KR100602104B1 - 레지스트 도포현상처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 레지스트 도포현상처리장치에 관한 것으로서, 카세트 스테이션, 처리스테이션 및 인터페이스부의 상방에서부터 하방을 향하여 공기의 흐름을 형성하는 기류형성기구와, 기류형성기구를 제어하는 콘트롤러를 구비하고, 처리스테이션은 카세트 스테이션 및 인터페이스부에 각각 연통되는 통풍개구를 갖추고, 콘트롤러는, 처리스테이션 내의 압력이 카세트 스테이션 및 인터페이스부 내의 압력보다도 높게 되도록 기류형성기구를 제어하여 처리스테이션으로부터 카세트 스테이션 및 인터페이스부로의 공기의 흐름을 형성함으로써, 파티클 및 알칼리 성분 등의 불순물 성분 또는 온도·습도 등의 환경변동으로 인한 처리에 대한 영향을 효과적으로 배제할 수 있는 기술이 제시된다.

Description

레지스트 도포현상처리장치{RESIST COATING AND DEVELOPING PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 한 실시예와 관련된 반도체 웨이퍼의 도포현상처리시스템의 전체구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 도포현상처리시스템의 배면도이다.
도 4는 본 실시예와 관련된 도포현상처리시스템 정면측의 기류상태를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 본 실시예와 관련된 도포현상처리시스템 배면측의 기류상태를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 처리시스템 내에 있어서의 회전계 처리유니트 및 열 처리유니트의 기류상태를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 도 1에 나타낸 도포현상처리시스템 내에서의 온도 및 습도 등의 관리내용을 나타내는 표이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예와 관련된 반도체 웨이퍼의 도포현상처리시스템의 개략적 정면도이다.
도 9는 도 8에 나타낸 시스템에 있어서의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포현상처리시스템 2 : 카세트 재치대
10 : 카세트 스테이션 11 : 처리스테이션
12 : 인터페이스부 20a : 위치결정돌기
21 : 웨이퍼 반송기구 21a : 반송아암
22 : 주 웨이퍼 반송기구 22a : 반송로
25 : 안내레일 46 : 웨이퍼 반송장치
47 : 반송기대 48 : 보지부재
49 : 통상지지체 50 : 노광장치
56, 57 : 통풍개구 58 : 개구부
60 : 공기 공급기구 61 : 덕트(duct)
62, 64 : 공급배관 68, 70 : 공기 공급실
71∼73 : 필터 80 : 배기기구
81 : 배기유니트 85, 87, 89 : 슬릿 덤퍼
88 : 배기팬 90 : 콘트롤러
92∼95 : 압력센서 101 : 셔터기구
AD : 어드히전 유니트 ALIM : 얼라인먼트 유니트
COT : 레지스트 도포유니트
CPT : 도포처리유니트(회전계 처리유니트)
CPL : 냉각 처리유니트(열계 처리유니트) CR : 웨이퍼 카세트
DEV : 현상처리유니트(회전계 처리유니트) EXT : 엑스텐션 유니트
EXTCOL : 엑스텐션·쿨링유니트
HP : 가열처리유니트(열계 처리유니트) W : 반도체 웨이퍼(기판)
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 노광장치에 의해 노광한 후 기판 상의 레지스트막에 현상처리를 수행하는 레지스트 도포현상처리시스템에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 포토레지스트 공정에서는, 반도체 웨이퍼에 레지스트를 도포하고, 이에 의해 형성된 레지스트막을 소정의 회로패턴에 따라 노광하여 이 광패턴을 현상처리함으로써 레지스트막에 회로패턴이 형성된다.
종래부터, 이와 같은 일련의 처리를 실시하기 위하여 레지스트 도포현상처리시스템이 사용되고 있다. 이와 같은 레지스트 도포현상처리시스템은, 웨이퍼에 도포현상을 위하여 각종 처리를 수행하기 위한 각종 처리유니트가 다단으로 배치된 처리스테이션과, 복수의 반도체 웨이퍼를 수납하는 카세트가 재치되어 반도체 웨이퍼를 한장씩 처리스테이션으로 반입하고, 처리 후의 반도체 웨이퍼를 처리스테이션으로부터 반출하여 카세트에 수납하는 카세트 스테이션과, 상기 스테이션에 인접하여 설치되어, 레지스트막을 소정 패턴으로 노광하는 노광장치와의 사이에서 웨이퍼의 주고받기를 수행하기 위한 인터페이스부를 일체적으로 설치함으로써 구성되어 있다.
이와 같은 레지스트 도포현상처리시스템에서는, 카세트 스테이션에 재치된 카세트로부터 웨이퍼가 한장씩 꺼내어져 처리스테이션으로 반송되어, 먼저 어드히젼 처리스테이션에서 소수화처리가 이루어지고, 냉각처리유니트에서 냉각된 후, 레지스트 도포유니트에서 포토레지스트막이 도포되고, 가열처리유니트에서 베이크처리가 이루어진다.
그 후, 반도체 웨이퍼는, 처리스테이션으로부터 인터페이스부를 매개로 하여 노광장치로 반송되어 노광장치에서 레지스트막에 소정의 패턴이 노광된다. 노광 후, 반도체 웨이퍼는 인터페이스부를 매개로 하여 다시 처리스테이션으로 반송되고, 노광된 반도체에 대하여 먼저 가열처리유니트에서 포스트 엑스포져 베이크(post exposure bake)처리가 이루어지고, 그 후 냉각된 후 현상처리유니트에서 현상액이 도포되어 노광패턴이 현상된다. 그 후, 가열처리유니트에서 포스트베이크처리가 실시되고, 냉각됨으로써 일련의 처리가 종료된다. 일련의 처리가 종료된 후, 반도체 웨이퍼는 카세트 스테이션으로 반송되어 웨이퍼 카세트에 수용된다.
이와 같은 레지스트 도포현상처리시스템 및 노광장치에 있어서는, 이들 내부의 압력을, 일들이 설치된 클린룸의 압력보다도 높게 설정하여 외부로부터의 파티클 등의 침입을 방지하고 있다.
