JPH10335219A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

Info

Publication number
JPH10335219A
JPH10335219A JP14273697A JP14273697A JPH10335219A JP H10335219 A JPH10335219 A JP H10335219A JP 14273697 A JP14273697 A JP 14273697A JP 14273697 A JP14273697 A JP 14273697A JP H10335219 A JPH10335219 A JP H10335219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
processing
substrate
processed
units
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP14273697A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3228698B2 (ja
Inventor
Kazutoshi Yoshioka
和敏 吉岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP14273697A priority Critical patent/JP3228698B2/ja
Priority to US09/085,758 priority patent/US6168667B1/en
Priority to TW087108324A priority patent/TW385497B/zh
Priority to KR10-1998-0019768A priority patent/KR100476500B1/ko
Priority to SG200002280A priority patent/SG92697A1/en
Priority to SG9801243A priority patent/SG79977A1/en
Publication of JPH10335219A publication Critical patent/JPH10335219A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3228698B2 publication Critical patent/JP3228698B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト塗布或いは現像処理の際にウエハ表
面に塵埃等が付着することに起因する歩留りの低下を抑
制する。 【解決手段】 オーブン型処理ユニット群33に対して
ウエハを出し入れする第1の搬送ユニット31と、レジ
スト塗布ユニット(COT)及び現像ユニット(DE
V)に対してウエハを出し入れする第2の搬送ユニット
32とを互いに分離配置し、各搬送ユニット間でのウエ
ハ受け渡しはオーブン型処理ユニット群33中のイクス
テンションユニット(EXT)を通じて行う塗布現像処
理システム1において、第2の搬送ユニット32側の圧
を第1の搬送ユニット31側の圧よりも高くしたもので
ある。これにより(EXT)ユニット内での空気の流れ
は第2の搬送ユニットから第1の搬送ユニットへの方向
となり、(EXT)ユニットを通じて液処理系側に塵埃
等の異物が浸入することを阻止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の被処理基板に対してレジスト塗布、
現像等の処理を行う処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ(以下、「ウエハ」という)の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現像
処理を行う現像処理とが行われる。
【0003】従来からこれらレジスト塗布処理と現像処
理は、例えば特公平2−30194号公報によっても公
知なように、対応する各種処理ユニットが1つのシステ
ム内に装備された複合型の塗布現像処理システム内で、
この処理システムに接続された露光装置での露光プロセ
スを挟んで所定のシーケンスに従って行われている。近
年、このような塗布現像処理システムと露光装置との間
での被処理体を受け渡しは、外気から閉ざされた空間内
で被処理体の自動的な受け渡しを実現する機構を備えた
インターフェース装置を介して行われ、これによりクリ
ームルームを必要としない被処理体の運搬を実現してい
る。
【0004】ところで、塗布現像処理システム及び露光
装置では、塵埃等の異物の浸入の防止や排出等を目的と
して、清浄化された空気をダウンフローで各ユニット内
に導入するなどして内部雰囲気圧を大気圧よりも高い状
態にしている。しかしながら、塗布現像処理システムと
露光装置との間においては、多くの場合、露光装置側が
塗布現像処理システム側に対して陽圧となっていること
から、両者を上記のインターフェース装置を介して気密
に接続した状態においては、陽圧側の露光装置から陰圧
側の塗布現像処理システムへの塵埃等の移動が発生し、
このため塗布現像処理システムにおいて、被処理基板表
面に異物が付着することに起因しての歩留りの低下が発
生する恐れがある。特に被処理基板に対するレジスト塗
布や現像時、或いはその直前直後において異物が付着し
た場合、その異物を表面に残したまま被処理基板が露光
装置に搬送される確率が高くなり、露光パターンの欠陥
が生じる。
【0005】また、このような塗布現像処理システムに
おいては、カセットステーション、露光装置用のインタ
ーフェース部、その他のウエハ搬送機構も塵埃等の発生
源と言え、このように内部発生した塵埃等がシステム内
を浮遊して被処理基板表面に付着すると言う問題もあっ
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように被処理基板
に対してレジスト塗布や現像等を行う処理装置において
は、インターフェース部を通じて接続された露光装置等
の外部装置との内部雰囲気の差圧によって、該露光装置
等の外部装置から塵埃等の異物が浸入したり、システム
内のカセットステーション、露光装置用のインターフェ
ース部、その他のウエハ搬送機構で塵埃等が発生し、こ
れらが被処理基板表面に付着して歩留りの低下をもたら
すと言う問題があった。
【0007】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたもので、他の領域から液処理系領域への塵埃等の異
物の浸入を阻止し、以て被処理基板表面に異物が付着す
ることに起因した歩留りの低下を抑制することのできる
処理装置の提供を目的としている。
【0008】また、本発明は、システム全体に要するエ
アーフィルタの小形化、低コスト化を実現できる処理装
置の提供を目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の処理装置は、請求項1に記載されるよう
に、被処理基板を処理する複数の第1の処理ユニット
と、被処理基板を処理する第2の処理ユニットと、前記
各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入
れを行う第1の搬送ユニットと、前記各第1の処理ユニ
ットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する位置に
設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの一部及び
前記第2の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し
入れを行う第2の搬送ユニットと、前記第2の搬送ユニ
ット内を前記第1の搬送ユニット内に対して陽圧にする
手段とを具備することを特徴とする。
【0010】また、本発明の処理装置は、請求項2に記
載されるように、被処理基板に対して熱処理を含む所定
の処理を行う複数の第1の処理ユニットと、被処理基板
を処理液を用いて処理する第2の処理ユニットと、前記
各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入
れを行う第1の搬送ユニットと、前記各第1の処理ユニ
ットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する位置に
設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの一部及び
前記第2の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し
入れを行う第2の搬送ユニットと、前記第2の搬送ユニ
ット内を前記第1の搬送ユニット内に対して陽圧にする
手段とを具備することを特徴とする。
