KR101486243B1 - 기판 반송 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수 매의 기판들을 연속적으로 공정 챔버로 로딩/언로딩하여 기판 반송 시간을 절약하여 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리 시스템은 외부로부터 기판들이 제공되는 제1기판 출입구를 갖는 트랜스퍼 챔버; 제1,2기판 지지부와 상기 트랜스퍼 챔버와 연결되는 제2기판 출입구를 포함하는 적어도 하나의 공정 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버에 설치되고 상기 제1기판 출입구를 통해 제공되는 기판들을 상기 제1,2기판 지지부 각각으로 반송하는 기판 반송 장치를 포함하되; 상기 기판 반송 장치는 제1,2스핀들을 갖는 구동축; 상기 제1스핀들에 장착되어 제1회전각을 갖고 회동하는 그리고 상기 제1기판 지지부로의 기판 반송을 위한 제1,2회전 플레이트 암; 상기 제2스핀들에 상기 제2회전 플레이트 암보다 낮은 높이로 장착되며, 상기 제1회전각보다 큰 제2회전각을 갖고 회동하는 그리고 상기 제2기판 지지부로의 기판 반송을 위한 제3,4회전 플레이트 암; 및 상기 제1회전 플레이트 암의 높낮이를 조절하는 승강부를 포함한다.
기판, 이송, 챔버

Description

기판 반송 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 시스템{SUBSTRATE TRANSFER APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 복수 매의 기판들을 연속적으로 공정 챔버로 로딩/언로딩하여 기판 반송 시간을 절약하여 생산성을 향상 시킬 수 있는 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
최근, 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치, 반도체 장치들의 제조를 위한 기판 처리 설비들은 복수 매의 기판을 일관해서 처리할 수 있는 클러스터 시스템이 일반적으로 채용되고 있다.
일반적으로, 클러스터(cluster) 시스템은 이송 로봇(또는 핸들러; handler)과 그 주위에 마련된 복수의 기판 처리 모듈을 포함하는 멀티 챔버형 기판 처리 시스템을 지칭한다.
클러스터 시스템은 반송실(transfer chamber)과 반송실내에 회동이 자유롭게 마련된 이송 로봇을 구비한다. 반송실의 각 변에는 기판의 처리 공정을 수행하기 위한 공정 챔버가 장착된다. 이와 같은 클러스터 시스템은 복수개의 기판을 동시에 처리하거나 또는 여러 공정을 연속해서 진행 할 수 있도록 함으로 기판 처리량 을 높이고 있다. 기판 처리량을 높이기 위한 또 다른 노력으로는 하나의 공정 챔버에서 복수 매의 기판을 동시에 처리하도록 하여 시간당 기판 처리량을 높이도록 하고 있다.
그런데, 공정 챔버가 복수 매의 기판을 동시(또는 연속적으로)에 처리하더라도 공정 챔버에 처리 전후의 기판들이 효율적으로 교환되지 못하는 경우 시간적 손실이 발생하게 된다.
또한, 통상적인 클러스터 시스템은 6각형의 반송실을 구성하는 데 있어서(기본적으로 4개의 공정 챔버와 2개의 로드락 챔버로 구성되는 경우), 반송실이 차지하는 면적 때문에 설비전체의 면적은 물론, 제조 라인 내의 설비배치에 있어서 중시되는 설비폭이 필요이상으로 증가되고, 반송실을 진공상태로 유지시키는 데 필요한 진공설비의 규모가 증가되어 장치비 및 설치비가 증가하게 된다. 또한, 이러한 반송실의 면적은, 설치되는 공정챔버의 개수가 증가함에 따라서 더욱 가중된다.
그럼으로 복수 매의 기판을 처리하는 공정 챔버에서 복수 매의 기판을 동시(또는 연속적으로)에 처리하는 것과 더불어 처리 전후의 기판들을 보다 효율적으로 교환할 수 있는 기판 이송 장치가 개발되고 있다.
본 발명은 효율적으로 기판을 이송할 수 있는 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 반송 시간을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 작은 설비 면적을 가지는 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 불필요한 진공면적으로 축소함으로써 장치비 및 설치비를 최소화할 수 있는 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 반송 장치는 구동축; 상기 구동축에 설치되며, 상기 대기 위치로 제공되는 기판들을 인계받아 상기 기판 지지부들 각각으로 반송하도록 순차적으로 펼쳐지는 그리고 상기 기판 지지부들로부터 각각 기판을 인계받아 상기 대기 위치로 반송하도록 순차적으로 접혀지는 회전 플레이트 암들; 및 상기 회전 플레이트 암들이 펼쳐지기 전 또는 접혀진 후에 상기 회전 플레이트 암들의 높낮이를 조절하는 승강부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 플레이트 암들 각각은 상기 구동축에 서로 다른 높이로 설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 플레이트 암들은 가장 큰 회전각을 갖는 회전 플레이트 암부터 펼쳐지며, 가장 짧은 회전각을 갖는 회전 플레이트 암부터 접혀진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 플레이트 암들은 펼침 동작시 가장 큰 회전각 또는 가장 낮은 높이에 설치된 회전 플레이트 암부터 펼쳐지며, 접힘 동작시 가장 늦게 펼쳐진 회전 플레이트 암부터 접혀진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 승강부는 상기 회전 플레이트 암들 중에서 가장 큰 회전각을 갖는 회전 플레이트 암을 제외한 나머지 회전 플레이트 암들의 회전시 높이를 낮추기 위해 높낮이를 조절한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동축은 상기 회전 플레이트 암들이 각각 설치되는 그리고 동일 회전축을 갖는 다중관 구조의 샤프트들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동축은 상기 회전 플레이트 암들이 각각 설치되는 그리고 서로 다른 회전축을 갖는 샤프트들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 플레이트 암들 각각은 처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암; 및 처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 언로딩용 플레이트 암을 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 시스템은 외부로부터 기판들이 제공되는 제1기판 출입구를 갖는 트랜스퍼 챔버; 적어도 2개의 기판 지지부와 상기 트랜스퍼 챔버와 연결되는 제2기판 출입구를 포함하는 공정 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버에 설치되고 상기 제1기판 출입구를 통해 제공되는 기판들을 상기 적어도 2개의 기판 지지부 각각으로 반송하는 기판 반송 장치를 포함하되; 상기 기판 반송 장치는 회전중심이 동일한 적어도 2개의 스핀들을 갖는 구동축; 상기 적어도 2개의 스핀들 각각에 장착되어 서로 상이한 회전각을 갖고 회동하는 그리고 상 기 적어도 2개의 기판 지지부로의 기판 반송을 위한 회전 플레이트 암들; 및 상기 회전 플레이트 암들 중 회전각이 가장 큰 회전 플레이트 암을 제외한 나머지 회전 플레이트 암의 높낮이를 조절하는 승강부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 플레이트 암들은 펼침 동작시 회전각이 가장 큰 회전 플레이트 암부터 펼쳐지며, 접힘 동작시 가장 늦게 펼쳐진 회전 플레이트 암부터 접혀진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 플레이트 암들 각각은 상기 적어도 2개의 스핀들에 서로 다른 높이로 설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 승강부는 상기 회전 플레이트 암이 펼쳐지기 전 또는 접혀진 후에 높낮이를 조절한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 플레이트 암들 각각은 처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암; 및 