또한, 최근들어 반도체 디바이스의 고집적화에 따라, 보다 미세한 패턴의 형성이 요구되고 있어 이와 같은 미세패턴을 형성할 수 있는 레지스트로서의 화학증폭형 레지스트가 사용되고 있다.
그러나, 화학증폭형 레지스트는 환경의존성이 높아, 파티클 뿐만 아니라 암모니아 등의 알칼리 성분이 존재할 경우에 해상도 불량을 발생시킬 우려가 있고, 온도 및 습도의 변동에 따른 선폭의 흐트러짐이 크다.
이 때문에, 레지스트 도포처리, 현상처리, 노광처리에 있어서, 특히 파티클 및 암모니아 등의 알칼리 성분을 엄밀하게 배제할 필요가 있고, 또한 온도·습도 등의 변동을 극력 배제할 필요가 있기 때문에, 상술한 바와 같이 레지스트 도포현상처리시스템 및 노광장치 내부의 압력을 클린룸의 압력보다도 높게 설정하는 것만으로는 불충분하다.
본 발명의 목적은, 파티클 및 알칼리 성분 등의 불순물 성분 및 온도·습도 등의 환경변동으로 인한 처리에의 영향을 효과적으로 배체할 수 있는 레지스트 도포현상처리장치를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1 관점에서는, 레지스트도포 및 현상처리를 위한 각종 처리를 기판에 수행하는 복수의 처리유니트가 배치된 처리부와, 복수장의 기판을 수납하는 기판수납용기를 재치할 수 있는 재치부를 갖추고, 기판수납용기로부터 상기 처리부로 기판을 반입함과 동시에 상기 처리부로부터 반출된 기판을 기판수납용기에 수납하는 반입반출부와, 상기 처리부로부터 기판을 건네받아 노광장치로 건네주고, 노광 후의 기판을 노광장치로부터 건네받아 상기 처리부로 건네주기 위한 인터페이스부와, 상기 반입반출부, 처리부, 및 인터페이스부의 상방에서부터 하방을 향하여 공기의 흐름을 형성하는 기류형성수단과, 상기 기류형성수단을 제어하는 제어수단을 구비하고, 상기 처리부는 상기 반입반출부 및 상기 인터페이스부에 각각 연통되는 통풍개구를 갖추고, 상기 제어수단은 상기 처리부 내의 압력이 상기 반입반출부 내 및 인터페이스부 내의 압력보다도 높게 되도록 상기 기류형성수단을 제어하고, 상기 처리부로부터 상기 반입반출부 및 상기 인터페이스부로 공기의 흐름을 형성한다.
이와 같은 구성에 의하면, 기류형성수단에 의해 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 상방에서부터 하방을 향하여 기류를 형성함과 동시에, 제어수단에 의하여 처리부 내의 압력이 상기 반입반출부 및 인터페이스부 내의 압력보다도 높게 되도록 상기 기류형성수단을 제어하고, 처리부로부터 반입반출부 및 인터페이스부로 공기의 흐름을 형성하기 때문에, 반입반출부 및 인터페이스부로부터 처리부로의 공기의 침입을 방지할 수 있어, 불순물 및 환경변동을 꺼리는 레지스트 도포·현상처리를 수행하는 처리부로의 불순물의 침입 및 처리부의 환경변동을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 상기 레지스트 도포현상장치에 있어서, 상기 인터페이스부는 노광장치에 연통되는 통풍개구를 갖추고, 상기 제어수단은, 상기 인터페이스부 내의 압력이 상기 노광장치 내의 압력보다도 낮게 되도록 상기 기류형성수단을 제어하고, 상기 노광장치로부터 상기 인터페이스부로의 기류의 흐름을 형성함으로써, 고정도의 패턴을 얻기 위하여 온도의 영향을 배제할 필요가 있는 노광장치로의 공기침입을 방지할 수 있다.
이 경우에, 상기 제어수단은 상기 처리부 내의 압력이 상기 노광장치 내의 압력보다도 낮게 되도록 상기 기류형성수단을 제어하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 보다 외부환경의 침입을 꺼리는 노광장치로 처리부로부터 공기가 침입하는 것을 방지할 수 있다. 이와 같은 구성에 있어서, 상기 처리부의 인터페이스부에 연통하는 통풍개구를, 상기 인터페이스부의 노광장치에 연통되는 연통개구보다 높은 위치에 설치하는 것이 바람직하다. 이에 의해 기류제어를 보다 쉽게 수행할 수 있다.
상기 기류제어수단의 구체적인 구성으로는, 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 각 상방으로부터 공기를 공급하는 공기공급기구와, 이들 각 바닥부로부터 배기하는 배기기구를 갖추는 것을 들 수 있고, 이 경우에 상기 제어수단은 공기공급기구 및/또는 배기기구를 제어하여 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 압력을 제어할 수 있다.
또한, 상기 공기공급기구는, 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 각 상방의 공기도입구에 설치된 덤퍼(dumper)를 갖추는 구조로 하는 것이 가능하며, 이 경우에, 상기 제어수단은 상기 덤퍼의 열림정도를 제어하여 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 압력을 제어할 수 있다.
상기 배기기구는, 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 각 바닥부에 설치된 슬릿 덤퍼와, 슬릿 덤퍼의 하방에 설치된 배기팬을 갖추는 구조로 할 수 있으며, 이 경우에 상기 제어수단은 슬릿 덤퍼의 열림정도 및/또는 배기팬의 회전수를 제어하여 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 압력을 제어할 수 있다.
상기 처리부는, 반송로와 상기 반송로 내를 주행하고 상기 복수의 처리유니트에 기판을 반송하기 위한 반송장치를 더 갖추는 구성으로 할 수 있어, 이 경우 에, 상기 배기기구는 반송로의 바닥부로부터 하방으로 배기할 수 있다.