【0011】さらに、本発明の処理装置は、請求項3に
記載されるように、被処理基板を処理する複数の第1の
処理ユニットと、被処理基板を処理する第2の処理ユニ
ットと、外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部
受渡部と、前記外部受渡部との被処理基板の受け渡し、
及び前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板
の出し入れを行う第1の搬送ユニットと、前記外部受渡
部に対して密閉され、且つ前記各第1の処理ユニットを
挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する位置に設けら
れ、前記各第1の処理ユニットのうちの一部及び前記第
2の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを
行う第2の搬送ユニットと、前記第2の搬送ユニット内
を前記第1の搬送ユニット内に対して陽圧にする手段と
を具備することを特徴とする。
【0012】また、本発明の処理装置は、請求項4に記
載されるように、被処理基板に対して熱処理を含む所定
の処理を行う複数の第1の処理ユニットと、被処理基板
を処理液を用いて処理する第2の処理ユニットと、外部
との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部と、前
記外部受渡部との被処理基板の受け渡し、及び前記各第
1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを
行う第1の搬送ユニットと、前記外部受渡部に対して密
閉され、且つ前記各第1の処理ユニットを挟んで前記第
1の搬送ユニットと対向する位置に設けられ、前記各第
1の処理ユニットのうちの一部及び前記第2の処理ユニ
ットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第2の搬
送ユニットと、前記第2の搬送ユニット内を前記第1の
搬送ユニット内に対して陽圧にする手段とを具備するこ
とを特徴とする。
【0013】すなわち、請求項1から請求項4の発明で
は、第2の搬送ユニット内を第1の搬送ユニット内に対
して陽圧にすることで、各搬送ユニット間での被処理基
板の受け渡しに用いられる処理ユニット内での空気の流
れ方向が常に第2の搬送ユニットから第1の搬送ユニッ
トへの方向となり、当該受渡し用の処理ユニットを通し
て第2の搬送ユニット側に塵埃等の異物が浸入すること
を阻止することができる。したがって、第2の処理ユニ
ットとして特にレジスト塗布や現像等の処理液を用いた
処理ユニットを採用した場合、被処理基板表面に塵埃等
の異物が付着することに起因しての歩留りの低下を抑制
することできる。
【0014】また、外部受渡部例えばカセットステーシ
ョンや露光装置用のインターフェース部に対して第2の
搬送ユニットを密閉した構成にしたことで、第2の搬送
ユニット及び第2の処理ユニットからなる液処理領域内
の密閉性がさらに向上し、被処理基板表面に塵埃等が付
着する事態をより効果的に阻止できる。
【0015】また、本発明の処理装置は、請求項5に記
載されるように、被処理基板を処理する複数の第1の処
理ユニットと、被処理基板を処理する第2の処理ユニッ
トと、前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基
板の出し入れを行う第1の搬送ユニットと、前記各第1
の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向
する位置に設けられ、前記各第1の処理ユニットのうち
の一部及び前記第2の処理ユニットに対して前記被処理
基板の出し入れを行う第2の搬送ユニットと、前記各ユ
ニットに清浄空気を導入するための清浄空気導入手段で
あって、前記第1の処理ユニット及び第1の搬送ユニッ
トと前記第2の処理ユニット及び第2の搬送ユニットと
で異なる種類のフィルタを用いてなる清浄空気導入手段
とを具備することを特徴とする。
【0016】さらに本発明の処理装置は、請求項6に記
載されるように、被処理基板に対して熱処理を含む所定
の処理を行う複数の第1の処理ユニットと、被処理基板
を処理液を用いて処理する第2の処理ユニットと、前記
各第1の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニット
と対向する位置に設けられ、前記各第1の処理ユニット
のうちの一部及び前記第2の処理ユニットに対して前記
被処理基板の出し入れを行う第2の搬送ユニットと、前
記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導入
手段であって、前記第1の処理ユニット及び第1の搬送
ユニットと前記第2の処理ユニット及び第2の搬送ユニ
ットとで異なる種類のフィルタを用いてなる清浄空気導
入手段とを具備することを特徴とする。
【0017】さらに、本発明の処理装置は、請求項7に
記載されるように、被処理基板を処理する複数の第1の
処理ユニットと、被処理基板を処理する第2の処理ユニ
ットと、外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部
受渡部と、前記外部受渡部との被処理基板の受け渡し、
及び前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板
の出し入れを行う第1の搬送ユニットと、前記外部受渡
部に対して密閉され、且つ前記各第1の処理ユニットを
挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する位置に設けら
れ、前記各第1の処理ユニットのうちの一部及び前記第
2の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを
行う第2の搬送ユニットと、前記各ユニットに清浄空気
を導入するための清浄空気導入手段であって、前記第1
の処理ユニット及び第1の搬送ユニットと前記第2の処
理ユニット及び第2の搬送ユニットとで異なる種類のフ
ィルタを用いてなる清浄空気導入手段とを具備すること
を特徴とする。
【0018】さらに、本発明の処理装置は、請求項8に
記載されるように、被処理基板に対して熱処理を含む所
定の処理を行う複数の第1の処理ユニットと、被処理基
板を処理液を用いて処理する第2の処理ユニットと、外
部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部と、
前記外部受渡部との被処理基板の受け渡し、及び前記各
第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れ
を行う第1の搬送ユニットと、前記外部受渡部に対して
密閉され、且つ前記各第1の処理ユニットを挟んで前記
第1の搬送ユニットと対向する位置に設けられ、前記各
第1の処理ユニットのうちの一部及び前記第2の処理ユ
ニットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第2の
搬送ユニットと、前記各ユニットに清浄空気を導入する
ための清浄空気導入手段であって、前記第1の処理ユニ
ット及び第1の搬送ユニットと前記第2の処理ユニット
及び第2の搬送ユニットとで異なる種類のフィルタを用
いてなる清浄空気導入手段とを具備することを特徴とす
る。
【0019】すなわち、請求項5から請求項8の発明
は、各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
入手段に用いられるフィルタとして、第1の処理ユニッ
ト及び第1の搬送ユニットと第2の処理ユニット及び第
2の搬送ユニットとで異なる種類のものを使用してなる
ものである。例えば、被処理基板を処理液を用いて処理
する処理ユニット(さらに具体的には現像ユニット、レ
ジスト塗布ユニット等)を第2の処理ユニットとし、こ
の第2の処理ユニットとこれに被処理基板を出し入れす
る第2の搬送ユニットに化学物質の吸着・除去能力の高
い種類のフィルタ例えばケミカルHEPAフィルタ(U
LPAフィルタ)を使用し、その他の領域のフィルタと
しては、より小形で安価なフィルタ例えばHEPAフィ
ルタを使用する。このようにユニット毎にその必要性を
考慮して性能的に無駄のない適当な種類のフィルタを用
いることによって、システム全体の小形化及び低コスト
化を図ることができる。
【0020】さらに、本発明の処理装置は、請求項9に
記載されるように、被処理基板を処理する複数の第1の
処理ユニットと、被処理基板を処理する複数の第2の処
理ユニットと、前記各第1の処理ユニットに対して前記
被処理基板の出し入れを行う第1の搬送ユニットと、前
記各第1の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニッ
トと対向する位置に個々の前記第2の処理ユニットに対