처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 언로딩용 플레이트 암을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 플레이트 암들의 로딩용 플레이트 암들과 언로딩용 플레이트 암들은 순차적 또는 교대적으로 배치된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 기판 처리 시스템은 외부로부터 기판들이 제공되는 제1기판 출입구를 갖는 트랜스퍼 챔버; 제1,2기판 지지부와 상기 트랜스퍼 챔버와 연결되는 제2기판 출입구를 포함하는 적어도 하나의 공정 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버에 설치되고 상기 제1기판 출입구를 통해 제공되는 기판들을 상기 제1,2기판 지지부 각각으로 반송하는 기판 반송 장치를 포함하되; 상기 기판 반송 장치 는 제1,2스핀들을 갖는 구동축; 상기 제1스핀들에 장착되어 제1회전각을 갖고 회동하는 그리고 상기 제1기판 지지부로의 기판 반송을 위한 제1,2회전 플레이트 암; 상기 제2스핀들에 상기 제2회전 플레이트 암보다 낮은 높이로 장착되며, 상기 제1회전각보다 큰 제2회전각을 갖고 회동하는 그리고 상기 제2기판 지지부로의 기판 반송을 위한 제3,4회전 플레이트 암; 및 상기 제1회전 플레이트 암의 높낮이를 조절하는 승강부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1스핀들과 제2스핀들은 서로 다른 회전중심을 갖는다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1스핀들과 제2스핀들은 회전중심이 동일하도록 이중관 구조로 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1스핀들은 상기 승강부에 의해 승강된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1,2회전 플레이트 암은 상기 제3,4회전 플레이트 암과 동일한 높이에서 기판을 반송할 수 있도록 단차부를 갖는다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제3,4회전 플레이트 암은 상기 승강부에 의해 상기 제1,2회전 플레이트 암의 높이가 낮아진 상태에서 회전될 때 상호간의 간섭이 발생되지 않도록 파여진 홈부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1,2회전 플레이트 암과 상기 제3,4회전 플레이트 암은 서로 상이한 회전 반경을 갖는다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1,2회전 플레이트 암은 제1회전 반경을 갖고 상기 제1기판 출입구로부터 가깝게 위치한 상기 제1기판 지지부의 기판 반송을 담당하며, 상기 제3,4회전 플레이트 암은 상기 제1회전 반경보다 짧은 제2회전반경을 갖고 상기 제1기판 출입구로부터 멀리 위치한 제2기판 지지부의 기판 반송을 담당한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 반송 장치는 펼침 동작시 상기 제3,4회전 플레이트 암부터 펼쳐진 후 상기 제1,2회전 플레이트 암이 펼쳐지며, 접힘 동작시 상기 제1,2회전 플레이트 암부터 접혀진 후 상기 제3,4회전 플레이트 암이 접혀진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 승강부는 상기 제1,2회전 플레이트 암이 펼쳐지기 전에 높낮이를 낮추고, 상기 제3,4회전 플레이트 암이 접혀지기 전에 높낮이를 원상복귀되도록 높인다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2,4회전 플레이트 암은 처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암이고, 상기 제1,3회전 플레이트 암은 처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 언로딩용 플레이트 암이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 공정 챔버는 상기 트랜스퍼 챔버를 사이에 두고 서로 대칭되게 배치되는 제1,2공정 챔버를 포함한다.
본 발명은 복수 매의 기판을 동시에 또는 연속적으로 처리하는 기판 처리 설비에서 처리 전/후의 기판 교환을 신속히 수행할 수 있어서 설비의 처리율을 높여서 전체적인 기판의 생산성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판의 로딩과 언로딩을 동시에 수행하는 기판 이송 장치가 제공됨으로서 복수 매의 기판 처리를 위한 공정 챔버의 구현이 매우 용이하다.
또한, 본 발명은 기판의 반송 시간을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 시스템의 면적 및 시스템 폭을 획기적으로 축소시킴으로써 장치비 및 설치비를 최소화할 수 있다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 기판 이송 장치 및 그것을 사용한 기판 처리 설비를 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
본 발명의 기본적인 의도는 복수 매의 기판 처리 능력을 구비한 기판 처리 시스템에서 보다 효율적인 기판 교환 방식을 제공함으로서 생산성을 높이고 시스템의 면적 및 폭을 획기적으로 줄일 수 있도록 하는데 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 보여주는 도면이다.
도면을 참조하면, 기판 처리 시스템(1)은 제1,2기판 지지부(230,220)가 설치된 공정 챔버(200)가 구비되고, 공정 챔버(200)와 나란하게 트랜스퍼 챔버(300)가 제공된다. 기판 처리 시스템(1)의 전방에는 캐리어(C)가 장착되는 인덱스(800)가 구비되며 인덱스(800)와 트랜스퍼 챔버(300) 사이에는 로드락 챔버(700)가 구비된다.
인덱스(800)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, 이하 EFEM)이라고도 하며, 때로는 로드 락 챔버(700)를 포괄하여 명칭 된다. 로드락 챔버(700)에는 필요에 따라 처리 후 기판을 냉각하기 위한 냉각 챔버(미도시됨)가 구비될 수 있다. 또는 트랜스퍼 챔버(300)가 냉각 처리 기능을 수행하도록 한다면, 별도의 냉각 챔버는 생략될 수도 있을 것이다. 공정 챔버(200)로 진행하는 기판에 대한 예열이 필요한 경우에도 별도의 예열 챔버(미도시됨)를 구비하도록 할 수 있으며, 냉각 챔버 또는 트랜스퍼 챔버가 예열 기능을 수행하도록 한다면 별도로 구비치 않을 수도 있다.
트랜스퍼 챔버(300)와 로드락 챔버(700) 사이에는 제1기판 출입구(310)가 개설되어 있으며, 트랜스퍼 챔버(300)와 공정 챔버(200) 사이에는 제2기판 출입구(210)가 개설되어 있다. 제1,2기판 출입구(310,210)는 각각 슬릿 밸브(미도시됨) 에 의해 개폐 작동된다.
로드 락 챔버(700)는 대기압에서 동작되는 대기압 반송 로봇(400)이 구비된다. 대기압 반송 로봇(400)은 트랜스퍼 챔버(300)와 인덱스(800) 사이에서 기판 이송을 담당하며, 회동, 승강 및 하강이 가능하다. 대기압 반송 로봇(400)은 캐리어(C)로부터 일회 동작에 2장의 기판(W)을 반출하여 트랜스퍼 챔버(300)로 반입할 수 있고, 2 장의 처리전 기판과 2 장의 처리후 기판을 동시에 교환할 수 있도록 4개의 앤드 이팩터(410)를 각각 구비한 싱글 암 구조를 갖는 로봇으로 구성된다. 대기압 반송 로봇(400)은 본 실시예에서 보여주는 싱글 암 구조의 방식 이외에도 통상적인 반도체 제조 공정에서 사용되는 다양한 로봇들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 4장의 기판을 하나의 암으로 핸들링 할 수 있는 블레이드 구조의 암을 구비한 로봇이나, 2개 이상의 암을 구비한 로봇 또는 이들을 혼합적으로 채용한 로봇 등과 같은 다양한 구조의 로봇들이 사용될 수 있다.
공정 챔버(200)에는 두 개의 기판 지지부(220, 230)가 기판 반송 장치(100)의 회전 플레이트 암(121,122,123,124)들이 회전하는 경로 상에 배치된다.
제1기판 지지부(230)는 대기압 반송 로봇(400)과 기판 반송 장치(100)간의 기판 인수인계 위치(또는 제1기판 출입구)(a)로부터 가깝게 위치되며, 제2기판 지지부(220)는 제1기판 지지부(230)보다 대기압 반송 로봇(400)과 기판 반송 장치(100)간의 기판 인수인계 위치로부터 멀리 위치된다.