상기 처리부는, 기판에 대하여 열적인 처리를 수행하는 복수의 열계 처리유니트를 적층시켜 구성되는 열계 처리유니트군과, 기판을 회전시키면서 처리를 수행하는 도포처리유니트 및/또는 현상처리유니트를 적층시켜 구성되는 회전계 처리유니트군을 갖추는 구성으로 할 수 있어, 이 경우에 상기 공기공급기구는, 상기 회전계 처리유니트군과 상기 열계 처리유니트군 및 상기 반송로에 개별적으로 공기를 공급하고, 상기 제어수단은, 상기 회전계 처리유니트군 내의 압력이 상기 반송로 내 및 상기 열계 처리유니트군 내의 압력보다도 높게 되도록 상기 공기공급기구를 제어하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 반송로 및 열계 처리유니트군으로부터 처리부 중에서 가장 엄밀하게 관리할 필요가 있는 회전계 처리유니트군 내로 공기가 침입하는 것을 방지할 수 있어 레지스트 도포·현상처리를 수행하는 회전계 처리유니트로의 불순물의 침입 및 그 환경변동을 한층 더 확실하게 방지할 수 있다.
상기 제어수단은, 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 각 압력을 검출하는 압력센서가 검출치에 의거하여 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 압력을 제어할 수 있다.
상기 반압반출부, 처리부 및 인터페이스부의 공기도입부에 각각 설치되어 공기를 청정화하는 필터를 더 구비하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 처리환경을 한층 높게 청정화시키는 것이 가능하다.
또한, 상기 처리부 공기의 온도, 또는 온도 및 습도를 관리하는 것, 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부 공기의 오염농도를 관리하는 것, 및 상기 처리 부 및 인터페이스부 공기의 암모니아 농도를 관리하는 것 중의 어느 하나 이상을 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 관점에서는, 레지스트 도포 및 현상처리를 위한 각종 처리를 기판에 수행하는 복수의 처리유니트가 배치된 처리부와, 복수장의 기판을 수납하는 기판수납용기를 재치할 수 있는 재치부를 갖추고, 기판수납용기로부터 상기 처리부로 기판을 반입함과 동시에, 상기 처리부로부터 반출된 기판을 기판수납용기에 수납하는 반입반출부와, 상기 처리부로부터 기판을 건네받아 노광장치로 건네주고, 노광 후의 기판을 노광장치로부터 건네받아 상기 처리부로 건네주기 위한 인터페이스부와, 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 상방에서부터 하방을 향하여 공기의 흐름을 형성하는 기류형성수단과, 상기 기류형성수단을 제어하는 제어수단을 구비하고, 상기 처리부는 상기 반입반출부 및 상기 인터페이스부에 각각 연통되는 제 1 및 제 2 통풍개구를 갖추고, 상기 제어수단은 상기 레지스트 도포현상처리장치가 기판을 처리하고 있을 때에는, 상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 상방에서부터 하방을 향하여 각각 제 1 세기 이하의 세기로 공기의 흐름을 형성하도록 상기 기류형성수단을 제어함과 동시에, 소정의 경우에는 상기 반입반출부 및 처리부의 상방에서부터 하방을 향하여 상기 제 1 세기를 넘는 제 2 세기로 공기의 흐름을 형성하도록 상기 기류형성수단을 제어한다.
본 발명에서는, 예를들어 메인터넌스시에 반입반출부 및 처리부의 상방에서부터 하방을 향하여 제 1 세기를 넘는 제 2 세기로 공기의 흐름을 형성하도록 하고 있기 때문에, 메인터넌스시에 발생하는 파티클을 반입반출부 등으로부터 강제적으 로 배제할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예와 관련된 레지스트 도포·현상처리시스템을 나타내는 개략평면도이고, 도 2는 그 정면도, 도 3은 그 배면도이다.
상기 레지스트 도포현상처리시스템(1)은, 반송 스테이션인 카세트 스테이션(10)과, 복수의 처리유니트를 갖추는 처리스테이션(11)과, 처리스테이션(11)에 인접하여 설치되는 노광장치(50)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받기 위한 인터페이스부(12)를 구비하고 있다.
상기 카세트 스테이션(10)은, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)(이하, 간단히 웨이퍼로 함)를 복수장, 예를들어 25장 단위로 웨이퍼 카세트(CR)에 탑재된 상태로 다른 시스템으로부터 이 시스템으로 반입 또는 이 시스템으로부터 다른 시스템으로 반출하거나, 웨이퍼 카세트(CR)와 처리스테이션(11)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 수행하기 위한 것이다.
상기 카세트 스테이션(10)에 있어서는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 카세트 재치대(20) 상에 도 내의 X방향을 따라 복수(도에서는 4개)의 위치결정돌기(20a)가 형성되어 있고, 상기돌기(20a)의 위치에 웨이퍼 카세트(CR)가 각각 웨이퍼 출입구를 처리스테이션(11) 측으로 향하게 하여 일렬로 재치가 가능하도록 되어 있다. 웨이퍼 카세트(CR)에 있어서는 웨이퍼(W)가 수직방향(Z방향)으로 배열되어 있다. 또한, 카세트 스테이션(10)은, 웨이퍼 카세트 재치대(20)와 처리스테이션(11)과의 사이에 위치하는 웨이퍼 반송기구(21)를 갖추고 있다. 상기 웨이퍼 반송기구(21)는, 카세트 배열방향(X방향) 및 카세트 내 웨이퍼(W)의 웨이퍼배열방향(Z방향)으로 이동이 가능한 웨이퍼 반송용 아암(21a)을 갖추고 있고, 상기 반송아암(21a)에 의하여 모든 웨이퍼 카세트(CR)에 대하여도 선택적으로 진입할 수 있도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송용 아암(21a)은 θ방향으로 회전할 수 있도록 구성되어 있고, 후술하는 처리스테이션(11) 측의 제 3 처리유니트군(G3)에 속하는 얼라인먼트 유니트(ALIM) 및 엑스텐션 유니트(EXT)에 대하여도 진입할 수 있도록 되어 있다.
상기 처리스테이션(11)은 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 도포·현상을 수행할 때 일련의 공정을 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추고, 이들이 소정 위치에 다단으로 배치되어 있어 이들에 의해 반도체 웨이퍼(W)가 한장씩 처리된다. 상기 처리스테이션(11)은, 도 1에 나타낸 바와 같이 중심부에 반송로(22a)를 갖추고, 이 안에 주 웨이퍼 반송기구(22)가 설치되고, 웨이퍼 반송로(22a)의 주위에 모든 처리유니트가 배치되어 있다. 이들 복수의 처리유니트는, 복수의 처리유니트군으로 나뉘어져 있고, 각 처리유니트군은 복수의 처리유니트가 연직방향을 따라 다단으로 배치되어 있다.
