＦブロック６は、第２処理ブロック５に連結されていた。この点、ＩＦブロック６は、第１処理ブロック３に連結されていてもよい。この場合、ＩＦブロック６の配置に合わせて、６つの処理層（Ａ１等）の液処理ユニット３６および熱処理部３７の種類、個数および配置が決定される。また、第１処理ブロック３およびＩＦブロック６は、本発明の第１処理装置に相当する。第２処理ブロック５は、本発明の第２処理装置に相当する。
（４）上述した実施例１，２では、処理層Ａ１，Ｂ１，Ｃ１の順番、および処理層Ａ２，Ｂ２，Ｃ２の順番で基板処理を行っていた。この点、処理層Ａ２，Ｂ１，Ｃ１の順番、および処理層Ａ１，Ｂ２，Ｃ２の順番で基板処理を行ってもよい。また、上述した実施例３では、処理層Ａ１，Ｂ１，Ｃ１の順番、および処理層Ａ２，Ｂ２，Ｃ２の順番で基板処理を行っていた。この点、処理層Ａ１，Ｂ１，Ｃ２の順番、および処理層Ａ２，Ｂ２，Ｃ１の順番で基板処理を行ってもよい。
（５）上述した実施例３では、図１４に示す２つの処理層Ｃ１，Ｃ２は各々、隣接処理ユニットＡＤとして、４つの冷却部ＣＰを有していた。例えば、この４つの冷却部ＣＰのうちの２つの冷却部ＣＰを２つの検査部ＬＳＣＭ１に置き換えてもよい。この場合、第１基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えば処理層Ｃ１の検査部ＬＳＣＭ１から載置台１６に載置されたキャリアＣに基板Ｗを直接搬送してもよい。
（６）上述した各実施例および各変形例では、ＩＤブロック２内の基板搬送において、第１基板搬送機構ＭＨＵ１および第２基板搬送機構ＭＨＵ２のいずれかを用いるかは、操作者が任意に設定してもよい。
（７）上述した各実施例は、必要に応じて次のように構成されていてもよい。図１９を参照する。第１処理ブロック３の３つの処理層Ａ１〜Ａ３は各々、フォトレジスト膜を形成する。一方、第２処理ブロック５の３つの処理層Ｂ１〜Ｂ３は各々、現像処理を行う。３つの処理層Ａ１〜Ａ３は各々、隣接処理ユニットＡＤとして、４つの密着強化処理部ＡＨＰまたは４つの冷却部ＣＰを備えている。また、３つの処理層Ｂ１〜Ｂ３は各々、隣接処理ユニットＡＤとして、１つの検査部ＬＳＣＭ２を備えている。なお、図１９に示す基板処理装置１は、異なる高さ位置で、２つの処理層間の基板Ｗの搬送がないように構成されている。
図１９に示す構成において、ＩＤブロック２の基板搬送機構ＭＨＵ１は、例えば、バッファ部ＢＵ３を介さずに、載置台１６に載置されたキャリアＣから例えば処理層Ａ１の４つの密着強化処理部ＡＨＰの少なくとも１つに基板Ｗを直接搬送してもよい。また、基板搬送機構ＭＨＵ１は、バッファ部ＢＵ３を介さずに、例えば処理層Ｂ１の検査部ＬＳＣＭ２から、載置台１６に載置されたキャリアＣに基板Ｗを直接搬送してもよい。
１ … 基板処理装置
２ … インデクサブロック（ＩＤブロック）
３ … 第１処理ブロック
５ … 第２処理ブロック
１６ … 載置台
Ｃ … キャリア
ＢＦ … 基板バッファ
ＭＨＵ１〜ＭＨＵ４ … 基板搬送機構
３６ … 液処理ユニット
３７ … 熱処理部
Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２ … 処理層
ＬＳＣＭ１ … 検査部
ＬＳＣＭ２ … 検査部
ＣＰ … 冷却部
ＰＡＢ … 加熱処理部

Claims (11)

  1. 基板を収納することが可能なキャリアを載置するための載置台が設けられたインデクサブロックと、
    上下方向に配置された複数の処理層を有する第１処理装置と、
    上下方向に配置された複数の処理層を有する第２処理装置と、を備え、
    前記第１処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第２処理装置は、この順番で水平方向に連結されており、
    前記インデクサブロックは、前記載置台に載置されたキャリアに対して基板を出し入れすることができ、基板を搬送する第１インデクサ機構と、複数の基板を載置する基板バッファとを内部に有し、
    前記第１インデクサ機構は、前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送することを特徴とする基板処理システム。
  2. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１処理装置および前記第２処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、
    前記第１処理装置および前記第２処理装置の同じ高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、各処理層にある基板搬送機構は、前記基板バッファを介して基板を受け渡し、
    前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第１インデクサ機構は、各処理層に対応する高さ位置にある前記基板バッファの２つのバッファ部間で基板を搬送することを特徴とする基板処理システム。
  3. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１処理装置および前記第２処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、
    前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第１インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記２つの処理層の２つの処理ユニット間で基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。
  4. 請求項３に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１処理装置および前記第２処理装置の同じ高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、各処理層にある基板搬送機構は、前記基板バッファを介して基板を受け渡しすることを特徴とする基板処理システム。
  5. 請求項１から４にいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記載置台に載置されたキャリアから、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくとも一方の処理層の処理ユニットに基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。
  6. 請求項５に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１インデクサ機構は、前記載置台に載置されたキャリアから複数枚の基板を同時に取り出し、前記基板バッファを介さずに、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくとも一方の処理層の処理ユニットに１枚ずつ基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。
  7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１インデクサ機構は、前記基板バッファを介さずに、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくとも一方の処理層の前記処理ユニットから前記載置台に載置されたキャリアに基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。
  8. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１処理装置および前記第２処理装置の各々の処理層は、基板を搬送する基板搬送機構と、基板に対して所定の処理を行う処理ユニットとを備え、
    前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する場合、前記第１インデクサ機構は、前記基板バッファと前記２つの処理層の一方の処理ユニットと間で基板を直接搬送することを特徴とする基板処理システム。
  9. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
    前記インデクサブロックは、基板を搬送する第２インデクサ機構を更に備え、
    前記第２インデクサ機構は、前記基板バッファを挟んで前記第１インデクサ機構の反対側に配置されており、
    前記第１インデクサ機構および前記第２インデクサ機構は、前記第１処理装置および第２処理装置が並んで配置される方向と直交する方向に配置されていることを特徴とする基板処理システム。
  10. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１インデクサブロックに隣接し、前記第１処理装置および前記第２処理装置の少なくとも一方の処理層に配置され、前記第１インデクサ機構により前記基板バッファを介さずに、基板が直接搬送される隣接処理ユニットを更に備えていることを特徴とする基板処理システム。
  11. 基板を収納することが可能なキャリアを載置するための載置台が設けられたインデクサブロックと、
    上下方向に配置された複数の処理層を有する第１処理装置と、
    上下方向に配置された複数の処理層を有する第２処理装置と、を備え、
    前記第１処理装置、前記インデクサブロックおよび前記第２処理装置が、この順番で水平方向に連結されている基板処理システムの基板搬送方法において、
    前記インデクサブロックは、前記載置台に載置されたキャリアに対して基板を出し入れすることができ、基板を搬送する第１インデクサ機構と、複数の基板を載置する基板バッファとを内部に有し、
    前記第１インデクサ機構によって、前記第１処理装置および前記第２処理装置の異なる高さ位置にある２つの処理層間で基板を搬送する工程を備えていることを特徴とする基板処理システムの基板搬送方法。
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