応して設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの一
部及び前記対応する第2の処理ユニットに対して前記被
処理基板の出し入れを各々行う複数の第2の搬送ユニッ
トと、前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄
空気導入手段であって、前記第1の処理ユニット及び前
記第1の搬送ユニットと一部の前記第2の処理ユニット
及びこれに対応する一部の前記第2の搬送ユニットとで
異なる種類のフィルタを用いてなる清浄空気導入手段と
を具備することを特徴とする。
【0021】また、本発明の処理装置は、請求項10に
記載されるように、被処理基板に対して熱処理を含む所
定の処理を行う複数の第1の処理ユニットと、被処理基
板を処理液を用いて処理する複数の第2の処理ユニット
と、前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板
の出し入れを行う第1の搬送ユニットと、前記各第1の
処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向す
る位置に個々の前記第2の処理ユニットに対応して設け
られ、前記各第1の処理ユニットのうちの一部及び前記
対応する第2の処理ユニットに対して前記被処理基板の
出し入れを各々行う複数の第2の搬送ユニットと、前記
各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導入手
段であって、前記第1の処理ユニット及び前記第1の搬
送ユニットと一部の前記第2の処理ユニット及びこれに
対応する一部の前記第2の搬送ユニットとで異なる種類
のフィルタを用いてなる清浄空気導入手段とを具備する
ことを特徴とする。
【0022】さらに、本発明の処理装置は、請求項11
に記載されるように、被処理基板を処理する複数の第1
の処理ユニットと、被処理基板を処理する複数の第2の
処理ユニットと、外部との間で被処理基板の受け渡しを
行う外部受渡部と、前記外部受渡部との被処理基板の受
け渡し、及び前記各第1の処理ユニットに対して前記被
処理基板の出し入れを行う第1の搬送ユニットと、前記
外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第1の処理ユ
ニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する位置
に個々の前記第2の処理ユニットに対応して設けられ、
前記各第1の処理ユニットのうちの一部及び前記対応す
る第2の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入
れを各々行う複数の第2の搬送ユニットと、前記各ユニ
ットに清浄空気を導入するための清浄空気導入手段であ
って、前記第1の処理ユニット及び前記第1の搬送ユニ
ットと一部の前記第2の処理ユニット及びこれに対応す
る一部の前記第2の搬送ユニットとで異なる種類のフィ
ルタを用いてなる清浄空気導入手段とを具備することを
特徴とする。
【0023】さらに、本発明の処理装置は、請求項12
に記載されるように、被処理基板に対して熱処理を含む
所定の処理を行う複数の第1の処理ユニットと、被処理
基板を処理液を用いて処理する複数の第2の処理ユニッ
トと、外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受
渡部と、前記外部受渡部との被処理基板の受け渡し、及
び前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の
出し入れを行う第1の搬送ユニットと、前記外部受渡部
に対して密閉され、且つ前記各第1の処理ユニットを挟
んで前記第1の搬送ユニットと対向する位置に個々の前
記第2の処理ユニットに対応して設けられ、前記各第1
の処理ユニットのうちの一部及び前記対応する第2の処
理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを各々行
う複数の第2の搬送ユニットと、前記各ユニットに清浄
空気を導入するための清浄空気導入手段であって、前記
第1の処理ユニット及び前記第1の搬送ユニットと一部
の前記第2の処理ユニット及びこれに対応する一部の前
記第2の搬送ユニットとで異なる種類のフィルタを用い
てなる清浄空気導入手段とを具備することを特徴とす
る。
【0024】すなわち、請求項9から請求項12の発明
は、各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
入手段に用いられるフィルタとして、第1の処理ユニッ
ト及び第1の搬送ユニットと一部の第2の処理ユニット
及びこれに対応する一部の第2の搬送ユニットとで異な
る種類のフィルタを使用してなるものである。例えば、
レジスト塗布ユニットと現像ユニットのうちの現像ユニ
ット等を第2の処理ユニットとし、この第2の処理ユニ
ットとこれに被処理基板を出し入れする第2の搬送ユニ
ットに化学物質の吸着・除去能力の高い種類のフィルタ
例えばケミカルHEPAフィルタ(ULPAフィルタ)
を使用し、その他の領域のフィルタとしては、より小形
で安価なフィルタ例えばHEPAフィルタを使用する。
このようにユニット毎にその必要性を考慮して性能的に
無駄のない適当な種類のフィルタを用いることによっ
て、システム全体の小形化及び低コスト化を図れる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。
【0026】図1乃至図3は、各々本発明の実施形態が
採用された半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)の
塗布現像処理システム1の全体構成を示しており、図1
はその平面図、図2は正面側の側面図、図3は背面側の
一部断面・側面図である。これらの図に示すように、本
実施形態の塗布現像処理システム1は、ウエハWを複数
収容したウエハカセットCRを外部との間で搬入・搬出
したり、ウエハカセットCRに対してウエハWの出し入
れを行うためのカセットステーション10と、ウエハW
に対して1枚ずつ所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユ
ニットを配置して構成される処理ステーション11と、
外部の露光装置との間でウエハWの受け渡しを行うイン
ターフェース部12とを一体に組み合わせて構成され
る。
【0027】カセットステーション10内には、図1に
示すように、カセット載置台20上に複数例えば5個ま
でのウエハカセットCRが各々のウエハ出入口を処理ス
テーション11側に向けて一列に載置され、これらウエ
ハカセットCRに対して、X方向及びZ方向(ウエハカ
セッ卜CR内のウエハ配列方向;垂直方向)に移動自在
に設けられたウエハ搬送体21がウエハWの出し入れ操
作を行うようになっている。このウエハ搬送体21は、
θ方向に回転自在に構成され、処理ステーション11側
の第1のウエハ搬送体22に対してウエハWの受け渡し
を行うことも可能である。
【0028】処理ステーション11内には、互いに独立
した2つの搬送ユニットである第1の搬送ユニット31
及び第2の搬送ユニット32と各種処理ユニット群が配
設されている。
【0029】処理ユニットは、カップCP内でウエハW
をスピンチャック上に載せて回転しつつ処理液を用いた
所定の処理を行うスピンナ型のもの(レジスト塗布ユニ
ット(COT)及び現像ユニット(DEV))と、ウエ
ハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオーブン型
のもの(熱処理系を含む処理ユニット群33)とに大別
され、これらスピンナ型の処理ユニット(レジスト塗布
ユニット(COT)及び現像ユニット(DEV))とオ
ーブン型の処理ユニット(熱処理系を含む処理ユニット
群33)とは、第2の搬送ユニット32を挟んでその両
側に二分して配置されている。そして、オーブン型の処
理ユニット(熱処理系を含む処理ユニット群33)によ
って、第1の搬送ユニット31と第2の搬送ユニット3
2とが互いに分離されている。
【0030】これら処理ユニットの配置構成をさらに詳
しく説明すると、図1及び図2に示すように、スピンナ
型の処理ユニットであるレジスト塗布ユニット(CO
T)及び現像ユニット(DEV)は、第2の搬送ユニッ
ト32に面して横一列に並置され、オーブン型の処理ユ
ニット(熱処理系を含む処理ユニット群33)は、図1
及び図3に示すように、縦横に複数(この例では縦4段
横5列)重ねて並置されている。なお、図3は第1の搬
送ユニット31側からオーブン型の処理ユニット(熱処
理系を含む処理ユニット群33)の配置構成を示した一
部断面・側面図である。
【0031】オーブン型の処理ユニットとしては、ウエ
ハWの冷却処理を行うクーリングユニット(COL)、
ウエハWの位置合わせを行うアライメントユニット(A