제1,2기판 지지부(220,230)는 기판 반송 장치(100)로부터 기판(w)을 인수/인계하기 위한 리프트 핀들을 갖으며, 제1,2기판 지지부(220,230)의 리프트 핀들은 기판(w)의 인수/인계를 위한 높이가 거의 동일하게 설정될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 기판 반송 장치(100)는 회전 플레이트 암(121,122,123,124)들이 회전각이 큰 순서로 펼쳐지고, 회전각이 작은 순서로 접혀지며, 특히 회전각이 작은 회전 플레이트 암(123,124)은 높이를 낮춘 상태에서 회전된다. 그렇기 때문에 제1기판 지지부(230)와 제2기판 지지부(220)에서 리프트 핀들에 의한 기판 인수인계 높이는 거의 동일하게 설정될 수 있게 된다.
예컨대, 공정 챔버(200)는 2개 이상의 기판 지지부를 구비할 수 있으며, 기판 지지부의 개수에 따라 기판 반송 장치(100)의 회전플레이트 암의 개수도 변경될 수 있다.
여기서 공정 챔버(200)는 다양한 기판 프로세싱 작동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 반응 챔버는 포토 레지스트를 제거하기 위해서 플라즈마를 이용하여 포토 레지스트를 제거하는 애싱(ashing) 챔버일 수 있고, 반응 챔버는 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD(Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있고, 반응 챔버는 인터커넥트 구조들을 형성하기 위해 절연막에 애퍼쳐(aperture)들이나 개구들을 에치하도록 구성된 에치 챔버일 수 있고, 반응 챔버는 장벽(barrier) 막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있으며, 반응 챔버는 금속막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있다. 집적 회로 또는 칩의 완전한 제조에 요구되는 모든 프로세스를 수행하기 위해 다수의 프로세싱 시스템들이 요구될 수 있다.
본 발명의 기판 처리 시스템에서 처리되는 피 처리 기판(w)은 대표적으로 반도체 회로를 제조하기 위한 웨이퍼 기판이거나, 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판이다. 본 기판 처리 시스템의 도시된 구성 외에도 집적 회로 또는 칩의 완전한 제조에 요구되는 모든 프로세스를 수행하기 위해 다수의 프로세싱 시스템들이 요구될 수 있다. 그러나, 본 발명의 명확한 설명을 위하여 통상적인 구성이나 당업자 수준에서 이해될 수 있는 구성들은 생략하였다.
트랜스퍼 챔버(300)는 공정 챔버(200)와 인접한 일측에 위치된다. 트랜스퍼 챔버(300)는 대기압 반송 로봇(400)과의 기판 출입을 위한 제1기판 출입구(310)를 갖는다. 트랜스퍼 챔버(300)에는 기판 반송 장치(100)가 설치된다. 도 1에 표시된 "a"는 대기압 반송 로봇(400)과 기판 반송 장치(100) 간의 기판 인수인계 위치를 나타내며, 인출부호 P10은 대기압 반송 로봇(400)에 의한 기판 이동 방향을 나타낸다. 또한, P20은 기판 반송 장치(100)의 제1,2회전 플레이트 암(121,122)의 회전 반경과 회전각을 나타내며, P30은 기판 반송 장치의 제3,4회전 플레이트 암(123,124)의 회전 반경과 회전각을 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버를 보여주는 도면이다. 도 3은 기판 반송 장치의 승강 부재를 설명하기 위한 도면이다. 도 4 및 도 5는 제1기판 지지부와 제2기판 지지부로의 기판 로딩/언로딩을 단계적으로 보여주는 도면들이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 반송 장치(100)는 제1기판출입구(310)를 통하여 대기압 반송 로봇(400)으로부터 처리 전 기판들을 인수받아 제1,2기판 지지부(230,220)로 반송하고, 제1,2기판 지지부(230,220)로부터 처리 후 기판들을 제1기판 출입구(310)를 통하여 대기압 반송 로봇(400)으로 인계하기 위한 것이다.
기판 반송 장치(100)는 2매의 기판(w)을 처리하기 위한 공정 챔버(200)에서 2매의 기판(w)을 동시에 반송할 수 있다. 기판 반송 장치(100)는 한번에 2장의 기판(w)을 제1,2기판 지지부(230,220)로 로딩 및 언로딩 할 수 있는 것으로, 특히 본 발명의 실시예에서 도시한 제1,2기판 지지부(230,220)를 갖는 공정 챔버(200)로의 기판(w) 이송에 매우 적합한 구조를 갖고 있다.
기판 반송 장치(100)는 구동축(110), 동일 회전축을 갖도록 구동축(110)에 연결되며 제1내지 제4회전 플레이트 암으로 이루어지는 반송부(120) 그리고 반송부(120)에서 제3,4,회전 플레이트(123,124) 암이 펼쳐지기 전 또는 접혀진 후에 높낮이를 조절하는 승강부재(190)를 포함한다.
구동축(110)은 제1스핀들(112)과 제2스핀들(114)이 동일 회전축을 갖도록 다중관 구조로 이루어진다. 제1스핀들(112)에는 반송부(120)의 제1,2회전 플레이트 암(121,122)이 연결되며, 제2스핀들(114)에는 반송부(120)의 제3,4회전 플레이트 암(123,124)이 연결된다. 제1스핀들(112)과 제2스핀들(114) 각각에는 구동모터가 연결되며, 이들은 구동 모터에 의해 정해진 회전각 만큼 회전하게 된다.
이처럼, 반송부(120)의 회전 플레이트 암(121,122,123,124)들은 구동축(110)의 제1,2스핀들(112,114)에 각각 설치되어, 대기 위치로 제공되는 기판들을 인계받아 제1,2기판 지지부(230,220)들 각각으로 반송하도록 순차적으로 펼쳐지는 그리고 제1,2기판 지지부(230,220)들로부터 각각 기판을 인계받아 대기 위치로 반송하도록 순차적으로 접혀진다. 회전 플레이트 암(121,122,123,124)들은 구동축에 일정 간격을 두고 설치된다.
구체적으로 살펴보면, 처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 제1회전 플레이트 암(121)과 처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 제2회전 플레이트 암(122)은 대기압 반송 로봇(400)을 통해 기판들을 인수인계하는 위치(a)(대기 위치)와 제2기판 지지부(220) 간의 기판 반송을 위한 제1회전각(P20)을 갖는다. 그리고, 처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 제3회전 플레이트 암(123)과 처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 제4회전 플레이트 암(124)은 대기압 반송 로봇(400)을 통해 기판들을 인수인계하는 위치(a)와 제1기판 지지부(230) 간의 기판 반송을 위한 제2회전각(P30)을 갖는다. 이들 회전 플레이트 암의 끝단에는 기판이 놓여지는 엔드 이펙터를 갖는다.
제1회전 플레이트 암(121)과 제2회전 플레이트 암(122)은 구동축의 제1스핀들(112)에 장착되어 제1스핀들(112)의 회전축을 중심으로 제1회전각(P20)만큼 회동하며, 제3회전 플레이트 암(123)과 제4회전 플레이트 암(124)은 구동축의 제2스핀들(114)에 제1,2회전 플레이트 암(121,122)보다 높은 위치에 장착되어 제2스핀들(114)의 회전축을 중심으로 제2회전각(P30)만큼 회동한다. 여기서, 4개의 회전 플레이트 암들은 펼침 동작시 가장 큰 회전각 또는 가장 낮은 높이에 설치된 제1,2회전 플레이트 암부터 펼쳐지며, 접힘 동작시에는 가장 늦게 펼쳐진 제3,4회전 플레이트 암부터 접혀진다. 그래야지만 제3,4회전 플레이트 암(123,124)의 높낮이를 낮춘 상태에서 기판을 제1기판 지지부(230)로 반송할 수 있는 것이다. 도 3의 (A)에서와 같이, 제1 내지 제4회전 플레이트 암들은 일정한 간격을 유지한다.