주 웨이퍼 반송기구(22)는, 도 3에 나타낸 바와 같이 통상지지체(49)의 내측에 웨이퍼 반송장치(46)를 상하방향(Z방향)으로 승강시킬 수 있도록 설치되어 있다. 통상지지체(49)는 모터(도시생략)의 회전구동력에 의해 회전할 수 있도록 되어 있고, 이와 함께 웨이퍼 반송장치(46)도 일체적으로 회전할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼 반송장치(46)는, 반송기대(47)의 전후방향으로 이동이 가능한 복수개의 보지부재(48)를 갖추고, 이들 보지부재(48)에 의해 각 처리유니트 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 실현시키고 있다.
또한, 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, 4개의 처리유니트군(G1, G2, G3, G4)이 웨이퍼 반송로(22a)의 주위에 실제적으로 배치되어 있고, 처리부(G5)는 필요에 따라 배치할 수 있도록 되어 있다.
이들 중에서, 제 1 및 제 2 처리유니트군(G1, G2)은 시스템 정면(도 1에 있어서 앞쪽)측에 병렬로 배치되고, 제 3 처리유니트군(G3)은 카세트 스테이션(10)에 인접하여 배치되고, 제 4 처리유니트군(G4)은 인터페이스부(12)에 인접하여 배치되어 있다. 또한, 제 5 처리유니트군(G5)은 배면부에 배치할 수 있도록 되어 있다.
이 경우, 도 2에 나타낸 바와 같이 제 1 처리유니트군(G1)에서는, 컵(CP) 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척(도시생략)에 재치하여 소정의 처리를 수행하는 2대의 스피너형 처리유니트가 상하 2단으로 배치되어 있고, 본 실시예에 있어서는, 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포유니트(COT) 및 레지스트의 패턴을 현상하는 현상유니트(DEV)가 밑에서부터 차례로 2단으로 중첩되어 있다. 제 2 처리유니트군(G2)도 마찬가지로 2대의 스피너형 처리유니트로서 레지스트 도포유니트(COT) 및 현상유니트(DEV)가 밑에서부터 차례러 2단으로 중첩되어 있다.
이와 같이 레지스트 도포유니트(COT) 등을 하단 측에 배치하는 이유는, 레지스트액의 폐액이 기구적으로도 메인터넌스의 관점에서 볼때 현상액의 폐액보다도 본질적으로 복잡하기 때문에, 이와같이 레지스트 도포유니트(COT) 등을 하단에 배치함으로써 그 복잡성이 완화되기 때문이다. 그러나, 필요에 따라 레지스트 도포유니트(COT) 등을 상단에 배치할 수도 있다.
제 3 처리유니트군(G3)에 있어서는, 도 3에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 재치대(SP)에 올려 소정의 처리를 수행하는 오븐형 처리유니트가 다단으로 중첩되어 있다. 즉, 냉각처리를 수행하는 쿨링유니트(COL), 레지스트의 정착성을 높이기 위한 이른바 소수화처리를 수행하는 어드히젼 유니트(AD), 위치맞춤을 수행하는 얼라인먼트 유니트(ALIM), 웨이퍼(W)의 반입반출을 수행하는 엑스텐션 유니트(EXT), 노광처리 전 및 노광처리 후, 더 나아가서는 현상처리 후의 웨이퍼(W)에 대하여 가열처리를 수행하는 4개의 핫 플레이트 유니트(HP)가 밑에서부터 차례로 8단으로 중첩되어 있다. 덧붙여 설명하면, 얼라인먼트 유니트(ALIM) 대신에 쿨링유니트(COL)를 설치하여 쿨링유니트(COL)에 얼라인먼트 기능을 갖추게 하여도 좋다.
제 4 처리유니트군(G4)도 오븐형 처리유니트가 다단으로 중첩되어 있다. 즉, 쿨링유니트(COL), 쿨링플레이트를 갖춘 웨이퍼 반입반출부인 엑스텐션·쿨링유니트 (EXTCOL), 엑스텐션 유니트(EXT), 쿨링유니트(COL) 및 4개의 핫 플레이트 유니트(HP)가 밑에서부터 차례로 8단으로 중첩되어 있다.
이와 같이 처리온도가 낮은 쿨링유니트(COL), 엑스텐션·쿨링유니트(EXTCOL) 를 하단에 배치하고, 처리온도가 높은 핫 플레이트 유니트(HP)를 상단에 배치함으로써, 유니트 사이의 열적 상호간섭을 적게할 수 있다. 물론 무작위로 다단 배치하여도 좋다.
상술한 바와 같이, 주 웨이퍼 반송기구(22)의 배부측에 제 5 처리유니트군(G5)을 설치할 수 있지만, 제 5 처리유니트군(G5)을 설치하는 경우에는, 안내레일(25)을 따라 주 웨이퍼 반송기구(22)로부터 보아 측방으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 따라서, 제 5 처리유니트군(G5)을 설치하는 경우에도, 이것을 안내레일(25)을 따라 슬라이드함으로써 공간부가 확보되기 때문에, 주 웨이퍼 반송기구(22)에 대하여 배후로부터 메인터넌스 작업을 용이하게 수행할 수 있다. 이 경우에, 이와 같은 직선상의 이동에 한정되지 않고, 회동할 수 있도록 하여도 마찬가지의 공간을 확보할 수 있다. 덧붙여 설명하면, 제 5 처리유니트군(G5)으로서는, 기본적으로 제 3 및 제 4 처리유니트군(G3, G4)과 마찬가지로, 오븐형의 처리유니트가 다단으로 적층된 구조를 갖추고 있는 것을 사용할 수 있다.