LIM)、ウエハW表面に塗布されたレジスト液の定着
性を高めるための疏水化処理を行うアドヒージョンユニ
ット(AD)、露光処理前のウエハWに対して加熱処理
を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)、露
光処理後のウエハWに対して加熱処理を行うポストベー
キングユニット(POBAKE)、イクステンション・
クーリングユニット(EXTCOL)、第1の搬送ユニ
ット31と第2の搬送ユニット32との間でウエハWの
受け渡しを行うためのイクステンションユニット(EX
T)等がある。
【0032】ここで、処理温度の比較的低いクーリング
ユニット(COL)、イクステンション・クーリングユ
ニット(EXTCOL)及びイクステンションユニット
(EXT)は例えば最下段に配置され、処理温度の比較
的高いプリベーキングユニット(PREBAKE)及び
ポストベーキングユニット(POBAKE)及びアドヒ
ージョンユニット(AD)はクーリングユニット(CO
L)及びイクステンションユニット(EXT)よりも上
段に配置されている。このように処理温度の高いユニッ
トを上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干
渉を少なくしている。
【0033】第1の搬送ユニット31内には、カセット
ステーション10とインターフェース部12との間でY
方向に移動自在とされ、Z方向(垂直方向)に上下動で
きると共に、θ方向に回転し得るように構成された第1
のウエハ搬送体22が設けられており、この第1のウエ
ハ搬送体22によって、カセットステーション10、イ
ンターフェース部12との間でのウエハWの受け渡し、
及び熱処理系を含む処理ユニット群33における個々の
オーブン型処理ユニットに対するウエハWの出し入れが
行われる。
【0034】一方、第2の搬送ユニット32内には、例
えば位置固定型の2つのウエハ搬送体、例えばZ方向
(垂直方向)に上下動できると共にθ方向に回転自在に
構成された2つの搬送体(第2のウエハ搬送体23及び
第3のウエハ搬送体24)が設けられている。この第2
のウエハ搬送体23によって、図1及び図4に示すよう
に、イクステンションユニット(EXT)に対するウエ
ハWの出し入れや、レジスト塗布ユニット(COT)に
対するウエハWの出し入れ、さらに第3のウエハ搬送体
24との間でのウエハWの受け渡しが行われるものとさ
れている。さらに、第3のウエハ搬送体24は、第2の
ウエハ搬送体23との間でのウエハWの受け渡し、及び
現像ユニット(DEV)に対するウエハWの出し入れを
行うものである。
【0035】図4に示すように、各処理ユニットには各
々、ウエハWの搬入・搬出用の開口41が設けられてお
り、これらの開口41は図示しない駆動手段によって駆
動するシャッタ42によって個々に開閉される。したが
って、第1の搬送ユニット31と第2の搬送ユニット3
2との間でのウエハWの受け渡しに供されるイクステン
ションユニット(EXT)には、各搬送ユニット31、
32と対向する両面に開口41とその開閉用のシャッタ
42が各々設けられている。
【0036】インターフェース部12には、可搬型のピ
ックアップカセットCR、定置型のバッファカセットB
R、図示しない周辺露光装置、及びウエハ搬送体25等
が設けられている。ウエハ搬送体25は、X方向及びZ
方向に移動して上記両カセットCR、BRに対するウエ
ハWの受け渡し動作を行う。また、ウエハ搬送体25は
θ方向にも回転自在とされ、処理ステーション11側の
第1のウエハ搬送体22及び外部の露光装置側のウエハ
受渡し台(図示せず)との間でのウエハWの受け渡しを
行うように構成されている。
【0037】また、図3、図4、図5に示すように、カ
セットステーション10、処理ステーション11及びイ
ンターフェース部12の上方にはエアー供給室10a、
11a1 、11a2 、12aが設けられており、各エア
ー供給室10a、11a1 、11a2 、12aの下部に
は防塵機能付きフィルタ10b、11b1 、11b2、
12bが取り付けられている。このシステムの外部には
空調器36、37が設置されており、この空調器36、
37より配管38、39を通って空気が各エアー供給室
10a、11a1 、11a2 、12aに導入され、各エ
アー供給室のフィルタ10b、11b1 、11b2 、1
2bにより清浄な空気が各部10、11、12に供給さ
れるようになっている。このダウンフローのシステム下
部の適当な箇所に複数設けられている通気孔を通って底
部の排気口42に集められ、この排気口42から配管4
4、45を通って空調器36、37に回収されるように
なっている。
【0038】また、本実施形態の塗布現像処理システム
においては、空調器37から第2の搬送ユニット32と
レジスト塗布ユニット(COT)及び現像ユニット(D
EV)の上方のエアー供給室11a2 への単位時間あた
りの空気供給量を、空調器36から第1の搬送ユニット
31及び熱処理系を含むオーブン型処理ユニット群33
の上方のエアー供給室11a1 への単位時間あたりの空
気供給量よりも高く設定して、前者領域側の圧を後者領
域側の圧よりも高くしている。これにより、搬送ユニッ
ト31,32間でのウエハWの受け渡しを行うためのイ
クステンションユニット(EXT)内での空気の流れの
方向は、常に第2の搬送ユニット32から第1の搬送ユ
ニット31への方向となり、よって、イクステンション
ユニット(EXT)を通して液処理系側に塵埃等の異物
が浸入することを阻止することが可能となる。
【0039】ところで、ウエハに対する液処理、特に現
像処理においては、大気中に含まれる化学物質例えばア
ンモニアガス、アミンガス等のアルカリ性物質がウエハ
W表面に吸着することに起因する不良を防止することが
重要とされている。このような事情を鑑みて、本実施形
態の塗布現像処理システム1は、図4、図5に示すよう
に、第2の搬送ユニット32及び液処理系の各処理ユニ
ット(COT)(DEV)に導入される空気を清浄する
ためのフィルタ11b2 として、化学物質の吸着・除去
能力の高い種類のフィルタ例えばケミカルHEPAフィ
ルタ(ULPAフィルタ)を使用している。このような
化学物質の吸着・除去能力により優れた種類のフィルタ
は、他の領域のフィルタとしても勿論利用し得るもので
あるが、フィルタサイズが比較的大きく高価であり、シ
ステムの小形化、低コスト化を阻む要素となり得る。
【0040】そこで本実施形態の塗布現像処理システム
では、第2の搬送ユニット32を含む液処理系の領域の
フィルタ11b2 にのみ、化学物質の吸着・除去能力の
高い種類のフィルタ例えばケミカルHEPAフィルタ
(ULPAフィルタ)を使用し、その他の領域のフィル
タ10b、11b1 、12bとしては、より小形で安価
なフィルタ例えばHEPAフィルタを使用することで、
システムの小形化及び低コスト化に寄与するようにして
いる。
【0041】要するに、本実施形態の塗布現像処理シス
テム1では、液処理系と熱処理系の各領域が互いに分離
しているので、各々の領域に応じて必要最小限の能力を
持った異なる種類のフィルタを適用でき、これによりシ
ステムの小形化及び低コスト化を実現することができ
る。よって、本発明において、各領域に適用されるフィ
ルタの種類は上記したものに限定されるものではない。
【0042】また、前記実施形態では、第2の搬送ユニ
ット32を含む液処理系の領域のフィルタ11b2 にの
み化学物質の吸着・除去能力の高い種類のフィルタを使
用するものとしたが、図6に示すように、第2の搬送ユ
ニット32内の空間を隔壁35によってレジスト塗布ユ
ニット(COT)側の空間32aと現像ユニット(DE
V)側の空間32bとに二分し、個々の空間32a、3
2b内にウエハ搬送体23、24を一体ずつ設けると共
に、第1の搬送ユニット31と第2の搬送ユニット32
との間に配置された熱処理系のオーブン型処理ユニット
群33の最下段の2つの処理ユニットを個々のウエハ搬
送体23、24に対応するウエハ受け渡し用のイクステ
ンションユニット(EXT)として用いるように構成さ
れた塗布現像処理システムの場合、第2の搬送ユニット
32内の現像ユニット(DEV)側の空間32bと現像
ユニット(DEV)の上方のフィルタ11b3 にのみ、
化学物質の吸着・除去能力により優れた種類のフィルタ
を使用するようにしてもよい。
【0043】次に、この塗布現像処理システムによる処
理の流れを説明する。
【0044】まずカセットステーション10において、
ウエハ搬送体21がカセット載置台20上の処理前のウ
エハWを収容しているカセットCRにアクセスして、そ
のカセットCRから1枚のウエハWを取り出す。その
後、ウエハ搬送体21は、処理ステーンション11の第
1の搬送ユニット31内の第1のウエハ搬送体22にウ
エハWを受け渡す。第1のウエハ搬送体22は、アライ
メントユニット(ALIM)の位置までY方向及びZ方
向(垂直方向)に移動し、さらにθ方向に回転して、ア