승강부재(190)는 제3,4회전 플레이트 암(123,124)이 펼쳐지기 전(도 4의 S14) 또는 접혀진 후(도 5의 S24)에 제3,4회전 플레이트 암(123,124)들의 높낮이를 조절한다. 승강부재(190)는 제2스핀들(114)의 하단에 연결되어 제2스핀들(114)의 높낮이를 조절한다.
도 3의 (A,B)에서와 같이, 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 제1,2회전 플레이트 암(121,122)과 제1간격(t1)을 유지하고 있다가, 펼쳐지기 전에 하강하여 제2간격(t2)으로 높이를 낮추게 된다. 그리고 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 접혀진 후 다시 제1간격(t1)으로 상승하게 된다.
이처럼, 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 승강부재(190)에 의해 그 높이가 낮아진 후 공정 챔버(200)로 진입하게 됨으로써 공정 챔버(200)의 높이를 낮출 수 있는 것이다. 물론, 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 공정 챔버(200)로부터 빠져나와 대기 공간에 위치되면 원래 높이로 복귀하게 된다. 그래야지만 기판이 제2회전 플레이트 암(122) 상에 놓여질 수 있는 공간이 제공된다.
상술한 구성을 갖는 기판 반송 장치가 제1,2기판 지지부로 기판을 반송하는 과정을 살펴보면 다음과 같다.
도 4 및 도 5에서와 같이, 기판 반송 장치(100)의 반송부(120)는 제1,2,3,4회전 플레이트 암들(121,122,123,124)의 엔드 이펙터가 트랜스퍼 챔버(300)의 인수인계 위치(대기 위치)(a)에서 하나의 정렬선에 수직으로 정렬된 상태에서 대기압 반송 로봇(400)으로부터 기판들을 인수인계 받는다(s10). 제1,2회전 플레이트 암들(121,122)이 기설정된 제1회전각(P20)으로 회전하여 제2기판 지지부(220) 상부에 위치된다(s12). 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 승강부재(190)에 의해 하 강(P25)하여 높이가 낮춰진 후(s14) 제2회전각(P30)만큼 회전하여 제1기판 지지부(230) 상부에 위치된다(s16). 제1기판 지지부에서는 리프트 핀들에 의한 언로딩과 로딩 과정이 이루어진다. 즉, 제3회전 플레이트 암(123)은 제1기판 지지부(230)에서 처리된 기판을 인계받은 후 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(s20). 그리고 제4회전 플레이트 암(124)은 처리전 기판을 리프트 핀들로 인계한 후 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동한다(s22). 이렇게 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된 후(접힘 동작후) 승강 장치(190)에 의해 원위치로 상승 이동(P45)한다(s24).
제2기판 지지부(220)에서는 제1기판 지지부(230)에서와 동일하게 리프트 핀들에 의한 언로딩과 로딩 과정이 이루어진다. 즉, 제1회전 플레이트 암(121)은 제2기판 지지부(220)에서 처리된 기판을 인계받은 후 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(s26). 그리고 제2회전 플레이트 암(122)은 처리전 기판을 리프트 핀들로 인계한 후 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동한다(s28). 이처럼, 본 발명에서는 반송부(120)의 회전 플레이트 암들이 선입 후출 방식으로 펼쳐지고 접혀진다.
도 6 및 도 7은 로딩용 플레이트 암과 언로딩용 플레이트 암이 교차적으로 배치된 기판 반송 장치에서의 기판 반송 단계를 보여주는 도면들이다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1,2,3,4회전 플레이트 암들(121,122,123,124)은 트랜스퍼 챔버(300)의 인수인계 위치(대기 위치)에서 하나의 정렬선에 수직으로 정렬된 상태에서, 제2,4회전 플레이트 암들은 대기압 반송 로봇(400)으로부터 처리전 기판(w3,w4)들을 인수인계 받는다(s30). 물론, 공정 챔 버의 제1기판 지지부(230)와 제2기판 지지부(220)에는 공정처리 된 기판(w1,w2)들이 각각 위치되어 있다. 제2기판 지지부(220)의 기판(w1)이 리프트 핀들에 의해 들어 올려지면(s32), 제1,2회전 플레이트 암이 펼쳐진다(s34). 제1기판 지지부(230)의 기판(w2)이 리프트 핀들에 의해 들어 올려지고, 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 승강부재(190)에 의해 하강(P25)되어 높이가 낮춰진다(s36). 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 회전하여 제1기판 지지부(230) 상부에 위치된다(s38). 제4회전 플레이트 암(124)은 제1기판 지지부(230)에서 처리 후 기판(w2)을 인계받아 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(s40). 리프트 핀들의 상승 동작(P40)에 의해 제3회전 플레이트 암(123)에 놓여진 처리 전 기판(w4)은 리프트 핀들에 의해 들어 올려지고, 기판 인계가 완료되면 제3회전 플레이트 암(123)은 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(P45)(s42). 이렇게 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된 후(접힘 동작후) 승강 장치(190)에 의해 원위치로 상승 이동(P50)한다(s44). 제3,4회전 플레이트 암이 접혀지면, 처리 전 기판(w4)은 제1기판 지지부(230)상에 놓여진다.
제1회전 플레이트 암(121)은 제2기판 지지부(220)에서 처리 후 기판(w1)을 인계받아 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(s46). 리프트 핀들의 상승 동작(P60)에 의해 제2회전 플레이트 암(122)에 놓여진 처리 전 기판(w3)은 리프트 핀들에 의해 들어 올려지고, 제2회전 플레이트 암(122)은 기판 인계가 완료되면 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(P65)(s48). 제1,2회전 플레이트 암이 접혀지면, 리프트 핀들의 하강 동작(P70)에 의해 처리 전 기판(w3)이 제2기판 지지 부(220)상에 놓여진다.
도 8 및 도 9는 로딩용 플레이트 암과 언로딩용 플레이트 암이 순차적으로 배치된 기판 반송 장치에서의 기판 반송 단계를 보여주는 도면들이다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 제1회전 플레이트 암(121)과 제3회전 플레이트 암(123)이 순차적으로 배치되고, 그 상단에 처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 제2회전 플레이트 암(122)과 제4회전 플레이트 암(124)이 순차적으로 배치된 것으로, 기판의 로딩/언로딩 과정은 앞에서 언급한 바와 같은 동일한 과정을 거치게 된다.