상기 인터페이스부(12)는, 깊이방향(X방향)에 있어서 처리스테이션(11)과 동일한 길이를 갖추고 있다. 도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 인터페이스부(12)의 정면부에는, 이동형의 픽업 카세트(CR)와 고정형의 버퍼카세트(BR)가 2단으로 배치되고, 배면부에는 주변노광장치(23)가 설치되고, 중앙부에는 웨이퍼 반송체(24)가 배치되어 있다. 상기 웨이퍼 반송체(24)는 X방향, Z방향으로 이동하여 양 카세트(CR, BR) 및 주변노광장치(23)에 진입할 수 있도록 되어 있다. 또한, 상기 웨이퍼 반송체(24)는 θ방향으로 회전이 가능하고, 처리스테이션(11)의 제 4 처리유니트군(G4)에 속하는 엑스텐션 유니트(EXT) 및 인접하는 노광장치측의 웨이퍼 주고받음대(도시생략)에도 진입이 가능하도록 되어 있다.
이와 같이 구성된 레지스트 도포현상처리시스템(1)에 있어서는, 먼저 카세트 스테이션(10)에 있어서, 웨이퍼 반송기구(21)의 웨이퍼 반송용 아암(21a)이 카세트 재치대(20) 상의 미처리 웨이퍼(W)를 수용하고 있는 웨이퍼 카세트(CR)에 진입하여, 그 카세트(CR)로부터 한장의 웨이퍼를 꺼내어 제 3 처리유니트군(G3)의 엑스텐션 유니트(EXT)로 반송한다.
웨이퍼(W)는, 상기 엑스텐션 유니트(EXT)로부터 주 웨이퍼 반송기구(22)의 웨이퍼 반송장치(46)에 의해 처리스테이션(11)으로 반입된다. 그리고, 제 3 처리유니트군(G3)의 얼라인먼트 유니트(ALIM)에 의해 얼라인먼트된 후, 어드히젼 처리유니트(AD)로 반송되어 그곳에서 레지스트의 정착성을 높이기 위한 소수화처리(HMDS처리)가 이루어진다. 상기 처리는 가열처리를 동반하기 때문에, 처리 후의 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송장치(46)에 의해 쿨링유니트(COL)로 반송되어 냉각된다.
어드히젼 처리가 종료되어 쿨링유니트(COL)에서 냉각된 웨이퍼(W)는, 계속해서 웨이퍼 반송장치(46)에 의해 레지스트 도포유니트(COT)로 반송되어 그곳에서 도포막이 형성된다. 도포처리가 종료된 후, 웨이퍼(W)는 처리유니트군(G3, G4)의 어느 하나의 핫 플레이트 유니트(HP) 내에서 프리베이크처리되고, 그 후 어느 하나의 쿨링유니트(COL)에서 냉각된다.
냉각된 웨이퍼(W)는 제 3 처리유니트군(G3)의 얼라인먼트 유니트(ALIM)로 반송되어 그곳에서 얼라인먼트된 후, 제 4 처리유니트군(G4)의 엑스텐션 유니트(EXT)를 매개로 하여 인터페이스부(12)로 반송된다.
인터페이스부(12)에서는, 웨이퍼(W)가 주변노광장치(23)에 의해 주변노광처리되어 불필요한 레지스트가 제거된 후, 인터페이스부(12)에 인접하여 설치된 노광장치(도시생략)로 반송되어 그곳에서 소정의 패턴을 따라 웨이퍼(W)의 레지스트막에 노광처리가 이루어진다.
노광 후의 웨이퍼(W)는, 다시 인터페이스부(12)로 돌아오고, 웨이퍼 반송체(24)에 의해 제 4 처리유니트군(G4)에 속하는 엑스텐션 유니트(EXT)로 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송장치(46)에 의해 어느 하나의 핫 플레이트 유니트(HP)로 반송되어 포스트 엑스포져 베이크처리가 이루어지고, 다음에 쿨링유니트(COL)에 의해 냉각된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 현상유니트(DEV)로 반송되어 그곳에서 노광패턴의 현상이 이루어진다. 현상종료 후, 웨이퍼(W)는 어느 하나의 핫 플레이트 유니트(HP)로 반송되어 포스트 베이크 처리가 이루어지고, 다음에 쿨링유니트(COL)에 의해 냉각처리된다. 이와 같은 일련의 처리가 종료된 후, 제 3 처리유니트군(G3)의 엑스텐션 유니트(EXT)를 매개로 하여 카세트 스테이션(10)으로 되돌려져 어느 하나의 웨이퍼 카세트(CR)에 수용된다.
다음, 본 실시예에 관련된 레지스트 도포현상처리시스템에 있어서의 기류형 성기구에 관하여 도 4 및 도 6을 참조하여 설명하기로 한다. 도 4는 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템 정면측의 기류상태를 설명하기 위한 도이고, 도 5는 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템 배면측의 기류상태를 설명하기 위한 도이고, 도 6은 처리스테이션 내에 있어서의 회전계 처리유니트 및 열계 처리유니트의 기류상태를 설명하기 위한 도이다.
도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이, 기류형성기구는, 레지스트 도포현상처리시스템(1)의 상부에 설치된 공기공급기구(60)와, 시스템(1)의 바닥부에 설치된 배기기구(80)를 갖추고 있다.
공기공급기구(60)는, 공급원(도시생략)으로부터 청정한 공기를 시스템(1)에 유도하는 덕트(duct)(61)를 갖추고 있고, 덕트(61)로부터 카세트 스테이션(10)으로는 공급배관(62), 공기공급실(68) 및 필터(71)를 매개로 하고, 처리스테이션(11)으로는 공급배관(63a, 63b), 공기공급실(69a, 69b) 및 필터(72a, 72b)를 매개로 하고, 인터페이스부(12)로는 공급배관(64), 공기공급실(70) 및 필터(73)를 매개로 하여 각각 청정한 공기가 다운플로우 상태로 유도되도록 되어 있다. 각각의 공급배관(62, 63a, 63b, 64)에는, 도입하는 공기의 유량을 조절하기 위한 덤퍼(65, 66a, 66b, 67)가 설치되어 있다.