ライメントユニット(ALIM)内にウエハWを移載す
る。
【0045】アライメントユニット(ALIM)にてウ
エハWのオリフラ合わせ及びセンタリングが終了する
と、第1の搬送ユニット31内の第1のウエハ搬送体2
2は、アライメントが完了したウエハWを受け取り、続
いてアドヒージョンユニット(AD)の位置までY方向
及びZ方向(垂直方向)に移動してアドヒージョンユニ
ット(AD)内にウエハWを移載する。ここでウエハW
の疎水化処理が行われる。
【0046】疎水化処理を終えたウエハWは、続いて第
1の搬送ユニット31内の第1のウエハ搬送体22によ
って所定のプリベーキングユニット(PREBAKE)
に搬入されてベーキングされた後、所定のクーリングユ
ニット(COL)に搬入される。このクーリングユニッ
ト(COL)内でウエハWはレジスト塗布処理前の設定
温度例えば23℃まで冷却される。
【0047】ウエハWの冷却処理が終了すると、第1の
搬送ユニット31内の第1のウエハ搬送体22は当該ク
ーリングユニット(COL)からウエハWを取り出した
後、イクステンションユニット(EXT)の位置まで移
動し、このイクステンションユニット(EXT)内にウ
エハWを搬入してその中の載置台SP上にウエハWを載
置する。
【0048】この後、イクステンションユニット(EX
T)を通じてウエハWは第2の搬送ユニット32内に移
送される。すなわち、イクステンションユニット(EX
T)第2の搬送ユニット32に面している開口41を開
閉するシャッタ42が開き、イクステンションユニット
(EXT)内の載置台SP上に載置されているウエハW
が第2の搬送ユニット32内の第2の搬送体23によっ
てイクステンションユニット(EXT)内より搬出さ
れ、シャッタ42が閉じられる。
【0049】なお、イクステンションユニット(EX
T)の両開口41を開閉する各シャッタ42は、例え
ば、第2の搬送ユニット32内の雰囲気圧を第1の搬送
ユニット31内のそれよりも高くしておくなど、第1の
搬送ユニット31から第2の搬送ユニット32へのパー
ティクル等の異物浸入を阻止可能な他の手段を用いるこ
とによって排除することが可能である。
【0050】その後、イクステンションユニット(EX
T)内より第2の搬送ユニット32内に移送されたウエ
ハWは、第2の搬送体23によって、レジスト塗布ユニ
ット(COT)へ搬入され、このレジスト塗布ユニット
(COT)内でウエハW表面へのレジスト塗布が行われ
る。
【0051】レジスト塗布処理が終了すると、第2の搬
送ユニット32内の第2のウエハ搬送体23はウエハW
をレジス卜塗布ユニット(COT)から取り出し、再び
イクステンションユニット(EXT)に搬入する。この
後、第1の搬送ユニット31内の第1のウエハ搬送体2
2によってイクステンションユニット(EXT)内から
ウエハWが搬出され、続いて第1のウエハ搬送体22は
所定のプリベークユニット(PREBAKE)の位置ま
で第1の搬送ユニット31内をY方向及びZ方向(垂直
方向)に移動し、ウエハWをプリベークユニット(PR
EBAKE)内に搬入する。ウエハWはここで所定温度
例えば100℃で所定時間加熱され、以てウエハW上の
塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【0052】この後、ウエハWは第1のウエハ搬送体2
2によってインターフェース部12イクステンション・
クーリングユニット(ΕΧTCOL)へ搬入され、ここ
でウエハWは、次工程つまりインターフェース部12内
に設けられた周辺露光装置(図示せず)による周辺露光
処理に適した温度例えば24℃まで冷却される。
【0053】続いて第1の搬送ユニット31内の第1の
ウエハ搬送体22は、イクステンション・クーリングユ
ニット(ΕΧTCOL)内からウエハWを取り出し、イ
ンターフェース部12のウエハ搬送体25に受け渡す。
このインターフェース部12のウエハ搬送体25は当該
ウエハWをインターフェース部12内の図示しない周辺
露光装置へ搬入する。ここで、ウエハWはその周縁部に
露光処理を受ける。
【0054】周辺露光処理が終了すると、インターフェ
ース部12のウエハ搬送体25は、ウエハWを周辺露光
装置から搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台
(図示せず)へ移送する。この場合、ウエハWは、露光
装置へ渡される前に、必要に応じてバッファカセットB
Rに一時的に格納されることもある。
【0055】露光装置での全面パターン露光処理が完了
して、ウエハWが露光装置側のウエハ受取り台に戻され
ると、インターフェース部12のウエハ搬送体25はそ
のウエハ受取り台から露光処理後のウエハWを受け取
り、ウエハWを再び処理ステーション11の第1の搬送
ユニット31内の第1のウエハ搬送体22に受け渡す。
この場合、ウエハWを、処理ステーション11側へ受け
渡す前に、必要に応じてインターフェース部12内のバ
ッファカセットBRに一時的に格納するようにしてもよ
い。
【0056】この後、第1の搬送ユニット31内の第1
のウエハ搬送体22は、ウエハWを所定のポストベーキ
ングユニット(POBAKE)に搬入する。このポスト
ベーキングユニット(POBAKE)においてウエハW
は所定時間ベーク処理される。続いて、ベーキングされ
たウエハWは、第1の搬送ユニット31内のウエハ搬送
体22によっていずれかのクーリングユニット(CO
L)に搬入され、このクーリングユニット(COL)内
でウエハWは常温に戻される。
【0057】続いて、ウエハWは、イクステンションユ
ニット(EXT)内に搬入された後、前記同様に第2の
搬送ユニット32内の第2の搬送体23によってイクス
テンションユニット(EXT)内から取り出され、さら
に第2の搬送ユニット32内の第3の搬送体24に受け
渡される。そして、この第3の搬送体24によってウエ
ハWは現像ユニット(DEV)内に搬入される。
【0058】この現像ユニット(DEV)内では、ウエ
ハWはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー
方式により、ウエハW表面のレジストに現像液が均一に
かけられて現像が行われる。現像後は、現像ユニット
(DEV)内にて、ウエハ表面にリンス液がかけられ、
現像液の洗い落しが行われる。
【0059】この後、第2の搬送ユニット32内の第3
のウエハ搬送体24は、ウエハWを現像ユニット(DE
V)から搬出した後、隣の第2の搬送体23に受け渡
す。第2の搬送体23は第3のウエハ搬送体24より受
け渡されたウエハWをイクステンションユニット(EX
T)内に搬入する。この後、第1の搬送ユニット31内
の第1のウエハ搬送体22によってイクステンションユ
ニット(EXT)内からウエハWが搬出され、続いて第
1のウエハ搬送体22は所定のポストベーキングユニッ
ト(POBAKΕ)へウエハWを搬入する。このポスト
ベーキングユニット(POBAKE)において、ウエハ
Wは例えば100℃で所定時間だけ加熱され、これによ
って、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向
上する。
【0060】ポストベーキングが終了すると、第1の搬
送ユニット31内のウエハ搬送体22はウエハWをポス
トベーキングユニット(POBAKE)から搬出し、次
に所定のクーリングユニット(COL)へウエハWを搬
入して冷却処理が行われる。ここでウエハWが常温に戻
った後、第1のウエハ搬送体22は、ウエハWをカセッ
トステーション10側のウエハ搬送体21に受け渡す。
そしてウエハ搬送体21は、受け取ったウエハWをカセ
ット載置台20上の処理済みウエハ収容用のカセットC
Rの所定のウエハ収容溝に入れる。
【0061】このように本実施形態は、カセットステー
ション10及び露光装置用のインターフェース部12と
の間でのウエハWの受け渡し、及び熱処理系を含むオー
ブン型処理ユニット群33に対するウエハWの出し入れ
を行う第1の搬送ユニット31と、レジスト塗布ユニッ
ト(COT)及び現像ユニット(DEV)に対してウエ
ハWの出し入れを行う第2の搬送ユニット32とを互い
に分離して配置し、且つ第1の搬送ユニット31と第2
の搬送ユニット32との間でのウエハWの受け渡しは熱
処理系のオーブン型処理ユニット群33のなかのイクス
テンションユニット(EXT)を通じて行うように構成
された塗布現像処理システム1において、第2の搬送ユ
ニット32側の圧を第1の搬送ユニット31側の圧より
も高くしてなるものである。これにより、搬送ユニット
31,32間でのイクステンションユニット(EXT)
内での空気の流れ方向は、常に第2の搬送ユニット32
から第1の搬送ユニット31への方向となり、この結
果、イクステンションユニット(EXT)を通して液処
理系側に塵埃等の異物が浸入することを阻止することが
できる。
【0062】また、本実施形態の塗布現像処理システム
1においては、第2の搬送ユニット32を含む液処理系
の領域のフィルタ11b2 にのみ、或いは現像処理系の