제1,2,3,4회전 플레이트 암들(121,122,123,124)은 트랜스퍼 챔버(300)의 인수인계 위치(대기 위치)에서 하나의 정렬선에 수직으로 정렬된 상태에서, 제2,4회전 플레이트 암들은 대기압 반송 로봇(400)으로부터 처리전 기판(w3,w4)들을 인수인계 받는다(s50). 이때, 공정 챔버의 제1기판 지지부(230)와 제2기판 지지부(220)에는 공정처리를 마친 기판(w1,w2)들이 각각 위치되어 있다. 제2기판 지지부(220)의 기판(w1)이 리프트 핀들에 의해 들어 올려지면(s52), 제1,2회전 플레이트 암(121,122)이 펼쳐진다(s54). 제1기판 지지부(230)의 기판(w2)이 리프트 핀들에 의해 들어 올려지고, 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 승강부재(190)에 의해 하강(P25)되어 높이가 낮춰진다(s56). 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 펼침 동작되어 제1기판 지지부(230) 상부에 위치된다(s58). 제4회전 플레이트 암(124)은 제1기판 지지부(230)에서 처리 후 기판(w2)을 인계받아 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(s60). 리프트 핀들의 상승 동작(P40)에 의해 제3회전 플레이트 암(123)에 놓여진 처리 전 기판(w4)은 리프트 핀들에 의해 들어 올려지고, 기판 인계가 완료되면 제3회전 플레이트 암(123)은 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(P45)(s62). 이렇게 제3,4회전 플레이트 암(123,124)은 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된 후(접힘 동작후) 승강 장치(190)에 의해 원위치로 상승 이동(P50)한다(s64). 제3,4회전 플레이트 암이 접혀지면, 처리 전 기판(w4)은 제1기판 지지부(230)상에 놓여진다.
제1회전 플레이트 암(121)은 제2기판 지지부(220)에서 처리 후 기판(w1)을 인계받아 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(s66). 리프트 핀들의 상승 동작(P60)에 의해 제2회전 플레이트 암(122)에 놓여진 처리 전 기판(w3)은 리프트 핀들에 의해 들어 올려지고, 제2회전 플레이트 암(122)은 기판 인계가 완료되면 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(P65)(s68). 제1,2회전 플레이트 암이 접혀지면, 리프트 핀들의 하강 동작(P70)에 의해 처리 전 기판(w3)이 제2기판 지지부(220)상에 놓여진다.
도 15 내지 20은 공정 챔버가 트랜스퍼 챔버(300)의 양측에 서로 대칭되게 배치된 제2실시예를 보여주는 도면들이다.
도 15 내지 도 20에 도시된 바와 같이, 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)는 트랜스퍼 챔버(300)의 양측에 서로 대칭되게 배치된다. 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2) 각각은 제1기판 지지부(230-1,230-2)와 제2기판 지지부(220-1,220-2)를 각각 포함하며, 트랜스퍼 챔버(300)와 연결되는 제2기판 출입구(210-1,210-2)를 갖는다. 한편, 트랜스퍼 챔버(300)는 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2) 사이에 대략 정사각 형상의 공간으로 이루어지며, 일측에는 대기압 반송 로봇(400)에 의해 반송되는 기판들이 들어오고 나가는 제1기판 출입구(310)가 제공된다.
트랜스퍼 챔버(300)에는 기판 반송 장치(100b)가 배치되는데, 이 기판 반송 장치(100b)는 구동축(110b), 동일 회전축을 갖도록 구동축(110b)에 연결되며 제1내지 제4회전 플레이트 암이 2쌍으로 이루어지는 반송부(120b) 및 반송부(120b)에서 제3,4,회전 플레이트 암(123-1,124-1,123-2,124-2)이 펼쳐지기 전 또는 접혀진 후에 높낮이를 조절하는 승강부재(미도시됨)를 포함하며, 여기서 승강부재는 도 3에서와 같은 방식으로 각각의 해당되는 회전 플레이트 암이 연결된 스핀들에 설치될 수 있다.
제1공정챔버(200-1)의 제1기판 지지부(230-1)로의 기판 반송은 제3,4회전 플레이트 암(123-1,124-1)이 담당하고, 제1공정챔버(200-1)의 제2기판 지지부(220-1)로의 기판 반송은 제1,2회전 플레이트 암(121-1,122-1)이 담당하며, 제2공정챔버(200-2)의 제1기판 지지부(230-2)로의 기판 반송은 또 다른 제3,4회전 플레이트 암(123-2,124-2)이 담당하고, 제2공정챔버(200-2)의 제2기판 지지부(220-2)로의 기판 반송은 또 다른 제1,2회전 플레이트 암(121-2,122-2)이 담당하게 된다.
도 20에는 각각의 해당되는 기판 지지부상에 회전 플레이트 암이 위치된 상태를 점선으로 보여주고 있다. 도 20에서와 같이 회전 플레이트 암들은 펼쳐지기 전에 승강부재에 의해 높낮이를 낮춘 상태에서 펼쳐지기 때문에 기판 지지부상에 거의 동일한 높이로 위치하게 된다. 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)의 제1기판 지지부(230-1,230-2)와 제2기판 지지부(220-1,220-2)는 상기 반송부(120b)의 회전 반경상에 위치된다.
도 17 및 도 18에서와 같이, 기판 반송 장치(100b)는 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)의 제2기판 지지부(220-1,220-2) 상으로 기판 반송 부재의 제1,2회전 플레이트 암(121-1,122-1, 121-2,122-2)이 먼저 펼쳐진 후, 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)의 제1기판 지지부(230-1,230-2) 상으로 기판 반송 부재의 제3,4회전 플레이트 암(123-1,124-1,123-2,124-2)이 펼쳐진다.
도 20은 회전 플레이트 암들의 다양한 배치 실시예를 보여주는 도면이다. 도 20에서와 같이, 기판 반송 장치(100b)의 8개의 회전 플레이트 암(121-1,122-1, 121-2,122-2,123-1,124-1,123-2,124-2)은 다양하게 배치될 수 있다.
도 25 내지 도 29는 3개의 기판 지지부를 갖는 공정 챔버가 트랜스퍼 챔버(300)의 양측에 서로 대칭되게 배치된 제3실시예를 보여주는 도면들이다.
도 25 및 도 26에 도시된 바와 같이, 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)는 트랜스퍼 챔버(300)의 양측에 서로 대칭되게 배치된다. 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2) 각각은 제1기판 지지부(230-1,230-2)와 제2기판 지지부(220-1,220-2) 그리고 제3기판 지지부(240-1,240-2)를 각각 포함하며, 트랜스퍼 챔버(300)와 연결되는 제2기판 출입구(210-1,210-2)를 갖는다. 한편, 트랜스퍼 챔버(300)는 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2) 사이에 대략 정사각 형상의 공간으로 이루어지며, 일측에는 대기압 반송 로봇(400)에 의해 반송되는 기판들이 들어오고 나가는 제1기판 출입구(310)가 제공된다.
트랜스퍼 챔버(300)에는 기판 반송 장치(100d)가 배치되는데, 이 기판 반송 장치(100d)는 제1공정챔버(200-1)의 제1,2,3기판 지지부로의 기판 반송을 담당하는 제1반송부(120d-1)와, 제2공정챔버(200-2)의 제1,2,3기판 지지부로의 기판 반송을 담당하는 제2반송부(120d-2)로 이루어진다. 제1반송부(120d-1)는 동일 회전축을 갖도록 제1구동축(110d-1)에 연결되며 제1내지 제6회전 플레이트 암으로 이루어진다. 제2반송부(120d-2)는 동일 회전축을 갖도록 제1구동축(110d-2)에 연결되며 제1내지 제6회전 플레이트 암으로 이루어진다. 제1반송부(120d-1)와 제2반송부(120d-2)는 제3,4,5,6회전 플레이트 암(123-1,124-1,125-1,126-1,123-2,124-2,125-2,125-2)이 펼쳐지기 전 또는 접혀진 후에 높낮이를 조절하는 승강부재(미도시됨)를 포함하며, 여기서 승강부재는 도 3에서와 같은 방식으로 각각의 해당되는 회전 플레이트 암이 연결된 스핀들에 설치될 수 있다.