처리스테이션(11)에 있어서 덕트(61)로부터의 청정공기는, 스피너형 유니트를 적층하여 형성되는 처리유니트군(G1, G2)으로는 공급배관(63a), 공기배급실(69a) 및 필터(72a)를 매개로 하여 공급되고, 반송로(22a) 및 오븐형 처리유니트를 적층 하여 형성되는 처리유니트군(G3, G4)으로는, 덕트(61)로부터의 청정공기가 공급배관(63b), 공기공급실(69b) 및 필터(72b)를 매개로 하여 공급된다. 또한, 처리유니트군(G1, G2) 하단의 도포처리유니트(COT) 상부에는 필터(74)가 설치되어 있어, 그 위의 현상처리유니트(DEV)로부터의 다운플로우가 상기 필터(74)를 통하여 도포처리유니트(COT)로 공급된다.
배기기구(80)는, 카세트 스테이션(10)의 바닥부에 설치된 배기유니트(81)와, 인터페이스부(12)의 바닥부에 설치된 배기유니트(82)와, 처리스테이션(11)의 반송로(22a) 바닥부에 설치된 배기유니트(83)를 갖추고 있다. 배기유니트(81)는 배기팬(84)과 그 위에 설치된 슬릿덤퍼(85)를 갖추고 있고, 배기유니트(82)는 배기판(86)과 그 위에 설치된 슬릿덤퍼(87)를 갖추고 있고, 배기유니트(83)는 배기판(88)과 슬릿덤퍼(89)를 갖추고 있다. 덧붙여 설명하면, 이와 같은 전체적인 배기기구와는 별도로, 각 처리유니트에 유니트 배기기구(도시생략)가 설치되어 있다. 또한, 배기기구(80)로부터 배기된 공기는, 레지스트 도포현상처리시스템(1)이 배치되어 있는 클린룸의 바닥에 설치된 배기구로부터 클린룸 바깥으로 배출된다.
또한, 처리스테이션(1)의 측벽에는, 카세트 스테이션(10) 및 인터페이스부(12)에 연통된 통풍개구(56, 57)가 설치되어 있다. 또한, 노광장치(50)에는 웨이퍼(W)의 주고받기를 수행하기 위한 개구부(58)가 설치되어 있다.
또한, 레지스트 도포현상처리시스템(1)은, 카세트 스테이션(10)의 압력과, 처리스테이션(11)의 압력과, 인터페이스부(12)의 압력을 각각 개별적으로 제어하기 위한 콘트롤러(90)를 갖추고 있다. 상기 콘트롤러(90)에는, 카세트 스테이션(10)에 설치된 압력센서(91), 처리스테이션에 설치된 압력센서(92, 93), 인터페이스부(12)에 설치된 압력센서(94), 및 노광장치(50) 내에 설치된 압력센서(95)가 접속되어 있고, 콘트롤러(90)는 이들 압력센서(91~95)의 검출치에 의거하여 카세트 스테이션(10), 처리스테이션(11), 및 인터페이스부(12)의 압력을 개별적으로 제어한다.
카세트 스테이션(10)의 압력은, 압력센서(91)의 검출치에 의거하여 덤퍼(65)의 열림정도를 제어하여 공기공급량을 조절하거나, 또는 슬릿 덤퍼(85)의 열림정도 또는 팬(84)의 회전수를 제어하여 배기량을 조절함으로써 제어된다. 처리스테이션(11)의 압력은 압력센서(92, 93)의 검출치에 의거하여 덤퍼(66a, 66b)의 열림정도를 제어하여 공기공급량을 조절하거나, 또는 슬릿덤퍼(89)의 열림정도 또는 팬(88)의 회전수를 제어하여 배기량을 조절함으로써 제어된다. 구체적으로, 처리스테이션(11)에는, 상술한 바와 같이 처리유니트군(G1, G2)과, 반송로(22a) 및 처리유니트군(G3, G4)과는 별도로 공기가 공급되도록 되어 있고, 도포처리유니트(COT)가 설치된 압력센서(92)의 검출치와 반송로(22a)에 설치된 압력센서(93)의 검출치에 의거하여 처리유니트군(G1, G2)의 압력과, 반송로(22a) 및 처리유니트군(G3, G4)의 압력이 콘트롤러(90)에 의해 개별적으로 제어된다. 덧붙여 설명하면, 상기 압력제어는 덤퍼의 열림정도, 슬릿덤퍼의 열림정도, 팬 회전수 중 에서 2개 이상을 제어함으로써 수행하여도 좋다.
이상과 같이 구성된 기류형성기구에 있어서는, 공기공급기구(60)의 공급원(도시생략)으로부터 덕트(61)를 매개로 하여 상술한 바와 같이 카세트 스테이션(10), 처리스테이션(11) 및 인터페이스부(12)에 청정한 공기를 공급함과 동시에, 배기기구(80)에 의해 배기함으로써 이들 내에서 상방에서부터 하방을 향하는 청정공기의 다운플로우를 형성한다.