領域のフィルタ11b3 にのみ化学物質の吸着・除去能
力の高い種類のフィルタ例えばケミカルHEPAフィル
タ(ULPAフィルタ)を使用し、その他の領域のフィ
ルタとしては、より小形で安価なフィルタ例えばHEP
Aフィルタを使用することで、システムの小形化及び低
コスト化を図ることができる。
【0063】ところで、上記した塗布現像処理システム
における各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可
能である。
【0064】例えば、前記の実施形態では、熱処理系を
含むオーブン型処理ユニット群33の最下段の処理ユニ
ットの中からイクステンションユニット(EXT)を決
定したが、その他の段の処理ユニット例えば下から二段
目や三段目の処理ユニットをイクステンションユニット
として用いても構わない。
【0065】さらに、前記の実施形態では、処理ステー
ション11を間に挟んでその両側にカセットステーショ
ン10とインターフェース部12とを配置する構成とし
たが、図7に示すように、第1の搬送ユニット31を挟
んで熱処理系を含むオーブン型処理ユニット群33と対
向する位置にインターフェース部12を並設してもよ
い。この構成において、インターフェース部12には、
例えば複数(この例では2つ)のウエハ搬送体125、
126を設けることが可能であり、これら複数のウエハ
搬送体125、126を、ウエハWを露光装置と処理ス
テーション11との間で受け渡す際のバッファとして利
用することができる。なお、28は露光装置によるウエ
ハWの全面露光が行われる前にウエハWの周縁部に露光
を施す周辺露光装置である。
【0066】また、以上説明した実施形態では、第2の
搬送ユニット32内のウエハ搬送体として位置固定型の
ものを採用したが、これに代えて、例えば図8に示すよ
うに、第1の搬送ユニット31内のウエハ搬送体22と
同様な構造のもの、すなわちY方向に移動自在なウエハ
搬送体223を採用して本発明に係る塗布現像処理シス
テムを構成してもよい。
【0067】以上、半導体ウエハの表面にレジスト液を
塗布し、現像する装置について説明したが、本発明はL
CD基板等の表面にレジスト液を塗布し、現像する装置
にも適用できることは言うまでもまい。
【0068】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項1
から請求項4の発明によれば、第2の搬送ユニット内を
第1の搬送ユニット内に対して陽圧にすることで、各搬
送ユニット間での被処理基板の受け渡しに用いられる処
理ユニット内での空気の流れ方向を常に第2の搬送ユニ
ットから第1の搬送ユニットへの方向とし、当該受渡し
用の処理ユニットを通して第2の搬送ユニット側に塵埃
等の異物が浸入することを阻止することができる。した
がって、第2の処理ユニットとして特にレジスト塗布や
現像等の処理液を用いた処理ユニットを採用した場合、
被処理基板表面に塵埃等の異物が付着することに起因し
ての歩留りの低下を抑制することできる。また、外部受
渡部例えばカセットステーションや露光装置用のインタ
ーフェース部に対して第2の搬送ユニットを密閉した構
成にしたことで、第2の搬送ユニット及び第2の処理ユ
ニットからなる液処理領域内の密閉性がさらに向上し、
被処理基板表面に塵埃等が付着する事態をより効果的に
阻止できる。
【0069】さらに、請求項5から請求項8の発明によ
れば、例えば、被処理基板を処理液を用いて処理する現
像ユニット、レジスト塗布ユニット等の処理ユニットと
これに被処理基板を出し入れする搬送ユニットに化学物
質の吸着・除去能力の高い種類のフィルタを使用し、そ
の他の領域のフィルタとしてはより小形で安価なフィル
タを使用すると言ったように、処理ユニットとこれに被
処理基板を出し入れする搬送ユニット毎にその必要性を
考慮して性能的に無駄のない適当な種類のフィルタを選
択することによって、システム全体の小形化及び低コス
ト化を図ることができる。
【0070】さらに、請求項9から請求項12の発明に
よれば、例えば、レジスト塗布ユニットと現像ユニット
のうちの現像ユニット等の処理ユニットと、この処理ユ
ニットに被処理基板を出し入れする搬送ユニットに化学
物質の吸着・除去能力の高い種類のフィルタを使用し、
その他の領域のフィルタとしてはより小形で安価なフィ
ルタを使用すると言ったように、個々の処理ユニットと
これに被処理基板を出し入れする搬送ユニット毎にその
必要性を考慮して性能的に無駄のない適当な種類のフィ
ルタを選択することによって、システム全体の小形化及
び低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である半導体ウエハの塗布
現像処理システムの全体構成を示す平面図
【図2】図1に示した塗布現像処理システムの正面側の
側面図
【図3】図1に示した塗布現像処理システムの背面側の
一部断面・側面図
【図4】図1に示した塗布現像処理システムの断面図
【図5】図1に示した塗布現像処理システムにおける天
井部のフィルタの配置構成を示す平面図
【図6】本発明の他の実施形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成を示す平面図
【図7】本発明のさらに他の実施形態である半導体ウエ
ハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図
【図8】本発明のさらに他の実施形態である半導体ウエ
ハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図
【符号の説明】
W……半導体ウエハ 10……カセットステーション 11……処理ステーション 11a1 、11a2 ……エアー供給室 11b1 ……HEPAフィルタ 11b2 ……ケミカルHEPAフィルタ(ULPAフィ
ルタ) 12……インターフェース部 31……第1の搬送ユニット 32……第2の搬送ユニット 33……熱処理系を含む処理ユニット群 36、37……空調器 COT……レジスト塗布ユニット DEV……現像ユニット EXT……ウエハ受渡し用のイクステンションユニット

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板を処理する複数の第1の処理
    ユニットと、 被処理基板を処理する第2の処理ユニットと、 前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記各第1の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニ
    ットと対向する位置に設けられ、前記各第1の処理ユニ
    ットのうちの一部及び前記第2の処理ユニットに対して
    前記被処理基板の出し入れを行う第2の搬送ユニット
    と、 前記第2の搬送ユニット内を前記第1の搬送ユニット内
    に対して陽圧にする手段とを具備することを特徴とする
    処理装置。
  2. 【請求項2】 被処理基板に対して熱処理を含む所定の
    処理を行う複数の第1の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第2の処理ユニッ
    トと、 前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記各第1の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニ
    ットと対向する位置に設けられ、前記各第1の処理ユニ
    ットのうちの一部及び前記第2の処理ユニットに対して
    前記被処理基板の出し入れを行う第2の搬送ユニット
    と、 前記第2の搬送ユニット内を前記第1の搬送ユニット内
    に対して陽圧にする手段とを具備することを特徴とする
    処理装置。
  3. 【請求項3】 被処理基板を処理する複数の第1の処理
    ユニットと、 被処理基板を処理する第2の処理ユニットと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
    と、 前記外部受渡部との被処理基板の受け渡し、及び前記各
    第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れ
    を行う第1の搬送ユニットと、 前記外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第1の処
    理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する
    位置に設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの一
    部及び前記第2の処理ユニットに対して前記被処理基板
    の出し入れを行う第2の搬送ユニットと、 前記第2の搬送ユニット内を前記第1の搬送ユニット内