제1공정챔버(200-1)의 제3기판 지지부(240-1)로의 기판 반송은 제5,6회전 플레이트 암(125-1,126-1)이 담당하고, 제1기판 지지부(230-1)로의 기판 반송은 제3,4회전 플레이트 암(123-1,124-1)이 담당하며, 제1공정챔버(200-1)의 제2기판 지지부(220-1)로의 기판 반송은 제1,2회전 플레이트 암(121-1,122-1)이 담당한다. 마찬가지로, 제2공정챔버(200-2)의 제3기판 지지부(240-2)로의 기판 반송은 제5,6회전 플레이트 암(125-2,126-2)이 담당하고, 제1기판 지지부(230-2)로의 기판 반송은 제3,4회전 플레이트 암(123-2,124-2)이 담당하며, 제1공정챔버(200-2)의 제2기판 지지부(220-2)로의 기판 반송은 제1,2회전 플레이트 암(121-2,122-2)이 담당한다.
도 26에는 각각의 해당되는 기판 지지부상에 회전 플레이트 암들이 위치된 상태를 점선으로 보여주고 있다. 도 26에서와 같이 회전 플레이트 암들은 펼쳐지기 전에 승강부재에 의해 높낮이를 낮춘 상태에서 펼쳐지기 때문에 기판 지지부상에 거의 동일한 높이로 위치하게 된다. 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)의 제1기판 지지부(230-1,230-2)와 제2기판 지지부(220-1,220-2) 그리고 제3기판 지지부(240-1,240-2)는 상기 제1반송부(120d-1), 제2반송부(120d-2)의 회전 반경상에 위치된다. 여기서, 기판 반송 장치(100d)는 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)의 제2기판 지지부(220-1,220-2) 상으로 기판 반송 부재의 제1,2회전 플레이트 암(121-1,122-1, 121-2,122-2)이 먼저 펼쳐지고, 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)의 제1기판 지지부(230-1,230-2) 상으로 기판 반송 부재의 제3,4회전 플레이트 암(123-1,124-1,123-2,124-2)이 펼쳐지며, 마지막으로 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)의 제3기판 지지부(240-1,240-2) 상으로 기판 반송 부재의 제5,6회전 플레이트 암(125-1,126-1,125-2,126-2)이 펼쳐진다.
도 27은 회전 플레이트 암들의 다양한 배치 변형예를 보여주는 도면이다. 도 27에서와 같이, 기판 반송 장치(100d)의 12개의 회전 플레이트 암들은 다양하게 배치될 수 있다.
도 28에서와 같이, 제1 내지 제6회전 플레이트 암(121-1~126-1,121-2~126-2)들의 배치 위치에 따라 제3,4,5,6회전 플레이트 암(123-1~126-1,123-2~126-2)들은 상승 또는 하강 동작 후 펼쳐질 수 있다. 그리고, 도 29에서와 같이 공정 챔버의 높이에 따라 제3,4회전 플레이트(123-1,124-1,123-2,124-2)의 높낮이 간격을 줄일 수 있다.
도 10은 기판 반송 장치의 변형예를 보여주는 도면이고, 도 11 및 도 12는 도 10에 도시된 기판 반송 장치가 적용된 본 발명의 제4실시예를 보여주는 도면이다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 기판 반송 장치(100a)는 제1스핀들(110a-1)에 장착되어 높낮이 조절 및 제1회전각을 갖고 회동하는 그리고 제1기판 지지부(230)로의 기판 반송을 위한 제3,4회전 플레이트 암(123a,124a)과, 제2스핀들(110a-2)에 제3회전 플레이트 암(123a)보다 낮은 높이로 장착되며, 제1회전각보다 큰 제2회전각을 갖고 회동하는 그리고 제2기판 지지부(220)로의 기판 반송을 위한 제1,2회전 플레이트 암(121a,122a)을 포함하며, 제1스핀들(110a-1)에는 제3,4회전 플레이트 암의 높낮이 조절을 위한 승강부(미도시됨)가 도 3에서 보여주는 바와 같이 설치될 수 있다.
제1회전 플레이트 암(121a)은 처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암이고, 제2회전 플레이트 암(122a)은 처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암이다. 제3회전 플레이트 암(123a)은 처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암이고, 제4회전 플레이트 암(124a)은 처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암이다.
제3,4회전 플레이트 암(123a,124a)은 제1,2회전 플레이트 암(121a,122a)과 동일한 높이에서 기판을 반송할 수 있도록 단차부(130)를 갖는다. 그리고 제1,2회전 플레이트 암(121a,122a)은 승강부에 의해 제3,4회전 플레이트 암(123a,124a)의 높이가 낮아진 상태에서 회전될 때 상호간의 간섭이 발생되지 않도록 파여진 홈 부(132)를 포함한다. 기판 반송 장치(100a)는 서로 다른 회전중심을 갖는 제1,2스핀들(110a-1,110a-2)을 갖는다.
기판 반송 장치(100a)는 제1기판출입구(310)를 통하여 대기압 반송 로봇(미도시됨)으로부터 처리 전 기판들을 인수받아 제1,2기판 지지부(230,220)로 반송하고, 제1,2기판 지지부(230,220)로부터 처리 후 기판들을 제1기판 출입구(310)를 통하여 대기압 반송 로봇으로 인계하기 위한 것이다.
기판 반송 장치(100a)는 한번에 2장의 기판(w)을 제1,2기판 지지부(230,220)로 로딩 및 언로딩 할 수 있는 것으로, 특히 본 발명의 실시예에서 도시한 제1,2기판 지지부(230,220)를 갖는 공정 챔버로의 기판(w) 이송에 매우 적합한 구조를 갖고 있다.
상술한 구성을 갖는 기판 반송 장치가 제1,2기판 지지부로 기판을 반송하는 과정을 살펴보면 다음과 같다.
도 12 내지 도 14에서와 같이, 기판 반송 장치(100a)는 제1,2,3,4회전 플레이트 암들(121a,122a,123a,124a)의 엔드 이펙터가 트랜스퍼 챔버(300)의 인수인계 위치(대기 위치)(a)에서 하나의 정렬선에 수직으로 정렬된 상태에서 대기압 반송 로봇(미도시됨)으로부터 기판들을 인수인계 받는다(s70). 제1,2회전 플레이트 암들(121a,122a)은 기설정된 제1회전각(P20a)으로 회전하여 제2기판 지지부(220) 상부에 위치된다(s72). 제3,4회전 플레이트 암(123a,124a)은 승강부재(미도시됨)에 의해 하강(P25a)하여 높이가 낮춰진 후(s74) 제2회전각(P30a)만큼 회전하여 제1기판 지지부(230) 상부에 위치된다(s76). 승강부에 의해 높이가 낮아진 제3,4회전 플 레이트 암(123a,124a)은 회전될 때 제1,2회전 플레이트 암(121a,122a)과 중첩되는 부분이 있어 상호 간섭이 발생될 수 있다. 하지만, 제1,2회전 플레이트 암는 중첩될 부분에 홈부(132)가 파여져 있기 때문에 제3,4회전 플레이트 암(123a,124a)의 높이가 낮아진 상태에서 회전되더라도 상호간의 간섭이 발생되지 않는다. 한편, 제3,4회전 플레이트 암(123a,124a)은 단차부(130)에 의해 제1,2회전 플레이트 암(121a,122a)과 동일한 높이를 갖게 된다.