이 경우, 콘트롤러(90)에 의해 압력센서(91∼94)의 검출치에 의거하여 공기공급기구(60)의 덤퍼(65∼67)의 열림정도, 배기기구(80)의 슬릿덤퍼(85, 87, 89)의 열림정도, 배기팬(84, 86, 88)의 회전수를 제어하여 처리스테이션(11) 내의 압력이 카세트 스테이션(10) 및 인터페이스부(12) 내의 압력보다도 소정의 범위로 높게 되도록 제어하고, 처리스테이션(11)으로부터 통풍개구(56, 57)를 매개로 하여 카세트 스테이션(10) 및 인터페이스부(12)로 공기의 흐름을 형성한다. 이에 의해 카세트 스테이션(10) 및 인터페이스부(12)로부터 처리스테이션(11)으로의 공기의 침입을 방지할 수 있어, 불순물이라든가 환경변동을 꺼리는 레지스트 도포·현상처리를 수행하는 처리스테이션(11)의 파티클 및 알칼리 성분 등의 불순물의 침입 및 처리스테이션(11)의 환경변동을 확실하게 방지할 수 있기 때문에, 고정도의 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 필터(71∼73)가 설치되어 있기 때문에, 레지스트 도포현상처리시스템(1) 내로의 불순물의 침입을 더욱 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 노광장치(50)에 설치한 압력센서(95)의 검출치를 가미하여 콘트롤러(90)에 의해 인터페이스부(12) 내의 압력이 노광장치(50) 내의 압력보다도 낮게 되도록 제어하여, 노광장치(50)로부터 개구부(58)를 매개로 하여 인터페이스부(12)로 공기의 흐름을 형성시킴으로써, 고정도의 패턴을 얻기 위하여 온도의 영향을 배제할 필요가 있는 노광장치(50)로의 공기흐름을 방지할 수 있기 때문에, 고정도의 패턴을 얻을 수 있다. 그리고, 콘트롤러(90)에 의해 처리스테이션(11) 내의 압력이 노광장치(50) 내의 압력보다도 낮게 되도록 압력을 제어함으로써, 보다 외부환경의 침입을 꺼리는 노광장치(50)로 처리스테이션(11)으로부터의 공기가 침입하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그리고, 팬에 가까운 쪽이 기류제어를 보다 수행하기 쉽다고 하는 점에서, 도 4, 5에 나타낸 바와같이, 처리스테이션(11)으로부터 인터페이스부(12)로의 통풍개구(57)를 노광장치(50)의 개구부(58)보다도 높은 위치에 설치하는 것이 유리하다. 즉, 노광장치(50)의 개구부(58)를 배기팬(86)에 접근시킴으로써, 노광장치(50) 측으로 기류가 형성되는 것을 방지할 수 있어, 노광장치(50) 측으로 파티클이 흘러가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 인터페이스부(12)에 있어서는, 처리스테이션(11)으로부터 통풍개구(57)를 매개로 하여 공기가 사류(斜流)로 되어 유출되고, 노광장치(50)로부터도 개구부(58)를 매개로 하여 공기가 사류로 되어 유출되고 있지만, 웨이퍼(W)를 수납한 버퍼 카세트(CR)는 이들 사류를 피하여 배치되어 있다.
또한, 처리스테이션(11) 내에 있어서는, 도 6에 나타낸 바와 같이 콘트롤러(90)에 의해 제 1 및 제 2 처리유니트군(G1, G2)(스피너형 처리유니트군) 내의 압력이, 제 3 및 제 4 처리유니트군(G3, G4)(오븐형 처리유니트군) 내 및 반송 로(22a) 내의 압력보다도 높게 되도록 제어되어 있다. 그리고, 스피너형 처리유니트군(G1, G2)으로부터의 기류 및 오븐형 처리유니트군(G3, G4)으로부터의 기류는, 반송로(22a) 바닥부의 배기유니트(83)에 의해 배기된다. 이에 의해, 반송로(22a) 및 오븐형의 처리유니트군(G3, G4)으로부터 처리스테이션(11) 중에서 가장 엄밀한 관리가 필요한 도포처리유니트(COT) 및 현상처리유니트(DEV) 내로 공기가 침입하는 것을 방지할 수 있어, 도포처리유니트(COT) 및 현상처리유니트(DEV)로의 불순물의 침입 및 환경변동을 한층 더 확실하게 방지할 수 있다.
이상과 같이 압력을 제어함으로써, 불순물 및 환경변동을 꺼리는 도포처리유니트(COT), 현상처리유니트(DEV), 노광장치(50)로의 불순물의 침입 및 이들 내의 환경변동을 어느 정도 방지할 수 있지만, 이들을 한층 더 확실히 방지하는 점에 있어서는, 각 처리스테이션 내의 온도, 습도, 오염농도 및 알칼리 성분 중의 적어도 한 종류를 관리하여 이들 소정치가 넘을 경우에 알람으로 알리는 등의 대책을 강구하는 것이 바람직하다.
그러나, 시스템 내에는 상술한 항목을 엄밀히 관리할 필요가 있는 부분과, 그다지 관리가 필요없는 부분이 있어, 이들을 고려하여 필요한 부분만을 관리하는 것이 효율적이다. 예를들어, 이하의 도 7에 나타낸 바와 같이 관리한다.
즉, 도 7에 나타낸 바와 같이, 불순물 및 환경변동을 꺼리는 처리스테이션(12) 내의 도포처리유니트(COT) 및 현상처리유니트(DEV)에 의해 구성되는 스피너형 처리유니트군(G1, G2) 내의 온도 및 습도를 적당한 제어수단에 의해 소정치로 제어한다. 또한, 노광장치(50)도 환경변동의 영향이 크기 때문에(환경변동에 의한 영향을 받기 쉽기 때문에), 그 내부의 온도 및 습도도 적당한 제어수단에 의해 소정치로 제어한다. 처리스테이션(11)의 처리유니트군(G1, G2) 이외의 부분, 즉 배면측의 반송로(22a) 및 오븐형의 처리유니트군(G3, G4)은, 온도 및 습도의영향이 작기 때문에, 온도 및 습도 관리를 수행하지 않아 클린룸 내의 온도·습도와 동일하게 되어 있지만, 필요에 따라 관리하도록 하여도 좋다. 카세트 스테이션(10) 및 인터페이스부(12)도 온도 및 습도의 영향이 적기 때문에, 클린룸 내의 온도·습도와 동일하게 되어 있지만, 필요에 따라 관리하도록 하여도 좋다.
또한, 오염은 레지스트 도포현상처리시스템(1) 및 노광장치(50)의 여러부분에서 적게 할 필요가 있기 때문에, 전 부분에서 소정치 이하가 되도록 관리한다. 구체적으로는, 파티클 카운터 등에 의해 소정의 타이밍에서 오염의 값을 측정하고, 그 값이 소정치를 넘었을 경우에 개별적으로 대처하도록 한다.
또한, 대표적인 알칼리 성분인 암모니아는 처리에 악영향을 끼치기 때문에, 처리스테이션(11), 인터페이스부(12), 노광장치(50)에 있어서 그 농도가 예를들어 1ppb 이하가 되도록 관리한다. 구체적으로는, 소정 타이밍에서 분석장치에 의해 암모니아 농도를 분석하여 1ppb를 넘었을 경우에는 필터를 교환하는 등의 대책을 강구한다. 카세트 스테이션은 암모니아의 악영향이 작기 때문에 관리하지 않는다.
다음, 본 발명의 다른 실시예에 관하여 설명하기로 한다.
본 실시예의 레지스트 도포현상처리시스템에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 처리스테이션(11)과 인터페이스부(12) 사이의 통풍개구(57)에 이 통풍개구(57)를 개폐가능한 셔터기구(101)가 설치되어 있다. 셔터기구(101)의 개폐는 콘트롤러(90)에 의하여 제어되도록 되어 있다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 상기 레지스트 도포현상처리시스템이 웨이퍼(W)를 처리하고 있는 통상의 상태에서는, 셔터기구(101)에 의해 통풍개구(57)를 연 상태(단계 902)에서 통상의 송풍제어, 즉 상술한 실시예와 같은 압력제어를 수행하지만(단계 903), 예를들어 카세트 스테이션(10)의 메인터넌스시에는(단계 901), 카세트 스테이션(10) 및 처리스테이션(11) 상부의 공기공급기구(60)로부터 공급되는 공기가 강제적으로 강력하게 공급되도록 됨(단계 904)과 동시에, 셔터기구(101)에 의하여 통풍개구(57)가 닫힌 상태로 된다(단계 905).
본 실시예에서는, 이와 같은 제어를 수행함으로써, 메인터넌스시에 스테이션(10) 내에 발생한 파티클 등이 시스템 내로부터 강제적으로 배출된다. 따라서, 카세트 스테이션(10) 내에서 발생한 파티클 등이 처리스테이션(11) 측, 특히 인터페이스부(12)를 통하여 노광장치(50) 측으로 흐르지 않게 된다.
또한, 메인터넌스의 상태로 되었다고 하는 인식은, 예를들어 작업자가 콘트롤러측에 그것을 입력하여도 되지만, 예를들어 카세트 스테이션(10)에 설치된 메인터넌스용 도어의 개폐에 의거하여 수행하도록 하여도 좋다.
또한, 메인터넌스를 수행할 때 뿐만 아니라, 예를들어 단순하게 시스템이 정지한 경우 등에서 마찬가지의 제어를 수행하도록 하여도 좋다.
덧붙여 설명하면, 상기 실시예는 한정되지 않고 여러가지로 변형이 가능하 다. 예를들어, 상기 실시예에서는 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포현상처리시스템에 관하여 설명하였지만, 반도체 웨이퍼 이외의 다른 피처리기판, 예를들어 LCD 기판의 레지스트 도포현상처리시스템에도 본 발명을 적용시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 반입반출부 및 인터페이스부로부터 처리부로의 공기의 침입을 방지할 수 있어, 불순물 및 환경변동을 꺼리는 레지스트 도포·현상처리를 수행하는 처리부로의 불순물의 침입 및 처리부의 환경변동을 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 고정도의 패턴을 얻기 위하여 온도의 영향을 배제할 필요가 있는 노광장치로의 공기의 침입을 방지할 수 있다.

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  15. 기판에 레지스트 도포 및 현상처리를 위한 각종 처리를 기판에 수행하는 복수의 처리유니트가 배치된 처리부와,
    복수매의 기판을 수납하는 기판수납용기를 재치할 수 있는 재치부를 갖추고, 기판수납용기로부터 상기 처리부로 기판을 반입함과 동시에 상기 처리부로부터 반출한 기판을 기판수납용기에 수납하는 반입반출부와,
    상기 처리부로부터 기판을 받아 노광장치로 건네주고, 노광 후의 기판을 노광장치로부터 받아 상기 처리부로 건네주기 위한 인터페이스부와,
    상기 반입반출부, 처리부 및 인터페이스부의 상방에서부터 하방을 향하여 공기의 흐름을 형성하는 기류형성수단과,
    상기 기류형성수단을 제어하는 제어수단을 구비하고,
    상기 처리부는 상기 반입반출부 및 상기 인터페이스부에 각각 연통되는 제 1 및 제 2 통풍개구를 갖추고,
    상기 제어수단은, 상기 레지스트 도포현상처리장치가 기판을 처리하고 있는 도중에는 상기 반입반출부, 상기 처리부 및 상기 인터페이스부의 상방에서부터 하방으로 향하고, 상기 처리부로부터 상기 반입반출부로 및 상기 처리부로부터 상기 인터페이스부로 향하는 공기의 흐름을 형성하도록 상기 기류형성수단을 제어하고, 상기 레지스트 도포현상처리장치가 기판을 처리하지 않는 때에는 상기 반입반출부 및 상기 처리부의 상방에서부터 하방으로 향하는 공기의 흐름을 형성하도록 상기 기류형성수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포현상처리장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 레지스트 도포현상처리장치가 기판을 처리하지 않는 때에는, 상기 레지스트 도포현상처리장치의 메인터넌스를 행하는 경우인 것을 특징으로 하는 레지스트 도포현상처리장치.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 제 2 통풍개구를 개폐할 수 있고, 또한 상기 제어수단에 의해 개폐가 제어되는 제 1 셔터기구를 더 갖추고,
    상기 제어수단은 상기 레지스트 도포현상처리장치가 기판을 처리하고 있는 도중에는, 상기 제 2 통풍개구가 열리도록 상기 제 1 셔터기구를 제어하고, 상기 레지스트 도포현상처리장치가 기판을 처리하지 않는 때에는 상기 제 2 통풍개구가 닫히도록 상기 제 1 셔터기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포현상처리장치.
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  19. 청구항 15에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 레지스트 도포현상처리장치가 기판을 처리하고 있을 때에는 상기 인터페이스부 내의 압력이 상기 노광장치의 압력보다도 낮게 되도록 상기 기류형성수단을 제어하여 상기 노광장치로부터 상기 인터페이스부로의 공기의 흐름을 형성하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포현상처리장치.
  20. 청구항 15에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 레지스트 도포현상처리장치가 기판을 처리하고 있을 때에는, 상기 처리부 내의 압력이 상기 반입반출부 내 및 인터페이스부 내의 압력보다도 높게 되도록 상기 기류형성수단을 제어하여 상기 처리부로부터 상기 반입반출부 및 상기 인터페이스부로의 공기의 흐름을 형성하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포현상처리장치.
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