    に対して陽圧にする手段とを具備することを特徴とする
    処理装置。
  4. 【請求項4】 被処理基板に対して熱処理を含む所定の
    処理を行う複数の第1の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第2の処理ユニッ
    トと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
    と、 前記外部受渡部との被処理基板の受け渡し、及び前記各
    第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れ
    を行う第1の搬送ユニットと、 前記外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第1の処
    理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する
    位置に設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの一
    部及び前記第2の処理ユニットに対して前記被処理基板
    の出し入れを行う第2の搬送ユニットと、 前記第2の搬送ユニット内を前記第1の搬送ユニット内
    に対して陽圧にする手段とを具備することを特徴とする
    処理装置。
  5. 【請求項5】 被処理基板を処理する複数の第1の処理
    ユニットと、 被処理基板を処理する第2の処理ユニットと、 前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記各第1の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニ
    ットと対向する位置に設けられ、前記各第1の処理ユニ
    ットのうちの一部及び前記第2の処理ユニットに対して
    前記被処理基板の出し入れを行う第2の搬送ユニット
    と、 前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
    入手段であって、前記第1の処理ユニット及び第1の搬
    送ユニットと前記第2の処理ユニット及び第2の搬送ユ
    ニットとで異なる種類のフィルタを用いてなる清浄空気
    導入手段とを具備することを特徴とする処理装置。
  6. 【請求項6】 被処理基板に対して熱処理を含む所定の
    処理を行う複数の第1の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第2の処理ユニッ
    トと、 前記各第1の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニ
    ットと対向する位置に設けられ、前記各第1の処理ユニ
    ットのうちの一部及び前記第2の処理ユニットに対して
    前記被処理基板の出し入れを行う第2の搬送ユニット
    と、 前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
    入手段であって、前記第1の処理ユニット及び第1の搬
    送ユニットと前記第2の処理ユニット及び第2の搬送ユ
    ニットとで異なる種類のフィルタを用いてなる清浄空気
    導入手段とを具備することを特徴とする処理装置。
  7. 【請求項7】 被処理基板を処理する複数の第1の処理
    ユニットと、 被処理基板を処理する第2の処理ユニットと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
    と、 前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡し、及び
    前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第1の処
    理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する
    位置に設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの一
    部及び前記第2の処理ユニットに対して前記被処理基板
    の出し入れを行う第2の搬送ユニットと、 前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
    入手段であって、前記第1の処理ユニット及び第1の搬
    送ユニットと前記第2の処理ユニット及び第2の搬送ユ
    ニットとで異なる種類のフィルタを用いてなる清浄空気
    導入手段とを具備することを特徴とする処理装置。
  8. 【請求項8】 被処理基板に対して熱処理を含む所定の
    処理を行う複数の第1の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第2の処理ユニッ
    トと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
    と、 前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡し、及び
    前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第1の処
    理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する
    位置に設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの一
    部及び前記第2の処理ユニットに対して前記被処理基板
    の出し入れを行う第2の搬送ユニットと、 前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
    入手段であって、前記第1の処理ユニット及び第1の搬
    送ユニットと前記第2の処理ユニット及び第2の搬送ユ
    ニットとで異なる種類のフィルタを用いてなる清浄空気
    導入手段とを具備することを特徴とする処理装置。
  9. 【請求項9】 被処理基板を処理する複数の第1の処理
    ユニットと、 被処理基板を処理する複数の第2の処理ユニットと、 前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記各第1の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニ
    ットと対向する位置に個々の前記第2の処理ユニットに
    対応して設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの
    一部及び前記対応する第2の処理ユニットに対して前記
    被処理基板の出し入れを各々行う複数の第2の搬送ユニ
    ットと、 前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
    入手段であって、前記第1の処理ユニット及び前記第1
    の搬送ユニットと一部の前記第2の処理ユニット及びこ
    れに対応する一部の前記第2の搬送ユニットとで異なる
    種類のフィルタを用いてなる清浄空気導入手段とを具備
    することを特徴とする処理装置。
  10. 【請求項10】 被処理基板に対して熱処理を含む所定
    の処理を行う複数の第1の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する複数の第2の処理
    ユニットと、 前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記各第1の処理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニ
    ットと対向する位置に個々の前記第2の処理ユニットに
    対応して設けられ、前記各第1の処理ユニットのうちの
    一部及び前記対応する第2の処理ユニットに対して前記
    被処理基板の出し入れを各々行う複数の第2の搬送ユニ
    ットと、 前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
    入手段であって、前記第1の処理ユニット及び前記第1
    の搬送ユニットと一部の前記第2の処理ユニット及びこ
    れに対応する一部の前記第2の搬送ユニットとで異なる
    種類のフィルタを用いてなる清浄空気導入手段とを具備
    することを特徴とする処理装置。
  11. 【請求項11】 被処理基板を処理する複数の第1の処
    理ユニットと、 被処理基板を処理する複数の第2の処理ユニットと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