한편, 제1기판 지지부(230)에서는 리프트 핀들에 의한 언로딩과 로딩 과정이 이루어진다. 즉, 제3회전 플레이트 암(123a)은 제1기판 지지부(230)에서 처리된 기판을 인계받은 후 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(p35a)(s80). 그리고 제4회전 플레이트 암(124a)은 처리전 기판을 리프트 핀들로 인계한 후 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동한다(s82). 이렇게 제3,4회전 플레이트 암(123a,124a)은 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된 후(접힘 동작후) 승강 장치(미도시됨)에 의해 원위치로 상승 이동(P45a)한다(s84).
제2기판 지지부(220)에서는 제1기판 지지부(230)에서와 동일하게 리프트 핀들에 의한 언로딩과 로딩 과정이 이루어진다. 즉, 제1회전 플레이트 암(121a)은 제2기판 지지부(220)에서 처리된 기판을 인계받은 후 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동된다(p50a)(s86). 그리고 제2회전 플레이트 암(122a)은 처리전 기판을 리프트 핀들로 인계한 후 트랜스퍼 챔버(300)의 대기위치로 이동한다(p55a)(s88). 이처럼, 본 발명에서는 회전 플레이트 암들이 선입 후출 방식으로 펼쳐지고 접혀진다.
도 21 내지 도 24는 도 10에 도시된 기판 반송 장치가 설치된 트랜스퍼 챔버 의 양측에 공정 챔버가 서로 대칭되게 배치된 제5실시예를 보여주는 도면이다.
도 21 내지 도 24에 도시된 바와 같이, 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2)는 트랜스퍼 챔버(300)의 양측에 서로 대칭되게 배치된다. 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2) 각각은 제1기판 지지부(230-1,230-2)와 제2기판 지지부(220-1,220-2)를 각각 포함하며, 트랜스퍼 챔버(300)와 연결되는 제2기판 출입구(210-1,210-2)를 갖는다. 한편, 트랜스퍼 챔버(300)는 제1공정챔버(200-1)와 제2공정 챔버(200-2) 사이에 대략 정사각 형상의 공간으로 이루어지며, 일측에는 대기압 반송 로봇(400)에 의해 반송되는 기판들이 들어오고 나가는 제1기판 출입구(310)가 제공된다.
트랜스퍼 챔버(300)에는 기판 반송 장치(100c)가 배치되는데, 이 기판 반송 장치(100c)는 제1공정챔버(200-1)의 제1기판 지지부(230-1)로의 기판 반송을 담당하는 제3,4회전 플레이트 암(123-1,124-1), 제2공정챔버(200-2)의 제1기판 지지부(230-2)로의 기판 반송을 담당하는 제3,4회전 플레이트 암(123-2,124-2) 그리고, 제1공정챔버(200-1)의 제2기판 지지부(220-1)와 제2공정챔버(200-2)의 제2기판 지지부(220-2)로 기판 반송을 담당하는 제1,2회전 플레이트 암(121-1,121-1,121-2,121-2)를 포함한다.
제1공정챔버의 제1기판 지지부를 담당하는 제3,4회전 플레이트 암(123-1,124-1)과, 제2공정챔버의 제2기판 지지부를 담당하는 제3,4회전 플레이트 암(123-2,124-2)는 서로 상이한 위치에 설치되는 제1스핀들(110c-1)과 제2스핀들(110c-2)에 설치된다. 그리고, 제1공정챔버(200-1)의 제2기판 지지부(220-1)와 제2공정챔버(200-2)의 제2기판 지지부(220-2)로 기판 반송을 담당하는 제1,2회전 플레이트 암(121-1,121-1,121-2,121-2)은 제1스핀들(110c-1)과 제2스핀들(110c-2) 사이에 위치되는 제3스핀들(110c-3)에 설치된다.
제1공정챔버 담당인 제3,4회전 플레이트 암(123-1,124-1)과 제2공정챔버 담당인 제3,4회전 플레이트 암(123-1,124-1)은 승강부재(미도시됨)에 의해 하강하여 높이가 낮춰진 후 제2회전각(P30c-1,P30c-2)만큼 회전하여 제1기판 지지부(230-1,230-2) 상부에 위치된다는 것은 앞에서 상세하게 설명한 바와 같다. 또한, 이들 회전 플레이트 암들은 앞에서 어급한 바와 같은 목적으로 단차부(130)를 갖으며, 제1,2회전 플레이트 암(121-1,121-1,121-2,121-2)은 홈부(132)를 포함한다.
이처럼, 도 21 내지 도 24에 도시된 기판 반송 장치(100c)는 3개의 스핀들에 8개의 회전 플레이트 암들을 설치하여 제1,2공정챔버(200-1,200-2)의 제1,2기판 지지부로의 기판 반송을 수행할 수 있는 것이다.
본 발명에 의하면, 트랜스퍼 챔버 내부의 높이 및 면적을 슬림화할 수 있고 기판 이송 장치의 설치 비용을 줄일 수 있는 이점이 있다. 즉, 트랜스퍼 챔버에 설치된 기판 이송 장치는 한번에 복수의 기판들을 로딩함과 동시에 언로딩할 수 있기 때문이다.
이상에서 설명된 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 기판 이송 장치는 반도체 집적 회로의 제조, 평판 디스플레이 제조, 태양전지의 제조와 같은 다양한 기판 처리 공정을 위한 기판 처리 시스템으로 매우 유용하다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 시스템을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버를 보여주는 도면이다.
도 3은 기판 반송 장치의 승강 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5는 제1기판 지지부와 제2기판 지지부로의 기판 로딩/언로딩을 단계적으로 보여주는 도면들이다.
도 6 및 도 7은 로딩용 플레이트 암과 언로딩용 플레이트 암이 교차적으로 배치된 기판 반송 장치에서의 기판 반송 단계를 보여주는 도면들이다.
도 8 및 도 9는 로딩용 플레이트 암과 언로딩용 플레이트 암이 순차적으로 배치된 기판 반송 장치에서의 기판 반송 단계를 보여주는 도면들이다.
도 10은 기판 반송 장치의 변형예를 보여주는 도면이다.
도 11 및 도 12는 도 10에 도시된 기판 반송 장치가 본 발명의 제4실시예를 보여주는 도면들이다.
도 13 및 도 14는 도 12에서 기판 반송 장치가 제1,2기판 지지부로 기판을 반송하는 과정을 단계적으로 보여주는 도면들이다.
도 15 내지 20은 공정 챔버가 트랜스퍼 챔버의 양측에 서로 대칭되게 배치된 본 발명의 제2실시예를 보여주는 도면들이다.
도 21 내지 도 24는 도 10에 도시된 기판 반송 장치가 설치된 트랜스퍼 챔버의 양측에 공정 챔버가 서로 대칭되게 배치된 본 발명의 제5실시예를 보여주는 도면들이다.
도 25 내지 도 29는 3개의 기판 지지부를 갖는 공정 챔버가 트랜스퍼 챔버의 양측에 서로 대칭되게 배치된 본 발명의 제3실시예를 보여주는 도면들이다.
도 27 내지 도 29는 회전 플레이트 암들의 다양한 배치 실시예를 보여주는 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
1 : 기판처리 시스템 100 : 기판반송장치
110 : 구동축 120 : 반송부
190 : 승강부재 200 : 공정챔버
210 : 제2기판출입구 230 : 제1기판지지부
220 : 제2기판 지지부 300 : 트랜스퍼 챔버
400 : 반송로봇 700 : 로드락 챔버
800 : 인덱스

Claims (26)

  1. 트랜스퍼 챔버의 대기 위치와 공정 챔버의 기판 지지부들 사이에서 기판들을 반송하는 기판 반송 장치에 있어서:
    구동축;
    상기 구동축에 각각 서로 다른 높이로 설치되며, 상기 대기 위치로 제공되는 기판들을 인계받아 상기 기판 지지부들 각각으로 반송하도록 순차적으로 펼쳐지는 그리고 상기 기판 지지부들로부터 각각 기판을 인계받아 상기 대기 위치로 반송하도록 순차적으로 접혀지는 회전 플레이트 암들; 및
    상기 회전 플레이트 암들이 펼쳐지기 전 또는 접혀진 후에 상기 회전 플레이트 암들의 높낮이를 조절하는 승강부를 포함하되,
    상기 승강부는 상기 회전 플레이트 암들 중에서 가장 큰 회전각을 갖는 회전 플레이트 암을 제외한 나머지 회전 플레이트 암들의 회전시 높이를 낮추기 위해 높낮이를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 회전 플레이트 암들은
    가장 큰 회전각을 갖는 회전 플레이트 암부터 펼쳐지며,
    가장 짧은 회전각을 갖는 회전 플레이트 암부터 접혀지는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 회전 플레이트 암들은
    펼침 동작시 가장 큰 회전각 또는 가장 낮은 높이에 설치된 회전 플레이트 암부터 펼쳐지며,
    접힘 동작시 가장 늦게 펼쳐진 회전 플레이트 암부터 접혀지는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동축은
    상기 회전 플레이트 암들이 각각 설치되는 그리고 동일 회전축을 갖는 다중관 구조의 샤프트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
  7. 제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동축은
    상기 회전 플레이트 암들이 각각 설치되는 그리고 서로 다른 회전축을 갖는 샤프트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
  8. 제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회전 플레이트 암들 각각은
    처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암; 및
    처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 언로딩용 플레이트 암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
  9. 기판 처리 시스템에 있어서:
    외부로부터 기판들이 제공되는 제1기판 출입구를 갖는 트랜스퍼 챔버;
    적어도 2개의 기판 지지부와 상기 트랜스퍼 챔버와 연결되는 제2기판 출입구를 포함하는 공정 챔버; 및
    상기 트랜스퍼 챔버에 설치되고 상기 제1기판 출입구를 통해 제공되는 기판들을 상기 적어도 2개의 기판 지지부 각각으로 반송하는 기판 반송 장치를 포함하되;
    상기 기판 반송 장치는
    회전중심이 동일한 적어도 2개의 스핀들을 갖는 구동축;
    상기 적어도 2개의 스핀들 각각에 장착되어 서로 상이한 회전각을 갖고 회동하는 그리고 상기 적어도 2개의 기판 지지부로의 기판 반송을 위한 회전 플레이트 암들; 및
    상기 회전 플레이트 암들 중 회전각이 가장 큰 회전 플레이트 암을 제외한 나머지 회전 플레이트 암의 높낮이를 조절하는 승강부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 회전 플레이트 암들은
    펼침 동작시 회전각이 가장 큰 회전 플레이트 암부터 펼쳐지며,
    접힘 동작시 가장 늦게 펼쳐진 회전 플레이트 암부터 접혀지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 회전 플레이트 암들 각각은
    상기 적어도 2개의 스핀들에 서로 다른 높이로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 승강부는
    상기 회전 플레이트 암이 펼쳐지기 전 또는 접혀진 후에 높낮이를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 회전 플레이트 암들 각각은
    처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암; 및
    처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 언로딩용 플레이트 암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 회전 플레이트 암들의 로딩용 플레이트 암들과 언로딩용 플레이트 암들은 순차적 또는 교대적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  15. 기판 처리 시스템에 있어서:
    외부로부터 기판들이 제공되는 제1기판 출입구를 갖는 트랜스퍼 챔버;
    제1,2기판 지지부와 상기 트랜스퍼 챔버와 연결되는 제2기판 출입구를 포함하는 적어도 하나의 공정 챔버; 및
    상기 트랜스퍼 챔버에 설치되고 상기 제1기판 출입구를 통해 제공되는 기판 들을 상기 제1,2기판 지지부 각각으로 반송하는 기판 반송 장치를 포함하되;
    상기 기판 반송 장치는
    제1,2스핀들을 갖는 구동축;
    상기 제1스핀들에 장착되어 제1회전각을 갖고 회동하는 그리고 상기 제1기판 지지부로의 기판 반송을 위한 제1,2회전 플레이트 암;
    상기 제2스핀들에 상기 제2회전 플레이트 암보다 낮은 높이로 장착되며, 상기 제1회전각보다 큰 제2회전각을 갖고 회동하는 그리고 상기 제2기판 지지부로의 기판 반송을 위한 제3,4회전 플레이트 암; 및
    상기 제1회전 플레이트 암의 높낮이를 조절하는 승강부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1스핀들과 제2스핀들은
    서로 다른 회전중심을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1스핀들과 제2스핀들은
    회전중심이 동일하도록 이중관 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제1스핀들은
    상기 승강부에 의해 승강되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 제1,2회전 플레이트 암은
    상기 제3,4회전 플레이트 암과 동일한 높이에서 기판을 반송할 수 있도록 단차부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제3,4회전 플레이트 암은
    상기 승강부에 의해 상기 제1,2회전 플레이트 암의 높이가 낮아진 상태에서 회전될 때 상호간의 간섭이 발생되지 않도록 파여진 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  21. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 제1,2회전 플레이트 암과 상기 제3,4회전 플레이트 암은 서로 상이한 회전 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제1,2회전 플레이트 암은
    제1회전 반경을 갖고 상기 제1기판 출입구로부터 가깝게 위치한 상기 제1기판 지지부의 기판 반송을 담당하며,
    상기 제3,4회전 플레이트 암은
    상기 제1회전 반경보다 짧은 제2회전반경을 갖고 상기 제1기판 출입구로부터 멀리 위치한 제2기판 지지부의 기판 반송을 담당하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  23. 제15항에 있어서,
    상기 기판 반송 장치는
    펼침 동작시 상기 제3,4회전 플레이트 암부터 펼쳐진 후 상기 제1,2회전 플레이트 암이 펼쳐지며,
    접힘 동작시 상기 제1,2회전 플레이트 암부터 접혀진 후 상기 제3,4회전 플레이트 암이 접혀지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 승강부는
    상기 제1,2회전 플레이트 암이 펼쳐지기 전에 높낮이를 낮추고, 상기 제3,4회전 플레이트 암이 접혀지기 전에 높낮이를 원상복귀되도록 높이는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  25. 제15항에 있어서,
    상기 제2,4회전 플레이트 암은
    처리 전 기판을 로딩 시키기 위한 로딩용 플레이트 암이고,
    상기 제1,3회전 플레이트 암은
    처리 후 기판을 언로딩 시키기 위한 언로딩용 플레이트 암인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 공정 챔버는
    상기 트랜스퍼 챔버를 사이에 두고 서로 대칭되게 배치되는 제1,2공정 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168167A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び処理方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168167A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び処理方法
KR20070013215A (ko) * 2005-07-25 2007-01-30 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 기판의 반송 장치
KR20070107361A (ko) * 2006-05-03 2007-11-07 위순임 기판 반송 장치 및 이를 이용한 기판 처리 시스템
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