    と、 前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡し、及び
    前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第1の処
    理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する
    位置に個々の前記第2の処理ユニットに対応して設けら
    れ、前記各第1の処理ユニットのうちの一部及び前記対
    応する第2の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを各々行う複数の第2の搬送ユニットと、 前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
    入手段であって、前記第1の処理ユニット及び前記第1
    の搬送ユニットと一部の前記第2の処理ユニット及びこ
    れに対応する一部の前記第2の搬送ユニットとで異なる
    種類のフィルタを用いてなる清浄空気導入手段とを具備
    することを特徴とする処理装置。
  12. 【請求項12】 被処理基板に対して熱処理を含む所定
    の処理を行う複数の第1の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する複数の第2の処理
    ユニットと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
    と、 前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡し、及び
    前記各第1の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを行う第1の搬送ユニットと、 前記外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第1の処
    理ユニットを挟んで前記第1の搬送ユニットと対向する
    位置に個々の前記第2の処理ユニットに対応して設けら
    れ、前記各第1の処理ユニットのうちの一部及び前記対
    応する第2の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
    し入れを各々行う複数の第2の搬送ユニットと、 前記各ユニットに清浄空気を導入するための清浄空気導
    入手段であって、前記第1の処理ユニット及び前記第1
    の搬送ユニットと一部の前記第2の処理ユニット及びこ
    れに対応する一部の前記第2の搬送ユニットとで異なる
    種類のフィルタを用いてなる清浄空気導入手段とを具備
    することを特徴とする処理装置。
  13. 【請求項13】 請求項1乃至12記載のいずれかの処
    理装置において、 前記外部受渡部が、カセットに対して被処理基板の受け
    渡しを行うカセットステーション及び/又は露光装置用
    のインターフェース部であることを特徴とする処理装
    置。
JP14273697A 1997-05-30 1997-05-30 処理装置 Expired - Fee Related JP3228698B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14273697A JP3228698B2 (ja) 1997-05-30 1997-05-30 処理装置
US09/085,758 US6168667B1 (en) 1997-05-30 1998-05-27 Resist-processing apparatus
TW087108324A TW385497B (en) 1997-05-30 1998-05-28 Resist agent treatment apparatus
KR10-1998-0019768A KR100476500B1 (ko) 1997-05-30 1998-05-29 처리장치
SG200002280A SG92697A1 (en) 1997-05-30 1998-05-29 Resist-processing apparatus
SG9801243A SG79977A1 (en) 1997-05-30 1998-05-29 Resist-processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14273697A JP3228698B2 (ja) 1997-05-30 1997-05-30 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10335219A true JPH10335219A (ja) 1998-12-18
JP3228698B2 JP3228698B2 (ja) 2001-11-12

Family

ID=15322391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14273697A Expired - Fee Related JP3228698B2 (ja) 1997-05-30 1997-05-30 処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3228698B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000331907A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Tokyo Electron Ltd 処理システム
KR100602104B1 (ko) * 1999-05-25 2006-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 도포현상처리장치
KR100776890B1 (ko) 2005-02-17 2007-11-19 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000331907A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Tokyo Electron Ltd 処理システム
KR100602104B1 (ko) * 1999-05-25 2006-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 도포현상처리장치
KR100776890B1 (ko) 2005-02-17 2007-11-19 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3228698B2 (ja) 2001-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100476500B1 (ko) 처리장치
JP3571471B2 (ja) 処理方法,塗布現像処理システム及び処理システム
US6790286B2 (en) Substrate processing apparatus
JPH1074818A (ja) 処理装置
US20100192844A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
JPH113851A (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP3926890B2 (ja) 処理システム
JPH10144599A (ja) 回転処理装置およびその洗浄方法
JP3213748B2 (ja) 処理システム
US6399518B1 (en) Resist coating and developing processing apparatus
JPH10150089A (ja) 処理システム
US6287025B1 (en) Substrate processing apparatus
JP3228698B2 (ja) 処理装置
JP2000353648A (ja) 基板処理装置
JP3441681B2 (ja) 処理装置
JPH10144763A (ja) 処理装置
JP3283789B2 (ja) 処理装置
JPH10335220A (ja) 処理装置
JP2001319845A (ja) 塗布現像処理システム
JPH10335218A (ja) 処理装置
JP3254148B2 (ja) 処理装置
JPH11274265A (ja) 基板処理装置
TWI770118B (zh) 基板處理系統
JP3710979B2 (ja) 基板処理装置
JP2003142552A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010821

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees